JP3424165B2 - 蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器 - Google Patents
蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器Info
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- JP3424165B2 JP3424165B2 JP00302599A JP302599A JP3424165B2 JP 3424165 B2 JP3424165 B2 JP 3424165B2 JP 00302599 A JP00302599 A JP 00302599A JP 302599 A JP302599 A JP 302599A JP 3424165 B2 JP3424165 B2 JP 3424165B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶性の良好な蛍
光体を製造できる蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容
器に関する。
光体を製造できる蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容
器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧａＮは、単結晶の場合にはＬＥ
Ｄ、ＬＤ等の発光素子において青色、緑色の高輝度発光
を示す材料として知られている。従来、ＧａＮ蛍光体を
製造するには、原料物質であるＧａ化合物にドープ物質
の化合物を混合し、これを焼成炉内に配置してアンモニ
アを流しながら高温で焼成し、Ｇａを窒化させるととも
にドープ物質をドープさせる。
Ｄ、ＬＤ等の発光素子において青色、緑色の高輝度発光
を示す材料として知られている。従来、ＧａＮ蛍光体を
製造するには、原料物質であるＧａ化合物にドープ物質
の化合物を混合し、これを焼成炉内に配置してアンモニ
アを流しながら高温で焼成し、Ｇａを窒化させるととも
にドープ物質をドープさせる。
【０００３】このようにして得られた材料を電子線で発
光させる試みは過去にあるが、粉体状にした蛍光体につ
いては実用的な輝度を得るに至っていない。
光させる試みは過去にあるが、粉体状にした蛍光体につ
いては実用的な輝度を得るに至っていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】輝度が得られない最大
の理由として、他の蛍光体材料と異なり窒化の困難さが
挙げられる。すなわち、この材料は窒化される温度（７
００℃〜１０００℃）と分解が始まる温度（９５０℃以
上）の差が小さいため、通常の加熱による反応では窒化
と分解が同時に進行しやすい。このため、ＧａＮはでき
るが、蛍光体として使用できるような白色で結晶性が高
いＧａＮを作ることはできなかった。
の理由として、他の蛍光体材料と異なり窒化の困難さが
挙げられる。すなわち、この材料は窒化される温度（７
００℃〜１０００℃）と分解が始まる温度（９５０℃以
上）の差が小さいため、通常の加熱による反応では窒化
と分解が同時に進行しやすい。このため、ＧａＮはでき
るが、蛍光体として使用できるような白色で結晶性が高
いＧａＮを作ることはできなかった。
【０００５】ＧａＮ蛍光体を製造するには、前述したよ
うに一般的には管状炉の中でアンモニア又は窒素を含む
ガスを流しながら、原料物質を高温で焼成するが、アン
モニアはＧａの窒化反応によって多量に消費されるの
で、ＧａＮの合成に当たっては十分な量のアンモニアを
管状炉内に供給しなければならない。
うに一般的には管状炉の中でアンモニア又は窒素を含む
ガスを流しながら、原料物質を高温で焼成するが、アン
モニアはＧａの窒化反応によって多量に消費されるの
で、ＧａＮの合成に当たっては十分な量のアンモニアを
管状炉内に供給しなければならない。
【０００６】従来一般的なアルミナ製の箱形状の容器
（一般にボートと称する。）に原料物質を入れ、これを
管状炉内に配置してアンモニアを流しながら焼成して
も、均一な窒化反応は得られなかった。これは、従来使
用されていたアルミナ製のボートは通気性が良好でない
ため、原料物質の内、特にボートの内面に接している部
分がガスに接触できなかったからである。この部分は窒
化反応が不十分であり、得られる蛍光体に均一性がな
く、蛍光体として発光させた際の輝度が部分的に弱くな
るという問題があった。
（一般にボートと称する。）に原料物質を入れ、これを
管状炉内に配置してアンモニアを流しながら焼成して
も、均一な窒化反応は得られなかった。これは、従来使
用されていたアルミナ製のボートは通気性が良好でない
ため、原料物質の内、特にボートの内面に接している部
分がガスに接触できなかったからである。この部分は窒
化反応が不十分であり、得られる蛍光体に均一性がな
く、蛍光体として発光させた際の輝度が部分的に弱くな
るという問題があった。
【０００７】このため、同一バッチ内のＧａＮ蛍光体で
あっても、一応の発光が得られる蛍光体はごく一部分で
あり、しかもその発光強度は実用に耐えない低いもので
あった。また、ＧａＮ蛍光体の製造の繰り返し再現性も
望ましいものとはいえず、発光強度が高くて安定した特
性のＧａＮ蛍光体を得ることができなかった。
あっても、一応の発光が得られる蛍光体はごく一部分で
あり、しかもその発光強度は実用に耐えない低いもので
あった。また、ＧａＮ蛍光体の製造の繰り返し再現性も
望ましいものとはいえず、発光強度が高くて安定した特
性のＧａＮ蛍光体を得ることができなかった。
【０００８】本発明は、ガス雰囲気内で蛍光体材料を加
熱して行う蛍光体の製造方法に適用でき、特性の優れた
蛍光体を製造することができる蛍光体製造用容器を提供
することを目的としている。
熱して行う蛍光体の製造方法に適用でき、特性の優れた
蛍光体を製造することができる蛍光体製造用容器を提供
することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された蛍
光体の製造装置は、ガスを流しながら蛍光体の原料物質
をガス雰囲気内において加熱する管状炉と、前記ガスが
通過しうる通気性を有するとともに、前記管状炉の熱を
前記原料物質に伝導する熱伝導性を備え、前記原料物質
を収納して前記管状炉の内部に配置され、前記管状炉の
内部で前記ガスが流れる方向についての両端が開口した
ボートからなる蛍光体製造用容器とを有している。
光体の製造装置は、ガスを流しながら蛍光体の原料物質
をガス雰囲気内において加熱する管状炉と、前記ガスが
通過しうる通気性を有するとともに、前記管状炉の熱を
前記原料物質に伝導する熱伝導性を備え、前記原料物質
を収納して前記管状炉の内部に配置され、前記管状炉の
内部で前記ガスが流れる方向についての両端が開口した
ボートからなる蛍光体製造用容器とを有している。
【００１０】請求項２に記載された蛍光体製造用容器
は、蛍光体の原料物質を収納し、ガスが流される管状炉
内に配置されて加熱される蛍光体製造用容器において、
前記ガスが通過しうる通気性を有するとともに、熱を前
記原料物質に伝導する熱伝導性を備え、前記管状炉の内
部で前記ガスが流れる方向についての両端を開口したボ
ートからなることを特徴としている。
は、蛍光体の原料物質を収納し、ガスが流される管状炉
内に配置されて加熱される蛍光体製造用容器において、
前記ガスが通過しうる通気性を有するとともに、熱を前
記原料物質に伝導する熱伝導性を備え、前記管状炉の内
部で前記ガスが流れる方向についての両端を開口したボ
ートからなることを特徴としている。
【００１１】請求項３に記載された蛍光体製造用容器
は、請求項２記載の蛍光体製造用容器において、前記原
料物質と前記ガスの反応を阻害するガスを含まない材料
で形成されたことを特徴としている。
は、請求項２記載の蛍光体製造用容器において、前記原
料物質と前記ガスの反応を阻害するガスを含まない材料
で形成されたことを特徴としている。
【００１２】請求項４に記載された蛍光体製造用容器
は、請求項２記載の蛍光体製造用容器において、グラフ
ァイト、アモルファスカーボン、カーボンコートされた
アルミナからなる群から選択された物質の粉末を、多孔
性の状態となるように焼結して形成したことを特徴とし
ている。
は、請求項２記載の蛍光体製造用容器において、グラフ
ァイト、アモルファスカーボン、カーボンコートされた
アルミナからなる群から選択された物質の粉末を、多孔
性の状態となるように焼結して形成したことを特徴とし
ている。
【００１３】請求項５に記載された蛍光体製造用容器
は、請求項２記載の蛍光体製造用容器において、ＢＮの
粉末を、多孔性の状態となるように焼結して形成したこ
とを特徴としている。
は、請求項２記載の蛍光体製造用容器において、ＢＮの
粉末を、多孔性の状態となるように焼結して形成したこ
とを特徴としている。
【００１４】請求項６に記載された蛍光体製造用容器
は、ＧａＮ：Ａ（Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ）の原料物質を収納
し、窒素を含むガスが流される管状炉内に配置されて加
熱される蛍光体製造用容器において、前記ガスが通過し
うる通気性を有するとともに、熱を前記原料物質に伝導
する熱伝導性を備え、前記管状炉の内部で前記ガスが流
れる方向についての両端が開口したボートからなること
を特徴としている。
は、ＧａＮ：Ａ（Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ）の原料物質を収納
し、窒素を含むガスが流される管状炉内に配置されて加
熱される蛍光体製造用容器において、前記ガスが通過し
うる通気性を有するとともに、熱を前記原料物質に伝導
する熱伝導性を備え、前記管状炉の内部で前記ガスが流
れる方向についての両端が開口したボートからなること
を特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】前述した問題を解決するために
は、ボートの内面に接触しているＧａＮ蛍光体の原料物
質にもガスが十分に接触するように、ボートを多孔性に
してガスが通過できるようにすることが重要であると本
発明者等は考えた。但し、炉による加熱が効率的に行わ
れるように、ボートの材質は従来のアルミナに比べて十
分に熱伝導性の良好なものでなければならない。また、
成形性が良好で任意の形状のボートを形成でき、入手し
やすく安価な材料であることも必要である。
は、ボートの内面に接触しているＧａＮ蛍光体の原料物
質にもガスが十分に接触するように、ボートを多孔性に
してガスが通過できるようにすることが重要であると本
発明者等は考えた。但し、炉による加熱が効率的に行わ
れるように、ボートの材質は従来のアルミナに比べて十
分に熱伝導性の良好なものでなければならない。また、
成形性が良好で任意の形状のボートを形成でき、入手し
やすく安価な材料であることも必要である。
【００１６】以上の条件を満たす材料として、本発明者
等は、カーボン系の材料であるグラファイトやアモルフ
ァスカーボン、又はカーボンを利用した材料であるカー
ボンコートされたアルミナ、さらにまたＢＮの粉末を選
択した。これらの物質の粉末を、バインダ、溶剤等と混
合して型に入れて成形し、乾燥後に焼成してボートとし
た。これによって得られたボートは多孔性の状態とな
り、熱伝導性も十分であった。これを用いて蛍光体の製
造を行ったところ、結晶成長が良好なために結晶粒子の
径が大きくかつ一様に揃った状態の蛍光体が得られた。
従来のボートでは原料物質のボートとの接触面がガスに
触れないために発光が弱かったが、本例ではこの部分も
効率よく還元・窒化され、試料の均一性が良くなった。
また、合成の繰り返し再現性が向上し、従来のボートを
用いた場合に比べてより安定した品質で発光輝度の高い
のＧａＮ蛍光体を作製することができる。
等は、カーボン系の材料であるグラファイトやアモルフ
ァスカーボン、又はカーボンを利用した材料であるカー
ボンコートされたアルミナ、さらにまたＢＮの粉末を選
択した。これらの物質の粉末を、バインダ、溶剤等と混
合して型に入れて成形し、乾燥後に焼成してボートとし
た。これによって得られたボートは多孔性の状態とな
り、熱伝導性も十分であった。これを用いて蛍光体の製
造を行ったところ、結晶成長が良好なために結晶粒子の
径が大きくかつ一様に揃った状態の蛍光体が得られた。
従来のボートでは原料物質のボートとの接触面がガスに
触れないために発光が弱かったが、本例ではこの部分も
効率よく還元・窒化され、試料の均一性が良くなった。
また、合成の繰り返し再現性が向上し、従来のボートを
用いた場合に比べてより安定した品質で発光輝度の高い
のＧａＮ蛍光体を作製することができる。
【００１７】
【実施例】（１）実施例１
硫化ガリウムに、Ｇａ１ｍｏｌに対してＺｎ１ｍｏｌ％
に相当するＺｎＯを混合して、アルモファスカーボンか
らなる多孔性のボートに載せ、アンモニア雰囲気中で１
０００℃で３時間反応させた。その結果、粉末状のＧａ
Ｎ：Ｚｎ蛍光体を得た。
に相当するＺｎＯを混合して、アルモファスカーボンか
らなる多孔性のボートに載せ、アンモニア雰囲気中で１
０００℃で３時間反応させた。その結果、粉末状のＧａ
Ｎ：Ｚｎ蛍光体を得た。
【００１８】図１は、上記工程を一例として示す斜視図
である。管状炉１の廻りには加熱手段としてのヒータ２
が設けられている。管状炉１の内部には、前記原料物質
３を載せた前記ボート４が挿入されている。管状炉１の
中で矢印で示すようにアンモニアガスを流しながら、ヒ
ータ２で原料物質３を加熱する。なお、この例では、ボ
ート４の形状は両端を開口した円筒形を中心軸線に沿っ
て２つ割りにしたものであり、ガスが原料物質３に接触
しやすくなっている。また、ボート４の曲率は管状炉１
と略同一であり、管状炉１からヒータ２の熱が伝導しや
すくなっている。しかしながら、この形状は一例であ
り、もちろん他の構造でもよい。
である。管状炉１の廻りには加熱手段としてのヒータ２
が設けられている。管状炉１の内部には、前記原料物質
３を載せた前記ボート４が挿入されている。管状炉１の
中で矢印で示すようにアンモニアガスを流しながら、ヒ
ータ２で原料物質３を加熱する。なお、この例では、ボ
ート４の形状は両端を開口した円筒形を中心軸線に沿っ
て２つ割りにしたものであり、ガスが原料物質３に接触
しやすくなっている。また、ボート４の曲率は管状炉１
と略同一であり、管状炉１からヒータ２の熱が伝導しや
すくなっている。しかしながら、この形状は一例であ
り、もちろん他の構造でもよい。
【００１９】この蛍光体に水銀ランプ（３６５ｎｍ）に
より紫外線を照射したところ、４４０ｎｍの青色発光が
確認された。
より紫外線を照射したところ、４４０ｎｍの青色発光が
確認された。
【００２０】また、この蛍光体を基板に形成したＩＴＯ
電極上に印刷により塗布し、蛍光発光管、電界放出型発
光素子に実装した。アノード電圧４００Ｖ、ｄｕｔｙ＝
１／２４０で駆動したところ、色純度の良い青色の発光
が得られた。
電極上に印刷により塗布し、蛍光発光管、電界放出型発
光素子に実装した。アノード電圧４００Ｖ、ｄｕｔｙ＝
１／２４０で駆動したところ、色純度の良い青色の発光
が得られた。
【００２１】図２は本例で得られたＧａＮ蛍光体のＳＥ
Ｍ写真であり、図３は従来のアルミナボートを用いて製
造したＧａＮ蛍光体である。図２の本例によるＧａＮ蛍
光体の方が、角の部分が明瞭化した結晶形状の良い粒子
であることが確認された。
Ｍ写真であり、図３は従来のアルミナボートを用いて製
造したＧａＮ蛍光体である。図２の本例によるＧａＮ蛍
光体の方が、角の部分が明瞭化した結晶形状の良い粒子
であることが確認された。
【００２２】（２）実施例２
グラファイトからなる多孔性のボートを用いて実施例１
と同様の実験を行い、実施例１と同様、水銀ランプ（３
６５ｎｍ）の紫外線で励起したところ、４４０ｎｍにピ
ークを持つ青色発光が得られた。
と同様の実験を行い、実施例１と同様、水銀ランプ（３
６５ｎｍ）の紫外線で励起したところ、４４０ｎｍにピ
ークを持つ青色発光が得られた。
【００２３】（３）実施例３
カーボンコートされたアルミナからなる多孔性のボート
を用いて実験を行った。水酸化ガリウムにＭｇ１ｍｏｌ
％／Ｇａ１ｍｏｌ相当のＭｇ（ＯＨ）2 を混合して、前
記ボートに載せ、アンモニアを混合した窒素雰囲気中で
１１００℃で３時間反応させた。その結果、粉末状のＧ
ａＮ：Ｍｇ蛍光体を得た。
を用いて実験を行った。水酸化ガリウムにＭｇ１ｍｏｌ
％／Ｇａ１ｍｏｌ相当のＭｇ（ＯＨ）2 を混合して、前
記ボートに載せ、アンモニアを混合した窒素雰囲気中で
１１００℃で３時間反応させた。その結果、粉末状のＧ
ａＮ：Ｍｇ蛍光体を得た。
【００２４】この蛍光体の紫外線励起による発光強度
は、従来のアルミナボートを用いた場合より１．５倍強
くなった。
は、従来のアルミナボートを用いた場合より１．５倍強
くなった。
【００２５】また、ＡＥＳ分析によれば、従来のアルミ
ナボートを使用して製造した蛍光体には酸素が５ｍｏｌ
％／Ｇａ１ｍｏｌ検出されたが、本例のボートによって
製造した蛍光体の酸素は検出限界以下であった。酸素
は、前記原料物質と前記ガスの反応を阻害するガスであ
る。前記ＡＥＳ分析結果は、本例のボートがこのような
本製造工程において有害なガスを実質的に含まないこと
を示している。
ナボートを使用して製造した蛍光体には酸素が５ｍｏｌ
％／Ｇａ１ｍｏｌ検出されたが、本例のボートによって
製造した蛍光体の酸素は検出限界以下であった。酸素
は、前記原料物質と前記ガスの反応を阻害するガスであ
る。前記ＡＥＳ分析結果は、本例のボートがこのような
本製造工程において有害なガスを実質的に含まないこと
を示している。
【００２６】Ｘ線回折における２θ＝３７°のピークに
ついて積分値を求めた。この値が小さいほど結晶性がよ
いとされる。従来のアルミナボートを使用して製造した
蛍光体では値は０．３１であったが、本例のボートによ
り製造した蛍光体では０．２６と小さく、従来よりも結
晶性が良くなっていることが確認された。
ついて積分値を求めた。この値が小さいほど結晶性がよ
いとされる。従来のアルミナボートを使用して製造した
蛍光体では値は０．３１であったが、本例のボートによ
り製造した蛍光体では０．２６と小さく、従来よりも結
晶性が良くなっていることが確認された。
【００２７】（４）実施例４
ＢＮからなる多孔性のボートを用いて実施例１と同様の
実験を行った。このボートは、アクリルバインダとテル
ピネオールにＢＮ粉末を入れ、型に入れて成形し、これ
を乾燥させて固める。これを焼成することにより、ＢＮ
粉末が低い充填度で焼き固められた状態のボートが得ら
れる。本例によれば、実施例１と同様、水銀ランプ（３
６５ｎｍ）の紫外線で励起したところ、４４０ｎｍにピ
ークを持つ青色発光が得られた。
実験を行った。このボートは、アクリルバインダとテル
ピネオールにＢＮ粉末を入れ、型に入れて成形し、これ
を乾燥させて固める。これを焼成することにより、ＢＮ
粉末が低い充填度で焼き固められた状態のボートが得ら
れる。本例によれば、実施例１と同様、水銀ランプ（３
６５ｎｍ）の紫外線で励起したところ、４４０ｎｍにピ
ークを持つ青色発光が得られた。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、蛍光体の原料物質を収
納し、ガスが流される管状炉内に配置されて加熱される
蛍光体製造用容器を、ガスが通過しうる通気性と、熱を
原料物質に効率的に伝導する熱伝導性を有し、前記管状
炉の内部で前記ガスが流れる方向についての両端を開口
したボートにより構成した。その結果、原料物質と原料
ガスの気相反応により蛍光体を製造する方法において、
次のような効果が得られた。
納し、ガスが流される管状炉内に配置されて加熱される
蛍光体製造用容器を、ガスが通過しうる通気性と、熱を
原料物質に効率的に伝導する熱伝導性を有し、前記管状
炉の内部で前記ガスが流れる方向についての両端を開口
したボートにより構成した。その結果、原料物質と原料
ガスの気相反応により蛍光体を製造する方法において、
次のような効果が得られた。
【００２９】１．従来の方法ではボート接触面がガスに
触れにくいので反応が不充分となり、発光が弱かった
が、本発明の蛍光体製造用容器使用により容器との接触
面も効率よく還元・窒化が進み、試料の均一性が良くな
った。
触れにくいので反応が不充分となり、発光が弱かった
が、本発明の蛍光体製造用容器使用により容器との接触
面も効率よく還元・窒化が進み、試料の均一性が良くな
った。
【００３０】２．角が明瞭化した結晶形状の良い蛍光体
が得られる。
が得られる。
【００３１】３．上記のため、発光強度の高い蛍光体が
得られる。
得られる。
【００３２】本発明の蛍光体製造用容器又はこれを用い
た蛍光体の製造装置によれば、特に、ＧａＮの蛍光体作
製においては、次のような効果が得られる。
た蛍光体の製造装置によれば、特に、ＧａＮの蛍光体作
製においては、次のような効果が得られる。
【００３３】．従来の方法ではボート接触面が水素に
触れにくいので還元が不充分となり発光が弱かったが、
本発明の蛍光体製造用容器使用使用によりボート接触面
も効率よく還元・窒化が進み、試料の均一性が良くなっ
た。
触れにくいので還元が不充分となり発光が弱かったが、
本発明の蛍光体製造用容器使用使用によりボート接触面
も効率よく還元・窒化が進み、試料の均一性が良くなっ
た。
【００３４】．角が明瞭化した結晶形状の良いＧａＮ
系蛍光体が得られる。
系蛍光体が得られる。
【００３５】．上記のため、発光強度の高いＧａＮ蛍
光体が得られる。
光体が得られる。
【図１】本発明の実施の形態の一例における蛍光体の製
造装置の斜視図である。
造装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施例で得られたＧａＮ蛍光体のＳＥ
Ｍ写真である。
Ｍ写真である。
【図３】従来のアルミナボートを用いて製造したＧａＮ
蛍光体のＳＥＭ写真である。
蛍光体のＳＥＭ写真である。
１…管状炉、３…蛍光体の原料物質（ＧａＮ蛍光体の原
料物質である酸化ガリウム等）、４…蛍光体製造用容器
としての焼成ボート。
料物質である酸化ガリウム等）、４…蛍光体製造用容器
としての焼成ボート。
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−109094（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−333674（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−265297（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09K 11/00 - 11/89
C30B 1/00 - 35/00
Claims (6)
- 【請求項１】 ガスを流しながら蛍光体の原料物質をガ
ス雰囲気内において加熱する管状炉と、 前記ガスが通過しうる通気性を有するとともに、前記管
状炉の熱を前記原料物質に伝導する熱伝導性を備え、前
記原料物質を収納して前記管状炉の内部に配置され、前
記管状炉の内部で前記ガスが流れる方向についての両端
が開口したボートからなる蛍光体製造用容器と、 を有する蛍光体の製造装置。 - 【請求項２】 蛍光体の原料物質を収納し、ガスが流さ
れる管状炉内に配置されて加熱される蛍光体製造用容器
において、 前記ガスが通過しうる通気性を有するとともに、熱を前
記原料物質に伝導する熱伝導性を備え、前記管状炉の内
部で前記ガスが流れる方向についての両端を開口したボ
ートからなる蛍光体製造用容器。 - 【請求項３】 前記原料物質と前記ガスの反応を阻害す
るガスを含まない材料で形成された請求項２記載の蛍光
体製造用容器。 - 【請求項４】 グラファイト、アモルファスカーボン、
カーボンコートされたアルミナからなる群から選択され
た物質の粉末を、多孔性の状態となるように焼結してな
る請求項２記載の蛍光体製造用容器。 - 【請求項５】 ＢＮの粉末を、多孔性の状態となるよう
に焼結してなる請求項２記載の蛍光体製造用容器。 - 【請求項６】 ＧａＮ：Ａ（Ａ＝Ｚｎ，Ｍｇ）の原料物
質を収納し、窒素を含むガスが流される管状炉内に配置
されて加熱される蛍光体製造用容器において、 前記ガスが通過しうる通気性を有するとともに、熱を前
記原料物質に伝導する熱伝導性を備え、前記管状炉の内
部で前記ガスが流れる方向についての両端が開口したボ
ートからなる蛍光体製造用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00302599A JP3424165B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00302599A JP3424165B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000204366A JP2000204366A (ja) | 2000-07-25 |
| JP3424165B2 true JP3424165B2 (ja) | 2003-07-07 |
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ID=11545794
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00302599A Expired - Fee Related JP3424165B2 (ja) | 1999-01-08 | 1999-01-08 | 蛍光体の製造装置及び蛍光体製造用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3424165B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG173925A1 (en) | 2002-03-22 | 2011-09-29 | Nichia Corp | Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device |
| JP4521227B2 (ja) * | 2004-07-14 | 2010-08-11 | 株式会社東芝 | 窒素を含有する蛍光体の製造方法 |
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