CN101831295A - 一种硅基氮化物红色荧光粉及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基氮化物红色荧光粉及其制备方法。前述硅基氮化物红色荧光粉的化学结构式为:LxMyNz:R,式中L为Ca、Sr和Ba中的至少一种,M为C、Si和Ge中的至少一种,其中Si是必须的;R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种,其中Eu是必须的;z=2/3x+4/3y。其制备方法为:将化学计量比称取相应原料,加入激活剂,在手套箱中混合均匀后,在氮化气氛中进行分段焙烧,再经后处理后得到该氮化物荧光粉。本发明的发光材料具有化学稳定性好、发光效率高、老化性能好等特点,制造方法简单、无污染、成本低。
Description
技术领域
本发明涉及一种可被紫外、紫光或蓝光有效激发的硅基氮化物红色荧光粉及其制备方法。
背景技术
近年来,随着发光二极管(LED)的发光效率的逐渐提高以及成本的逐渐下降,半导体照明逐渐成为现代照明的发展趋势,被誉为继白炽灯、日光灯和节能灯之后的第四代照明电光源,被称为“21世纪绿色光源”。
要想实现半导体照明进入普通照明领域,则必须获得高效的白光LED。目前实现白光LED有多种方式,如在LED芯片上涂敷黄色荧光粉而实现白光发射;此外,还有蓝光LED混合红、绿色荧光粉,紫外或紫光LED混合红、绿、蓝三色荧光粉等方式。在这些方式中,荧光粉的性能直接关系到白光LED的效率、亮度、显色指数、相关色温及寿命等各项参数。
目前其它颜色的荧光粉已经能满足使用的要求,然而红色荧光粉一直是阻碍白光LED用荧光粉发展的瓶颈。当前使用的红色荧光粉不是存在着光衰大、化学稳定性差等缺陷,就是因为激发范围窄,无法与LED芯片达到完美的匹配。硅基氮化物荧光粉无论是稳定性还是发光效率,均能很好的满足LED的要求,因而受到了业界的广泛青睐。但是目前国内已知的硅基氮化物荧光粉的制备方法上还不太成熟,存在着对设备要求高、成本高、工艺复杂以及制备所得荧光粉性能无法满足应用要求等问题。
如,蔺向阳等申请的专利(CN101117576A)报导的制备方法需要1-200个大气压,对设备提出了极高的要求;王大伟等申请的专利(CN101565612A)报导的制备方法需要进行二次烧结,这不仅制备周期长,而且成本也较高;金泳植等申请的专利(CN101434839)报导的制备方法所制得的荧光粉发光性能较低,无法满足需求。此外,现有专利对此类荧光粉的老化性能没有任何报导。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种化学稳定性好、发光效率高的硅基氮化物红色荧光粉及其制备方法,该荧光粉能更好的满足白光LED的应用要求。
本发明所述硅基氮化物红色荧光粉化学式结构如下:
LxMyNz:R (1)
式中L为Ca、Sr和Ba中的至少一种,M为C、Si和Ge中的至少一种,其中Si是必须的;R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种,其中Eu是必须的;z=2/3x+4/3y。
本发明所述硅基氮化物红色荧光粉的制备方法包括如下步骤:
本发明还公开了所述硅基氮化物红色荧光粉的制备方法,其步骤如下:
1)以碱土金属的氮化物,以及氮化硅为原料,并按上述化学式结构(1)的组成及化学计量比称取上述原料;
2)在上述原料中添加激活剂,并将原料与激活剂在手套箱中进行充分混合;
3)将上述混合物原料在氮化气氛中进行分段焙烧;
4)再经常规后处理过程,即可制成一种氮化物荧光粉;
在步骤2)中,激活剂的用量为合成材料摩尔数的0.05%-10%;
在步骤3)中,氮化气氛可以是纯氮气气氛,也可以氮氢混合气气氛,如采用氮氢混合气气氛,其中氢气与氮气的比例可以从5∶95到75∶25,气氛压力为常压。
在步骤3)中,分两段进行焙烧,第一段的焙烧温度为600-1000℃,焙烧的时间是1-8小时,第二段的焙烧温度为1200-1800℃,焙烧的时间是3-15小时;
在步骤4)中的后处理过程就是将氮化焙烧所制得的产物进行磨细、过筛、酸洗、水洗、烘干的过程,其中酸可以是盐酸、硝酸或磷酸,酸的浓度为1%-20wt%。
将步骤4)LED氮化物荧光粉进行封装,即将荧光粉和YAG以及蓝光芯片组合即可制成白光LED。
本发明的特点是:
1、化学稳定性好、发光效率高、老化性能好,能很好的满足白光LED中红色荧光粉的使用,能够很好的与LED芯片匹配;
2、激发光谱非常宽,在紫光、紫外和蓝光范围内的激发效果都非常好;
3、可以进一步做成发光器件,可广泛用于道路标示、车站的停靠点、通道指示照明、非常口照明等需要较大可视度的地方,在指示灯、数字和文字显示,以及宇航、飞机、汽车、通讯等方面都有广阔的应用前景;
4、制备方法简单,易于操作,无污染;
5、所需原料均为自制,因而具有成本低的特点。
附图说明
图1为实施例1的激发光谱图
图2为实施例1的发射光谱图
图3为实施例1的XRD图谱
图4为实施例1、2和比较例1的发射光谱比较
图5为实施例8和比较例2的发射光谱比较
图6为实施例10、11和比较例3的发射光谱比较
具体实施方式
实施例1
称取Sr3N28.457g,Si3N410.735g,Eu2O30.808g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至800℃,保温1-6小时,然后再升温至1400℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用10%的硝酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Sr1.9Si5N8:0.1Eu的氮化物荧光粉。其激发光谱见图1,监测波长为625nm,从图1上看出,该激发光谱激发峰较宽,在紫光、紫外和蓝光范围的激发效果都非常好。其发射光谱见图2,激发波长为460nm,从图2上可以看出,它的发射强度较高,发射主峰在625nm。
实施例2
称取Sr3N28.208g,Si3N410.642g,Eu2O30.801g,CeO20.348g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入碳管炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至800℃,保温1-6小时,然后再升温至1400℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用8%的盐酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Sr1.86Si5N8:0.1Eu,0.04Ce的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表1,均高于比较例1。
实施例3
称取Sr3N28.047g,Ca3N20.183g,Si3N410.781g,Eu2O30.811g,Tm2O30.178g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至800℃,保温1-6小时,然后再升温至1400℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用10%的磷酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Sr1.8Ca0.08Si5N8:0.1Eu,0.02Tm的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表1,均高于比较例1。
实施例4
称取Sr3N28.157g,Si3N410.633g,Eu2O30.799g,Sm2O30.238g,Ho2O30.172g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至800℃,保温1-6小时,然后再升温至1400℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用7%的盐酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Sr1.85Si5N8:0.1Eu,0.03Sm,0.02Ho的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表1,均高于比较例1。
比较例1:
称取Sr3N28.457g,Si3N410.735g,Eu2O30.808g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至1400℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用10%的硝酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Sr1.9Si5N8:0.1Eu的氮化物荧光粉,其发射主峰和发光强度见表1,发光强度均低于各实施例。
所有实施例和比较例所制得的荧光粉和YAG以及蓝光芯片进行封装,并进行老化实验,见下表1:
实施例5
称取Ca3N25.438g,Si3N413.543g,Eu2O31.019g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至750℃,保温1-6小时,然后再升温至1350℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用8%的盐酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Ca1.9Si5N8:0.1Eu的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表2,均高于比较例2。
实施例6
称取Sr3N25.339g,Si3N413.436g,Eu2O31.011g,Dy2O30.214g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至750℃,保温1-6小时,然后再升温至1350℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用5%的硝酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Ca1.88Si5N8:0.1Eu,0.02Dy的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表2,均高于比较例2。
实施例7
称取Ca3N25.201g,Si3N413.095g,Ge3N40.259g,Eu2O30.996g,Lu2O30.451g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至750℃,保温1-6小时,然后再升温至1350℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用7%的磷酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Ca1.86Si4.95Ge0.05N8:0.1Eu,0.04Lu的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表2,均高于比较例2。
实施例8
称取Sr3N25.162g,Si3N413.201g,Eu2O30.994g,Er2O30.432g,Tb4O70.211g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至750℃,保温1-6小时,然后再升温至1350℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用15%的硝酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Ca1.85Si5N8:0.1Eu,0.04Er,0.01Tb的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表2,均高于比较例2。
比较例2:
称取Ca3N25.438g,Si3N413.543g,Eu2O31.019g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至1350℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用8%的盐酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得化学组成为Ca1.9Si5N8:0.1Eu的荧光粉,其发射主峰和发光强度见表2,发光强度均低于各实施例。
所有实施例和比较例所制得的荧光粉和YAG以及蓝光芯片进行封装,并进行老化实验,见下表2:
实施例9
称取Ba3N210.353g,Si3N48.972g,Eu2O30.675g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至850℃,保温1-6小时,然后再升温至1500℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用12%的磷酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Ba1.9Si5N8:0.1Eu的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表3,均高于比较例3。
实施例10
称取Ba3N210.162g,Si3N48.948g,Eu2O30.673g,Ho2O30.217g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至850℃,保温1-6小时,然后再升温至1500℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用10%的盐酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Ba1.87Si5N8:0.1Eu,0.03Ho的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表3,均高于比较例3。
实施例11
称取Ba3N29.854g,Sr3N20.299g,Si3N49.014g,Eu2O30.678g,Lu2O30.153g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至850℃,保温1-6小时,然后再升温至1500℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用12%的硝酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Ba1.8Sr0.08Si5N8:0.1Eu,0.02Lu的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表3,均高于比较例3。
实施例12
称取Ba3N210.049g,Si3N48.943g,Eu2O30.673g,La2O30.186g,Tm2O30.147g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入管式炉中,然后在高纯氮气的保护下逐渐升温至850℃,保温1-6小时,然后再升温至1500℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用10%的盐酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得Ba1.85Si5N8:0.1Eu,0.03La,0.02Tm的氮化物荧光粉。其发射主峰和发光强度见表3,均高于比较例3。
比较例3:称取Ba3N210.353g,Si3N48.972g,Eu2O30.675g,将以上原料在手套箱中充分混合均匀,装入钼坩埚中,再将其迅速移入碳管炉中,然后在氮氢混和气氛的保护下逐渐升温至1400℃,保温5-10h,经研磨、过筛后,用12%的磷酸进行洗涤,最后用去离子水洗涤、烘干,即可制得化学组成为Ba1.9Si5N8:0.1Eu的荧光粉,其发射主峰和发光强度见表3,发光强度均低于各实施例。
所有实施例和比较例所制得的荧光粉和YAG以及蓝光芯片进行封装,并进行老化实验,见下表3:
Claims (7)
1.一种硅基氮化物红色荧光粉,其特征在于其化学结构式如下:
LxMyNz:R (1)
式中L为Ca、Sr和Ba中的至少一种,M为C、Si和Ge中的至少一种,其中Si是必须的;R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种,其中Eu是必须的;z=2/3x+4/3y。。
2.权利要求1所述硅基氮化物红色荧光粉的制备方法,其特征在于:
1)以碱土金属的氮化物,以及氮化硅为原料,并按上述化学式结构(1)的组成及化学计量比称取上述原料;
2)在上述原料中添加激活剂,并将原料与激活剂在手套箱中进行充分混合;
3)将上述混合物原料在氮化气氛中进行分段焙烧;
4)再经常规后处理过程,即可制成一种氮化物荧光粉;
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:在步骤2)中,激活剂的用量为合成材料摩尔数的0.05%-10%;
4.根据权利要求2所述的制备一种氮化物荧光粉的方法,其特征在于:在步骤3)中,氮化气氛可以是纯氮气气氛,也可以氮氢混合气气氛,采用氮氢混合气气氛时,氢气与氮气的比例可以从5∶95到75∶25,气氛压力为常压;
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:在所述步骤3)中,第一段的焙烧温度为600-1000℃,第二段的焙烧温度为1200-1800℃;
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:在步骤3)中,第一段的焙烧的时间是1-5小时,第二段焙的烧时间是3-15小时;
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:在所述步骤4)中的后处理过程就是将氮化焙烧所制得的产物进行磨细、过筛、酸洗、水洗、烘干的过程,其中酸可以是盐酸、硝酸或磷酸,酸的浓度为1%-20wt%。
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