JP7474600B2 - 基板加熱装置および基板処理システム - Google Patents

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Description

本発明は、基板加熱装置および基板処理システムに関する。
従来、熱電対の先端部を基板に接触させ、加熱中の基板の温度を測定する方法がある（例えば、特許文献１参照）。例えば、熱電対は、熱電対素線を金属製シース（鞘）の内部に封入したシース熱電対である。
特開２００８－２３２６８４号公報
しかしながら、熱電対の先端部が露出しているため、加熱により熱電対が変色し劣化してしまう可能性が高い。
以上のような事情に鑑み、本発明は、検知部の劣化を抑制するとともに、検知部の変色や劣化に伴う応答性の変化を抑制することが可能な基板加熱装置および基板処理システムを提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る基板加熱装置は、基板を収容可能な収容空間が内部に形成されたチャンバと、前記基板の一方面側に配置されるとともに、前記基板を赤外線によって加熱可能な基板加熱部と、少なくとも一部が前記収容空間に配置された検知部と、前記検知部において前記収容空間に配置された部分を少なくとも保護するとともに、前記赤外線を吸収する保護部と、を含む。
この構成によれば、検知部において収容空間に配置された部分を少なくとも保護する保護部を含むことで、検知部に向かう赤外線を保護部で遮ることができる。検知部に向かう赤外線は保護部で吸収されるため、赤外線は検知部に直接照射されない。したがって、検知部の劣化を抑制するとともに、検知部の変色や劣化に伴う応答性の変化を抑制することができる。
上記の基板加熱装置において、前記保護部は、黒色の筒体であってもよい。
この構成によれば、保護部で赤外線が効果的に吸収されるため、検知部の応答性を向上することができる。例えば、検知部で基板の温度を検知する場合には、検知温度よりも実際の基板温度が高くなること（基板温度のオーバーシュート）を抑制することができる。
上記の基板加熱装置において、前記保護部は、断面視で閉じた環状を有してもよい。
この構成によれば、検知部の外周全体が保護部によって囲まれるため、検知部の劣化をより効果的に抑制するとともに、検知部の変色や劣化に伴う応答性の変化をより効果的に抑制することができる。
上記の基板加熱装置において、前記保護部の先端は、開口していてもよい。
この構成によれば、保護部の先端が閉じている場合と比較して、保護部の内部空間の圧力上昇による検知部の抜けを抑制することができる。
上記の基板加熱装置において、前記保護部は、前記検知部に係合する係合部を備えてもよい。
この構成によれば、保護部から検知部が抜けることを抑制することができる。
上記の基板加熱装置において、前記検知部は、少なくとも先端が前記赤外線の照射方向に対して交差するように配置された熱電対であってもよい。
この構成によれば、熱電対の先端が赤外線の照射方向に対して平行に配置されている場合と比較して、検知部において赤外線が照射される面積が大きくなるため、検知部の応答性をより効果的に向上することができる。
上記の基板加熱装置において、前記検知部は、前記基板から離れて配置されていてもよい。
この構成によれば、検知部が接触方式の場合と比較して、基板との接触による摩耗はしないため、検知部の耐久性を向上することができる。加えて、検知部が基板に接触していることを監視する必要がないため、簡便である。
上記の基板加熱装置において、前記検知部は、少なくとも先端が前記基板と前記基板加熱部との間に配置された第一検知部を含んでいてもよい。
この構成によれば、基板加熱部から基板に向かう赤外線が第一検知部に照射されるため、第一検知部の応答性を向上することができる。
上記の基板加熱装置において、前記基板と前記基板加熱部との間に設けられ、前記赤外線の照射方向に対して交差するように延びる横架部材を更に備え、前記第一検知部は、前記横架部材に支持されていてもよい。
この構成によれば、横架部材によって第一検知部を安定して支持することができる。
上記の基板加熱装置において、前記検知部は、少なくとも先端が前記基板と前記チャンバの底部との間に配置された第二検知部を含んでいてもよい。
この構成によれば、チャンバの底部と基板との間を通る赤外線が第二検知部に照射されるため、第二検知部の応答性を向上することができる。
上記の基板加熱装置において、前記基板を前記基板の他方面側から支持する支持部材を更に備え、前記第二検知部は、前記支持部材に支持されていてもよい。
この構成によれば、支持部材によって第二検知部を安定して支持することができる。加えて、基板を支持するための支持部材が第二検知部の支持を兼ねるため、第二検知部を支持するための部材を別に設ける場合と比較して、部品点数を削減することができる。
上記の基板加熱装置において、前記検知部は、前記基板の面内における複数地点の温度を検知可能に複数設けられていてもよい。
この構成によれば、複数の検知部によって基板の面内の複数地点の温度をリアルタイムで把握することができる。
上記の基板加熱装置において、基板の一方面には、ポリイミドを形成するための溶液が塗布されていてもよい。
この構成によれば、ポリイミドの形成時において、検知部の劣化を抑制するとともに、検知部の変色や劣化に伴う応答性の変化を抑制することができる。
本発明の一態様に係る基板処理システムは、上記の基板加熱装置を含むことを特徴とする。
この構成によれば、基板処理システムにおいて、検知部の劣化を抑制するとともに、検知部の変色や劣化に伴う応答性の変化を抑制することができる。
本発明によれば、検知部の劣化を抑制するとともに、検知部の変色や劣化に伴う応答性の変化を抑制することが可能な基板加熱装置および基板処理システムを提供することができる。
実施形態に係る基板加熱装置の斜視図である。 実施形態に係る基板加熱装置の断面図である。 実施形態に係るヒータユニットの平面図である。 実施形態に係る赤外線ヒータの平面図である。 実施形態に係る温度検知部の支持状態を示す図である。 実施形態に係る保護筒体の斜視図である。 実施形態に係る保護筒体の断面図である。 実施形態に係るヒータユニットのゾーン制御の説明図である。 実施形態の第一変形例に係る保護筒体の斜視図である。 実施形態の第一変形例に係る保護筒体の断面図である。 実施形態の第二変形例に係る温度検知部の支持状態を示す図である。 実施形態の第二変形例に係る保護部を説明するための図である。 実施形態の第三変形例に係る温度検知部の支持状態を示す図である。 実施形態の第四変形例に係る温度検知部の支持状態を示す図である。 実施形態の第五変形例に係る温度検知部の支持状態を示す図である。 実施形態の第六変形例に係る温度検知部の支持状態を示す図である。 実施形態の第七変形例に係る温度検知部の支持状態を示す図である。 実施形態の第七変形例に係る遮蔽部を説明するための図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ方向、水平面内においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ方向とする。
＜基板加熱装置＞
図１は、実施形態に係る基板加熱装置１の斜視図である。
図１に示すように、基板加熱装置１は、チャンバ２、圧力調整部３、ガス供給部４、ヒータユニット６（基板加熱部）、ベースプレート７、温度検知部９（検知部）、保護筒体６０（保護部）、圧力検知部１４、気体液化回収部１１、冷却部１７（図２参照）、遮熱部３０、遮蔽部４０、遮蔽支持部５０及び制御部１５を備える。制御部１５は、基板加熱装置１の構成要素を統括制御する。
なお、図１においては、チャンバ２を二点鎖線で示している。
＜チャンバ＞
チャンバ２の内部には、基板１０を収容可能な収容空間２Ｓが形成されている。基板１０及びヒータユニット６は、共通のチャンバ２に収容されている。チャンバ２は、直方体の箱状に形成されている。
図２に示すように、チャンバ２は、上下に分離可能な分割構造を有する。チャンバ２は、下方に開口する箱状に形成された上部構造体２１と、上方に開口する箱状に形成された下部構造体２２と、上部構造体２１と下部構造体２２とを分離可能に連結する連結部２３と、を備える。
上部構造体２１は、矩形板状の天板２５と、天板２５の外周縁に繋がる矩形枠状の上部周壁２６と、を備える。
下部構造体２２は、天板２５と対向する矩形板状の底板２７と、底板２７の外周縁に繋がる矩形枠状の下部周壁２８と、を備える。下部周壁２８には、不活性ガスをチャンバ２内に供給するためのゲート２９が設けられている。
例えば、上部構造体２１と下部構造体２２との連結を解除し上部構造体２１を分離すると、下部構造体２２は上方に開口する。下部構造体２２が上方に開口した状態で、基板１０の搬入及び搬出が可能となる。下部構造体２２内に基板１０を搬入した後に上部構造体２１と下部構造体２２とを連結することにより、基板１０を密閉空間で収容可能である。例えば、上部構造体２１と下部構造体２２とをシール部材等を介して隙間なく連結することにより、チャンバ２内の気密性を向上することができる。
＜圧力調整部＞
圧力調整部３は、チャンバ２内の圧力を調整可能である。図１に示すように、圧力調整部３は、チャンバ２に接続された真空配管３ａを含む。真空配管３ａは、Ｚ方向に延在する円筒状の配管である。例えば、真空配管３ａは、Ｘ方向に間隔をあけて複数配置されている。図１においては、１つの真空配管３ａのみを示している。なお、真空配管３ａの設置数は限定されない。真空配管３ａはチャンバ２に接続されていればよく、真空配管３ａの接続部位は限定されない。図２の例では、真空引きのラインがチャンバ２の底板２７に設けられている（図２中矢印Ｖａｃｕｕｍ）。
例えば、圧力調整部３は、ポンプ機構等の圧力調整機構を備えている。圧力調整機構は、真空ポンプ１３を備えている。真空ポンプ１３は、真空配管３ａにおいてチャンバ２との接続部（上端部）とは反対側の部分（下端部）から延びるラインに接続されている。
圧力調整部３は、ポリイミド膜（ポリイミド）を形成するための溶液（以下「ポリイミド形成用液」という。）が塗布された基板１０の収容空間２Ｓの雰囲気の圧力を調整可能である。例えば、ポリイミド形成用液は、ポリアミック酸又はポリイミドパウダーを含む。ポリイミド形成用液は、矩形板状をなす基板１０の第一面１０ａ（上面）にのみ塗布されている。
なお、基板１０への塗布物（被処理物）は、ポリイミド形成用液に限定されず、基板１０に所定の膜を形成するためのものであればよい。
また、圧力調整部３は、収容空間２Ｓの雰囲気の圧力を調整可能とするものであるが、別途、この圧力調整部３内には、収容空間２Ｓに窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを供給する機構（以下「不活性ガス供給機構」ともいう。）が設けられていてもよい。これにより、収容空間２Ｓを所望の圧力条件とするよう調整することができる。
また、後述するガス供給部４のように、圧力調整部３とは別に不活性ガス供給機構が設けられていてもよい。
＜ガス供給部＞
ガス供給部４は、チャンバ２の内部雰囲気の状態を調整可能である。ガス供給部４は、チャンバ２に接続されたガス供給配管４ａを含む。ガス供給配管４ａは、Ｚ方向に延在する円筒状の配管である。例えば、ガス供給配管４ａは、Ｘ方向に間隔をあけて複数配置されている。図１においては、１つのガス供給配管４ａのみを示している。なお、ガス供給配管４ａの設置数は限定されない。真空配管３ａは、チャンバ２に接続されていればよく、ガス供給配管４ａの接続部位は限定されない。
ガス供給部４は、収容空間２Ｓに不活性ガスを供給することによって収容空間２Ｓの状態を調整可能である。ガス供給部４は、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスをチャンバ２内へ供給する。図２の例では、Ｎ２供給部がチャンバ２の天板２５及び下部周壁２８のそれぞれに２つずつ設けられている（図２中矢印Ｎ２）。なお、ガス供給部４は、基板降温時にガスを供給することで、前記ガスを基板冷却に使用してもよい。
ガス供給部４は、クリーンドライエアー（ＣＤＡ）を供給することによって収容空間２Ｓの状態を調整可能である。図２の例では、ＣＤＡ供給部がチャンバの天板２５及び底板２７のそれぞれに２つずつ設けられている（図２中矢印ＣＤＡ）。例えば、ガス供給部４は、ガス供給配管４ａ内を通る気体中の微細な塵埃を除去するためのダストフィルタと、水分を除去するためのミストフィルタと、を備えていてもよい。
ガス供給部４により、チャンバ２の内部雰囲気の酸素濃度を調整することができる。チャンバ２の内部雰囲気の酸素濃度（質量基準）は、低いほど好ましい。具体的には、チャンバ２の内部雰囲気の酸素濃度を、１００ｐｐｍ以下とすることが好ましく、２０ｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
例えば、基板１０に塗布されたポリイミド形成用液を硬化するときの雰囲気において、このように酸素濃度を好ましい上限以下とすることにより、ポリイミド形成用液の硬化を進行しやすくすることができる。
なお、図２中矢印ＥＸＨは、チャンバ２内の気体をチャンバ２外に排出するために下部周壁２８に設けられた排気ラインを示す。
＜ヒータユニット＞
図１に示すように、ヒータユニット６は、チャンバ２内の上方に配置されている。図２に示すように、ヒータユニット６は、天板２５に支持されている。ヒータユニット６と天板２５との間には、ヒータユニット６を支持する支持部材１９が設けられている。ヒータユニット６は、チャンバ２内の天板２５寄りで定位置に固定されている。ヒータユニット６の赤外線ヒータ１４０は、支持部材１９によって天板２５に吊り下げられている。
図３は、実施形態に係るヒータユニット６の平面図である。図４は、実施形態に係る赤外線ヒータ１４０の平面図である。
