CN1904129A - 蒸发器装置 - Google Patents
蒸发器装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1904129A CN1904129A CNA2006100666855A CN200610066685A CN1904129A CN 1904129 A CN1904129 A CN 1904129A CN A2006100666855 A CNA2006100666855 A CN A2006100666855A CN 200610066685 A CN200610066685 A CN 200610066685A CN 1904129 A CN1904129 A CN 1904129A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- heating system
- evaporator
- evaporator unit
- unit
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 101100518972 Caenorhabditis elegans pat-6 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
- H10K10/486—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions the channel region comprising two or more active layers, e.g. forming pn heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及用于涂覆衬底的蒸发器装置，特别用于在OLED上涂敷铝层。为了获得例如具有低蒸汽压的材料蒸发所要求的高的蒸发器管温度，加热系统被放到蒸发器管的内部。热损失因此最小化，以同样的接入加热功率可以获得更高的管温。
Description
[技术领域
[0001]本发明涉及气相沉积装置，更具体地，本发明涉及衬底气相沉积的具有蒸发器源的气相沉积装置。
背景技术
[0002]现代平板显示器包括液晶元件(LCE)或等离子体元件，用于显示图像或字符。
[0003]近来也已经开始利用有机发光二极管(OLED)作为彩色象素来生产平板显示器。
[0004]与已知的结构元件相比，OLED的一大优点就是其超过16％的高效率(Helmuth Lemme：OLEDs-Senkrechtstarter aus Kunststoff，Elektronik 2/2002，p.98，right column，2nd paragraph，No.[5]：Yi He；Janicky，J.：High Efficiency Organic Polymer Light-Emitting HeterostructureDevices，Eurodisplay 99，VDE-Verlag Berlin，Offenbach)。此外，OLED的效率远高于由无机III-V族半导体构成的LED的量子效率。
[0005]而且，OLED具有低重量、宽辐射角，并能产生更强亮度的色彩，以及能够用于从负40℃到正85℃的宽温度范围。还有一个优点就是它们可以在低于5伏电压的情况下运行，并具有低电能消耗，从而使OLED特别适于安装在电池供电的装置中。
[0006]OLED通过OVPD技术(OVPD＝有机气相沉积)生产，例如在美国专利US 5 554 220或德国专利DE 101 28 091 C1中所描述的。其中有机材料被涂敷到位于玻璃上的电极上。这种电极可以是，例如，先前已经被气相沉积到玻璃上的ITO电极(其中ITO为铟锡氧化物)。
[0007]可以在以这样的方式产生的OLED层上涂覆另外的材料，特别是金属，该涂覆的材料层起到控制电极的作用。因为OLED是热敏的，必须采取措施防止OLED上的热效应变得太强。
[0008]通常，用于金属蒸发的加热组件沿着蒸发器管的周围设置(参见德国专利DE 38 17 513 C2，DE 101 28 091 C1)。加热组件是竖直的加热棒或线圈加热器(参见DE 102 56038 A1，US 4 880 960)。置于蒸发器管外部的加热系统的缺点就是其热损失高。当用金属涂覆OLED时，为了金属的蒸发必须产生高于1200℃的温度，这种加热组件就会因为其热辐射而对OLED具有不良影响。
[0009]另一种已知的用于涂覆衬底的蒸发器装置包括具有加热系统的蒸发器(参见US 5 157 240A)。然而，这种蒸发器装置不具有线性的分配器孔口。
[0010]从欧洲专利EP 0 581 496 A也可得知一种用于涂覆衬底的蒸发器装置。然而，该专利中也未用线性分配器孔口。美国专利US 6 117 498A公开了一种具有真空室的涂覆装置。在该真空室的中央设置有钽板形式的电阻加热器。在这种涂覆装置中也没有提供线性分配器孔口。
[0011]另外，已知的一种金属蒸发器装置用圆柱管作为蒸发器。这种管包括棒状的电阻加热器(参见德国专利DE 41 33 615A)。这种装置也不包括线性分配器孔口。
发明内容
[0012]本发明所要解决的问题是提供一种蒸发器装置，其中，高沸点的物质被转换成气相，而没有太高的热辐射到达要被涂覆的衬底。
[0013]这个问题是通过根据具有以下特征的用于涂覆衬底的蒸发器装置解决的，该蒸发器装置包括：具有线性分配器(30-33)以及加热系统的蒸发器(19，90)，其中将被蒸发的材料的表面在第一平面内延伸，其特征在于所述线性分配器(30-33)设置在垂直于所述第一平面的第二平面内，而所述加热系统(22；60-62；78-80；102)设置在所述蒸发器(19，90)的内部。
[0014]因此，本发明涉及一种用于涂覆衬底的蒸发器装置，特别是用于将铝层涂敷到OLED上。为了获得高的蒸发器管温度，例如使具有低蒸汽压的材料蒸发所必需的温度，加热系统被置于蒸发器管的内部中。因此热损失被最小化，以同样接入的或提供的加热功率就可以获得更高的管温。
