JPH06112303A

JPH06112303A - ウエハ処理装置及びウエハ処理方法

Info

Publication number: JPH06112303A
Application number: JP28219392A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Tatsumi; 哲也辰巳
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-09-29
Filing date: 1992-09-29
Publication date: 1994-04-22

Abstract

(57)【要約】【目的】ウエハの処理の前及び後で予備放電を行う必要
のない静電チャックを備えたウエハ処理装置を提供す
る。あるいは、ウエハの温度を測定するための温度測定
手段を確実にウエハに接触させ得るウエハ処理装置を提
供する。【構成】第１の態様のウエハ処理装置は、（イ）電極３
２を具備し、ウエハ５０を静電力で固定する静電チャッ
ク３０と、（ロ）静電チャックを載置した支持台１２
と、（ハ）ウエハ５０を静電チャック３０へと昇降させ
るための、接地されたプッシャー３６、から成る。第２
の態様のウエハ処理装置は、（イ）ウエハ５０の温度を
測定する温度測定手段６０と、（ロ）温度測定手段６０
がウエハ表面に接触するように、温度測定手段６０をウ
エハに向かって付勢する付勢手段６２、から成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ処理装置及びウ
エハ処理方法、更に詳しくは、静電チャック機構あるい
は温度測定手段に特徴を有するウエハ処理装置、及びウ
エハ処理装置を用いたウエハ処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高集積化が進むなか、ウエ
ハの微細加工技術に対する要求も年々厳しいものとなっ
てきている。ゲート領域を形成するためのドライエッチ
ングをはじめとするシリコン系材料のドライエッチング
に関しても例外でなく、高選択比を確保しつつ、異方性
形状を形成するエッチング技術の確立が必要不可欠であ
る。

【０００３】近年、低温エッチング法が、このようなエ
ッチング技術を確立するための次世代の技術として注目
されている。この低温ドライエッチング技術は、ウエハ
温度を０゜Ｃ以下の低温に保持することで、プラズマに
よる表面反応を制御する機能を新たに加えた技術であ
る。即ち、リアクティブ・イオン・エッチングにおける
化学反応及び物理的スパッタリングに関し、ウエハ表面
を低温化することにより化学反応を凍結させ、高寸法精
度の加工性、エッチング選択性、高エッチング速度、レ
ジストや下地に対する選択性等を制御しようとするもの
である（例えば、"Low-Temperature Microwave Plasme
Etching", K. Tsujimoto, et al., 1988 DRY PROCESS S
YMPOSIUM, pp 42-48 参照）。

【０００４】ウエハの冷却を行う際には、冷却された電
極とウエハの熱的コンタクトを改善するために、一般
に、静電チャックが使用される。現在市販されている低
温エッチング装置等のウエハ処理装置で用いられている
単極式の静電チャックの場合、印加電圧に応じた電荷量
が外部からウエハ上に蓄積させられることによって、は
じめて吸着力が生じる。従来のウエハ処理装置において
は、この電荷の授受を導電性のあるプラズマを発生させ
ることによって行っている。

【０００５】また、低温エッチングを実施する場合、ウ
エハ温度のモニターは必要不可欠である。この場合、Ｒ
Ｆ等のノイズに対して有利な蛍光式ファイバー温度計を
冷却したウエハの裏面に接触させて、エッチング中のウ
エハ温度をモニターする方法が一般的である。

【０００６】低温リアクティブ・イオン・エッチング法
にてウエハ処理を行うための低温エッチング装置を例に
とり、以下、従来の静電チャックによるウエハの固定方
法及びウエハ温度を測定する方法を説明する。

