CN1521868A - 半导体发光装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体发光装置。尽管常规使用的ITO电极膜提供了发射光的高透射率，但是在ITO电极膜和p型GaN系统半导体层之间却产生了肖特基型接触的形成，这使得不能形成任何电流的统一流动。本发明的目的是提供一种通过形成透明电极构成的半导体发光装置，取代ITO电极膜的该透明电极在GaN系统半导体光发射装置的光提取或光退出侧易于获取欧姆特性，以提高GaN系统半导体光发射装置光发射效率和光提取效率。为了实现上述目的，本发明提供了一种由GaN系统半导体组成的、包括光发射层的半导体光发射装置，将该光发射层插入于n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层之间，其中提供了Ga掺杂MgzZn1－zO(0≤Z＜1)电极膜。

Description

半导体发光装置
技术领域
本发明涉及一种由GaN系统半导体组成的、包括光发射层的GaN系统半导体发光装置，更具体地，是一种具有优异光发射效率和光提取效率的GaN系统半导体发光设备。
背景技术
由于包括GaN系统半导体层的GaN系统半导体发光设备使得可以实现白光LED，存在着考虑将其用于应用于背光的电子设备的可能性。GaN系统半导体发光装置具有作为其基本结构的pn结二极管，其中将光发射层插入n型GaN系统半导体层和p型GaN系统半导体层之间。将光发射层电子从n型GaN系统半导体层注入，而将空穴从p型GaN系统半导体层注入，由此在光发射层将其重新结合以发射光。不过，特别是基于高电阻率(几欧姆·厘米)的p型GaN系统半导体层，只能直接将用于粘接垫片提供电流的金属电极依附于n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层会不方便地导致限制单独流过围绕金属电极的电流。结果在间隔金属电极外围较远的光发射层中发射变弱。另一方面，金属电极使任何围绕金属电极的发射光不能被提取到该半导体发光装置之外。
常规地，为了获得电流的统一分布，构思了形成金属薄膜用于电流传播。与Ni/Au层压电极、Pt等类似，需要将这种金属薄膜材料在氧气中进行退火以使其更加透明。不过，尽管Ni/Au或Pt的电阻率很小，其透明度却不够，这导致任意取出发射光的效率或任意光提取效率或光退出(exit)效率的退化。为了增大光透射率而使金属膜变薄会导致由于电流而使膜厚度小于其他膜部分厚度的薄部分会更易破损，因此任何横向电阻的增大都会导致实现电流统一分布这一最初目标失败。
此外，还提出了一种形成ITO(氧化铟锡)电极膜用于电流传播的方法。在图6中表示了一个实施例的例子，根据该例，形成了ITO电极膜用于GaN系统半导体发光装置。在图6中，51表示金属电极，52表示ITO电极膜，53表示p型GaN系统半导体层，54表示光发射层，55表示n型GaN系统半导体层，56表示金属电极，57表示蓝宝石基底。在图6中，光发射产生于插在蓝宝石基底57上的n型GaN系统半导体层55和p型GaN系统半导体层53之间的光发射层54。经金属电极56执行向n型GaN系统半导体层55提供电流。经金属电极51和ITO电极膜52执行向p型GaN系统半导体层53提供电流。
不过，尽管这里由ITO电极膜提供了发射光的高透射率，但是在ITO电极膜和p型GaN系统半导体层之间却产生了肖特基(Schottky)型接触的形成，这使得不能形成任何电流的统一流动。通常，在使ITO电极膜和n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层之间接触的情况下，很难提供欧姆接触，而会被迫形成肖特基型接触。当形成了肖特基型接触时，在半导体层和ITO电极层之间会产生势垒，因此驱动电压升高，导致功率耗散的增大和产生热量的增大。
此外，还试图将包含氧化锌的透明电极作为电极以获得欧姆特性。这利用了通过提供氧化锌和n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层之间接触可以得到欧姆接触的认识或事实。
在本申请中，借助元素符号来表示材料，例如Ga表示镓并且B表示硼。
发明内容
为了解决上述常规技术存在的问题，本发明的目的是提供一种通过形成透明电极构成的半导体发光装置，取代ITO电极膜的该透明电极在GaN系统半导体光发射装置的光提取或光退出侧易于获取欧姆特性，以提高GaN系统半导体光发射装置光发射效率和光提取效率。
为了实现本发明的上述目的，本申请的第一发明提供了一种由GaN系统半导体组成的、包括光发射层的半导体光发射装置，将该光发射层插入于n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层之间，其中所述半导体发光装置具有Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜。本申请的第一方面使电流能够沿着MgZZn1-ZO电极膜的表面方向传播，还能够减小MgZZn1-ZO电极膜和n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层之间的势垒。在本发明中，GaN系统半导体层指包括至少一层InpGaqAlrN(p+q+r＝1，p≥0，q≥0，r≥0)的半导体层。
提供了基于根据本申请第一发明的半导体发光设备主题的前序部分相同的本申请第二发明，并且其特征部分在于提供了一种金属电极，该金属电极向n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层提供电流，并且在n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层与该金属电极之间形成了Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜。
提供了基于根据本申请第一发明的半导体发光设备主题的前序部分相同的本申请第三发明，并且其特征部分在于提供了一种金属电极，该金属电极向n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层提供电流，该金属电极与Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜彼此相邻；并且设置该金属电极与Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜以使接触n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层的表面和金属电极。
本申请的第三发明使得易于向MgZZn1-ZO电极膜提供电流。
提供了基于根据本申请第一发明、第二方面或第三发明其中之一的半导体发光设备主题的前序部分相同的本申请第四发明，并且其特征部分在于与掺杂到MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜的掺杂Ga的量相关，载体浓度为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。本申请的第四发明能够减小MgZZn1-ZO电极膜的电阻率。
提供了根据本申请第五发明的由GaN系统半导体组成的、包括光发射层的半导体光发射装置，将该光发射层插入于n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层之间，其特征部分在于提供了B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜。本申请的第五发明提供了用与Ga同样为IIIB族元素的掺杂的B代替Ga，这使得在减小MgZZn1-ZO电极膜和n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层之间势垒的同时，能够使电流传播到MgZZn1-ZO电极膜的表面侧。
提供了基于根据本申请第五发明的半导体发光设备主题的前序部分相同的本申请第六发明，并且其特征部分在于提供了一种金属电极，该金属电极向n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层提供电流，其中在n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层与该金属电极之间形成了B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜。本申请的第六发明使得易于向MgZZn1-ZO电极膜提供电流。
提供了基于根据本申请第五发明的半导体发光设备主题的前序部分相同的本申请第七发明，并且其特征部分在于提供了一种金属电极，该金属电极向n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层提供电流，其中设置该金属电极与B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜以使接触n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层的表面和金属电极。本申请的第七发明使得易于向MgZZn1-ZO电极膜提供电流。
提供了基于根据本申请第五发明、第六方面或第七发明其中之一的半导体发光设备主题的前序部分相同的本申请第八发明，并且其特征部分在于与掺杂到MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜的掺杂B的量相关，载体浓度为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。本申请的第四发明能够减小MgZZn1-ZO电极膜的电阻率。本申请的第八发明能够减小MgZZn1-ZO电极膜的电阻率。此外，这些发明设置的任意组合可以允许最大程度的扩展。
附图说明
图1所示为根据本申请一个实施例的GaN系统半导体发光装置的结构示意图。
图2所示为在ZnO膜和p型GaN层的结点，有关电流相对电压特性的实验结果示意图。
图3所示为有关电阻率相对MgZZn1-ZO中Ga载体浓度的实验结果示意图。
图4所示为根据本申请另一个实施例的GaN系统半导体发光装置的结构示意图。
图5所示为根据本申请另一个实施例的GaN系统半导体发光装置的结构示意图。
图6所示为常规GaN系统半导体发光装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将参考附图对本申请的实施例进行说明。
图1所示为本申请的第一实施例。在图1中，11为金属电极，12为MgZnO电极膜，13为p型GaN系统半导体层，14为光发射层，15为n型GaN系统半导体层，16为金属电极以及17为蓝宝石基底。
在这种GaN系统半导体发光装置中，首先利用MOCVD(金属有机化学蒸发沉积)法及类似在蓝宝石基底17的上表面形成n型GaN系统半导体层。由n型GaN和GaN缓冲层构成该n型GaN系统半导体层是恰当的。可以利用ELO(外延横向生长)形成n型GaN系统半导体层。光发射层14形成于n型GaN系统半导体层的上表面。该光发射层14由InxGa1-xN(0≤x＜1)和/或AlyGa1-yN(0≤y＜1)组成。此外，通过调整In和Ga的比例可以使光发射层14为多量子InxGa1-xN/GaN(0≤x＜1)势阱结构，或通过调整Al和Ga的比例可以使光发射层14为多量子AlyGa1-yN/GaN(0≤y＜1)势阱结构。此外。通过调整In、Ga和Al的比例可以使用多量子InpGaqAlrN/GaN(p+q+r＝1，p≥0，q≥0，r≥0)势阱结构。此外，还可以在光发射层14的n型GaN系统半导体层15一侧形成包含n型AlyGa1-yN(0≤y＜1)的层，或在光发射层14的p型GaN系统半导体层13一侧形成包含p型AlyGa1-yN(0≤y＜1)的层。
随后，将p型GaN系统半导体层13形成于光发射层14的上表面。在将包含Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)的ZnO透明电极膜12形成于p型GaN系统半导体层13的上表面之后，利用蚀刻去掉MgZnO透明电极膜12、p型GaN系统半导体层13、光发射层14以及n型GaN系统半导体层15的一部分。将n型GaN系统半导体层15向下蚀刻到该层的中间部分。随后利用蒸发方法或喷射法将金属电极16形成于n型GaN系统半导体层15上表面的暴露部分，并将金属电极11形成于MgZnO电极膜12的上表面。可以用B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)代替Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)。
可选地，在将p型GaN系统半导体层13形成于光发射层14的上表面之后，利用蚀刻去掉p型GaN系统半导体层13、光发射层14以及n型GaN系统半导体层15的一部分。将n型GaN系统半导体层15向下蚀刻到该层的中间部分。接着将包含Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)的MgZnO透明电极膜12形成于p型GaN系统半导体层13的上表面。利用蒸发方法或喷射法将金属电极16形成于n型GaN系统半导体层15上表面的暴露部分，同时将金属电极11形成于MgZnO电极膜12的上表面。可以使用B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)代替Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)。
使用喷射法，通过烘干Ga2O3、MgO以及ZnO的混合物、离子电镀法及类似可以形成上述的MgZnO膜12。此外，还可以利用与分子束外延法相类似的蒸发法形成该MgZnO膜12，该方法提供了金属Ga、金属Ma和金属Zn，并且在作为分子束的加热器加热之后，利用RF基本单元(radical cell)提供了氧。
作为透明电极膜的材料ZnO在p型GaN系统半导体结形成了欧姆接触。图2所示为表示了ZnO膜和p型GaN层结点状态的相对电压的电流特性，其中横轴表示所加的电压，纵轴表示电流。根据图2，由于电流几乎与所加的电压成正比，这表示在利用分子束外延法形成ZnO膜之后无需退火也可以获得欧姆接触。可以将MgZnO用作透明电极膜的材料，此外能够与ZnO类似得到p型GaN系统半导体结点的欧姆接触。
现在，发明人发现通过将IIIB族元素Ga或B掺杂到MgZZn1-ZO中可以极大地减小阻抗。图3所示为MgZZn1-ZO的载体浓度和电阻率之间的关系。在图3中横轴为载体浓度，纵轴为电阻率。根据图3，电阻率随着载体浓度的增大而减小，并且一但载体浓度超过1×1021，电阻率迅速增加。当使用包括Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)的电极膜作为电流传播电极时，优选的电阻率为1×10-2欧姆·厘米或更小。根据图3，在这种条件下适当的载体浓度应为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。将上述特征应用于B掺杂代替Ga掺杂的情况。由于在这种条件下形成的MgZnO电极膜的电阻率小于p型GaN系统半导体层的电阻率，在图1所示的GaN系统半导体发光装置中，可以容易地将从金属电极11注入的电流沿横向方向传播到MgZnO电极膜12。将沿横向方向传播的电流通过p型GaN系统半导体层13大范围地加到光发射层14。由于电流扩散足够，大范围地将空穴提供给光发射层14，因此可以达到一定的发光效率。
另一方面，从金属电极16注入的电子通过n型GaN系统半导体层15，并在光发射层14与空穴重新结合。从重新结合发射的光线中沿着p型GaN系统半导体层13传播的光线经过MgZnO电极膜12并被发射到外部。这里，利用掺杂的Mg，即使对于波长为大约400纳米的短波，所述ZnO膜也能保持其高透明度。由于光发射层14中的发射光通过MgZnO电极膜12，可以有效地将光线发射或提取出去。
因此，在根据实现实施例的所述GaN系统半导体光发射装置中，利用Ga或B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)作为透明电极膜能够提供光发射效率和光提取效率优异的半导体发光装置。
图4所示为本发明的第二实施例。在图4中，12为MgZnO电极膜，13为p型GaN系统半导体层，14为光发射层，15为n型GaN系统半导体层，16为金属电极以及17为蓝宝石基底，以及18为金属电极。
第二实施例与第一实施例之间的区别点在于不是将金属电极18形成于MgZnO电极膜12的上表面，而是将其形成于p型GaN系统半导体层13的上表面，因此该金属电极18与MgZnO电极膜12相邻。当MgZnO电极膜12较厚时，金属电极18与MgZnO电极膜12的接触区域增大，因此在横向方向扩散了由金属电极18提供给MgZnO电极膜12的空穴。
一直到在光发射层14的上表面形成p型GaN系统半导体层13，制造图4所示GaN系统半导体发光装置的过程与制造图1所示GaN系统半导体发光装置的过程相同。将p型GaN系统半导体层13形成于光发射层14的上表面，随后在将包含Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)的MgZnO透明电极膜12形成于p型GaN系统半导体层13的上表面之后，利用蚀刻分别去掉MgZnO透明电极膜12、p型GaN系统半导体层13、光发射层14以及n型GaN系统半导体层15的一部分。将n型GaN系统半导体层15向下蚀刻到该层的中间部分。利用蚀刻去掉形成金属电极1g位置的部分MgZnO透明电极膜12。利用蒸发方法或喷射法将金属电极16形成于n型GaN系统半导体层15上表面的暴露部分，并将金属电极18形成于p型GaN系统半导体层13上表面的暴露部分。可以用B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)代替Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)。
可选地，在将p型GaN系统半导体层13形成于光发射层14的上表面之后，利用蚀刻分别去掉p型GaN系统半导体层13、光发射层14以及n型GaN系统半导体层15的一部分。将n型GaN系统半导体层15向下蚀刻到该层的中间部分，利用蒸发方法或喷射法将金属电极16形成于n型GaN系统半导体层15上表面的暴露部分。利用蒸发方法或喷射法将金属电极16形成于n型GaN系统半导体层15上表面的暴露部分。利用蒸发方法或喷射法将金属电极18形成于p型GaN系统半导体层13的上表面。利用喷射法、离子电镀法以及蒸发法形成包含Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)的MgZnO电极膜12。可选地，将n型GaN系统半导体层15向下蚀刻到该层的中间部分，在利用喷射法、离子电镀法以及蒸发法形成包含Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)的ZnO透明电极膜12之后，利用蒸发法或喷射法分别将金属电极16形成于n型GaN系统半导体层15上表面的暴露部分，并将金属电极18形成于p型GaN系统半导体层13的上表面。可以用B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)代替Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)。
在图4中，由于MgZnO电极膜12的电阻率小于p型GaN系统半导体层13的电阻率，在图4所示的GaN系统半导体发光装置中，可以容易地将从金属电极18注入的电流沿横向方向传播到MgZnO电极膜12。将沿横向方向传播的电流通过p型GaN系统半导体层13大范围地加到光发射层14。由于电流扩散足够，大范围地将空穴提供给光发射层14，因此可以达到一定的发光效率。由于光发射层14发射的光线通过了MgZnO电极膜12，因此可以有效地将光线发射或提取出去。
因此，在根据第二实施例所述的GaN系统半导体光发射装置中，利用Ga或B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)作为透明电极膜能够提供光发射效率和光提取效率优异的半导体发光装置。
图5所示为本发明的第三实施例。在图5中，11为金属电极，12为MgZnO电极膜，13为p型GaN系统半导体层，14为光发射层，15为n型GaN系统半导体层，16为金属电极以及19为导电基底。
第三实施例与第一或第二实施例之间的区别点在于将n型GaN系统半导体层15、光发射层14以及p型GaN系统半导体层13等层压在导电基底19上。可以将SiC和ZnO用于导电基底19。当将SiC用于导电基底19时，可以将Ni和NiSi合金用作金属电极16。当将ZnO用于导电基底19时，可以将Ti/Au层压电极用作金属电极16
在图5所示的GaN系统半导体发光装置中，利用与图1所示GaN系统半导体发光装置相同的处理将n型GaN系统半导体层15、光发射层14以及p型GaN系统半导体层13等层压在导电基底19上。不过，将n型GaN系统半导体层15等层压到导电基底19上不需要同第一或第二实施例一样的从GaN系统半导体发光装置上端开始的蚀刻处理以及形成与n型GaN系统半导体层15相连电极的处理。因此，能够实现制造过程的简化以及可靠性的提高。
仍是如图5所示的GaN系统半导体发光装置，由于MgZnO电极膜12的电阻率小于p型GaN系统半导体层13的电阻率，可以容易地将从金属电极11注入的电流沿横向方向传播到MgZnO电极膜12。将沿横向方向传播的电流通过p型GaN系统半导体层13大范围地加到光发射层14。由于电流扩散足够，大范围地将空穴提供给光发射层14，因此可以达到一定的发光效率。由于光发射层14发射的光线通过了MgZnO电极膜12，因此可以有效地将光线提取出去。
因此，在与第三实施例所述相关的的GaN系统半导体光发射装置中，利用Ga或B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)作为透明电极膜能够提供光发射效率和光提取效率优异的半导体发光装置。
尽管在实施例1或2中将GaN系统半导体层形成于蓝宝石基底17的上表面上，并且该蓝宝石基底17被用作安装基底，还可以实现将蓝宝石基底17从这种结构的GaN系统半导体层中去掉的结构变型，其中从n型GaN系统半导体层取出光发射层发射的光线。此外，还可以构造一定结构的半导体发光装置，以使开始就在基底上连续层压至少p型GaN系统半导体层、光发射层以及n型GaN系统半导体层。
在具有这种结构的半导体发光装置中，将金属电极形成于n型GaN系统半导体层的上表面。具有金属电极形成于n型GaN系统半导体层上表面结构的GaN系统半导体发光装置具有形成于n型GaN系统半导体层上表面的Ga掺杂MgZnO电极膜。可以如第一实施例所述，将所述金属电极形成于Ga掺杂MgZnO电极膜的上表面，也可以如第二实施例所述，形成该金属电极以使其不仅与n型GaN系统半导体层接触，而且与Ga掺杂MgZnO电极膜相邻。此外，可以如第三实施例将GaN系统半导体形成于导体基底的上表面。可以用B掺杂MgZnO电极膜代替Ga掺杂MgZnO电极膜。
即使在n型GaN系统半导体层的上表面具有Ga或B掺杂MgZnO电极膜的GaN系统半导体发光装置中，利用Ga或B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)作为透明电极膜也能够实现光发射效率和光提取效率优异的半导体发光装置。
发明效果
如上所述，结合本发明的实施例说明的GaN系统半导体发光装置的特征在于使用了利用Ga或B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)作为透明电极膜，因此能够减小电阻率并进一步增大发射光的透射率，结果能够实现光发射效率和光提取效率或光退出效率优异的半导体发光装置。

Claims (12)

1.一种由GaN系统半导体组成的、包括光发射层的半导体光发射装置，将该光发射层插入于n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层之间，其中提供了Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于与掺杂到MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜的掺杂Ga的量相关，其中载体浓度为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于提供了一种金属电极，该金属电极向n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层提供电流，并且在n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层与该金属电极之间形成了所述Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜。
4.根据权利要求3所述的半导体发光装置，其特征在于与掺杂到MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜的掺杂Ga的量相关，其中载体浓度为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于提供了一种金属电极，该金属电极向n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层提供电流，该金属电极与Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜彼此相邻；并且设置该金属电极与Ga掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜以使其接触n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层的表面和该金属电极。
6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于与掺杂到MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜的掺杂Ga的量相关，载体浓度为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。
7.一种由GaN系统半导体组成的、包括光发射层的半导体光发射装置，将该光发射层插入于n型GaN系统半导体层和p型GaN系统半导体层之间，其中提供了B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于与掺杂到MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜的掺杂B的量相关，其中载体浓度为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。
9.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于提供了一种金属电极，该金属电极向n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层提供电流，并且在n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层与该金属电极之间形成了所述B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜。
10.根据权利要求9所述的半导体发光装置，其特征在于与掺杂到MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜的掺杂B的量相关，其中载体浓度为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。
11.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于提供了一种金属电极，该金属电极向n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层提供电流，该金属电极与B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜彼此相邻；并且设置该金属电极与B掺杂MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜以使其接触n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层的表面和该金属电极。
12.根据权利要求11所述的半导体发光装置，其特征在于
与掺杂到MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)电极膜的掺杂B的量相关，载体浓度为大于或等于1×1019厘米-3且小于5×1021厘米-3。
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