CN1664933A - 用于磁记录介质的衬底及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供的是表面经过处理的衬底，其中，衬底的表面的粗糙度可以被控制。这种表面经过处理的衬底能够形成磁记录介质，其中，记录头浮动稳定性得到了保证，而且其具有能够实现高记录密度的磁膜。还提供了一种粗化衬底的表面的方法。更具体的说，提供了用于磁记录介质的表面磁膜处理的衬底，其中，用来形成记录层的表面每μm2含有40到1000个凸起，最大高度是10nm或是更小和平均粗糙度是0.3到2.0nm，而且在表面上没有任何缺陷或斑点。此外，还提供了制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，包括蚀刻硅衬底的表面的步骤，其中超声波被施加于硅衬底的表面而且衬底被摇动或旋转。还提供了包括一种所述硅衬底的磁记录介质。

Description

用于磁记录介质的衬底及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于磁记录介质的衬底及其制造方法。
背景技术
近十年来，磁记录的记录密度(表面密度)以每年50％到200％的速度飞快且持续的增长。在大规模生产水平，70Gbits/inch2的产品可以出厂，而表面记录密度高上好几倍(例如160Gbits/inch2)的产品已经在实验室中制造出来。大规模生产水平的表面记录密度对应于每3.5″HDD(3.5英寸HDD)的盘为80G字节，且对应于每2.5″HDD的单盘为40G字节。对于这些记录容量，单盘记录介质的安装为普通台式个人电脑(配备3.5″HDD)或膝上型个人电脑(配备2.5″HDD)提供了使用所需的足够容量。
预料记录密度在将来会持续改善。可是，传统的水平磁记录方法已经接近了热起伏记录极限，看起来，如果100Gbit/inch2的记录密度达到200Gbit/inch2，它们将要被垂直磁记录所取代。目前还不确定垂直磁记录的记录极限是多少，但是相信肯定能达到1000Gbit/inch2(1Tbit/inch2)。如果达到了这种类型的高记录密度，就可能实现每2.5″HDD单盘为600到700G字节的记录容量。
为了实现这样的高记录密度，磁记录头的浮动高度(head height)必须从传统的30nm降低至10nm甚至更低，而且衬底表面的光滑也是必须的。但是，最近发现，当微型表面粗糙度很小的时候，就会产生很多问题，比如，记录头粘在衬底上或是记录头浮动稳定性降低。也就是说，拥有特别低的波度(waviness)和微型波度(micro waviness)而且粗糙度大约在0.3到2.0nm之间的衬底是最理想的。(考虑到将用于具有磁膜的磁记录介质的衬底的不均匀性，波度为5到100mm的可观察范围，微型波度为80μm到5mm的可观察范围，粗糙度则是最高到80μm的可观察范围。)
现在，玻璃衬底是被带研磨制作的，可是不能达到期望的粗糙度，也不可能将粗糙度降低到理想的记录头高度。
用于表面粗化硅衬底的方法包括使用氯的干法蚀刻方法(公开号7-263406/1995的日本未经审查专利申请)和使用碱性氢氧化物(alkalihydroxide)的处理方法(公开号53-7144/1978的日本未经审查专利申请)。但是，这些方法虽然可以控制表面粗糙度，还是不能让整个的衬底有统一的粗糙度。也就是说，由于在蚀刻的时候，衬底是静止地处在一种不均衡的环境下被蚀刻的，所以发生选择性的蚀刻，由于受残留在衬底上的加工应力的影响，于是就产生了缺陷。目前的事实是，采用这样简单的酸性或碱性蚀刻，不可能获得统一的粗糙度。
发明内容
因此，本发明提供了一种用于磁记录介质的衬底，它的表面粗糙度可以控制，记录头浮动稳定性得到了保障，具有可以达到高记录密度的磁膜。本发明还提供了一种用于粗化衬底表面的方法。
在本发明中，为了解决这些问题，重复的调查显示，优选地，在碱性溶液中，特别是在已传输超声波而且添加了表面活性剂的碱性溶液重，通过摇晃或旋转用于磁记录介质的衬底的表面，能够使衬底表面的粗糙度达到均匀。本发明是通过对这些条件的细节上的全面证实而获得的。
更具体地说，本发明提供了一种用于磁记录介质的硅衬底，其中，用于形成记录层的表面每μm2有40到1000个凸起，最高高度为10nm或更低，平均粗糙度为0.3到2.0nm，而且其中，没有任何的缺陷或斑点。而且，在本发明提供了用于制造这种磁记录介质的硅衬底的方法，其包括蚀刻硅衬底表面的步骤，这一步骤包括将超声波施加于正在摇动或旋转的硅衬底的表面。本发明还提供了包含所述硅衬底的磁记录介质。
采用本发明，可以调整磁记录头的浮动高度，使其下降到前所未有的程度，从而实现高记录密度。
附图说明
图1(A)从概念上展示了使用本发明的硅衬底的磁记录介质和记录头之间的关系，图1(B)是一个图表，示意性地展示了使用传统的硅衬底的磁记录介质和记录头之间的关系。
图2(A)是采用AFM观察到对比例子11的未蚀刻衬底的表面的观察结果，图2(B)是采用AFM观察到例子2中的蚀刻衬底的表面的观察结果。
图3(A)是例2中经过超声波处理的衬底的表面上的缺陷的视图，图3(B)是对比例子8中没有经过超声波处理的衬底的表面上的缺陷的视图。
图4(A)是通过OSA拍摄到的、例子3中的施加超声波结合旋转衬底而获得的衬底的凹凸图像的观察结果，图4(B)通过OSA拍摄到的、对比例子9中的只施加超声波而获得的衬底的凹凸图像的观察结果。
具体实施方式
根据本发明，可以让用于磁记录介质的衬底的表面拥有统一的粗糙度，在其中使用了硅，而且优选是通过在传输超声波的含有表面活性剂的碱性溶液中摇动或旋转衬底的表面。
本发明对所使用的硅衬底没有特殊的限制。硅衬底可以包括单晶的或多晶的硅衬底，和p型或n型硅衬底。同样，对硅衬底的制造方法也没有特殊的限制。也就是说，举个例子，衬底可以从废弃的再循环晶片中得到，这是因为硅衬底不受硅本身的电特性的影响。因此，在本发明中使用的衬底的原材料成本非常低。
在蚀刻中，施加超声波是为了防止在硅衬底表面上发生选择性蚀刻。蚀刻溶液因为超声波的作用而产生的震动可以促使均匀蚀刻的发生，使得用于磁记录介质的衬底能够实现均匀的粗糙度。而且，超声波似乎具有防止气体(氢)附在衬底的表面上和防止杂质和粗砂的重附的效果。为了可以统一而有效地控制衬底表面的粗糙度，超声波的频率优选是30到3000kHz。
为了使整个衬底均匀地获得超声波，将衬底摇动和旋转。似乎是超声波的特性使得这样的组合产生效果。摇动衬底意味着摇晃或是摇动的动作，其可以包括，例如，垂直地移动衬底，或是把它从一端移动到另一端。
摇动或旋转优选地每分钟发生1到80次，这样可以对衬底表面的粗糙度有统一的控制。在这里，例如，一次摇动可以计算为一次垂直的循环或水平的循环。
蚀刻中用到的蚀刻剂可以优选是含有表面活性剂的碱性溶液，它是含有表面活性剂和碱性盐的混合物，一种pH值为10到13之间的碱性清洁剂。更优选的是采用一种pH值被调整到11到12之间的碱性蚀刻剂。这个pH值范围可能是更加优选的，因为衬底的表面粗糙度可以被更统一和有效地控制。
有效地，碱性盐是下列盐中的一种或几种：氢氧化钾，氢氧化钠，碳酸钠，碳酸氢钠，氢氧化铵，碳酸钾和碳酸氢钾。
可以加入碱性盐，使得氢氧化钾、氢氧化钠或是其他的碱性盐可以提供预定的pH值。碱性盐的量优选地调节成在蚀刻溶液中大约是0.001到1M。
蚀刻溶液中的表面活性剂可以优选包括下列所组成的组中的一种或几种：非离子表面活性剂，比如聚氧化烯烷基醚和聚氧化烯烷基苯基醚；阴离子表面活性剂，比如烷基苯磺酸及其盐、磷酸烷基酯、聚氧化烯烷基苯基醚磺酸及其盐、聚氧化烯烷基醚磺酸及其盐；阳离子表面活性剂，比如氟系表面活性剂；高胺和卤代酸的盐(其中，胺包含至少一个具有10到20个碳原子的烷基)，卤代烷基吡啶鎓和叔胺盐。优选采用非离子或阴离子表面活性剂。
表面活性剂的具体范例可以包括以下化合物，比如十二烷基硫酸钠、氯化四乙铵、聚氧乙烯-(10)辛基苯基醚，聚氧乙烯-(10)辛基乙基醚，LIPON-F(Lion公司制造)，CLEAN THROUGH(花王公司制造)，EXCEM LIGHT(共荣化学有限公司制造)。
表面活性剂在蚀刻液体中的浓度优选是占重量的0.01％到10％。从可湿性、防止粗砂重新黏着、防止气泡附着在衬底的表面和产量(包括成本和溶液废物处理)的角度来看，这个浓度范围最好。更具体的是，当重量浓度低于0.01％的时候，衬底表面的可湿性和它防止粗砂附着的能力就会降低，或者气泡就有可能附着在表面。当重量浓度高于10％的时候，就会产生成本和溶液废物处理的问题。
加入表面活性剂是为了改善衬底表面的可湿性和实现均匀蚀刻。表面活性剂也可以防止在蚀刻过程中产生的气体(氢)附着在衬底的表面，从而能够防止不均匀的蚀刻。表面活性剂还可以防止存在于蚀刻溶液中的杂质或粗砂的重附。
此外，从防止选择性蚀刻和大规模生产的角度来看，蚀刻剂的温度优选保持在室温下，或者在蚀刻期间加热至20到90℃。
特别优选地，表面活性剂在蚀刻剂中占重量的1％或更少，0.1摩尔或者更少的碱性氢氧化物，蚀刻剂的pH值大约是12。
衬底优选在蚀刻之前先研磨和清洗。
对于研磨没有一定的限制，举个例子，可以用硅胶或者类似的材料制成的无纺布来进行研磨，接着用研磨布(软羔皮类型的)进行研磨。
优选用化学清洗方法进行清洗，比如采用H2O2-NH4OH的RCA清洗，或是用清洁剂的擦洗。
在蚀刻的过程中，优选在含有表面活性剂的碱性溶液中施加超声波，把经研磨和清洗过的衬底浸入溶液中，同时以1到80rpm的速度旋转(如果是摇动的话，垂直的动作为每分钟1到80次)。浸入的时间优选持续大约1到300分钟(旋转和浸入应同时进行)。
在蚀刻的过程中，蚀刻剂中缺乏摇动或旋转、超声波的施加或表面活性剂中的任何一种，都可能导致硅衬底表面的选择性蚀刻，从而产生缺陷或是斑点，均匀的粗糙度就不可能实现。
紧跟在蚀刻步骤之后的擦洗和烘干可以为用于磁记录介质的衬底提供均匀的粗糙度。
擦洗可以优选使用刷子来进行，或是使用相对柔软的物质，比如海绵(例如，PVA或氨基甲酸乙酯海绵)。烘干可以优选使用热气、冷气或是旋转式脱水。
而且，如果衬底在蚀刻之后没有马上清洗，则优选将衬底保存在pH值为大约3到6的表面活性剂中。如果衬底被保存在pH值为8或是更强的碱性溶液，或者是pH值为2或是更小的强酸性溶液中时，则蚀刻会继续，就不会达到所需的表面状况。也就是说，在蚀刻之后，把衬底保存在酸性清洁剂溶液中可以保证均匀的粗糙度。这是因为，在酸性清洁剂溶液中保存可以防止蚀刻的继续发生，由于衬底的表面残留了碱，如果把衬底保存在水中，蚀刻可能继续发生。
保存衬底用的表面活性剂的示例可以优选包括非离子表面活性剂，比如聚氧化烯烷基醚。表面活性剂在保存液体中的浓度可以占重量的0.01％到10％。优选用水作为保存溶液的溶剂。而且pH值优选保持在大约3到6之间，溶液可以用酸来调节，比如盐酸、硝酸、硫酸、醋酸或这些酸的盐。
本发明的用于磁记录介质的衬底的特征在于：除了粗糙度之外(对用于具有磁膜的磁记录介质的衬底来说，不匀性可以用5到100mm的范围的波度，80μm到5mm的范围的微型波度和最大为80μm的范围的粗糙度来表示)，衬底非常平。记录信息的表面上的凸起的数量是每μm2为40到1000个，优选是每μm2为40到500个，凸起的最大高度是10nm或更少，表面粗糙度的范围是0.3到2.0nm。这样，就算是磁记录头达到衬底表面的10nm以内，也不会产生黏着，因此记录头的浮动是稳定的。
当用于记录信息的表面上或上方的凸起的数量超过了每μm2为40到1000个的范围，则记录头的浮动特性会变得不稳定。
当最大高度超过了10nm时，如果为了提高记录密度而降低记录头的浮动高度，则记录头和衬底就会接触。而且，因为记录头的浮动高度是10nm或更少，就必须确保衬底表面上的凹痕或不平坦的最大高度不超过10nm。
此外，当平均粗糙度小于0.3nm时，记录头和衬底之间会产生附着，而且记录头的浮动稳定性会减弱。当平均粗糙度超过2.0nm时，就不可能产生用于高记录密度的衬底表面。
应当注意，最大高度和平均粗糙度是用原子力显微镜(AFM)来测量的，观察面积是10μm2。凸起的数量通过AFM观察而目视测得。
图1(A)从概念上展示了使用了本发明硅衬底的磁记录介质1和记录头2的关系。图1(B)是一个图表，示意性地展示了使用了传统硅衬底的磁记录介质11和记录头2的关系。在图1(A)中，因为衬底的旋转产生了浮力，而且记录头的浮力被改善，所以就没有了黏着。另一方面，在图1(B)中，因为没有衬底的旋转来产生浮力，记录头的浮力会不稳定，因此黏着还是会发生。
图1(A)中的粗糙度(Ra)是0.30到2.00nm，少于图1(B)中的0.30nm。可是，本发明的效果不仅仅通过粗糙度(Ra)获得。本发明的效果的获得还通过提供除了具有预定的粗糙度之外还具有预定数量的凸起和预定的最高高度的金属膜的衬底。简单的说，本发明的效果通过提供可以让记录头的移动象桌面曲棍球(air hockey puck)一样的条件来获得。
用上述方法蚀刻的本申请的衬底可以被涂上一个记录层而且被用做记录介质。
本发明中的硅衬底通过包含用于记录信息的记录层可以被用做磁记录介质。
在放置记录层之前，可以优选地提供包含一种或多种选自以下元素的下层：Cr，Ni，P，Co，Zr，Mn，Fe，Ti，Cu，Zn，Nb，Mo，Tc，Ru，Pd，Ag，Cd，In，Sn，Sb，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt和Au。
对于记录层没有特别的限制，比如，它可以包含钴记录层和Co-Cr-Ta。记录层可以用已知的任何方法得到。对记录层的厚度也同样没有限制，可以是任何一般的厚度。
碳保护层或是氟系润滑层可以设置在记录层之上。
根据下面的一些例子来描述本发明。可是，并不代表本发明就局限于这些例子。
例1至例20及对比例子1到11
利用单晶硅制造用于磁记录介质的衬底，其外直径为65mm，内直径为20mm，厚度为0.64mm。很多衬底的制造首先通过Suba400(其是无纺布)(Rodel公司制造)以及硅胶(3％-SSS，Nissan化学公司制造)进行研磨，其次用Supreme RN-H(Rodel公司制造)以及硅胶(3％-SSS，Nissan化学公司制造)进行研磨，这样，可以获得0.1nm的粗糙度(经AFM测量，观察范围是10μm2)。
衬底是根据表1中的条件蚀刻的。紧随蚀刻步骤之后，衬底被清洗和烘干。接着，表面的情况会被用聚光灯检查(检查是否有缺陷和斑点)，而且在AFM下观察，其中，表面凹凸的图像会被仔细地审查。
粗糙度和最大高度的测量以及凸起的测量
用原子力显微镜(Scanning Probe Microscope JSPM-4200，由JEOL制造)来观察衬底，以测量表面粗糙度。观察面积被设定为10μm2。凸起可以用AFM观察来目视测量。
图2(A)是比较例子11中的衬底的未蚀刻表面的AFM观察结果，图2(B)是例子2中的衬底的蚀刻表面的AFM观察结果。
使用聚光灯的目视观察
借助100,000勒克斯亮度的聚光灯(山田光学公司生产)来目视观察衬底，检查缺陷和斑点的存在及其数量。图3(A)是在例2中经过超声波处理的衬底的表面上观察到的缺陷的视图。图3(B)是在对比例子8中没有经过超声波处理的衬底的表面上观察到的缺陷的视图。这两张图都是采用聚光灯进行观察的。在前一种衬底上完全没有发现缺陷，后一种衬底上则看到数不清的缺陷。
光学表面分析仪显示下的外部图像
采用OSA(Candela公司制造)观察表面凹凸的图像。
pH值的研究
用KOH将蚀刻溶液的pH值从9改变至14，研究表面的粗糙度和外观。当pH值等于9的时候，基本上粗糙度不会有变化。当pH值为14的时候，衬底倾向于变得粗糙和产生缺陷。另一方面，当pH值为10到13之间的时候，不会有缺陷或斑点产生，凸起的数量和粗糙度都可以在控制之下。
表面活性剂的研究
将表面活性剂的浓度从占重量的0.005％改变至20％，研究衬底表面的粗糙度和外观。当浓度是重量的0.005％或更小的时候，蚀刻之后，衬底表面的可湿性减弱且衬底表面会产生缺陷和斑点。当浓度等于或大于重量的20％的时候，虽然凸起的数量范围很好，可是平均表面粗糙度可能不会下降。另一方面，当浓度是重量的0.01％到10％的时候，缺陷和斑点不会发生，而且凸起数量和粗糙度的控制也很好。而且，已经证实，当表面活性剂浓度减少的时候，平均粗糙度倾向于降低。
温度的研究
将蚀刻溶液的温度从10℃改变至100℃，研究衬底表面的粗糙度和外观。当蚀刻溶液的温度等于或小于10℃时，存在蚀刻不会持续进行且没有蚀刻效果的情况。当蚀刻溶液的温度等于或大于100℃时，衬底会因为碱的快速反应而产生无数的气泡，存在衬底的表面产生缺陷和斑点的情况。另一方面，当蚀刻溶液的温度是20到90℃，表面不会产生缺陷或斑点，而且凸起的数量和粗糙度也会被控制地很好。
超声波频率的研究
研究在蚀刻溶液中施加或未施加超声波以及超声波的频率。发现没有使用超声波进行蚀刻的衬底表面存在由于选择性蚀刻而产生的缺陷和斑点。另一方面，经过超声波处理过的所有衬底都没有缺陷或是斑点，而且凸起的数量和粗糙度也都被控制地很好。
旋转或摇动的研究
图4(A)是通过OSA拍摄到的、例3中的通过施加超声波与旋转衬底相结合所获得的衬底的凹凸图像的观察结果。图4(B)通过OSA拍摄到的、对比例子9中只施加超声波所获得的衬底的凹凸图像的观察结果。虽然在对比例子9中得到的衬底没有缺陷，但是衬底的整个表面有很大的波浪形状。
完全没有通过这种方式被旋转或是摇动的衬底表面在其整个表面上具有粗糙度和蚀刻不均匀性。另一方面，被旋转或是摇动的衬底既没有缺陷也没有斑点，凸起的数量和粗糙度也被控制地很好。可是，当旋转或摇动的频率为每分钟100次或是更多的时候，蚀刻的时候产生的气体的气泡在蚀刻液体中产生，致使衬底的表面产生斑点。
记录头浮动测试
在氩气中250℃的衬底温度下，通过RF溅射在例1-3和对比例子1和11(未处理示例)的硅衬底上顺序形成100nm的Cr下层、60nm的Co-Cr-Ta磁记录层和30nm的保护层。在用润滑剂涂覆这些磁记录介质之后，浮动高度被设定为6nm，而且记录头的浮动稳定性会被观察。而且，在执行接触起停(CSS)的时候，将会检查记录头和衬底之间是否存在附着。
结果是，在例1-3中，记录头的浮动稳定性非常高，而且CSS测试期间没有附着产生。例2和例3的稳定性特别高且获得良好的结果。另一方面，对比例子1和11中的记录头浮动稳定性非常差。没有经过处理的对比例子11中的稳定性尤其差，而且CSS测试中也发生了记录头附着。虽然对比例子1中的稳定性比对比例子11中稍好，可是因为蚀刻不充分，也不能取得好的结果。因为其他对比例子中得到的衬底表面有缺陷或斑点，所以这些衬底不能进行记录头浮动测试。
对衬底表面的缺陷和斑点的观察
对衬底表面上产生的缺陷和斑点的OSA图像观察的结果显示，这些缺陷和斑点是一些凸起。似乎是因为研磨过程中的变形引起了选择性蚀刻，而在缺陷部分没有发生蚀刻，所以产生了这些缺陷和斑点。
表1和2中显示的结果
即使是对实现高记录密度不可缺少的浮动高度都被设定的很低，也可以稳定记录头的浮动而且防止CSS测试过程中记录头附着的发生。这就是给衬底制造出了特定表面的凸起和粗糙度的本发明的结果。
而且，通过本发明的方法，可以通过蚀刻硅衬底很容易地就使衬底的表面变得粗糙。
表1
表面活性剂浓度(％)*1     PH值*2   蚀刻溶液的温度(℃)     浸入时间(分钟)     超声波(kHz)     旋转次数(每分钟)   摇动次数(每分钟)     凸起数(每μm2)   平均粗糙度(nm)     最大高度(nm) 缺陷 斑点
例子 1     1.00     10.0     50     20     45     20     0     40     0.30     1.50 无 无
2     1.00     11.0     50     20     45     20     0     150     0.60     3.20 无 无
3     1.00     12.0     50     20     45     20     0     500     1.00     6.00 无 无
4     1.00     13.0     50     20     45     20     0     400     1.50     9.00 无 无
5     0.01     12.0     60     15     45     30     0     400     1.50     8.50 无 无
6     0.50     12.0     60     15     45     30     0     450     1.30     8.00 无 无
7     5.00     12.0     60     15     45     30     0     500     0.80     4.00 无 无
8     10.00     12.0     60     15     45     30     0     500     0.60     3.60 无 无
9     1.00     12.0     20     30     45     15     0     45     0.30     1.20 无 无
10     1.00     12.0     40     30     45     15     0     70     0.30     1.30 无 无
11     1.00     12.0     60     30     45     15     0     450     1.20     6.00 无 无
12     1.00     12.0     90     30     45     15     0     250     1.80     9.00 无 无
13     1.00     12.0     60     20     30     10     0     500     1.00     5.00 无 无
14     1.00     12.0     60     20     45     10     0     500     1.00     5.30 无 无
15     1.00     12.0     60     20     100     10     0     450     0.80     4.50 无 无
16     1.00     12.0     60     20     1000     10     0     450     0.80     4.30 无 无
17     1.00     12.0     60     20     3000     10     0     450     0.75     4.00 无 无
18     1.00     12.0     50     20     45     0     10     450     0.85     6.50 无 无
19     1.00     12.0     50     20     45     1     0     450     0.85     6.00 无 无
20     1.00     12.0     50     20     45     40     0     450     1.00     7.20 无 无
21     1.00     12.0     50     20     45     80     0     450     1.20     7.20 无 无
*1聚氧乙烯烷基醚被用做表面活性剂。
*2氢氧化钾被用做pH值的调节剂。
表2
表面活性剂浓度(％)*1     PH值*2   蚀刻溶液的温度(℃)     浸入时间(分钟)     超声波(kHz)     旋转次数(每分钟)     摇动次数(每分钟)     凸起数(每μm2)   平均粗糙度(nm)     最大高度(nm)   缺陷   斑点
比较例子   1     1.00     9.0     50     20     45     20     0     15     0.15     0.80   无   无
  2     1.00     14.0     50     20     45     20     0     30     2.50     12.00   有   有
  3     0.005     12.0     60     15     45     30     0     400     3.20     15.50   有   有
  4     20.00     12.0     60     15     45     30     0     500     0.20     1.00   无   无
  5     1.00     12.0     100     30     45     15     0     100     3.00     16.00   有   有
  6     1.00     12.0     10     30     45     15     0     10     0.10     0.50   无   无
  7     无*3     12.0     50     20     45     20     0     500     0.80     11.00   有   有
  8     1.00     12.0     50     20     无     20     0     500     0.80     5.60   有   有
  9     1.00     12.0     50     20     45     无     无     500     1.00     6.50   有   有
  10     1.00     12.0     50     20     45     100     10     450     1.50     10.50   有   有
  11     -     -     -     -     -     -     -     10     0.10     0.40   无   无
*1聚氧乙烯烷基醚被用做表面活性剂。
*2氢氧化钾被用做pH值的调节剂。
*3只使用了氢氧化钾。

Claims (10)

1.一种用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底，衬底的表面每μm2具有40到1000个凸起，最大高度是10nm或更少和平均粗糙度是0.3到2.0nm，其中整个表面没有缺陷或斑点。
2.一种制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，所述方法包括以下步骤：
蚀刻硅衬底的表面，其中超声波被施加于硅衬底的表面，并且硅衬底被摇动或旋转。
3.如权利要求2所述的制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，其中，所述超声波的频率为20到3000kHz。
4.如权利要求2所述的制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，其中，在所述蚀刻步骤中，衬底每分钟被摇动或旋转1到80次。
5.如权利要求2所述的制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，其中所述的蚀刻步骤包括采用含有碱性盐和表面活性剂和具有10到13的pH值的蚀刻剂。
6.如权利要求5所述的制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，其中所述的表面活性剂是选自由下列组成的组中的一种或多种：聚氧化烯烷基醚，聚氧化烯烷基苯基醚，烷基苯磺酸及其盐，磷酸烷基酯，聚氧化烯烷基苯基醚磺酸及其盐，聚氧化烯烷基醚磺酸及其盐，氟系表面活性剂，高胺和卤代酸的盐，卤代烷基吡啶鎓和叔胺盐。
7.如权利要求5所述的制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，其中所述的碱性盐是选自下列组成的组中的一种或多种：氢氧化钾，氢氧化钠，碳酸钠，碳酸氢钠，氢氧化铵，碳酸钾和碳酸氢钾。
8.如权利要求5所述的制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，其中所述的蚀刻剂包括浓度为重量0.01％到10％的所述表面活性剂。
9.如权利要求2所述的制造用于磁记录介质的表面经过处理的硅衬底的方法，其中所述蚀刻剂的温度为20℃到90℃。
10.一种包括根据权利要求1所述的表面经过处理的硅衬底的磁记录介质。
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