【０００７】従来の低温エッチング装置は、図６に概要
を示すように、エッチングチャンバ１０、支持台１２、
反応ガス供給部２０、エッチングチャンバ排気部２２、
支持台１２上に取り付けられた静電チャック３０、プッ
シャー３６、及びアノード電極２６から成る。また、蛍
光式ファイバー温度計４０がウエハ裏面に接触するよう
に配置されている。支持台１２は、ＲＦ電源１４及びマ
ッチングボックス１６からのＲＦパワーを印加し得るカ
ソード電極を構成し、その内部には外部から供給される
液体窒素やエタノール等の冷媒を循環できる構造となっ
ている。ＣＨＦ₃、ＣＨ₄ 、ＨＢｒ等の各種ガスが反応
ガス供給部２０を通してエッチングチャンバ１０に供給
される。尚、図６において、プッシャー３６の昇降機構
の図示は省略した。

【０００８】静電チャック３０は電極３２を具備してい
る。電極３２には電源３４から直流電圧を印加すること
ができる。

【０００９】蛍光式のファイバー温度計４０は、蛍光物
質の蛍光緩和特性（特定波長の光を受けて蛍光物質の蛍
光減衰に要する時間が、周辺の温度に依存して変化する
性質）を利用して温度の測定を行うものである。例えば
マグネシウム蛍光体を先端に接着させた光ファイバープ
ローブをウエハに接触させて、光源から励起用パルス光
を発して、戻ってくる蛍光を受光し演算処理を行って温
度表示をする。

【００１０】ウエハ５０、搬送アーム２４、カソード電
極を構成する支持台１２及びプッシャー３６の配置を図
７に模式的に示す。搬送アーム２４によってウエハをウ
エハ処理装置のエッチングチャンバ１０内に搬入し、ウ
エハ５０を支持台１２の上方に配置する。次いで、支持
台１２に設けられた孔部１２Ａを貫通するプッシャー３
６を上昇させてウエハ５０を保持した後、搬送アーム２
４を引き抜く。その後、プッシャー３６を降下させて、
ウエハ５０を静電チャック３０上に載置する。そして、
予備放電を行い、次いで、静電チャック３０の電極３２
に直流電圧を印加することによって、ウエハ表面に静電
気を蓄積させ、静電チャック３０とウエハ５０との間に
静電力による吸引力を発生させる。尚、予備放電は、エ
ッチングチャンバ１０内を減圧した状態で、カソード電
極を構成する支持台１２に低電力を加えることによって
行うことができる。

【００１１】このとき、蛍光式ファイバー温度計４０の
先端がウエハ５０の裏面に接触するように、蛍光式ファ
イバー温度計４０の先端部を配置することが重要であ
る。

【００１２】また、低温エッチング処理が終了した後、
静電チャック３０からウエハ５０を解放する前に、予備
放電を行い、ウエハの帯電を除去する必要がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】従来の静電チャックを
用いて低温エッチングを行う場合、上記のように、エッ
チングの前及び後で予備放電を行う必要があるが、以下
のような問題がある。（Ａ）エッチングの前及び後に余分な時間を要する。（Ｂ）エッチング前の予備放電を行うまで、ウエハは静
電チャックに十分密着していないので、ウエハを充分に
冷却できない可能性がある。（Ｃ）ウエハ上に形成されたレジストの形状が予備放電
によって変化・劣化する虞れがある。この場合、当然な
がら、エッチング後のウエハの加工形状に変化が生じ
る。

【００１４】単極式静電チャックの代わりに、多極式の
静電チャックを用いる方法も提案されているが、静電チ
ャックの電極形状に起因して、正及び負の電極で吸着量
が異なるため、ウエハの冷却効率が均一でなくなるとい
う問題がある（１９９２年春季応物２８ｐ−ＮＣ−１７
「ＲＩＥにおける静電チャックの温度制御性能の検討」
参照）。

【００１５】また、ウエハを支持台１２上に載置したと
き、蛍光式ファイバー温度計４０の取り付け位置が変化
する場合がある。その結果、例えば、図８の（Ａ）に示
すように、ウエハ５０の裏面に蛍光式ファイバー温度計
４０の先端が接触していない場合、ウエハの温度を正確
に測定することができない。あるいは、図８の（Ｂ）に
示すように、蛍光式ファイバー温度計４０の先端が突出
している場合、ウエハが支持台１２から離れてしまうた
め、ウエハを十分に冷却することができないし、静電チ
ャック（図８には図示せず）によってウエハを固定する
こともできない。

【００１６】従って、支持台１２の表面（支持台１２上
に静電チャックが取り付けられている場合には、静電チ
ャックの表面）と同じ平面内に蛍光式ファイバー温度計
４０の先端を確実に配置する必要があるが、ウエハの処
理枚数が多くなると、蛍光式ファイバー温度計４０の先
端の位置がずれ（ウエハを置く勢いなどで先端が少し下
がる）、蛍光式ファイバー温度計４０を配置・固定し直
さねばならない。

【００１７】従って、本発明の第１の目的は、ウエハの
処理の前及び後で予備放電を行う必要のない、静電チャ
ックを備えたウエハ処理装置及びウエハ処理方法を提供
することにある。

【００１８】更に、本発明の第２の目的は、ウエハの温
度を測定するための温度測定手段を確実にウエハに接触
させ得る、ウエハ処理装置及びウエハ処理方法を提供す
ることにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記の第１の目的は、本
発明の第１の態様のウエハ処理装置によって達成し得
る。この第１の態様のウエハ処理装置は、電極を具備
し、ウエハを静電力で固定する静電チャックと、静電チ
ャックを載置した支持台と、ウエハを静電チャックへと
昇降させるための、接地されたプッシャー、から成るこ
とを特徴とする。

【００２０】第１の態様のウエハ処理装置の好ましい態
様においては、静電チャックは単極式である。

【００２１】上記の第１の目的は、この第１の態様のウ
エハ処理装置を用いた本発明の第１の態様のウエハ処理
方法によって達成し得る。この第１の態様のウエハ処理
方法は、ウエハを静電チャックに固定する場合には、接
地されたプッシャーピンをウエハに接触させながら、プ
ッシャーピンを降下させてウエハを静電チャックに載置
し、静電チャックの電極に直流電圧を印加し、次いで、
プッシャーピンをウエハから外し、ウエハを静電チャッ
クから解放する場合には、静電チャックの電極に印加し
ていた直流電圧を遮断し、接地されたプッシャーピンを
ウエハに接触させながら、プッシャーピンを上昇させて
ウエハを静電チャックから解放することを特徴とする。

【００２２】第１の態様のウエハ処理方法の好ましい態
様においては、ウエハを静電チャックに固定した後、ウ
エハを冷却した状態でウエハのドライエッチングを行
う。

【００２３】上記の第２の目的は、本発明の第２の態様
のウエハ処理装置によって達成し得る。この第２の態様
のウエハ処理装置は、ウエハの温度を測定する温度測定
手段と、温度測定手段がウエハ表面に接触するように、
温度測定手段をウエハに向かって付勢する付勢手段、か
ら成ることを特徴とする。

【００２４】第２の態様のウエハ処理装置の好ましい態
様においては、ウエハ表面に対する温度測定手段の接触
力を一定とする機構を更に備えている。温度測定手段
は、蛍光式ファイバー温度計、熱電対等如何なる温度測
定手段とすることもできるが、ＲＦ等のノイズの影響を
受け難い蛍光式ファイバー温度計であることが望まし
い。付勢手段は如何なるものとすることもできるが、ば
ね又はコイルから成ることが望ましい。

【００２５】上記の第２の目的は、温度測定手段をウエ
ハに向かって付勢することにより、温度測定手段がウエ
ハ表面と常に接触した状態で、ウエハの温度を測定する
ことを含む本発明の第２の態様のウエハ処理方法によっ
て達成し得る。第２の態様のウエハ処理方法の好ましい
態様においては、低温エッチング法によってウエハを処
理することを更に含む。

【００２６】本発明の第１及び第２のウエハ処理装置と
して、プラズマエッチング装置、低温プラズマエッチン
グ装置、ＥＣＲエッチング装置、低温ＥＣＲエッチング
装置、各種スパッタリング装置、プラズマＣＶＤ装置等
の各種ＣＶＤ装置を例示することができる。また、本発
明の第１及び第２のウエハ処理方法として、プラズマエ
ッチング法、低温プラズマエッチング法、ＥＣＲエッチ
ング法、低温ＥＣＲエッチング法、各種スパッタリング
法、プラズマＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法を例示すること
ができる。

【００２７】

【作用】本発明の第１の態様のウエハ処理装置及びウエ
ハ処理方法においては、ウエハを静電チャックへ固定す
るとき、静電チャックとウエハとの間の電荷の受け渡し
を接地したプッシャーピンによって行うので、静電チャ
ックによるウエハの固定は瞬時に完了する。また、ウエ
ハを静電チャックから解放するとき、ウエハに帯電した
電荷を、接地したプッシャーピンを通して大地に放電す
るので、静電チャックからのウエハの解放は瞬時に完了
する。

【００２８】従って、例えば低温エッチング装置及び低
温エッチング法においては、エッチングの前及び後に予
備放電といった余分な時間が不要となり、エッチング開
始の時点でウエハは十分冷却され、安定した低温エッチ
ングプロセスが達成される。また、従来のように予備放
電が不要であるため、ウエハ上に形成されたレジストの
形状が予備放電によって変化・劣化することがなく、エ
ッチング後のウエハの加工形状に変化が生じることもな
い。

【００２９】本発明の第２の態様のウエハ処理装置及び
ウエハ処理方法においては、ウエハの温度測定中、温度
測定手段がウエハに確実に接触している。従って、ウエ
ハの処理中、ウエハ裏面温度を正確に且つ再現性よくモ
ニターすることが可能である。ウエハの処理枚数が多く
なっても、温度測定手段をウエハに確実に接触させ得る
ので、温度測定手段を配置・固定し直す必要がなくな
る。

【００３０】

【実施例】以下、好ましい実施例に基づき、本発明を図
面を参照して説明する。

【００３１】（実施例１）実施例１は、本発明の第１の
態様のウエハ処理装置及びウエハ処理方法に関する。実
施例１のウエハ処理装置は、低温エッチング装置であ
り、図１にその概要を示す。この低温エッチング装置
は、基本的には図６に示した従来の低温エッチング装置
と同様であるが、プッシャー３６が接地されている点が
相違する。ウエハ５０、ウエハを搬送する搬送アーム２
４、支持台１２及び静電チャック３０の配置を、図２に
模式的に示す。搬送アーム２４は左右に移動可能であ
り、プッシャー３６は支持台１２に設けられた孔部１２
Ａを通して昇降可能である。尚、プッシャー３６を昇降
させる機構の図示は省略した。

【００３２】支持台１２は、ＲＦ電源１４及びマッチン
グボックス１６からのＲＦパワーを印加し得るカソード
電極を構成し、その内部には液体窒素やエタノール等の
冷媒を循環できる構造となっている。支持台１２は、例
えば−１２０゜Ｃ程度に冷却することができる。静電チ
ャック３０は電極３２を具備している。電極３２には電
源３４から直流電圧を印加することができる。静電チャ
ック３０は単極式であり、支持台１２に固定されてい
る。静電チャック３０は、アルミナセラミックから成
る。電極３２の平面形状を二重螺旋状とした。また、プ
ッシャー３６は、アルミニウムから成り、接地されてい
る。

【００３３】通常の蛍光式ファイバー温度計４０がウエ
ハの裏面に接触するように配置されている。蛍光式ファ
イバー温度計４０の先端は、支持台１２の中央部に設け
られた孔部１８を介してウエハ５０の裏面と接触する。

【００３４】図１に示したウエハ処理装置の静電チャッ
ク３０にウエハ５０を固定する方法を以下説明する。搬
送アーム２４によってウエハをウエハ処理装置のチャン
バ１０内に搬入し、ウエハ５０を支持台１２の上方に配
置する。次いで、支持台１２に設けられた孔部１２Ａを
貫通するプッシャー３６を上昇させ、プッシャー３６に
よってウエハ５０を保持した後、搬送アーム２４を引き
抜く。その後、プッシャー３６を降下させて、ウエハ５
０を静電チャック３０上に載置する。

【００３５】ウエハ５０を静電チャック３０上に載置し
た後、あるいは、載置と同時に、更には又、載置する前
に、ウエハ５０にプッシャー３６を接触させた状態で、
静電チャック３０の電極３２に直流電圧（例えば−５０
０Ｖ）を印加する。プッシャー３６は電気的に接地され
ているため、ウエハ５０に電荷が瞬時に蓄積され、静電
チャック３０とウエハ５０との間に静電力による吸引力
が発生する。次に、プッシャー３６をウエハ５０から離
してウエハの固定を終了する。その後、低温エッチング
を行う。エッチング以前に、予備放電を用いることなく
ウエハの固定及び冷却が完了するため、安定した低温エ
ッチングを行うことができる。このとき、プッシャー３
６をフロート電極に接続しておくこともできる。

【００３６】次に、低温エッチングを完了した後、図１
に示したウエハ処理装置の静電チャックからウエハ５０
を解放する方法を以下説明する。

【００３７】先ず、静電チャック３０の電極３２に印加
していた直流電圧を遮断する。次いで、接地されたプッ
シャー３６をウエハ５０に接触させる。これによって、
ウエハ５０から残留電荷の除去が瞬時に行われ、ウエハ
５０と静電チャック３０との間の吸着力は消滅する。従
って、予備放電を用いずに、静電吸着からウエハを解放
することができる。

【００３８】次いで、プッシャー３６を上昇させてウエ
ハ５０を静電チャック３０から取り除き、更に、搬送ア
ーム２４上にウエハ５０を移送する。次に、搬送アーム
２４を、支持台１２上方からアンロード室（図示せず）
へ搬出する。

【００３９】（実施例２）実施例２は、本発明の第２の
態様のウエハ処理装置及びウエハ処理方法に関する。ウ
エハの温度を測定する温度測定手段６０は、通常の蛍光
式ファイバー温度計から成る。また、温度測定手段６０
がウエハ５０の裏面に確実に接触するように、温度測定
手段６０をウエハに向かって付勢する付勢手段６２がウ
エハ処理装置には備えられている。この付勢手段は、実
施例２においては、板ばねから成る。板ばねの材質は、
ウエハ処理方法の条件に耐性がある如何なる材質とする
こともできる。尚、付勢手段が温度測定手段を付勢する
力は、例えば、機械式クランプのウエハ保持力あるいは
静電チャックのウエハ吸着力とウエハ自重の合計を越え
ない大きさとする。これによって、エッチング等のウエ
ハ処理時、ウエハ裏面の温度を正確に且つ再現性よくモ
ニターすることが可能となる。

【００４０】図３は、本発明の第２の態様のウエハ処理
装置の支持台１２の一部を拡大した断面図である。支持
台１２の構造は、実施例１の支持台と同様とすることが
できる。支持台１２の中央部に設けられた孔部１８の内
壁に付勢手段６２の一端がねじ等（図示せず）で固定さ
れている。付勢手段６２の他端に温度測定手段６０の先
端部分が取り付けられている（図３の（Ａ）の断面図及
び図３の（Ｂ）の平面図参照）。

【００４１】付勢手段６２は温度測定手段６０を上方に
付勢しており、ウエハが支持台１２に載置されていない
とき、温度測定手段６０の先端は支持台１２の表面を含
む平面から突出している（図３の（Ａ）参照）。

【００４２】機械式クランプ、あるいは支持台１２に取
り付けられた静電チャック（図３には図示せず）によっ
てウエハ５０を固定する。付勢手段６２はウエハの自重
等によって下方に曲げられる。その結果、温度測定手段
６０には上向きの力が加えられ、温度測定手段６０の先
端は確実にウエハ５０の裏面に密着する（図３の（Ｃ）
参照）。この時、付勢手段６２の付勢力は、機械式クラ
ンプあるいは静電チャックを用いない場合、（付勢手段が押し上げる力）＜（ウエハ自重）の関係を満たすことが必要であり、この関係を満たす付
勢手段６２を適宜選択して、適切な位置に取り付ければ
よい。また、静電チャックにてウエハを固定する場合に
は、付勢手段６２の付勢力は、（付勢手段が押し上げる力）＜（ウエハ自重＋静電
チャックの吸引力）の関係を満たすことが必要であり、機械式クランプによ
ってウエハを固定する場合には、（付勢手段が押し上げる力）＜（ウエハ自重＋クラ
ンプの自重）の関係を満たすことが必要である。

【００４３】（実施例３）実施例３は実施例２の変形で
あり、実施例２の付勢手段６２をコイルばねに置き換え
た例である。コイルばねの材質は、ウエハ処理方法の条
件に耐性がある如何なる材質とすることもできる。図４
の（Ａ）にウエハ５０を支持台１２に載置する前の温度
測定手段６０と付勢手段６２の状態を一部断面図で示
す。また、図４の（Ｂ）にウエハ５０を支持台１２に載
置した後の温度測定手段６０と付勢手段６２の状態を一
部断面図で示す。この実施例３においても、付勢手段６
２の付勢力は、実施例２で述べた関係を満たす必要があ
る。

【００４４】（実施例４）実施例４は実施例３の変形で
あり、ウエハ表面に対する温度測定手段の接触力を一定
とする機構を更に備えていることが特徴である。この機
構は、具体的には、重量計６４（バネ計り等）、温度測
定手段６０が取り付けられた付勢手段６２を上下させる
ためのモータ６６、及び重量計６４の検出値に基づいて
モータ６６の回転を制御するための制御回路６８から成
る（図５参照）。尚、重量計の代わりにストレイン・ゲ
ージ等を用いることも可能である。

【００４５】このような機構を備えることによって、ウ
エハ裏面と接触している温度測定手段６０にかかる力が
設定した力より大きい場合には、付勢手段６２を下方に
移動させ、小さい場合には上方に移動させる。例えば、
静電チャック動作後（ウエハの吸着後、尚、図５には静
電チャックを図示せず））、付勢手段６２を上方に移動
させて、付勢手段６２の付勢力を、（付勢手段の押し上げる力）＜（静電吸着力＋ウエ
ハ自重）となる範囲で強めることによって、一層温度測定手段６
０とウエハ５０の密着性を向上させることが可能であ
る。また、実際に、温度測定手段６０がウエハ裏面に押
し付けられている力を常にモニターすることが可能であ
る。

【００４６】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されない。静
電チャックは単極式だけでなく、複極式でもよい。静電
チャックの電極の平面形状は、二重螺旋型だけでなく、
半円型、同心円型、放射状とすることができる。静電チ
ャックの材質も、アルミナ、チタン酸カルシウム、チタ
ン酸バリウムとすることができる。プッシャーの構造
は、実施例で例示した以外にも、導電性を有し、ウエハ
を昇降させ得る構造のものであれば、如何なる形状、構
造、材質とすることもできる。

【００４７】

【発明の効果】本発明の第１の態様においては、ウエハ
と支持台との間の電荷の授受を接地したプッシャーを通
じて行うので、予備放電を行う必要がなくなり、電荷の
授受を瞬時に行うことができ、スループット低下等の原
因にならず、支持台へのウエハの固定に要する時間を短
縮することができる。また、例えば、ウエハの冷却効率
を高めることができるし、ウエハ上に形成されたレジス
トの形状が変化・劣化することもなくなる。

【００４８】更に、静電チャックからのウエハの解放を
予備放電を用いずに行うことができ、ウエハの解放に要
する時間の短縮を図ることができる。

【００４９】本発明の第２の態様によって、ウエハの温
度を正確に且つ再現性よく測定することができる。ま
た、ウエハ交換を何度行っても、温度測定手段とウエハ
の接触状態を常に同一とすることができる。更に、ウエ
ハと支持台の間に温度測定手段によって隙間が生じるこ
とがないので、例えば、静電チャックの動作に支障をき
たす懸念がない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の態様のウエハ処理装置の概要を
示す図である。

【図２】本発明の第１の態様のウエハ処理装置における
ウエハ、搬送アーム、支持台、プッシャーの配置を模式
的に示す図である。

【図３】本発明の第２の態様のウエハ処理装置の一部分
を示す図である。

【図４】本発明の第２の態様のウエハ処理装置の変形の
一部分を示す図である。

【図５】本発明の第２の態様のウエハ処理装置の更に別
の変形の一部分を示す図である。

【図６】従来の低温エッチング装置の概要を示す図であ
る。

【図７】従来の低温エッチング装置におけるウエハ、搬
送アーム、支持台、プッシャーの配置を模式的に示す図
である。

【図８】従来の低温エッチング装置における問題点を説
明するための図である。

【符号の説明】

１０エッチングチャンバ１２支持台１４ＲＦ電源１６マッチングボックス１８孔部２０反応ガス供給部２２エッチングチャンバ排気部２４搬送アーム２６アノード電極３０静電チャック３２電極３４電源３６プッシャー４０蛍光式ファイバー温度計５０ウエハ６０温度測定手段６２付勢手段６４重量計６６モータ６８制御回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極を具備し、ウエハを静電力で固定する
静電チャックと、静電チャックを載置した支持台と、ウエハを静電チャックへと昇降させるための、接地され
たプッシャー、から成ることを特徴とするウエハ処理装置。
【請求項２】静電チャックは単極式であることを特徴と
する請求項１に記載のウエハ処理装置。
【請求項３】請求項１に記載のウエハ処理装置を用いた
ウエハ処理方法であって、ウエハを静電チャックに固定する場合には、接地された
プッシャーピンをウエハに接触させながら、プッシャー
ピンを降下させてウエハを静電チャックに載置し、静電
チャックの電極に直流電圧を印加し、次いで、プッシャ
ーピンをウエハから外し、ウエハを静電チャックから解放する場合には、静電チャ
ックの電極に印加していた直流電圧を遮断し、接地され
たプッシャーピンをウエハに接触させながら、プッシャ
ーピンを上昇させてウエハを静電チャックから解放する
ことを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項４】ウエハを静電チャックに固定した後、ウエ
ハを冷却した状態でウエハのドライエッチングを行うこ
とを特徴とする請求項３に記載のウエハ処理方法。
【請求項５】ウエハの温度を測定する温度測定手段と、温度測定手段がウエハ表面に接触するように、温度測定
手段をウエハに向かって付勢する付勢手段、から成ることを特徴とするウエハ処理装置。
【請求項６】ウエハ表面に対する温度測定手段の接触力
を一定とする機構を更に備えていることを特徴とする請
求項５の記載にウエハ処理装置。
【請求項７】温度測定手段は蛍光式ファイバー温度計か
ら成り、付勢手段はばね又はコイルから成ることを特徴
とする請求項５又は請求項６に記載のウエハ処理装置。
【請求項８】温度測定手段をウエハに向かって付勢する
ことにより、温度測定手段がウエハ表面と常に接触した
状態でウエハの温度を測定すること含むウエハ処理方
法。
【請求項９】低温エッチング法によってウエハを処理す
ることを更に含むウエハ処理方法。