CN1721500A - 含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件 - Google Patents
含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1721500A CN1721500A CNA200510081970XA CN200510081970A CN1721500A CN 1721500 A CN1721500 A CN 1721500A CN A200510081970X A CNA200510081970X A CN A200510081970XA CN 200510081970 A CN200510081970 A CN 200510081970A CN 1721500 A CN1721500 A CN 1721500A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fluorescent substance
- nitrogenous
- emmission spectrum
- sintering
- mixed gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 186
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 41
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 46
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 8
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-YPZZEJLDSA-N carbon-10 atom Chemical compound [10C] OKTJSMMVPCPJKN-YPZZEJLDSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004132 Calcium polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- 206010023126 Jaundice Diseases 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- PZZYQPZGQPZBDN-UHFFFAOYSA-N aluminium silicate Chemical compound O=[Al]O[Si](=O)O[Al]=O PZZYQPZGQPZBDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000019827 calcium polyphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000799 fluorescence microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical compound [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0602—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with two or more other elements chosen from metals, silicon or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
- C09K11/71—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus also containing alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
- C09K11/77217—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
- C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
- C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/84—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by UV- or VIS- data
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本申请涉及含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。所公开的制造含氮荧光物质的方法包括：在由含碳材料制成的容器中容纳含两种或者多种元素的氧化物荧光物质；然后在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。
Description
对相关申请的引用
本申请基于2004年7月14日递交的日本专利申请No.2004-207723并要求其优先权。该申请的全部内容通过引用全部结合到本申请中。
技术领域
本发明涉及制造含氮荧光物质的方法、含氮荧光物质以及使用含氮荧光物质的发光器件。
背景技术
如今，在各个领域都有越来越强的使用白色发光二极管(白光LED)的趋势。白光LED例如是这样发射白光的：从若干种荧光物质发射若干种光，每一种荧光物质用来偏移从LED芯片发射的部分光的波长，所述若干种光与从LED芯片发出的波长没有偏移的光混合，以获得白光。但是，在传统的白光LED中，由于在可见光区的长波长一侧难以获得光，从传统的白光LED发出的光变得有一点发黄。因为此，如果将这种白光用于显示应用或者医疗应用中的照射，则其在色调方面是不足的，因此有对能够发射有一点发红的白光的LED的强烈需求。
对于使用紫外或者蓝光发光二极管作为光源时能够发射发红的光的荧光物质，提出过氮化物荧光物质，其组成用下述通式表示：MXSiYNZ:Eu(其中M是Ca、Sr、Ba和Zn中的至少一种，Z＝(2/3)X+(4/3)Y，最好X＝2且Y＝5或者X＝1且Y＝7)。由于这种荧光物质能够吸收波长从300到550nm的短波长的光，并能够发射波长从550到750nm的长波长的光，通过应用这种荧光物质，就能够从紫外区的光发射从黄色到红色的光，同时吸收靛蓝、蓝和蓝绿可见光。
上述氮化物荧光物质可以这样制造：将荧光物质基础材料和用作活化剂的精炼金属或者其氮化物混合起来，然后在1200摄氏度到1600摄氏度的温度下使用氮化硼坩埚在氨气氛中烧结。在这种情况下，由于需要安装用于处理用作氛围气体的氨气的设备，并且由于过程复杂，需要使用大规模的制造设备，制造氮化物荧光物质的成本会很高。另外，如果要使用这种氮化物荧光物质制造能够发射白光的LED，则需要与该氮化物荧光物质结合使用另一种能够发射黄光或者蓝光的荧光物质。
如上所述，传统的氮化物荧光物质具有难以制造出表现出有用的发光特性、难以针对白色发射光的调节确定合适的混合比的问题。
发明内容
根据本发明的一个方面的制造含氮荧光物质的方法包括：将含两种或者多种金属元素的氧化物荧光物质装入由含碳材料制成的容器中；在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。
根据本发明另一方面的制造含氮荧光物质的方法包括：在含氮气的混合气体氛围中烧结由下述通式(1)表示的氧化物荧光物质，从而将所述氧化物荧光物质的至少一部分转化为由下述通式(2)表示的含氮荧光物质：
M2SiO4:Z (1)
M2Si5N8:Z (2)
其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
根据本发明的一个方面的含氮荧光物质包括由前述方法制造的含氮荧光物质。
根据本发明一个方面的发光器件包括：具有第一发射光谱的发光元件；以及包括用前述方法制造的含氮荧光物质的荧光层，该含氮荧光物质使第一发射光谱的至少一部分的波长偏移，从而表现出第二发射光谱，该第二发射光谱由至少一个发射光谱带构成，落在与所述第一发射光谱不同的波长区。
附图说明
图1的剖面图用于说明根据本发明一个实施例的发光器件的结构；
图2的曲线图图解了从用例3的荧光物质制造的近紫外LED的激发获得的发射光谱；
图3的曲线图图解了从用例3的荧光物质制造的蓝光LED的激发获得的发射光谱；
图4的曲线图图解了从用例7的荧光物质制造的近紫外LED的激发获得的发射光谱；
图5的曲线图图解了从用例7的荧光物质制造的蓝光LED的激发获得的发射光谱；
图6的曲线图图解了例7的荧光物质的激发光谱；
图7的曲线图图解了从用例8的荧光物质制造的近紫外LED的激发所获得的发射光谱。
具体实施方式
下面说明本发明的实施例。
在根据本发明的一个实施例的制造荧光物质的方法中，氧化物荧光物质被用作原料。最好，可用在这个例子中的氧化物荧光物质包括两种或者更多种金属元素，表现出的发射光谱落在从蓝色到橙色的区域内。这种氧化物荧光物质具有下述通式(1)表示的组成：
M2SiO4:Z (1)
其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
通过对上述氧化物荧光物质进行还原/氮化，可以获得氮化物荧光物质。这样制造的氮化物荧光物质能够从其整体发射光。通过控制用作原料的氧化物荧光物质的氮化，可以获得由氮化物荧光物质和原始的氧化物荧光物质组成的混合荧光物质，从而可以制造出一种混合荧光物质，其中包括可选比例的氮化物荧光物质和原始的氧化物荧光物质，其适合涂覆在近紫外或者蓝光发光二极管上。所述混合荧光物质中的组成比(氮化物荧光物质的重量/氧化物荧光物质的重量)可以通过例如改变烧结氛围(氢气的浓度等)和烧结条件(比如温度和时间)来改变。例如，当氛围中的氢气的浓度上升时，前述组成比会变高。另外，当使烧结温度更高或烧结时间更长时，前述组成比可以提高。
或者，可以通过烧结之后的处理来控制混和荧光物质中的前述组成比。更具体地，通过在前述烧结之后将荧光物质浸入强酸比如盐酸、硝酸和硫酸等的水溶液中，可以改变前述组成比。例如，当前述酸的浓度上升到pH＝1时，或者当浸入时间延长大约1小时时，氧化物荧光物质的重量可以降低，从而提高所述混合荧光物质中的前述组成比。
在本说明书中，术语“含氮荧光物质”不仅包括氮化物荧光物质，而且包括含有氮化物荧光物质和原始的氧化物荧光物质的混合荧光物质。
要用作原料的氧化物荧光物质最好是预先调整了、发光特性的高亮度氧化物荧光物质。因为，在通过对高亮度氧化物荧光物质的一部分进行还原/氮化来制造混合氧化物荧光物质的情况下，其高亮度会得到维持，从而使所得到的混合荧光物质也具有高亮度。
可以用任何传统方法合成所述氧化物荧光物质。例如，首先混合构成上述通式(1)中的M组分的原料粉末、SiO2粉末和Eu2O3粉末。对于构成M组分的原料粉末，可以使用SrCO3，BaCO3，CaCO3等。尽管对这些粉末的平均粒径没有任何特别的限制，但是最好将这些粉末的平均粒径限制在0.1到10微米的范围内，以便这些粉末的固体反应能够均匀、充分地进行。这样获得的混合物然后在还原性的氮气/氢气氛围中在从1000到1400摄氏度的温度下进行烧结。在这个例子中，烧结的进行可以使用烧结辅助剂，比如氯化铵等。在完成烧结后，用球磨机将所述氧化物荧光物质研磨为粉末，然后用水清洗。之后，筛选所述粉末化微粒，以获得粒径从5到20微米的氧化物荧光物质，然后用干燥箱干燥。通过这些步骤，可以获得用作起始原料的氧化物荧光物质。但是，也可以使用可从市场上获得的氧化物荧光物质。
将所述氧化物荧光物质装入一个容器中以进行氧化物荧光物质的烧结。这里，对于容器的特征没有特别的限制，只要其能够将氧化物荧光物质装入即可，因此，除了所谓的坩埚之外，还可以使用各种结构的容器，比如盘状结构、杆状结构等。
由于用含碳材料制成的容器不会干扰反应系统，可以获得纯度高、发射特性优良的荧光物质。这样的容器的具体例子包括用碳或者碳化硅(SiC)制成的容器。容器也可以由碳和碳化硅的混合物制成。发明人进行的研究已经确认，氧化铝(Al2O3)、氮化硼(BN)和石英都不适合用作要在这里使用的容器的材料(原因如下所述)。氧化铝(Al2O3)不适合是由于其干扰反应系统的氮化反应，氮化硼(BN)不适合用作要在这里使用的容器的材料是由于它在氮气/氢气氛围中会分解。石英不适合使用是由于用石英制成的容器在烧结温度下会熔化。这样，通过使用由碳或者碳化硅制成的容器，可以将氧化物荧光物质还原和氮化，从而获得所需的氮化物荧光物质。
在含氮气的还原性混合气体氛围中对其中装有氧化物荧光物质的容器进行烧结。所述含氮气的还原性混合气体氛围可以使用包含氢气和氮气的混合物来准备。氢气和氮气的混合比(H2∶N2)可以是约10∶90-70∶30(体积比)。如果氢气的含量低于这里的下限，则氧化物的还原会不充分。另一方面，如果氮气的含量低于这里的下限，则不可能获得所需量的含氮荧光物质。
氧化物荧光物质的还原/氮化可以这样实现：在例如1600摄氏度或者更高的温度下烧结所述氧化物荧光物质。在烧结过程中，可以使用管式炉、小型炉(compact furnace)或者高频炉。烧结温度最好限制在1600到1700摄氏度的范围内。最好，应当在单个烧结步骤中进行烧结，在1600摄氏度或者更高温度下烧结2到10小时。但是，也可以分两步进行烧结，其中，首先在800到1400摄氏度的温度下进行1到3小时的第一烧结步骤，第二烧结步骤在1600摄氏度或者更高的温度下进行1到9小时。
通过上述工艺，可以获得含氮荧光物质。这种含氮荧光物质的组成，根据氧化物荧光物质原料的种类，可以表示为M2Si5N8:Z，其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。由于这种荧光物质的结晶性优异并且由高度透明的微粒组成，这种荧光物质能够表现出优异的性能，比如高亮度、高能量效率和高量子效率。
除了包含在M2Si5N8:Z中的元素之外，这样获得的产品还可以包含一开始就包含在原料中的残余杂质。这些残余杂质的例子包括Co，Mo，Ni，Cu和Fe。由于这些杂质会成为发射亮度降低的原因或者妨碍活化剂的活性的原因，这些杂质应当尽可能地从系统中清除。可以使用任何合适的手段来消除这些杂质，比如使用高纯度的原料(氧化物荧光物质)或者使用清洁的试验设备。
如果用Eu作为组成为M2Si5N8:Z的荧光物质的活化剂，则该荧光物质能够吸收落在大约从370到410nm的近紫外(NUV)波长区范围内的，或者落在大约从420到470nm的蓝色波长区范围内的第一发射光谱。另一方面，如果用Ce作为荧光物质的活化剂，则该荧光物质能够吸收落在大约从370到430nm的近紫外(NUV)波长区范围内的第一发射光谱。无论使用的元素种类如何(Eu或者Ce)，Z的浓度最好限制在Z/(M+Z)＝0.03-0.13(摩尔比)的范围内。当组成中的Z的浓度在这个范围内时，可以获得能够显示从黄到红的发射光谱的高亮度的含氮荧光物质。这种含氮荧光物质在温度特性方面也很优异，从而能够在LED的很宽的工作温度范围(从-30到200摄氏度)上表现出优异的发射特性。
这样，使用本发明的该实施例的方法，可以容易地、高产率地制造含氮荧光物质。尽管原始的氧化物荧光物质能够进行绿、黄和橙光发射，通过对氧化物荧光物质进行还原/氮化而获得的氮化物荧光物质都能够进行红、橙或者黄光发射。因此，这种含氮荧光物质在下述方面是有优势的：当制造发光器件时，能够在制造出这种含氮荧光物质之后立即将其涂覆到发光二极管上，而不需要将氮化物荧光物质与另一种能够表现出预定的发射颜色的荧光物质相混合。
为了增强这样获得的荧光物质的微粒的耐潮湿性，可以为所述微粒的表面提供特定种类的表面材料。例如，作为这样的表面材料，可以使用从下述材料中选择的至少一种：硅树脂、环氧树脂、氟树脂、四乙氧基硅烷(TEOS)、二氧化硅、硅酸锌(例如ZnO·cSiO2(1≤c≤4))、硅酸铝(例如Al2O3·dSiO2(1≤d≤10))、多磷酸钙、硅酮油以及硅脂。微粒的表面可以不被这样的表面材料完全覆盖，而是可以部分暴露。也就是，只要在荧光物质的微粒的表面存在包含前述材料中的任何材料的表面材料，就能获得耐潮湿的效果。
可以利用表面材料的分散系或者溶液来在荧光物质的微粒的表面上淀积表面材料。具体地，以这样的方式在荧光物质的微粒的表面上淀积表面材料：将荧光物质的微粒浸入表面材料的分散系或者溶液中预定时间，然后例如加热使之干燥，从而在荧光物质的微粒的表面上淀积表面材料。基于荧光物质的微粒的体积，表面材料最好应当按照0.1-5％淀积在荧光物质的微粒的表面上。
图1图示了根据本发明的一个实施例的发光器件的剖视图。
在图1所示发光器件中，其树脂管座10包括从引线框形成的引线11和12，以及与引线框形成为一体的树脂部分13。树脂部分13上有具有上部开口的第一凹陷15，该上部开口的面积比其底部面积大。在该凹陷15的侧壁上形成光反射表面14。
在第一凹陷15的圆形底部表面的中央部分形成第二凹陷17。使用Ag糊等将一个发光芯片16安装在第二凹陷17的底部的中央部分。对于发光芯片16，可以使用能够发射紫外光的芯片，或者能够发射可见光区的光的芯片。发光芯片16的电极(未图示)通过Au等制成的焊线19和20分别连接到引线11和引线12。这些引线11和12的布置可以作各种变化。顺便说明，附图标记18标识光反射表面，附图标记和21标识含荧光物质的树脂，附图标记22标识密封体。
在形成在树脂部分13中的第二凹陷17内，设置一个荧光物质层(含荧光物质的树脂)21。该荧光物质层21可以通过将本发明的一个实施例的荧光物质分散到由硅酮树脂形成的树脂层中，比例例如为5-50wt％。
对于发光芯片16，还可以使用倒装式芯片，其中n型电极和p型电极都形成在同一表面上。在这种情况下，由于不再需要提供引线，可以消除诸如引线的切割和剥离等问题，或者由引线的提供而产生的问题，比如引线对光的吸收，从而可以获得可靠性和亮度高的半导体发光器件。另外，通过使用n型衬底制造发光芯片16，可以制造出下述结构。具体地说，在n型衬底的背面上形成n型电极，在衬底上的半导体层的顶面上形成p型电极。然后，安装引线以将它们与所述n型电极和p型电极分别相连。所述n型电极和p型电极使用线路分别与其它引线连接。
至于发光芯片16的尺寸和第一凹陷15与第二凹陷17的尺寸和结构，它们可以可选地加以修改，只要能够使荧光物质有效地发光即可。根据本发明的一个实施例的荧光物质能够通过使用波长从360nm到550纳米的光对其加以激发而发射蓝绿到发红的光。当将本发明的一个实施例的荧光物质与发蓝光的荧光物质和发红光的荧光物质结合使用时，可以获得白光。
用本发明的一个实施例的荧光物质制成的荧光物质层可以与具有第一发射光谱的半导体发光元件结合使用，用以制造发光器件。该荧光物质能够使第一发射光谱的至少一部分或者全部的波长偏移，产生由至少一个发射光谱带形成的、落在与第一发射光谱不同的波长区域内的第二发射光谱。因此，可以获得能够发射除了蓝、绿、黄和红之外的各种颜色的光的发光器件。作为根据本发明的一个实施例的在含氮荧光物质的一个例子，可以使用碱土金属基的含氮硅化物荧光物质。这种荧光物质对应于可用前面的通式(1)表示的物质，其中M是Si、Ba或者Ca，Z是Eu或者Ce，能够吸收紫外到蓝光区内的短波长光，也就是波长从250到550nm的光，并能发射橙光到红光区内的长波长光，也就是波长从580到780nm的光。
如上所述，根据本发明的一个实施例，可以容易地合成发射特性优异的含氮荧光物质，并通过使用这种荧光物质制造出稳定性好、能够恒定地发射优异的白光的发光器件。
下面结合具体的例子详细说明本发明。
首先，使用作为M组分的原料的SrCO3粉末(平均粒径2.4微米)、作为M组分的另一种原料的BaCO3(平均粒径2.6微米)、SiO2粉末(平均粒径0.9微米)以及作为活化剂Z的原料的Eu2O3(平均粒径1.1微米)，合成一种氧化物荧光物质。附带说明，这些粉末SrO3、BaCO3、Eu2O3和SiO2混合时的摩尔比分别为1.84∶0.12∶0.04∶1.00。将这样获得的混合物置于氧化铝坩埚中，在从1000到1400摄氏度的温度下，在还原性氮气/氢气混合气体氛围中烧结3-7小时。用X射线粉末衍射设备检验该烧结步骤获得的产品，证实其组成为(Sr，Ba)2SiO4:Eu。
将这样获得的(Sr，Ba)2SiO4:Eu荧光物质粉末化、用水清洗、筛选并干燥，获得用于制造含氮荧光物质的原料(氧化物荧光物质)。
将这样粉末化了的氧化物荧光物质置于碳坩埚中，在还原性混合气体氛围中在1630摄氏度的温度下烧结。该混合气体氛围是通过以1∶1的体积比提供氢气和氮气而形成的。在持续进行8小时烧结后，用荧光显微镜检查产品，证实产品的组成为含(Sr，Ba)2Si5N8:Eu和(Sr，Ba)2SiO4:Eu的混合荧光物质，它们的体积比为90∶10。下面将这种荧光物质称为例1。
另外，除了上述SrCO3粉末之外，还准备BaCO3粉末和CaCO3粉末作为M组分的原料。除了上述Eu2O3粉末之外，还准备Ce2O3粉末作为活化剂Z的粉末。通过对这些原料的组成和烧结条件进行如下表1所示的各种改变，根据作为本发明的一个实施例的方法合成例2到例10的荧光物质。
表1
| 编号 | 原料的组成 | 烧结条件 | 产品的组成比* | |||
| 温度(摄氏度) | 时间(h) | 氛围H2/N2 | 坩埚 | |||
| 1 | (Sr，Ba)2SiO4:Eu | 1630 | 8 | 1∶1 | 碳 | 90/10 |
| 2 | (Sr，Ba)2SiO4:Eu | 1630 | 3 | 1∶3 | 碳 | 10/90 |
| 3 | (Sr，Ba)2SiO4:Eu | 1630 | 2.5 | 1∶1 | 碳 | 50/50 |
| 4 | (Sr，Ba)2SiO4:Eu | 1630 | 3 | 1∶1 | 碳 | 60/40 |
| 5 | (Sr，Ba)2SiO4:Eu | 1630 | 10 | 1∶1 | SiC | 70/30 |
| 6 | (Ba，Ca)2SiO4:Eu | 1650 | 2.5 | 1∶3 | 碳 | 25/75 |
| 7 | (Sr，Ba)2SiO4:Eu | 1630 | 10 | 1∶1 | 碳 | 100/0 |
| 8 | (Sr，Ba)2SiO4:Ce | 1600 | 3 | 1∶1 | 碳 | 10/90 |
| 9 | Sr2Si04:Ce | 1600 | 3 | 1∶1 | 碳 | 10/90 |
| 10 | Ba2SiO4:Ce | 1600 | 3 | 1∶1 | 碳 | 30/70 |
*(氮化物荧光物质的重量/氧化物荧光物质的重量)
图2图示了激发用例3的荧光物质制成的近紫外LED而获得的发射光谱。图3图示了激发用例3的荧光物质制成的蓝光LED而获得的发射光谱。在图2中，在380-430nm附近的区域对应于第一发射光谱。用波长大约为380-430nm的光激发例3的荧光物质，其能够发射大约550-780nm的光(第二发射光谱)。在图3中，在440-520nm附近的区域对应于第一发射光谱。用波长大约为440-520nm的光激发例3的荧光物质，其能够发射大约560-780nm的光(第二发射光谱)。
另外，图4图示了激发用例7的荧光物质制成的近紫外LED而获得的发射光谱。图5图示了激发用例7的荧光物质制成的蓝光LED而获得的发射光谱。在图4中，在380-430nm附近的区域对应于第一发射光谱。用波长大约为380-430nm的光激发例7的荧光物质，其能够发射大约570-780nm的光(第二发射光谱)。在图5中，在440-520nm附近的区域对应于第一发射光谱。用波长大约为440-520nm的光激发例7的荧光物质，其能够发射大约570-780nm的光(第二发射光谱)。图6图示了例7的荧光物质的激发光谱。从图6可以看到，例7的荧光物质能够被第一发射光谱激发，该第一发射光谱不仅包括近紫外LED的发射光谱(也就是在380-430nm附近)，而且包括蓝光LED的发射光谱(也就是在440-520nm附近)。
图7图示了激发用例8的荧光物质制成的近紫外LED而获得的发射光谱，表明例8的荧光物质被波长大约为380-430nm的光激发，能够发射大约470-700nm的光(第二发射光谱)。
一般来说，如果要用近紫外(NUV)LED制造白光LED，则按照预定比例将蓝光荧光物质、黄光(绿光)荧光物质和红光荧光物质混合起来，分散到树脂中形成分散系，然后将所述树脂淀积到NUV-LED芯片上作为荧光物质层，从而制造出白光LED。另一方面，如果要用蓝光LED制造白光LED，则按照预定比例将黄光(绿光)荧光物质和红光荧光物质混合起来，然后以类似的方式淀积到蓝光LED芯片上作为荧光物质层，从而制造出白光LED。
如上所述，当优化烧结条件时，通过使用本发明的一个实施例的方法，可以获得包括氧化物荧光物质和氮化物荧光物质的混合荧光物质。如果要使用蓝光LED，由于这些要使用的荧光物质包含黄光(绿光)荧光物质和红光荧光物质，将所述混合荧光物质与树脂相混合，并原样涂覆到蓝光LED芯片上，制造出白光LED。如果要使用NUV-LED，则只需将蓝光荧光物质与所述混合荧光物质相混合。
当优化烧结条件时，通过使用本发明的一个实施例的荧光物质，可以使用只将所述荧光物质分散到树脂中而形成的分散系来形成荧光物质层，而不需要将其与能够发射不同颜色的光的其它荧光物质混合的工艺。因此，在简化制造白光LED的工艺方面，本发明具有优势。
根据本发明的实施例，可以提供一种高效地制造荧光物质的方法，所述荧光物质能够表现出有用的白光发射特性。另外，根据本发明的实施例，在制造白光发射器件时可以提供一种与发光二极管相结合的荧光物质，其色调能够容易地被调节。另外，根据本发明的实施例，可以提供一种发光器件，其能够发射非常适合用作显示应用或者医疗应用中的照射光的白光。
本领域普通技术人员能够容易地看出其它的优点和修改。因此，本发明的范围应较宽而不限于这里所图示和描述的具体细节和代表性实施例。因此，在所附权利要求及其等效方案所限定的本发明的总体发明构思的实质范围内，可以作出各种修改。
Claims (20)
1.一种制造含氮荧光物质的方法，包括：
在由含碳材料制成的容器中容纳含两种或者更多种金属元素的氧化物荧光物质；
在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述容器包含碳化硅或者碳。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述混合气体氛围是还原性混合气体氛围。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述混合气体氛围是含氢气的氛围。
5.如权利要求4所述的方法，其中，氢气与氮气的混合比H2∶N2为10∶90到70∶30。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物荧光物质具有由下述通式(1)表示的组成：
M2SiO4:Z (1)
其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述含氮荧光物质具有由下述通式(2)表示的组成：
M2Si5N8:Z (2)
其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
8.如权利要求1所述的方法，其中，在1600摄氏度或者更高温度下执行2到10小时的所述烧结。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述烧结包括：首先在800摄氏度到1400摄氏度的温度下烧结1到3小时，然后在1600摄氏度或者更高温度下烧结1到9小时。
10.一种制造含氮荧光物质的方法，包括：
在含氮气的混合气体氛围中烧结由下述通式(1)表示的氧化物荧光物质，从而将所述氧化物荧光物质的至少一部分转化为由下述通式(2)表示的含氮荧光物质：
M2SiO4:Z (1)
M2Si5N8:Z (2)
其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
11.如权利要求10所述的方法，还包括：在烧结所述氧化物荧光物质之前，将所述氧化物荧光物质容纳在由含碳材料制成的容器中。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述容器包含碳化硅或者碳。
13.如权利要求10所述的方法，其中，所述混合气体氛围是还原性混合气体氛围。
14.如权利要求10所述的方法，其中，所述混合气体氛围是含氢气的氛围。
15.如权利要求14所述的方法，其中，氢气与氮气的混合比H2∶N2为10∶90到70∶30。
16.如权利要求10所述的方法，其中，在1600摄氏度或者更高温度下执行2到10小时的所述烧结。
17.用权利要求1所述的方法制造的含氮荧光物质。
18.用权利要求10所述的方法制造的含氮荧光物质。
19.一种发光器件，包括：
具有第一发射光谱的发光元件；以及
包括用权利要求1所述的方法制造的含氮荧光物质的荧光层，该含氮荧光物质使第一发射光谱的至少一部分的波长偏移，从而表现出第二发射光谱，该第二发射光谱由至少一个发射光谱带构成，落在与所述第一发射光谱不同的波长区。
20.一种发光器件，包括：
具有第一发射光谱的发光元件；以及
包括用权利要求10所述的方法制造的含氮荧光物质的荧光层，该含氮荧光物质使第一发射光谱的至少一部分的波长偏移，从而表现出第二发射光谱，该第二发射光谱由至少一个发射光谱带构成，落在与所述第一发射光谱不同的波长区。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004207723A JP4521227B2 (ja) | 2004-07-14 | 2004-07-14 | 窒素を含有する蛍光体の製造方法 |
| JP2004207723 | 2004-07-14 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101456425A Division CN101353576B (zh) | 2004-07-14 | 2005-07-14 | 含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1721500A true CN1721500A (zh) | 2006-01-18 |
| CN100513516C CN100513516C (zh) | 2009-07-15 |
Family
ID=35169990
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB200510081970XA Expired - Fee Related CN100513516C (zh) | 2004-07-14 | 2005-07-14 | 含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件 |
| CN2008101456425A Expired - Fee Related CN101353576B (zh) | 2004-07-14 | 2005-07-14 | 含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101456425A Expired - Fee Related CN101353576B (zh) | 2004-07-14 | 2005-07-14 | 含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7414272B2 (zh) |
| EP (1) | EP1616930B1 (zh) |
| JP (1) | JP4521227B2 (zh) |
| KR (1) | KR100695349B1 (zh) |
| CN (2) | CN100513516C (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102214773A (zh) * | 2010-03-30 | 2011-10-12 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有发光器件的照明单元 |
| CN102597602A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-07-18 | 瓦洛亚公司 | 园艺led照明器材 |
| TWI396726B (zh) * | 2007-04-30 | 2013-05-21 | Univ Nat Central | 可被紫外光激發產生藍光之螢光材料成分及其製備方法 |
| CN106281314B (zh) * | 2016-08-12 | 2019-05-03 | 安徽理工大学 | 一种制备白光led用氮化物红色荧光粉的方法 |
| CN112457021A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-03-09 | 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 | 一种led用陶瓷荧光片及其无压烧结方法 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4521227B2 (ja) | 2004-07-14 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | 窒素を含有する蛍光体の製造方法 |
| JP4880892B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2012-02-22 | 株式会社東芝 | 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置 |
| JP4836429B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびこれを用いた発光装置 |
| JP4756261B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2011-08-24 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
| JP4836229B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-12-14 | 株式会社東芝 | 蛍光体および発光装置 |
| US8920676B2 (en) | 2005-09-30 | 2014-12-30 | The Regents Of The University Of California | Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications |
| US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
| DE102006011370A1 (de) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Eppendorf Ag | Vorrichtung zum Mischen insbesondere von Laborgefäß-Inhalten mit einem Sensor |
| EP2308946B1 (en) * | 2006-03-10 | 2013-07-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Luminescent material and light-emitting device |
| KR100820529B1 (ko) * | 2006-05-11 | 2008-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치 |
| JP5205724B2 (ja) * | 2006-08-04 | 2013-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| ES2391586T3 (es) * | 2006-08-15 | 2012-11-28 | Dalian Luminglight Co., Ltd. | Materiales luminiscentes basados en silicato que tienen múltiples picos de emisión, procedimientos para su preparación y uso de los mismos en dispositivos de emisión de luz |
| JP2008085172A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Shinetsu Astec Kk | 発光装置 |
| TW200830580A (en) * | 2007-01-05 | 2008-07-16 | Solidlite Corp | High color saturation three wavelength white-light LED |
| US7682525B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-03-23 | National Central University | Material composition for producing blue phosphor by excitation of UV light and method for making the same |
| US7682524B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-03-23 | National Central University | Phosphor for producing white light under excitation of UV light and method for making the same |
| JP2009302339A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| CN101831295A (zh) * | 2010-04-07 | 2010-09-15 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种硅基氮化物红色荧光粉及其制备方法 |
| KR101812997B1 (ko) * | 2011-06-03 | 2017-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 실리케이트 형광체, 실리케이트 형광체의 제조방법 및 이를 포함하는 발광 장치 |
| KR101270080B1 (ko) | 2011-09-22 | 2013-05-31 | 홍혜원 | 고휘도 실리콘 화합물 형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 소자 |
| US9416313B2 (en) * | 2013-08-22 | 2016-08-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Yellow fluorescent substance, light-emitting device, illumination device, and vehicle |
| US20150368556A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | National Chung Shan Institute Of Science And Technology | Method of synthesizing composite phosphor by phase transition |
| CN107880883B (zh) * | 2016-09-29 | 2022-07-01 | 日亚化学工业株式会社 | 氮化物荧光体的制造方法、及氮化物荧光体 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5891005A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-30 | Toshiba Corp | 窒化ケイ素粉末の製造方法 |
| CN1062581C (zh) * | 1997-03-26 | 2001-02-28 | 肖志国 | 硅酸盐长余辉发光材料及其制造方法 |
| JP3424165B2 (ja) * | 1999-01-08 | 2003-07-07 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器 |
| EP1104799A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
| JPWO2003034508A1 (ja) * | 2001-10-12 | 2005-02-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP4009828B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2007-11-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物蛍光体及びその製造方法 |
| SG173925A1 (en) * | 2002-03-22 | 2011-09-29 | Nichia Corp | Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device |
| EP1413618A1 (en) | 2002-09-24 | 2004-04-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Luminescent material, especially for LED application |
| US6765237B1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-20 | Gelcore, Llc | White light emitting device based on UV LED and phosphor blend |
| TWI359187B (en) * | 2003-11-19 | 2012-03-01 | Panasonic Corp | Method for preparing nitridosilicate-based compoun |
| US7229573B2 (en) * | 2004-04-20 | 2007-06-12 | Gelcore, Llc | Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation |
| JP4581120B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2010-11-17 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 酸窒化物粉末およびその製造方法 |
| JP4521227B2 (ja) | 2004-07-14 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | 窒素を含有する蛍光体の製造方法 |
-
2004
- 2004-07-14 JP JP2004207723A patent/JP4521227B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-13 KR KR1020050063055A patent/KR100695349B1/ko active IP Right Grant
- 2005-07-13 EP EP05254389.9A patent/EP1616930B1/en not_active Ceased
- 2005-07-13 US US11/179,575 patent/US7414272B2/en active Active
- 2005-07-14 CN CNB200510081970XA patent/CN100513516C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-14 CN CN2008101456425A patent/CN101353576B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-20 US US12/143,086 patent/US20080253952A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI396726B (zh) * | 2007-04-30 | 2013-05-21 | Univ Nat Central | 可被紫外光激發產生藍光之螢光材料成分及其製備方法 |
| CN102597602A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-07-18 | 瓦洛亚公司 | 园艺led照明器材 |
| CN112628619A (zh) * | 2009-09-18 | 2021-04-09 | 瓦洛亚公司 | 园艺照明器材以及发光系统 |
| CN102214773A (zh) * | 2010-03-30 | 2011-10-12 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有发光器件的照明单元 |
| CN102214773B (zh) * | 2010-03-30 | 2014-12-03 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和具有发光器件的照明单元 |
| CN106281314B (zh) * | 2016-08-12 | 2019-05-03 | 安徽理工大学 | 一种制备白光led用氮化物红色荧光粉的方法 |
| CN112457021A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-03-09 | 新沂市锡沂高新材料产业技术研究院有限公司 | 一种led用陶瓷荧光片及其无压烧结方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1616930A2 (en) | 2006-01-18 |
| JP2006028310A (ja) | 2006-02-02 |
| CN101353576A (zh) | 2009-01-28 |
| US7414272B2 (en) | 2008-08-19 |
| CN100513516C (zh) | 2009-07-15 |
| EP1616930B1 (en) | 2014-08-20 |
| EP1616930A3 (en) | 2007-09-05 |
| US20080253952A1 (en) | 2008-10-16 |
| KR100695349B1 (ko) | 2007-03-19 |
| KR20060050115A (ko) | 2006-05-19 |
| US20060011936A1 (en) | 2006-01-19 |
| CN101353576B (zh) | 2011-12-07 |
| JP4521227B2 (ja) | 2010-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101353576B (zh) | 含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件 | |
| US8551362B2 (en) | Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same | |
| CN1200992C (zh) | 使用发射黄－红光的磷光体的光源 | |
| JP5819967B2 (ja) | ケイリン酸蛍光物質 | |
| TWI411660B (zh) | A phosphor and a method for manufacturing the same, and a light-emitting element using the same | |
| CN1180052C (zh) | 发光二极管用波长变换白光发光材料 | |
| EP2368965A2 (en) | Fluorescent substance, process for production and light-emitting device using the substance | |
| WO2007120216A2 (en) | Charge compensated nitride phosphors for use in lighting applications | |
| CN1452253A (zh) | 用于发白光二极管的燐光体和发白光二极管 | |
| CN1558454A (zh) | 波长变换填料及其制造方法和含有这种填料的光学元件 | |
| JP2009010315A (ja) | 蛍光体の製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
| JP2013541828A (ja) | 表面改質されたシリケート発光体を有する発光装置 | |
| US8506104B1 (en) | Phosphors for LED lamps | |
| CN112500855A (zh) | 荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置 | |
| KR20130111562A (ko) | Mn-활성 형광체 | |
| JP2010196049A (ja) | 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、並びに、該蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置及び照明装置 | |
| US10081763B2 (en) | Oxynitride fluorescent material, method for preparing same, and light emitting device package using same | |
| JP2017052826A (ja) | 蛍光材料、およびその製造方法、ならびにその蛍光材料を用いた発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: TOSHIBA CORPORATION; APPLICANT Free format text: FORMER OWNER: TOSHIBA CORPORATION Effective date: 20060707 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20060707 Address after: Tokyo, Japan, Japan Applicant after: Toshiba Corp Co-applicant after: Toshiba Lighting & Technology Corporation Co-applicant after: Toshiba Materials Co., Ltd. Address before: Tokyo, Japan, Japan Applicant before: Toshiba Corp |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090715 Termination date: 20200714 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |