CN1756720A - 细二氧化硅颗粒 - Google Patents
细二氧化硅颗粒 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1756720A CN1756720A CNA2003801100223A CN200380110022A CN1756720A CN 1756720 A CN1756720 A CN 1756720A CN A2003801100223 A CNA2003801100223 A CN A2003801100223A CN 200380110022 A CN200380110022 A CN 200380110022A CN 1756720 A CN1756720 A CN 1756720A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fine particles
- silica fine
- silica
- resin
- particle size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 195
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 45
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 19
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 claims description 17
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 12
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 6
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 6
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 6
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OSSMYOQKNHMTIP-UHFFFAOYSA-N 5-[dimethoxy(methyl)silyl]pentane-1,3-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCC(N)CCN OSSMYOQKNHMTIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229940008099 dimethicone Drugs 0.000 claims description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 3
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 abstract description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 26
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 12
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 8
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N arachidonic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(O)=O YZXBAPSDXZZRGB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- DOBSQSLSWMMIEM-UHFFFAOYSA-N butoxytin Chemical compound CCCCO[Sn] DOBSQSLSWMMIEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N icosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N octacosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 125000005920 sec-butoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- SZHOJFHSIKHZHA-UHFFFAOYSA-N tridecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(O)=O SZHOJFHSIKHZHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIFGYCGEHFDUOK-UHFFFAOYSA-N (silylamino)silylcyclohexane Chemical class C1(CCCCC1)[SiH2]N[SiH3] KIFGYCGEHFDUOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPUTCRGYIIWGE-UHFFFAOYSA-N 1-(silylamino)silylbutane Chemical class C(CCC)[SiH2]N[SiH3] DKPUTCRGYIIWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCOOBRZXUXNIJP-UHFFFAOYSA-N 1-(silylamino)silylhexane Chemical class C(CCCCC)[SiH2]N[SiH3] QCOOBRZXUXNIJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYEOOFFEXOOVAO-UHFFFAOYSA-N 1-(silylamino)silylpentane Chemical class C(CCCC)[SiH2]N[SiH3] UYEOOFFEXOOVAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPGJIXBDWXEJM-UHFFFAOYSA-N 1-(silylamino)silylpropane Chemical class CCC[SiH2]N[SiH3] IEPGJIXBDWXEJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbutane Chemical group CC(C)C(C)C ZFFMLCVRJBZUDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-3-ethoxypyrazol-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C=1C(=NN(C=1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2)OCC WWSJZGAPAVMETJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWFYPPSBLUWMFQ-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-1-(1,4,6,7-tetrahydropyrazolo[4,3-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=C2 AWFYPPSBLUWMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIICJUWNVJOFPS-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5,6,6-hexaethyl-3H-azadisiline Chemical compound C(C)C1(C(C(N=[SiH][SiH2]1)(CC)CC)(CC)CC)CC QIICJUWNVJOFPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOTGGUKPKRQHKS-UHFFFAOYSA-N C(C)O[SiH](OCC)OCC.[Ru] Chemical compound C(C)O[SiH](OCC)OCC.[Ru] QOTGGUKPKRQHKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017488 Cu K Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017541 Cu-K Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013973 M18XHF22 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNHNBNVTPVOERF-UHFFFAOYSA-N N-dimethylsilyl-N-tris(ethenyl)silylethenamine Chemical compound C[SiH](C)N(C=C)[Si](C=C)(C=C)C=C GNHNBNVTPVOERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYFIDXDYAIFULI-UHFFFAOYSA-N NCC1=CC=C(C=C1)[Si](OC)(OC)OC Chemical compound NCC1=CC=C(C=C1)[Si](OC)(OC)OC HYFIDXDYAIFULI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQYDLDODGFFDLT-UHFFFAOYSA-N [Ru].CO[SiH](OC)OC Chemical compound [Ru].CO[SiH](OC)OC SQYDLDODGFFDLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWSOFXCPBRATKD-UHFFFAOYSA-N [diphenyl-(triphenylsilylamino)silyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)N[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 TWSOFXCPBRATKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229940114079 arachidonic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000021342 arachidonic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical class [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYUBCOTWDAZBIC-UHFFFAOYSA-N butan-2-yloxyaluminum Chemical compound [Al+].CCC(C)[O-] UYUBCOTWDAZBIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N diethylsilane Chemical compound CC[SiH2]CC UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N dodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SCPWMSBAGXEGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N ethanol;zirconium Chemical compound [Zr].CCO.CCO.CCO.CCO UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCKWFNSALCEAPW-UHFFFAOYSA-N ethanolate;tin(2+) Chemical compound [Sn+2].CC[O-].CC[O-] XCKWFNSALCEAPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002737 fuel gas Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- YAQXGBBDJYBXKL-UHFFFAOYSA-N iron(2+);1,10-phenanthroline;dicyanide Chemical compound [Fe+2].N#[C-].N#[C-].C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 YAQXGBBDJYBXKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020778 linoleic acid Nutrition 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N linoleic acid Natural products CCCCC\C=C/C\C=C\CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-IXWMQOLASA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004668 long chain fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- XDKQUSKHRIUJEO-UHFFFAOYSA-N magnesium;ethanolate Chemical compound [Mg+2].CC[O-].CC[O-] XDKQUSKHRIUJEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRGZYKWWYNQGEC-UHFFFAOYSA-N magnesium;methanolate Chemical compound [Mg+2].[O-]C.[O-]C CRGZYKWWYNQGEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORPJQHHQRCLVIC-UHFFFAOYSA-N magnesium;propan-2-olate Chemical compound CC(C)O[Mg]OC(C)C ORPJQHHQRCLVIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- UISUQHKSYTZXSF-UHFFFAOYSA-N methanolate;tin(2+) Chemical compound [Sn+2].[O-]C.[O-]C UISUQHKSYTZXSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N methanolate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C ITNVWQNWHXEMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKWOFMSUGVVZIV-UHFFFAOYSA-N n-bis(ethenyl)silyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound C[Si](C)(C)N(C)[SiH](C=C)C=C WKWOFMSUGVVZIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003216 poly(methylphenylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N propan-2-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] ZGSOBQAJAUGRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- FPADWGFFPCNGDD-UHFFFAOYSA-N tetraethoxystannane Chemical compound [Sn+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] FPADWGFFPCNGDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N titanium ethoxide Chemical compound [Ti+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N trimethoxyalumane Chemical compound [Al+3].[O-]C.[O-]C.[O-]C UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDPHROOEEOARMN-UHFFFAOYSA-N undecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCC(O)=O ZDPHROOEEOARMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- WXKZSTUKHWTJCF-UHFFFAOYSA-N zinc;ethanolate Chemical compound [Zn+2].CC[O-].CC[O-] WXKZSTUKHWTJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
- C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
- C01B33/183—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
- C09C1/28—Compounds of silicon
- C09C1/30—Silicic acid
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G9/00—Developers
- G03G9/08—Developers with toner particles
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G9/00—Developers
- G03G9/08—Developers with toner particles
- G03G9/097—Plasticisers; Charge controlling agents
- G03G9/09708—Inorganic compounds
- G03G9/09716—Inorganic compounds treated with organic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G9/00—Developers
- G03G9/08—Developers with toner particles
- G03G9/097—Plasticisers; Charge controlling agents
- G03G9/09708—Inorganic compounds
- G03G9/09725—Silicon-oxides; Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/54—Particles characterised by their aspect ratio, i.e. the ratio of sizes in the longest to the shortest dimension
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
- Y10T428/259—Silicic material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Developing Agents For Electrophotography (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
可通过在火焰中反应得到并且平均粒度为0.05-1μm的细二氧化硅颗粒,特征在于当通过小角度X-射线散射测量时,在50nm-150nm分析范围内的分形参数α1和在150nm-353nm分析范围内的分形参数α2满足下面的表达式(1)和(2)所示的条件:-0.0068S+2.548≤α1≤-0.0068S+3.748 (1),-0.0011S+1.158≤α2≤-0.0011S+2.058 (2),其中表达式(1)和(2)中的S表示二氧化硅细颗粒的BET比表面积(m2/g)。当它们用作半导体密封树脂用填充材料时,以及用作磨料和喷墨纸涂层等的填充材料时,可被高度压实填充而不增加粘度,当用作树脂填料时可有利地在得到的模型中展现强度,当用作静电复制调色剂外添加剂时,可赋予调色剂良好的流动性和为调色剂树脂颗粒提供良好的防脱落特性。
Description
发明领域
本发明涉及新的细二氧化硅颗粒。更特别地,本发明涉及具有比热解法二氧化硅颗粒简单但比球形熔凝硅石颗粒复杂的特殊结构的细二氧化硅颗粒。细二氧化硅颗粒在作为半导体封装树脂用填料和作为静电复制调色剂添加剂这类应用中使用时表现出优异的性能。
发明背景
在作为半导体封装树脂用填料和作为静电复制调色剂添加剂这类应用中,已广泛使用平均粒度不大于1μm的细二氧化硅颗粒。这是因为,当用作半导体封装树脂用填料时,具有上述粒度的细二氧化硅颗粒对保持均匀组成是有利的,因为它们在树脂混合物处于熔融态或液态(也称为液态树脂)时沉淀少。此外,当用作静电复制调色剂添加剂时,具有上述粒度的细二氧化硅颗粒粘着到调色剂表面上,并对提高自由流动性能是有利的。
迄今,已进行了大量关于使用通过火焰水解处理氯硅烷产生的热解法二氧化硅(称为干二氧化硅)颗粒作为半导体封装树脂用填料的大量报道(参见例如现有文献A)。
现有文献A:JP-A-1-161065
近年来,对环境问题的增强敏感性使使用无铅焊料在电路板上安装半导体封装成为趋势。但是,无铅焊料的使用导致安装封装的温度升高并要求提高封装的耐热性。这导致半导体树脂混合物中较高的填料含量。
但是,即使在低液体树脂含量时,上述热解法二氧化硅仍大大增加了粘度。因此,在高树脂含量时,难以成型半导体封装树脂。
为了抑制因加入高含量的热解法二氧化硅颗粒到树脂中引起的粘度增加,已提出使用平均粒度被控制不大于1μm的球形熔凝硅石(参见例如现有文献B)。
现有文献B:JP-A-8-245214
实际上,使用球形熔凝硅石防止了树脂粘度增加,并可在高含量树脂中填充二氧化硅,但包括球形熔凝颗粒的树脂混合物没有令人满意的强度。
还有关于使用热解法二氧化硅作为静电复制调色剂添加剂的报道(参见例如现有文献C)。但是,由于其复杂的颗粒结构,热解法二氧化硅不能改善调色剂的自由流动性能。还有一些关于使用球形熔凝硅石作为调色剂添加剂的报道(参见例如现有文献D)。但是,由于它的球形形状,球形熔凝硅石颗粒不能有效地调色表面;即细二氧化硅颗粒从调色剂颗粒表面被除去,接触到光电导体表面。这导致调色剂颗粒不能被转移到纸上并保留在光电导体表面上的问题。
现有文献C:JP-A-2002-116575
现有文献D:JP-A-2002-154820
发明描述
因此,本发明的一个目的是解决由使用尺寸不大于1μm的热解法二氧化硅颗粒和球形熔凝硅石颗粒作为半导体封装树脂用填料和静电复制调色剂添加剂引起的问题。
为了解决这些问题,本发明人研究了产生细二氧化硅颗粒的条件、细二氧化硅颗粒的粘度赋予行为、增强树脂强度的性质、赋予流动性的效果和防止其从调色剂树脂颗粒表面的表面除去的效果。结果,本发明人通过设定利用火焰方法如火焰水解方法或火焰热解方法(下文中还称为火焰反应方法)产生细二氧化硅颗粒中的特定条件成功研制出具有比热解法二氧化硅颗粒简单但比球形熔凝硅石颗粒复杂的特殊结构的细二氧化硅颗粒。
本发明提供平均粒度为0.05-1μm的细二氧化硅颗粒,其中在小角度X-射线散射测量中,在从50nm到150nm的长度处的分形结构参数(fractal structure parameter)α1和在从150nm到353nm的长度处的分形结构参数α2满足下面的式(1)和式(2):
-0.0068S+2.548≤α1≤-0.0068S+3.748(1)
-0.0011S+1.158≤α2≤-0.0011S+2.058(2)
其中S为细二氧化硅颗粒的BET比表面积(m2/g),
另外,本发明提供包括上述细二氧化硅颗粒的半导体封装树脂,和静电复制调色剂添加剂。
通常,小角度X-射线散射测定的分形结构参数(α-值)代表颗粒结构的复杂性。具有小α-值的颗粒具有更复杂的结构。注意真正球形颗粒的α-值为4。
本发明人比较了具有上述特殊颗粒结构的本发明的细二氧化硅颗粒与常规细二氧化硅颗粒的α-值,证实本发明的细二氧化硅颗粒具有从50nm到150nm分析范围上的散射图形得到的α-值(α1)和从150nm到353nm分析范围上的散射图形得到的α-值(α2),与常规细二氧化硅颗粒的那些相比,它们为特殊值。
当向液体树脂中高含量地加入时,具有特殊结构的细二氧化硅颗粒防止了粘度的增加,并为固化的树脂混合物提供了令人满意的强度。另外,当用作静电复制调色剂添加剂时,该二氧化硅颗粒提高了优异的流动性能,并且不会从调色剂表面被除去。
小角度X-射线散射测量使得能得到不能用普通X-射线衍射得到的比纳米更细微的周期性结构有关的数据(与结构周期和频率有关的数据),从而根据数据确定α-值。例如,当测量热解法二氧化硅的小角度X-射线散射时,低角度散射曲线由于各种尺寸的周期结果与散射曲线重叠,因为热解法二氧化硅为非常强聚集的颗粒的聚集体(或熔融粘合的颗粒),它们具有由其生产方法决定通过粘接大量初级颗粒形成的各种结构和粒度。
因此,分析得到的小角度X-射线散射曲线能确定各种尺寸周期性结构频率的“用作反映聚集(熔融粘合)颗粒结构的指标的分形结构参数(α-值)”。也就是说,在小角度X-射线散射中的散射强度(I)、散射矢量(k)和分形结构参数(α)之间存在下面的关系。因此,可从用k作为横坐标和I作为纵坐标绘制的小角度X-射线散射曲线确定α-值,即:
I∞k-α
其中k=4∏λ-1sinθ
这里,k的单位为nm-1,∏为圆周率,λ为X-射线波长(单位为nm),θ为X-射线散射角(这里θ为当检测器的散射角乘以0.5倍时的值)。
为了得到小角度X-射线散射曲线,使用狭缝(slit)和块(block)精细地挤出被单色化的X-射线,照射到样品上,在改变检测器散射角的同时检测样品散射的X-射线,并用k作为横坐标和I作为纵坐标绘制曲线。
如果绘制在对数-对数标尺上,则斜率等于α。另外,如果分析范围用D表示,则在D、X-射线散射角θ和X-射线波长λ之间存在下面的布拉格方程:
2D sinθ=λ
因此,从布拉格方程得到k和D之间下面的关系:
D=2∏k-1
因此,如图1所示,当logI对logk的曲线用Log k=-1.377到-0.902(D=50-150nm)和Log k=-1.750到-1.377(D=150-353nm)分段(sectionalized)时,分段范围的斜率确定分形结构参数(α1和α2)。
本发明的细二氧化硅颗粒具有球形颗粒和具有复杂结构的颗粒两者的特征。这些特征导致防止了树脂高填料含量时树脂粘度的提高。另外,在制备作为抛光剂或作为喷墨纸涂层溶液的二氧化硅分散体时,本发明的细二氧化硅颗粒在高含量时不会显著增加溶液的粘度。
此外,当用作静电复制调色剂添加剂时,本发明的细二氧化硅颗粒由于它们特殊的颗粒结构而提高了调色剂的自由流动性能,且不会从调色剂表面脱除。
附图简述
图1为说明利用小角度X-射线散射从无机粉末散射X-射线强度I的对数对散射波矢量k的对数的曲线确定α1和α2的方法的图。
发明的最佳实施
本发明的细二氧化硅颗粒具有0.05-1μm的平均粒度,优选0.1-1μm。当平均粒度小于0.05μm时,后面将要描述的分形结构参数α1和α2就小于式(1)和(2)表示的范围。另一方面,当平均粒度大于1μm时,分形结构参数α1和α2就大于式(1)和(2)表示的范围。
这里,平均粒度为用激光散射粒度分布分析仪测量的基于体积的平均值(D50)。
本发明的细二氧化硅颗粒具有新型特征,在于在从50nm到150nm的长度处的分形结构参数α1和在从150nm到353nm的长度处的分形结构参数α2满足下面的式(2):
-0.0068S+2.548≤α1≤-0.0068S+3.748 (1)
-0.0011S+1.158≤α2≤-0.0011S+2.058 (2)
其中S为细二氧化硅颗粒的BET比表面积(m2/g)。
在细二氧化硅颗粒的分形结构参数中,在50nm到150nm分析范围内的分形结构参数α1代表了通过大量初级颗粒熔融粘合形成的具有各种结构和粒度的聚集颗粒中在聚集颗粒相对小粒度范围内的结构复杂性,在150nm到353nm分析范围内的分形结构参数α2代表在聚集颗粒相对大粒度范围内的结构复杂性。通常,α1和α2保持α1>α2的关系。
本发明首次提出具有如上所述复杂结构的细二氧化硅颗粒。如下面在对比实施例中所述,上述常规热解法二氧化硅具有比上述范围下限小的α-值,因此,它具有更复杂的结构。球形熔凝硅石具有比上述范围上限大的α-值,因此,它具有接近于球形二氧化硅的结构。另一方面,具有在式(1)和(2)范围内的α-值的本发明的细二氧化硅因此表明,它具有介于热解法二氧化硅和球形熔凝硅石之间的结构复杂性。
本发明的具有上述平均粒度和分形结构参数的细二氧化硅颗粒在平均粒度为0.05-1μm时通常具有范围从5到300m2/g的BET比表面积,在平均粒度为0.1-1μm时具有范围从5到150m2/g的BET比表面积。
上述BET比表面积通过氮气吸附法测定。
由于它们的特殊离子结构,本发明的细二氧化硅颗粒解决了上述问题,并胜过热解法二氧化硅颗粒和球形熔凝硅石颗粒。
例如,在作为半导体封装树脂用填料的应用中,本发明的细二氧化硅颗粒可在树脂中高含量地存在,并保持均匀组成。在作为静电复制调色剂添加剂的应用中,本发明的细二氧化硅颗粒提高了调色剂的流动性能,不会从调色剂表面脱除。
对本发明的细二氧化硅颗粒的其它性质没有特殊限制,只要满足上述条件即可。但是,从防止金属线腐蚀的角度,和除此以外从用作静电复制调色剂添加剂时抑制电荷数量和电荷上升速度(rise rate)中分散的角度,希望本发明的细二氧化硅颗粒包含浓度不高于50ppm、优选不高于30ppm的卤元素和碱金属元素如钠。
生产细二氧化硅颗粒的方法
本发明的细二氧化硅颗粒可在火焰方法如火焰水解方法或火焰热解方法中生产。特别地,可按在火焰中控制颗粒聚集和熔融粘合它们到一起的方式得到它们。
例如,通过以气体状态引入硅化合物的中央进料管的外管引入氢和/或烃(下文中称为可燃气体)形成外层焰。硅化合物在火焰中反应产生细二氧化硅颗粒。二氧化硅颗粒在火焰中被聚集到合适的程度,然后冷却二氧化硅颗粒并在分散状态下收集(例如通过管引导并使用袋式过滤器收集)。
在上述生产中,尤其影响分形结构参数的一个条件是出口速度,优选控制速度到0.5-10m/s。
尤其影响分形结构参数的另一个条件是硅化合物的浓度,即火焰中的二氧化硅浓度。优选二氧化硅浓度在0.05和5mol/m3之间,尤其在0.1和3mol/m3之间。
在生产中,通过调整硅化合物的浓度、出口速度和外层焰长度控制平均粒度和比表面积。通过调整上述条件和进一步调整外层焰温度控制分形结构参数。
通常,硅化合物的较高浓度导致较大的平均粒度、较小的比表面积和较大的分形结构参数值。另外,较高的出口速度导致较小的平均粒度,较大的比表面积和较小的分形结构参数值。此外,较大的外圆周火焰导致较大的平均粒度,较小的比表面积和较大的分形结构参数值。此外,较高的外层焰温度导致较大的平均粒度,较小的比表面积和较大的分形结构参数值。
在生产中,对室温下处于气态或液态的硅化合物的使用没有限制。对于硅化合物,可使用例如硅氧烷如六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、六甲基二硅氧烷和八甲基三硅氧烷;烷氧基硅烷如四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷和甲基三乙氧基硅烷;有机硅烷化合物如四甲基硅烷、二乙基硅烷和六甲基二硅氮烷;硅卤化物如一氯硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷和四氯硅烷;和无机硅烷化合物如一硅烷和二硅烷。
使用硅烷和/或硅氮烷或烷氧基硅烷作为硅化合物尤其可得到包含很少杂质如氯并易于处理的高纯二氧化硅(细二氧化硅颗粒)。
可利用选自甲硅烷基化试剂、硅油、硅烷、金属醇盐、脂肪酸和脂肪酸金属盐的至少一种处理试剂处理本发明的细二氧化硅的表面。
甲硅烷基化试剂的具体例子包括烷氧基硅烷如四甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、邻-甲基苯基三甲氧基硅烷、对-甲基苯基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(2-氨基乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷;和硅氮烷如六甲基二硅氮烷、六乙基二硅氮烷、六丙基二硅氮烷、六丁基二硅氮烷、六戊基二硅氮烷、六己基二硅氮烷、六环己基二硅氮烷、六苯基二硅氮烷、二乙烯基四甲基二硅氮烷和二甲基四乙烯基二硅氮烷。
对于硅油,可列举出二甲基硅油、甲基氢硅油、甲基苯基硅油、烷基改性的硅油、脂肪酸改性的硅油、聚醚改性的硅油、烷氧基改性的硅油、甲醇改性的硅油、氨基改性的硅油和末端反应性硅油。
对于硅氧烷,可列举出六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、六甲基二硅氧烷和八甲基三硅氧烷。
对于金属醇盐,可列举出三甲氧基铝、三乙氧基铝、三异丙氧基铝、三正丁氧基铝、三仲丁氧基铝、三叔丁氧基铝、一仲丁氧基二异丙基铝、四甲氧基钛、四乙氧基钛、四异丙氧基钛、四正丙氧基钛、四正丁氧基钛、四仲丁氧基钛、四叔丁氧基钛、四乙氧基锆、四异丙氧基锆、四正丁氧基锆、二甲氧基锡、二乙氧基锡、二正丁氧基锡、四乙氧基锡、四异丙氧基锡、四正丁氧基锡、二乙氧基锌、甲醇镁、乙醇镁和异丙醇镁。
此外,脂肪酸和其金属盐的具体例子包括长链脂肪酸如十一烷酸、月桂酸、十三烷酸、十二烷酸、肉豆蔻酸、棕榈酸、十五烷酸、硬脂酸、十七烷酸、花生酸、褐煤酸、油酸、亚油酸和花生四烯酸,和它们与金属如锌、铁、镁、铝、钙、钠和锂的盐。
在表面处理试剂中,优选使用选自六甲基二硅氮烷、二甲基硅油、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷和γ-(2-氨基乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷中的至少一种处理试剂处理用作静电复制调色剂添加剂的细二氧化硅颗粒的表面。
在用上述表面处理试剂处理表面时,每种方法都是可用的,没有限制。通常使用包括例如在搅拌细二氧化硅颗粒的同时喷洒表面处理试剂或使表面处理试剂与气体接触的方法。
此外,当用作静电复制调色剂添加剂时,卤素和/或碱金属的浓度不大于50ppm并优选不大于30ppm的细二氧化硅颗粒防止了金属腐蚀和抑制了电荷数量和电荷上升速度中的分散。优选使用精制到足以获得该纯度的处理试剂。
当用作半导体封装树脂用填料时,本发明的细二氧化硅颗粒以每100重量份液体树脂5-300重量份的含量范围填充。对于液体树脂,用于成型半导体的未固化热固性树脂如环氧树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂或马来酰亚胺树脂是可用的。液体树脂通常包括固化剂、固化促进剂、着色剂和脱模剂和填料。平均粒度小的本发明的上述细二氧化硅颗粒在与平均粒度大的其它填料颗粒(例如熔凝球形硅石颗粒)混合后使用,以便填充具有大粒度的填料颗粒的间隙。
此外,当用作静电复制调色剂添加剂时,每100重量份调色剂树脂颗粒通常加入数量为0.2-3重量份的本发明的细二氧化硅颗粒。
实施例
将更具体地描述本发明的实施例和对比实施例。但是,本发明不限制于这些方式。在实施例和对比实施例中,按如下测量性质:1.小角度X-射线散射的测量
在底板通孔(40mm深,5mm宽,1mm高)中填充样品细二氧化硅颗粒,并且填充样品的两面用6μm厚聚丙烯薄膜封闭。使用装备有Mac Science Co.制造的Kratzky-U-Slit的双轴小角度X-射线散射装置(M18XHF22)在以下条件下进行测量。
X-射线:Cu-Kα射线
管电压:40kV
管电流:300mA
狭缝宽度:10μm
检测器扫描角度:0.025度到0.900度
2.平均粒度的测量
使用Horiba Seisakujo Co.制造的激光散射粒度分布分析仪(LA-920)测量基于体积的中间粒度(D50)。为进行测量,通过向150ml纯水中加入0.5g细二氧化硅颗粒并使用输出为200W的超声均化器分散细二氧化硅颗粒1分钟来制备作为测量样品的二氧化硅浆液。
3.比表面积的测量
通过使用Shibata Rikagaku-sha Co.制造的氮气吸附分析仪(SA-1000)测定比表面积。
4.粘度的测量
向Japan Epoxy Resin Co.生产的环氧树脂(Epikote 815)中加入数量为4重量份的细二氧化硅颗粒,并使用Tokushu Kika Kogyo Co.制造的均匀混合器在3000rpm和室温下分散混合物2分钟。混合物在25℃的恒温器中停留2小时,然后,使用BL-型旋转粘度计在60rpm下测量它的粘度。
5.固化树脂混合物在高填料含量时的强度
使树脂混合物以下面所述的比例与各种成分混合,使用加热的辊捏合,冷却并粉碎得到环氧树脂组合物。环氧树脂组合物在175℃下加热的金属模具中热固化得到尺寸为10mm×20mm×5mm的固化环氧树脂制品。10种固化环氧树脂混合物在温度为25℃和相对湿度为80%的恒温恒湿器中停留24小时,并在保持在250℃的油浴中浸渍10秒。从裂缝的数目确定固化环氧树脂的强度。
[环氧树脂混合物的组成]
环氧树脂(联苯环氧树脂): 100重量份
固化剂(酚醛清漆树脂): 52.3重量份
固化促进剂(三苯膦): 3.0重量份
脱模剂(酯蜡): 14.9重量份
着色剂(炭黑): 3.0重量份
硅烷偶联剂(环氧硅烷): 6.0重量份
熔凝球形硅石(平均粒度:17μm): 1238.8重量份
样品细二氧化硅颗粒: 74.6重量份
6.作为静电复制调色剂添加剂的特性评价
为了评价静电复制调色剂添加剂的性质(流动性、图像特性、清洁性),如下所述,用六甲基二硅氮烷处理二氧化硅表面至疏水。按如下所述的方式进行用六甲基二硅氮烷使表面疏水的处理。首先,将细二氧化硅颗粒送入到混合器内,并搅拌。然后,在氮气气氛下,在250℃下加热细二氧化硅颗粒。然后,关闭混合器,喷洒数量为60重量份的六甲基二硅氮烷。然后,搅拌混合物30分钟,表面被处理至疏水。
6-1.自由流动性
向球形聚苯乙烯树脂(SX-500H,平均粒度为5μm,Soken KagakuCo.生产)中加入数量为2wt%的二氧化硅样品,使用混合器将混合物一起混合5分钟。混合物放在35℃和85%的相对湿度下。通过使用粉末测试仪(型号PT-R,Hosokawa Micron Co.制造)测量压缩程度来评价混合物粉末样品的自由流动性。压缩程度用下面的式(3)表达:
压缩程度=(压缩堆积密度-松散堆积密度)/(压缩堆积密度)×100---(3)
在上述式(3)中,松散堆积密度和压缩堆积密度如下:
松散堆积密度:没有施加振动的引入到100ml杯中的样品粉末的比重。
压缩堆积密度:振动180次的引入到100ml杯中的样品粉末的比重。
认为压缩程度越小,自由流动性越好。
还测量了混合时间为60分钟时样品的压缩程度以评价自由流动性的持久性。
6-2.图像特性
通过向平均粒度为7μm的调色剂中加入数量为1%的上述二氧化硅样品,并搅拌和将它们混合到一起制备调色剂组合物。通过使用这种调色剂组合物,使30000张纸通过复印机。然后,使10张B4大小的纸以实像形式通过机器,从而表面全为实黑。因此认为图像中白点出现的越小,图像特性就越好。
○:几乎没有白点
△:白点在一定程度上能看到
×:看到很多白点
6-3.清洁性
用眼评价清洁性。也就是说,在上述图像特性评价后,用眼观察瑕疵和残留的调色剂,并用眼评价它们对输出图像的影响。
◎:没有瑕疵或没有残留的调色剂
○:不会影响图像的轻微瑕疵程度
△:存在对图像影响很少的残留调色剂和瑕疵
×:存在导致图像缺陷如条带的相当多残留调色剂
××:残留调色剂粘着并在图像上出现许多缺陷
7.杂质分析
通过ICP发射分光光度法、原子吸收法或离子色谱法测定元素如铁、铝、铬、镍、钠和氯。
实施例1-4
通过在表1所述的条件下在氧-氢火焰中燃烧和氧化八甲基环四硅氧烷产生表2所示的细二氧化硅颗粒。
表1还显示了得到的二氧化硅颗粒的平均粒度、BET比表面积、分形结构参数α1和α2和包括得到的二氧化硅的树脂混合物的粘度以及固化树脂混合物的强度。与对比实施例相比,实施例的粘度没有提高。表3显示了二氧化硅中杂质的浓度。
对比实施例1-5
表2显示了商业热解法二氧化硅颗粒和熔凝硅石颗粒的平均粒度、BET比表面积、分形结构参数α1和α2和包括商业二氧化硅的树脂混合物的粘度以及固化树脂混合物的强度。
在对比实施例中,混合物的粘度太高以至于不能用加热的辊捏合。因此,不能测量固化树脂的强度。杂质的浓度示于表3中。
表1
条件
A(mol) | 氢1mol(mol) | 二氧化硅的理论燃烧热(kcal) | 氧(比) | 出口速度(m/s)*1 | |
实施例1实施例2实施例3 | 111 | 16040160 | 275310252753 | 1.02.11.6 | 1.01.10.9 |
实施例4 1 160 2753 2.1 1.1
*1:标准状态中的值。字母“A”代表八甲基环四硅氧烷。
表2
细二氧化硅颗粒
平均粒度(μm) | 比表面积(m2/g) | α1 | α2 | 粘度(cPs) | 固化树脂的强度 | |
实施例1实施例2实施例3实施例4对比实施例1对比实施例2对比实施例3对比实施例4对比实施例5 | 0.20.20.10.10.20.10.10.40.6 | 35651101506382145116 | 2.7662.3672.1991.8822.0311.6351.3863.1123.314 | 1.2931.7061.2331.2941.0230.9310.9142.1351.867 | 1090128013601460175018001980950880 | 1000不能测量*2不能测量*2不能测量*2810 |
2*:由干环氧树脂混合物的粘度增加,它们不能用加热的辊捏合,而且不能测量固化树脂的强度。
表3
杂质的浓度(ppm)
Fe | Al | Ni | Cr | Na | Cl | |
实施例1实施例2实施例3实施例4对比实施例1对比实施例2对比实施例3对比实施例4对比实施例5 | <20<20<20<20<20<20<20<20<20 | <5<5<5<5<5<5<5<5<5 | <5<5<5<5<5<5<5<5<5 | <5<5<5<5<5<5<5<5<5 | <3<3<3<3<3<3<3<3<3 | <3<3<3<3<50<50<50<3<3 |
实施例5-8
通过在表4所述的条件下在氧-氢火焰中燃烧和氧化八甲基环四硅氧烷产生细二氧化硅颗粒。
表4还显示了得到的二氧化硅颗粒的平均粒度、BET比表面积和分形结构参数α1和α2,以及作为静电复制(electrophotography)调色剂添加剂评价的性质(自由流动性、图像特性、清洁性)。表5显示了杂质的浓度。
对比实施例6-10
表4显示了商业热解法二氧化硅颗粒和熔凝硅石颗粒的平均粒度、BET比表面积和分形结构参数α1和α2,以及作为静电复制调色剂添加剂评价的性质(自由流动性、图像特性、清洁性)。杂质浓度示于表5。
表4
反应物
八甲基环四硅氧烷(mols) | 氢(mmols) | 1mole二氧化硅的理论燃烧热(kcal) | 氧(比) | 出口速度(Nm/sec) | |
实施例5实施例6实施例7实施例8对比实施例6对比实施例7对比实施例8对比实施例9对比实施例10 | 1111----- | 16040160160----- | 2753102527532753----- | 1.02.11.62.1----- | 1.01.10.91.1----- |
表4(续)
细二氧化硅颗粒
平均粒度(μm) | 比表面积(m2/g) | α1 | α2 | 流动性(组成度) | 图像特性 | 清洁性 | ||
混合5min. | 混合60min. | |||||||
实施例5实施例5实施例5实施例5对比实施例6对比实施例7对比实施例8对比实施例9对比实施例10 | 0.20.20.10.10.20.10.10.40.6 | 35651101506382145116 | 2.7662.3672.1991.8822.0311.6351.3863.1123.314 | 1.2931.7061.2331.2941.0230.9310.9142.1351.867 | 28.526.925.222.135.632.227.138.139.7 | 29.127.226.123.439.835.934.741.242.5 | ○○○○×△△×× | ○◎◎◎×△△×××× |
表5
杂质浓度(ppm)
Fe | Al | Ni | Cr | Na | Cl | |
实施例5实施例6实施例7实施例8对比实施例6对比实施例7对比实施例8对比实施例9对比实施例10 | <20<20<20<20<20<20<20<20<20 | <5<5<5<5<5<5<5<5<5 | <5<5<5<5<5<5<5<5<5 | <5<5<5<5<5<5<5<5<5 | <3<3<3<3<3<3<3<3<3 | <3<3<3<3<50<50<50<3<3 |
Claims (7)
1.平均粒度为0.05-1μm的细二氧化硅颗粒,其中在小角度X-射线散射测量中,在从50nm到150nm的长度处的分形结构参数α1和在从150nm到353nm的长度处的分形结构参数α2满足下面的式(1)和式(2):
-0.0068S+2.548≤α1≤-0.0068S+3.748 (1)
-0.0011S+1.158≤α2≤-0.0011S+2.058 (2)
其中S为细二氧化硅颗粒的BET比表面积(m2/g)。
2.根据权利要求1的细二氧化硅颗粒,其中卤素的浓度不大于50ppm。
3.根据权利要求1的细二氧化硅颗粒,其中钠的浓度不大于50ppm。
4.根据权利要求1的细二氧化硅颗粒,其中用选自甲硅烷基化试剂、硅油、硅氧烷、金属醇盐、脂肪酸和脂肪酸金属盐中的至少一种处理试剂处理该二氧化硅颗粒的表面。
5.一种半导体封装树脂用填料,包括权利要求1的细二氧化硅颗粒。
6.一种静电复制调色剂添加剂,包括权利要求1的细二氧化硅颗粒。
7.根据权利要求6的静电复制调色剂添加剂,其中用选自六甲基二硅氮烷、二甲基硅油、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷和γ-(2-氨基乙基)氨基丙基甲基二甲氧基硅烷中的至少一种处理试剂处理该二氧化硅颗粒的表面。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP380774/2002 | 2002-12-27 | ||
JP2002380774 | 2002-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1756720A true CN1756720A (zh) | 2006-04-05 |
CN100569642C CN100569642C (zh) | 2009-12-16 |
Family
ID=32708453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2003801100223A Expired - Lifetime CN100569642C (zh) | 2002-12-27 | 2003-12-25 | 细二氧化硅颗粒 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7452599B2 (zh) |
EP (1) | EP1591419B1 (zh) |
KR (1) | KR100714942B1 (zh) |
CN (1) | CN100569642C (zh) |
TW (1) | TWI260307B (zh) |
WO (1) | WO2004060802A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102939568A (zh) * | 2010-06-14 | 2013-02-20 | 同和电子科技有限公司 | 电子照相显影剂用载体芯材、电子照相显影剂用载体、电子照相显影剂以及电子照相显影剂用载体芯材的制备方法 |
CN104649282A (zh) * | 2006-06-09 | 2015-05-27 | 株式会社德山 | 干式二氧化硅微粒 |
CN105264646A (zh) * | 2013-07-24 | 2016-01-20 | 株式会社德山 | Cmp用二氧化硅、水性分散液以及cmp用二氧化硅的制造方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100714942B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2007-05-07 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 실리카 미립자 |
JP2007103514A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
US7767754B2 (en) * | 2005-11-08 | 2010-08-03 | Momentive Performance Materials Inc. | Silicone composition and process of making same |
US7479522B2 (en) * | 2005-11-09 | 2009-01-20 | Momentive Performance Materials Inc. | Silicone elastomer composition |
US20080070146A1 (en) | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Cabot Corporation | Hydrophobic-treated metal oxide |
US8455165B2 (en) | 2006-09-15 | 2013-06-04 | Cabot Corporation | Cyclic-treated metal oxide |
US8202502B2 (en) | 2006-09-15 | 2012-06-19 | Cabot Corporation | Method of preparing hydrophobic silica |
US8435474B2 (en) | 2006-09-15 | 2013-05-07 | Cabot Corporation | Surface-treated metal oxide particles |
US20100061912A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Stephen Michael Lord | Apparatus for high temperature hydrolysis of water reactive halosilanes and halides and process for making same |
DE102008044396A1 (de) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Wacker Chemie Ag | Hochhydrophobe Beschichtungen |
JP4894876B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2012-03-14 | 富士ゼロックス株式会社 | 静電荷像現像用トナー、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 |
JP2011014885A (ja) * | 2009-06-01 | 2011-01-20 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 多層半導体装置用アンダーフィル材のダム材組成物、及び該ダム材組成物を用いた多層半導体装置の製造方法 |
TWI466949B (zh) * | 2009-10-15 | 2015-01-01 | Ind Tech Res Inst | 聚醯胺酸樹脂組成物、由其製備之聚醯亞胺薄膜及積層材料 |
TWI444114B (zh) * | 2011-12-26 | 2014-07-01 | Chi Mei Corp | 具有離型層的基板結構及其製造方法 |
JP5989201B2 (ja) * | 2015-01-23 | 2016-09-07 | 株式会社トクヤマ | シリコーンオイル処理シリカ粒子、及び電子写真用トナー |
JP6564517B1 (ja) * | 2018-12-17 | 2019-08-21 | 株式会社アドマテックス | 電子材料用フィラー及びその製造方法、電子材料用樹脂組成物の製造方法、高周波用基板、並びに電子材料用スラリー |
CN110272665B (zh) * | 2019-06-25 | 2021-05-18 | 东南大学 | 一种常温固化透明耐磨防雾涂料及其制备方法和应用 |
CN111044415B (zh) * | 2019-12-02 | 2020-07-24 | 同济大学 | 一种基于分形维数评价秸秆厌氧转化生物可及性的方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4067954A (en) * | 1971-05-11 | 1978-01-10 | Deutsche Gold- Und Silber-Scheideanstalt Vormals Roessler | Process for the production of finely divided silicon dioxide having a large specific surface |
US3772427A (en) * | 1971-06-14 | 1973-11-13 | Gen Electric | Combustion process for producing high surface area silica |
JPS5717153A (en) | 1980-07-04 | 1982-01-28 | Asahi Glass Co Ltd | Sealing method of electronic parts |
JPH0791446B2 (ja) | 1987-03-31 | 1995-10-04 | 株式会社東芝 | 樹脂封止半導体装置 |
US5340560A (en) * | 1993-04-30 | 1994-08-23 | General Electric Company | Method for making fumed silica having a reduced aggregate size and product |
JP3337584B2 (ja) | 1995-01-09 | 2002-10-21 | 新日本製鐵株式会社 | 加熱炉の燃焼方法 |
JPH08245214A (ja) * | 1995-03-07 | 1996-09-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シリカ微粉末、その製造法及び半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
DE19756840A1 (de) * | 1997-01-23 | 1998-07-30 | Degussa | Pyrogene Oxide und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP4038876B2 (ja) | 1998-05-20 | 2008-01-30 | 大同特殊鋼株式会社 | 粉体溶融バーナ |
US6214507B1 (en) | 1998-08-11 | 2001-04-10 | Xerox Corporation | Toner compositions |
US7083770B2 (en) * | 2000-06-20 | 2006-08-01 | Nippon Aerosil Co., Ltd. | Amorphous, fine silica particles, and method for their production and their use |
JP4904567B2 (ja) | 2000-11-15 | 2012-03-28 | 日本アエロジル株式会社 | 非晶質微細シリカ粒子とその用途 |
EP1361195B1 (en) * | 2000-06-20 | 2008-03-26 | Nippon Aerosil Co., Ltd. | Amorphous, fine silica particles, and method for their production and their use |
JP3796565B2 (ja) * | 2000-08-15 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | 球状シリカ微粒子の製造方法 |
US6203960B1 (en) * | 2000-08-22 | 2001-03-20 | Xerox Corporation | Toner compositions |
JP3750728B2 (ja) * | 2000-12-05 | 2006-03-01 | 信越化学工業株式会社 | 微細シリカの製造方法 |
KR100714942B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2007-05-07 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 실리카 미립자 |
CN101160261B (zh) * | 2005-05-19 | 2010-12-08 | 株式会社德山 | 微粒状二氧化硅 |
-
2003
- 2003-12-25 KR KR1020057012136A patent/KR100714942B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-25 EP EP03782898.5A patent/EP1591419B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-25 US US10/540,886 patent/US7452599B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-25 CN CNB2003801100223A patent/CN100569642C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-25 WO PCT/JP2003/016726 patent/WO2004060802A1/ja active Application Filing
- 2003-12-26 TW TW092137002A patent/TWI260307B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104649282A (zh) * | 2006-06-09 | 2015-05-27 | 株式会社德山 | 干式二氧化硅微粒 |
CN104649282B (zh) * | 2006-06-09 | 2017-06-13 | 株式会社德山 | 干式二氧化硅微粒 |
CN102939568A (zh) * | 2010-06-14 | 2013-02-20 | 同和电子科技有限公司 | 电子照相显影剂用载体芯材、电子照相显影剂用载体、电子照相显影剂以及电子照相显影剂用载体芯材的制备方法 |
CN105264646A (zh) * | 2013-07-24 | 2016-01-20 | 株式会社德山 | Cmp用二氧化硅、水性分散液以及cmp用二氧化硅的制造方法 |
CN105264646B (zh) * | 2013-07-24 | 2017-10-10 | 株式会社德山 | Cmp用二氧化硅、水性分散液以及cmp用二氧化硅的制造方法 |
TWI634075B (zh) * | 2013-07-24 | 2018-09-01 | 德山股份有限公司 | Cerium oxide for CMP, aqueous dispersion, and method for producing cerium oxide for CMP |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1591419A1 (en) | 2005-11-02 |
US7452599B2 (en) | 2008-11-18 |
TWI260307B (en) | 2006-08-21 |
US20060150527A1 (en) | 2006-07-13 |
CN100569642C (zh) | 2009-12-16 |
WO2004060802A1 (ja) | 2004-07-22 |
KR20050091754A (ko) | 2005-09-15 |
TW200416199A (en) | 2004-09-01 |
KR100714942B1 (ko) | 2007-05-07 |
EP1591419B1 (en) | 2017-11-15 |
EP1591419A4 (en) | 2008-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1756720A (zh) | 细二氧化硅颗粒 | |
TWI395712B (zh) | 乾式二氧化矽微粒子 | |
JP5008460B2 (ja) | 乾式シリカ微粒子 | |
CN1573583A (zh) | 表面用硅烷处理的球形二氧化硅-二氧化钛基细颗粒、其生产方法及其用途 | |
US7824644B2 (en) | Particulate silica | |
CN1431245A (zh) | 用于制造公路型轮胎的以二氧化硅为基础的橡胶组合物 | |
CN1757598A (zh) | 一种超细疏水性二氧化硅的制取方法 | |
CN1411916A (zh) | 用氨基表面改性的固体 | |
CN1185297C (zh) | 含有填料的聚四氟乙烯粒状粉末 | |
CN1298430A (zh) | 表面被均匀氟化的粒状金属氧化物及其制造方法和用途 | |
CN1910122A (zh) | 无机粉末、用该粉末填充的树脂组合物及其用途 | |
CN1723239A (zh) | 用来制备在聚合物中具有改善了的层离性的纳米复合材料添加剂的方法 | |
JP6147554B2 (ja) | 疎水性無機酸化物粉末及びその製造方法 | |
CN107108240B (zh) | 硅油处理二氧化硅粒子以及电子照相用调色剂 | |
CN1075086C (zh) | 含有填充物的聚四氟乙烯粒状粉末及其制造方法 | |
CN1796277A (zh) | 含有至少两种类型颗粒的分散体 | |
CN1088463C (zh) | 加有填料的聚四氟乙烯成型用粒状粉末及其制造方法 | |
EP3882215B1 (en) | Particulate material and thermally conductive substance | |
CN101075492A (zh) | 黑色磁性氧化铁颗粒 | |
JP2004217515A (ja) | シリカ微粒子 | |
JP2020147467A (ja) | シリコーンオイル処理シリカ粒子の製造方法 | |
WO2016117344A1 (ja) | シリコーンオイル処理シリカ粒子、及び電子写真用トナー | |
CN1323329A (zh) | 碳酸羟铝、碳酸羟氧化铝或碳酸氧化铝作为填料在橡胶混合物中的应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20091216 |