図３に示すように、ヒータユニット６は、複数（例えば本実施形態では２０台）の赤外線ヒータ１４０を備える。複数の赤外線ヒータ１４０は、個別に制御可能とされている。制御部１５（図１参照）は、複数の赤外線ヒータ１４０を個別に制御可能である。
図１に示すように、赤外線ヒータ１４０は、基板１０を赤外線によって加熱可能である。赤外線ヒータ１４０は、基板１０を段階的に加熱可能である。例えば、基板１０の加熱温度範囲は、２００℃以上かつ６００℃以下の範囲である。赤外線ヒータ１４０は、基板１０の第一面１０ａ（一方面）の側に配置されている。赤外線ヒータ１４０は、チャンバ２の天板２５の側に配置されている。
例えば、赤外線ヒータ１４０のピーク波長範囲は、１．５μｍ以上４μｍ以下の範囲である。なお、赤外線ヒータ１４０のピーク波長範囲は、上記範囲に限らず、要求仕様に応じて種々の範囲に設定することができる。
図４に示すように、赤外線ヒータ１４０は、複数個所で折り曲げられた管状をなしている。赤外線ヒータ１４０の外形は、平面視で矩形状をなしている。例えば、赤外線ヒータ１４０の各辺の長さは、２５０ｍｍ程度である。例えば、赤外線ヒータ１４０は、石英管で形成されている。
赤外線ヒータ１４０は、ストレート部群１４１と、ベンド部群１４２と、第一カバー部１４３と、第二カバー部１４４と、第一導入部１４５と、第二導入部１４６と、を備える。
ストレート部群１４１は、複数（例えば、本実施形態では９つ）のストレート部１４１ａ～１４１ｉを備える。ストレート部１４１ａ～１４１ｉは、第一方向Ｖ１に長手を有する直管状をなしている。ストレート部１４１ａ～１４１ｉは、第一方向Ｖ１と直交（交差）する第二方向Ｖ２に並んで複数配置されている。複数のストレート部１４１ａ～１４１ｉは、第二方向Ｖ２に実質的に同じ間隔Ｕ１（中心軸間のピッチ）をあけて配置されている。ストレート部１４１ａ，１４１ｂ，１４１ｃ，１４１ｄ，１４１ｅ，１４１ｆ，１４１ｇ，１４１ｈ，１４１ｉは、第二方向Ｖ２の一方側から他方側に向けてこの順に配置されている。
ベンド部群１４２は、複数（例えば、本実施形態では８つ）のベンド部１４２ａ～１４２ｈを備える。ベンド部１４２ａ～１４２ｈは、外方に凸をなすように折り曲げられている。ベンド部１４２ａ～１４２ｈは、隣り合う２つのストレート部１４１ａ～１４１ｉの端部を連結している。例えば、ベンド部１４２ａは、ストレート部１４１ａの一端部とストレート部１４１ｂの一端部とを連結している。すなわち、ベンド部１４２ａ～１４２ｈは、赤外線ヒータ１４０のうち隣り合う２つのストレート部１４１ａ～１４１ｉの端部を連結するように屈曲する屈曲部である。平面視で、ベンド部１４２ａ～１４２ｈは、外方に凸をなすＵ字管状をなしている。ベンド部１４２ａ，１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄ，１４２ｅ，１４２ｆ，１４２ｇ，１４２ｈは、第二方向Ｖ２の一方側から他方側に向けてこの順に配置されている。
第一カバー部１４３および第二カバー部１４４は、複数のベンド部１４２ａ～１４２ｈを外方から覆うように第二方向Ｖ２に直線状に延びている。
第一カバー部１４３は、４つのベンド部１４２ｂ，１４２ｄ，１４２ｆ，１４２ｈを第一方向Ｖ１の一方側から覆っている。
第二カバー部１４４は、４つのベンド部１４２ａ，１４２ｃ，１４２ｅ，１４２ｇを第一方向Ｖ１の他方側から覆っている。
第一カバー部１４３は、第二方向Ｖ２の一方側のストレート部１４１ａの一端部に連結されている。第一カバー部１４３は、第二方向Ｖ２に長手を有する直管状をなしている。第一カバー部１４３とベンド部１４２ｂ，１４２ｄ，１４２ｆ，１４２ｈとの間の間隔Ｕ２（中心軸間のピッチ）は、隣り合う２つのストレート部１４１ａ～１４１ｉの間の間隔Ｕ１と実質的に同じ大きさとされている。
第二カバー部１４４は、第二方向Ｖ２の他方側のストレート部１４１ｉの一端部に連結されている。第二カバー部１４４は、Ｌ字管状をなしている。すなわち、第二カバー部１４４は、第二方向Ｖ２に長手を有するカバー本体１４４ａと、カバー本体１４４ａの一端部に連結されるとともに第一方向Ｖ１に長手を有する延在部１４４ｂと、を備えている。第二カバー部１４４とベンド部１４２ａ，１４２ｃ，１４２ｅ，１４２ｇとの間の間隔Ｕ３（中心軸間のピッチ）は、隣り合う２つのストレート部１４１ａ～１４１ｉの間の間隔Ｕ１と実質的に同じ大きさとされている。
第一導入部１４５は、赤外線ヒータ１４０の一端に設けられている。第一導入部１４５は、赤外線ヒータ１４０の一辺の一方側に配置されている。具体的に、第一導入部１４５は、第一カバー部１４３の一端に設けられている。第一導入部１４５の一部は、平面視で赤外線ヒータ１４０の外形内に入り込んでいる。
第二導入部１４６は、赤外線ヒータ１４０の他端に設けられている。第二導入部１４６は、赤外線ヒータ１４０の一辺の他方側に配置されている。第二導入部１４６は、第二方向Ｖ２において第一導入部１４５とは反対側に配置されている。具体的に、第二導入部１４６は、第二カバー部１４４における延在部１４４ｂの一端に設けられている。第二導入部１４６の一部は、平面視で赤外線ヒータ１４０の外形内に入り込んでいる。
図３に示すように、ヒータユニット６は、複数（例えば本実施形態では２０台）の赤外線ヒータ１４０を敷き詰めて構成されている。
ヒータユニット６は、一対の第一赤外線ヒータ群１４０Ａと、一対の第二赤外線ヒータ群１４０Ｂと、を備える。第一赤外線ヒータ群１４０Ａと第二赤外線ヒータ群１４０Ｂとは、第二方向Ｖ２に交互に敷き詰めて配置されている。
第一赤外線ヒータ群１４０Ａは、複数（例えば本実施形態では５台）の第一赤外線ヒータ１４０ａ１～１４０ａ５を備える。一対の第一赤外線ヒータ群１４０Ａは、合計１０台の第一赤外線ヒータ１４０ａ１～１４０ａ５を備える。複数の第一赤外線ヒータ１４０ａ１～１４０ａ５は、第一方向Ｖ１（一方向）に敷き詰めて配置されている。第一赤外線ヒータ１４０ａ１，１４０ａ２，１４０ａ３，１４０ａ４，１４０ａ５は、第一方向Ｖ１の一方側から他方側に向けてこの順に配置されている。
第二赤外線ヒータ群１４０Ｂは、複数（例えば本実施形態では５台）の第二赤外線ヒータ１４０ｂ１～１４０ｂ５を備える。一対の第二赤外線ヒータ群１４０Ｂは、合計１０台の第二赤外線ヒータ１４０ｂ１～１４０ｂ５を備える。複数の第二赤外線ヒータ１４０ｂ１～１４０ｂ５は、第一方向Ｖ１に敷き詰めて配置されている。第二赤外線ヒータ１４０ｂ１，１４０ｂ２，１４０ｂ３，１４０ｂ４，１４０ｂ５は、第一方向Ｖ１と平行な方向の一方側から他方側に向けてこの順に配置されている。
第二赤外線ヒータ１４０ｂ１～１４０ｂ５は、平面視で第一赤外線ヒータ１４０ａ１～１４０ａ５と同じ形状を有している。第二赤外線ヒータ１４０ｂ１～１４０ｂ５は、平面視で第一赤外線ヒータ１４０ａ１～１４０ａ５を反転（１８０度回転）させた形状を有している。具体的に、第二赤外線ヒータ１４０ｂ１～１４０ｂ５は、平面視で、第一赤外線ヒータ１４０ａ１～１４０ａ５を、その中心を起点として、右回り（時計回り）に１８０度回転させた形状を有している。
＜ベースプレート＞
図１に示すように、ベースプレート７は、チャンバ２内の下方に配置されている。ベースプレート７は、基板１０の第一面１０ａとは反対側の第二面１０ｂ（下面）の側に配置されている。図２に示すように、ベースプレート７は、チャンバ２の底板２７の側に配置されている。ベースプレート７は、矩形板状をなしている。ベースプレート７には、基板１０を下方から支持する支持ピン８（支持部材）が設けられている。
支持ピン８は、基板１０の第二面１０ｂ（他方面）を支持可能である。支持ピン８は、上下に延びる棒状の部材である。支持ピン８の先端（上端）は、基板１０の第二面１０ｂに当接している。支持ピン８は、第二面１０ｂと平行な方向（Ｘ方向及びＹ方向）に間隔を空けて複数設けられている。複数の支持ピン８は、それぞれ略同じ長さに形成されている。複数の支持ピン８の先端は、第二面１０ｂと平行な面内（ＸＹ平面内）に配置されている。
＜温度検知部＞
温度検知部９は、少なくとも一部が収容空間２Ｓに配置されている。温度検知部９は、基板１０の温度を検知可能である。温度検知部９は、少なくとも先端が赤外線の照射方向に対して交差するように配置されたシース熱電対（熱電対）である。図２においては、赤外線の照射方向Ｊ１を鉛直下方として図示している。
図５に示すように、温度検知部９は、支持ピン８に取り付けられている。支持ピン８には、温度検知部９の挿通孔を有する固定部材１６が連結されている。固定部材１６は、支持ピン８の上部に連結されている。温度検知部９は、固定部材１６を介して支持ピン８に支持されている。
温度検知部９の一部（温度検知部９の途中部分）は、固定部材１６に支持されている。温度検知部９において固定部材１６の挿通孔から引き出された部分９ａ（以下「引き出し部９ａ」ともいう。）は、実質的に水平方向に延在している。温度検知部９の引き出し部９ａは、赤外線の照射方向Ｊ１に対して略直交するように配置されている。
例えば、温度検知部９の引き出し部９ａの長さは、３０ｍｍ程度である。温度検知部９は、固定部材１６によって片持ち支持されている。温度検知部９の引き出し部９ａは、温度検知部９自体の剛性によって水平姿勢を保持している。温度検知部９の先端は、基板１０の第二面１０ｂに対向している。温度検知部９は、保護筒体６０を介して基板１０の温度を検知する。
図２に示すように、温度検知部９は、少なくとも先端が基板１０とチャンバ２の底板２７（底部）との間に配置されている。温度検知部９の引き出し部９ａ（図５参照）は、基板１０とベースプレート７との間に配置されている。温度検知部９の先端の位置は、ベースプレート７よりも基板１０に近い。
温度検知部９は、基板１０から離れて配置されている。温度検知部９の先端は、基板１０の第二面１０ｂに近接している。例えば、温度検知部９の先端と基板１０の第二面１０ｂとの間の離反距離（以下「検知距離」ともいう。）は、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下である。本実施形態では、検知距離は、３０ｍｍ程度である。例えば、検知距離は、複数の温度検知部９のそれぞれにおいて実質的に同じとされている。
図７に示すように、温度検知部９の引き出し部９ａ（シース熱電対）は、円柱状を有する。図７の例では、温度検知部９の外径としてシース熱電対の外径を示す。例えば、温度検知部９の外径は、０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下である。本実施形態では、温度検知部９の外径は、０．６ｍｍ程度である。
図２に示すように、温度検知部９は、基板１０の面内における複数地点の温度を検知可能に複数設けられている。温度検知部９は、Ｘ方向およびＹ方向のそれぞれに間隔をあけて複数配置されている。本実施形態において、温度検知部９は、３行３列（すなわち、Ｘ方向に３個かつＹ方向に３個）の計９個配置されている。図２においては、Ｘ方向に間隔をあけて配置された３個の温度検知部９を示す。温度検知部９は、基板１０に設定された複数（例えば９つ）のゾーン毎に配置されている。温度検知部９の先端は、基板１０の各ゾーンの温度を検知するセンサとして機能する。
なお、温度検知部９の数は９個に限らない。温度検知部９の数は、任意の数に設定可能である。例えば、複数の温度検知部９は、基板１０の各ゾーンに対応する位置に配置されることが好ましい。
＜保護筒体＞
図５に示すように、保護筒体６０は、温度検知部９において収容空間２Ｓに配置された部分を少なくとも保護している。保護筒体６０は、赤外線ヒータ１４０（図２参照）からの赤外線を吸収可能である。保護筒体６０は、赤外線ヒータ１４０のピーク波長範囲（例えば１．５μｍ以上４μｍ以下の範囲）の赤外線を吸収可能である。
保護筒体６０は、温度検知部９の引き出し部９ａを保護している。保護筒体６０は、温度検知部９の引き出し部９ａと略平行に水平方向に延在している。保護筒体６０は、温度検知部９の引き出し部９ａの外周全体を囲んでいる。保護筒体６０は、複数の温度検知部９のそれぞれの引き出し部９ａを保護している。
保護筒体６０は、黒色の筒体である。例えば、保護筒体６０は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）のパイプ（ＳＵＳパイプ）を酸化被膜処理で黒色化したものである。なお、保護筒体６０は、これに限らず、黒色塗料やカーボンブラック、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等で黒色化されていてもよい。
図６に示すように、保護筒体６０は、円筒状を有する。保護筒体６０は、温度検知部９の引き出し部９ａと間隔をあけて円筒状に形成されている。保護筒体６０の長さは、温度検知部９の引き出し部９ａの長さよりも大きい。保護筒体６０の基端は、固定部材１６に連結されている。保護筒体６０の先端は、開口している。図７の断面視で、保護筒体６０は、閉じた環状を有する。
保護筒体６０は、温度検知部９の引き出し部９ａの外径以上の内径を有する。例えば、保護筒体６０の内径は、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。本実施形態では、保護筒体６０の内径は、０．８ｍｍ程度である。
温度検知部９の引き出し部９ａと保護筒体６０との間には、隙間５９が設けられている。隙間５９ａは、温度検知部９の引き出し部が延びる部分全体にわたって設けられている。例えば、隙間５９の間隔は、０．１ｍｍ程度である。温度検知部９の引き出し部９ａと保護筒体６０との間に隙間５９がある場合でも、温度検知部９の引き出し部９ａは、温度検知部９自体の剛性によって姿勢を保持している。
＜圧力検知部＞
圧力検知部１４（図１参照）は、収容空間２Ｓの圧力（以下「チャンバ内圧力」ともいう。）を検知可能である。例えば、圧力検知部１４の本体部（センサ）は、チャンバ２内に配置されている。例えば、圧力検知部１４の表示部（圧力表示器）は、チャンバ２外に配置されている。例えば、圧力検知部１４は、デジタル圧力センサである。なお、図１では圧力検知部１４を１つのみ図示しているが、圧力検知部１４の数は１つに限らず、複数であってもよい。
＜気体液化回収部＞
図１に示すように、気体液化回収部１１は、圧力調整部３（真空ポンプ１３）のラインに接続されている。気体液化回収部１１は、圧力調整部３のラインにおいて真空ポンプ１３よりも下流側に配置されている。気体液化回収部１１は、真空配管３ａを通る気体を液化するとともに、基板１０に塗布されたポリイミド形成用液から揮発した溶媒を回収可能である。
仮に、気体液化回収部１１が圧力調整部３のラインにおいて真空ポンプ１３よりも上流側に配置されている場合、上流側で液化した液体が次の減圧時に気化されることがあり、真空引き時間が遅延してしまう可能性がある。これに対し、本実施形態によれば、気体液化回収部１１が圧力調整部３のラインにおいて真空ポンプ１３よりも下流側に配置されていることで、下流側で液化した液体は次の減圧時に気化されることがないため、真空引き時間が遅延することを回避することができる。
＜冷却部＞
冷却部１７は、チャンバ２を冷却可能である。図２に示すように、冷却部１７は、チャンバ２の構成部材の内部に配置されるとともに、冷媒を通過可能とする冷媒通過部１８を備える。例えば、冷媒は、水等の液体である。冷媒通過部１８には、不図示のポンプによって冷媒が流れるようになっている。図示はしないが、冷媒通過部１８には冷媒の供給口及び排出口が設けられている。なお、冷媒は、水等の液体に限定されない。例えば、冷媒は、空気等の気体であってもよい。
冷媒通過部１８は、チャンバ２に複数設けられている。図２の例では、冷媒通過部１８は、チャンバ２の天板２５、底板２７及び下部周壁２８（ゲート２９）のそれぞれに設けられている。これにより、チャンバ２の天板２５、底板２７及び下部周壁２８（ゲート２９）のそれぞれの温度を一定に保つことができる。
なお、冷媒通過部１８は、上部周壁２６には設けられていない。上部周壁２６には、チャンバ固定用のボルト（不図示）が設けられるためである。
＜遮熱部＞
遮熱部３０は、ヒータユニット６とチャンバ２との間に配置されている。これにより、ヒータユニット６からの赤外線がチャンバ２に直に照射されることを防ぐことができる。遮熱部３０は、複数の遮熱板３１を備える。遮熱部３０は、複数の遮熱板３１をその厚み方向に間隔をあけて配置した構造体である。本実施形態では、遮熱部３０は、３枚の遮熱板３１を備える。例えば、遮熱板３１は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属で形成されている。なお、遮熱板３１は、金属に限らず、要求仕様に応じて種々の材料で形成することができる。
遮熱部３０は、チャンバ２に複数設けられている。図２の例では、遮熱部３０は、チャンバ２の天板２５、上部周壁２６、底板２７（ベースプレート７）及び下部周壁２８（ゲート２９）のそれぞれに臨むように設けられている。これにより、ヒータユニット６からの赤外線がチャンバ２の天板２５、上部周壁２６、底板２７及び下部周壁２８（ゲート２９）に対して直に照射されることを防ぐことができる。
図示はしないが、チャンバ２の天板２５に臨む遮熱部３０には、支持部材１９と重なる部分に貫通孔が形成されている。一方、底板２７（ベースプレート７）に臨む遮熱部３０には、支持ピン８と重なる部分に貫通孔が形成されている。
＜遮蔽部＞
遮蔽部４０は、基板１０とヒータユニット６との間に設けられている。遮蔽部４０は、基板１０を上方から覆うように配置されている。遮蔽部４０は、赤外線を透過し、かつ、基板加熱時の昇華物を遮る矩形板状の遮蔽板である。遮蔽部４０は、赤外線の照射方向Ｊ１に対して略直交するように水平に配置されている。例えば、遮蔽部４０は、石英ガラスで形成されている。なお、遮蔽部４０は、石英ガラスに限らず、要求仕様に応じて種々の材料で形成することができる。
＜遮蔽支持部＞
遮蔽支持部５０は、基板１０とヒータユニット６との間に設けられている。遮蔽支持部５０は、遮蔽部４０を支持する複数の遮蔽支持体５１，５２を備える。複数の遮蔽支持体５１，５２は、それぞれ共通である。
遮蔽支持体５１，５２は、赤外線の照射方向Ｊ１に対して交差するように延びている。遮蔽支持体５１，５２は、赤外線の照射方向Ｊ１に対して略直交し、且つ、遮蔽部４０のＸ方向端の二辺のそれぞれに対して略平行に延びている。遮蔽支持体５１，５２は、Ｙ方向に直線状に延びている。遮蔽支持体５１，５２は、円柱状を有する。なお、遮蔽支持体５１，５２の形状は、円柱状に限らず、矩形板状等の他の形状であってもよい。
図２に示すように、遮蔽部４０は、複数の遮蔽支持体５１，５２に支持されている。複数の遮蔽支持体５１，５２は、遮蔽部４０の一端（Ｘ方向の第一辺）に設けられた第一遮蔽支持体５１と、遮蔽部４０の他端（Ｘ方向において第一辺と対向する第二辺）に設けられた第二遮蔽支持体５２と、である。
第一遮蔽支持体５１及び第二遮蔽支持体５２のそれぞれの両端部は、下部周壁２８のＹ方向両側面にそれぞれ支持されている。第一遮蔽支持体５１及び第二遮蔽支持体５２は、互いに略同じ高さに設けられている。本実施形態では、遮蔽部４０は、第一遮蔽支持体５１及び第二遮蔽支持体５２の二本のみで支持されている。第一遮蔽支持体５１及び第二遮蔽支持体５２の間隔（Ｘ方向の間隔）は、基板１０の長手方向の長さよりも大きい。
＜ゾーン制御＞
図８は、実施形態に係るヒータユニット６のゾーン制御の説明図である。
図８に示すように、平面視で、ヒータユニット６は、基板１０の外形よりも大きい加熱ゾーンＢを有する。加熱ゾーンＢは、複数（例えは本実施形態では９つ）のゾーンＢ１～Ｂ９（第一ゾーンＢ１～第九ゾーンＢ９）を有する。なお、ゾーンの数は、９つに限定されず、適宜変更することができる。
平面視で、第一ゾーンＢ１は、ヒータユニット６の中央部に配置されている。平面視で、第一ゾーンＢ１は、第二方向Ｖ２に長手を有する長方形状をなしている。第一ゾーンＢ１は、第一赤外線ヒータ１４０ａ３と第二赤外線ヒータ１４０ｂ３とを１台ずつ第二方向Ｖ２に敷き詰めた領域に相当する。
平面視で、第二ゾーンＢ２は、ヒータユニット６の－Ｘ方向側であって第一ゾーンＢ１に隣接する位置に配置されている。平面視で、第二ゾーンＢ２は、正方形状をなしている。第二ゾーンＢ３は、２台の第一赤外線ヒータ１４０ａ１，１４０ａ２と２台の第二赤外線ヒータ１４０ｂ１，１４０ｂ２とを第一方向Ｖ１および第二方向Ｖ２のそれぞれに敷き詰めた領域に相当する。
平面視で、第三ゾーンＢ３は、ヒータユニット６の＋Ｘ方向側であって第一ゾーンＢ１に隣接する位置に配置されている。平面視で、第三ゾーンＢ３は、正方形状をなしている。第三ゾーンＢ３は、２台の第一赤外線ヒータ１４０ａ４，１４０ａ５と２台の第二赤外線ヒータ１４０ｂ４，１４０ｂ５とを第一方向Ｖ１および第二方向Ｖ２のそれぞれに敷き詰めた領域に相当する。
平面視で、第四ゾーンＢ４は、ヒータユニット６の＋Ｙ方向側であって第一ゾーンＢ１に隣接する位置に配置されている。平面視で、第四ゾーンＢ４は、正方形状をなしている。第四ゾーンＢ４は、第一赤外線ヒータ１４０ａ３の１台分の領域に相当する。
平面視で、第五ゾーンＢ５は、ヒータユニット６の－Ｙ方向側であって第一ゾーンＢ１に隣接する位置に配置されている。平面視で、第五ゾーンＢ５は、第一ゾーンＢ１を挟んで第四ゾーンＢ４とは反対側に配置されている。平面視で、第五ゾーンＢ５は、正方形状をなしている。第五ゾーンＢ５は、第二赤外線ヒータ１４０ｂ３の１台分の領域に相当する。
平面視で、第六ゾーンＢ６は、ヒータユニット６の＋Ｙ方向側であって第二ゾーンＢ２および第四ゾーンＢ４のそれぞれに隣接する位置に配置されている。平面視で、第六ゾーンＢ６は、第一方向Ｖ１に長手を有する長方形状をなしている。第六ゾーンＢ６は、２台の第一赤外線ヒータ１４０ａ１，１４０ａ２を第一方向Ｖ１に敷き詰めた領域に相当する。
平面視で、第七ゾーンＢ７は、ヒータユニット６の－Ｙ方向側であって第二ゾーンＢ２および第五ゾーンＢ５のそれぞれに隣接する位置に配置されている。平面視で、第七ゾーンＢ７は、第二ゾーンＢ２を挟んで第六ゾーンＢ６とは反対側に配置されている。平面視で、第七ゾーンＢ７は、第一方向Ｖ１に長手を有する長方形状をなしている。第七ゾーンＢ７は、２台の第二赤外線ヒータ１４０ｂ１，１４０ｂ２を第一方向Ｖ１に敷き詰めた領域に相当する。
平面視で、第八ゾーンＢ８は、ヒータユニット６の＋Ｙ方向側であって第三ゾーンＢ３および第四ゾーンＢ４のそれぞれに隣接する位置に配置されている。平面視で、第八ゾーンＢ８は、第四ゾーンＢ４を挟んで第六ゾーンＢ６とは反対側に配置されている。平面視で、第八ゾーンＢ８は、第一方向Ｖ１に長手を有する長方形状をなしている。第八ゾーンＢ８は、２台の第一赤外線ヒータ１４０ａ４，１４０ａ５を第一方向Ｖ１に敷き詰めた領域に相当する。
平面視で、第九ゾーンＢ９は、ヒータユニット６の－Ｙ方向側であって第三ゾーンＢ３および第五ゾーンＢ５のそれぞれに隣接する位置に配置されている。平面視で、第九ゾーンＢ９は、第三ゾーンＢ３を挟んで第八ゾーンＢ８とは反対側に配置されている。平面視で、第九ゾーンＢ９は、第一方向Ｖ１に長手を有する長方形状をなしている。第九ゾーンＢ９は、２台の第二赤外線ヒータ１４０ｂ４，１４０ｂ５を第一方向Ｖ１に敷き詰めた領域に相当する。
複数の赤外線ヒータ１４０ａ１～１４０ａ５，１４０ｂ１～１４０ｂ５は、個別に制御可能とされている。そのため、ヒータユニット６は、第一ゾーンＢ１から第九ゾーンＢ２の少なくとも一つを選択的に加熱可能とされている。制御部１５（図１参照）は、ヒータユニット６を制御して、第一ゾーンＢ１から第九ゾーンＢ９の少なくとも一つを選択的に加熱させる。
本実施形態において、温度検知部９は、第一ゾーンＢ１から第九ゾーンＢ９のそれぞれに１つずつ配置されている。図８において符号Ｅｐは、温度検知部９の先端の配置位置（以下「温度検知位置」ともいう。）を示す。各ゾーンＢ１～Ｂ９において、温度検知位置Ｅｐは、平面視で赤外線ヒータ（管状の部分）を避けた位置に配置されている。
各ゾーンＢ１～Ｂ９において、温度検知位置Ｅｐは、平面視で基板１０と重なる位置に配置されている。そのため、各ゾーンＢ１～Ｂ９において、温度検知部９は、基板１０の温度を検知可能である。各ゾーンＢ１～Ｂ９における基板１０の温度（各温度検知部９の検知結果）は、制御部１５（図２参照）に入力される。制御部１５は、各温度検知部９の検知結果に基づいて、ヒータユニット６をゾーン毎に制御可能である。これにより、ゾーン毎に基板１０の温度を調整することができる。
＜作用効果＞
以上のように、本実施形態によれば、基板加熱装置１は、基板１０を収容可能な収容空間２Ｓが内部に形成されたチャンバ２と、基板１０の第一面１０ａ側に配置されるとともに、基板１０を赤外線によって加熱可能なヒータユニット６と、少なくとも一部が収容空間２Ｓに配置された温度検知部９と、温度検知部９において収容空間２Ｓに配置された部分を少なくとも保護するとともに、赤外線を吸収する保護筒体６０と、を含む。
この構成によれば、温度検知部９において収容空間２Ｓに配置された部分を少なくとも保護する保護筒体６０を含むことで、温度検知部９に向かう赤外線を保護筒体６０で遮ることができる。温度検知部９に向かう赤外線は保護筒体６０で吸収されるため、赤外線は温度検知部９に直接照射されない。したがって、温度検知部９の劣化を抑制するとともに、温度検知部９の変色や劣化に伴う応答性の変化を抑制することができる。
本実施形態において、保護筒体６０は、黒色の筒体であることで、以下の効果を奏する。
保護筒体６０で赤外線が効果的に吸収されるため、温度検知部９の応答性を向上することができる。例えば、温度検知部９で基板１０の温度を検知する場合には、検知温度よりも実際の基板温度が高くなること（基板温度のオーバーシュート）を抑制することができる。
本実施形態において、保護筒体６０は、断面視で閉じた環状を有することで、以下の効果を奏する。
温度検知部９の外周全体が保護筒体６０によって囲まれるため、温度検知部９の劣化をより効果的に抑制するとともに、温度検知部９の変色や劣化に伴う応答性の変化をより効果的に抑制することができる。
本実施形態において、保護筒体６０の先端は、開口していることで、以下の効果を奏する。
保護筒体６０の先端が閉じている場合と比較して、保護筒体６０の内部空間の圧力上昇による温度検知部９の抜けを抑制することができる。
本実施形態において、温度検知部９は、少なくとも先端が赤外線の照射方向Ｊ１に対して交差するように配置された熱電対であることで、以下の効果を奏する。
熱電対の先端が赤外線の照射方向Ｊ１に対して平行に配置されている場合と比較して、温度検知部９において赤外線が照射される面積が大きくなるため、温度検知部９の応答性をより効果的に向上することができる。
本実施形態において、温度検知部９は、基板１０から離れて配置されていることで、以下の効果を奏する。
温度検知部９が接触方式の場合と比較して、基板１０との接触による摩耗はしないため、温度検知部９の耐久性を向上することができる。加えて、温度検知部９が基板１０に接触していることを監視する必要がないため、簡便である。
本実施形態において、温度検知部９は、少なくとも先端が基板１０とチャンバ２の底板２７との間に配置されていることで、以下の効果を奏する。
チャンバ２の底板２７と基板１０との間を通る赤外線が温度検知部９に照射されるため、温度検知部９の応答性を向上することができる。
本実施形態において、基板１０を基板１０の第二面１０ｂ側から支持する支持ピン８を備え、温度検知部９は、支持ピン８に支持されていることで、以下の効果を奏する。
支持ピン８によって温度検知部９を安定して支持することができる。加えて、基板１０を支持するための支持ピン８が温度検知部９の支持を兼ねるため、温度検知部９を支持するための部材を別に設ける場合と比較して、部品点数を削減することができる。
本実施形態において、温度検知部９は、基板１０の面内における複数地点の温度を検知可能に複数設けられていることで、以下の効果を奏する。
複数の温度検知部９によって基板１０の面内の複数地点の温度をリアルタイムで把握することができる。
本実施形態において、基板１０の第一面１０ｂには、ポリイミドを形成するための溶液が塗布されていることで、以下の効果を奏する。
ポリイミドの形成時において、温度検知部９の劣化を抑制するとともに、温度検知部９の変色や劣化に伴う応答性の変化を抑制することができる。
＜変形例＞
なお、上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、設計要求等に基づき種々変更可能である。
上記実施形態においては、基板加熱部は、複数の赤外線ヒータを備えるヒータユニットであるが、これに限らない。例えば、基板加熱部は、単一の赤外線ヒータであってもよい。
上記実施形態においては、温度検知部の引き出し部が延びる部分全体にわたって隙間が設けられているが、これに限らない。例えば、図９に示すように、隙間５９は、温度検知部９の引き出し部９ａが延びる部分の一部のみに設けられていてもよい。例えば、保護筒体１６０は、温度検知部９の引き出し部９ａに係合する係合部１６１を備えてもよい。例えば、係合部１６１は、保護筒体１６０の一部を潰すことにより形成することができる。例えば、図１０に示すように、係合部１６１は、温度検知部９の引き出し部９ａの外周に複数個所（例えば３箇所）で当接していてもよい。
この構成によれば、保護筒体１６０は、温度検知部９に係合する係合部１６１を備えることで、保護筒体１６０から温度検知部９が抜けることを抑制することができる。
上記実施形態においては、保護部は、温度検知部の引き出し部と間隔をあけて円筒状に形成された保護筒体であるが、これに限らない。例えば、図１１に示すように、基板加熱装置は、保護筒体を備えていなくてもよい。例えば、図１２に示すように、保護部は、温度検知部９の引き出し部９ａの外周に設けられた保護膜２６０であってもよい。例えば、保護膜２６０は、温度検知部９の引き出し部９ａが延びる部分全体にわたって設けられていてもよい。例えば、保護部は、シース熱電対自体に黒色処理等をしたものであってもよい。保護部には、温度検知部とは別の部材に黒色処理等をしたものに限らず、温度検知部自体に黒色処理等をしたものが含まれる。保護部は、円筒状に限らず、封筒のような扁平状であってもよい。保護部の形状は、要求仕様に応じて種々の形状を採用することができる。保護部の色は、黒色に限らず、要求仕様に応じて種々の色を採用することができる。
上記実施形態においては、基板を基板の第二面側から支持する支持ピンを備え、温度検知部は、支持ピンに支持されているが、これに限らない。例えば、図１３に示すように、温度検知部９は、支持ピン８以外のピン３０８（以下「検知部用ピン３０８」ともいう。）に支持されていてもよい。例えば、検知部用ピン３０８は、支持ピン８と略平行に延びていてもよい。例えば、検知部用ピン３０８の先端（上端）は、支持ピン８の先端よりも低い位置にあってもよい。例えば、固定部材１６は、検知部用ピン３０８の先端に連結されていてもよい。
この構成によれば、温度検知部９は、支持ピン８以外の検知部用ピン３０８に支持されていることで、支持ピン８の位置に左右されずに温度検知部９を配置することができる。したがって、温度検知部９のレイアウトの自由度を向上することができる。
上記実施形態においては、温度検知部は、固定部材に支持されているが、これに限らない。例えば、図１４に示すように、温度検知部９は、筒状のパイプ４１６に支持されていてもよい。例えば、パイプ４１６は、検知部用ピン３０８の先端に連結されていてもよい。例えば、パイプ４１６は、複数の検知部用ピン３０８に跨るように延びていてもよい。例えば、温度検知部９は、パイプ４１６内を通じて引き出されていてもよい。例えば、パイプ４１６は、石英やＳＵＳで形成されていてもよい。
上記実施形態においては、温度検知部は、少なくとも先端が基板とチャンバの底部との間に配置されているが、これに限らない。例えば、図１５に示すように、温度検知部９は、少なくとも先端が基板１０とヒータユニット６との間に配置されていてもよい。例えば、温度検知部９は、少なくとも先端が基板１０と遮蔽部４０との間に配置されていてもよい。例えば、温度検知部９は、温度検知部９の傾きを調整可能な傾き調整機構５７０にパイプ４１６を介して支持されていてもよい。例えば、傾き調整機構５７０は、パイプ４１６を水平に対して傾動可能に支持する環状の傾動支持部５７１と、傾動支持部５７１を上端で支持する調整用ピン５７２と、を備えていてもよい。例えば、温度検知部９は、それぞれ配置の態様が異なるように複数設けられていてもよい。例えば、一方の温度検知部９は、収容空間２Ｓに全体が配置されていてもよい。例えば、他方の温度検知部９は、収容空間２Ｓに一部のみが配置されていてもよい。
この構成によれば、ヒータユニット６から基板１０に向かう赤外線が温度検知部９に照射されるため、温度検知部９の応答性を向上することができる。
上記実施形態においては、温度検知部は、支持ピンに支持されているが、これに限らない。例えば、図１６に示すように、温度検知部９は、基板１０とヒータユニット６との間に設けられ、赤外線の照射方向Ｊ１に対して交差するように延びる横架部材６８０に支持されていてもよい。例えば、横架部材６８０は、Ｘ方向に延びる円筒状を有していてもよい。例えば、横架部材６８０の両端部は、横架支持体６８１によって支持されていてもよい。例えば、横架部材６８０は、Ｘ方向に間隔をあけて配置された複数の貫通孔６８０ａを有していてもよい。例えば、温度検知部９の引き出し部９ａは、横架部材６８０の貫通孔６８０ａを通じて基板１０と横架部材６８０との間に引き出されていてもよい。
この構成によれば、横架部材６８０によって温度検知部９を安定して支持することができる。
上記実施形態においては、遮蔽部は、矩形板状の遮蔽板であるが、これに限らない。例えば、図１７に示すように、遮蔽部７４０は、赤外線の照射方向Ｊ１に対して交差するように延びる円筒状の円筒体７４１を備えていてもよい。例えば、円筒体７４１は、Ｘ方向に延びていてもよい。例えば、温度検知部９は、円筒体７４１の内部空間に配置されていてもよい。例えば、図１８に示すように、遮蔽部７４０は、弧状に湾曲する複数の遮蔽体７４２を更に備えていてもよい。例えば、遮蔽体７４２は、円筒体７４１と平行に延びていてもよい。例えば、遮蔽体７４２は、遮蔽体７４１の長手方向から見て上側に向かって凸をなすように弧状に湾曲していてもよい。例えば、円筒体７４１は、隣り合う２つの遮蔽体７４２の間に配置されていてもよい。
この構成によれば、遮蔽部７４０によって温度検知部９を安定して支持することができる。
上記実施形態においては、保護部は、断面視で閉じた環状を有するが、これに限らない。例えば、保護部は、断面視で開いた環状（例えばＣ字状）を有していてもよい。
上記実施形態においては、保護部の先端は、開口しているが、これに限らない。例えば、保護部の先端は、閉じていてもよい。
上記実施形態においては、基板加熱装置は、少なくとも先端が基板とチャンバの底部との間に配置された温度検知部を備えるが、これに限らない。例えば、基板加熱装置は、少なくとも先端が基板と基板加熱部との間に配置された第一検知部と、少なくとも先端が基板とチャンバの底部との間に配置された第二検知部と、を備えていてもよい。温度検知部の設置位置は、要求仕様に応じて変更することができる。
上記実施形態においては、温度検知部が熱電対であるが、これに限らない。例えば、温度検知部は、放射温度計等の非接触温度センサであってもよい。例えば、温度検知部は、非接触温度センサに限らず、接触式温度センサであってもよい。
上記実施形態においては、検知部が温度検知部であるが、これに限らない。例えば、検知部は、圧力検知部、酸素濃度検知部など、温度検知部以外の検知部であってもよい。
また、上記実施形態の基板加熱装置を含む基板処理システムに本発明を適用してもよい。例えば、基板処理システムは、工場などの製造ラインに組み込まれて用いられ、基板の所定の領域に薄膜を形成するシステムである。図示はしないが、例えば、基板処理システムは、上記基板加熱装置を含む基板処理ユニットと、処理前の基板を収容した搬入用カセットが供給されると共に空の搬入用カセットが回収されるユニットである基板搬入ユニットと、処理後の基板を収容した搬出用カセットが回収されると共に空の搬出用カセットが供給されるユニットである基板搬出ユニットと、基板処理ユニットと基板搬入ユニットとの間で搬入用カセットを搬送すると共に、基板処理ユニットと基板搬出ユニットの間で搬出用カセットを搬送する搬送ユニットと、各ユニットを統括制御する制御ユニットと、を備えている。
この構成によれば、上記基板加熱装置を含むことで、基板処理システムにおいて、検知部の劣化を抑制するとともに、検知部の変色や劣化に伴う応答性の変化を抑制することができる。
なお、上記において実施形態又はその変形例として記載した各構成要素は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせることができるし、また、組み合わされた複数の構成要素のうち一部の構成要素を適宜用いないようにすることもできる。
１…基板加熱装置 ２…チャンバ ２Ｓ…収容空間 ６…ヒータユニット（基板加熱部） ９…温度検知部（検知部、第一検知部、第二検知部） １０…基板 １０ａ…第一面（基板の一方面） ２７…底板（チャンバの底部） ６０，１６０…保護筒体（保護部） １６１…係合部 ２６０…保護膜（保護部） ６８０…横架部材 Ｊ１…赤外線の照射方向

Claims (15)

  1. 基板を収容可能な収容空間が内部に形成されたチャンバと、
    前記基板の一方面側に配置されるとともに、前記基板を赤外線によって加熱可能な基板加熱部と、
    少なくとも一部が前記収容空間に配置された検知部と、
    前記検知部において前記収容空間に配置された部分を少なくとも保護するとともに、前記赤外線を吸収する保護部と、を含み、
    前記検知部は、少なくとも先端が前記赤外線の照射方向に対して交差するように配置された熱電対であり、
    前記検知部は、前記赤外線の照射方向に対して交差するように延びる横架部材に支持され、
    前記検知部は、円筒状の前記横架部材に支持されている
    基板加熱装置。
  2. 基板を収容可能な収容空間が内部に形成されたチャンバと、
    前記基板の一方面側に配置されるとともに、前記基板を赤外線によって加熱可能な基板加熱部と、
    少なくとも一部が前記収容空間に配置された検知部と、
    前記検知部において前記収容空間に配置された部分を少なくとも保護するとともに、前記赤外線を吸収する保護部と、を含み、
    前記検知部は、少なくとも先端が前記赤外線の照射方向に対して交差するように配置された熱電対であり、
    前記検知部は、前記赤外線の照射方向に対して交差するように延びる横架部材に支持され、
    前記検知部は、少なくとも先端が前記基板と前記基板加熱部との間に配置された第一検知部を含む
    基板加熱装置。
  3. 前記検知部は、円筒状の前記横架部材に支持されている
    請求項２に記載の基板加熱装置。
  4. 前記保護部は、黒色の筒体である
    請求項１から３のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
  5. 前記保護部は、断面視で閉じた環状を有する
    請求項１から４のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
  6. 前記保護部の先端は、開口している
    請求項１から５のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
  7. 前記保護部は、前記検知部に係合する係合部を備える
    請求項１から６のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
  8. 前記検知部は、前記基板から離れて配置されている
    請求項１から７のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
  9. 前記検知部は、少なくとも先端が前記基板と前記基板加熱部との間に配置された第一検知部を含む
    請求項１、３から８のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
  10. 前記基板と前記基板加熱部との間に設けられ、前記赤外線の照射方向に対して交差するように延びる前記横架部材を更に備え、
    前記第一検知部は、前記横架部材に支持されている
    請求項２または９に記載の基板加熱装置。
  11. 前記検知部は、少なくとも先端が前記基板と前記チャンバの底部との間に配置された第二検知部を含む
    請求項１０に記載の基板加熱装置。
  12. 前記基板を前記基板の他方面側から支持する支持部材を更に備え、
    前記第二検知部は、前記支持部材に支持されている
    請求項１１に記載の基板加熱装置。
  13. 前記検知部は、前記基板の面内における複数地点の温度を検知可能に複数設けられている
    請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
  14. 前記基板の一方面には、ポリイミドを形成するための溶液が塗布されている
    請求項１から１３のいずれか一項に記載の基板加熱装置。
  15. 請求項１から１４の何れか一項に記載の基板加熱装置を含む基板処理システム。
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