CN1901053B - 光学信息记录介质用银合金反射膜,为此的银合金溅射靶,以及光学信息记录介质 - Google Patents

光学信息记录介质用银合金反射膜,为此的银合金溅射靶,以及光学信息记录介质 Download PDF

Info

Publication number
CN1901053B
CN1901053B CN2006101019513A CN200610101951A CN1901053B CN 1901053 B CN1901053 B CN 1901053B CN 2006101019513 A CN2006101019513 A CN 2006101019513A CN 200610101951 A CN200610101951 A CN 200610101951A CN 1901053 B CN1901053 B CN 1901053B
Authority
CN
China
Prior art keywords
alloy
atom
reflective film
silver alloy
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2006101019513A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1901053A (zh
Inventor
田内裕基
中井淳一
藤井秀夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kobe Steel Ltd
Original Assignee
Kobe Steel Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kobe Steel Ltd filed Critical Kobe Steel Ltd
Publication of CN1901053A publication Critical patent/CN1901053A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1901053B publication Critical patent/CN1901053B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C23C14/165Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C5/00Alloys based on noble metals
    • C22C5/06Alloys based on silver
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G11B7/259Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on silver
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21Circular sheet or circular blank

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种银合金反射膜被用于光学信息记录介质,并包含作为主成分的银、总共1-10原子%的至少一种稀土元素,和总共1-15原子%的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子%或更高。该银合金反射膜优选还包含0.01-3原子%的Bi和Sb中的至少一种。银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。

Description

光学信息记录介质用银合金反射膜,为此的银合金溅射靶,以及光学信息记录介质 
技术领域
本发明涉及光学信息记录介质用银(Ag)合金反射膜,用于沉积该膜的Ag合金溅射靶,以及光学信息记录介质。更具体地说,本发明涉及这样的反射膜,其具有低导热系数、低熔化温度、高反射率和高耐腐蚀性,从而能在诸如CD、DVD、蓝光光盘和HD-DVD的光学信息记录介质制备后,典型地用激光标记该介质。本发明还涉及用于沉积该反射膜的溅射靶,以及具有该反射膜的光学信息记录介质。 
背景技术
光学信息记录介质(光盘)包括各种类型,归类为写/读系统的三种主要类型是只读、一次性写入和可重写光盘。 
在这些光盘中,只读光盘在制备光盘时将由凹陷和凸起坑形成的数据记录在诸如聚碳酸酯基材的透明塑料基材上,并在所记录数据上设置主要包含例如Al、Ag或Au的反射层,如图1所示。通过检测施加在光盘上的激光束的相差或反射系数差异来读取数据。某些光盘包括:包含记录坑和布置在记录坑上的反射层的基材,以及带有记录坑和布置在该记录坑上的半反射层的另一种基材。将这两种基材层压,读取记录在两层上的数据。记录在这种记录/读取系统的一面上的数据是只读数据,它不能再写和改变,采用这种系统的光盘包括CD-ROM、DVD-ROM和DVD-Video。图1是只读光盘剖面结构的示意图。图1中的光盘包括聚碳酸酯基材1和5、半反射层(Au、Ag合金和Si)2、粘合剂层3和总反射层(Ag合金)4。 
这些只读光盘被大量制造,并通过用带有信息图案的压模按压制造光盘来记录信息。因此,ID不能有效赋予单个光盘。然而,光盘制备后单独具有用诸如标签闸门系统或色同步切断区(BCA)系统的专用系统形成的 ID的只读光盘被标准化,典型地为了防止未授权拷贝,提高产品分销中的示踪能力,并提高产品的附加值。ID标记(记录)主要通过制造后在光盘上施加激光束,以熔化反射膜中的Al合金,并在膜中形成孔的方法进行。 
铝合金如根据日本工业标准(JIS)6061的Al-Mg合金被大量制造作为常用的结构材料,而且很便宜,因此广泛用作只读光盘的反射膜。相反,具有更高反射系数的Ag合金被广泛用于可记录的(一次性写入和可再写的)光盘。 
然而这些材料都具有高热导率,需要高的激光功率来标记,从而损坏包括聚碳酸酯基材和粘合剂层的基底材料。另外,它们的耐腐蚀性低,而且当激光标记后置于高温和高湿条件下时,激光标记形成的孔隙招致反射膜腐蚀。包含Ag合金的反射膜在高温下由Ag的热稳定性差而导致的Ag反射膜内聚而使反射系数降低。为了以较低功率进行激光刻录,反射膜必须具有较低的导热系数,此外还必须具有增大的光吸收系数(激光束吸收系数)和较低的熔化温度。 
日本公开(未审查)专利申请公布(JP-A)1992-252440(Hei 04-252440)公开了通过在Ag中结合Ge、Si、Sn、Pb、Ga、In、Tl、Sb或Bi来降低Ag合金的热导率的方法。JP-A 1992-28032(Hei 04-28032)公开了通过在Ag中结合Cr、Ti、Si、Ta、Nb、Pt、Ir、Fe、Re、Sb、Zr、Sn或Ni来降低Ag合金的热导率的方法。然而,根据这些技术得到的反射膜往往不能通过激光照射熔化和消除,且其中某些随着其热导率降低还表现出熔化温度提高。仍然没有提供满足作为激光标记用Ag合金的要求的银合金(Ag合金)。 
如上所述,为激光标记提供的Ag合金反射膜必须具有低热导率、低熔化温度和高耐腐蚀性。 
现有的只读光盘用反射膜采用JIS 6061系列的Al合金,但这些Al合金不满足激光标记对热导率和耐腐蚀性的要求。 
发明内容
在这些情况下,本发明的一个目的是提供光学信息记录介质用Ag合金反射膜,它在用于只读光盘时容易用激光束标记。本发明另一个目的是 提供一种包括该反射膜的光学信息记录介质,以及用于沉积该反射膜的溅射靶。 
在为了实现以上目的进行的深入细致的研究后,本发明人发现,包含Ag和特定含量的特定合金元素的Ag合金薄膜具有低导热系数、低熔化温度和高耐腐蚀性,并用作适合作为光学信息记录介质用反射膜的反射薄层(薄金属层),其能满意地进行激光标记。本发明已基于这些结论而得以完成,并实现了以上目的。 
因此,本发明涉及光学信息记录介质用Ag合金反射膜、光学信息记录介质,以及用于沉积该Ag合金反射膜的Ag合金溅射靶,并在第一方面提供了光学信息记录介质用Ag合金反射膜,在第二方面提供了光学信息记录介质,并且在第三方面提供了用于沉积该Ag合金反射膜的Ag合金溅射靶。 
具体而言,本发明在第一方面提供了一种光学信息记录介质用Ag合金反射膜,其包含作为主成分的Ag、总共1-10原子%的至少一种稀土元素和总共1-15原子%的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子%或更高。 
在Ag合金反射膜中,该至少一种稀土元素可以是选自Nd、Gd和Y中的至少一种。 
该Ag合金反射膜可还包含0.01-3原子%的Bi和Sb中的至少一种。 
本发明在第二方面还提供了一种包含根据第一方面的Ag合金反射膜的光学信息记录介质。 
此外,本发明在第三方面提供了一种用于沉积光学信息记录介质用Ag合金反射膜的Ag合金溅射靶,其包含作为主成分的Ag、总共1-10原子%的至少一种稀土元素,和总共1-15原子%的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子%或更高。 
在该Ag合金溅射靶中,该至少一种稀土元素可以是选自Nd、Gd和Y中的至少一种。 
该Ag合金溅射靶可还包含0.01-3原子%的Sb。 
该Ag合金溅射靶可还包含0.03-10原子%的Bi,以代替Sb或与Sb共存。 
根据本发明的光学信息记录介质用Ag合金反射膜在用于只读光盘时容易用激光束标记。根据本发明的光学信息记录介质包括该Ag合金反射膜,且在用于只读光盘时能合适地用激光束标记。通过采用根据本发明的Ag合金溅射靶,可沉积该Ag合金反射膜。 
本发明的其它目的、特征和优点将参考附图从以下优选实施方案的描述中凸现。 
附图说明
图1是只读光盘的剖面结构示意图。 
具体实施方式
如上所述,为激光标记提供的Ag合金薄膜必须具有低的导热系数、低熔化温度和高耐腐蚀性。 
本发明制备了含Ag和各种元素的Ag合金溅射靶,用这些靶溅射制成了各种组成的Ag合金薄膜,测定了作为反射薄层的薄膜的组成和性能,并得到以下结论(1)-(2)。 
(1)通过在Ag中结合总共1-10原子%的至少一种稀土元素和总共1-15原子%的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子%或更高,Ag合金薄膜可以具有降低的导热系数和提高的激光束吸收率,同时保持其用于光记录介质所需的满意的反射率。如果至少一种稀土元素的总含量小于1原子%(除非另有规定,“原子%”在下文也称为“%”),就没有效降低导热系数。如果它超过10%,所得薄膜就具有升高的熔化温度和降低的耐久性。如果选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量低于1%,就没有效降低熔化温度。如果它超过15%,该反射膜对于从该光记录介质读出信息的激光束的反射率就降低,导致信号输出减弱。如果所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量低于5%,就没有效降低导热系数和熔化温度,且所得光记录介质就不能用小功率的激 光束明显地标记。 
(2)通过进一步结合Bi和Sb中的至少一种,可进一步防止高温和高湿条件下的腐蚀和内聚,从而进一步防止反射率降低。这些元素的总含量优选3%或更低,以避免反射率由于合金化而降低。如果这些元素的总含量低于0.01%,就不能有效避免反射率降低。这些元素的总含量更优选0.1或更高和2%或更低。 
本发明已基于这些结论得到实现,并提供了光学信息记录介质用Ag合金反射膜、采用该Ag合金反射膜的光学信息记录介质,以及沉积具有以上构造的Ag合金反射膜的溅射靶。 
根据本发明的光学信息记录介质用Ag合金反射膜是这样的Ag合金反射膜,其各包含作为主成分的Ag、总共1-10原子%的至少一种稀土元素,和总共1-15原子%的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子%或更高。 
从以上结论(1)显而易见,具有这种结构的光记录介质用Ag合金反射膜具有足够的光记录介质反射率、低熔化温度、低导热系数和高激光束吸收率,从而容易用激光束标记。另外,它们具有优异的耐腐蚀性和良好的耐久性。 
因此,根据本发明的Ag合金反射膜可满意地用激光束标记,并能有利地用作光学信息记录介质的反射膜。具体而言,它们容易用激光束标记,具有光记录介质所需的足够的反射率,并表现出优异的耐腐蚀性和良好的耐久性。也就是说,由于高温和高湿条件下Ag的腐蚀或内聚造成的反射率降低可得到抑制。 
根据本发明的光学信息记录介质用Ag合金反射膜优选还包含0.01%-3%的Bi和Sb中的至少一种。这种结构进一步防止了高温和高湿条件下Ag的腐蚀或内聚造成的反射率降低,这一点可从结论(2)显而易见。 
用于根据本发明的Ag合金反射膜的至少一种稀土元素可以是例如选自Nd、Gd和Y中的至少一种。 
Ag合金反射膜的厚度优选5nm-200nm,更优选10nm-100nm。下面将解释限定该范围的原因。激光标记可随着反射膜厚度减小而更容易地进 行。然而,如果厚度小到低于5nm,反射膜就会过多地透过激光束,从而降低反射率。因此,厚度优选5nm或更高,更优选10nm或更高。相反,如果Ag合金反射膜具有超过200nm的过大厚度,用于熔化反射膜的激光功率就必须增加,使标记变得难以形成。因此,厚度优选200nm或更低,更优选100nm或更低。此外,随着厚度增加,膜的表面光滑度降低,激光束变得容易散射,不能产生高信号输出。因此,厚度优选200nm或更低,更优选100nm或更低。 
根据本发明的光学信息记录介质包含根据本发明的任何Ag合金反射膜。它们可用激光束满意地标记,并避免由于过高的激光功率造成诸如聚碳酸酯基材和粘合剂层的光盘构成成分热损坏。它们还具有优异的耐腐蚀性,并能抵抗由于高温和高湿条件下的腐蚀或内聚造成的反射率降低。 
根据本发明的光学信息记录介质具有上述优异性能,并且可以有利地用激光束标记。 
根据本发明第三方面的Ag合金溅射靶是用于沉积光学信息记录介质用Ag合金反射膜的Ag合金溅射靶,其各包含作为主成分的Ag、总共1-10原子%的至少一种稀土元素,和总共1-15原子%的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子%或更高。这些Ag合金溅射靶可以产生根据本发明的光学信息记录介质用Ag合金反射膜。 
根据本发明的Ag合金溅射靶可还包含0.01-3原子%的Sb。在这种情况下,Ag合金溅射靶可产生根据本发明的包含0.01-3原子%Sb的光学信息记录介质用Ag合金反射膜。作为选择或除Sb以外,该Ag合金溅射靶可还包含0.03-10原子%Bi。所得Ag合金溅射靶可产生根据本发明的还包含0.01-3原子%Bi的光学信息记录介质用Ag合金反射膜。就此而论,溅射靶中In、Sn、Al、Mg和Sb的含量就反映了所得反射膜中元素的含量,但反射膜中Bi的含量会降低到溅射靶Bi含量的百分之几十。因此,Ag合金溅射靶具有以上规定的组成(元素的含量)。 
根据本发明的Ag合金溅射靶可以包含选自Nd、Gd和Y中的至少一种,因为这些元素是优选的稀土元素。通过这种结构,该溅射靶可产生根据本发明的包含选自Nd、Gd和Y中的至少一种作为至少一种稀土元素的 光记录介质用Ag合金反射膜。 
实施例 
本发明将参考以下几个实施例和比较例进一步详细说明。注意以下仅仅是实施例,并不意味着限制本发明的范围,其中可进行各种可能的变化和修改,而不脱离本发明的教导和范围。下面,将包含元素M1和M2的Ag合金表示为Ag-M1-M2合金,将包含M1、M2和M3的合金表示为Ag-M1-M2-M3合金。同样,“Ag-xM1-yM2合金”指包含“x”原子%的M1和“y”原子%的M2的Ag合金,“Ag-xM1-yM2-zM3合金”指包含“x”原子%的M1、“y”原子%的M2和“z”原子%的M3的Ag合金。 
实验实施例1 
沉积具有表1中组成的Ag合金薄膜,即Ag-Nd-In合金薄膜(含Nd和In的Ag合金薄膜)[序号1至5]、Ag-Gd-In合金薄膜[序号6至10]和Ag-Y-In合金薄膜[序号11至15]。在这些薄膜上,测定Nd、Gd和Y的含量与熔化温度、导热系数、反射率,以及根据色同步切断区(BCA)系统标记(以下称为“BCA标记”)的激光功率之间的关系。 
该薄膜以下面的方式沉积。在直径120mm和厚度0.6mm的聚碳酸酯基材上,通过DC磁控管溅射分别沉积Ag-Nd-In合金薄膜、Ag-Gd-In合金薄膜和Ag-Y-In合金薄膜。该沉积在22℃的基材温度、3毫托的Ar气体压力、30nm/s的沉积速度和5×10-6托或更低的背压下进行。这里采用的溅射靶是复合靶,其各包含在其上放置合金元素碎片的纯Ag靶。 
Ag合金薄膜的熔化温度按以下方式测量。从基材上剥离厚度1μm的试样Ag合金薄膜,收集约5mg的剥离膜,并用差热分析仪(DTA)分析。在该方法中,膜开始熔化的温度与膜停止熔化的温度的平均值定义为熔化温度。导热系数由沉积到100nm厚度的试样Ag合金薄膜的电阻转换而来。试样Ag合金薄膜的反射率在405nm波长下测量,该值定义为反射率。BCA标记中的激光功率用以下方式确定。BCA激光标记用POP-120-8R(HitachiComputer Peripherals Co.,Ltd.)以8m/s的光束速度进行,以记录随机的BCA图案。在该方法中,测定试样薄膜开始熔化时的激光功率,同时在光学显 微镜下观察薄膜。 
结果示于表1。关于Ag合金薄膜的组成,所有薄膜中的In含量固定在5%,而Nd、Gd和Y含量变化。具体而言,薄膜6至10中的Gd含量不同;薄膜11至15中的Y含量变化。当In含量固定在5%时,这些薄膜满足根据本发明的Ag合金薄膜中的要求,选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为1-15%,和至少一种稀土元素与选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5%或更高。它们中的一些满足至少一种稀土元素的总含量为1-10%的要求,而其它不满足。 
表1说明导热系数和熔化温度随着Nd、Gd和Y总含量的增加而降低。具体而言,导热系数和熔化温度随着Nd含量增加[序号1至5]、Gd含量增加[序号6至10]和Y含量增加[序号11至15]而降低。具体而言,如果Nd、Gd和Y含量低于1%,激光标记薄膜需要的激光功率较高。相反,如果它超过10%,就不能获得足够高的反射率。 
这些结果说明,Ag合金薄膜除满足选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为1-15%,且至少一种稀土元素与选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5%或更高的要求外,还必须满足至少一种稀土元素的总含量为1-10%的要求。具体而言,它们必须满足根据本发明的要求。 
实验实施例2 
沉积具有表2中组成的Ag合金薄膜,即Ag-Nd-In合金薄膜[序号1a至3a]、Ag-Nd-Sn合金薄膜[序号4a至6a]、Ag-Nd-Al合金薄膜[序号7a]和Ag-Nd-Mg合金薄膜[序号8a],用实验实施例1的方法测量所得薄膜的熔化温度、导热系数和反射率,以及对该薄膜进行BCA标记的激光功率。 
结果示于表2。对于组成,所有薄膜中的Nd含量固定5%,而In和Sn的含量变化。具体而言,薄膜1a至3a中的In含量变化,薄膜4a至6a中的Sn含量变化。当Nd含量固定5%时,这些Ag合金薄膜满足至少一种稀土元素的总含量为1-10%,至少一种稀土元素与选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5%或更高的要求。此外,它们还满足选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为1-15%的要求。即,它们满足根据本发明的所有要求。 
表2说明,通过添加选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,标记要求的激光功率明显降低,并随着这些元素含量的增加而降低。具体而言,标记所需激光功率随着In含量增加[序号1a至3a]和Sn含量增加[序号4a至6a]而降低。Al含量为5%[序号7a]或Mg含量为5%[序号8a]的薄膜可用小功率的激光束标记。反射率随着In或Sn含量增加而降低。具体而言,In含量为15%的薄膜3a的反射率在薄膜1a至3a中最低;而Sn含量为15%的薄膜6a的反射率在薄膜4a至6a中最低。如果这些元素的总含量超过15%,反射率就进一步降低。 
这些结果说明,Ag合金薄膜除满足至少一种稀土元素的总含量为1-10%,且至少一种稀土元素与选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5%或更高的要求外,还必须满足选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为1-15%的要求。具体而言,它们必须满足根据本发明的要求。 
实验实施例3 
通过实验实施例1的方法沉积具有表3中组成的Ag合金薄膜,即Ag-Nd-In合金薄膜[序号1b]、Ag-Nd-In-Bi合金薄膜[序号2b至4b]和Ag-Nd-In-Sb合金薄膜[序号5b至7b]。所有薄膜的厚度均为100nm。在405nm波长下测量Ag合金薄膜的反射率。然后在高温和高湿条件下对该Ag合金薄膜进行试验(环境试验),并测定试验后的反射率。这样就测定出由环境试验造成的薄膜反射率的变化(降低)。环境试验在80℃的温度和85%相对湿度(RH)的湿度下保持96小时进行。 
结果示于表3。表3表明,环境试验后反射率的降低通过添加Bi或Sb而避免。这种效果从薄膜1b与薄膜2b至4b的比较,以及薄膜1b与薄膜5b至7b的比较中可见。更具体而言,薄膜2b至4b在与薄膜1b的比较中显示出添加Bi的作用,而薄膜5b至7b在与薄膜1b的比较中显示出添加Sb的作用。 
由增加含量的Bi或Sb,降低了环境试验造成的反射率的降低,但环境试验前薄膜的反射率降低。表3中Bi和Sb的总含量为0.1-3.0%的薄膜在环境试验前表现出足够的反射率。然而,如果Bi和Sb的总含量超过3%, 环境试验前薄膜表面出进一步降低的反射率。相反,如果Bi和Sb的总含量低于0.01%,就不能足够有效地防止薄膜反射率的降低。从这一点看,Bi和Sb的总含量优选为0.01%或更高。 
表1 
  序  号   组成   导热系数  [W/(K·cm)]   反射率  (%)   熔化温度  (℃)   激光功率  (W)
  1   Ag-0.5Nd-5In   0.61   78.1   928   >4.0
  2   Ag-1Nd-5In   0.54   76.1   928   3.8
  3   Ag-5Nd-5In   0.28   61.2   914   2.4
  4   Ag-10Nd-5In   0.20   58.3   871   1.7
  5   Ag-15Nd-5In   0.13   48.2   912   <1.5
  6   Ag-0.5Gd-5In   0.60   77.3   927   >4.0
  7   Ag-1.0Gd-5In   0.58   74.2   926   3.9
  8   Ag-5Gd-5In   0.41   60.8   918   2.8
  9   Ag-10Gd-5In   0.18   54.6   868   1.9
  10   Ag-15Gd-5In   0.15   42.1   896   <1.5
  11   Ag-0.5Y-5In   0.61   79.6   932   >4.0
  12   Ag-1Y-5In   0.59   77.8   930   3.8
  13   Ag-5Y-5In   0.31   63.2   906   2.5
  14   Ag-10Y-5In   0.19   54.2   878   1.7
  15   Ag-15Y-5In   0.16   48.9   906   <1.5
表2 
  序  号   组成   导热系数  [W/(K·cm)]   反射率  (%)   熔化温度  (℃)   激光功率  (W)
  1a   Ag-5Nd-1In   0.37   73.1   932   3.7
  2a   Ag-5Nd-5In   0.28   61.2   914   2.4
  3a   Ag-5Nd-15In   0.15   53.2   836   <1.5
  4a   Ag-5Nd-1Sn   0.36   72.0   936   3.8
  5a   Ag-5Nd-5Sn   0.24   63.2   921   2.6
  6a   Ag-5Nd-15Sn   0.13   54.6   821   <1.5
  7a   Ag-5Nd-5Al   0.26   68.1   915   2.4
  8a   Ag-5Nd-5Mg   0.31   72.8   926   2.9
表3 
  序号   组成   反射率(%)   反射率变化(%)
  1b   Ag-5Nd-5In   61.5   -8.9
  2b   Ag-5Nd-5In-0.1Bi   61.2   -4.6
  3b   Ag-5Nd-5In-0.5Bi   60.3   -3.3
  4b   Ag-5Nd-5In-3.0Bi   51.3   -4.1
  5b   Ag-5Nd-5In-0.1Sb   61.1   -4.2
  6b   Ag-5Nd-5In-0.5Sb   60.5   -3.8
  7b   Ag-5Nd-5In-3.0Sb   52.3   -4.8
根据本发明的光学信息记录介质用Ag合金反射膜在用于只读光盘时容易用激光束记录,作为诸如只读光盘的光学信息记录介质用反射膜是有用和有利的。 

