JP2002094114A - ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法 - Google Patents
ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法Info
- Publication number
- JP2002094114A JP2002094114A JP2000278041A JP2000278041A JP2002094114A JP 2002094114 A JP2002094114 A JP 2002094114A JP 2000278041 A JP2000278041 A JP 2000278041A JP 2000278041 A JP2000278041 A JP 2000278041A JP 2002094114 A JP2002094114 A JP 2002094114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zno
- layer
- based oxide
- type
- oxide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of group II and group VI of the periodic system
- H01L33/285—Materials of the light emitting region containing only elements of group II and group VI of the periodic system characterised by the doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/327—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIBVI compounds, e.g. ZnCdSe-laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0213—Sapphire, quartz or diamond based substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
- H01S5/3059—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping in II-VI materials
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定した高いキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸
化物半導体層を有する半導体装置およびその製法を提供
する。 【解決手段】 たとえばＬＥＤであれば、基板１１上
に、ＺｎＯ系酸化物半導体からなり発光部を形成すべく
少なくともｎ形層１４およびｐ形層１６を含む発光層形
成部１０が積層されている。このｐ形層１６がドーパン
トとしてリンを含有している。このようなリンをドーピ
ングするには、たとえばＺｎＯ系酸化物半導体を成長す
る際に、Ｚｎ3Ｐ2などのＺｎとＰの結合を有する材料を
用いて行う。
化物半導体層を有する半導体装置およびその製法を提供
する。 【解決手段】 たとえばＬＥＤであれば、基板１１上
に、ＺｎＯ系酸化物半導体からなり発光部を形成すべく
少なくともｎ形層１４およびｐ形層１６を含む発光層形
成部１０が積層されている。このｐ形層１６がドーパン
トとしてリンを含有している。このようなリンをドーピ
ングするには、たとえばＺｎＯ系酸化物半導体を成長す
る際に、Ｚｎ3Ｐ2などのＺｎとＰの結合を有する材料を
用いて行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、次世代ＤＶＤディ
スク用光源などに用いられる青色系半導体発光素子、透
明導電膜、透明ＴＦＴなどのｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体
層を有する半導体装置およびその製法に関する。さらに
詳しくは、亜鉛とリンとの化合物をｐ形ドーパントの材
料として用いることにより、高いキャリア濃度で成長す
るｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成長する半導体装置お
よびその製法に関する。
スク用光源などに用いられる青色系半導体発光素子、透
明導電膜、透明ＴＦＴなどのｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体
層を有する半導体装置およびその製法に関する。さらに
詳しくは、亜鉛とリンとの化合物をｐ形ドーパントの材
料として用いることにより、高いキャリア濃度で成長す
るｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成長する半導体装置お
よびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フルカラーディスプレーや、信号灯など
の光源に用いられる青色系（紫外から黄色の波長領域）
の発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）や、室温で連
続発振する次世代の高精細ＤＶＤ光源用の青色レーザ
（以下、ＬＤという）は、最近サファイア基板上にＧａ
Ｎ系化合物半導体を積層することにより得られるように
なり脚光を浴びている。このような波長の短い発光素子
として、ＧａＮ系化合物半導体が主流になっているが、
ＺｎＯ系などのII−VI族化合物半導体を用いることも検
討されている。ＺｎＯは、室温でのバンドギャップが
３.３７ｅＶあり、ＺｎＯ系酸化物は、前述のＤＶＤ光
源のほか、透明導電膜、透明なＴＦＴなどへの応用も期
待されている。
の光源に用いられる青色系（紫外から黄色の波長領域）
の発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）や、室温で連
続発振する次世代の高精細ＤＶＤ光源用の青色レーザ
（以下、ＬＤという）は、最近サファイア基板上にＧａ
Ｎ系化合物半導体を積層することにより得られるように
なり脚光を浴びている。このような波長の短い発光素子
として、ＧａＮ系化合物半導体が主流になっているが、
ＺｎＯ系などのII−VI族化合物半導体を用いることも検
討されている。ＺｎＯは、室温でのバンドギャップが
３.３７ｅＶあり、ＺｎＯ系酸化物は、前述のＤＶＤ光
源のほか、透明導電膜、透明なＴＦＴなどへの応用も期
待されている。
【０００３】II−VI族化合物のＺｎＳｅでは、プラズマ
を用いたチッ素ガスを活性化し、その活性化チッ素をド
ーピングすることによりｐ形半導体層を実現している。
しかし、ＺｎＯについては、同じ手法が試みられている
ものの、キャリア濃度の大きいｐ形層は実現していな
い。その理由は定かではないが、たとえばT. Yamamoto
らによる「ソルューション ユージング ア コドーピ
ング メソッド トゥユニポーラリティ フォー ファ
ブリケーション オブ ｐタイプ ＺｎＯ(Solution us
ing a codoping method to Unipolarity for the fabri
cation of p-type ZnO)」（ジャパニーズ ジャーナル
オブ アプライド フィジックス(Japanese Journal
of Applied Physics)第３８巻、１６６〜１６９頁、１
９９９年）に、ＺｎＯの酸素サイトに入ったチッ素（ｐ
形伝導の条件）は、約２００ｍｅＶの深いアクセプタ準
位を作る上、結晶を不安定化させ、酸素空孔を発生させ
ることが、チッ素によるＺｎＯへのドーピングを難しく
している、と発表されている。その解決方法の一つとし
て、本論文では、アクセプタであるチッ素とドナーであ
るIII族元素を同時にドーピングする、コドーピング法
を提案している。すなわち、コドーピングにより、III
族元素とチッ素とが相互に結合しながら、ＺｎＯの結晶
の中に入ることにより、チッ素ドーピングによる結晶の
不安定化を防ぐ効果と、アクセプタレベルを浅くする効
果があることが示されている。
を用いたチッ素ガスを活性化し、その活性化チッ素をド
ーピングすることによりｐ形半導体層を実現している。
しかし、ＺｎＯについては、同じ手法が試みられている
ものの、キャリア濃度の大きいｐ形層は実現していな
い。その理由は定かではないが、たとえばT. Yamamoto
らによる「ソルューション ユージング ア コドーピ
ング メソッド トゥユニポーラリティ フォー ファ
ブリケーション オブ ｐタイプ ＺｎＯ(Solution us
ing a codoping method to Unipolarity for the fabri
cation of p-type ZnO)」（ジャパニーズ ジャーナル
オブ アプライド フィジックス(Japanese Journal
of Applied Physics)第３８巻、１６６〜１６９頁、１
９９９年）に、ＺｎＯの酸素サイトに入ったチッ素（ｐ
形伝導の条件）は、約２００ｍｅＶの深いアクセプタ準
位を作る上、結晶を不安定化させ、酸素空孔を発生させ
ることが、チッ素によるＺｎＯへのドーピングを難しく
している、と発表されている。その解決方法の一つとし
て、本論文では、アクセプタであるチッ素とドナーであ
るIII族元素を同時にドーピングする、コドーピング法
を提案している。すなわち、コドーピングにより、III
族元素とチッ素とが相互に結合しながら、ＺｎＯの結晶
の中に入ることにより、チッ素ドーピングによる結晶の
不安定化を防ぐ効果と、アクセプタレベルを浅くする効
果があることが示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、ｐ形Ｚ
ｎＯ系酸化物半導体層を形成するのに、ｐ形ドーパント
のチッ素のみならず、ｎ形ドーパントの、たとえばＧａ
などのIII族元素を同時にドーピングすることが提唱さ
れているが、実際に行おうとすると、III族元素はドナ
ーとして非常に活性化しやすいため、条件によってはｐ
形化には寄与しないで、ｎ形ドーパントとして作用し、
コドーピングによりｐ形化するのには、製造条件が非常
に狭い範囲で、安定したｐ形ＺｎＯ系酸化物層を得られ
ず、量産化に適しないという問題がある。
ｎＯ系酸化物半導体層を形成するのに、ｐ形ドーパント
のチッ素のみならず、ｎ形ドーパントの、たとえばＧａ
などのIII族元素を同時にドーピングすることが提唱さ
れているが、実際に行おうとすると、III族元素はドナ
ーとして非常に活性化しやすいため、条件によってはｐ
形化には寄与しないで、ｎ形ドーパントとして作用し、
コドーピングによりｐ形化するのには、製造条件が非常
に狭い範囲で、安定したｐ形ＺｎＯ系酸化物層を得られ
ず、量産化に適しないという問題がある。
【０００５】また、ｐ形ドーパントとして、Ｎ以外の他
の元素を考えても、ＺｎＯ系酸化物の材料であるＯがあ
ると、ドーパント元素とＯとの反応性が高く、アクセプ
タとして必要なＯのサイトに入り難いという問題があ
る。
の元素を考えても、ＺｎＯ系酸化物の材料であるＯがあ
ると、ドーパント元素とＯとの反応性が高く、アクセプ
タとして必要なＯのサイトに入り難いという問題があ
る。
【０００６】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
もので、安定した高いキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸化
物半導体層を有する半導体発光素子などのＺｎＯ系酸化
物半導体層を有する半導体装置を提供することを目的と
する。
もので、安定した高いキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸化
物半導体層を有する半導体発光素子などのＺｎＯ系酸化
物半導体層を有する半導体装置を提供することを目的と
する。
【０００７】本発明の他の目的は、ＺｎＯ系酸化物半導
体層にｐ形ドーパントとして、リン（Ｐ）をドーピング
する場合に、Ｚｎと結合して酸素サイトに効率的にドー
ピングしやすくするｐ形ＺｎＯ系酸化物層を成長する半
導体装置の製法を提供することにある。
体層にｐ形ドーパントとして、リン（Ｐ）をドーピング
する場合に、Ｚｎと結合して酸素サイトに効率的にドー
ピングしやすくするｐ形ＺｎＯ系酸化物層を成長する半
導体装置の製法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ｎ以外の
ドーパントをドーピングすることにより、コドーピング
を行わなくても、安定した高いキャリア濃度のｐ形Ｚｎ
Ｏ系酸化物半導体層を得るため鋭意検討を重ねた結果、
亜鉛とリンとの化合物をドーピング材料として用いるこ
とにより、亜鉛とリンとが結合した-Ｚｎ-Ｐ-の状態で
ＺｎＯ系酸化物層中にドーピングされるというサイト選
択性のため、リン（Ｐ）を非常に安定した状態でｐ形ド
ーパントとしてドーピングすることができることを見出
した。従来では、Ｖ族元素のリン（Ｐ）は、一般にはホ
スフィン（ＰＨ3）として用いられるが、この場合Ｈが
還元ガスであり、酸化物をエッチングするため不向きで
あると考えられ、Ｐをｐ型ドーパントとすることは考え
られていなかった。
ドーパントをドーピングすることにより、コドーピング
を行わなくても、安定した高いキャリア濃度のｐ形Ｚｎ
Ｏ系酸化物半導体層を得るため鋭意検討を重ねた結果、
亜鉛とリンとの化合物をドーピング材料として用いるこ
とにより、亜鉛とリンとが結合した-Ｚｎ-Ｐ-の状態で
ＺｎＯ系酸化物層中にドーピングされるというサイト選
択性のため、リン（Ｐ）を非常に安定した状態でｐ形ド
ーパントとしてドーピングすることができることを見出
した。従来では、Ｖ族元素のリン（Ｐ）は、一般にはホ
スフィン（ＰＨ3）として用いられるが、この場合Ｈが
還元ガスであり、酸化物をエッチングするため不向きで
あると考えられ、Ｐをｐ型ドーパントとすることは考え
られていなかった。
【０００９】本発明によるＺｎＯ系酸化物半導体層を有
する半導体装置は、基板上に、少なくともｐ形ＺｎＯ系
酸化物半導体層を有しており、前記ｐ形ＺｎＯ系酸化物
半導体層がドーパントとしてリン（Ｐ）を含有してい
る。
する半導体装置は、基板上に、少なくともｐ形ＺｎＯ系
酸化物半導体層を有しており、前記ｐ形ＺｎＯ系酸化物
半導体層がドーパントとしてリン（Ｐ）を含有してい
る。
【００１０】ここにＺｎＯ系酸化物半導体とは、Ｚｎを
含む酸化物を意味し、具体例としてはＺｎＯの他IIＡ族
とＺｎ、IIＢ族とＺｎ、またはIIＡ族およびIIＢ族とＺ
ｎのそれぞれの酸化物などを含む。
含む酸化物を意味し、具体例としてはＺｎＯの他IIＡ族
とＺｎ、IIＢ族とＺｎ、またはIIＡ族およびIIＢ族とＺ
ｎのそれぞれの酸化物などを含む。
【００１１】この構造にすることにより、リンをｐ形ド
ーパントとして用いているため、たとえば亜鉛との化合
物の状態でドーピングすることができ、Ｚｎとの結合に
より確実にＯのサイトにＰが入り、１×１０19ｃｍ-3程
度のキャリア濃度までドーピングすることができる。そ
の結果、安定したキャリア濃度のドーピングをすること
ができ、高濃度で一定のキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸
化物半導体層を有する半導体装置を得ることができる。
ーパントとして用いているため、たとえば亜鉛との化合
物の状態でドーピングすることができ、Ｚｎとの結合に
より確実にＯのサイトにＰが入り、１×１０19ｃｍ-3程
度のキャリア濃度までドーピングすることができる。そ
の結果、安定したキャリア濃度のドーピングをすること
ができ、高濃度で一定のキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸
化物半導体層を有する半導体装置を得ることができる。
【００１２】前記ｐ形層が、たとえばドーパントとして
リン（Ｐ）およびIII族元素、またはリン（Ｐ）および
Ｐ以外のＶ族元素を含有することにより、リンがドーパ
ントの主体であるため、III族元素の方が多くなり過ぎ
ることはなく、コドーピングの不安定さを抑制しなが
ら、さらにキャリア濃度を上げることができ、また、ア
クセプタ-アクセプタのコドーピング効果などにより、
１０19ｃｍ-3台後半のキャリア濃度を得ることができ
る。
リン（Ｐ）およびIII族元素、またはリン（Ｐ）および
Ｐ以外のＶ族元素を含有することにより、リンがドーパ
ントの主体であるため、III族元素の方が多くなり過ぎ
ることはなく、コドーピングの不安定さを抑制しなが
ら、さらにキャリア濃度を上げることができ、また、ア
クセプタ-アクセプタのコドーピング効果などにより、
１０19ｃｍ-3台後半のキャリア濃度を得ることができ
る。
【００１３】本発明による半導体発光素子は、基板と、
該基板上に、ＺｎＯ系酸化物半導体からなり発光部を形
成すべく少なくともｎ形層およびｐ形層が積層される発
光層形成部とを有する半導体発光素子であって、前記ｐ
形層がドーパントとしてリンを含有している。
該基板上に、ＺｎＯ系酸化物半導体からなり発光部を形
成すべく少なくともｎ形層およびｐ形層が積層される発
光層形成部とを有する半導体発光素子であって、前記ｐ
形層がドーパントとしてリンを含有している。
【００１４】また、本発明によるＺｎＯ系酸化物半導体
層を有する半導体装置の製法は、基板上に少なくともｐ
形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成長する場合に、前記ｐ形
層の成長をＺｎＯ系酸化物の構成元素の材料と共に、亜
鉛とリンとの化合物を供給しながら成長することを特徴
とする。この方法を用いることにより、ＺｎとＰとが結
合した状態でドーピングされるため、Ｚｎ-Ｐの結合を
保ってドープされるため、ＯのサイトにＰが入りやす
い。その結果、Ｐがｐ形ドーパントとして作用し、安定
したｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層が得られる。
層を有する半導体装置の製法は、基板上に少なくともｐ
形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成長する場合に、前記ｐ形
層の成長をＺｎＯ系酸化物の構成元素の材料と共に、亜
鉛とリンとの化合物を供給しながら成長することを特徴
とする。この方法を用いることにより、ＺｎとＰとが結
合した状態でドーピングされるため、Ｚｎ-Ｐの結合を
保ってドープされるため、ＯのサイトにＰが入りやす
い。その結果、Ｐがｐ形ドーパントとして作用し、安定
したｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明によるＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置お
よびその製法ならびにｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層の成
長方法について説明をする。本発明による半導体装置
は、図１にその一実施形態であるＬＥＤの説明図が示さ
れるように、基板１１上に、ＺｎＯ系酸化物半導体から
なり発光部を形成すべく少なくともｎ形層１４およびｐ
形層１６を含む発光層形成部１０が積層されている。こ
のｐ形層１６がドーパントとしてリンを含有しているこ
とに特徴がある。
明によるＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置お
よびその製法ならびにｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層の成
長方法について説明をする。本発明による半導体装置
は、図１にその一実施形態であるＬＥＤの説明図が示さ
れるように、基板１１上に、ＺｎＯ系酸化物半導体から
なり発光部を形成すべく少なくともｎ形層１４およびｐ
形層１６を含む発光層形成部１０が積層されている。こ
のｐ形層１６がドーパントとしてリンを含有しているこ
とに特徴がある。
【００１６】図１に示される例は、発光層形成部１０
が、たとえばＣｄxＺｎ1-xＯ（０≦ｘ＜１、たとえばｘ
＝０.０８）からなる０.１μｍ程度厚の活性層１５を、
ＭｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.１５）
からなる２μｍ程度厚のｎ形のクラッド層１４と、Ｍｇ
yＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.１５）から
なる２μｍ程度厚のｐ形クラッド層１６によりサンドイ
ッチされた構造になっている。そして、その表面にｐ形
ＺｎＯからなるｐ形コンタクト層１７が１μｍ程度設け
られている。
が、たとえばＣｄxＺｎ1-xＯ（０≦ｘ＜１、たとえばｘ
＝０.０８）からなる０.１μｍ程度厚の活性層１５を、
ＭｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.１５）
からなる２μｍ程度厚のｎ形のクラッド層１４と、Ｍｇ
yＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.１５）から
なる２μｍ程度厚のｐ形クラッド層１６によりサンドイ
ッチされた構造になっている。そして、その表面にｐ形
ＺｎＯからなるｐ形コンタクト層１７が１μｍ程度設け
られている。
【００１７】本発明では、このｐ形クラッド層１６およ
びｐ形コンタクト層１７中に、ｐ形ドーパントとしてＰ
を含有していることに特徴がある。すなわち、前述のよ
うに、本発明者らは、コドーピング法を用いないでｐ形
ＺｎＯ系酸化物半導体層を得るため、鋭意検討を重ねた
結果、たとえばＡｌＧａＡｓ層をＭＯＣＶＤ（MetalOrg
anic Chemical Vapor Deposition；有機金属化学気相成
長）法により成長する場合に、ＡｌやＧａの反応ガスと
して、トリメチルアルミニウムやトリメチルガリウムな
どを用いると、その材料のＣがＡｌやＧａと結合したま
ま、他のＡｓなどと化合し、ＣがＶ族元素のサイトに入
り込んでｐ形ドーパントになり得る現象を応用して、Ｚ
ｎ-Ｐ結合を有する材料を成長時に供給した結果、Ｐを
ＺｎＯのＯのサイトに入れることができ、１×１０19ｃ
ｍ-3程度のキャリア濃度までドーピングできることを見
出した。
びｐ形コンタクト層１７中に、ｐ形ドーパントとしてＰ
を含有していることに特徴がある。すなわち、前述のよ
うに、本発明者らは、コドーピング法を用いないでｐ形
ＺｎＯ系酸化物半導体層を得るため、鋭意検討を重ねた
結果、たとえばＡｌＧａＡｓ層をＭＯＣＶＤ（MetalOrg
anic Chemical Vapor Deposition；有機金属化学気相成
長）法により成長する場合に、ＡｌやＧａの反応ガスと
して、トリメチルアルミニウムやトリメチルガリウムな
どを用いると、その材料のＣがＡｌやＧａと結合したま
ま、他のＡｓなどと化合し、ＣがＶ族元素のサイトに入
り込んでｐ形ドーパントになり得る現象を応用して、Ｚ
ｎ-Ｐ結合を有する材料を成長時に供給した結果、Ｐを
ＺｎＯのＯのサイトに入れることができ、１×１０19ｃ
ｍ-3程度のキャリア濃度までドーピングできることを見
出した。
【００１８】さらに具体的に説明をすると、ＺｎＯ系酸
化物の成長工程で、ｐ形ドーパント用材料として、たと
えばＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキ
シー）法による場合は、Ｚｎ3Ｐ2などを用いることによ
り、Ｚｎ-Ｐの結合を有する状態でＭｇＺｎＯやＺｎＯ
層中にドーピングされる。たとえばＭＢＥ法により、サ
ファイア基板を６００℃程度にして、Ｚｎ3Ｐ2、プラズ
マ酸素、Ｚｎ、およびプラズマ励起チッ素（Ｎ2）を同
時に供給しながら、ＺｎＯ層を０.５μｍ程度の厚さ成
長し、そのＺｎＯ層中のＰ濃度（atoms／ｃｍ3）をＳＩ
ＭＳ（２次イオン質量分析計）分析により調べた結果
を、ＺｎＯの２次イオン強度（cps）と対比して図２に
示した。なお、Ｚｎ3Ｐ2のセル温度は、１５０〜３００
℃程度で制御した。図２から明らかなように、ほぼ８×
１０19ｃｍ-3以上のＰを結晶内に取り込んでおり、キャ
リア濃度の大きいｐ形ＺｎＯ層が得られたことが分る。
なお、チッ素は、コドーパントとして作用し、Ｎの濃度
は、５×１０18ｃｍ-3程度である。
化物の成長工程で、ｐ形ドーパント用材料として、たと
えばＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキ
シー）法による場合は、Ｚｎ3Ｐ2などを用いることによ
り、Ｚｎ-Ｐの結合を有する状態でＭｇＺｎＯやＺｎＯ
層中にドーピングされる。たとえばＭＢＥ法により、サ
ファイア基板を６００℃程度にして、Ｚｎ3Ｐ2、プラズ
マ酸素、Ｚｎ、およびプラズマ励起チッ素（Ｎ2）を同
時に供給しながら、ＺｎＯ層を０.５μｍ程度の厚さ成
長し、そのＺｎＯ層中のＰ濃度（atoms／ｃｍ3）をＳＩ
ＭＳ（２次イオン質量分析計）分析により調べた結果
を、ＺｎＯの２次イオン強度（cps）と対比して図２に
示した。なお、Ｚｎ3Ｐ2のセル温度は、１５０〜３００
℃程度で制御した。図２から明らかなように、ほぼ８×
１０19ｃｍ-3以上のＰを結晶内に取り込んでおり、キャ
リア濃度の大きいｐ形ＺｎＯ層が得られたことが分る。
なお、チッ素は、コドーパントとして作用し、Ｎの濃度
は、５×１０18ｃｍ-3程度である。
【００１９】このようにＰ濃度が非常に高濃度にドーピ
ングされるのは、前述のように、ドーパント材料として
ＺｎとＰとの化合物を用いているため、元々Ｚｎ-Ｐの
結合状態で、さらに活性な酸素や亜鉛などと化合する。
そのため、Ｚｎ-Ｐ結合の一部のＰが遊離してその場所
に酸素が入り込んでも、酸素を押しのけてＰなどが入り
込むのとは大違いでＺｎとＰとの結合を維持しやすく、
Ｚｎ-Ｐの結合が多く存在し、安定な状態でＺｎＯ系酸
化物の中に入り込むためと考えられる。
ングされるのは、前述のように、ドーパント材料として
ＺｎとＰとの化合物を用いているため、元々Ｚｎ-Ｐの
結合状態で、さらに活性な酸素や亜鉛などと化合する。
そのため、Ｚｎ-Ｐ結合の一部のＰが遊離してその場所
に酸素が入り込んでも、酸素を押しのけてＰなどが入り
込むのとは大違いでＺｎとＰとの結合を維持しやすく、
Ｚｎ-Ｐの結合が多く存在し、安定な状態でＺｎＯ系酸
化物の中に入り込むためと考えられる。
【００２０】前述のように、Ｎも同時に供給することに
より、アクセプタ-アクセプタコドーピングとなり、Ｐ-
Ｎ結合が生じ、Ｐのアクセプタレベルが浅くなるので、
キャリア濃度の上昇に寄与する。ただし、他のＶ族元素
の量が多くなり過ぎると、前述のコドーピングによる不
安定さが顕著になるため、あくまでもＺｎとＰとの化合
物が主体で、Ｎ濃度としては、Ｐの２０〜８０％程度に
抑える必要がある。このように、ＺｎとＰとの化合物を
主体にしながら、ＮをＰの５０％程度ドーピングするこ
とにより、５×１０19ｃｍ-3程度のキャリア濃度のｐ形
ＺｎＯ層が得られた。
より、アクセプタ-アクセプタコドーピングとなり、Ｐ-
Ｎ結合が生じ、Ｐのアクセプタレベルが浅くなるので、
キャリア濃度の上昇に寄与する。ただし、他のＶ族元素
の量が多くなり過ぎると、前述のコドーピングによる不
安定さが顕著になるため、あくまでもＺｎとＰとの化合
物が主体で、Ｎ濃度としては、Ｐの２０〜８０％程度に
抑える必要がある。このように、ＺｎとＰとの化合物を
主体にしながら、ＮをＰの５０％程度ドーピングするこ
とにより、５×１０19ｃｍ-3程度のキャリア濃度のｐ形
ＺｎＯ層が得られた。
【００２１】つぎに、図１に示されるＬＥＤの製法につ
いて説明をする。たとえばＭＢＥ装置内にサファイア基
板１１をセッティングし、基板温度を６００〜７００℃
にしてサーマルクリーニングをした後、基板温度を４０
０℃程度にし、酸素ラジカル（Ｏ*）およびＺｎのソー
ス源（セル）のシャッターをあけて照射し、ＺｎＯから
なるバッファ層１２を５０ｎｍ〜０.１μｍ程度成膜す
る。
いて説明をする。たとえばＭＢＥ装置内にサファイア基
板１１をセッティングし、基板温度を６００〜７００℃
にしてサーマルクリーニングをした後、基板温度を４０
０℃程度にし、酸素ラジカル（Ｏ*）およびＺｎのソー
ス源（セル）のシャッターをあけて照射し、ＺｎＯから
なるバッファ層１２を５０ｎｍ〜０.１μｍ程度成膜す
る。
【００２２】ついで、酸素の照射を止めて基板温度を５
５０〜６００℃程度にし、その後酸素ラジカルのシャッ
ターを再度あけ、酸素ラジカルとＺｎを照射すると共
に、ｎ形ドーパントのＡｌまたはＧａのシャッターもあ
けてｎ形のＺｎＯからなるｎ形コンタクト層１３を１.
５μｍ程度成長させる。ついで、Ｍｇのシャッターもあ
けて、ＭｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.
１５）からなるｎ形のクラッド層１４を２μｍ程度、Ｍ
ｇを止めて、ＣｄのシャッターをあけアンドープでＣｄ
xＺｎ1-xＯ（０≦ｘ＜１、たとえばｘ＝０.０８）から
なる活性層１５を０.１μｍ程度成長する。
５０〜６００℃程度にし、その後酸素ラジカルのシャッ
ターを再度あけ、酸素ラジカルとＺｎを照射すると共
に、ｎ形ドーパントのＡｌまたはＧａのシャッターもあ
けてｎ形のＺｎＯからなるｎ形コンタクト層１３を１.
５μｍ程度成長させる。ついで、Ｍｇのシャッターもあ
けて、ＭｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.
１５）からなるｎ形のクラッド層１４を２μｍ程度、Ｍ
ｇを止めて、ＣｄのシャッターをあけアンドープでＣｄ
xＺｎ1-xＯ（０≦ｘ＜１、たとえばｘ＝０.０８）から
なる活性層１５を０.１μｍ程度成長する。
【００２３】そして、Ｃｄを止めてＭｇのシャッターを
再びあけ、さらにＺｎ3Ｐ2およびプラズマ励起チッ素の
シャッターを開け、ＰおよびＮをドーピングしたｐ形Ｍ
ｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.１５）か
らなるｐ形クラッド層１６を２μｍ程度成長する。さら
にＭｇを止めて、ｐ形ＺｎＯからなるｐ形コンタクト層
１７を１μｍ程度順次成長する。この際、Ｚｎ3Ｐ2のセ
ル温度は１５０〜３００℃程度に制御する。高すぎる
と、ＺｎＯ系酸化物結晶を破壊し、低すぎると、残留ｎ
形キャリア補償のため、高抵抗化する。このｎ形クラッ
ド層１４、活性層１５およびｐ形クラッド層１６により
発光層形成部１０を構成している。
再びあけ、さらにＺｎ3Ｐ2およびプラズマ励起チッ素の
シャッターを開け、ＰおよびＮをドーピングしたｐ形Ｍ
ｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.１５）か
らなるｐ形クラッド層１６を２μｍ程度成長する。さら
にＭｇを止めて、ｐ形ＺｎＯからなるｐ形コンタクト層
１７を１μｍ程度順次成長する。この際、Ｚｎ3Ｐ2のセ
ル温度は１５０〜３００℃程度に制御する。高すぎる
と、ＺｎＯ系酸化物結晶を破壊し、低すぎると、残留ｎ
形キャリア補償のため、高抵抗化する。このｎ形クラッ
ド層１４、活性層１５およびｐ形クラッド層１６により
発光層形成部１０を構成している。
【００２４】その後、全ての材料の供給を止め、基板温
度を毎分５〜１０℃の割合でゆっくり下げ、充分に下が
ってからＭＢＥ装置よりエピタキシャル成長されたウェ
ハを取り出す。なお、本発明によれば、ｐ形層１６、１
７のキャリア濃度を大きくすることができるため、電流
拡散のための透明性導電膜を設けてもよいが、とくに設
ける必要はない。その後、積層した半導体層の一部をＲ
ＩＥ法などのドライエッチングによりｎ形コンタクト層
１３を露出させ、サファイア基板１１を研磨し、基板１
１の厚さを１００μｍ程度とし、ｐ形コンタクト層１７
上にＮｉ／Ａｌなどからなるｐ側電極２０を、エッチン
グにより露出したｎ形コンタクト層１３の表面にＴｉ／
Ａｕなどからなるｎ側電極１９を、それぞれたとえばリ
フトオフ法による真空蒸着などにより形成する。その後
ウェハからチップ化することにより、図１に示されるＬ
ＥＤチップが得られる。
度を毎分５〜１０℃の割合でゆっくり下げ、充分に下が
ってからＭＢＥ装置よりエピタキシャル成長されたウェ
ハを取り出す。なお、本発明によれば、ｐ形層１６、１
７のキャリア濃度を大きくすることができるため、電流
拡散のための透明性導電膜を設けてもよいが、とくに設
ける必要はない。その後、積層した半導体層の一部をＲ
ＩＥ法などのドライエッチングによりｎ形コンタクト層
１３を露出させ、サファイア基板１１を研磨し、基板１
１の厚さを１００μｍ程度とし、ｐ形コンタクト層１７
上にＮｉ／Ａｌなどからなるｐ側電極２０を、エッチン
グにより露出したｎ形コンタクト層１３の表面にＴｉ／
Ａｕなどからなるｎ側電極１９を、それぞれたとえばリ
フトオフ法による真空蒸着などにより形成する。その後
ウェハからチップ化することにより、図１に示されるＬ
ＥＤチップが得られる。
【００２５】なお、この例では、発光層形成部１０がダ
ブルヘテロ接合のＬＥＤチップであったが、ヘテロ接合
またはホモ接合のｐｎ接合構造などの他の接合構造でも
よい。また、ＬＥＤでなくてもＬＤであっても同様であ
る。この場合、たとえば活性層１５はノンドープのＣｄ
0.03Ｚｎ0.97Ｏ／Ｃｄ0.2Ｚｎ0.8Ｏからなるバリア層と
ウェル層とをそれぞれ５ｎｍおよび４ｎｍづつ交互に２
〜５層づつ積層した多重量子井戸構造により形成するこ
とが好ましい。また、活性層１５が薄く充分に光を活性
層１５内に閉じ込められない場合には、たとえばＺｎＯ
からなる光ガイド層が活性層の両側に設けられる。ま
た、直接ｐ側電極２０をストライプ状にパターニングし
て形成したり、半導体層の上部をメサ型形状にエッチン
グしたり、電流狭窄層を埋め込むことにより、電流注入
領域を画定する構造に形成される。
ブルヘテロ接合のＬＥＤチップであったが、ヘテロ接合
またはホモ接合のｐｎ接合構造などの他の接合構造でも
よい。また、ＬＥＤでなくてもＬＤであっても同様であ
る。この場合、たとえば活性層１５はノンドープのＣｄ
0.03Ｚｎ0.97Ｏ／Ｃｄ0.2Ｚｎ0.8Ｏからなるバリア層と
ウェル層とをそれぞれ５ｎｍおよび４ｎｍづつ交互に２
〜５層づつ積層した多重量子井戸構造により形成するこ
とが好ましい。また、活性層１５が薄く充分に光を活性
層１５内に閉じ込められない場合には、たとえばＺｎＯ
からなる光ガイド層が活性層の両側に設けられる。ま
た、直接ｐ側電極２０をストライプ状にパターニングし
て形成したり、半導体層の上部をメサ型形状にエッチン
グしたり、電流狭窄層を埋め込むことにより、電流注入
領域を画定する構造に形成される。
【００２６】本発明の半導体発光素子によれば、ｐ形キ
ャリア濃度の大きいＺｎＯ系酸化物半導体を用いた発光
素子が得られるので、非常に動作電圧が低く発光効率の
優れたＬＥＤや、動作電圧が低くしきい値電流の小さい
ＬＤが得られる。
ャリア濃度の大きいＺｎＯ系酸化物半導体を用いた発光
素子が得られるので、非常に動作電圧が低く発光効率の
優れたＬＥＤや、動作電圧が低くしきい値電流の小さい
ＬＤが得られる。
【００２７】前述の例は、サファイア基板上にＺｎＯ系
化合物半導体層をＭＢＥ法により成長する例であった
が、ＭＯＣＶＤ法でも前述のようなＺｎとＰとの化合物
からなる有機金属ガスを用いることにより、同様にキャ
リア濃度の大きいｐ形層を形成することができる。
化合物半導体層をＭＢＥ法により成長する例であった
が、ＭＯＣＶＤ法でも前述のようなＺｎとＰとの化合物
からなる有機金属ガスを用いることにより、同様にキャ
リア濃度の大きいｐ形層を形成することができる。
【００２８】さらに、前述の例は、ＬＥＤやＬＤのＺｎ
Ｏ系酸化物半導体発光素子の例であったが、発光素子の
ｐ形層を高キャリア濃度に形成することができるので、
非常に駆動電圧を低くすることができ高特性の半導体発
光素子が得られるが、発光素子に限らず、透明電極や、
透明なＴＦＴ、ＳＡＷデバイス、焦電素子、圧電素子な
どのＺｎＯ系半導体発光素子を同様に高性能で実現する
ことができる。
Ｏ系酸化物半導体発光素子の例であったが、発光素子の
ｐ形層を高キャリア濃度に形成することができるので、
非常に駆動電圧を低くすることができ高特性の半導体発
光素子が得られるが、発光素子に限らず、透明電極や、
透明なＴＦＴ、ＳＡＷデバイス、焦電素子、圧電素子な
どのＺｎＯ系半導体発光素子を同様に高性能で実現する
ことができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、従来ドーピングするこ
とができなかったリンをＺｎＯ系酸化物半導体にドーピ
ングしているため、ドーピング状態に拘わらず非常に安
定にドーピングできると共に、高濃度でドーピングさ
れ、高いキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層が
得られる。その結果、ＬＥＤやレーザダイオードなどを
ＺｎＯ系酸化物半導体層を用いて製造することができ、
青色から紫外領域に亘り、非常に発光特性の優れた半導
体発光素子が得られる。
とができなかったリンをＺｎＯ系酸化物半導体にドーピ
ングしているため、ドーピング状態に拘わらず非常に安
定にドーピングできると共に、高濃度でドーピングさ
れ、高いキャリア濃度のｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層が
得られる。その結果、ＬＥＤやレーザダイオードなどを
ＺｎＯ系酸化物半導体層を用いて製造することができ、
青色から紫外領域に亘り、非常に発光特性の優れた半導
体発光素子が得られる。
【００３０】また、キャリア濃度の大きいｐ形ＺｎＯ系
酸化物半導体層が得られることにより、発光素子以外に
もＳＡＷデバイス、透明ＴＦＴ、透明導電膜、圧電素
子、焦電素子、ガスセンサなどに用いることができる。
酸化物半導体層が得られることにより、発光素子以外に
もＳＡＷデバイス、透明ＴＦＴ、透明導電膜、圧電素
子、焦電素子、ガスセンサなどに用いることができる。
【図１】本発明による半導体装置の一実施形態であるＬ
ＥＤの構成説明図である。
ＥＤの構成説明図である。
【図２】本発明による、Ｚｎ3Ｐ2をドーパント材料とし
て用いてＺｎＯ層を成長したときのＰの濃度をＺｎＯの
２次イオン強度と共に示す図である。
て用いてＺｎＯ層を成長したときのＰの濃度をＺｎＯの
２次イオン強度と共に示す図である。
１４ ｎ形クラッド層 １５ 活性層 １６ ｐ形クラッド層 １７ ｐ形コンタクト層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ポール・フォンス 茨城県つくば市梅園１−１−４ 通商産業 省 工業技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 松原 浩司 茨城県つくば市梅園１−１−４ 通商産業 省 工業技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 山田 昭政 茨城県つくば市梅園１−１−４ 通商産業 省 工業技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 仁木 栄 茨城県つくば市梅園１−１−４ 通商産業 省 工業技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 中原 健 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 CA41 CA49 CA57 CA66 5F045 AA05 AB22 AB23 AD08 AD09 AD10 AF09 BB16 CA10 CA15 DA57 EE06 EH18 5F073 AA11 AA74 BA05 CA22 CB19 DA06
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に、少なくともｐ形ＺｎＯ系酸化
物半導体層を有する半導体装置であって、前記ｐ形層が
ドーパントとしてリン（Ｐ）を含有するＺｎＯ系酸化物
半導体層を有する半導体装置。 - 【請求項２】 前記ｐ形層が、ドーパントとしてリン
（Ｐ）およびIII族元素、またはリン（Ｐ）およびＰ以
外のＶ族元素を含有する請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 基板と、該基板上に、ＺｎＯ系酸化物半
導体からなり発光部を形成すべく少なくともｎ形層およ
びｐ形層が積層される発光層形成部とを有する半導体発
光素子であって、前記ｐ形層がドーパントとしてリンを
含有する半導体発光素子。 - 【請求項４】 基板上に少なくともｐ形ＺｎＯ系酸化物
半導体層を成長する半導体装置の製法であって、前記ｐ
形層の成長をＺｎＯ系酸化物の構成元素の材料と共に、
亜鉛とリンとの化合物を供給しながら成長することを特
徴とするＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置の
製法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278041A JP2002094114A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法 |
| EP01121927A EP1189290A1 (en) | 2000-09-13 | 2001-09-12 | Semiconductor device having ZnO based oxide semiconductor layer and method of manufacturing the same |
| US09/950,813 US20020030196A1 (en) | 2000-09-13 | 2001-09-13 | Semiconductor device having ZnO based oxide semiconductor layer and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278041A JP2002094114A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002094114A true JP2002094114A (ja) | 2002-03-29 |
Family
ID=18763265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000278041A Pending JP2002094114A (ja) | 2000-09-13 | 2000-09-13 | ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020030196A1 (ja) |
| EP (1) | EP1189290A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002094114A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247654A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法ならびに酸化物半導体発光素子を用いた半導体発光装置 |
| JP2004266057A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2004363320A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
| KR100720101B1 (ko) | 2005-08-09 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조의 다기능성 오믹층을 사용한 탑에미트형 질화물계발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2008195567A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化亜鉛系焼結体およびその製造方法 |
| WO2011034273A1 (ko) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 주식회사 퀀텀디바이스 | 반도체 발광소자 |
| US7915101B2 (en) | 2007-05-10 | 2011-03-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film transistor and organic light emitting display using the same |
| US8845929B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-09-30 | Panasonic Corporation | Ultraviolet light emitting material |
| JP2014208576A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-11-06 | 国立大学法人名古屋工業大学 | リンドープ酸化亜鉛及びその製造方法 |
| US8941105B2 (en) | 2005-03-24 | 2015-01-27 | Rohm Co., Ltd. | Zinc oxide based compound semiconductor light emitting device |
| US8946727B2 (en) | 2005-03-24 | 2015-02-03 | Rohm Co., Ltd. | Zinc oxide based compound semiconductor device |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100475414B1 (ko) * | 2002-03-27 | 2005-03-10 | 김영창 | 산화아연 박막상에서의 피-엔 접합 형성방법 및 피-엔접합 박막 |
| JP3896027B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2007-03-22 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP3720341B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2005-11-24 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4034208B2 (ja) | 2003-02-25 | 2008-01-16 | ローム株式会社 | 透明電極 |
| US20090163977A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-06-25 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | System, devices, and methods including sterilizing excitation delivery implants with cryptographic logic components |
| US8647292B2 (en) * | 2007-08-17 | 2014-02-11 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems, devices, and methods including catheters having components that are actively controllable between two or more wettability states |
| US8706211B2 (en) * | 2007-08-17 | 2014-04-22 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems, devices, and methods including catheters having self-cleaning surfaces |
| US9005263B2 (en) * | 2007-08-17 | 2015-04-14 | The Invention Science Fund I, Llc | System, devices, and methods including actively-controllable sterilizing excitation delivery implants |
| US8753304B2 (en) | 2007-08-17 | 2014-06-17 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems, devices, and methods including catheters having acoustically actuatable waveguide components for delivering a sterilizing stimulus to a region proximate a surface of the catheter |
| US8702640B2 (en) * | 2007-08-17 | 2014-04-22 | The Invention Science Fund I, Llc | System, devices, and methods including catheters configured to monitor and inhibit biofilm formation |
| US8734718B2 (en) * | 2007-08-17 | 2014-05-27 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems, devices, and methods including catheters having an actively controllable therapeutic agent delivery component |
| US20090177254A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-07-09 | Searete Llc, A Limited Liability Of The State Of The State Of Delaware | System, devices, and methods including actively-controllable electrostatic and electromagnetic sterilizing excitation delivery system |
| US8366652B2 (en) * | 2007-08-17 | 2013-02-05 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems, devices, and methods including infection-fighting and monitoring shunts |
| US20090048648A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-02-19 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Self-sterilizing device |
| US20110160644A1 (en) * | 2007-08-17 | 2011-06-30 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Systems, devices, and methods including catheters configured to release ultraviolet energy absorbing agents |
| US20090163964A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-06-25 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | System, devices, and methods including sterilizing excitation delivery implants with general controllers and onboard power |
| KR100934957B1 (ko) * | 2008-02-22 | 2010-01-06 | 한국과학기술연구원 | 압전 폴리머 기판을 이용한 하이브리드 전기소자와 그제조방법 |
| US20110152751A1 (en) * | 2008-12-04 | 2011-06-23 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Systems, devices, and methods including catheters having UV-Energy emitting coatings |
| US20110160681A1 (en) * | 2008-12-04 | 2011-06-30 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Systems, devices, and methods including catheters having light removable coatings based on a sensed condition |
| US8585627B2 (en) * | 2008-12-04 | 2013-11-19 | The Invention Science Fund I, Llc | Systems, devices, and methods including catheters configured to monitor biofilm formation having biofilm spectral information configured as a data structure |
| US20110295090A1 (en) | 2008-12-04 | 2011-12-01 | Searete Llc, A Limited Liability Corporation Of The State Of Delaware | Systems, devices, and methods including implantable devices with anti-microbial properties |
| CN102427080B (zh) * | 2011-11-18 | 2015-07-29 | 贵州大学 | 一种多量子阱tft-led阵列显示基板及其制造方法 |
| CN108318541B (zh) * | 2017-01-16 | 2021-05-04 | 华邦电子股份有限公司 | 气体感测装置 |
| US10937928B2 (en) * | 2017-11-09 | 2021-03-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element |
| CN110957205B (zh) * | 2018-09-27 | 2022-06-07 | 武汉大学苏州研究院 | 一种p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0334534A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 燐添加２‐６族化合物半導体の製造方法 |
| JPH04363086A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
| WO2000016411A1 (fr) * | 1998-09-10 | 2000-03-23 | Rohm Co., Ltd. | Del a semi-conducteur et son procede de fabrication |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6291085B1 (en) * | 1998-08-03 | 2001-09-18 | The Curators Of The University Of Missouri | Zinc oxide films containing P-type dopant and process for preparing same |
-
2000
- 2000-09-13 JP JP2000278041A patent/JP2002094114A/ja active Pending
-
2001
- 2001-09-12 EP EP01121927A patent/EP1189290A1/en not_active Withdrawn
- 2001-09-13 US US09/950,813 patent/US20020030196A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0334534A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 燐添加２‐６族化合物半導体の製造方法 |
| JPH04363086A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-12-15 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
| WO2000016411A1 (fr) * | 1998-09-10 | 2000-03-23 | Rohm Co., Ltd. | Del a semi-conducteur et son procede de fabrication |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004247654A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-02 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法ならびに酸化物半導体発光素子を用いた半導体発光装置 |
| JP2004266057A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2004363320A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子 |
| US8941105B2 (en) | 2005-03-24 | 2015-01-27 | Rohm Co., Ltd. | Zinc oxide based compound semiconductor light emitting device |
| US8946727B2 (en) | 2005-03-24 | 2015-02-03 | Rohm Co., Ltd. | Zinc oxide based compound semiconductor device |
| KR100720101B1 (ko) | 2005-08-09 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조의 다기능성 오믹층을 사용한 탑에미트형 질화물계발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2008195567A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化亜鉛系焼結体およびその製造方法 |
| US7915101B2 (en) | 2007-05-10 | 2011-03-29 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film transistor and organic light emitting display using the same |
| WO2011034273A1 (ko) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | 주식회사 퀀텀디바이스 | 반도체 발광소자 |
| US8845929B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-09-30 | Panasonic Corporation | Ultraviolet light emitting material |
| JP2014208576A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-11-06 | 国立大学法人名古屋工業大学 | リンドープ酸化亜鉛及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020030196A1 (en) | 2002-03-14 |
| EP1189290A1 (en) | 2002-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002094114A (ja) | ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法 | |
| US6638846B2 (en) | Method of growing p-type ZnO based oxide semiconductor layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device | |
| US20020014631A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP4447755B2 (ja) | ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法 | |
| JP2009033184A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US6346720B1 (en) | Layered group III-V compound semiconductor, method of manufacturing the same, and light emitting element | |
| JP4540201B2 (ja) | ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法 | |
| JPH11251687A (ja) | 半導体の製造方法及び半導体装置 | |
| JP3251046B2 (ja) | 化合物半導体の成長方法、化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| US20040058465A1 (en) | Method for producing p-type Group III nitride compound semiconductor | |
| JP2003023179A (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置およびその作製方法 | |
| JP4705384B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体素子 | |
| JP4162385B2 (ja) | ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 | |
| JP2803791B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP3637662B2 (ja) | ３族窒化物半導体発光素子 | |
| JP2010116621A (ja) | ＺｎＯ系半導体層とその製造方法、ＺｎＯ系半導体発光素子、及びＺｎＯ系半導体素子 | |
| JP2002076026A (ja) | ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法 | |
| JP3025760B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP3432444B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3444812B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4704421B2 (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法および半導体装置 | |
| JP5629884B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP2006310886A (ja) | ３−５族化合物半導体発光素子 | |
| JP2001177190A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP2002064249A (ja) | 化合物半導体及びその製造方法並びに化合物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070821 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090619 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090619 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090619 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090619 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100618 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110308 |