CN1581297A - 磁头滑块和磁盘装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种磁头滑块和磁盘装置。离开记录再现元件(2、3)的前端部地配置加热装置(4)。另外，为了仅使加热装置(4和记录再现元件(2、3)的近旁凸出变形，由刚性小的树脂膜(6)围住加热装置(4)和记录再现元件(2、3)的周围，隔断周围材料抵抗变形的力，从而增大单位电功率的记录再现元件(2、3)的凸出量而不提高再现元件(3)的温度。这样，可减少耗电功率，减少对再现元件的热负荷。

Description

磁头滑块和磁盘装置
技术领域
本发明涉及一种用于磁盘装置、具有调整磁盘与磁头的距离的功能的滑块。
背景技术
过去，有这样的磁头，该磁头具有薄膜磁头元件，该薄膜磁头元件在基板上依次形成下部磁极、通过绝缘体层以绝缘的方式形成的薄膜线圈、上部磁极、保护层；其中，在上述绝缘体层的内部形成薄膜电阻，该薄膜电阻经通电发热从而使磁极前端部产生热膨胀，使之凸出(例如参照专利文献1)。
(专利文献1)
日本特开平5-20635号公报(第2页，图1)
用于记录的记录元件或用于再现的再现元件或进行记录和再现双方的记录再现元件(以下将其统称为记录/再现元件)有的相对热负荷的承受能力较弱。例如，利用现在成为主流的磁阻效应(MR效应)的再现元件对热负荷的承受能力较弱，当暴露于高温中的时间较长时，存在寿命较短的问题。在上述已有技术那样的热执行元件中，如要使电力变换到变形量的效率最大化，则加热装置在极为靠近记录再现元件的位置配置到空气轴承面(以下称悬浮面)的附近时最合适。然而，当在记录/再现元件附近配置加热装置时，存在加热使记录/再现元件的寿命降低的危险。
另外，在热执行元件中，为了保持达到平衡状态后的悬浮量，需要不断地将电力供给到热执行元件。为此，需要开发出将电力变换成变形量的效率良好的热执行元件，降低耗电功率。特别是在搭载于携带用设备的磁盘装置中，对耗电功率具有限制，可能成为大的问题。
发明内容
本发明的目的在于减少热执行元件施加给记录/再现元件的热负荷。另外，本发明的目的在于改良在热执行元件中将电力变换成变形量的效率，降低耗电功率。
为了减小涉及记录和再现的元件的热负荷，使加热装置(或发热部)在从悬浮面(与磁盘相对峙的面)侧观看时其端部位于记录/再现元件或至少再现元件的悬浮面侧端部的内侧。
另外，为了改良在热执行元件中将电力变换成变形量的效率，最好仅使加热装置(或发热部)和记录/再现元件的近旁凸出变形。为此，最好通过由刚性小的膜或层(以下称低刚性膜)围住加热装置(或发热部)和记录/再现元件的周围，遮断周围材料抵抗变形的力。作为围住加热装置(或发热部)和记录/再现元件周围的膜或层，例如可设置由树脂构成的膜或层。
当没有低刚性膜时，记录/再现元件以接近刚性的状态与滑块基板部分连接，为了使记录/再现元件凸出一定量，需要使刚性大的基板部分也一起凸出变形的大的能量。设置于记录/再现元件与基板间的低刚性膜柔性地连接记录/再现元件与基板之间。因此，通过设置低刚性膜，可减小使记录/再现元件相对基板侧凸出所需要的能量。当减少能量时，加热装置的发热量减小，加到记录/再现元件的热负荷也变小。
代替设置低刚性膜，通过将加热装置与空气轴承面的距离设置为10μm以上50μm以下，可降低热执行元件加到记录/再现元件的热负荷，同时，可改善在热执行元件中将电力变换成变形量的效率。
附图说明
图1为搭载本发明磁头滑块的磁盘装置。
图2为本发明实施例的滑块透视图。
图3为本发明的实施例的滑块中心断面放大图。
图4为图3的X-X断面图。
图5为悬浮面变形模拟结果图。
图6为本发明的另一实施例的滑块中心断面放大图。
图7为本发明的另一实施例的滑块中心断面放大图。
图8为示出悬浮量检查方法的流程图。
图9为示出悬浮量调整方法的流程图。
