JP5027114B2 - リフトピンアセンブリ、加工物支持体及びウエハ支持体を作動させる方法 - Google Patents

Description

発明の背景

[0001]静電チャックは、ウエハのプラズマ処理の間、チャンバ内の基板支持面に半導体ウエハを保持するために、プラズマ反応チャンバ内で用いることができる。静電チャックは、ウエハが載置される平面絶縁層又は半絶縁層によって絶縁された平面電極又は導電グリッドからなる。典型的には、薄いリフトピンは、静電チャックを通って上向きに伸長して、ロボットデバイスから静電チャックの上にウエハを受容し、その後、ロボットデバイスは引っ込められる。その後、リフトピンは、ウエハがウエハ支持面上に置かれるまで下向きに引っ込められる。大きなＤＣチャック電圧は、典型的には、接地されたチャンバ壁に関して、電極に印加される。ウエハは、典型的には、プラズマによって間接的に接地していると言われる。プラズマ“オン”による大きなＤＣ電圧の静電チャック電極への印加は、ウエハを定位置に保持する大静電力を生じる。次に、ウエハのプラズマ処理が行われた後、リフトピンが上向きに伸びて、静電チャックからウエハをチャンバから取出すためにロボットデバイスまで持ち上げる。処理能力が高い場合、リフトピンは、下向きに引っ込む運動と上向きの伸長の運動の間、比較的速い速度で移動する。印加されたＤ.Ｃ.チャック電圧の除去は、チャックされているウエハと静電チャックの表面との間の電位差を必ずしも排除しない。残留電荷が残り得ることにより、ウエハとチャック間の残留引力が生じる。残留力の大きさと上向きに伸長中のリフトピンの速度によっては、ウエハが破損することがある。

[0002]プラズマが“オン”のときにピンを持ち上げると、ウエハのチャックからの分離によって電流のための放電路ができるが、残留力が大きい場合には、ウエハはなお破損されてしまう。

[0003]従来の技術のいくつかの方法は、残留チャック力の基準として定圧で静電チャックの表面に分配される熱伝達ガス（例えば、ヘリウム）のガス流量を用いている。この方法は、一般的には、ウエハのある部分が“チャック開放”し、高流量で熱伝達ガスが漏れることを可能にする場合に失敗し、一方ウエハの他の部分はチャックされたままであり、リフトピンの続いての上向きの運動で破損されてしまう。

[0004]現在、ウエハの破壊以前にこのような誤差の発生を検出する方法はない。

[0005]関連した問題は、チャンバ内のプラズマ処理の開始以前にウエハがウエハ支持面に確実にチャックされていない場合には、プロセスの故障（過度の加熱又は不十分な温度制御のために）が発生することがあるということである。現在、定圧で静電チャックの表面に熱伝達ガス（例えばヘリウム）を供給せずに、また、残留チャック力の基準としてガス流量をモニタせずに、ウエハのプラズマ処理の開始以前にチャック力の妥当性を確認する方法はない。しかしながら、ある印加の場合、特に高バイアス電圧で、熱伝達ガスは電気的に分解することがあり、ウエハのチャック開放を引き起こすとともにウエハと静電チャックを潜在的に破壊する。処理に先立ってチャック力の妥当性を確認する方法が必要とされる。

発明の概要

[0006]加工物を処理するリアクタに用いられるリフトピンアセンブリは、リフト方向とほぼ平行に伸長する複数のリフトピンを含み、複数のリフトピンのそれぞれは、加工物を支持するための最上端と最下端とを有する。リフトテーブルは、ピンの最下端に面し、リフト方向とほぼ平行の方向に移動する。小さな力検出器は、ウエハのチャックを示すのに十分に大きく且つウエハのチャック開放を回避するのに十分に小さいリフトピンによって加えられる力を感知する。大きい力検出器は、ウエハをチャック開放するのに十分な範囲でリフトピンによって加えられた力を感知する。

発明の詳細な説明

[0010]図１を参照すると、静電チャック（ＥＳＣ）８は、薄い平面チャック電極又は導電グリッド１２を封入する絶縁層又は半絶縁層１０からなり、絶縁面の上面１０ａウエハ支持面を形成している。絶縁層１０は、例えば、窒化アルミニウムであるのがよく、ＥＳＣベース１４に支持される。Ｄ.Ｃ.チャック電圧供給とコントローラ１６は、チャック電極１２に結合される。ＥＳＣ８内の穴２０を通って伸長する少なくとも３つのリフトピン１８は、軸方向に平行移動するリフトテーブル２２に支持される。各リフトピン１８について、リフトテーブル２２は、ファスナ２６ｂによって一端２６ａでリフトテーブルに保持される弾性スプリングプレート２６によって覆われた凹部２４を有する。スプリングプレート２６のもう一端２６Ｃは、軸方向に自由にたわむことができる。必要により、リフトピン１８の最下端上の絶縁（例えば、セラミック）取付け物２８は、リフトテーブル２２上のリフトピン１８を支持する。リフトテーブル２２は、リフトサーボモータアセンブリ３２によって軸方向に移動する軸方向ピストン３０の最上端からカンチレバー取付けされる。ベローズ３４は、リフトテーブル２２によって上下運動を許容しつつ、チャンバ内部の真空シールを維持する。

[0011]慣用の歪みゲージ３６は、スプリングプレートの底側に面した凹部２４内部のリフトテーブル２２の表面上に固定される。スプリングプレート２２の底に固定されたフット３８は、歪みゲージ３６に面し、上に横たわっている。凹部２４の内部のリフトテーブルの表面に固定された慣用の光学検出器４０は、近接検出器として作用し、スプリングプレート２６の自由端２６ｃの軸方向のたわみを感知する。各リフトピン１８がウエハ４２を押すにつれて、リフトピン１８によって与えられた下向きの力がスプリングプレート２６をたわませ、スプリングプレート自由端２６ｃを下向きに移動させるので、フット３８がこれまでに増加している力で歪みゲージ３６を押す。近接検出器４０は、スプリングプレート自由端２６ｃの得られた下向きのたわみを測定する。図１に示されるように、リフトピン１８がウエハ４２を押し、チャック電圧が電極１２に印加される場合には、ウエハは各リフトピン１８の上向きの運動に抵抗し、ウエハ４２を周辺近傍で上向きに曲がらせる。このようにしてウエハをたわませるのに必要とされる力は、セラミックリフトピンホルダー２８によって加えられた圧力から歪みゲージ３６によって測定される。スプリングプレートによって得られた下向きのたわみの大きさは、近傍検出器によって測定される。歪みゲージ３６は、チャック電極からＤ.Ｃ.チャック電圧を除去した後にウエハをチャック開放するのに十分な力を測定することができる高い力センサとして作用する。スプリングプレートと近接センサの組合せは、（ウエハの質量の数倍まで、又は３００ｍｍ径のＳiウエハの数百グラムの等価力まで）ウエハのチャック開放を回避するのに十分に小さい力“チャック開放未満”を感知する高分解能の低い力センサとして作用する。このようなセンサは、チャック力の存在を示すのに十分であるがウエハをチャック開放することを回避するリフトピンによって加えられるリフト力を測定するのに有用である。

[0012]代替的実施形態において、上に開示されたタイプ以外のセンサは、低い力センサと高い力センサとして行うことができる。このようなセンサは、各リフトピン１８に設けることができる。このようなセンサは、リフトピン１８内にあるか又はリフトピン１８に結合される。更に、単一センサが、或るリフトピン１８の高い力センサと低い力センサ双方として作用することができる
[0013]他の代替的実施形態において、リフトピン１８の少なくとも一つ又はすべては、半導体材料（例えば、結晶又は多結晶シリコン又はゲルマニウム）又は導体（例えば、アルミニウム）から形成することができる。このような場合、スイッチ１９は、一つ又は複数の導電性又は半導性リフトピン１８が選択された時に以下のいずれか一つ：接地電位、電気的浮遊電位、ＥＳＣ電極１２に接続することができることを備えることができる。スイッチ１９は、ウエハチャック動作とウエハチャック開放動作の間、Ｄ.Ｃ.ウエハ電圧の制御を高めるために使うことができる。ウエハのプラズマ処理の間、スイッチ１９は一つ又は複数のリフトピン１８を浮遊電位に接続するように設定される。

[0014]図２は、図１の装置を利用するシステムを含むプラズマリアクタを示す図である。リアクタには、チャンバ５０と、プロセスガス源５２とガス分配器５４と、インピーダンス整合回路５８を通って（例えば）Ｄ.Ｃ.阻止コンデンサ６０を通ってＥＳＣ電極１２に結合されたＲＦ発電機５６とが含まれる。プロセッサ６２によって、歪みゲージ３６からの力の測定と近接センサ４０からのたわみの測定が用いられ、実際の力のデータとたわみのデータが得られる。プロセスコントローラ６４によって、力のデータとたわみのデータが用いられ、コントローラ１６によって分配されたＤ.Ｃ.チャック電圧が制御されるとともにリフトアセンブリモータコントローラ６６によってリフトテーブルモータアセンブリ３２が制御される。

[0015]プロセスコントローラ６４の動作は、図３に示される。まず、コントローラ６４が図３のブロック７０のステップにおいて、リフトピン１８をウエハ支持面の上に伸長させて、ロボットアーム（図示せず）からウエハを受け取る。コントローラ６４は、その後、リフトピン１８を引っ込ませて、ＥＳＣ８のウエハ支持面上にウエハを置く（ブロック７２）。ガスを導入し、ＲＦ電力を印加して、プラズマを開始させる。このことは、間接的にウエハを接地基準について述べることである。好ましくは、プラズマ源電力がウエハチャックのためにプラズマを開始させるのに用いられるが、バイアス電力が用いられもよい。バイアス電源がウエハチャックのためにプラズマを開始させるのに用いられる場合には、好ましくは低ＲＦ電圧が印加される。その後、コントローラ６４は、Ｄ.Ｃ.チャック電圧を接地基準（典型的にはチャンバ壁）についてＥＳＣ電極１２に印加させる（ブロック７４）。（或いは、電圧がまず印加され、その後ＲＦ電力が印加されて、プラズマを開始させる。）典型的には短時間の遅延後には、リフトピン１８をチャックされたウエハに対して伸長させ、その後短い距離（例えば、０.２〜約１ｍｍ）を伸長させて、ウエハを０.２〜約１ｍｍだけ変形させることにより、ウエハチャックが試験される（ブロック７６）。その後、近接検出器４０によって感知されるスプリングプレート２６のたわみがデータプロセッサ６２によって用いられ、リフトピンの力が少なくとも小さな閾値力（例えば、数百グラムの等価力）かを求める。力が閾値レベルより大きい場合には（ブロック７７のＹｅｓに進む）、ウエハはチャックに成功し、プロセスコントローラ６４はリフトピンをウエハから引かせ（ブロック７８）、ウエハのプラズマ処理が行われる（ブロック８０）。（或いは、ウエハチャックは、リフトピンを正しい位置に保持するとともに力を継続的にモニタすることによって継続的に試験することができる。）さもなければ（ブロック７７のＮｏに進む）、アラームが表示され及び/又はチャックプロセスが繰り返される。ウエハ処理後、コントローラ６４はチャック電圧を停止させる（ブロック８２）か又は“チャック開放”電圧に設定させることができる。この“チャック開放”電圧は、ゼロボルトであってもよく、表面上の残留電荷によってウエハとチャック表面間の残留電界を最小にするように選ばれる非ゼロ値に設定されてもよい。好ましくは、ウエハから放電路を設けるためにチャック開放動作の間、プラズマはオンである。好ましくは、プラズマ源電力は、チャック開放動作に印加されるが、バイアス電力が用いられてもよい。好ましくは、チャック開放動作の間、ウエハ上のＲＦ電圧は低い。時間遅延後には、コントローラ６４は、リフトピン１８を上向きに伸長させてウエハと接触させ、次にリフトピンがより長い距離を進み、ウエハをより長い距離（例えば、３ｍｍ）だけたわませるまで更に続けさせる（ブロック８４）。力センサの出力は、残留静電荷が満たされるにつれて増加する力センサ出力が最終的にはウエハと接触した後にリフトピンがより長い（３ｍｍ）距離を進んだことによって又はその前にゼロに戻る（チャック開放の成功を意味する）ことを確実にするためにモニタされる（ブロック８６）。リフトピンがより長い距離（３ｍｍ）を進んだ後に感知された力がほぼゼロに達した場合には、ウエハは、うまくチャック開放された（ブロック８８のＹｅｓに進む）ことであり、コントローラ６４は、必要とされる十分な距離（例えば、２５ｍｍ）を伸長させて、除去のためのロボットメカニズムにウエハを戻す（ブロック９２）。感知された力がこの点でゼロ（ウエハの質量は無視する）に戻らなかった場合には（ブロック８８のＮｏに進む）、チャック力又はチャック電圧が完全に除去され得るまで、ウエハ除去プロセスを停止させるために（ウエハの破損を避けるために）アラームが鳴らされる（ブロック９０）。

[0016]代替的実施形態において、ウエハ処理後、コントローラ６４はチャック電圧を停止させる（ブロック８２）か又は最初の“チャック開放”電圧に設定されてもよい。好ましくは、ウエハから放電路を設けるためにチャック開放動作の間、プラズマはオンである。プラズマ源電力はチャック開放動作に印加されるが、バイアス電力が用いられてもよい。好ましくは、チャック開放動作の間、ウエハ上のＲＦ電圧は低い。時間遅延後には、コントローラ６４は、リフトピン１８を上向きに伸長させて、ウエハと接触させるとともにリフトピンがより長い距離を進んでより長い距離（例えば、３ｍｍ）だけウエハをたわませるまで更に続けられる（ブロック８４）。力センサの出力は、モニタされる（ブロック８６）。この代替的実施形態に従って、ブロック８６のモニタステップの間、“チャック開放”電圧は、理想的なチャック開放電圧を見つけて、いかなる残留電荷をも打ち消し、さもなければ感知された力が所定の最小値に減少することを防止するために、“チャック開放”電圧の範囲まで進むか又は傾斜する。力センサ出力が最終的に最小値に減少するか又はゼロに戻る場合（チャック開放の成功を示す-ブロック８８のＹＥＳに進む）、チャック電圧はゼロボルトに設定され、コントローラ６４はリフトピンを必要とされる十分な距離（例えば約２５ｍｍ）を伸長させて、除去のためのロボットメカニズムにウエハを戻す（ブロック９２）。感知された力がこの点でゼロに戻らなかった場合には、チャック力又は電圧が完全に除去され得るまで、ウエハ除去プロセスを停止させるために（ウエハの破損を避けるために）アラームが鳴らされる（ブロック９０）。しかしながら、この代替実施形態においてブロック８６のモニタステップの間、チャック開放電圧が傾斜されることから、ブロック９０のアラームの手段をとる確率は低くなる。

[0017]好ましい実施形態において、コントローラ６４は、リフトピンの上向きの運動をコントロールすることを継続して制御するフィードバックループとして作用する。リフトピンがウエハを長い距離（例えば３ｍｍ）に押した時間までにピンの力が最小値まで減少しない場合には、コントローラ６４は直ちにピンの運動を停止させて、ウエハの破損を回避させる。このことにより、必要とされるリフトピン進行距離内で最小のレベルにリフトピンの力が減少するならば、リフトピンの上向きの運動が継続することが可能になる。

[0018]必要により、ウエハチャック容量の放電を援助するとともにチャック開放動作を容易にするのに導電性又は半導電性のリフトピンが用いられてもよい。ピンは、接地基準に又は絶縁静電チャック電極に直接接続することができる。或いは好ましくは、まさにチャック開放時又はチャック時に接地基準に又は絶縁静電チャック電極に接続するように切り替えることができるが、通常の処理では絶縁されたままであり得る。

[0019]アラーム状態の場合、コントローラは必要によりチャック開放動作を再試行してもよい。

[0020]従って、上記には二つの力センサが必要である。即ち、一方はウエハをチャック開放せずにチャックの成功を確認するためにウエハに加えることができる小さな力（例えば数百グラム）を測定することができるセンサであり、一方は残留電荷に誘起された力に打ち勝ってウエハをチャック開放するのに十分な大きな力（例えば、約５０ｋｇ）を測定することができるセンサである。図１の実施形態において、小さい力センサはスプリングプレートと近接センサであり、大きい力センサは歪みゲージセンサである。しかしながら、両センサは、共にそれぞれの範囲内で十分な正確さで作動させるのであれば、同じタイプであってもよい。更に、単一のセンサが双方の力のレベル（小さい力については２００グラム、大きい力については５０キログラム）を包含するのに十分である場合には、前述の手順は、二つのセンサよりはむしろ単一センサを用いて実施される。

[0021]上記明細書は単一電極（単極）チャックの一例を記載しているが、装置及び方法は双極又は多極チャックにも適用することができる。

[0022]本発明を好ましい実施形態によって詳述してきたが、本発明の真の精神及び範囲から逸脱することなく変更や修正が行われてもよいことは理解される。

図１は、本発明を具体化するリフトピンアセンブリを示す図である。 図２は、図１のリフトピンアセンブリを組込んでいるプラズマリアクタを示す図である。 図３は、図２のプラズマリアクタのためのウエハのチャックプロセスとチャック開放プロセスを示す図である。

符号の説明

８…静電チャック、１０…絶縁層、１０ａ…上面、１２…チャック電極又は導電グリッド、１４…静電チャックベース、１８…リフトピン、１９…スイッチ、２０…穴、２２…リフトテーブル、２４…凹部、２６…スプリングプレート、２６ｂ…ファスナ、２８…リフトピンホルダ、３０…ピストン、３２…リフトサーボモータ、３４…ベローズ、３６…歪みゲージ、３８…フット、４０…近接検出器、４２…ウエハ、５０…チャンバ、５２…プロセスガス供給部、５４…ガス分配器、５６…ＲＦ発電機、５８…インピーダンス整合回路、６０…阻止コンデンサ。

Claims (20)

1. 加工物を処理するためのリアクタ内で用いられるリフトピンアセンブリであって、前記リフトピンアセンブリが、
   リフト方向とほぼ平行に伸びている複数のリフトピンであって、前記複数のリフトピンのそれぞれが加工物を支持するための最上端と最下端とを有する前記複数のリフトピンと、
   前記リフト方向とほぼ平行な方向に移動するリフトテーブルと、
   前記リフトピンのうちの個別の第一の一つのピンのための第一リフトピン力検出器であって、
   （ａ）前記リフトテーブルに取り付けられた一端と反対端とを有する弾性プレートであって、前記リフトピンのうちの前記第一の一つのピンの最下端を支持する、前記弾性プレートと、
   （ｂ）ウエハがチャックされていることを示すのに十分に大きく、且つウエハのチャック開放を回避するのに十分に小さい、前記第一の一つのリフトピンによって加えられる力を感知するための、前記弾性プレートのたわみに反応する小さい力検出器と、
   （ｃ）該ウエハをチャック開放するのに十分な範囲で前記第一の一つのリフトピンによって前記弾性プレートに加えられる力に反応する大きい力検出器と、
   を備えている前記第一リフトピン力検出器と、
   を備えている、前記リフトピンアセンブリ。
2. 前記小さい力検出器が、近接検出器を備えている、請求項１記載のリフトピンアセンブリ。
3. 前記リフトテーブルを前記リフト方向に沿って上下するためのリフトモータを更に備えている、請求項１記載のリフトピンアセンブリ。
4. 前記近接検出器と前記大きい力検出器の出力を位置値と力値にそれぞれ変換するためのデータプロセッサを更に備えている、請求項２記載のリフトピンアセンブリ。
5. 前記弾性プレートの前記反対端が取り付けられておらず、前記弾性プレートが前記一端から前記取り付けられていない反対端へと前記リフト方向に対して横方向に伸びており、及び前記近接検出器が前記弾性プレートの前記取り付けられていない反対端の位置を検出するように位置合わせされている、請求項２記載のリフトピンアセンブリ。
6. 前記一つのリフトピンの最下端が、前記弾性プレートの前記一端と前記取り付けられていない反対端との間にある前記弾性プレートの中間領域と揃えられている、請求項５記載のリフトピンアセンブリ。
7. 前記大きい力検出器が、前記弾性プレートの前記中間領域の下に位置し且つ前記一つのリフトピンの前記最下端と位置合わせされている力センサを備えている、請求項６記載のリフトピンアセンブリ。
8. 前記リフトピンのうちの第二の一つのピンのための第二リフトピン力検出器であって、
   （ａ）前記リフトテーブルに取り付けられた一端と反対端とを有する弾性プレートであって、前記リフトピンのうちの前記第二の一つのピンの最下端を支持する、前記弾性プレートと、
   （ｂ）ウエハがチャックされていることを示すのに十分に大きく、且つウエハのチャック開放を回避するのに十分に小さい、前記第二の一つのリフトピンによって加えられる力を感知するための、前記弾性プレートのたわみに反応する小さい力検出器と、
   （ｃ）前記ウエハをチャック開放するのに十分な範囲で前記第二の一つのリフトピンによって前記弾性プレートに加えられる力に反応する大きい力検出器と、
   を備えている前記第二リフトピン力検出器
   を更に備えている、請求項１記載のリフトピンアセンブリ。
9. プラズマリアクタ内の加工物支持体であって、
   ウエハ支持平面を画成するウエハ支持面を有する絶縁層又は半絶縁層と、
   前記絶縁層又は半絶縁層の内部のウエハチャック電極と、
   前記ウエハ支持平面に対して垂直であるリフト方向に前記絶縁層又は半絶縁層を通って伸びている複数のリフトピンホールと、
   前記複数のリフトピンホールを通って伸びている複数のリフトピンであって、前記複数のリフトピンのそれぞれが対向する最上端と最下端を有し且つ前記リフト方向に沿って移動し、前記最上端が前記ウエハ支持平面の上に加工物を支持する、前記複数のリフトピンと、
   前記リフト方向とほぼ平行な方向に移動するリフトテーブルと、
   前記リフトピンのうちの各一つのピンのための各リフトピン力検出器であって、前記各リフトピン力検出器のそれぞれが、
   （ａ）前記リフトテーブルに取り付けられた一端と反対端とを有する弾性プレートであって、前記リフトピンのうちの各一つのピンの最下端を支持する、前記弾性プレートと、
   （ｂ）ウエハがチャックされていることを示すのに十分に大きく、且つウエハのチャック開放を回避するのに十分に小さい、前記各一つのリフトピンによって加えられる力を感知するための、前記弾性プレートのたわみに反応する小さい力検出器と、
   （ｃ）前記ウエハをチャック開放するのに十分な範囲で前記各一つのリフトピンによって前記弾性プレートに加えられる力に反応する大きい力検出器と、
   を備えている前記各リフトピン力検出器と、
   を備えている、前記加工物支持体。
10. 前記小さい力検出器が、近接検出器を備えている、請求項９記載の加工物支持体。
11. 前記チャック電極に結合されたＤ.Ｃ.チャック電圧源を更に備えている、請求項９記載の加工物支持体。
12. 前記リフト方向に沿って前記リフトテーブルを上下させるためのリフトモータを更に備えている、請求項９記載の加工物支持体。
13. 前記小さい力検出器と前記大きい力検出器の出力をそれぞれの力値に変換するためのデータプロセッサを更に備えている、請求項９記載の加工物支持体。
14. 前記弾性プレートの前記反対端が取り付けられておらず、前記弾性プレートが前記一端から前記取り付けられていない反対端へと前記リフト方向に対して横方向に伸びており、及び前記近接検出器が前記弾性プレートの前記取り付けられていない反対端の位置を検出するように位置合わせされている、請求項１０記載の加工物支持体。
15. 前記一つのリフトピンの最下端が、前記弾性プレートの前記一端と前記取り付けられていない反対端との間にある前記弾性プレートの中間領域と揃えられている、請求項１４記載の加工物支持体。
16. 前記各リフトピン力検出器のそれぞれに別個に結合されたプロセッサを更に備えている、請求項９記載の加工物支持体。
17. 前記大きい力検出器及び前記小さい力検出器がそれぞれ、前記弾性プレートの前記中間領域及び前記弾性プレートの前記反対端に反応する、請求項９記載の加工物支持体。
18. 前記リフトピンのうちの少なくとも一つが、半導電性か又は導電性である材料から形成される、請求項９記載の加工物支持体。
19. 前記リフトピンのうちの少なくとも一つに結合され且つ以下の接点：（ａ）接地電位、（ｂ）前記ウエハチャック電極、（ｃ）浮遊電位又は開放状態の少なくとも二つを有する接点スイッチを更に備えている、請求項１８記載の加工物支持体。
20. ウエハチャック電極とリフトテーブルによって支持された一組のリフトピンとを含むウエハ支持体を作動させる方法であって、
    該ウエハが該ウエハ支持体上に載置された後で該ウエハを処理する前に、該ウエハを該リフトピンと接触させ、チャックされているならば該ウエハのチャック開放を回避するのに十分に短い距離だけ該リフトピンを上げることによって、前記リフトピンの一つの最下端に結合された小さい力センサを通じて、該ウエハがうまくチャックされたかを確認するステップと、
    該ウエハが処理された後、該リフトテーブルに対して該リフトピンによって加えられた力が、該静電チャック力が除去された場合には該ウエハをチャック開放するのに十分に大きいが、該静電チャック力が除去されなかった場合にウエハの破損を回避するのに十分に小さい所定の距離だけ該リフトピンが該ウエハを持ち上げる前の最小又はゼロに下がるかを大きい力センサを通じて求めつつ、該リフトピンで該ウエハ支持体から該ウエハを持ち上げるステップと、
    を含み、
    前記小さな力センサは、前記リフトテーブルに取り付けられた一端と反対端とを有した、前記リフトピンのうちの一つの最下端を支持する弾性プレートのたわみに反応し、
    前記大きな力センサは、前記リフトピンの一つによって前記弾性プレートに加えられる力に反応する前記方法。

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