[0015]本发明所具有的优点包括，特别是，加热能量保持在蒸发器管内，因而不会向外辐射。因此，产生的能量损失低，并可以产生非常高的蒸发器温度。另外还可以改进蒸发器管与外界的热隔离，这是因为省略了外部加热器，隔热件可以与蒸发器管直接接触。而且，通过改进结构的对称性可以获得更均匀的热能分离(decoupling)。在已知的蒸发器中，没有在蒸汽出口孔的前方提供加热组件。这样就导致一定程度上蒸发材料在出口孔附近的冷凝。
附图说明
[0016]本发明结合附图被阐释并在下面被进一步详细地解释说明。
其中：
图1显示一种蒸发器装置的截面图，
图2显示一种蒸发器管的内壁的一部分的透视图，
图3显示蒸发器管的外壁的一部分的透视图，
图4显示一种蒸发器管的透视图，其具有在蒸发器管内延伸的加热元件，
图5显示一种蒸发器管的透视图，其具有与蒸发器棒接触的加热装置。
具体实施方式
[0017]图1示出了一种蒸发器装置1的纵向剖视图，蒸发器装置1由下壳部分2和上壳部分3构成。上壳部分3在此处被放到下壳部分2上。下壳部分2和上壳部分3利用连接夹板4、5和连接销6被固定在一起。当下壳部分2放置在底座25上时，上壳部分3被罩件26关闭。作为连接夹板4、5的替换，也可以提供一种简单的插头联接(plug connection)。
[0018]在上壳部分3的内部设置有蒸发器管19，该蒸发器管包括若干喷嘴30、31、32、33，这些喷嘴线性地一个设置在另一个的下方，蒸汽可以通过这些喷嘴从蒸发器管逸出。这种蒸汽被沉积在衬底7的表面上，衬底7可以移动通过蒸发器装置1到附图所在的平面中。
[0019]坩锅8设置在蒸发器管19之下，蒸发器管19通过锥形件48安放在坩锅8上。坩锅8通过电加热装置被加热，该电加热装置的电源线标为9和10。电加热装置可以是，例如，未示出的绕着坩锅8缠绕的加热线圈。坩锅内部11用要被汽化的材料填充。在坩锅8的下侧面上设置热传感器12，通过热传感器12来测量坩锅8的温度。该热传感器12通过电接线端13与控制系统连接，该控制系统未在图1中示出，利用该控制系统可以控制坩锅8的温度。
[0020]隔层14设置在坩锅8的周围。在坩锅8的周围设置有至少一个屏蔽管45。外侧形成有成冷却管46，该冷却管是由同心壁54、55形成的。
[0021]蒸发器管19也被管状的隔层15包围，该隔层被屏蔽管28包围。接着其上的同心圆柱壁56、57在其间形成冷却空间58。
[0022]蒸发器管19在其上端形成为孔口16，该孔口可以通过活塞17和活塞杆18被闭合。
[0023]冷却空间58和46是分开的可控冷却空间，冷却介质可以流动通过该冷却空间。
[0024]为了防止从坩锅8上升的蒸汽在蒸发器管19上的冷凝，在蒸发器管19的内侧上设置加热装置22。这种加热装置优选地是电加热器22，该电加热器只在图1中示意性地示出。该电加热器可以包括，例如，棒状的加热棒，该加热棒由电绝缘的垫块23、24固定。
[0025]通过这种内部加热装置22，可以在蒸发器管19的内部21达到非常高的温度，因此即便是低蒸汽压的材料也不会凝结。
[0026]加热棒不需要在蒸发器管中对称地设置，因而通过对加热棒的技巧性的几何设置，甚至可以加热那些发生高的热损失的地方，例如在蒸发器管19的出口孔30到33处。
[0027]作为设置在蒸发器管19内表面上的替换方案，加热棒也可以成组地设置在蒸发器管19的中央。
[0028]图2示出了具有隔层15的蒸发器管19的内部的立体剖视图。可以看出若干喷嘴30到33线性地一个设置在另一个的上方，蒸汽可以通过喷嘴从内部逸出到外部。喷嘴30到33因而形成一个线性分配器系统，通过该分配器系统蒸汽可以垂直地喷射到衬底7的表面上。
[0029]在喷嘴30到33的两侧设置两个曲折形状的加热元件35、36，加热元件35、36分别通过电绝缘的垫块37到40和41到44与蒸发器管的内壁连接。向加热元件35、36供应电能的电源在图2中未示出。
[0030]图3示出具有蒸发器管19和隔层15的蒸发器管3的外部的立体剖视图。隔层15几乎完全地包围内管19只留下楔形窗口47的开放空间。喷嘴30到33在窗口47中线性地一个设置在另一个的上方，这些喷嘴30到33以[反]楔形口或由内向外扩大的形式增加了朝向外侧的尺寸。扩大的部分由50到53标出。
[0031]为了更好地屏蔽内管19和隔层15，可以进一步设置屏蔽管(参考图1中的28)。在这种情况下，这些屏蔽管必须具有邻近隔层15窗口的窗口。这样的屏蔽管具有大小不同的导热率，导热率优选从内部到外部地增加。
[0032]图4示出了具有隔层15的蒸发器管19的透视图，其中加热元件60到62设置成通过蒸发器管3的中央。这些加热元件60到62延伸通过两个平行Y形托架65、66的中央63、64，每个所述托架分别具有三个板72到74和75到77。托架66设置在坩锅上方的蒸发器管的下部区域中，而上托架65紧邻蒸发器管19上端的下方设置。
[0033]为了避免加热元件60到62之间的可能接触，它们被电绝缘隔离件70、71分开，所述隔离件是三角形的，并且它们在竖直方向上设置而且彼此之间有一定的间距。
[0034]除了内部加热棒60到62之外，也可以设置外部加热棒78到80，外部加热棒78到80设置成分别通过板72到74和板75到77的端部。在这种情况下，加热棒78到80进一步通过间隔垫块83、84沿着蒸发器管19的内壁90延伸。应该理解的是也可以设置加热棒78到80，而不设置加热元件60到62。
[0035]也可以安装具有更多板的托架，从而可以允许容纳更多的加热元件。在板的一端若干加热元件也可以突出并沿管壁延伸，因而加热功率可以进一步增加。
[0036]应该理解的是，托架和加热元件由具有高热阻的材料构成。
[0037]图5示出用于蒸发器管90的一种内部加热系统的另一种设置方案。在此方案中蒸发器管90被隔层91包围，而隔层被金属屏蔽板92包围。冷却管93包围屏蔽板92，该冷却管93具有两个同心壁94、95，在同心壁94、95之间延伸着分隔板96到98。与壁94、95一起这些分隔板96到98形成冷却流体可以流经的通道。具有喷嘴30到32的喷嘴条99作为凸缘设置在蒸发器管90的端部100、101上。喷嘴条99的后面直接设置内加热器102，该内加热器102由排列成圆形的若干加热棒103到105构成。这些加热棒103到105由内外支撑环106、107固定。因为喷嘴条99向外突出，从而形成很小的宽度为b的辐射区域，该区域与特别的内加热器102连接。
Claims (11)
1.用于涂覆衬底的蒸发器装置，包括具有线性分配器(30-33)以及加热系统的蒸发器(19，90)，其中将被蒸发的材料的表面在第一平面内延伸，其特征在于，所述线性分配器(30-33)设置在垂直于所述第一平面的第二平面内，而所述加热系统(22；60-62；78-80；102)设置在所述蒸发器(19，90)的内部。
2.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述加热系统是电阻加热系统。
3.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述加热系统(6062)设置在所述蒸发器(19，90)的中央。
4.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述加热系统(22)设置在所述蒸发器(19，90)的内壁上。
5.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述加热系统(60-62；102)直接设置在线性分配器的孔口(30-33)处。
6.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述线性分配器的孔口由喷嘴条(99)形成，而加热系统(102)设置成直接对着所述分配器条。
7.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述加热系统包括若干加热棒(103-105)。
8.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述蒸发器(19，90)是管状的。
9.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述加热系统包括曲折形状的加热元件(35，36)。
10.如权利要求1所述的蒸发器装置，其特征在于，所述加热系统包括棒状的加热元件(103-105)。
11.如权利要求7所述的蒸发器装置，其特征在于，所述加热棒形成圆柱体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP0501636.4 | 2005-07-28 | ||
| EP05016364A EP1752555A1 (de) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | Verdampfervorrichtung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1904129A true CN1904129A (zh) | 2007-01-31 |
Family
ID=35427460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2006100666855A Pending CN1904129A (zh) | 2005-07-28 | 2006-04-19 | 蒸发器装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070022956A1 (zh) |
| EP (1) | EP1752555A1 (zh) |
| JP (1) | JP4711882B2 (zh) |
| KR (1) | KR100778945B1 (zh) |
| CN (1) | CN1904129A (zh) |
| TW (1) | TWI295694B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103906856A (zh) * | 2011-10-21 | 2014-07-02 | 瑞必尔 | 用于通过真空蒸发沉积薄膜的装置的喷射系统 |
| CN106637091A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-05-10 | 旭科新能源股份有限公司 | 用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉 |
| CN107299322A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-10-27 | 旭科新能源股份有限公司 | 一种立式低温蒸发束源炉 |
| WO2024045822A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种温度控制部件及cvd反应装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8986455B2 (en) * | 2007-10-12 | 2015-03-24 | Jln Solar, Inc. | Thermal evaporation sources for wide-area deposition |
| JP5512660B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2014-06-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板をコーティングするための装置 |
| EP2379768A4 (en) * | 2008-12-18 | 2013-11-13 | Veeco Instr Inc | VACUUM SEPARATION SOURCES WITH HEATED EXHAUST OPENINGS |
| KR101172275B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-08-08 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 기화 장치 및 이의 제어 방법 |
| FR2956411B1 (fr) * | 2010-02-16 | 2012-04-06 | Astron Fiamm Safety | Systeme de chauffage d'une source de depot en phase vapeur |
| KR101265067B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2013-05-16 | 한국과학기술연구원 | 측면 방출형 선형증발원, 그 제작 방법 및 선형증발기 |
| US20130105483A1 (en) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for sublimating solid state precursors |
| KR20140025795A (ko) * | 2012-08-22 | 2014-03-05 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 선택적 선형 증발 장치 |
| US20150024538A1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Tsmc Solar Ltd. | Vapor dispensing apparatus and method for solar panel |
| WO2015139777A1 (en) * | 2014-03-21 | 2015-09-24 | Applied Materials, Inc. | Evaporation source for organic material |
| JP6205028B1 (ja) * | 2016-07-22 | 2017-09-27 | マシン・テクノロジー株式会社 | 蒸発装置およびそれに用いる固定具 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2762722A (en) * | 1953-05-18 | 1956-09-11 | Bausch & Lomb | Method and apparatus for coating by thermal evaporation |
| DE2422906C2 (de) * | 1974-05-11 | 1985-03-21 | Fritz Lödige | Vakuumfilter zum Abscheiden von Feststoffen aus Dämpfen oder dergleichen |
| US4284867A (en) * | 1979-02-09 | 1981-08-18 | General Instrument Corporation | Chemical vapor deposition reactor with infrared reflector |
| FR2611746B1 (fr) | 1987-03-06 | 1989-06-30 | Centre Nat Etd Spatiales | Dispositif d'evaporation sous vide d'un metal en continu |
| DE3817513C2 (de) | 1988-05-24 | 1996-01-25 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Verdampfen von Metallen |
| JP2619068B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 薄膜形成装置 |
| US5157240A (en) * | 1989-09-13 | 1992-10-20 | Chow Loren A | Deposition heaters |
| US5182567A (en) * | 1990-10-12 | 1993-01-26 | Custom Metallizing Services, Inc. | Retrofittable vapor source for vacuum metallizing utilizing spatter reduction means |
| JPH0610118A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-18 | Nec Kansai Ltd | 蒸着方法及び蒸発装置 |
| US5253266A (en) * | 1992-07-20 | 1993-10-12 | Intevac, Inc. | MBE effusion source with asymmetrical heaters |
| DE4225169C2 (de) * | 1992-07-30 | 1994-09-22 | Juergen Dipl Phys Dr Gspann | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Agglomeratstrahlen |
| US5554220A (en) | 1995-05-19 | 1996-09-10 | The Trustees Of Princeton University | Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities |
| US6572700B2 (en) * | 1997-12-26 | 2003-06-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor crystal, and method and apparatus of production thereof |
| DE19846602A1 (de) * | 1998-10-09 | 2000-04-13 | Leybold Systems Gmbh | Verdampfer für Aluminium oder ein anderes hochschmelzendes Metall |
| US6202591B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-03-20 | Flex Products, Inc. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
| US6117498A (en) * | 1998-11-13 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Single source thermal ablation method for depositing organic-inorganic hybrid films |
| US6830626B1 (en) * | 1999-10-22 | 2004-12-14 | Kurt J. Lesker Company | Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum |
| DE10007059A1 (de) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung |
| KR100439744B1 (ko) * | 2000-04-24 | 2004-07-12 | (주)이엘에스 | 휴대폰의 자동 개폐 장치 |
| US20030015140A1 (en) * | 2001-04-26 | 2003-01-23 | Eastman Kodak Company | Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices |
| DE10128091C1 (de) | 2001-06-11 | 2002-10-02 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats |
| US6636419B2 (en) * | 2001-08-09 | 2003-10-21 | Danger, Inc. | Handheld display and keyboard |
| JP2003258944A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Nec Saitama Ltd | 折り畳み式携帯電話機およびスライド式携帯電話機 |
| JP4002769B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2007-11-07 | 株式会社アルバック | 蒸発容器とその蒸発容器を有する成膜装置 |
| USD484595S1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-12-30 | Gyrus Ent L.L.C. | Surgical tool blade holder |
| US7288376B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-10-30 | Council Of Scientific And Industrial Research | Method of detection of SP-A2 gene variants useful for prediction of predisposition to aspergillosis |
| JP3756458B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-03-15 | 株式会社エイコー・エンジニアリング | 薄膜堆積用分子線源セル |
| KR100647578B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2006-11-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증착장치 및 증착방법 |
| US7067170B2 (en) * | 2002-09-23 | 2006-06-27 | Eastman Kodak Company | Depositing layers in OLED devices using viscous flow |
| DE10256038A1 (de) | 2002-11-30 | 2004-06-17 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Bedampfungsvorrichtung |
| US20040144321A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-07-29 | Eastman Kodak Company | Method of designing a thermal physical vapor deposition system |
| JP2004235897A (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Kato Electrical Mach Co Ltd | 携帯電話機並びにスライド機構 |
| JP4185015B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2008-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 気化原料の供給構造、原料気化器及び反応処理装置 |
-
2005
- 2005-07-28 EP EP05016364A patent/EP1752555A1/de not_active Ceased
-
2006
- 2006-03-17 US US11/384,174 patent/US20070022956A1/en not_active Abandoned
- 2006-03-30 TW TW095111161A patent/TWI295694B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-04-19 CN CNA2006100666855A patent/CN1904129A/zh active Pending
- 2006-05-15 JP JP2006134634A patent/JP4711882B2/ja active Active
- 2006-06-12 KR KR1020060052770A patent/KR100778945B1/ko active IP Right Grant
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103906856A (zh) * | 2011-10-21 | 2014-07-02 | 瑞必尔 | 用于通过真空蒸发沉积薄膜的装置的喷射系统 |
| CN103906856B (zh) * | 2011-10-21 | 2016-11-09 | 瑞必尔 | 用于通过真空蒸发沉积薄膜的装置的喷射系统 |
| CN106637091A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-05-10 | 旭科新能源股份有限公司 | 用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉 |
| CN106637091B (zh) * | 2017-02-24 | 2019-08-30 | 旭科新能源股份有限公司 | 用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉 |
| CN107299322A (zh) * | 2017-08-07 | 2017-10-27 | 旭科新能源股份有限公司 | 一种立式低温蒸发束源炉 |
| WO2024045822A1 (zh) * | 2022-08-29 | 2024-03-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种温度控制部件及cvd反应装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200704796A (en) | 2007-02-01 |
| KR100778945B1 (ko) | 2007-11-22 |
| EP1752555A1 (de) | 2007-02-14 |
| KR20070014960A (ko) | 2007-02-01 |
| JP4711882B2 (ja) | 2011-06-29 |
| TWI295694B (en) | 2008-04-11 |
| JP2007031829A (ja) | 2007-02-08 |
| US20070022956A1 (en) | 2007-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1904129A (zh) | 蒸发器装置 | |
| CN1904130A (zh) | 气相沉积装置 | |
| US7785663B2 (en) | Successive vapour deposition system, vapour deposition system, and vapour deposition process | |
| US8962077B2 (en) | Vapor deposition particle emitting device, vapor deposition apparatus, vapor deposition method | |
| US20080173241A1 (en) | Vapor deposition sources and methods | |
| JP4718538B2 (ja) | 凝縮効果が最少にされた蒸着源 | |
| CN103429784B (zh) | 蒸镀颗粒射出装置和蒸镀装置 | |
| US20120009706A1 (en) | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method | |
| CN1393575A (zh) | 薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法 | |
| KR20070105595A (ko) | 유기박막 증착장치 | |
| CN102061445A (zh) | 真空蒸镀装置、真空蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法 | |
| CN101041891A (zh) | 汽相淀积源和汽相淀积装置 | |
| KR20020095096A (ko) | 에어리얼 기판 코팅 장치 | |
| KR100666575B1 (ko) | 증발원 및 이를 이용한 증착 장치 | |
| CN1404344A (zh) | 电激发光元件的制造方法及蒸镀遮罩 | |
| CN1421542A (zh) | 有机材料蒸发源 | |
| TW201246651A (en) | Vacuum deposition device and manufacturing method of organic electroluminescent display | |
| CN1563243A (zh) | 一种高热导性和高气密性的薄膜封装材料及其制备方法 | |
| KR20100118849A (ko) | 증발 장치 및 이를 구비하는 진공 증착 장치 | |
| KR20070064736A (ko) | 유기박막증착장비 | |
| KR100583044B1 (ko) | 선형 증착물질 가열장치 | |
| KR100583056B1 (ko) | 증착물질 가열장치 | |
| KR100629476B1 (ko) | 증착물질 가열장치 | |
| JP2012052187A (ja) | 蒸着装置、成膜方法及び有機ｅｌ装置の製造方法 | |
| KR20220106495A (ko) | 플렉시블 샘플의 증착 데미지를 방지하기 위한 열처리와 냉각이 동시 가능한 증발기 장비 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |