KR100725984B1 - 터널링 자기 저항 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한방법과 장치 - Google Patents

터널링 자기 저항 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한방법과 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100725984B1
KR100725984B1 KR1020060048547A KR20060048547A KR100725984B1 KR 100725984 B1 KR100725984 B1 KR 100725984B1 KR 1020060048547 A KR1020060048547 A KR 1020060048547A KR 20060048547 A KR20060048547 A KR 20060048547A KR 100725984 B1 KR100725984 B1 KR 100725984B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
head
regeneration
tumr
resistance value
temperature
Prior art date
Application number
KR1020060048547A
Other languages
English (en)
Inventor
김명미
이지영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060048547A priority Critical patent/KR100725984B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100725984B1 publication Critical patent/KR100725984B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature 
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
    • G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
    • G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
    • G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
    • G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
    • G11B2005/0018—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers by current biasing control or regulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

터널링 자기 저항 재생 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한 방법과 장치가 제공된다. 헤드 스택 어셈블리 또는 하드 디스크 드라이브는 재생 헤드, 전치 증폭기, 재생 트레이스, 및 PTC 써미스터를 구비한다. 상기 재생 헤드는 디스크에 기록된 정보를 재생한다. 상기 전치 증폭기는 바이어스 전압, 및 온도에 따라 가변되는 상기 재생 헤드의 저항값에 기초하여 상기 재생 헤드의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 소정의 전류를 상기 재생 헤드로 공급한다. 상기 소정의 전류가 흐르는 상기 재생 트레이스와 상기 PTC 써미스터는 상기 재생 헤드와 상기 전치 증폭기 사이에 직렬로 접속된다. 상기 재생 헤드는 온도의 증가에 따라 저항값이 감소하는 재생 헤드이거나, 또는 터널링 자기저항(TuMR) 재생 헤드인 것이 바람직하다.
하드디스크 드라이브, 헤드 스택 어셈블리, PTC 써미스터, TuMR 헤드

Description

터널링 자기 저항 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한 방법과 장치{Method and apparatus for controlling current to supply to TuMR head}
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 상세한 설명이 제공된다.
도 1은 일반적인 TuMR헤드의 온도에 따른 저항값과 전류의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 2는 일반적인 PTC 써미스터의 온도에 따른 저항값과 전류의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 하드디스크 드라이브의 기능 블락도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 재생 헤드로 공급되는 전류를 제한하기 위한 방법에 대한 순서도이다.
본 발명은 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 터널링 자기저항(Tunneling Magneto-Resistance; TuMR) 헤드를 재생 헤드(read head)로써 사용하는 하드 디스크 드라이브에서 상기 재생 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한 방법과 상기 방법을 수행할 수 있는 하드 디스크 드라이브에 관한 것이다.
데이터 저장 장치의 하나인 하드 디스크 드라이브는 호스트(예컨대, PC)로부터 출력된 명령(예컨대, 기록 명령 또는 재생 명령)에 따라, 기록 헤드(Write head)를 통해 디스크에 소정의 정보를 기록(Write)하거나, 재생 헤드(Read head)를 통해 상기 디스크에 기록된 정보를 재생(Read)하게 된다.
이때, 상기 기록 헤드와 상기 재생 헤드는 자기 헤드를 사용함으로써 상기 디스크에 자기장의 방향을 기초로 하여 데이터를 기록하거나 기록된 데이터를 재생하게 된다.
상기 하드 디스크 드라이브가 상기 디스크에 기록된 데이터를 재생하는 경우에 상기 재생 헤드가 상기 디스크에 기록된 자기장의 변화를 감지하기 위해서는 우선 재생 헤드가 동작 가능한 상태가 되어 상기 디스크에 기록된 자기의 변화를 읽어낼 수 있도록 만들어 주어야 한다.
따라서, 상기 하드디스크 드라이브는 상기 재생 헤드를 동작 가능한 상태로 만들어 주고 상기 재생 헤드의 동작을 안정적으로 하기 위해 소정의 동작 전압을 공급하고 유지하여야 한다.
상기 재생 헤드에는 자기의 특성을 이용하는 방법에 따라 거대 자기 저항 현상을 이용하는 거대 자기 저항(Giant Magneto-Resistance; GMR)헤드를 사용하는 방법과 스핀 전자의 터널링 현상을 이용한 터널링 자기 저항(Tunneling Magneto-Resistance; TuMR)헤드를 사용하는 방법이 있다.
종래에는 자기를 디스크 면의 수평 방향으로 기록하는 CIP(Current in Plane)구조를 사용하는 GMR 헤드를 많이 사용하였으나, 최근에는 상기 GMR 헤드보다 재생 감도가 뛰어나고 자기를 디스크 면의 수직 방향으로 기록하고 재생하는 CPP(Current Perpendicular to Plane) 구조를 사용하는 TuMR헤드를 사용한다.
상기 재생 헤드로서 사용하는 자기 헤드는 온도의 변화에 따라 저항값이 변하게 되는데 기존의 GMR 헤드는 온도가 증가함에 따라 저항값도 비례하여 증가하는 특성을 지니고 있는 반면, 상기 TuMR 헤드는 온도의 증가에 따라 저항값이 낮아지고 소정의 온도가 넘게 되면 저항값이 크게 변하는 특성을 지니고 있다.
도 1은 일반적인 TuMR 헤드의 온도에 따른 저항값과 전류의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 1을 참조하면, 온도(T)에 따른 저항값(R)의 변화를 나타내는 그래프(110)에서, 일정 전압하에서 하드 디스크 드라이브 내부 온도가 상승했을 때 TuMR 헤드의 저항값(R)은 온도(T)에 반비례하여 감소하게 되고, 소정의 온도 이상으로 상승하게 되면 상기 TuMR 헤드의 저항값(R)은 큰 폭으로 낮아지게 된다. 결국 온도(T)와 전류(I)와의 관계를 나타내는 그래프(120)에서 보듯이 상기 자기 헤드에 흐르는 전류도 저항값의 변화에 상응하여 큰 폭으로 변하게 됨을 알 수 있다.
따라서, 내부 온도의 증가에 따라 상기 TuMR 헤드로 과도한 전류가 공급되어 상기 TuMR 헤드가 파손될 가능성이 있기 때문에, 하드 디스크 드라이브의 내부 온도의 상승에 따라 상기 TuMR 자기 헤드로 유입되는 전류를 제한할 수 있는 방법이 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 하드 디스크 드라이브의 재생 헤드로 공급되는 전류를 제한하는 방법과 상기 방법을 수행할 수 있는 하드 디스크 드라이브를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 헤드 스택 어셈블리는 재생 헤드, 전치 증폭기, 재생 트레이스, 및 PTC 써미스터를 구비한다.
상기 재생 헤드는 디스크에 기록된 정보를 재생한다. 상기 전치 증폭기는 온도에 따라 가변되는 상기 재생 헤드의 저항값에 기초하여 상기 재생 헤드의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 소정의 전류를 상기 재생 헤드로 공급한다. 상기 소정의 전류가 흐르는 상기 재생 트레이스와 상기 PTC 써미스터는 상기 재생 헤드와 상기 전치 증폭기 사이에 직렬로 접속된다. 상기 재생 헤드는 온도의 증가에 따라 저항값이 감소하는 재생 헤드이거나 또는 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드인 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 하드 디스크 드라이브는 디스크, 재생 헤드, 전치 증폭기, 재생 트레이스, 및 써미스터를 구비한다.
상기 재생 헤드는 상기 디스크에 기록된 정보를 재생한다. 상기 전치 증폭기는 온도에 따라 가변되는 상기 재생 헤드의 저항값에 기초하여 상기 재생 헤드의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 소정의 전류를 상기 재생 헤드로 공급한다. 상기 소정의 전류가 흐르는 상기 재생 트레이스와 상기 PTC 써미스터는 상기 재생 헤드와 상기 전치 증폭기 사이에 직렬로 접속된다.
하드 디스크 드라이브의 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드로 공급되는 전류를 제어하는 방법은 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드의 저항값에 기초하여 상기 터널링 자기 저항 재생 헤드의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 소정의 전류를 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드로 공급하는 단계; 및 온도의 증가에 EK라 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드의 저항값이 감소하는 경우, 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드로 공급되는 상기 소정의 전류의 증가를 감소시키기 위하여 PTC 써미스터를 이용하여 감소된 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드의 저항값을 보상하는 단계를 구비한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재번호를 나타낸다.
도 2는 일반적인 PTC(Positive Temperature Coefficient) 써미스터의 온도에 따른 저항값과 전류의 변화를 나타내는 그래프이다. 도 2를 참조하면, 온도(T)의 변화에 대한 저항값(R)의 변화를 나타내는 그래프(210)에서 볼 수 있듯이, PTC 써미스터는 온도(T)의 증가에 따라 저항값(R)이 증가하게 되고, 특정 온도(Tc, 스위칭 온도 또는 큐리 온도)가 넘게 되면 저항값(R)이 큰 폭으로 증가하는 특성을 지니고 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 하드디스크 드라이브의 블락도이다. 도 3을 참조하면, 재생 헤드(341)에 공급되는 전류를 제어할 수 있는 하드 디스크 드라이브(300)는 호스트 인터페이스(310), 컨트롤러(320), 기록/재생 채널(330), 디스크(340), 헤드 스택 어셈블리(Head Stack Assembly; HSA; 350), 및 스핀들 모터(360)를 구비한다.
상기 호스트 인터페이스(310)는 하드 디스크 드라이브(300)가 퍼스널 컴퓨터와 같은 호스트와 인터페이스 하도록 제어하는 제어회로(미도시)와 상기 호스트와 하드 디스크 드라이브(300)가 주고받는 데이터를 저장하기 위한 버퍼(미도시)를 구비한다. 상기 호스트 인터페이스(310)는 상기 호스트로부터 출력된 기록 데이터(read data)와 액세스 명령(access command ; 예컨대, 기록 명령 또는 재생 명령)의 전송을 제어하고, 상기 기록 데이터와 상기 액세스 명령을 상기 컨트롤러(320)로 전송하거나, 재생 헤드가 재생한 재생 데이터(read data)를 상기 호스트로 출력한다.
상기 컨트롤러(320)는 상기 디스크(340)에 소정의 데이터를 기록하거나 또는 상기 디스크(340)로부터 소정의 데이터를 읽기 위하여 상기 호스트 인터페이스 (310)를 통하여 기록/재생 명령을 수신하고, 상기 수신된 기록/재생 명령에 포함된 소정의 어드레스 정보에 기초하여 목표 트랙을 결정하고, 기록/재생 헤드를 상기 목표 트랙으로 이동시키는 탐색(seek)제어를 수행한다.
상기 컨트롤러(320)는 디지털 신호 프로세서(DSP), 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등으로 구현될 수 있으며, 하드 디스크 드라이브(300)의 기록 동작 과 재생 동작을 제어한다. 상기 컨트롤러(320)는 호스트로부터 출력된 기록 명령 또는 재생 명령에 기초하여 스핀들 모터(360)의 구동을 제어하는 스핀들 모터 드라이버(331)의 동작을 제어하거나 또는 보이스 코일 모터(356)의 구동을 제어하는 보이스 코일 모터 드라이버(333)의 동작을 제어한다.
상기 기록/재생 채널(330)은 상기 컨트롤러(320)로부터 출력된 기록 데이터를 소정의 변조 방식에 따라 변환하고, 변환된 기록 신호를 전치 증폭기(352)로 출력한다. 또한, 상기 기록/재생 채널(330)은 재생 헤드가 재생한 재생 신호에 소정의 신호 처리를 행하여 재생 데이터로 복조하고, 복조된 재생 데이터를 상기 컨트롤러(320)로 전송한다.
상기 디스크(340)는 다수의 트랙들(또는 실린더들)을 구비하며, 소정의 데이터가 기록된다. 상기 스핀들 모터(360)는 상기 컨트롤러(320)의 제어하에 스핀들 모터 드라이버(331)로부터 출력된 제어 신호에 응답하여 상기 디스크(340)를 회전시킨다.
상기 헤드 스택 어셈블리(HSA, 350)는 재생 헤드(351), 전치 증폭기(또는, Read/Write Pre-amplifier; 352), 재생 트레이스(read trace; 353), PTC 써미스터(354), 엑츄에이터 암(355), 및 보이스 코일 모터(356)를 구비한다.
상기 재생 헤드(351)는 상기 디스크(350)에 자기의 형태로 기록된 정보를 재생하고 재생된 정보를 상기 재생 트레이스(353)를 통하여 상기 전치 증폭기(352)로 출력한다.
본 발명에 따른 HSA(350) 또는 하드 디스크 드라이브(300)에 사용되는 재생 헤드(351)로써 온도의 증가에 따라 저항값이 감소하는 특성을 지닌 재생 헤드, 예컨대 터널링 자기 저항(TuMR) 헤드가 사용된다. 도 1에 도시된 바와 같이 상기 하드 디스크 드라이브(300)의 내부 온도가 상승하여 상기 재생 헤드(351)의 온도가 소정의 온도 이상으로 상승하면, 상기 재생 헤드(예컨대, TuMR 헤드)의 저항값이 큰 폭으로 감소한다.
상기 전치 증폭기(352)는 상기 재생 헤드(351)와 상기 기록/재생 채널(330) 사이에 접속되고, 상기 재생 헤드(351)를 통하여 재생된 신호를 증폭하고 증폭된 신호를 상기 기록/재생 채널(330)로 전달하거나, 상기 기록/재생 채널(330)로부터 출력된 신호를 기록 전류(write current)로 변환하여 변환된 기록 전류를 기록 헤드(미도시)로 출력한다.
그리고, 상기 전치 증폭기(352)는 상기 재생 헤드(351)가 동작 가능한 상태를 유지하고 안정적으로 상기 디스크(350)에 저장된 정보를 읽어내기 위해, 온도에 따라 가변되는 상기 재생 헤드(351)의 저항값에 상응하는 동작 전압을 일정한 레벨로 유지하기 위한 전류를 공급함으로써 상기 재생 헤드(351)의 동작 전압이 일정하게 유지되도록 만들어 준다. 상기 전치 증폭기(352)로부터 출력된 전류는 재생 트레이스(353)와 PTC 써미스터(354)를 통하여 상기 재생 헤드(351)로 공급된다.
상기 재생 트레이스(353)와 상기 PTC 써미스터(354)는 상기 재생 헤드(보다 상세하게는 재생 헤드 핀 또는 재생 헤드 PAD(351))와 상기 전치 증폭기(352) 사이에 직렬로 접속된다.
하드 디스크 드라이브(300)의 내부 온도의 증가로 인해 상기 재생 헤드(351) 의 저항값이 감소하는 경우 상기 재생 헤드(351)로 공급되는 전류가 증가하기 때문에, 상기 내부 온도의 증가에 따라 저항값이 증가하는 PTC 써미스터(354)는 상기 내부 온도의 증가에 따라 감소한 상기 재생 헤드(351)의 저항값을 보상한다.
따라서 하드 디스크 드라이브(300)의 내부 온도가 증가하는 경우라도 직렬로 접속된 재생 트레이스(353)와 PTC 써미스터(354)의 전체 저항은 큰 변동이 없으므로, 상기 재생 트레이스(353)와 상기 PTC 써미스터(354)를 통하여 상기 재생 헤드(351)로 공급되는 전류는 급격히 증가되지 않는다.
도 2를 다시 참조하면, 상기 큐리 온도(Tc; 또는 스위칭 온도) 미만의 정상 온도에서는 상기 PTC 써미스터(354)의 저항값(R)의 변화가 심하지 않아 직렬로 접속된 재생 트레이스(353)와 PTC 써미스터(354)의 전체 저항은 큰 변동이 없다.
그러나, 하드 디스크 드라이브(300)의 내부 온도가 상승하여 상기 하드 디스크 드라이브(300)의 내부 온도가 상기 큐리 온도(Tc; 또는 스위칭 온도)를 초과하게 되면, 상기 PTC 써미스터(354)의 저항값(R)은 큰 폭으로 증가하여 상기 내부 온도의 증가에 따라 감소한 TuMR 헤드의 저항값을 보상한다. 따라서 상기 PTC 써미스터(354)는 상기 재생 헤드(351)로 공급되는 전류를 제한하는 역할을 하게 된다.
상기 엑츄에이터 암(355)은 상기 재생 헤드(351)가 원하는 목표 트랙에 위치하도록 제어한다. 상기 보이스 코일 모터(356)는 컨트롤러(320)의 제어하에 구동되는 보이스 코일 모터 드라이버(333)부터 출력된 제어 신호에 응답하여 상기 엑츄에이터 암(355)을 목표 트랙으로 구동시킨다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 재생 헤드에 공급되는 전류를 제한하기 위 한 방법에 대한 순서도이다. 도 3과 도 4를 참조하면, 재생 헤드(351)로 공급되는 전류를 제한하는 방법은 터널링 자기 저항 재생 헤드(351)로 전류를 공급하는 단계(S410), PTC 써미스터(354)를 이용하여 상기 터널링 자기 저항 재생 헤드(351)의 저항값을 보상하는 단계 (S420), 및 전류를 상기 터널링 자기 저항 재생 헤드(351)로 출력하는 단계(S430)를 구비한다.
상기 터널링 자기 저항 재생 헤드(351)로 전류를 공급하는 단계에서, 전치 증폭기(352)는 상기 터널링 자기 저항 재생 헤드(315)의 바이어스 전압 또는 하드 디스크 드라이브(300)의 내부 온도의 변화에 따라 변하는 터널링 자기 저항 재생 헤드(351)의 저항값에 기초하여 상기 터널링 자기 저항 재생 헤드(351)의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위한 전류를 공급한다(S410).
예컨대, 전치 증폭기(352)는 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 동작 전압(예컨대, 150mV)을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 저항값을 계산하고 계산된 저항값에 상응하는 전류를 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 헤드(351)로 공급한다.
그러나, 하드 디스크 드라이브(300)의 내부 온도가 증가하여 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 온도가 상승하면, 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 특성에 따라 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 저항값은 낮아진다.
따라서 전치 증폭기(352)는 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤 드(351)로 공급되는 전류를 증가시킨다. 예컨대, 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 저항값이 큰 폭으로 낮아지는 경우 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)로 공급되는 전류는 큰 폭으로 증가 될 수 있다.
만일, PTC 써미스터(354)가 없는 경우, 상기 전치 증폭기(352)는 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)로 공급되는 전류를 증가시킨다. 따라서 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)는 증가된 전류로 인하여 손상될 수 있다.
그러나, PTC 써미스터(354)를 구비하는 본 발명에 따른 HSA(350) 또는 하드 디스크 드라이브(300)에서 상기 하드 디스크 드라이브(300)의 내부 온도가 증가함에 따라 상기 PTC 써미스터(354)의 저항값은 증가한다.
즉, 재생 트래이스(353)를 통하여 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드 (351)에 접속된 상기 PTC 써미스터(354)는 상기 내부 온도의 증가에 따라 감소하는 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 저항값을 보상하게 된다(S420).
따라서, 상기 전치 증폭기(352)는 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 저항값과 상기 PTC 써미스터(354)의 저항값에 기초하여 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)로 소정의 전류를 공급하므로(S430), 본 발명에 따른 HSA(350) 또는 하드 디스크 드라이브(300)는 내부 온도가 증가하는 경우라도 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)의 손상을 방지할 수 있다. 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드(351)로 공급되는 전류는 전치 증폭기(352) 및/또는 컨트롤 러(320)에 의하여 제어할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 헤드 스택 어셈블리 또는 하드 디스크 드라이브는 상기 하드 디스크 드라이브의 내부 온도가 증가하는 경우라도 재생 헤드, 예컨대 TuMR 재생 헤드의 손상을 방지하는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 디스크에 기록된 정보를 재생하기 위한 재생 헤드;
    온도에 따라 가변되는 상기 재생 헤드의 저항값에 기초하여, 상기 재생 헤드의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 소정의 전류를 상기 재생 헤드로 공급하기 위한 전치 증폭기;
    재생 트레이스; 및
    PTC 써미스터(Positive Temperature Coefficient Thermistor)를 구비하며,
    상기 재생 트레이스와 상기 PTC 써미스터는 상기 재생 헤드와 상기 전치 증폭기 사이에 직렬로 접속되는 헤드 스택 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 재생 헤드는 온도의 증가에 따라 저항값이 감소하는 재생 헤드이거나, 또는 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드인 헤드 스택 어셈블리.
  3. 디스크에 기록된 정보를 재생하기 위한 재생 헤드;
    온도에 따라 가변되는 상기 재생 헤드의 저항값에 기초하여, 상기 재생 헤드의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 소정의 전류를 상기 재생 헤드로 공급하는 전치 증폭기;
    재생 트레이스; 및
    PTC 써미스터를 구비하며,
    상기 재생 트레이스와 상기 PTC 써미스터는 상기 재생 헤드와 상기 전치 증폭기 사이에 직렬로 접속된 하드 디스크 드라이브.
  4. 제3항에 있어서, 상기 재생 헤드는 온도의 증가에 따라 저항값이 감소하는 재생 헤드이거나, 또는 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드인 하드 디스크 드라이브.
  5. 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드의 저항값에 기초하여 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드의 동작 전압을 일정한 레벨로 유지시키기 위하여 소정의 전류를 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드로 공급하는 단계; 및
    온도의 증가에 따라 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드의 저항값이 감소하는 경우, 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드로 공급되는 상기 소정의 전류의 증가를 감소시키기 위하여 PTC 써미스터를 이용하여 감소된 상기 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드의 저항값을 보상하는 단계를 구비하는 하드 디스크 드라이브에서 터널링 자기 저항(TuMR) 재생 헤드로 공급되는 전류를 제한하는 방법.
KR1020060048547A 2006-05-30 2006-05-30 터널링 자기 저항 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한방법과 장치 KR100725984B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060048547A KR100725984B1 (ko) 2006-05-30 2006-05-30 터널링 자기 저항 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한방법과 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060048547A KR100725984B1 (ko) 2006-05-30 2006-05-30 터널링 자기 저항 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한방법과 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100725984B1 true KR100725984B1 (ko) 2007-06-08

Family

ID=38358661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060048547A KR100725984B1 (ko) 2006-05-30 2006-05-30 터널링 자기 저항 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한방법과 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100725984B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000020188A (ko) * 1998-09-18 2000-04-15 윤종용 하드 디스크 드라이브용 자기저항 헤드
KR20010042723A (ko) * 1999-02-15 2001-05-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 자기저항헤드의 바이어스전류를 제어하는 방법, 고정식자기 기록장치 및 그 자기디스크
JP2001344847A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Victor Co Of Japan Ltd 光磁気記録再生装置
KR20040052031A (ko) * 2002-12-13 2004-06-19 삼성전자주식회사 자기 헤드의 ｔｐｔｐ 특성 측정 방법 및 이에 적합한기록 전류 제어 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000020188A (ko) * 1998-09-18 2000-04-15 윤종용 하드 디스크 드라이브용 자기저항 헤드
KR20010042723A (ko) * 1999-02-15 2001-05-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 자기저항헤드의 바이어스전류를 제어하는 방법, 고정식자기 기록장치 및 그 자기디스크
JP2001344847A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Victor Co Of Japan Ltd 光磁気記録再生装置
KR20040052031A (ko) * 2002-12-13 2004-06-19 삼성전자주식회사 자기 헤드의 ｔｐｔｐ 특성 측정 방법 및 이에 적합한기록 전류 제어 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006085832A (ja) 記録電流の制御方法及び磁気ディスク装置
JP5433167B2 (ja) ハードディスクドライブの記録密度向上方法及びその制御装置
JP2007172751A (ja) ディスク装置及びディスク装置の制御方法
US7561368B2 (en) Hard disk drive having improved head stability at low temperature and method of applying current to a head of the hard disk drive
US20070230021A1 (en) Flying height control for read-to-write and write-to-read transitions
US7787201B2 (en) Method and apparatus for controlling fly-height of a perpendicular-magnetic-recording head in a hard disk drive
KR101332645B1 (ko) 하드 디스크 드라이브 컨트롤러 및 그를 구비하는 하드디스크 드라이브
KR100699878B1 (ko) 하드디스크 드라이브의 기록 전류 최적화 방법, 이에적합한 기록 매체 그리고 이에 적합한 장치
US8045281B2 (en) Method of setting write factor in hard disk drive and hard disk drive using the same
KR100725984B1 (ko) 터널링 자기 저항 헤드로 공급되는 전류를 제어하기 위한방법과 장치
JPWO2009008034A1 (ja) 記憶装置、制御方法及び制御装置
JPH10255202A (ja) 情報記録再生装置
US20050207296A1 (en) System and method for controlling write to minimize ATI and squeeze effects
US6204983B1 (en) Apparatus for recording data on magnetic record medium
US7636216B2 (en) Method of determining head characteristic of HDD and recording medium to perform the same
KR20070095787A (ko) 온 디맨드 부상 높이를 위한 회로
JP2011222015A (ja) ディスク装置及びそのライト方法
KR100604830B1 (ko) 온도에 따른 리드 전류 제어 장치 및 이를 이용한 디스크드라이브
US20100328811A1 (en) Method of controlling reading or writing operation of disk drive
JP2010135013A (ja) ヘッドの評価方法、ヘッドの評価装置および情報記憶装置
JP6629160B2 (ja) 磁気記録再生装置および磁気記録再生装置の制御方法
US20060114587A1 (en) Method for precompensation/write-current latching to improve error rate
KR100725957B1 (ko) 하드디스크 드라이브, 하드디스크 드라이브용 자기헤드의오버라이트 특성 최적화 방법 및 그 방법을 수행하는컴퓨터 프로그램을 기록한 기록매체
KR100703707B1 (ko) 하드 디스크 드라이브, 하드 디스크 드라이브의 자기 헤드부상 높이 제어 방법 및 그 방법을 수행하는 컴퓨터프로그램을 기록한 기록 매체
JP2003346303A (ja) 回転磁気ヘッド型記録再生装置及び記録再生方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100429

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee