JP2004282006A - デュアルドーパント接触層を有する発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この発光ダイオードは、基板、基板上に形成された発光積層構造物、発光積層構造物上に形成されたデュアルドーパント接触層、及びデュアルドーパント接触層上に形成された透過導電性酸化層を有している。このデュアルドーパント接触層は、製作された後に、複数のp型及びn型ドーパントを有している。
【選択図】 図1
Description
12 絶縁基板
14 緩衝層
16 n型接触層
18 量子井戸発光層
20 p型被覆層
22 p型接触層
24 デュアルドーパント接触層
26 透過導電性酸化層
28 p型電極
30 n型電極
40 発光ダイオード
42 n型導電性基板
44 半導体層
46 半導体層
48 半導体層
50 半導体層
52 半導体層
54 半導体層
56 半導体層
58 p型電極
60 n型電極
Claims (18)
- 基板;
前記基板上に形成された発光積層構造物;
前記発光積層構造物上に形成されたデュアルドーパント接触層;及び
前記デュアルドーパント接触層上に形成された透過導電性酸化層;
を備え、
前記デュアルドーパント接触層は、複数のp型ドーパント及び複数のn型ドーパントを備えていることを特徴とする、発光ダイオード。 - 前記デュアルドーパント接触層は、AlInGaNをベースとした材料で製造されており;かつ
前記透過導電性酸化層は、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ(ATO)、酸化亜鉛(ZnO)又は酸化亜鉛スズで製造されている;
ことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。 - 前記デュアルドーパント接触層は、エピタキシ成長により前記p型ドーパント及び前記n型ドーパントとを共に加えることにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記デュアルドーパント接触層は、40℃/分以下の冷却率により形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
- 絶縁基板;
前記絶縁基板上に形成された緩衝層;
前記緩衝層上に形成された、第1上部表面及び第2上部表面を備える第1導電型接触層;
前記第1上部表面上に形成された量子井戸発光層;
前記量子井戸発光層上に形成された第2導電型接触層;
前記第2導電型接触層上に形成された、複数のp型ドーパント及び複数のn型ドーパントを備えるデュアルドーパント接触層;
前記デュアルドーパント接触層上に形成された透過導電性酸化層;
前記透過導電性酸化層上に形成された第2導電型接触層;並びに
前記第2上部表面上に形成された第1導電型電極;
を備える発光ダイオード。 - 前記絶縁基板は、サファイア、LiGaO2又はLiAlO2で製造されており;
前記緩衝層は、AlInGaNをベースとした材料又はIIナイトライドをベースとした材料で製造されており;
前記第2導電型接触層は、GaN,AlGaN,又はInGaNで製造されており;
前記透過導電性酸化層は、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ(ATO)、酸化亜鉛(ZnO)又は酸化亜鉛スズで製造されており;
前記デュアルドーパント接触層は、AlInGaNをベースとした材料でできており;
前記n型ドーパントは、Si、Ge、Sn、Te、O、S又はCで製造されており;かつ
前記p型ドーパントは、Mg、Zn、Be又はCaで製造されている;
ことを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。 - rは1以上とし、f及びeは0≦f<e≦1として、
前記量子井戸は、rInGaN量子井戸及び(r+1)InGaNバリアを有し;
該InGaN量子井戸のそれぞれは、二つの前記InGaNバリアで挟まれており;
該InGaN量子井戸のそれぞれは、IneGa1−eNにより製造され;かつ
該InGaNバリアのそれぞれは、InfGa1−fNで製造されている;
ことを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。 - 前記第1導電型接触層と前記量子井戸発光層との間に挿入された第1導電型被覆層をさらに備え、該第1導電型被覆層は、xが0≦x≦1であるとして、AlxGa1−xNで製造されていることを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオード。
- 前記第2導電型接触層と前記量子井戸発光層との間に挿入された第2導電型被覆層をさらに備え、該第2導電型被覆層は、zが0≦z≦1であるとして、AlzGa1−zNで製造されていることを特徴とする、請求項5に記載の発光ダイオード。
- 前記デュアルドーパント接触層は、エピタキシ成長により、p型ドーパントとn型ドーパントとをともに加えることにより形成されることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
- 前記デュアルドーパント接触層は、40℃/分以下の冷却率により形成されることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオード。
- 第1導電型電極;
前記第1導電型電極上に形成された第1導電型導電性基板;
前記第1導電型導電性基板上に形成された緩衝層;
前記緩衝層上に形成された第1導電型接触層;
前記第1導電型接触層上に形成された量子井戸発光層;
前記量子井戸発光層上に形成された第2導電型接触層;
前記第2導電型接触層上に形成された、複数のp型ドーパント及び複数のn型ドーパントを備えるデュアルドーパント接触層;
前記デュアルドーパント接触層上に形成された透過導電性酸化層;並びに
前記透過導電性酸化層上に形成された第2導電型電極;
を備える発光ダイオード。 - 前記第1導電型導電基板は、GaN、SiC、Si、Ge、AlN、GaAs、InP又はGaPで製造されており;
前記緩衝層は、AlInGaNをベースとした材料又はIIナイトライドをベースとした材料で製造されており;
第2導電型接触層は、GaN、AlGaN又はInGaNで製造されており;
第1導電型接触層は、GaN、AlGaN又はInGaNで製造されており;
前記デュアルドーパント接触層は、AlInGaNをベースにした材料で製造されており;
前記n型ドーパントは、Si、Ge、Sn、Te、O、S又はCで製造されており;
前記p型ドーパントは、Mg、Zn、Be又はCaで製造されており;かつ
前記透過導電性酸化層は、酸化インジウムスズ(ITO),酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ(ATO),酸化亜鉛(ZnO)又は酸化亜鉛スズで製造されている;
ことを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオード。 - rをr≧1とし、f及びeを0≦f<e≦1として、
前記量子井戸は、rInGaN量子井戸及び(r+1)InGaNバリアを有し;
該InGaN量子井戸のそれぞれは、二つの該InGaNバリアにて挟まれており;
該InGaN量子井戸のそれぞれはIneGa1−eNで製造されており;かつ
該InGaNバリアのそれぞれは、InfGa1−fNで製造されている;
ことを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオード。 - 前記第1導電型接触層と前記量子井戸発光層との間に挿入された第1導電型被覆層をさらに備え、該第1導電型被覆層は、xが0≦x≦1であるとして、AlxGa1−xNで製造されていることを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。
- 前記第2導電型接触層と前記量子井戸発光層との間に挿入された第2導電型被覆層をさらに備え、該第2導電型被覆層は、zが0≦z≦1であるとして、AlzGa1−zNで製造されていることを特徴とする、請求項12に記載の発光ダイオード。
- 前記デュアルドーパント接触層は、エピタキシ成長により、p型ドーパントとn型ドーパントとを共に加えることにより形成されることを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオード。
- 前記前記デュアルドーパント接触層は、40℃/分以下の冷却率により形成されることを特徴とする請求項12に記載の発光ダイオード。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011034273A1 (ko) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 주식회사 퀀텀디바이스 | 반도체 발광소자 |
JP2019009169A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7692204B2 (en) * | 2003-08-29 | 2010-04-06 | Osram Gmbh | Radiation emitting semi-conductor element |
US20050236630A1 (en) * | 2004-04-23 | 2005-10-27 | Wang-Nang Wang | Transparent contact for light emitting diode |
US7893449B2 (en) * | 2005-12-14 | 2011-02-22 | Showa Denko K.K. | Gallium nitride based compound semiconductor light-emitting device having high emission efficiency and method of manufacturing the same |
EP1974389A4 (en) | 2006-01-05 | 2010-12-29 | Illumitex Inc | SEPARATE OPTICAL DEVICE FOR DIRECTING LIGHT FROM A LED |
DE102006057747B4 (de) * | 2006-09-27 | 2015-10-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper |
KR20090064474A (ko) | 2006-10-02 | 2009-06-18 | 일루미텍스, 인크. | Led 시스템 및 방법 |
WO2009100358A1 (en) | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Illumitex, Inc. | System and method for emitter layer shaping |
JP2009231549A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
US7791101B2 (en) * | 2008-03-28 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | Indium gallium nitride-based ohmic contact layers for gallium nitride-based devices |
TWI475717B (zh) * | 2008-05-09 | 2015-03-01 | Advanced Optoelectronic Tech | A semiconductor element that emits radiation |
DE102008028345A1 (de) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
US8536776B2 (en) | 2009-05-07 | 2013-09-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Light emitting device including semiconductor nanocrystals |
US9437785B2 (en) * | 2009-08-10 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including integrated backside reflector and die attach |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
CN103390704B (zh) * | 2012-05-08 | 2016-01-20 | 华夏光股份有限公司 | 发光二极管装置 |
US9865768B2 (en) * | 2014-03-27 | 2018-01-09 | The Regents Of The University Of California | Ultrafast light emitting diodes for optical wireless communications |
TWI577046B (zh) * | 2014-12-23 | 2017-04-01 | 錼創科技股份有限公司 | 半導體發光元件及其製作方法 |
TWI581453B (zh) * | 2014-12-23 | 2017-05-01 | 錼創科技股份有限公司 | 半導體發光元件 |
JP5953447B1 (ja) * | 2015-02-05 | 2016-07-20 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2016171127A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
DE102017104719A1 (de) * | 2017-03-07 | 2018-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Halbleiterchip |
DE102017119931A1 (de) * | 2017-08-30 | 2019-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
US10693038B2 (en) * | 2017-11-22 | 2020-06-23 | Epistar Corporation | Semiconductor device |
CN108470807B (zh) * | 2018-02-02 | 2019-10-29 | 南昌大学 | 一种半导体发光二极管的外延装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5925897A (en) * | 1997-02-14 | 1999-07-20 | Oberman; David B. | Optoelectronic semiconductor diodes and devices comprising same |
JP3517091B2 (ja) * | 1997-07-04 | 2004-04-05 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 |
US6559467B2 (en) * | 1997-11-18 | 2003-05-06 | Technologies And Devices International, Inc. | P-n heterojunction-based structures utilizing HVPE grown III-V compound layers |
US6657300B2 (en) * | 1998-06-05 | 2003-12-02 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices |
JP2000036616A (ja) | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US6690700B2 (en) * | 1998-10-16 | 2004-02-10 | Agilent Technologies, Inc. | Nitride semiconductor device |
US6207972B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-03-27 | Super Epitaxial Products, Inc. | Light emitting diode with transparent window layer |
JP3719047B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2005-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子 |
JP4412827B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2010-02-10 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体厚膜基板 |
US6441393B2 (en) * | 1999-11-17 | 2002-08-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor devices with selectively doped III-V nitride layers |
JP2001144014A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Ngk Insulators Ltd | エピタキシャル成長用基板およびその製造方法 |
JP2002134416A (ja) | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Ricoh Co Ltd | p型3族窒化物の結晶成長方法および製造方法、並びに半導体素子 |
US6800876B2 (en) * | 2001-01-16 | 2004-10-05 | Cree, Inc. | Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137) |
US6611002B2 (en) * | 2001-02-23 | 2003-08-26 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods including backside vias |
US6576932B2 (en) * | 2001-03-01 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices |
JP3520919B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2004-04-19 | 士郎 酒井 | 窒化物系半導体装置の製造方法 |
TW544956B (en) * | 2001-06-13 | 2003-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Nitride semiconductor, production method therefor and nitride semiconductor element |
US6515308B1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-02-04 | Xerox Corporation | Nitride-based VCSEL or light emitting diode with p-n tunnel junction current injection |
US6750482B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-06-15 | Rf Micro Devices, Inc. | Highly conductive semiconductor layer having two or more impurities |
-
2002
- 2002-10-16 TW TW091124272A patent/TW561637B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
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- 2003-10-06 JP JP2003347087A patent/JP4014557B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011034273A1 (ko) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 주식회사 퀀텀디바이스 | 반도체 발광소자 |
JP2019009169A (ja) * | 2017-06-21 | 2019-01-17 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | 半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法 |
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