JP2006164388A - 磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法および磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ヘッドスライダと磁気ディスクが接触することなく、磁気ヘッドスライダの浮上量を随時適切に制御する。
【解決手段】磁気ディスク装置１の起動時には、ＭＰＵ１２内のメモリから通常（室温）の電力値を読み込み動作を開始する（ステップ１００）。温度センサ１０は磁気ディスク装置内の温度を計測しＭＰＵ１２に転送する（ステップ１０１）。ＭＰＵ１２は温度センサ１０から転送されてくる温度に応じて浮上量調整機構５１に印加する電力値を算出する（ステップ１０２）。ＭＰＵ１２は算出した電力値に応じて浮上量調整機構５１に印加する電力を増減する（ステップ１０３）。浮上量調整機構５１により制御（補正）された浮上量にて、磁気ヘッドスライダ５は磁気ディスク３に対して記録再生を行う（ステップ１０４）。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気ディスク装置に係わり、特に磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法に関する。

磁気ディスク装置の高記録密度化と、それによる装置の大容量化あるいは小型化を実現するための手段として、主に磁気ヘッドスライダと磁気ディスクの距離として定義されている浮上量を低減し、記録再生素子と磁気ディスク記録面との距離を縮めて、磁気ディスク回転方向の線記録密度を上げる方法がある。

磁気ヘッドスライダの浮上量を安定に低下させて、磁気ディスク回転方向の線記録密度を上げる従来技術として、例えば特許文献１に、磁気ヘッドスライダの一部に圧電体に代表される浮上量調整機構を組み込み、記録再生素子を磁気ディスク面と垂直方向に動かして、記録再生素子と磁気ディスクとの距離を個別微調整する方式が提案されている。また、特許文献２では、圧電体のかわりに、磁気ヘッドスライダの記録再生素子近傍に熱源を設置し、記録再生素子近傍を加熱し、熱膨張により浮上量を調整する磁気ヘッドスライダが提案されている。

磁気ディスク装置の信頼性を保ちつつ、前述の浮上量調整機構を設けた磁気ヘッドスライダを用いて、浮上量を低下させるためには、磁気ヘッドスライダの浮上量調整値を、ある所望の値とする必要がある。磁気ディスク装置の信頼性を損なわずに、磁気ヘッドスライダの浮上量調整値を得るための手法として、前述の特許文献１に、磁気ヘッドスライダに搭載された浮上量調整機構の圧電体の出力信号を監視し、磁気ヘッドスライダと磁気ディスクの接触を検出する方法について提案されている。

特許文献３には、磁気ヘッド素子の浮上面とは反対側の位置に発熱手段を備え、磁気ヘッド素子の動作時にのみ発熱させ、マグネティックスペーシングを小さくする技術が開示されている。

特開昭６２−２５０５７０号公報 特開平５−２０６３５号公報 特開２００３−１６８２７４号公報

磁気ヘッドスライダの浮上量を過度に低減させると、磁気ヘッドスライダと磁気ディスクが接触し、摩擦力により磁気ヘッドスライダが振動する。磁気ヘッドスライダが振動すると、安定した記録再生を行うことが困難となる。また、摩擦力によりスライダ保護膜やディスク保護膜の摩耗が生じる。保護膜の摩耗は、磁気ヘッドやディスク磁性膜の腐食や放電等につながり、磁気ディスク装置の信頼性に対し大きな問題となる。このため、磁気ディスク装置の信頼性を確保するためには磁気ヘッドスライダを、磁気ディスクと極力接触させないことが必須である。

例えば、磁気ディスク装置の温度が変化した場合には、磁気ディスク装置内部に備えられた記録再生素子近傍の温度も変化し、熱膨張係数の違いから記録再生素子近傍の形状が変化し、磁気ヘッドスライダの浮上量も変化する（この現象をサーマルプロトリュージョンと呼ぶ）。記録再生素子近傍の温度は、時間、季節、使用場所、環境温度等の使用条件の変化や、磁気ディスク装置のスピンドルモータや制御回路基板の発熱等により常に変動する。例えば、磁気ディスク装置の温度が上昇した場合には、記録再生素子近傍が突出し、磁気ヘッドスライダと磁気ディスクが接触する可能性が高まる。また、温度が低下した場合には、記録再生素子近傍が凹み、磁気ディスク記録面から遠ざかるため、安定した記録再生ができなくなる可能性がある。

したがって、磁気ヘッド素子の動作時にのみ発熱手段を発熱させ、磁気ヘッドスライダの浮上量を小さくするだけでは不十分であり、いかなる環境温度下においても、適切なマグネティックスペーシングを保つ必要があり、そのときの浮上量は、記録再生素子ができるだけ磁気ディスクに近づき、かつ磁気ヘッドスライダが磁気ディスクと接触しない高さである。この浮上量を得るための浮上量調整機構の動作量を得るためには、キャリブレーションと呼ばれる動作量の校正が必要である。キャリブレーションでは、通常、浮上量調整機構を動作させながら、磁気ヘッドスライダが磁気ディスクに接触するまで浮上量を下げ、磁気ヘッドスライダの接触を検出したところで、浮上量をある所定の量だけ上げるということを行う。しかしながら、この方法を用いた場合には、磁気ヘッドスライダが磁気ディスクに接触するため、磁気ディスク装置の信頼性上好ましくない。また、キャリブレーション方法について、前述の従来技術を用いた場合においても、磁気ヘッドスライダと磁気ディスクが接触することに変わりは無く、環境温度が頻繁に変わった場合には、磁気ディスク装置の信頼性上好ましくない。

本発明の目的は、磁気ヘッドスライダが磁気ディスクと接触することなく、記録再生素子と磁気ディスク記録面との距離を一定に保つ制御方法を提供することである。

本発明の他の目的は、磁気ヘッドスライダが磁気ディスクと接触することのない高信頼性の磁気ディスク装置を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法においては、磁気ディスクと、該磁気ディスクに近接浮上し情報を記録または再生する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダの記録再生素子近傍に配置され当該磁気ヘッドスライダの浮上量を制御する熱源を有する浮上量調整機構とを有する磁気ディスク装置の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法であって、前記磁気ディスク装置の温度を検出し、検出した温度における前記記録再生素子の前記磁気ヘッドスライダに対する変形量を算出し、算出した変形量を補正するための電力値を算出し、算出した電力値を前記浮上量調整機構に供給することを特徴とする。

前記変形量は突出量あるいは凹み量である。

前記記録再生素子の突出量が１°Ｃあたりｉｎｍで、前記浮上量調整機構の浮上制御量が印加電力ｌｍＷあたりＩｎｍである場合、前記装置内部の温度が当初のｔ°ＣからＴ°Ｃに上昇したときは、前記浮上量調整機構に供給する電力をｉ（Ｔ−ｔ）／Ｉだけ減らすようにする。

前記記録再生素子の凹み量が１°Ｃあたりｉｎｍで、前記浮上量調整機構の浮上制御量が印加電力ｌｍＷあたりＩｎｍである場合、前記装置内部の温度が当初のｔ°ＣからＴ°Ｃに低下したときは、前記浮上量調整機構に供給する電力をｉ（Ｔ−ｔ）／Ｉだけ増やすようにする。