图10为本发明磁盘装置的系统构成图。
图11为本发明的另一实施例的滑块中心断面放大图。
图12为图3的Z-Z断面图。
图13为本发明的另一实施例的滑块中心断面放大图。
具体实施方式
下面根据附图说明本发明的实施形式的磁头滑块和使用该磁头滑块的磁盘装置。
(装置整体)
图1示出本发明一实施例的磁盘装置的示意构成。
磁盘装置具有磁盘10和磁头滑块(也简称滑块)1，该磁盘10由存储磁信息并由主轴马达驱动回转，该滑块1搭载记录再现元件并由装载梁15支承和进行径向定位；滑块相对在磁盘10上行走，读写记录于磁盘上的磁信息。上述滑块作为空气润滑轴承由空气的楔形膜效应而悬浮，磁盘和滑块不直接进行固体接触。为了实现磁盘装置的高记录密度化和由此带来的装置的大容量化或小型化，缩小滑块1与磁盘10的距离即滑块悬浮量、提高线记录密度较有效。近年来，滑块悬浮量缩小到10nm左右或10nm以下。
滑块1安装于板簧状的装载梁15，由装载梁对磁盘面施加推压负荷，由音圈马达16与装载梁15一起朝磁盘10的径向进行查找动作，在磁盘面整体进行记录再现。磁头滑块1在装置的停止时或读写命令不存在一定时间时，从磁盘10上退避到斜面14上。
在这里，示出具有装载·卸载机构的装置，但在装置停止过程中使滑块1在磁盘10的某一特定的区域等候的接触·开始·停止方式的磁盘装置中，本发明的效果也可同样地获得。
(滑块)
图2仅放大示出图1的滑块。
滑块1包括基板(晶片)部分1a和薄膜头部分1b，该基板部分1a由以氧化铝与碳化钛的烧结体为代表的材料制成；该薄膜头部分1b在基板上由薄膜工艺形成记录元件2、再现元件3、及对于其的配线图案等，由氧化铝等保护膜5覆盖。在由晶片状态将薄膜头部分1b层叠到基板1a后，将晶片切断成杆状态，对切断面进行研磨，加工成平滑面。滑块1例如形成为长1.25mm、宽1.0mm、厚0.3mm的大体长方形，由悬浮面8、空气流入端面11、空气流出端面12、两侧的侧面、背面共6面构成，但滑块尺寸即使更小，本发明的效果也同样。在悬浮面8由离子铣削或腐蚀等工艺设置微细的台阶(台阶轴承)，与图中未示出的磁盘相对峙地发生空气压力，起到支承作用于背面的负荷的空气轴承的作用。
在悬浮面8如上述那样设置台阶，分类成实质上平行的3种面，即为最接近磁盘的轨面8a、比轨面约深100nm～200nm的作为台阶轴承面的浅槽面8b、及比轨面约深1μm的深槽面8c这样3种。磁盘回转产生的空气流从作为台阶轴承的浅槽面8b进入到作为轨面的8a时，由朝前收缩的流路压缩，产生正的空气压力。另一方面，当空气流从轨面8a或浅槽面8b进入到深槽面8c时，流路扩大，产生负的空气压力。图2示出概念，尺寸关系不正确。台阶高度强调地示出。
滑块1按空气流入端侧11侧的悬浮量比空气流出端侧12的悬浮量大的姿势悬浮地设计。因此，流出端近旁的悬浮面最接近磁盘。在流出端近旁，轨面8a相对浅槽面8b、深槽面8c凸出，所以，滑块俯仰姿势和侧滚姿势只要不超过一定限度地倾斜，则轨面8a最接近磁盘。记录元件2和再现元件3形成到轨面8a的属于薄膜头部分1b的部分。从装载梁推压的负荷和由悬浮面8产生的正负的空气压力良好地平衡、使从上述记录元件2和再现元件3到磁盘的距离保持为10nm左右的适当的值地设计悬浮面8的形状。
在这里，说明了悬浮面8由实质上平行的3种面8a、8b、8c形成的2段台阶轴承悬浮面的滑块，但对于由4种以上的平行面形成的台阶轴承悬浮面的滑块，本发明也可获得同样的效果。
(薄膜头)
图3示出图2所示滑块的、形成记录再现元件的薄膜头部分1b的断面放大图。
