TW561637B - LED having contact layer with dual dopant state - Google Patents

LED having contact layer with dual dopant state Download PDF

Info

Publication number
TW561637B
TW561637B TW091124272A TW91124272A TW561637B TW 561637 B TW561637 B TW 561637B TW 091124272 A TW091124272 A TW 091124272A TW 91124272 A TW91124272 A TW 91124272A TW 561637 B TW561637 B TW 561637B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
contact layer
type
layer
light
impurity
Prior art date
Application number
TW091124272A
Other languages
English (en)
Inventor
Jen Ou
Jia-Rung Jang
Chen-Ke Shiu
Chang-Huei Jing
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Priority to TW091124272A priority Critical patent/TW561637B/zh
Priority to US10/605,513 priority patent/US7132695B2/en
Priority to JP2003347087A priority patent/JP4014557B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of TW561637B publication Critical patent/TW561637B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H01L33/325—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

561637 發明之領域 呈本發明係關於一種發光二極體（LED)，尤其關於一種 具' 有雙雜質態接觸層之發光二極體。 相關技藝之說明 一 發光二極體之應用頗為廣泛，例如，可應用於光學顯 示裝置、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝 =、以及醫療裝置。在此技藝中，目前技術人員重要課題 改善發光二極體之電性以及提高發光二極體之亮度。 ^ 在美國專利第5, 563, 422號中揭露一種發光二極體構 w，其中在一 p型接觸層上形成一極薄之Ni/Au透明導電 層，以達到電流擴展之效果，而改善發光二極體之發光特 性。然而實質上，以此類材料製成之透明導電層，其穿透
，，約60%〜70%，因此不僅影響LED之發光效率，且因厚产 夕在10 nm左右，故電流擴展效果亦不甚理想。 X 為改進此問題，在美國專利第6, 0 78, 0 64號（其與本 ”具有相同受讓人）揭露一種發光二極體構造，其中 匕物導電層形成於一高濃度p型接觸層上，因透在 電層具有較高之穿透率，且因透光率好，可具 ，㈣流擴展效果亦較佳，因此能： 極體之發光特性，楹斗甘政k ι九一 μ ^ ^ ^ 升/、發先亮度。惟此高濃度ρ行接觸 i11//ΓΛ Λ^5ei8/cm3^^ ^^^^^,b 勢得此^恭；二子的歐姆接觸。然而就傳統技藝而言，要 " 同 ？辰度之p型接觸層實屬不易，因P型摻雜層中
第4頁 561637
通常具有較多的缺陷，加上韌 塑，扮& μ 刀上l備時有虱氣鈍化效應之影 曰故即使加入高濃度的Ρ型摻雜體，仍，缺不易_ =農度:型導電載子，因此利用此技藝 = LED之發光亮度’卻容易造成?型接觸層與透明氧化物 :電層間之接觸電阻偏高，使得LED之順向操作電㈣ 大’而對LED之電性產生不良影響。
:台灣專利第14441 5號（其與本案具有相同受讓人） 揭路另一種反向穿隧層之技藝，其在透明電極層與半導體 ,二疊層間，加入一n+反向穿隧接觸，，利用穿：之機制 來達到歐姆接觸之目的，以取代先前技藝之高濃度p型接 觸層，降低元件製備上的困難。然實際上，此反向穿隧層 之效果對於厚度與η型載子之濃度較為敏感，當載子濃度 太低（例如小於5e19/Cm3)，或厚度太厚時，易造成穿隧^ 制之阻礙，故在元件製作時需較嚴苛之掌控。
本案發明人於進一步思考如何提高此等先前技藝發光 二極體之亮度、降低此類接觸層與透明氧化物導電層間之 高接觸電阻問題，並解決元件製作時之嚴苛限制時，^得 一發明靈感，認為在透明氧化物導電層層與發光二極體之 半導體疊層間，提供一η型、p型雜質共同存在之雙雜質雜 接觸層，可有效降低透明氧化物導電層與發光二極艘之$ 導體疊層間之接觸電阻，以取代先前技藝之高濃度ρ型接 觸層之問題。由於此雙雜質態接觸層中同時具有η型與ρ型 雜質態，故在其能隙間同時存在有η型雜質態能階與ρ型雜 質態能階，當對LED提供一順向操作偏壓時，導電載子可
561637 五、發明說明（3) 將此共同存在之雙雜質態能階作 " 在透明氧化物導電層與P型束缚層門心*隙間之傳輸中心，而 明氧化物導電層與發光二極體之間進行傳導，進而使透 歐姆接觸。利用此傳輸機制，並:=體疊^間形成良好之 子存在，即可改善前述技藝之高=要有高濃度之P型載 備不易之問題，而避免使發光二二型载子接觸層製 並達到提昇發光亮度之效果。 體順向操作電壓增大， 發明概要 因而， 質態接觸層 在不需要求 中同時存在 電層與該接 態接觸層之 方式製得； 著於降溫過 得；故其在 較多之選擇 具有雙雜 物導電層 該接觸層 氧化物導 有雙雜質 共同摻雜 型層，接 式而製 方式亦有 本：明之主要目的在於提供一種具有 之發光二極體，使得苴中 iiL m m λ, ^ ^ 中之透明氧化 接觸層中有尚濃度之導電載子，僅 型與p型之雜質，即可改善該透明 觸層間之不良電性。另外在製備該具 發光二極體時，可利用磊晶成長時之 或是於製程中先成長P型層，再成長11 程或退火過程當中使其交互擴散之方 製備上較先前技藝更為容易，且製備 性。 觸層σ圖1所不，依本發明一較佳實施例具有雙雜質態接 一層之藍光發光二極體，發光波長在468nm，其結構包含 由藍寶石形成之絕緣基板1 〇、形成於該絕緣基板1 〇上之 m 第6頁 561637 五、發明說明（4) ---- 一緩衝層11、形成於該緩衝層11上之—n型接觸層12，苴 中’該η型接觸層之上表面包含一第—表面區域與一第^ 表面區域、形成於該第一表面區域上之一多重量子井發光 層13、形成於該發光層13上之一 ρ型束缚層14、形成於該 Ρ型束缚層14上之一 ρ型接觸層15、形成於該口型接觸層 15上，且具有η型與ρ型共同存在之雙雜質態接觸層丨^、形 成於該雙雜質態接觸層16上之一透明氧化物導電層17、形 成於該透明氧化物導電層17上之一ρ型前電極18、以及形 成於該η型接觸層之第二表面區域上之一 η型後電極丨9。
在此實施例中，η型與ρ型共同摻雜之雙雜質態接觸層 之雜質摻雜濃度為1〇19/cm3，厚度約為6〇埃。如表丄所 不，在2 0 mA之定電流下實驗結果顯示，依此實施例在 20mA之順向電壓僅較使用傳統Ni/Au透明導電層之技藝略 = 〇.〇ιν，而其晶粒之軸向發光亮度’卻可由傳統Ni/Au技 之25.7mcd提升至34.5mcd，提升約34.2%。此外，我們
也針對先前之反向穿隧接觸層技藝做一比對實驗，结果顯 示以反向穿隧接觸層技藝確能提高亮度，但其順向^作電 壓貝。丨會有較明顯之提高。由此觀之，本發明之技藝破可使 ^操作電壓不增高之情況下，對於亮度之提高，顯然屬有 秘值之增進功效，較傳統Ni/Au透明導電層技藝及反向 穿隨接觸層技藝皆有明顯之進步性。
561637 五、發明說明（5) 表1 方法 Vf(V)@2QmA Intensity (nxd) 傳統Ni/Au透明導電層 3.15 25.7 反向穿峨觸層十氧勿透明電極 3.41 36.3 本發明(雙雜質態接觸層+氧勿透明電極） 3,16 34,5 依本發明之另一較佳實施例具有雙雜質態接觸層之綠 光發光二極體，發光波長在526nm，其結構與第一較佳實 施例相同，包含一由藍寶石形成之絕緣基板、形成於該絕 緣基板上之一緩衝層、形成於該緩衝層上之一 η型接觸 層’其中’該η型接觸層之上表面包含一第一表面區域與 一第二表面區域、形成於該第一表面區域上之一多重量子 井發光層、形成於該發光層上之一 ρ型束缚層、形成於該 Ρ型束缚層上之一 ρ型接觸層、形成於該ρ型接觸層上， 且具有η型與ρ型共同存在之雙雜質態接觸層、形成於該雙 雜質態接觸層上之一透明氧化物導電層、形成於該透明氧 =物導電，上之Ρ型前電極、以及形成於該Η型接觸層之 f:ί面5域上之一 η型後電極。此實施例中之雙雜質態 ::層法與前例不同之處，☆於此雙雜質態接觸層之 觸層中之。型雜中二:雜此V/之前之p型接 擴政進而使此原本之η型接觸層轉
第8頁 561637
、菱為同時存在有n型與p型雙雜質態，而形成此一雙雜質態 接觸層，此雙雜質態接觸層之η型濃度為8χ 1〇1Vcm3 , p型^ 雜5捧雜濃度約為5x 1(p/cm3。如表2所示，在2〇 mA之定 電流下實驗，結果顯示，依本發明此實施例發光二極體， ，傳統N i / A u透明導電層技藝比較，其晶粒之軸向發光 儿度可由傳統之137.6mcd提升至I78.4mcd，較傳統 Ni/Au透明導電層技藝發光二極體發光功率可提升 29· 8%。同樣地，我們也比較了先前之反向穿隧接觸層技 藝’其對於發光強度與本技藝有同樣提升之效果，但其 2 0mA之順向操作電壓卻較傳統N丨/All透明導電層技藝之發 光二極體提升約0.45V，相較於本技藝其電壓僅由311V略 增至3.2V，上升〇·〇9ν。由此觀之，本技藝確能保持操作 電壓不大幅提高，而對於亮度之提高，顯然屬有價值之增 進功效。 表2 方法 Vf (V) @20mA Intensity (mcd) 傳統Ni/Au透明導電層 3.11 137.6 反向穿隧接觸層+氧化物透明電極 3.56 171.6 本發明(雙雜質態接觸層+氧化物透明電極） 3.20 178.4 請參閱圖2 ’其顯示依本發明又一較佳實施例之混光 式發光二極體’其與圖1所示結構之差異處在於：以為晶 生長所形成之各化合物半導體層21至27係在一 η型導電基 板20之一主要表面上形成，而η型後電極29係與η型導電基
561637 五、發明說明（7) 板20之另一主要表面接觸。且由於基板2〇具有導電性，故 結晶生長各化合物半導體層21至27後，無需進行前述之蝕 刻程序。η型導電基板30包含選自於GaN、SiC、Si、A1N、 Z η Ο、M g Ο、G a P、G a A s及G e所構成材料群組中的一種材 料。 刖述絕緣基板，係包含選自於藍寶石 …— Libauz /入
Li A 102所構成材料群組中的一種材料；前述緩衝層，係包 含選自於GaN系材料製成；前述接觸層，係包含選自於GaN 與AJGaN所構成材料群組中的一種材料；前述氮化銦鎵多 重1子井發光層，係包含]；個氮化銦鎵量子井與r + i個氮化 銦鎵障壁層，使得每一個氮化銦鎵量子井上下二側皆有一 氮，銦鎵障壁層，其中，d，每一氣化銦鎵量子井係由 IneGal-eN構成，每一氮化銦鎵障壁層係由inf(jai_fN構 盆由且^;前述口形束缚層，係包含AlzGahzN， z各1;前述透明氧化物導電層，係、包含選自 匕鑛錫、氧化録錫、氧化鋅以及氧化鋅錫 = =中的一種材料；㉟述雙雜質態接觸層係包
述η型雜質Λ糸人材料所1成材料群組中的一種材料；前 ❹工雜質，係包含選自於Si、G 成材料群組中的一種材料；前述p/雜nfT，e#H=_ Μσ λ 7η d 。 土雜質，係包含選自於 、e、Ca所構成材料群組中的一種材料。 雖然本發明之發光二極體已以較佳實施例揭露於上，
第10頁 561637 五、發明說明（8) 然本發明之範圍並不限於上述較佳實施例，應以下述申請 專利範圍所界定為準。因此任何熟知此項技藝者，在不脫 離本發明之申請專利範圍及精神下，當可做任何改變。
第11頁 561637 圖式簡單說明 圖1為一示意圖，顯示依本發明一較佳實施例具有雙 雜質態接觸層之發光二極體構造； 圖2為一示意圖，顯示依本發明又一較佳實施例具有 雙雜質態接觸層之發光二極體構造。 符號說明 10 絕緣基板 11 緩衝層 12 η型接觸層 13 多重量子井發光層 14 ρ型束缚層 15 Ρ型接觸層 16 雙雜質態接觸層 17 透明氧化物導電層 18 ρ型前電極 19 η型後電極 20 η型導電基板 21 緩衝層 22 η型接觸層 23 多重量子井發光層 24 ρ型束缚層 25 Ρ型接觸層
第12頁
561637 圖式簡單說明 26 雙 雜 質 態 接 觸 層 27 透 明 氧 化 物 導 電層 28 P 型 後 電 極 29 η 型 後 電 極 llilllll 第13頁

Claims (1)

  1. 561637 六、申請專利範圍 1. 一種具有雙雜質態接觸層之發光二極體，至少包含： 一基板； 形成於該基板上之一發光疊層； 形成於該發光疊層上，且至少具有一 η型與一 p型共同 存在之一雙雜質態接觸層；以及 形成於該接觸層上之一透明氧化物導電層。 2. —種具有雙雜質態接觸層之發光二極體，包含： 一絕緣基板； 形成於該絕緣基板上之一緩衝層； 形成於該緩衝層上之一 η型接觸層，其中，該η型接 觸層之上表面包含一第一表面區域與一第二表面區域； 形成於該第一表面區域上之一多重量子井發光層； 形成於該發光層上之一 Ρ型接觸層； 形成於該Ρ型接觸層上，且至少具有一 η型與一 ρ型雜 質共同存在之一雙雜質態接觸層； 形成於該雙雜質態接觸層上之一透明氧化物導電層； 形成於該透明氧化物導電層上之Ρ型前電極；以及 形成於該η型接觸層之第二表面區域上之一 η型後電 極。 3. —種具有雙雜質態接觸層之發光二極體，包含： 一 η型後電極； 形成於該η型後電極上之一 η型導電基板；
    第14頁 561637
    形成於該η型導電基板上之一緩衝層； 形成於該緩衝層上之一η型接觸層； 形成於該η型接觸層上之一多重量子井發光層； 形成於該發光層上之一 Ρ型接觸層； 形成於該ρ型接觸層上，且至少具有—η型與一 ρ型共同 存在之一雙雜質態接觸層； 形成於該雙雜質態接觸層上之一透明氧化物導電層；以 形成於該透明導電層上之一 Ρ型電極。 4·依申請專利範圍第2項之一種具有雙雜質態接觸層之發 光二極體’其中該絕緣基板包含選自於藍寶石、Li (ja〇2、 及L i A 1 0 2所構成材料群組中的一種材料。 5 ·依申請專利範圍第3項之一種具有雙雜質態接觸層之發 光二極體，其中該n型導電性基板包含選自於GaN、siC、 Si、Ge、AIN、GaAs、InP及GaP所構成材料群組中的一種 材料。 6 ·依申請專利範圍 層之發光二極體， Π - n i t r i d e系材料 第2項或第3項之一 其中該緩衝層包含 所構成材料群組中 種具有雙雜質態接觸 選自於A 1 I nGaN系及 的一種材料。
    依申請專利範圍第2項或第3項之一種具有雙雜f態接觸
    第15頁 561637
    層之發光二極體， AlGaN 及 InGaN 所構 其中該p型接觸層包含選自於GaN 成材料群組中的一種材料。 8 ·依申請專利範圍第2項或第 ^ ^ 層之發光二極體，1中該^之一種具有雙雜質態接觸 A1 ^ ΤηΓ Μ ^ i接觸層包含選自於GaN、 AlGaN及InGaN所構成材料群組中的一種材料。 9 ·依申請專利範圍第2項或第s 層之發光二極體，其中二第重3C有雙雜質態接觸 銦鎵量子井與…個氣化銦嫁重障$壁子層井發搜光^含/個氮化 你旦；此μ 丁 早J層，使得母一個氮化鈿 銥里子井上下二側皆有一氮化銦鎵障壁層，=銦 每一氮化銦鎵量子井係由IneGal &二1， 障壁層係由InfGal-fN構成，且〇 $f<e ^。’虱化銦鎵 1 0 ·依申請專利範圍第1項、 質態接觸層之發光二極體， 選自於A 1 InGaN系材料所構 第2項或第3項之一種具有雙雜 其中該雙雜質態接觸層係包含 成材料群組中的一種材料。 11·依申請專利範圍第2項或第3項之一種具有雙雜 觸層之發光二極體，其中該雙# ^ 質^接 人、$ ό AC· ρ Λ龙雜負態接觸層之Γ1型雜質包 含選自於Si、Ge + 貝匕 一種材料。 S Μ所構成材料群組中的 1 2 ·依申請專利範圍第2項或第3項 之 種具有雙雜質態接 561637
    ，其中該雙雜質態接觸 Be及Ca所構成材料群組 層之P型雜質包 中的一種材料。 六、申請專利範圍 觸層之發光二極體 含選自於Mg、Zn、 1 3 ·依申請專利範圍第1項、第2項或第3項之一種具有雙雜 |質態接觸層之發光二極體，其中該透明氧化物導電層包含 選自於氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化 鋅以及氧化辞錫所構成材料群組中的一種材料。 1 4 ·依申請專利範圍第2項之一種具有雙雜質態接觸層之發 光二極體，其中更包含形成於該η型接觸層及該多重量子 春 井發光層之間之一 η型束縛層。 · 15·依申請專利範圍第3項之一種具有雙雜質態接觸層之發 光二極體，其中更包含形成於該η型接觸層及該多重量子 井發光層之間之一 η型束缚層。 1 6 ·依申請專利範圍第2項之一種具有雙雜質態接觸層之發 光二極體，其中更包含形成於該ρ型接觸層及該多重量子 井發光層之間之一Ρ型束缚層。 1 7.依申凊專利範圍第3項之一種具有雙雜質態接觸層之發 光二極體，其中更包含形成於該口型接觸層及該多重量子 井發光層之間之一 Ρ型束缚層。
    第17頁 561637 六、申請專利範圍 1 8.依申請專利範圍第1 4項或第1 5項之一種具有雙雜質態 接觸層之發光二極體，其中該η型束缚層，係包含 A1 xGa 1 -xN,其中，Ο $ x 。 1 9.依申請專利範圍第1 6項或第1 7項之一種具有雙雜質態 接觸層之發光二極體，其中該p形束縛層包含AlzGal-zN， 其中，0 $ z S1 。
    2 0.依申請專利範圍第1項、第2項或第3項之一種具有雙雜 質態接觸層之發光二極體，其中該雙雜質態接觸層是由磊 晶成長時共同摻雜至少一η型及一 p型雜質而形成。 2 1.依申請專利範圍第1項、第2項或第3項之一種具有雙雜 質態接觸層之發光二極體，其中該雙雜質態接觸層是以小 於4 0 °C/min緩慢之降溫速率而形成。
    第18頁
TW091124272A 2002-10-16 2002-10-16 LED having contact layer with dual dopant state TW561637B (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW091124272A TW561637B (en) 2002-10-16 2002-10-16 LED having contact layer with dual dopant state
US10/605,513 US7132695B2 (en) 2002-10-16 2003-10-05 Light emitting diode having a dual dopant contact layer
JP2003347087A JP4014557B2 (ja) 2002-10-16 2003-10-06 デュアルドーパント接触層を有する発光ダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW091124272A TW561637B (en) 2002-10-16 2002-10-16 LED having contact layer with dual dopant state

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW561637B true TW561637B (en) 2003-11-11

Family

ID=32391310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091124272A TW561637B (en) 2002-10-16 2002-10-16 LED having contact layer with dual dopant state

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7132695B2 (zh)
JP (1) JP4014557B2 (zh)
TW (1) TW561637B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100853882B1 (ko) * 2003-08-29 2008-08-22 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 방사선 방출 반도체 소자
US20050236630A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Wang-Nang Wang Transparent contact for light emitting diode
EP1965442B1 (en) * 2005-12-14 2016-09-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor light-emitting device
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
DE102006057747B4 (de) 2006-09-27 2015-10-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper
CN101553928B (zh) 2006-10-02 2011-06-01 伊鲁米特克有限公司 Led系统和方法
EP2240968A1 (en) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
JP2009231549A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化物系半導体発光素子
US7791101B2 (en) * 2008-03-28 2010-09-07 Cree, Inc. Indium gallium nitride-based ohmic contact layers for gallium nitride-based devices
TWI475717B (zh) * 2008-05-09 2015-03-01 Advanced Optoelectronic Tech A semiconductor element that emits radiation
DE102008028345A1 (de) * 2008-06-13 2009-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
WO2010129887A2 (en) * 2009-05-07 2010-11-11 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting device including semiconductor nanocrystals
US9437785B2 (en) * 2009-08-10 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diodes including integrated backside reflector and die attach
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
KR101067474B1 (ko) * 2009-09-17 2011-09-27 주식회사 퀀텀디바이스 반도체 발광소자
CN103390704B (zh) * 2012-05-08 2016-01-20 华夏光股份有限公司 发光二极管装置
US9865768B2 (en) * 2014-03-27 2018-01-09 The Regents Of The University Of California Ultrafast light emitting diodes for optical wireless communications
TWI581453B (zh) * 2014-12-23 2017-05-01 錼創科技股份有限公司 半導體發光元件
TWI577046B (zh) * 2014-12-23 2017-04-01 錼創科技股份有限公司 半導體發光元件及其製作方法
JP5953447B1 (ja) * 2015-02-05 2016-07-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2016171127A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
DE102017104719A1 (de) * 2017-03-07 2018-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterkörper und Halbleiterchip
JP6940866B2 (ja) * 2017-06-21 2021-09-29 国立研究開発法人情報通信研究機構 半導体光デバイス、半導体光源、光集積回路、及び半導体光デバイスの製造方法
DE102017119931A1 (de) * 2017-08-30 2019-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US10665750B2 (en) * 2017-11-22 2020-05-26 Epistar Corporation Semiconductor device
CN108470807B (zh) * 2018-02-02 2019-10-29 南昌大学 一种半导体发光二极管的外延装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5925897A (en) * 1997-02-14 1999-07-20 Oberman; David B. Optoelectronic semiconductor diodes and devices comprising same
JP3517091B2 (ja) * 1997-07-04 2004-04-05 東芝電子エンジニアリング株式会社 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
US6559467B2 (en) * 1997-11-18 2003-05-06 Technologies And Devices International, Inc. P-n heterojunction-based structures utilizing HVPE grown III-V compound layers
US6657300B2 (en) * 1998-06-05 2003-12-02 Lumileds Lighting U.S., Llc Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices
JP2000036616A (ja) 1998-07-21 2000-02-02 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
US6690700B2 (en) * 1998-10-16 2004-02-10 Agilent Technologies, Inc. Nitride semiconductor device
US6207972B1 (en) * 1999-01-12 2001-03-27 Super Epitaxial Products, Inc. Light emitting diode with transparent window layer
JP3719047B2 (ja) * 1999-06-07 2005-11-24 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP4412827B2 (ja) * 1999-08-20 2010-02-10 シャープ株式会社 窒化物半導体厚膜基板
US6441393B2 (en) * 1999-11-17 2002-08-27 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor devices with selectively doped III-V nitride layers
JP2001144014A (ja) * 1999-11-17 2001-05-25 Ngk Insulators Ltd エピタキシャル成長用基板およびその製造方法
JP2002134416A (ja) 2000-10-19 2002-05-10 Ricoh Co Ltd ｐ型３族窒化物の結晶成長方法および製造方法、並びに半導体素子
US6800876B2 (en) * 2001-01-16 2004-10-05 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137)
US6611002B2 (en) * 2001-02-23 2003-08-26 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods including backside vias
US6576932B2 (en) * 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
JP3520919B2 (ja) * 2001-03-27 2004-04-19 士郎 酒井 窒化物系半導体装置の製造方法
CN1259734C (zh) * 2001-06-13 2006-06-14 松下电器产业株式会社 氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件
US6515308B1 (en) * 2001-12-21 2003-02-04 Xerox Corporation Nitride-based VCSEL or light emitting diode with p-n tunnel junction current injection
US6750482B2 (en) * 2002-04-30 2004-06-15 Rf Micro Devices, Inc. Highly conductive semiconductor layer having two or more impurities

Also Published As

Publication number Publication date
JP4014557B2 (ja) 2007-11-28
US20040104399A1 (en) 2004-06-03
US7132695B2 (en) 2006-11-07
JP2004282006A (ja) 2004-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW561637B (en) LED having contact layer with dual dopant state
TW515116B (en) Light emitting diode structure
CN109920889B (zh) 氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法
US7943949B2 (en) III-nitride based on semiconductor device with low-resistance ohmic contacts
JP2002231999A (ja) Ｉｉｉ−窒化物発光デバイスにオーミックコンタクトを形成する方法
JP2008526014A (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US8053794B2 (en) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
US11069836B2 (en) Methods for growing light emitting devices under ultra-violet illumination
CN115188863A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法
KR101030823B1 (ko) 투명 박막, 이를 포함하는 발광 소자와 이들의 제조 방법
CN106876530B (zh) 一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法
JP2008130878A (ja) 窒化物半導体発光素子
TWI295513B (en) Gallium nitride-based semiconductor device
KR101232031B1 (ko) 질화갈륨계 화합물 반도체 발광소자
JP2004214337A (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2006179618A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
CN101859839A (zh) 发光二极管芯片
KR101483230B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자
TWI745465B (zh) 用於在紫外光照射下生長發光裝置的方法
KR20070035660A (ko) 질화물 반도체 발광소자 제조방법
CN1956230B (zh) 发光二极管芯片
CN111326618A (zh) 一种能够调整电子迁移速率的半导体发光器件
CN217009212U (zh) Led芯片
CN114551654B (zh) 一种复合p型空穴注入层改善蓝绿光Micro-LED通信性能的方法及器件
CN109244206B (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent