KR100721160B1 - 질화물 반도체 소자 - Google Patents
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- 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상의 일부에, 서로 다른 전자 이동도를 가지는 질화물 반도체층이 순차적으로 교대로 반복하여 다수회 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 전류확산층;상기 전류확산층 상에 형성되어 있는 활성층;상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 클래드층;상기 p형 클래드층 상에 형성되어 있는 p형 전극; 및상기 전류확산층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물 반도체 소자.
- 기판;상기 기판 상에 형성되어 있는 n형 클래드층;상기 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 활성층;상기 활성층 상에 서로 다른 전자 이동도를 가지는 질화물 반도체층이 순차적으로 교대로 반복하여 다수회 적층되어 다층 구조로 형성되어 있는 전류확산층;상기 전류확산층 상에 형성되어 있는 p형 전극; 및상기 활성층이 형성되지 않은 n형 클래드층 상에 형성되어 있는 n형 전극을 포함하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전류확산층을 구성하는 서로 다른 전자 이동도를 가지는 질화물 반도체층은, InXAlYGa1 -X- YN (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1) 조성물로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전류확산층은, 서로 균일한 전자 이동도의 변화를 가지는 다층 구조의 질화물 반도체층이 반복적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전류확산층은, 서로 다른 전자 이동도의 변화를 가지는 다층 구조의 질화물 반도체층이 반복적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전류확산층은, 서로 동일한 두께를 가지는 질화물 반도체층으로 이루어 진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전류확산층은, 서로 다른 두께를 가지는 질화물 반도체층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 전류확산층은, n형 이온이 도핑된 질화물 반도체층과 아세닉 이온이 도핑된 질화물 반도체층이 순차적으로 1회 이상 교번하여 적층되어 다층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 전류확산층은, 아세닉 이온이 도핑된 질화물 반도체층과 n형 이온이 도핑된 질화물 반도체층이 순차적으로 1회 이상 교번하여 적층되어 다층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항에 있어서,상기 전류확산층은, 제1 n형 이온이 도핑된 질화물 반도체층과 아세닉 이온이 도핑된 질화물 반도체층 및 제2 n형 이온이 도핑된 질화물 반도체층이 순차적으로 1회 이상 교번하여 적층되어 다층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반 도체 소자.
- 제10항에 있어서,상기 제1 n형 이온과 제2 n형 이온은 동일하거나 서로 다른 이온인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전류확산층은, 아세닉 이온이 도핑된 질화물 반도체층과 n형 이온이 도핑된 질화물 반도체층 사이에 어느 일방으로 에너지 밴드가 순차적으로 증가하는 1층 이상의 n형 이온이 도핑된 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제2항에 있어서,상기 전류확산층은, 아세닉 이온이 도핑된 질화물 반도체층과 p형 이온이 도핑된 질화물 반도체층이 순차적으로 1회 이상 교번하여 적층되어 다층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제2항에 있어서,상기 전류확산층은, p형 이온이 도핑된 질화물 반도체층과 아세닉 이온이 도핑된 질화물 반도체층이 순차적으로 1회 이상 교번하여 적층되어 다층 구조를 가지 는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제2항에 있어서,상기 전류확산층은, 제1 p형 이온이 도핑된 질화물 반도체층과 아세닉 이온이 도핑된 질화물 반도체층 및 제2 p형 이온이 도핑된 질화물 반도체층이 순차적으로 1회 이상 교번하여 적층되어 다층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제15항에 있어서,상기 제1 p형 이온과 제2 p형 이온은 동일하거나 서로 다른 이온인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전류확산층은, 아세닉 이온이 도핑된 질화물 반도체층과 p형 이온이 도핑된 질화물 반도체층 사이에 어느 일방으로 에너지 밴드가 순차적으로 증가하는 1층 이상의 n형 이온이 도핑된 질화물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 p형 클래드층과 상기 p형 전극 사이에 형성되어 있는 투명 도전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
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Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009072787A2 (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Wooree Lst Co., Ltd. | Light emitting device using compound semiconductor |
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KR20040073808A (ko) * | 2003-02-14 | 2004-08-21 | 엘지전자 주식회사 | 질화물계 화합물 반도체를 이용한 발광소자 및 그의제조방법 |
JP2005197292A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-10-31 KR KR20050102824A patent/KR100721160B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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US8294178B2 (en) | 2007-12-05 | 2012-10-23 | Wooree E&L Co., Ltd. | Light emitting device using compound semiconductor |
Also Published As
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KR20070046301A (ko) | 2007-05-03 |
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