前記磁気ディスク装置の温度は、磁気ディスク装置内部の温度である。

前記磁気ディスク装置の温度は、前記磁気記録再生素子近傍の温度であることが望ましい。

前記磁気ヘッドスライダが前記磁気ディスクに情報を記録する場合は、再生する場合に比べて前記浮上量調整機構に供給する電力を減らすことが望ましい。

上記他の目的を達成するために、本発明の磁気ディスク装置においては、磁気ディスクと、該磁気ディスクに近接浮上し情報を記録または再生する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダの記録再生素子近傍に配置され当該磁気ヘッドスライダの浮上量を制御する熱源を有する浮上量調整機構と、温度検出センサと、前記各部位を制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記温度センサが検出した温度に基づき、前記記録再生素子の前記磁気ヘッドスライダに対する変形量を算出し、算出した変形量を補正するための電力値を算出し、算出した電力値を前記浮上量調整機構に供給することを特徴とする磁気ディスク装置。

前記変形量は突出量あるいは凹み量である。

前記温度センサは、前記制御部が実装されている制御回路基板に設けられている。

前記温度センサは、磁気ディスク装置内に設けられていても良い。

前記温度センサは、前記磁気ヘッドスライダに設けられていても良い。

前記温度センサは、前記記録再生素子の抵抗変化から当該記録再生素子の温度を検出する手段であっても良い。

本発明によれば、磁気ヘッドスライダが磁気ディスクと接触することなく、記録再生素子と磁気ディスク記録面との距離を一定に保つ制御方法を提供することができる。また、磁気ヘッドスライダが磁気ディスクと接触することのない高信頼性の磁気ディスク装置を提供することができる。

本発明の一実施例による磁気ディスク装置の概略構成を図２に示す。また、制御系を含めたブロック構成を図３に示す。磁気ディスク装置１は、筐体となるベース２と、カバー（図示せず）と、ベース２の裏面に取り付けられた制御回路基板９とを有する。図２はカバーが外された状態を示している。磁気情報は磁気ディスク３に格納され、磁気ディスク３はベース２に固定されたスピンドルモータ４によって回転される。磁気ヘッドスライダ５は、サスペンション６に支持され、磁気ディスク３への押し付け荷重が与えられており、磁気ディスク３の回転による空気流により、磁気ディスク３上を近接浮上する。磁気ヘッドスライダ５はサスペンション６とともに、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）８によって駆動されるアクチュエータ７によって磁気ディスク３の径方向にシーク動作し、位置決めされ、磁気ディスク３の記録面上で記録再生を行う。アクチュエータ７及びＶＣＭ８はベース２またはカバーに取り付けられている。磁気ヘッドスライダ５は、磁気ディスク装置１が停止している場合や、磁気ディスク装置１が駆動中ではあるが一定期間記録再生が行われない場合には、磁気ディスク３上からディスク外周側に設置されたランプ１１にアンロードされる。

制御回路基板９には、マイコンからなる制御部（ＭＰＵ）１２と、ＭＰＵ１２を介して上位装置から転送されたデータを書込信号に変換して磁気ヘッドスライダ５に供給し、磁気ヘッドスライダ５が再生した信号を上位装置に転送するデータに変換するリード／ライト回路１３と、ＭＰＵ１２が生成した磁気ヘッドスライダ５の位置制御信号をモータ電流制御信号に変換するデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ）１４と、ＤＡＣ１４からのモータ電流制御信号をＶＣＭ８の駆動電流に変換するＶＣＭドライバ１５と、磁気ディスク装置１の温度を計測しＭＰＵ１２に転送する温度センサ１０が実装されている。

図４に磁気ヘッドスライダ５の浮上面側から見た外観図を示す。磁気ヘッドスライダ５の空気流入側には流入側浅溝面５３が形成され、空気流入側両端部には流入側浮上面５４が形成され、流入側浅溝面５３と流入側浮上面５４とで浮上力を発生する。流入側浮上面５４の後方にはサイドレール５５が形成され、空気流出端中央部にはセンタ浮上面５６が形成され、センタ浮上面５６の流入側およびサイドにはセンタ浅溝面５７が形成されている。磁気ヘッドスライダ５の中央部には深溝面５８が形成され、流入側浅溝面５３と深溝面５８とで負圧力を発生する。センタ浮上面５６には、記録再生素子５０が搭載されている。

図５は、図４のＡ−Ａ線拡大断面図であり、磁気ヘッドスライダ５の記録再生素子５０近傍を拡大して示している。記録再生素子５０の近傍には、磁気ヘッドスライダ５の浮上量を調整する浮上量調整機構５１が搭載されており、記録再生素子５０および浮上量調整機構５１は、絶縁膜５２により覆われている。浮上量調整機構５１は、記録再生素子５０の近傍に設けられた熱源からなる発熱機構であり、記録再生素子近傍の温度を制御し、記録再生素子近傍の形状を変化させて磁気ヘッドスライダ５の浮上量を制御する。

ここで、温度変化により、磁気ヘッドスライダ５上の記録再生素子５０近傍の形状が変化するサーマルプロトリュージョン現象について説明する。一般的に記録再生素子５０は、ニッケル及びコバルト系合金等の金属膜により形成され、絶縁膜５２はアルミナ等のセラミックスにより形成される。一般に金属系材料の熱膨張係数は、絶縁膜のセラミックスより大きい。そのため、温度が上昇した場合は、記録再生素子５０の熱膨張量は、絶縁膜５２のセラミックスより大きいことから、記録再生素子５０が磁気ヘッドスライダ５の厚み方向、すなわち、磁気ディスク面の方向に突出する。逆に、温度が下降した場合は、記録再生素子５０は磁気ディスク面から遠ざかる方向に収縮する（凹む）。前述の熱源による浮上量調整機構５１は、このサーマルプロトリュージョン現象を利用し、記録再生素子５０近傍に熱源を埋め込み、記録再生素子５０近傍の温度を制御することにより、浮上量の制御を行っている。

本発明の実施例の特徴は、浮上量調整機構５１は、磁気ディスク装置１の温度に応じて、前記磁気ヘッドスライダ５の浮上量を、適切な高さに制御することにある。より具体的には、磁気ディスク装置１の制御回路基板９上に設けられた、温度センサ１０により環境温度を計測し、環境温度の変化により、記録再生素子５０近傍の温度が変化した場合に、浮上量調整機構５１の熱源に印加する電力値を適切に制御する浮上量調整方法である。

以下に、磁気ディスク装置１の温度の変化により、記録再生素子５０近傍の温度が変化しても、磁気ヘッドスライダ５と磁気ディスク３が接触することなく、磁気ヘッドスライダ５の浮上量を適切に制御する方法について説明する。図６に浮上量調整機構５１に印加した電力値Ｅと浮上制御量Ｄの関係の一例を示す。本図においては、記録再生素子５０近傍が磁気ディスク３に近づく方向を正方向としている。浮上量調整機構５１に電力をＥｍＷ印加すると、磁気ヘッドスライダ５の浮上量はＤｎｍだけ低下する。このときの低下量の勾配Ｉは、約０．０４ｎｍ／ｍＷであり、Ｄ＝ＩＥという関係式が成り立つ。浮上量制御機構５１は、この関係式に従って記録再生素子５０を所望の高さとなるように磁気ヘッドスライダ５の浮上量を制御する。所望の浮上量とは、磁気ヘッドスライダ５が磁気ディスク３に接触せず、かつ、記録再生素子５０が磁気ディスク３の記録面にできるだけ近接するような浮上量である。

図７に、記録再生素子５０近傍の温度Ｔと記録再生素子５０近傍の突出量ｄの関係の一例を示す。本図においては、磁気ディスク装置を設計する上で想定している温度ｔを室温である２５°Ｃとし、そのときのサーマルプロトリュージョン現象による突出量ｄをゼロとしている。また、記録再生素子５０近傍が磁気ディスク３に近づく方向を正方向としている。記録再生素子５０近傍の温度Ｔが、例えば磁気ディスク装置１の温度上昇に伴い同様に上昇すると、記録再生素子５０近傍が磁気ディスク３の方向にｄｎｍだけ突出する。このときの突出量の勾配ｉは、約０．０７ｎｍ／°Ｃであり、ｄ＝ｉ（Ｔ−ｔ）という関係式が成り立つ。

磁気ディスク装置内における磁気ヘッドスライダ５の浮上量は、図６に示した浮上量調整機構５１による突出量Ｄに加えて、図７で示した記録再生素子５０の温度変化によるサーマルプロトリュージョン現象による突出量ｄの合計分だけ変化する。つまり、実際の浮上量の変化量はＤ＋ｄｎｍである。磁気ディスク装置１が磁気ディスク装置を設計する上で想定している温度ｔで動作している場合には、サーマルプロトリュージョン現象による突出量ｄが０ｎｍであることから、磁気ヘッドスライダ５の浮上量は所望の高さへと制御され、安定した記録再生を行うことができる。しかしながら、磁気ディスク装置１の温度が変化した場合には、磁気ヘッドスライダ５の浮上量はｄｎｍだけさらに変化し、磁気ディスク装置１の温度がｔよりも高くなった場合、磁気ヘッドスライダ５がｄｎｍ磁気ディスクに近づきすぎ、また、磁気ディスク装置１の温度がｔよりも低くなった場合には、磁気ヘッドスライダがｄｎｍ磁気ディスクから遠ざかる。

この磁気ディスク装置の温度Ｔの変化に伴うサーマルプロトリュージョン現象による突出量ｄの影響を無くし、磁気ヘッドスライダ５の浮上量を所望の高さとするためには、浮上量調整機構５１に印加する電力Ｅをｅ＝Ｅ−ｉ（Ｔ−ｔ）／Ｉとすればよい。このようにすることで、Ｄ＋ｄ＝Ｉｅ＋ｉ（Ｔ−ｔ）、すなわちＤ＋ｄ＝Ｉ｛Ｅ−ｉ（Ｔ−ｔ）／Ｉ｝＋ｉ（Ｔ−ｔ）、Ｄ＋ｄ＝ＩＥとなる。

具体的な例として、磁気ディスク装置１の温度が、室温よりも高い場合、すなわち、温度センサ１０により、磁気ディスク装置１の温度が、室温よりも高く計測された場合、記録再生素子５０近傍の温度も上昇する。この温度の増加に伴う記録再生素子５０の温度上昇は、図７に示す突出量ｄのような割合で記録再生素子５０近傍の突出を引き起こし、磁気ヘッドスライダ５が磁気ディスク３に接触する可能性を引き起こす。この場合には、浮上量調整機構５１に印加する電力値を通常の温度の時と比較して少なくする。例えば、磁気ディスク装置１の温度が、起動時には室温である２５°Ｃであり、記録再生素子５０近傍の温度も室温であった場合において、磁気ディスク装置１の長時間の運転等により、磁気ディスク装置１の温度が６０°Ｃにまで上昇した場合、記録再生素子５０の温度も同様に上昇する。この温度の上昇により、記録再生素子５０近傍は、室温時と比較して約２．４５ｎｍ突出する。

図８に記録再生素子５０近傍の温度Ｔと浮上量調整機構５１に印加する電力調整量との関係を示す。上記のように記録再生素子５０の近傍が約２．４５ｎｍ突出した場合には、浮上量調整機構５１に印加する電力を、図８に示すように、室温時と比較して、約６１．３ｍＷ低く設定する。こうすることにより、磁気ヘッドスライダ５の浮上量は磁気ディスク装置１の温度の変化により突出量が増加しても、浮上量調整機構５１により適切に補正され、磁気ディスク３に接触することは無い。

逆に、磁気ディスク装置１の温度が、室温よりも低い場合、すなわち、温度センサ１０により、磁気ディスク装置１の温度が、室温よりも低く計測された場合には、記録再生素子５０近傍の温度も低下する。この温度の低下に伴う記録再生素子５０の温度低下は、記録再生素子５０近傍の凹みを引き起こす。このような場合には、浮上量調整機構５１に印加する電力値を通常の温度の時と比較して多くする。こうすることにより、磁気ディスク装置１の温度が減少しても、記録再生素子５０を磁気ディスク３に近接させることができ、安定した記録再生を行うことができる。

以上の制御方法をフローチャートにしたのが図１である。磁気ディスク装置１の起動時には、ＭＰＵ１２内のメモリから通常（室温）の電力値を読み込み動作を開始する（ステップ１００）。温度センサ１０は磁気ディスク装置内の温度を計測しＭＰＵ１２に転送する（ステップ１０１）。ＭＰＵ１２は温度センサ１０から転送されてくる温度に応じて浮上量調整機構５１に印加する電力値を算出する（ステップ１０２）。ＭＰＵ１２は算出した電力値に応じて浮上量調整機構５１に印加する電力を増減する（ステップ１０３）。浮上量調整機構５１により制御（補正）された浮上量にて、磁気ヘッドスライダ５は磁気ディスク３に対して記録再生を行う（ステップ１０４）。温度が変化する毎に、上記ステップ１０１、１０２、１０３が繰り返される。

このように、磁気ディスク装置１の温度の増加に伴い記録再生素子５０近傍の温度が上昇した場合においても、磁気ヘッドスライダ５が磁気ディスク３と接触せず、また温度が低下した場合にも、記録再生素子５０を磁気ディスク３に近接させることができ、安定した記録再生が可能となる。

なお、上記実施例では記録再生素子５０近傍の温度検出に、制御回路基板９に元々実装されている温度センサ１０を用いる場合について説明したが、これに限られることはなく、磁気ヘッドスライダ５そのものに温度センサを取り付けても良く、ベース２の適当な箇所に取り付けても良い。また、記録再生素子５０の内部抵抗の変化を検出することにより、記録再生素子５０そのものの温度を検出することも可能である。

上記実施例では、環境温度の変化により、記録再生素子５０近傍が変形（凹凸）する場合について説明した。記録再生素子近傍の温度は、環境温度以外の要因でも変化する。例えば、磁気情報の記録を行う場合、記録再生素子５０のコイルに電流を印加するが、本来記録を行うためのコイルが、印加電流により発熱し、記録再生素子５０近傍が突出する。このような場合においても、浮上量調整機構５１に印加する電力を低くすることにより、磁気ヘッドスライダ５の浮上量を一定に維持することができる。このときの記録再生素子５０近傍の突出量勾配は、記録再生素子のコイルのインピーダンス、印加電流の周波数、印加電流値より算出することができる。

さらに、上記本実施例においては、Ｉを約０．０４ｎｍ／ｍＷ、ｔを室温である２５°Ｃ、ｉを約０．０７ｎｍ／°Ｃとした例を用いて説明を行ったが、これらの数値が異なった場合においても本発明が有効であることは言うまでもない。また、本実施例では、電力値Ｅと浮上制御量Ｄの関係および、記録再生素子近傍の温度Ｔと記録再生素子近傍の突出量ｄの関係が線形である場合について説明を行ったが、これらの関係が線形に近似できる関係である場合についても同様の結果が得られることは言うまでもない。

以上説明したように、熱源による浮上量制御機構を備えた磁気ディスク装置において、磁気ディスク装置の温度が変化した場合においても、磁気ヘッドスライダと磁気ディスクが接触することなく、浮上量調整機構による浮上量の調整値を適切な量とすることができ、記録再生素子と磁気ディスクとの距離を適切に制御することが可能となり、磁気ディスク装置の信頼性を保ちながら、磁気ディスク装置の大容量化を実現することができる。

本発明の一実施例による磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法のフローチャートである。 本発明の一実施例による磁気ディスク装置の概略構成図である。 本発明の一実施例による磁気ディスク装置のブロック構成図である。 本発明の一実施例に係る磁気ヘッドスライダの浮上面から見た構成図である。 図４のＡ−Ａ線拡大断面図である。 浮上量調整機構に印加した電力値と、浮上量の制御量との関係を示す図である。 記録再生素子近傍の温度と、記録再生素子近傍の突出量との関係を示す図である。 記録再生素子近傍の温度と、印加電力調整量との関係を示す図である。

符号の説明

１…磁気ディスク装置、２…ベース、３…磁気ディスク、４…スピンドルモータ、５…磁気ヘッドスライダ、６…サスペンション、７…アクチュエータ、８…ＶＣＭ、９…制御回路基板、１０…温度センサ、１１…ランプ、１２…制御部（ＭＰＵ）、５０…記録再生素子、５１…浮上量調整機構、５２…絶縁膜。

Claims (13)

1. 磁気ディスクと、該磁気ディスクに近接浮上し情報を記録または再生する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダの記録再生素子近傍に配置され当該磁気ヘッドスライダの浮上量を制御する熱源を有する浮上量調整機構とを有する磁気ディスク装置の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法であって、前記磁気ディスク装置の温度を検出し、検出した温度における前記記録再生素子の前記磁気ヘッドスライダに対する変形量を算出し、算出した変形量を補正するための電力値を算出し、算出した電力値を前記浮上量調整機構に供給することを特徴とする磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法。
2. 前記変形量は突出量あるいは凹み量であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法。
3. 前記記録再生素子の突出量が１°Ｃあたりｉｎｍで、前記浮上量調整機構の浮上制御量が印加電力ｌｍＷあたりＩｎｍである場合、前記装置内部の温度が当初のｔ°ＣからＴ°Ｃに上昇したときは、前記浮上量調整機構に供給する電力をｉ（Ｔ−ｔ）／Ｉだけ減らすことを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法。
4. 前記記録再生素子の凹み量が１°Ｃあたりｉｎｍで、前記浮上量調整機構の浮上制御量が印加電力ｌｍＷあたりＩｎｍである場合、前記装置内部の温度が当初のｔ°ＣからＴ°Ｃに低下したときは、前記浮上量調整機構に供給する電力をｉ（Ｔ−ｔ）／Ｉだけ増やすことを特徴とする請求項２記載の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法。
5. 前記磁気ディスク装置の温度は、磁気ディスク装置内部の温度であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法。
6. 前記磁気ディスク装置の温度は、前記磁気記録再生素子近傍の温度であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法。
7. 前記磁気ヘッドスライダが前記磁気ディスクに情報を記録する場合は、再生する場合に比べて前記浮上量調整機構に供給する電力を減らすことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドスライダの浮上量制御方法。
8. 磁気ディスクと、該磁気ディスクに近接浮上し情報を記録または再生する磁気ヘッドスライダと、該磁気ヘッドスライダの記録再生素子近傍に配置され当該磁気ヘッドスライダの浮上量を制御する熱源を有する浮上量調整機構と、温度検出センサと、前記各部位を制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記温度センサが検出した温度に基づき、前記記録再生素子の前記磁気ヘッドスライダに対する変形量を算出し、算出した変形量を補正するための電力値を算出し、算出した電力値を前記浮上量調整機構に供給することを特徴とする磁気ディスク装置。
9. 前記変形量は突出量あるいは凹み量であることを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク装置。
10. 前記温度センサは、前記制御部が実装されている制御回路基板に設けられていることを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク装置。
11. 前記温度センサは、磁気ディスク装置内に設けられていることを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク装置。
12. 前記温度センサは、前記磁気ヘッドスライダに設けられていることを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク装置。
13. 前記温度センサは、前記記録再生素子の抵抗変化から当該記録再生素子の温度を検出する手段であることを特徴とする請求項８記載の磁気ディスク装置。
    

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