Claims (8)

1.一种光学信息记录介质用Ag合金反射膜,其包含:
作为主成分的Ag;
总共1-10原子%的至少一种稀土元素;和
总共1-15原子%的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,
其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5-25原子%。
2.权利要求1的Ag合金反射膜,其中所述稀土元素是选自Nd、Gd和Y中的至少一种。
3.权利要求1的Ag合金反射膜,其还包含0.01-3原子%的Bi和Sb中的至少一种。
4.一种包含权利要求1的Ag合金反射膜的光学信息记录介质。
5.一种用于沉积光学信息记录介质用Ag合金反射膜的Ag合金溅射靶,其包含:
作为主成分的Ag;
总共1-10原子%的至少一种稀土元素;和
总共1-15原子%的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种,
其中所述至少一种稀土元素和所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5-25原子%。
6.权利要求5的Ag合金溅射靶,其中所述稀土元素是选自Nd、Gd和Y中的至少一种。
7.权利要求5的Ag合金溅射靶,其还包含0.01-3原子%的Sb。
8.权利要求5的Ag合金溅射靶,其还包含0.03-10原子%的Bi。
CN2006101019513A 2005-07-22 2006-07-11 光学信息记录介质用银合金反射膜,为此的银合金溅射靶,以及光学信息记录介质 Expired - Fee Related CN1901053B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005213202 2005-07-22
JP2005-213202 2005-07-22
JP2005213202A JP4377861B2 (ja) 2005-07-22 2005-07-22 光情報記録媒体用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1901053A CN1901053A (zh) 2007-01-24
CN1901053B true CN1901053B (zh) 2010-12-08

Family

ID=37037897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101019513A Expired - Fee Related CN1901053B (zh) 2005-07-22 2006-07-11 光学信息记录介质用银合金反射膜,为此的银合金溅射靶,以及光学信息记录介质

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7695792B2 (zh)
EP (1) EP1746590A3 (zh)
JP (1) JP4377861B2 (zh)
CN (1) CN1901053B (zh)
BR (1) BRPI0602895A (zh)
SG (1) SG129400A1 (zh)
TW (1) TWI307097B (zh)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100568392B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 가부시키가이샤 코베루코 카겐 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법
US7514037B2 (en) * 2002-08-08 2009-04-07 Kobe Steel, Ltd. AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film
JP3993530B2 (ja) * 2003-05-16 2007-10-17 株式会社神戸製鋼所 Ag−Bi系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2006294195A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Kobe Steel Ltd 光情報記録用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット
JP2007335061A (ja) * 2006-05-16 2007-12-27 Sony Corp 光情報記録媒体とそのBCA(BurstCuttingArea)マーキング方法
WO2008026601A1 (fr) * 2006-08-28 2008-03-06 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho FILM RÉFLÉCHISSANT EN ALLIAGE Ag POUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUE, SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUE ET CIBLE DE PULVÉRISATION POUR FILM RÉFLÉCHISSANT EN ALLIAGE Ag POUR FORMATION DE SUPPORT D'ENREGISTREMENT D'INFORMATIONS OPTIQUE
JP2008117470A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Sony Corp 光情報記録媒体および光情報記録媒体の製造方法、BCA(BurstCuttingArea)マーキング方法
JP4540687B2 (ja) * 2007-04-13 2010-09-08 株式会社ソニー・ディスクアンドデジタルソリューションズ 読み出し専用の光情報記録媒体
JP4694543B2 (ja) * 2007-08-29 2011-06-08 株式会社コベルコ科研 Ag基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP4833942B2 (ja) * 2007-08-29 2011-12-07 株式会社コベルコ科研 Ag基合金スパッタリングターゲット
JP2009076129A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Kobe Steel Ltd 読み出し専用の光情報記録媒体
JP5046890B2 (ja) * 2007-11-29 2012-10-10 株式会社コベルコ科研 Ag系スパッタリングターゲット
JP2010049736A (ja) * 2008-08-21 2010-03-04 Taiyo Yuden Co Ltd 光情報記録媒体
JP5331420B2 (ja) 2008-09-11 2013-10-30 株式会社神戸製鋼所 読み出し専用の光情報記録媒体および該光情報記録媒体の半透過反射膜形成用スパッタリングターゲット
JP2010225572A (ja) * 2008-11-10 2010-10-07 Kobe Steel Ltd 有機elディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜
KR20110128198A (ko) 2009-04-14 2011-11-28 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 광 정보 기록 매체, 광 정보 기록 매체의 반사막 형성용 스퍼터링 타깃
JP5488849B2 (ja) * 2011-06-24 2014-05-14 三菱マテリアル株式会社 導電性膜およびその製造方法並びにこれに用いるスパッタリングターゲット
JP5806653B2 (ja) * 2011-12-27 2015-11-10 株式会社神戸製鋼所 反射電極用Ag合金膜、反射電極、およびAg合金スパッタリングターゲット
US9074681B2 (en) 2012-11-20 2015-07-07 United Technologies Corporation Hardened silver coated journal bearing surfaces and method
JP5522599B1 (ja) * 2012-12-21 2014-06-18 三菱マテリアル株式会社 Ag合金スパッタリングターゲット
JP5590258B2 (ja) * 2013-01-23 2014-09-17 三菱マテリアル株式会社 Ag合金膜形成用スパッタリングターゲットおよびAg合金膜、Ag合金反射膜、Ag合金導電膜、Ag合金半透過膜
KR101764053B1 (ko) * 2013-06-26 2017-08-01 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 반사 전극용 또는 배선 전극용 Ag 합금막, 반사 전극 또는 배선 전극, 및 Ag 합금 스퍼터링 타겟
TWI727322B (zh) * 2018-08-09 2021-05-11 日商Jx金屬股份有限公司 濺鍍靶及磁性膜
CN109306414A (zh) * 2018-10-24 2019-02-05 吉晟光电(深圳)有限公司 银合金靶材、薄膜及其制备方法
CN112323030A (zh) * 2020-11-17 2021-02-05 昆山全亚冠环保科技有限公司 一种银合金靶材及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1361525A (zh) * 2000-12-26 2002-07-31 株式会社神户制钢所 光信息记录介质用反射层或半透明反射层、光信息记录介质和光信息记录介质用溅射靶
CN1483852A (zh) * 2002-08-08 2004-03-24 ��ʽ�������Ƹ��� Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4998239A (en) * 1987-10-07 1991-03-05 The Dow Chemical Company Optical information recording medium containing a metal alloy as a reflective material
JPH0428032A (ja) 1990-05-24 1992-01-30 Daicel Chem Ind Ltd 光情報記録媒体
JPH04252440A (ja) 1991-01-28 1992-09-08 Hitachi Maxell Ltd 光情報記録媒体
JPH05258363A (ja) 1992-03-10 1993-10-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 光磁気記録媒体
US5328813A (en) 1992-06-30 1994-07-12 The Dow Chemical Company Method for the preparation of optical recording media containing overcoat
US5948497A (en) 1992-10-19 1999-09-07 Eastman Kodak Company High stability silver based alloy reflectors for use in a writable compact disk
KR100308217B1 (ko) 1996-09-09 2001-11-02 모리시타 요이찌 광학적정보기록매체와그제조방법,광학적정보기록·재생방법및광학적정보기록·재생장치
US5989669A (en) * 1996-09-24 1999-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical information recording disc
JPH11134715A (ja) * 1997-10-28 1999-05-21 Kao Corp 光記録媒体
US6544616B2 (en) * 2000-07-21 2003-04-08 Target Technology Company, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
US6007889A (en) * 1998-06-22 1999-12-28 Target Technology, Llc Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP2000057627A (ja) 1998-08-04 2000-02-25 Mitsui Chemicals Inc 光反射膜及びそれを用いた光記録媒体
US6177186B1 (en) * 1999-04-30 2001-01-23 General Electric Company Heat reflective, erosion and wear resistant coating mixture, method and coated article
JP2001184725A (ja) 1999-12-21 2001-07-06 Victor Co Of Japan Ltd 光学的情報記録媒体
JP3365762B2 (ja) 2000-04-28 2003-01-14 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用の反射層または半透明反射層、光情報記録媒体及び光情報記録媒体用スパッタリングターゲット
JP3656898B2 (ja) * 2001-01-31 2005-06-08 日立金属株式会社 平面表示装置用Ag合金系反射膜
JP4023136B2 (ja) * 2001-11-19 2007-12-19 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット
JP4023135B2 (ja) * 2001-11-19 2007-12-19 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット
JP3772972B2 (ja) * 2001-11-26 2006-05-10 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット
US7022384B2 (en) * 2002-01-25 2006-04-04 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Reflective film, reflection type liquid crystal display, and sputtering target for forming the reflective film
KR100568392B1 (ko) * 2002-06-24 2006-04-05 가부시키가이샤 코베루코 카겐 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법
ES2263985T3 (es) * 2002-06-28 2006-12-16 Williams Advanced Materials Inc. Aleaciones metalicas de plata resistentes a la corrosion para el almacenamiento optico de grabacion que las contine.
US20040005432A1 (en) 2002-07-08 2004-01-08 Ridout James W. Reflective or semi-reflective metal alloy coatings
JP2004158145A (ja) 2002-11-08 2004-06-03 Tdk Corp 光記録媒体
EP1560704B1 (en) * 2003-04-18 2012-06-13 Target Technology Company, LLC. Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium
JP3993530B2 (ja) 2003-05-16 2007-10-17 株式会社神戸製鋼所 Ag−Bi系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4009564B2 (ja) * 2003-06-27 2007-11-14 株式会社神戸製鋼所 リフレクター用Ag合金反射膜、及び、このAg合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このAg合金反射膜のAg合金薄膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット
JP2005029849A (ja) * 2003-07-07 2005-02-03 Kobe Steel Ltd リフレクター用Ag合金反射膜、及び、このAg合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このAg合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット
US20050112019A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) Aluminum-alloy reflection film for optical information-recording, optical information-recording medium, and aluminum-alloy sputtering target for formation of the aluminum-alloy reflection film for optical information-recording
TWI248978B (en) * 2003-12-04 2006-02-11 Kobe Steel Ltd Ag-based interconnecting film for flat panel display, Ag-base sputtering target and flat panel display
EP1736558A4 (en) * 2003-12-10 2009-06-17 Tanaka Precious Metal Ind SILVER ALLOY FOR REFLECTIVE FILM
EP1734139A4 (en) * 2003-12-10 2009-03-18 Tanaka Precious Metal Ind SILVER ALLOY WITH EXCELLENT PERFORMANCE IN THE MAINTENANCE OF REFLECTANCE
JP4320000B2 (ja) 2004-04-21 2009-08-26 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用半透過反射膜と反射膜、および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲット
TWI325134B (en) * 2004-04-21 2010-05-21 Kobe Steel Ltd Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
ATE379836T1 (de) * 2004-06-29 2007-12-15 Kobe Steel Ltd Halbreflektierende und reflektierende schicht für ein optisches informationsaufzeichnungsmedium, informationsaufzeichnungsmedium, und sputter target
JP3907666B2 (ja) * 2004-07-15 2007-04-18 株式会社神戸製鋼所 レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1361525A (zh) * 2000-12-26 2002-07-31 株式会社神户制钢所 光信息记录介质用反射层或半透明反射层、光信息记录介质和光信息记录介质用溅射靶
CN1483852A (zh) * 2002-08-08 2004-03-24 ��ʽ�������Ƹ��� Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶

Also Published As

Publication number Publication date
US20070020139A1 (en) 2007-01-25
SG129400A1 (en) 2007-02-26
CN1901053A (zh) 2007-01-24
TWI307097B (en) 2009-03-01
EP1746590A3 (en) 2009-04-08
EP1746590A2 (en) 2007-01-24
JP2007035103A (ja) 2007-02-08
US7695792B2 (en) 2010-04-13
JP4377861B2 (ja) 2009-12-02
BRPI0602895A (pt) 2007-03-13
TW200735089A (en) 2007-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1901053B (zh) 光学信息记录介质用银合金反射膜,为此的银合金溅射靶,以及光学信息记录介质
CN1901054B (zh) 光学信息记录介质用银合金反射膜,为此的银合金溅射靶和光学信息记录介质
KR100799842B1 (ko) 광정보 기록 매체용 은 합금 반사막, 그를 위한 은 합금스퍼터링 타겟, 및 광정보 기록 매체
CN1901055B (zh) 光学信息记录介质和用于该介质的银合金反射膜
KR100445083B1 (ko) 광정보 기록매체용 반사층 또는 반투명 반사층, 광정보기록매체 및 광정보 기록매체용 스퍼터링 타겟
KR100720203B1 (ko) Ag 합금 반사막, 이를 위한 스퍼터링 타겟, 및 이를사용한 광 정보 기록매체
TW514909B (en) Reflection layer or semi-transparent reflection layer for use in optical information recording media, optical information recording media and sputtering target for use in the optical information recording media
JP2006054032A5 (zh)
JP2007172734A (ja) 光情報記録媒体用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット
JP3924308B2 (ja) レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット
CN100373485C (zh) 银合金反射膜、溅射目标及使用该膜的光学信息记录介质
KR20030038727A (ko) 반사층, 반사층을 구비한 광학 기록 매체 및 반사층형성용 스퍼터링 타겟
CN101101773B (zh) 光记录介质及其制造方法
JP4099516B2 (ja) 光情報記録媒体用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲット

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101208

Termination date: 20160711

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee