JP2001023106A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
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- G11B33/144—Reducing the influence of the temperature by detection, control, regulation of the temperature
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
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- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
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- G11B5/035—Equalising
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は磁気ディスク装置に関し、磁気抵抗
効果素子に供給するセンス電流を、磁気ディスク装置の
所望の保証寿命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本
来の性能を最大限に発揮させることができるように制御
することを目的とする。 【解決手段】 磁気抵抗効果素子及び磁気ディスクを収
納する筐体と、筐体内の温度を検出する温度検出手段
と、磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出する抵抗検出手段
と、検出された温度及び抵抗値に基づいて、磁気抵抗効
果素子へ供給するセンス電流を制御する電流制御手段と
を備えるように構成する。
効果素子に供給するセンス電流を、磁気ディスク装置の
所望の保証寿命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本
来の性能を最大限に発揮させることができるように制御
することを目的とする。 【解決手段】 磁気抵抗効果素子及び磁気ディスクを収
納する筐体と、筐体内の温度を検出する温度検出手段
と、磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出する抵抗検出手段
と、検出された温度及び抵抗値に基づいて、磁気抵抗効
果素子へ供給するセンス電流を制御する電流制御手段と
を備えるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置に
係り、特に磁気抵抗効果素子を用いたヘッドを備えた磁
気ディスク装置に関する。近年、磁気ディスク装置で
は、高出力が得られる等の理由から、再生ヘッドとして
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）が利用されるようになっ
た。ＭＲ素子は、磁気ディスク上に記録された磁気情報
に応じて抵抗が変化し、センス電流を磁気抵抗効果素子
に供給してこの抵抗の変化を検出することにより、磁気
ディスク上の情報を再生する。
係り、特に磁気抵抗効果素子を用いたヘッドを備えた磁
気ディスク装置に関する。近年、磁気ディスク装置で
は、高出力が得られる等の理由から、再生ヘッドとして
磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）が利用されるようになっ
た。ＭＲ素子は、磁気ディスク上に記録された磁気情報
に応じて抵抗が変化し、センス電流を磁気抵抗効果素子
に供給してこの抵抗の変化を検出することにより、磁気
ディスク上の情報を再生する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果素子を用いる従来の磁気デ
ィスク装置では、磁気抵抗効果素子の寿命の観点から、
高温環境下で所定の特性が得られ、且つ、所望の寿命が
得られるようにセンス電流が設定されており、通常は出
荷時等にセンス電流が固定されていた。
ィスク装置では、磁気抵抗効果素子の寿命の観点から、
高温環境下で所定の特性が得られ、且つ、所望の寿命が
得られるようにセンス電流が設定されており、通常は出
荷時等にセンス電流が固定されていた。
【０００３】つまり、従来の磁気ディスク装置では、磁
気抵抗効果素子が磁気ディスク装置の保証寿命を満足す
るように、高温環境下でも保証寿命を満足できる値まで
センス電流を抑えて設定していた。
気抵抗効果素子が磁気ディスク装置の保証寿命を満足す
るように、高温環境下でも保証寿命を満足できる値まで
センス電流を抑えて設定していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の磁気デ
ィスク装置では、常温や低温環境下では設定されたセン
ス電流より大きな電流を流すことが可能であるにも拘わ
らず、高温環境下で磁気ディスク装置の保証寿命を満足
できる電流しか流さないため、磁気抵抗効果素子の持つ
本来の性能を十分発揮できないという問題があった。
ィスク装置では、常温や低温環境下では設定されたセン
ス電流より大きな電流を流すことが可能であるにも拘わ
らず、高温環境下で磁気ディスク装置の保証寿命を満足
できる電流しか流さないため、磁気抵抗効果素子の持つ
本来の性能を十分発揮できないという問題があった。
【０００５】そこで、本発明は、磁気抵抗効果素子に供
給するセンス電流を、磁気ディスク装置の所望の保証寿
命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本来の性能を最
大限に発揮させることができるように制御することが可
能な磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
給するセンス電流を、磁気ディスク装置の所望の保証寿
命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本来の性能を最
大限に発揮させることができるように制御することが可
能な磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、磁気抵抗
効果素子及び磁気ディスクを収納する筐体と、該筐体内
の温度を検出する温度検出手段と、該磁気抵抗効果素子
の抵抗値を検出する抵抗検出手段と、検出された温度及
び抵抗値に基づいて、該磁気抵抗効果素子へ供給するセ
ンス電流を制御する電流制御手段とを備えた磁気ディス
ク装置によって達成される。本発明によれば、磁気抵抗
効果素子に供給するセンス電流を、磁気ディスク装置の
所望の保証寿命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本
来の性能を最大限に発揮させることができるように制御
することが可能となる。
効果素子及び磁気ディスクを収納する筐体と、該筐体内
の温度を検出する温度検出手段と、該磁気抵抗効果素子
の抵抗値を検出する抵抗検出手段と、検出された温度及
び抵抗値に基づいて、該磁気抵抗効果素子へ供給するセ
ンス電流を制御する電流制御手段とを備えた磁気ディス
ク装置によって達成される。本発明によれば、磁気抵抗
効果素子に供給するセンス電流を、磁気ディスク装置の
所望の保証寿命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本
来の性能を最大限に発揮させることができるように制御
することが可能となる。
【０００７】前記電流制御手段は、検出された温度が所
定温度以下の場合は該所定温度より大きい場合よりセン
ス電流を大きく設定しても良い。この場合、磁気抵抗効
果素子の本来の性能を最大限に発揮させることができ
る。前記電流制御手段は、予め設定された所定センス電
流との差電流が温度及び抵抗値毎に保持されたテーブル
を備え、検出された温度及び抵抗値に応じた差電流を該
テーブルから読み出して該所定センス電流に加算したセ
ンス電流を前記磁気抵抗効果素子に流す構成としても良
い。この場合、比較的簡単な構成で、センス電流を適切
に制御することができる。
定温度以下の場合は該所定温度より大きい場合よりセン
ス電流を大きく設定しても良い。この場合、磁気抵抗効
果素子の本来の性能を最大限に発揮させることができ
る。前記電流制御手段は、予め設定された所定センス電
流との差電流が温度及び抵抗値毎に保持されたテーブル
を備え、検出された温度及び抵抗値に応じた差電流を該
テーブルから読み出して該所定センス電流に加算したセ
ンス電流を前記磁気抵抗効果素子に流す構成としても良
い。この場合、比較的簡単な構成で、センス電流を適切
に制御することができる。
【０００８】前記電流制御手段は、検出された温度を
Ｔ、検出された抵抗値をＭＲＲ、定数をｃ１〜ｃ６で表
すと、 Ｉｓ＝Ａ＊ＭＲＲB Ａ＝ｃ１＊Ｔ2+ｃ２＊Ｔ+ ｃ３ Ｂ＝ｃ４＊Ｔ2+ｃ５＊Ｔ+ ｃ６ なる関数で表されるセンス電流Ｉｓを前記磁気抵抗効果
素子に流す構成としても良い。この場合、比較的簡単な
構成で、センス電流を適切に制御することができる。
Ｔ、検出された抵抗値をＭＲＲ、定数をｃ１〜ｃ６で表
すと、 Ｉｓ＝Ａ＊ＭＲＲB Ａ＝ｃ１＊Ｔ2+ｃ２＊Ｔ+ ｃ３ Ｂ＝ｃ４＊Ｔ2+ｃ５＊Ｔ+ ｃ６ なる関数で表されるセンス電流Ｉｓを前記磁気抵抗効果
素子に流す構成としても良い。この場合、比較的簡単な
構成で、センス電流を適切に制御することができる。
【０００９】前記電流制御手段は、所定時間毎にセンス
電流を制御する構成としても良い。又、前記電流制御手
段は、読み取りエラーが所定回数検出されるとセンス電
流を制御する構成としても良い。これらの場合、磁気デ
ィ数装置の用途に合わせてセンス電流の制御タイミング
を決定することができる。尚、前記磁気ディスクには、
該磁気ディスク上のトラックを追従するためのサーボ信
号が記録されたサーボフレーム部が設けられ、前記電流
制御手段は、該サーボフレーム部を読み取る時にはセン
ス電流を初期値に設定する構成としても良い。この場
合、初期状態として、センス電流を、予め求められてい
る理論上の最適値である初期値に設定することができ
る。
電流を制御する構成としても良い。又、前記電流制御手
段は、読み取りエラーが所定回数検出されるとセンス電
流を制御する構成としても良い。これらの場合、磁気デ
ィ数装置の用途に合わせてセンス電流の制御タイミング
を決定することができる。尚、前記磁気ディスクには、
該磁気ディスク上のトラックを追従するためのサーボ信
号が記録されたサーボフレーム部が設けられ、前記電流
制御手段は、該サーボフレーム部を読み取る時にはセン
ス電流を初期値に設定する構成としても良い。この場
合、初期状態として、センス電流を、予め求められてい
る理論上の最適値である初期値に設定することができ
る。
【００１０】従って、本発明によれば、磁気抵抗効果素
子に供給するセンス電流を、磁気ディスク装置の所望の
保証寿命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本来の性
能を最大限に発揮させることができるように制御するこ
とが可能となる。
子に供給するセンス電流を、磁気ディスク装置の所望の
保証寿命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本来の性
能を最大限に発揮させることができるように制御するこ
とが可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明になる磁気ディス
ク装置の実施例を、図面と共に説明する。
ク装置の実施例を、図面と共に説明する。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明になる磁気ディスク装置の一
実施例の要部を示すブロック図である。同図中、磁気デ
ィスク装置は大略ＭＰＵ１と、アナログ/ ディジタル
（Ａ/ Ｄ）コンバータ２と、ディスクエンクロージャ３
とからなる。ディスクエンクロージャ３内には、ハブ１
１、ピックアップ部１２、ヘッドＩＣ１３、温度センサ
１４等が設けられている。１又は複数の磁気ディスク
（１つのみ図示）２０は、ハブ１１に固定されてモータ
（図示せず）により周知の方法で回転される。ピックア
ップ部１２は、アーム１６と、アーム１６の先端に設け
られたヘッド１７等からなる。本実施例では、ヘッド１
７は磁気抵抗効果素子からなる再生ヘッド部と、インダ
クティブ素子からなる記録ヘッド部とからなる。
実施例の要部を示すブロック図である。同図中、磁気デ
ィスク装置は大略ＭＰＵ１と、アナログ/ ディジタル
（Ａ/ Ｄ）コンバータ２と、ディスクエンクロージャ３
とからなる。ディスクエンクロージャ３内には、ハブ１
１、ピックアップ部１２、ヘッドＩＣ１３、温度センサ
１４等が設けられている。１又は複数の磁気ディスク
（１つのみ図示）２０は、ハブ１１に固定されてモータ
（図示せず）により周知の方法で回転される。ピックア
ップ部１２は、アーム１６と、アーム１６の先端に設け
られたヘッド１７等からなる。本実施例では、ヘッド１
７は磁気抵抗効果素子からなる再生ヘッド部と、インダ
クティブ素子からなる記録ヘッド部とからなる。
【００１３】図２は、ディスクエンクロージャ３の蓋を
取り除いた状態を示す平面図である。同図中、図１と同
一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図２
中、３１は、ディスクエンクロージャ３の筐体３１を示
す。ＭＰＵ１は、磁気ディスク装置全体の動作を制御す
るために設けられている。Ａ/ Ｄコンバータ２は、筐体
３１内の温度を検出する温度センサ１４からの温度検出
信号をディジタル信号に変換してＭＰＵ１に入力する。
ヘッドＩＣ１３は、再生時にはヘッド１７の磁気抵抗効
果素子にセンス電流を供給して磁気抵抗効果素子の抵抗
値を読み取る機能を有すると共に、記録時にはヘッド１
７のインダクティブ素子にＭＰＵ１から供給される記録
情報に応じた電流を供給する機能を有する。尚、ヘッド
ＩＣ１３は、ＭＰＵ１から供給されるアドレスに応じて
アーム１６を駆動する周知の機能も有するが、この機能
は本発明の要旨に直接関係がないため、その詳細な説明
は省略する。
取り除いた状態を示す平面図である。同図中、図１と同
一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図２
中、３１は、ディスクエンクロージャ３の筐体３１を示
す。ＭＰＵ１は、磁気ディスク装置全体の動作を制御す
るために設けられている。Ａ/ Ｄコンバータ２は、筐体
３１内の温度を検出する温度センサ１４からの温度検出
信号をディジタル信号に変換してＭＰＵ１に入力する。
ヘッドＩＣ１３は、再生時にはヘッド１７の磁気抵抗効
果素子にセンス電流を供給して磁気抵抗効果素子の抵抗
値を読み取る機能を有すると共に、記録時にはヘッド１
７のインダクティブ素子にＭＰＵ１から供給される記録
情報に応じた電流を供給する機能を有する。尚、ヘッド
ＩＣ１３は、ＭＰＵ１から供給されるアドレスに応じて
アーム１６を駆動する周知の機能も有するが、この機能
は本発明の要旨に直接関係がないため、その詳細な説明
は省略する。
【００１４】本実施例では、ディスクエンクロージャ３
内に温度センサ１４が設けられており、ＭＰＵ１がセン
ス電流を制御する点に特徴がある。従って、温度センサ
１４を除く磁気ディスク装置の基本構成は、図１及び図
２に示す構成に限定されるものではなく、本実施例で
は、各種構成の磁気ディスク装置を用いることができる
ことは言うまでもない。
内に温度センサ１４が設けられており、ＭＰＵ１がセン
ス電流を制御する点に特徴がある。従って、温度センサ
１４を除く磁気ディスク装置の基本構成は、図１及び図
２に示す構成に限定されるものではなく、本実施例で
は、各種構成の磁気ディスク装置を用いることができる
ことは言うまでもない。
【００１５】次に、本実施例の動作を、図３と共に説明
する。図３は、本実施例の動作を説明するためのフロー
チャートであり、図１に示すＭＰＵ１の処理に対応す
る。図３において、ステップ１０１は、センス電流の制
御を行うタイミングであるか否かを判定する。具体的に
は、ステップ１０１は、（ア）ＭＰＵ１又はＭＰＵ１に
接続されたホスト装置（図示せず）により設定された任
意のタイミングであるか否か、（イ）予め設定された所
定時間が経過したか否か、（ウ）読み取りエラーが所定
回数検出されたか否か等を判定する。読み取りエラー
は、周知の方法で、ヘッドＩＣ１３及び/ 又はＭＰＵ１
により検出可能であり、検出された読み取りエラーは、
例えばＭＰＵ１内のカウンタにより計数可能である。
する。図３は、本実施例の動作を説明するためのフロー
チャートであり、図１に示すＭＰＵ１の処理に対応す
る。図３において、ステップ１０１は、センス電流の制
御を行うタイミングであるか否かを判定する。具体的に
は、ステップ１０１は、（ア）ＭＰＵ１又はＭＰＵ１に
接続されたホスト装置（図示せず）により設定された任
意のタイミングであるか否か、（イ）予め設定された所
定時間が経過したか否か、（ウ）読み取りエラーが所定
回数検出されたか否か等を判定する。読み取りエラー
は、周知の方法で、ヘッドＩＣ１３及び/ 又はＭＰＵ１
により検出可能であり、検出された読み取りエラーは、
例えばＭＰＵ１内のカウンタにより計数可能である。
【００１６】ステップ１０１の判定結果がＮＯである
と、処理はステップ１０１へ戻る。他方、ステップ１０
１の判定結果がＹＥＳであると、ステップ１０２は、Ａ
/ Ｄコンバータ２を介して得られる温度センサ１４から
の検出温度と、ヘッドＩＣ１３を介して得られる磁気抵
抗効果素子の抵抗値を読み込む。ステップ１０３は、温
度及び抵抗値に基づいて、ヘッドＩＣ１３を介してヘッ
ド１７の磁気抵抗効果素子に供給するセンス電流を制御
し、処理は終了する。具体的には、例えば以下の手順
（あ）〜（う）等により、センス電流を制御する。
と、処理はステップ１０１へ戻る。他方、ステップ１０
１の判定結果がＹＥＳであると、ステップ１０２は、Ａ
/ Ｄコンバータ２を介して得られる温度センサ１４から
の検出温度と、ヘッドＩＣ１３を介して得られる磁気抵
抗効果素子の抵抗値を読み込む。ステップ１０３は、温
度及び抵抗値に基づいて、ヘッドＩＣ１３を介してヘッ
ド１７の磁気抵抗効果素子に供給するセンス電流を制御
し、処理は終了する。具体的には、例えば以下の手順
（あ）〜（う）等により、センス電流を制御する。
【００１７】手順（あ）： この場合、温度センサ１４
により検出された温度が所定温度以下の場合は、この所
定温度より大きい場合よりセンス電流を大きく設定する
ように、センス電流を制御する。 手順（い）： この場合、ＭＰＵ１は、予め設定された
所定センス電流との差電流が温度及び抵抗値毎に保持さ
れたテーブルを備える。温度センサ１４により検出され
た温度及びヘッドＩＣ１３を介して検出された抵抗値に
応じた差電流は、このテーブルから読み出されて、上記
所定センス電流に加算する。このようにして得られるセ
ンス電流が磁気抵抗効果素子に供給されるように、セン
ス電流が制御される。
により検出された温度が所定温度以下の場合は、この所
定温度より大きい場合よりセンス電流を大きく設定する
ように、センス電流を制御する。 手順（い）： この場合、ＭＰＵ１は、予め設定された
所定センス電流との差電流が温度及び抵抗値毎に保持さ
れたテーブルを備える。温度センサ１４により検出され
た温度及びヘッドＩＣ１３を介して検出された抵抗値に
応じた差電流は、このテーブルから読み出されて、上記
所定センス電流に加算する。このようにして得られるセ
ンス電流が磁気抵抗効果素子に供給されるように、セン
ス電流が制御される。
【００１８】手順（う）： この場合、検出された温度
をＴ、検出された抵抗値をＭＲＲ、定数をｃ１〜ｃ６で
表すと、 Ｉｓ＝Ａ＊ＭＲＲB Ａ＝ｃ１＊Ｔ2+ｃ２＊Ｔ+ ｃ３ Ｂ＝ｃ４＊Ｔ2+ｃ５＊Ｔ+ ｃ６ なる関数で表されるセンス電流Ｉｓを前記磁気抵抗効果
素子に流すように、センス電流を制御する。
をＴ、検出された抵抗値をＭＲＲ、定数をｃ１〜ｃ６で
表すと、 Ｉｓ＝Ａ＊ＭＲＲB Ａ＝ｃ１＊Ｔ2+ｃ２＊Ｔ+ ｃ３ Ｂ＝ｃ４＊Ｔ2+ｃ５＊Ｔ+ ｃ６ なる関数で表されるセンス電流Ｉｓを前記磁気抵抗効果
素子に流すように、センス電流を制御する。
【００１９】尚、磁気ディスク２０には、磁気ディスク
２０上のトラックを追従するためのサーボ信号が記録さ
れたサーボフレーム部が設けられている。そこで、本実
施例の変形例として、サーボフレーム部を読み取る時に
はセンス電流を初期値に設定するようにしても良い。図
４は、この変形例の動作を説明するためのフローチャー
トである。同図中、図３と同一ステップには同一符号を
付し、その説明は省略する。
２０上のトラックを追従するためのサーボ信号が記録さ
れたサーボフレーム部が設けられている。そこで、本実
施例の変形例として、サーボフレーム部を読み取る時に
はセンス電流を初期値に設定するようにしても良い。図
４は、この変形例の動作を説明するためのフローチャー
トである。同図中、図３と同一ステップには同一符号を
付し、その説明は省略する。
【００２０】図４において、ステップ２０１は、周知の
方法で、サーボフレームが読み取られているか否かを判
定する。ステップ２０１の判定結果がＹＥＳであると、
ステップ２０２は、センス電流を予め求められている理
論上の最適値である初期値に設定する。ステップ２０１
の判定結果がＮＯ又はステップ２０２の後、処理はステ
ップ１０２へ進む。
方法で、サーボフレームが読み取られているか否かを判
定する。ステップ２０１の判定結果がＹＥＳであると、
ステップ２０２は、センス電流を予め求められている理
論上の最適値である初期値に設定する。ステップ２０１
の判定結果がＮＯ又はステップ２０２の後、処理はステ
ップ１０２へ進む。
【００２１】ところで、上記実施例及び変形例では、Ｍ
ＰＵ１及びＡ/ Ｄコンバータ２がディスクエンクロージ
ャ３の外に設けられている。しかし、ＭＰＵ１及びＡ/
Ｄコンバータ２は、ディスクエンクロージャ３内に設け
られた構成を用いても良いことは、言うまでもない。
又、ディスクエンクロージャによっては、ＣＰＵを内臓
しているものもあり、そのような場合には、このＣＰＵ
により図３又は図４に示すＭＰＵ１の動作を行わせるこ
とも可能である。
ＰＵ１及びＡ/ Ｄコンバータ２がディスクエンクロージ
ャ３の外に設けられている。しかし、ＭＰＵ１及びＡ/
Ｄコンバータ２は、ディスクエンクロージャ３内に設け
られた構成を用いても良いことは、言うまでもない。
又、ディスクエンクロージャによっては、ＣＰＵを内臓
しているものもあり、そのような場合には、このＣＰＵ
により図３又は図４に示すＭＰＵ１の動作を行わせるこ
とも可能である。
【００２２】尚、既存の磁気ディスク装置には、温度セ
ンサが設けられているものもある。このような磁気ディ
スク装置では、温度センサで検出された温度に応じて、
例えばヘッドＩＣ内の回路の特性を調整したり、ヘッド
の入出力波形等を調整したりする。このような磁気ディ
スク装置に本発明を適用する場合、温度センサは共有で
きるため、ＭＰＵの動作フローの変更のみで本発明によ
るセンス電流の制御が可能となる。
ンサが設けられているものもある。このような磁気ディ
スク装置では、温度センサで検出された温度に応じて、
例えばヘッドＩＣ内の回路の特性を調整したり、ヘッド
の入出力波形等を調整したりする。このような磁気ディ
スク装置に本発明を適用する場合、温度センサは共有で
きるため、ＭＰＵの動作フローの変更のみで本発明によ
るセンス電流の制御が可能となる。
【００２３】以上、本発明を実施例により説明したが、
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明
の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは、言
うまでもない。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗効果素子に供
給するセンス電流を、磁気ディスク装置の所望の保証寿
命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本来の性能を最
大限に発揮させることができるように制御することが可
能となる。
給するセンス電流を、磁気ディスク装置の所望の保証寿
命が得られ、且つ、磁気抵抗効果素子の本来の性能を最
大限に発揮させることができるように制御することが可
能となる。
【図１】本発明になる磁気ディスク装置の一実施例の要
部を示すブロック図である。
部を示すブロック図である。
【図２】ディスクエンクロージャの蓋を取り除いた状態
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】実施例の動作を説明するためのフローチャート
である。
である。
【図４】実施例の変形例の動作を説明するためのフロー
チャートである。
チャートである。
１ ＭＰＵ ２ Ａ/ Ｄコンバータ ３ ディスクエンクロージャ １３ ヘッドＩＣ １４ 温度センサ １７ ヘッド ２０ 磁気ディスク
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子及び磁気ディスクを収
納する筐体と、 該筐体内の温度を検出する温度検出手段と、 該磁気抵抗効果素子の抵抗値を検出する抵抗検出手段
と、 検出された温度及び抵抗値に基づいて、該磁気抵抗効果
素子へ供給するセンス電流を制御する電流制御手段とを
備えた、磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 前記電流制御手段は、検出された温度が
所定温度以下の場合は該所定温度より大きい場合よりセ
ンス電流を大きく設定する、請求項１記載の磁気ディス
ク装置。 - 【請求項３】 前記電流制御手段は、予め設定された所
定センス電流との差電流が温度及び抵抗値毎に保持され
たテーブルを備え、検出された温度及び抵抗値に応じた
差電流を該テーブルから読み出して該所定センス電流に
加算したセンス電流を前記磁気抵抗効果素子に流す、請
求項１記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 前記電流制御手段は、検出された温度を
Ｔ、検出された抵抗値をＭＲＲ、定数をｃ１〜ｃ６で表
すと、 Ｉｓ＝Ａ＊ＭＲＲB Ａ＝ｃ１＊Ｔ2+ｃ２＊Ｔ+ ｃ３ Ｂ＝ｃ４＊Ｔ2+ｃ５＊Ｔ+ ｃ６ なる関数で表されるセンス電流Ｉｓを前記磁気抵抗効果
素子に流す、請求項１記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記電流制御手段は、所定時間毎にセン
ス電流を制御する、請求項１〜４のいずれか１項記載の
磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 前記電流制御手段は、読み取りエラーが
所定回数検出されるとセンス電流を制御する、請求項１
〜４のいずれか１項記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 前記磁気ディスクには、該磁気ディスク
上のトラックを追従するためのサーボ信号が記録された
サーボフレーム部が設けられ、前記電流制御手段は、該
サーボフレーム部を読み取る時にはセンス電流を初期値
に設定する、請求項１〜６のいずれか１項記載の磁気デ
ィスク装置。
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| JP11192314A JP2001023106A (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 磁気ディスク装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11192314A JP2001023106A (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 磁気ディスク装置 |
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ID=16289231
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| JP (1) | JP2001023106A (ja) |
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2000
- 2000-03-16 US US09/527,533 patent/US6608728B1/en not_active Expired - Fee Related
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