JP2004028938A - 熱処理装置及び測温治具 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】熱処理装置1は、ワークWを加熱する熱放射体3と、温度センサ10を内蔵し、ワークWに接触してワークWからの伝導熱を受ける測温治具6aとを備え、更に測温治具6aには、熱放射体3から温度センサ10に向かう赤外線を反射する赤外線反射材9が設けられている。赤外線反射材9は、ワークWに直接接触するか、あるいは赤外線反射材9とワークWとの間にはシリコンなどのプレートが介在される。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱放射体からの輻射熱(赤外線)によって、半導体ウェーハなどのワークを加熱する熱処理装置、及びそのワークに接触してワークの温度を測定する測温治具に関する。
【0002】
【従来の技術】
加熱を伴うワークの各種処理に際して、ワークの温度をリアルタイムで(即時的に)測定して、その測定結果を加熱源であるランプヒータにフィードバックさせてランプヒータの出力を制御することが従来より行われている。
【0003】
ワークの温度測定法としては、例えば特開平9−111436号公報に示されているように、熱電対をワークに接触させて、ワークからの伝導熱を熱電対で受けてワークの温度測定を行う方法がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、熱電対は、接触しているワークからの伝導熱以外に、ワークを透過してくるランプヒータからの赤外線の影響も受け、ワークの温度を正確に反映した測定が行えないという問題がある。
【0005】
また、ワークの種類や寸法、ワークに形成された膜の種類や膜厚などが変わると赤外線の透過率も変わってしまうため、同条件で加熱しても測定される温度に違いが生じ、その測定温度に基づくランプヒータの出力制御にもばらつきが出てしまい、処理が不安定になったり非効率的になってしまうという問題もある。
【0006】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、熱放射体から温度センサに入射する赤外線の影響を排除して、ワークの正確な温度測定を行うことのできる熱処理装置及び測温治具を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するにあたり、本発明の熱処理装置は、ワークを加熱する熱放射体と、温度センサを内蔵しワークに接触してワークからの伝導熱を受ける測温治具とを備え、この測温治具には、熱放射体から温度センサに向かう赤外線を反射する赤外線反射材が設けられている。
【0008】
また、以上の課題を解決するにあたり、本発明の測温治具は、温度センサを内蔵し、熱放射体によって加熱されるワークに接触してワークからの伝導熱を受け、更に、熱放射体から温度センサに向かう赤外線を反射する赤外線反射材が設けられている。
【0009】
熱放射体からワークに向けて照射された赤外線によってワークは加熱される。そして、その赤外線は、測温治具に内蔵された温度センサに到達する前に、測温治具に設けられた赤外線反射材によって反射される。したがって、温度センサは、熱放射体からの赤外線の影響を受けずに、ワークの温度を正確に反映した測定を行える。
【0010】
赤外線反射材としては金属を挙げることができる。金属は、一般に赤外線に対して高い反射率を有する。例えば、銅、金、銀、アルミニウム、TiN、ステンレス鋼(SUS)などが、一例として挙げられる。
特に銅は、高融点(融点1083℃)で耐熱性に優れ、また安価で入手が容易な上、赤外線に対して98%以上の高い反射率を有するので、本発明における赤外線反射材として好適である。
また、金属にバフ研磨などの鏡面仕上げを施せば赤外線の反射率を高めることができる。
赤外線反射材は、金属体を独立して設けてもよいし、半導体やセラミック、あるいはガラスなどに、めっき法、スパッタ法、蒸着法などで金属膜を形成してもよい。
赤外線反射材の厚さとしては、ワークから温度センサへの熱伝導を妨げず、且つ十分な赤外線反射効果が得られる厚さとなるように、赤外線反射材の材料の熱伝導率や赤外線反射率に応じて最適な厚さに設定される。
【0011】
また、赤外線反射材を、測温治具におけるワークとの接触部と、温度センサとの間に介在させる構成とすれば、赤外線反射材がワークに直接接触することによる、ワークへの金属汚染や、鏡面仕上げされた、あるいは金属膜として形成された赤外線反射材の損傷を防ぐことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。
【0013】
(第1の実施の形態)
図1に第1の実施の形態による熱処理装置1の概略斜視図を示す。
処理室2の上壁には石英板4がはめ込まれ、この石英板4上に熱放射体であるランプヒータ3が設けられている。ランプヒータ3は、例えばハロゲンランプヒータである。
【0014】
処理室2内にはステージ5が設置されている。熱処理すべきワークである半導体(例えばシリコン)ウェーハWは、ステージ5上で、円柱状の3本の支持ピン6a、6b、6cによって支持される。3本の支持ピン6a、6b、6cは、例えばエアシリンダの駆動力によってステージ5に対して上下動し、半導体ウェーハWを搬送するときにステージ5から持ち上げたり、その持ち上げたままの状態で処理した後、下降させてステージ5に接触させて冷却させたりすることを可能としている。
【0015】
3本の支持ピン6a、6b、6cのうちの1本(支持ピン6a)は温度センサを内蔵し、本発明に係る測温治具としても機能する。図2は支持ピン6aの要部拡大斜視図を、図3は要部の分解斜視図を示す。
【0016】
測温治具としての支持ピン6aは、主として、セラミック製の円柱部12と、円柱部12の上端に固定される測温プレート取付台11と、温度センサ10を内蔵し、測温プレート取付台11の上面に固定される測温プレート8と、測温プレート8の上面に形成された赤外線反射材9とから構成される。
【0017】
測温プレート取付台11は例えばNi−Cr合金でなり、そのリング状の底部11bが、円柱部12の上端縁部に例えば接着剤にて固定される。
【0018】
測温プレート8は例えばシリコンなどの半導体材料でなる。温度センサ10は熱電対であり、その測温部(合金部)10aは、測温プレート8の中央部に形成された凹所8a(図3参照)に埋め込まれ、耐熱性のあるセラミック系の接着剤が流し込まれて固定されている。
【0019】
熱電対10の2本の素線10b、10cを、測温プレート取付台11の上面11aに形成された2つの貫通孔11cにそれぞれ通したうえで、測温プレート8は測温プレート取付台11の上面11aに例えば接着剤にて固定される。
【0020】
熱電対10の2本の素線10b、10cは、更に、円柱部12の内部、ステージ5の内部、及びフィードスルーなどの真空−大気間用の配線経路(図示せず)を通って処理室2の外部に引き出され、温度の表示部7aを備えた信号処理手段7に接続される。
【0021】
測温プレート8の上面には、図2において網掛けで示す赤外線反射材9が形成されている。例えば銅を、スパッタ法、蒸着法、めっき法などで形成して、赤外線反射材9とする。赤外線反射材9の厚さは数十μmほどである。本実施の形態では、赤外線反射材9が半導体ウェーハWとの接触部となる。
【0022】
他の2本の支持ピン6b、6cは、単にセラミック製の円柱状を呈しているか、あるいは、上記支持ピン6aにおいて熱電対10を内蔵しない構成をしており、半導体ウェーハWを支持する機能だけを有する。
【0023】
以上のように構成される熱処理装置1及び測温治具6aにおいて、次にその作用について説明する。
【0024】
処理室2内に半導体ウェーハWが搬入され、3本の支持ピン6a、6b、6cにて支持されると、ランプヒータ3に電力が投入され、石英板4を透過した赤外線が半導体ウェーハWに照射され、半導体ウェーハWは加熱処理される。
【0025】
このとき、半導体ウェーハWの熱は、接触している測温プレート8に伝わり、更に測温プレート8に内蔵された熱電対10の測温部10aに伝わる。熱電対10はこの温度を検出して信号処理手段7に出力する。
【0026】
予め実際の熱処理に先だって、半導体ウェーハWに直接熱電対を取り付けてダミーの熱処理を行っておき、その半導体ウェーハWに直接取り付けられた熱電対により得られる温度と、測温プレート8に内蔵された熱電対10により得られる温度との相関関係を得ておく。この相関関係は信号処理手段7に記憶され、実際の熱処理時には、その相関関係に基づいて、測温プレート8に内蔵された熱電対10により得られる温度から、半導体ウェーハWの温度を算出して、表示部7aに表示する。これによって、測温治具(支持ピン6a)の熱伝導率などに左右されずに、正確な半導体ウェーハWの温度を得ることができる。
【0027】
なお、信号処理手段7は、得られた測定温度に基づいて、ランプヒータ3の出力を制御するフィードバック制御も行っている。
また、測定した温度が異常に高かったり、低かったりした場合には、アラームなどを作動させるようにしてもよい。
【0028】
そして、本実施の形態では、ランプヒータ3から照射されて半導体ウェーハWを透過した赤外線は、赤外線反射材9によって反射されて熱電対10の測温部10aには到達しない。したがって、熱電対10の測温部10aがランプヒータ3によって直接温められることを抑えて、半導体ウェーハWの温度を正確に反映した測定が行える。
また、半導体ウェーハWの温度変動に対する追従性も良好にすることができる。更に、ランプヒータ3からの赤外線に影響されない正確な半導体ウェーハWの温度測定は、この測定結果に基づくランプヒータ3の出力制御も正確なものとし、熱処理自体の安定性及び信頼性も向上させる。
【0029】
(第2の実施の形態)
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。なお、上記第1の実施の形態と同じ構成部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【0030】
図4は、第2の実施の形態による測温治具の要部分解斜視図を示す。本実施の形態が第1の実施の形態と異なるのは、赤外線反射材9の上に、もう1枚測温プレート15を重ねた点である。測温プレート15は、測温プレート8と同様にシリコンなどの半導体材料でなり、測温プレート8に対して例えば接着剤で固定される。
【0031】
本実施の形態では、測温プレート15の上面15aが半導体ウェーハWと接触する接触部となる。このような構成により、金属(銅)である赤外線反射材9が半導体ウェーハWに接触することによる半導体ウェーハWの金属汚染が防げる。更に、薄膜として形成された赤外線反射材9の損傷も防げる。
【0032】
シリコンでなる測温プレート15は赤外線を透過するが、その下の赤外線反射材9によって赤外線は反射されて熱電対10の測温部10aには至らない。したがって、本実施の形態においても、熱電対10の測温部10aがランプヒータ3によって直接温められることを抑えて、半導体ウェーハWの温度を正確に反映した測定を行うことができる。
【0033】
なお、測温プレート8の上面に赤外線反射材9を形成するのではなく、測温プレート15の下面に赤外線反射材9を形成してもよい。
【0034】
あるいは、図6に示すように、2枚の測温プレート15、8間で、鏡面仕上げされた金属(例えば銅)プレート19を赤外線反射材として挟んだ構成としてもよい。金属プレート19の厚さとしては、0.5mmほどあれば、十分、赤外線反射の効果は得られる。
【0035】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【0036】
上記第1の実施の形態において、赤外線反射材9を測温プレート8上に薄膜として形成するのではなく、図5に示すように、測温プレート8上に積層される金属(例えば銅)プレート17を赤外線反射材としてもよい。金属プレート17は鏡面仕上げが施されている。
【0037】
あるいは、図7に示すように、金属プレート状の赤外線反射材20自体に、熱電対10の測温部10aを埋め込んでもよい。この場合、熱電対10と、赤外線反射材20との金属接触及び電気的接続を避けるため、測温部10a及び素線10b、10cをセラミックなどの保護管22内に入れたうえで、赤外線反射材20に埋め込むようにする。
【0038】
測温プレート取付台11に対する測温プレート8の取り付け形態は接着に限らず、例えば測温プレート取付台11に窪みを設けてそこに嵌め込んだり、測温プレート8上面の外周側を上から押圧させる構成にて固定するようにしてもよい。
【0039】
支持ピン6a、6b、6cの数は3本に限らず、それ以上でもよいし、あるいは、半導体ウェーハWを支えることが可能なら1本でもよい。
あるいは、支持ピン6a、6b、6cを用いることなく、脚付きのリング部材に半導体ウェーハWを支持して、半導体ウェーハWの下方に空間を確保して、その空間を利用して半導体ウェーハWの下面に上記測温治具6aを接触させてもよい。
【0040】
熱放射体であるランプヒータ3は、処理室2の内部に配設してもよい。その種類も、ハロゲンランプに限らず、タングステンランプなどであってもよい。
【0041】
温度センサとしては、熱電対10の他にもサーミスタなどを用いてもよい。
【0042】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ワークからの伝導熱を温度センサによって測定する際に、ワークを加熱する熱放射体からの輻射熱(赤外線)の影響を排除して、ワークの温度を正確に反映した測定を行うことができ、熱処理プロセスの安定性や信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態による熱処理装置の概略斜視図である。
【図2】同熱処理装置における測温治具の要部拡大斜視図である。
【図3】同測温治具の要部分解斜視図である。
【図4】第2の実施の形態による測温治具の要部分解斜視図である。
【図5】変形例による測温治具の要部分解斜視図である。
【図6】他変形例による測温治具の要部分解斜視図である。
【図7】更に他の変形例による測温治具の要部分解斜視図である。
【符号の説明】
1…熱処理装置、2…処理室、3…熱放射体、4…石英板、6a…測温治具、8…測温プレート、9…赤外線反射材、10…熱電対、10a…測温部、17…赤外線反射材、19…赤外線反射材、W…ワーク。
Claims (8)
- ワークを加熱する熱放射体と、
温度センサを内蔵し、前記ワークに接触して前記ワークからの伝導熱を受ける測温治具とを備えた熱処理装置であって、
前記測温治具には、前記熱放射体から前記温度センサに向かう赤外線を反射する赤外線反射材が設けられていることを特徴とする熱処理装置。 - 前記赤外線反射材は、前記測温治具の前記ワークとの接触部と、前記温度センサとの間に介在されていることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記赤外線反射材は金属でなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の熱処理装置。
- 前記金属は鏡面仕上げされていることを特徴とする請求項3に記載の熱処理装置。
- 温度センサを内蔵し、熱放射体によって加熱されるワークに接触して前記ワークからの伝導熱を受ける測温治具であって、
前記熱放射体から前記温度センサに向かう赤外線を反射する赤外線反射材が設けられていることを特徴とする測温治具。 - 前記赤外線反射材は、前記ワークとの接触部と前記温度センサとの間に介在されていることを特徴とする請求項5に記載の測温治具。
- 前記赤外線反射材は金属でなることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の測温治具。
- 前記金属は鏡面仕上げされていることを特徴とする請求項7に記載の熱処理装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPWO2006003798A1 (ja) * | 2004-07-01 | 2008-04-17 | 株式会社アルバック | 基板温度測定装置及び処理装置 |
JP2012057904A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 液体加熱ユニット、これを備える液処理装置、および液処理方法 |
-
2002
- 2002-06-28 JP JP2002189159A patent/JP2004028938A/ja active Pending
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CN102401465A (zh) * | 2010-09-13 | 2012-04-04 | 东京毅力科创株式会社 | 液体加热单元、具有该单元的液处理装置和液处理方法 |
US8670656B2 (en) | 2010-09-13 | 2014-03-11 | Tokyo Electron Limited | Liquid heating unit, liquid processing apparatus including the same, and liquid processing method |
CN102401465B (zh) * | 2010-09-13 | 2014-09-24 | 东京毅力科创株式会社 | 液体加热单元、具有该单元的液处理装置和液处理方法 |
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