读写磁信息的磁头由感应记录元件2和磁阻型的再现元件3构成，该感应记录元件2由在线圈中流动的电流在磁极间产生磁场而记录磁信息，该磁阻型再现元件3测量磁场使阻值改变的情况。具体地说，在氧化铝与碳化钛的烧结体的基板1a上利用电镀、溅射、研磨等薄膜工艺形成的磁阻元件、磁保护层、磁极、写线圈、绝缘膜和保护膜5等构成。在悬浮面8形成台阶轴承，在悬浮面上的与磁盘10接触的可能性最高的轨面上形成厚数nm的碳保护膜，以当发生与磁盘的短时间、轻微的接触时也不磨损，而且可防止记录元件2和再现元件3的腐蚀。
(微加热器)
在记录再现元件的近旁用薄膜工艺形成加热装置4，该加热装置4使用由薄膜形成的电阻。作为薄膜电阻，在本实施例中，使材质为强磁性铁镍合金、厚0.5mm、宽3μm的细线曲行到深60μm、宽60μm的区域，间隙由氧化铝充填形成发热体。电阻值约为50Ω。图12示出从流出侧观看加热装置4的图(图3的Y-Y断面图)
(最佳电阻值)
构成加热装置4的薄膜电阻的电阻值在20Ω以上125Ω以下时适当。下面说明其理由。为了控制热膨胀凸出，需要控制发热量，在希望获得某一定的发热量的场合，如电阻值大，则必须减少电流，增大电压。在现行状况下的磁盘，由于可供给到各磁头的电压最大为2.5V，所以，如希望获得最大的0.05W的发热，则需要使电阻值在125Ω以下。另外，在希望获得一定的发热量的场合，如电阻值小，则必须增大电流、减小电压。可由现行状况下的磁盘向各磁头供给的电流最大为0.05A，所以，如希望获得最大0.05W的发热，则需要使电阻值在20Ω以上。关于需要最大0.05W的发热的理由将在后面说明。
(树脂膜的效果)
图4示出图3的X-X断面图。
相对于已有技术，本实施例的特征在于下部树脂膜6a、上部树脂膜6b、侧部树脂膜6c的存在。加热装置4的上下左右(悬浮方向以外)由树脂膜完全围住。另外，记录元件2和再现元件3的上下左右(悬浮方向以外)除了接近悬浮面8的部分外基本上由树脂膜围住。当在发热体中通电时，仅集中地对由树脂膜绝热的希望使其膨胀的部分加热，同时，由于树脂柔软，所以，为了防止变形传递到周围，使元件部凸出增大。换言之，当希望使其变形时，即为了仅使加热装置4和记录再现元件的近旁凸出变形，由刚性小的树脂膜围住加热装置和记录再现元件的周围，隔断周围材料对变形进行抵抗的力。凸出的形状S2由图3中的虚线示出。另一方面，在没有树脂膜的场合，记录再现元件2、3以接近刚性的状态与滑块基板部分1a连接，为了使记录再现元件2、3凸出一定量，需要使刚性大的滑块基板部分1a也一起变形时相应的大的能量。
另外，树脂虽然起到相对滑块长度方向(从流入端朝流出端或其相反方向)和宽度方向(与长度方向直交的方向)不约束变形的作用，但由于在滑块厚度方向即悬浮方向上不是所有部分由树脂膜隔开，所以，即使加热装置4的位置从记录再现元件2、3朝悬浮方向离开某一程度，加热装置4周围材料的热膨胀也充分地传递到记录再现元件2、3的位置。因此，可使加热装置4的位置从记录再现元件2、3离开，可减小作用于记录再现元件2、3的热负荷。
图3为示意图，尺寸关系不正确。凸出形状S2强调地示出本来为纳米级的凸出量。
本发明的树脂膜特别是配置于记录再现元件2、3和加热装置4与基板1a之间的树脂膜6a起到柔性地连接记录再现元件2、3与基板1a之间的作用，使记录再现元件凸出一定量所需要的能量可较小。为此，加热装置的发热量可较小，可减小作用于再现元件的热负荷。虽然6a以外的树脂膜6b、6c也具有使元件部凸出的效果，但即使略去6b或6c中的任一方或双方仅设置6a，本发明也可获得一定效果。因此，为了获得本实施例的效果，下部树脂膜6a为所需最低限，如具有上部树脂膜6b或侧部树脂膜6c，则更好。
在图3和图4中，下部树脂膜6a虽然直接接触于滑块基板部分1a，但也可在下部树脂膜6a与滑块基板部分1a之间存在氧化铝层。
(在悬浮面不露出树脂)
接近悬浮面8的部分不由树脂膜围住，而是仍为氧化铝保护膜5，其理由在于，悬浮面存在与磁盘接触的可能性，所以，即使为碳保护膜下的基体材料，也最好使用摩擦、磨损特性与碳(类金刚石的碳)一样优良的氧化铝，不希望在悬浮面上使用硬度差的树脂。
(凸出量数据)
图5示出变形模拟的结果。横轴为距空气流出端侧12的距离(长度方向位置)，纵轴为悬浮面的凸出量，曲线C1为没有树脂膜6a、6b、6c的场合的变形形状，曲线C2和C3为具有树脂膜6a、6b、6c的场合的变形形状。对于C2与C3，从悬浮面8到树脂膜6a、6b、6c的距离不同。在C2，为3.5μm，在C3为0.7μm。加热装置4的发热量为0.05W，树脂膜6a为5μm，树脂膜6b的厚度为1.2μm，树脂膜6c的厚度为5μm。绘制在宽度方向上的滑块中心断面的值。记录元件2处于距流出端的距离为40μm的位置。
具有树脂膜的场合的曲线C2与没有树脂膜的场合的曲线C1相比，再现元件位置(距流出端40μm)的变形量从约11nm到约15nm，增加为1.4倍。另外，对于从悬浮面到树脂膜的距离缩小的场合的曲线C3，再现元件位置的变形量达到约16nm。这样，确认了由树脂膜增大元件部凸出的效果。
(悬浮量变化)
由薄膜气体润滑模拟调查下部树脂膜6a、6b、6c的有无对再现元件位置的加热前后的悬浮量变化的影响。对加热装置4的0.05W加热前后的悬浮变化量在没有树脂膜的场合为2.4nm，但具有树脂膜的场合增加到5.0nm。树脂膜的有无使悬浮变化量变化2倍以上的原因可考虑如下。在没有树脂膜的场合，凸出形状平缓，所以，由凸出新产生的空气压力大，滑块的位置角(俯仰角)变化，所以，凸出量不全部变换成悬浮变化量。在具有树脂膜的场合，由于凸出形状陡峭，所以，由凸出新产生的空气压力小，滑块整体的位置角基本不改变，所以，凸出量的大部分变换成悬浮变化量。由以上的结果可知，按照本发明的构造，同一发热量的悬浮变化量增大到2倍，相反，获得所期望的悬浮变化量所需要的耗电功率下降到一半。
(需要0.05W的发热的理由)
加热装置的目的在于根据热膨胀变形调整记录再现元件与磁盘间的空间，使上述悬浮量余量无用化。近年来，悬浮量余量按5nm左右设计，所以，悬浮量的变化量如为最大5nm则足够。按照上述模拟结果，为了悬浮变化5nm，可由薄膜电阻发出最大0.05W的热。
(关于MR温度上升)
加热装置4进行0.05W发热的场合的再现元件3的位置的温度上升约为5.5℃。利用磁阻效应(MR效应)的再现元件相对热负荷的承受能力较弱，具有在高温中暴露时间长时寿命缩短的特征，但如为5℃左右的温度上升，则可没有问题地使用。当不导入树脂膜6a时，如不考虑耗电功率大这一点，则可获得所期望的悬浮变化量，或不考虑再现元件的寿命的恶化，仅可获得所期望的悬浮变化量。按照本发明，在满足耗电功率和可靠性的要求的状态下，可增大悬浮变化量。
(另一实施例：膨胀体设置)
图6为在加热装置4的近旁设置以热膨胀为目的的膨胀体7的、本发明的另一构造实施例。由于加热装置4的近旁的温度上升最多，所以，通过在这里使用线膨胀系数比氧化铝保护膜5高的金属薄膜，从而可有效地将发热变换成变形。
(另一实施例：与线圈周围的绝缘膜一体化)
图7为将上部树脂膜6b与线圈周围的绝缘膜一体化的、本发明的另一构造实施例。在本实施例的构造中，也可获得与第1实施例同样的效果。
(另一实施例：在基体氧化铝膜上设置加热器)
图11为可在防止环境温度上升导致的凸出与已有的磁头相比恶化的同时实现耗电功率的降低的构造。作为第1实施例中所示的薄膜电阻的加热装置4形成在最初形成于基板1a上的基体氧化铝膜5b上，然后形成绝缘层，随后形成再现元件3的下部保护层。在用于环境温度条件恶劣的携带用的计算机的磁盘装置中，本实施例的构造较适合。
从悬浮面8到加热装置4的距离为10μm以上50μm以下时较适当。其理由如下。第1，如从悬浮面8到加热装置4的距离不到10μm，则在加热装置4进行0.05W的发热的场合，再现元件3的位置的温度上升达到10℃以上，不可忽视对再现元件的寿命的影响。第2，如从悬浮面8到加热装置4的距离超过50μm，则为了获得再现元件位置的悬浮变化量5nm需要0.05W以上，在用于携带设备的磁盘装置中成为不能忽视的耗电功率。因此，该距离最好在10μm以上50μm以下。
换言之，上述尺寸与再现元件3中的磁阻元件的尺寸相比，在60倍以上300倍以下。
加热装置4的层方向位置从加工的容易性考虑在基体氧化铝膜5b上，但此外的层例如在上部保护层与下部磁极间也可获得同样的效果。
(加热器处于元件或保护层的内侧)
图13为不以耗电功率降低为主要目的、以防止再现元件的寿命和环境温度上升导致的凸出与已有磁头相比恶化为更为重要的目的的场合的滑块构造。通过使加热装置4的位置处于从悬浮面8观看时的再现元件3的内侧，可减小相对再现元件的热负荷。在环境温度条件恶劣而且需要较长的再现元件寿命的磁盘装置中，本实施例的构造较适合。在该图中，加热装置4与上部保护层同层地形成，对于其它层，效果同样。
(悬浮量调整方法)
下面，说明按照本发明实施例的实际悬浮量调整方法。
悬浮量调整手续大体分成设计时、出厂前检查时、使用时3阶段。在设计时，使得在按可预想到的最高的环境温度、预想的最低气压连续进行写动作时仅偏差下限的滑块与磁盘接触地设计。即，与不进行悬浮量调整的已有的滑块设计相同。在携带设备用的磁盘装置中，环境温度的高低差非常大，在服务器用的磁盘装置中，连续写动作时的磁极的发热使热凸出发生，悬浮量下降非常明显等等，根据所使用的设备改变设计条件。
在进行出厂前的检查时，对各滑块进行检查，存储到存储器中。图8具体地示出悬浮量的检查方法。悬浮调整量由于与供给电功率成比例，所以，先使外加电功率成为零状态，此后逐渐增大外加电功率，检测到滑块与磁盘的接触后，根据此时的外加电功率、悬浮调整量与供给电功率间的比例系数，计算出该滑块的悬浮量。关于检测滑块与磁盘的接触的方法将在后面说明。如在存储器不仅存储滑块悬浮量的个别偏差而且还存储内外周差，则可进一步提高悬浮量调整的精度。
使用时，基本上在从计算机等客户侧接收读写命令时，仅将与该滑块的悬浮量相应的功率供给选择的工作状态的磁头。不将电功率供给空闲状态的磁头。供给工作状态的磁头的功率量使用悬浮调整量与供给功率间的比例系数，在连续进行写动作时减少，在高环境温度时减少，在低环境温度时增加。
(最简单的基本调整算法)
图9示出最基本的控制算法。
虽然也有另行设置用于测量气压和温度的传感器的方法，但如在气压、温度、个体差等所有影响都产生的状态下满足不发生接触(过近)而且不在磁信息的再现中发生错误(过远)这2个条件，则没有问题，为此，监视接触和再现错误、仅在其发生时进行调整加热装置的输入功率的反馈控制为最简单的控制方法。为了防止由装载导致的冲击使元件受伤，当将滑块装载到磁盘时特别是装置起动时不对加热装置通电地提高悬浮量有效。接触的检测方法将在后面说明。
对于补偿气压差导致的悬浮量变动和磁头个体差导致的悬浮量变动的方法，如图所示那样仅在起动时即可，但对于温度差导致的悬浮量变动，需要每隔规定的时间间隔或在使用过程中时常监视接触和再现错误。因此，在用于使用时的温度差变动大的设备的磁盘装置的场合，每隔规定的时间间隔或在使用过程中时常补偿悬浮量变动较有效。
环境温度信息也可从附属的温度传感器获得，这样，可进行更高精度的悬浮量调整。
(接触检测方法)
检测接触的方法具有(1)使用声发射(AE)传感器的方法、(2)由接触发热监视作为表示成再现信号的干扰的热波动的方法、(3)由接触摩擦力监视滑块绕枢轴进行微小回转而产生脱轨的脱轨信号(位置错误信号)的方法等。
另一方面，关于磁信息的再现错误监视所有的比特差错率即可。与再现错误不同，记录错误较难监视，但一般在记录时由记录元件的线圈发热使元件部膨胀，一般悬浮量比再现时低，所以，如为不发生再现错误的条件，则发生记录错误的可能性较低。
另外，作为涉及悬浮量调整的别的方法，具有在该场所使用再现信号的振幅观测再现元件与媒体间的距离的方法，也可对其加以应用。
(系统构成)
图10示出本发明的具有悬浮量调整功能的磁盘装置的系统构成。
(端子、配线的顺序)
加热装置用的端子根据以下说明的理由最好处于滑块的两端。从加热装置用和记录再现元件用的合计6个端子粘接到悬浮万向支架上的配线片，分成各3根的配线，通过万向支架的2根臂上，再次汇合成6根，当将配线绕到悬浮的根部时，结果滑块两端的配线在悬浮上来到中央，当希望在现在4根配线的部位通过6根时，不得不减小配线间隔，当记录电流与现行电流相邻地流动时，可能相互产生干扰。如加热装置用的直流电流在隔开记录电流2配线与再现电流2配线的中央2配线中流动时，可减小干扰发生的可能性。
按照本发明，从悬浮面(与磁盘相对峙的面)侧观看加热装置(或发热部)，其端部位于记录/再现元件的悬浮面侧端部的内侧，所以，可减小施加到再现元件的热负荷。另外，按照由刚性小的膜或层围住加热装置(或发热部)和记录再现元件的周围、隔断周围材料对变形的抵抗力的构造，可增大单位电功率的记录再现元件的凸出量而不提高再现元件的温度。这样，不影响到再现元件的寿命即可减小所需要的耗电功率。结果，通过对于各磁头或相应于使用环境调整悬浮量，可取消悬浮量余量，在防止滑块与磁盘的接触的同时，大幅度缩小记录再现元件的悬浮量，增大磁盘面记录密度，进一步实现装置的大容量化或小型化。

Claims (9)

1.一种磁头滑块，具有：用于将信息记录于磁盘的记录元件、用于从磁盘进行信息的再现的再现元件、搭载上述记录元件和再现元件并以与磁盘相对峙的方式配置使用的滑块、设置于上述滑块并至少使上述再现元件的近旁进行热膨胀的发热部；其特征在于：
以上述发热部在上述滑块的与磁盘相对峙的面侧的端部至少位于上述再现元件在上述滑块的与磁盘相对峙的面侧的端部的内侧的方式配置上述发热部和上述再现元件。
2.根据权利要求1所述的磁头滑块，其特征在于：上述记录元件和上述再现元件由一个元件构成。
3.根据权利要求1所述的磁头滑块，其特征在于：上述记录头和上述再现头通过在基板上层叠薄膜而形成，在基板的法线方向即薄膜层叠方向上配置上述发热部时使上述发热部相对上述记录元件和再现元件位于上述基板侧，在上述薄膜层叠方向上的上述发热部的单侧或两侧具有靠上述发热部而进行热膨胀的金属膜。
4.根据权利要求1所述的磁头滑块，其特征在于：上述记录头和上述再现头通过在基板上层叠薄膜而形成，在基板的法线方向即薄膜层叠方向上配置上述发热部时使上述发热部相对上述记录元件和再现元件位于上述基板侧，在上述薄膜层叠方向上的上述发热部与上述基板之间设置由树脂材料构成的层。
5.根据权利要求1所述的磁头滑块，其特征在于：上述发热部与上述滑块的与磁盘相对峙的面的距离在10μm以上50μm以下。
6.根据权利要求1所述的磁头滑块，其特征在于：上述再现元件为使用磁阻元件的再现元件，相对于上述滑块的与磁盘相对峙的面的法线方向上的上述磁阻元件的尺寸，上述发热部与上述滑块的与磁盘相对峙的面的距离为60倍以上300倍以下。
7.根据权利要求6所述的磁头滑块，其特征在于：上述滑块的与磁盘相对峙的面构成空气轴承面。
8.根据权利要求1所述的磁头滑块，其特征在于：上述发热部由金属薄膜电阻构成，其电阻值在20Ω以上125Ω以下。
9.一种磁盘装置，具有：磁盘、用于将信息记录于上述磁盘的记录元件、用于从上述磁盘进行信息的再现的再现元件、搭载上述记录元件和再现元件并以与磁盘相对峙的方式配置使用的滑块、设置于上述滑块并至少使上述再现元件的近旁进行热膨胀的发热部；其特征在于：
以上述发热部在上述滑块的与上述磁盘相对峙的面侧的端部至少位于上述再现元件在上述滑块的与上述磁盘相对峙的面侧的端部的内侧的方式配置上述发热部和上述再现元件。
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