JP2002076026A - ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法 - Google Patents
ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア
濃度を充分に高くすることができるＺｎＯ系酸化物半導
体層の成長方法、およびＺｎＯ系酸化物の結晶性を向上
させて発光特性の優れた半導体発光素子を製造する方法
を提供する。 【解決手段】 ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源Ｚｎお
よびＯと、ｐ形ドーパントであるチッ素をプラズマ化し
たドーパント源Ｎとを供給すると共に、ＺｎＯ系酸化物
を構成する材料源がＺｎリッチとなるように供給しなが
らｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層９を基板８上に成長す
る。
濃度を充分に高くすることができるＺｎＯ系酸化物半導
体層の成長方法、およびＺｎＯ系酸化物の結晶性を向上
させて発光特性の優れた半導体発光素子を製造する方法
を提供する。 【解決手段】 ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源Ｚｎお
よびＯと、ｐ形ドーパントであるチッ素をプラズマ化し
たドーパント源Ｎとを供給すると共に、ＺｎＯ系酸化物
を構成する材料源がＺｎリッチとなるように供給しなが
らｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層９を基板８上に成長す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＺｎＯ系酸化物半導
体層を結晶成長する方法およびそれを用いた半導体発光
素子の製法に関する。さらに詳しくは、ｐ形層のキャリ
ア濃度を大きくすることができ、また、成長面の平坦性
をよくして結晶性のよい半導体層を成長することができ
るＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法および半導体発光
素子の製法に関する。
体層を結晶成長する方法およびそれを用いた半導体発光
素子の製法に関する。さらに詳しくは、ｐ形層のキャリ
ア濃度を大きくすることができ、また、成長面の平坦性
をよくして結晶性のよい半導体層を成長することができ
るＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法および半導体発光
素子の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フルカラーディスプレーや、信号灯など
の光源に用いられる青色系（紫外から黄色の波長領域）
の発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）や、室温で連
続発振する次世代の高精細ＤＶＤ光源用の青色レーザ
（以下、ＬＤという）は、最近サファイア基板上にＧａ
Ｎ系化合物半導体を積層することにより得られるように
なり脚光を浴びている。このような波長の短い発光素子
として、ＧａＮ系化合物半導体が主流になっているが、
それ以外に、たとえばＺｎＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ系や、
ＺｎＯ系のII−VI族化合物半導体を用いることが検討さ
れている。
の光源に用いられる青色系（紫外から黄色の波長領域）
の発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）や、室温で連
続発振する次世代の高精細ＤＶＤ光源用の青色レーザ
（以下、ＬＤという）は、最近サファイア基板上にＧａ
Ｎ系化合物半導体を積層することにより得られるように
なり脚光を浴びている。このような波長の短い発光素子
として、ＧａＮ系化合物半導体が主流になっているが、
それ以外に、たとえばＺｎＳｅ／ＺｎＭｇＳＳｅ系や、
ＺｎＯ系のII−VI族化合物半導体を用いることが検討さ
れている。
【０００３】ＺｎＯ系酸化物は、従来はアモルファスや
多結晶しか利用されていなかったが、近年ではチッ素な
どのガスをプラズマ化するプラズマ技術が発達し、この
技術を応用したＲＳ-ＭＢＥ（Radical Source Molecula
r Beam Epitaxy）装置を用いた、薄膜結晶成長技術が飛
躍的に進歩している。その他にも、ＰＬＤや気相輸送法
などによりＺｎＯ単結晶の研究が進み、レーザ光励起に
よるレーザ発振が確認されるまでに至っている（ピー・
ユーら(P.Yu et al.)による、ソリッド ステート コ
ミュニケーション(Solid Stat. Commun.)１０３巻、第
８号、４５９〜４６６頁、１９７７年、またはデー・エ
ム・バグナルら(D.M.Bagnall et al.)による、アプライ
ド フィジックス レター(Appl. Phys.Lett.)１７０
巻、第１７号、２２３０〜２２３２頁、１９７７年参
照）。
多結晶しか利用されていなかったが、近年ではチッ素な
どのガスをプラズマ化するプラズマ技術が発達し、この
技術を応用したＲＳ-ＭＢＥ（Radical Source Molecula
r Beam Epitaxy）装置を用いた、薄膜結晶成長技術が飛
躍的に進歩している。その他にも、ＰＬＤや気相輸送法
などによりＺｎＯ単結晶の研究が進み、レーザ光励起に
よるレーザ発振が確認されるまでに至っている（ピー・
ユーら(P.Yu et al.)による、ソリッド ステート コ
ミュニケーション(Solid Stat. Commun.)１０３巻、第
８号、４５９〜４６６頁、１９７７年、またはデー・エ
ム・バグナルら(D.M.Bagnall et al.)による、アプライ
ド フィジックス レター(Appl. Phys.Lett.)１７０
巻、第１７号、２２３０〜２２３２頁、１９７７年参
照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、ＺｎＯ
系酸化物半導体の研究も進んでいるが、ＺｎＯでは、片
方の導電性のみが現れやすい（単極性）という性質を有
しており、ｎ形導電性は容易に実現する一方で、とくに
ｐ形導電性は非常に得られ難く、キャリア濃度の大きい
ｐ形層を形成し難いという問題がある。
系酸化物半導体の研究も進んでいるが、ＺｎＯでは、片
方の導電性のみが現れやすい（単極性）という性質を有
しており、ｎ形導電性は容易に実現する一方で、とくに
ｐ形導電性は非常に得られ難く、キャリア濃度の大きい
ｐ形層を形成し難いという問題がある。
【０００５】さらに、ＺｎＯ系酸化物半導体層は、Ｚｎ
Ｏ系酸化物とは性質の全く異なるサファイア基板などに
成長するのに加え、Ｚｎの蒸気圧が高いため、基板上に
到達したＺｎは、基板表面からの再蒸発レートが速く、
成長が進まないことを本発明者らは確認している（たと
えば第８回ＳｉＣおよび関連ワイドギャップ半導体研究
会Ｐ−８３、または２０００年春季、第４７回応用物理
学関係連合講演会 講演予稿集２９ａ−ＹＬ−３）。そ
のため、成長層の表面性が悪く、凹凸を有して完全な平
坦性の優れたＺｎＯ系酸化物層が得られず、その上に成
長するＺｎＯ系酸化物半導体層も平坦性が低下しやす
い。この平坦性が得られないことに起因して、活性層な
どの発光部を形成する半導体層もその結晶性が悪く、Ｌ
ＥＤの発光効率を低下させたり、ＬＤ（レーザダイオー
ド）のしきい電流値を下げられないという問題がある。
Ｏ系酸化物とは性質の全く異なるサファイア基板などに
成長するのに加え、Ｚｎの蒸気圧が高いため、基板上に
到達したＺｎは、基板表面からの再蒸発レートが速く、
成長が進まないことを本発明者らは確認している（たと
えば第８回ＳｉＣおよび関連ワイドギャップ半導体研究
会Ｐ−８３、または２０００年春季、第４７回応用物理
学関係連合講演会 講演予稿集２９ａ−ＹＬ−３）。そ
のため、成長層の表面性が悪く、凹凸を有して完全な平
坦性の優れたＺｎＯ系酸化物層が得られず、その上に成
長するＺｎＯ系酸化物半導体層も平坦性が低下しやす
い。この平坦性が得られないことに起因して、活性層な
どの発光部を形成する半導体層もその結晶性が悪く、Ｌ
ＥＤの発光効率を低下させたり、ＬＤ（レーザダイオー
ド）のしきい電流値を下げられないという問題がある。
【０００６】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキ
ャリア濃度を充分に高くすることができるＺｎＯ系酸化
物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
なされたもので、ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキ
ャリア濃度を充分に高くすることができるＺｎＯ系酸化
物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【０００７】本発明の他の目的は、ＺｎＯ系酸化物半導
体層の平坦性を向上させ、結晶性の優れたＺｎＯ系酸化
物半導体層を成長することにより、発光効率の優れた発
光ダイオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子
を得ることができる半導体発光素子の製法を提供するこ
とにある。
体層の平坦性を向上させ、結晶性の優れたＺｎＯ系酸化
物半導体層を成長することにより、発光効率の優れた発
光ダイオードやレーザダイオードなどの半導体発光素子
を得ることができる半導体発光素子の製法を提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、キャリア
濃度が充分に大きいｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を得る
ため、鋭意検討を重ねた結果、ｐ形ドーパントとしてプ
ラズマチッ素（励起チッ素）を照射しながらＺｎＯ酸化
物のＺｎとプラズマ酸素を照射することによりｐ形Ｚｎ
Ｏを成長する際に、基板表面でＺｎリッチとなるように
Ｚｎおよびプラズマ酸素を供給しながら、ドーパントと
してのプラズマチッ素を供給して成長することにより、
キャリア濃度の大きいｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成
長することができることを見出した。
濃度が充分に大きいｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を得る
ため、鋭意検討を重ねた結果、ｐ形ドーパントとしてプ
ラズマチッ素（励起チッ素）を照射しながらＺｎＯ酸化
物のＺｎとプラズマ酸素を照射することによりｐ形Ｚｎ
Ｏを成長する際に、基板表面でＺｎリッチとなるように
Ｚｎおよびプラズマ酸素を供給しながら、ドーパントと
してのプラズマチッ素を供給して成長することにより、
キャリア濃度の大きいｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成
長することができることを見出した。
【０００９】さらに、本発明者らは鋭意検討を重ねた結
果、このようなＺｎリッチの条件でＺｎＯ系酸化物半導
体層を成長すると、アンドープでも、ｎ形もしくはｐ形
層でも、その成長するＺｎＯ系酸化物半導体層の表面が
凹凸の少ない平坦な面で成長することを見出した。そし
て、サファイア基板などＺｎＯ系酸化物とは異なる基板
上にも、基板表面にＺｎリッチの条件で、バッファ層を
成長することにより、その上に成長するＺｎＯ系酸化物
層も平坦な膜で結晶性の優れた半導体層が得られ、発光
特性の優れた発光素子が得られることを見出した。この
バッファ層は３００℃程度の低温で成長した方が、成長
時のＺｎの蒸発を抑制することができ、とくに平坦性の
優れたバッファ層が得られた。
果、このようなＺｎリッチの条件でＺｎＯ系酸化物半導
体層を成長すると、アンドープでも、ｎ形もしくはｐ形
層でも、その成長するＺｎＯ系酸化物半導体層の表面が
凹凸の少ない平坦な面で成長することを見出した。そし
て、サファイア基板などＺｎＯ系酸化物とは異なる基板
上にも、基板表面にＺｎリッチの条件で、バッファ層を
成長することにより、その上に成長するＺｎＯ系酸化物
層も平坦な膜で結晶性の優れた半導体層が得られ、発光
特性の優れた発光素子が得られることを見出した。この
バッファ層は３００℃程度の低温で成長した方が、成長
時のＺｎの蒸発を抑制することができ、とくに平坦性の
優れたバッファ層が得られた。
【００１０】ここにＺｎリッチとは、たとえば図５に示
される、酸素の供給量を一定としてＺｎの供給量（横
軸）を変化させたときの成長レート（縦軸）の関係で、
肩部（成長レートの飽和部）よりＺｎ供給量が多い状態
での成長条件を意味し、成長の際の基板表面での材料源
の関係を指している。なお、図５に示される成長レート
の関係は、成長温度を下げることにより、肩部が左側に
移動するため、同じＺｎの供給量でも成長温度を下げる
ことにより、Ｚｎリッチの条件になりやすい。なお、Ｍ
ｇＺｎＯやＣｄＺｎＯなどのように、Ｚｎの一部がＭｇ
などの他の元素と置換する半導体層の場合は、それらの
合計の供給量が前述の成長レートの飽和部分より多いこ
とを意味する。
される、酸素の供給量を一定としてＺｎの供給量（横
軸）を変化させたときの成長レート（縦軸）の関係で、
肩部（成長レートの飽和部）よりＺｎ供給量が多い状態
での成長条件を意味し、成長の際の基板表面での材料源
の関係を指している。なお、図５に示される成長レート
の関係は、成長温度を下げることにより、肩部が左側に
移動するため、同じＺｎの供給量でも成長温度を下げる
ことにより、Ｚｎリッチの条件になりやすい。なお、Ｍ
ｇＺｎＯやＣｄＺｎＯなどのように、Ｚｎの一部がＭｇ
などの他の元素と置換する半導体層の場合は、それらの
合計の供給量が前述の成長レートの飽和部分より多いこ
とを意味する。
【００１１】本発明によるＺｎＯ系酸化物半導体層の成
長方法は、ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源と、ｐ形ド
ーパントであるチッ素とを供給すると共に、前記ＺｎＯ
系酸化物を構成する材料源がＺｎリッチとなるように供
給しながらｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成長すること
を特徴とする。
長方法は、ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源と、ｐ形ド
ーパントであるチッ素とを供給すると共に、前記ＺｎＯ
系酸化物を構成する材料源がＺｎリッチとなるように供
給しながらｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成長すること
を特徴とする。
【００１２】ここにＺｎＯ系酸化物半導体とは、Ｚｎを
含む酸化物を意味し、具体例としてはＺｎＯの他IIＡ族
とＺｎ、IIＢ族とＺｎ、またはIIＡ族およびIIＢ族とＺ
ｎのそれぞれの酸化物などを含む。
含む酸化物を意味し、具体例としてはＺｎＯの他IIＡ族
とＺｎ、IIＢ族とＺｎ、またはIIＡ族およびIIＢ族とＺ
ｎのそれぞれの酸化物などを含む。
【００１３】ＺｎＯ系酸化物は、アンドープで成長して
もｎ形になりやすい性質を有しているが、これはＯが足
りないか、Ｚｎが格子間に入っているためと考えられて
いる（現時点では、どちらに起因するか不明である）。
この観点からは、ｐ形化のためには、成長時の材料源の
供給は、酸素不足防止のため、むしろＺｎリッチよりも
Ｏリッチの方が好ましいと考えられる。しかし、本発明
者らの鋭意検討の結果、前述のように、Ｚｎリッチにす
ることにより、ｐ形のキャリア濃度を大きくすることが
できることを見出した。この理由は、ＺｎとＯ*（活性
化酸素を意味する、以下同じ）との反応が非常に早く、
ＺｎとＮ*（活性化チッ素を意味する、必ずしも原子チ
ッ素を意味しない、以下同じ）との反応と競合状態にな
ったとき、アンドープの最適条件下では、Ｚｎ＋Ｏ*の
反応が優先的に起こり、Ｚｎ＋Ｎ*の反応が起こらない
が、Ｚｎリッチになることにより、Ｏ*と反応してもな
お余りあるＺｎが、Ｚｎ＋Ｎ*の反応も起こりやすくな
るためと考えられる。
もｎ形になりやすい性質を有しているが、これはＯが足
りないか、Ｚｎが格子間に入っているためと考えられて
いる（現時点では、どちらに起因するか不明である）。
この観点からは、ｐ形化のためには、成長時の材料源の
供給は、酸素不足防止のため、むしろＺｎリッチよりも
Ｏリッチの方が好ましいと考えられる。しかし、本発明
者らの鋭意検討の結果、前述のように、Ｚｎリッチにす
ることにより、ｐ形のキャリア濃度を大きくすることが
できることを見出した。この理由は、ＺｎとＯ*（活性
化酸素を意味する、以下同じ）との反応が非常に早く、
ＺｎとＮ*（活性化チッ素を意味する、必ずしも原子チ
ッ素を意味しない、以下同じ）との反応と競合状態にな
ったとき、アンドープの最適条件下では、Ｚｎ＋Ｏ*の
反応が優先的に起こり、Ｚｎ＋Ｎ*の反応が起こらない
が、Ｚｎリッチになることにより、Ｏ*と反応してもな
お余りあるＺｎが、Ｚｎ＋Ｎ*の反応も起こりやすくな
るためと考えられる。
【００１４】本発明による半導体発光素子の製法は、基
板表面にＺｎリッチの条件でＺｎＯ系酸化物半導体から
なる表面が平坦なバッファ層を成長し、該バッファ層上
に発光層を形成するＺｎＯ系酸化物半導体からなる発光
層形成部を含む半導体積層部を成長する。
板表面にＺｎリッチの条件でＺｎＯ系酸化物半導体から
なる表面が平坦なバッファ層を成長し、該バッファ層上
に発光層を形成するＺｎＯ系酸化物半導体からなる発光
層形成部を含む半導体積層部を成長する。
【００１５】前述のように、ＺｎリッチでＺｎＯ系酸化
物半導体層を成長すると、ｐ形層を得られやすいだけで
はなく、その半導体層の表面を平坦化することができ
た。これは、基板表面へのＺｎの供給量が多いことによ
り、蒸気圧の高いＺｎの蒸発を抑制することができるた
めと考えられる。とくにＺｎＯ系酸化物半導体層と材質
の異なるサファイアなどからなる基板上に成長する場合
にその蒸発に伴う凹凸は、その上に積層する半導体層の
全てに影響し、積層される半導体層も平坦性が悪くな
り、発光特性に悪影響を及ぼす。しかし、本発明によ
り、基板上にまず平坦性の優れたＺｎＯ系酸化物半導体
層が成長されることにより、その表面に積層される半導
体層も全て平坦性がよくなり、発光層形成部の半導体層
の結晶性をよくし、発光特性を向上させることができ
る。
物半導体層を成長すると、ｐ形層を得られやすいだけで
はなく、その半導体層の表面を平坦化することができ
た。これは、基板表面へのＺｎの供給量が多いことによ
り、蒸気圧の高いＺｎの蒸発を抑制することができるた
めと考えられる。とくにＺｎＯ系酸化物半導体層と材質
の異なるサファイアなどからなる基板上に成長する場合
にその蒸発に伴う凹凸は、その上に積層する半導体層の
全てに影響し、積層される半導体層も平坦性が悪くな
り、発光特性に悪影響を及ぼす。しかし、本発明によ
り、基板上にまず平坦性の優れたＺｎＯ系酸化物半導体
層が成長されることにより、その表面に積層される半導
体層も全て平坦性がよくなり、発光層形成部の半導体層
の結晶性をよくし、発光特性を向上させることができ
る。
【００１６】前述のように、成長温度を低温にすること
により、同じ材料源の供給量に対しても、Ｚｎリッチに
なるため、前記バッファ層を前記発光層形成部の成長温
度より低い温度で成長することにより、より一層Ｚｎリ
ッチになりやすいと共に、温度が低く蒸気圧の高いＺｎ
の蒸発を抑制することもできるため、より一層平坦な半
導体層を得やすい。なお、低温で成長すると、残留キャ
リア濃度（アンドープで成長してもｎ形を呈する性質）
が大きくなるが、バッファ層は、発光層形成部とは関係
ないため、キャリア濃度は問題なく、その表面の平坦性
を得るためのみに用いられる。
により、同じ材料源の供給量に対しても、Ｚｎリッチに
なるため、前記バッファ層を前記発光層形成部の成長温
度より低い温度で成長することにより、より一層Ｚｎリ
ッチになりやすいと共に、温度が低く蒸気圧の高いＺｎ
の蒸発を抑制することもできるため、より一層平坦な半
導体層を得やすい。なお、低温で成長すると、残留キャ
リア濃度（アンドープで成長してもｎ形を呈する性質）
が大きくなるが、バッファ層は、発光層形成部とは関係
ないため、キャリア濃度は問題なく、その表面の平坦性
を得るためのみに用いられる。
【００１７】前記半導体積層部のｐ形層を成長する際
に、ｐ形ドーパントとしてのドーパント源と共に、該ｐ
形層を構成するＺｎＯ系酸化物を構成する材料源をＺｎ
リッチになるように供給しながらｐ形層を成長すること
により、平坦性に優れ、結晶性が優れると共に、キャリ
ア濃度の大きいｐ形層が得られるため、非常に発光特性
の優れた半導体発光素子が得られる。
に、ｐ形ドーパントとしてのドーパント源と共に、該ｐ
形層を構成するＺｎＯ系酸化物を構成する材料源をＺｎ
リッチになるように供給しながらｐ形層を成長すること
により、平坦性に優れ、結晶性が優れると共に、キャリ
ア濃度の大きいｐ形層が得られるため、非常に発光特性
の優れた半導体発光素子が得られる。
【００１８】また、前記半導体積層部のｎ形層を成長す
る際に、該ｎ形層を構成するＺｎＯ系酸化物の材料源を
Ｚｎリッチになるように供給しながらｎ形層を成長する
ことにより、通常のｎ形層が基板側に成長される場合
に、成長層の平坦性を維持して活性層の平坦性に寄与す
るため、発光特性向上のため好ましい。
る際に、該ｎ形層を構成するＺｎＯ系酸化物の材料源を
Ｚｎリッチになるように供給しながらｎ形層を成長する
ことにより、通常のｎ形層が基板側に成長される場合
に、成長層の平坦性を維持して活性層の平坦性に寄与す
るため、発光特性向上のため好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明によるＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法および半導
体発光素子の製法について説明をする。本発明によるＺ
ｎＯ系酸化物半導体層の成長方法は、図１にｐ形ＺｎＯ
を成長する概念図が示されるように、たとえばＭＢＥ
（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法に
より、ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源ＺｎおよびＯ
と、ｐ形ドーパントであるチッ素をプラズマ化したドー
パント源Ｎとを供給すると共に、ＺｎＯ系酸化物を構成
する材料源がＺｎリッチとなるように供給しながらｐ形
ＺｎＯ系酸化物半導体層９を基板８上に成長することを
特徴とする。
明によるＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法および半導
体発光素子の製法について説明をする。本発明によるＺ
ｎＯ系酸化物半導体層の成長方法は、図１にｐ形ＺｎＯ
を成長する概念図が示されるように、たとえばＭＢＥ
（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法に
より、ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源ＺｎおよびＯ
と、ｐ形ドーパントであるチッ素をプラズマ化したドー
パント源Ｎとを供給すると共に、ＺｎＯ系酸化物を構成
する材料源がＺｎリッチとなるように供給しながらｐ形
ＺｎＯ系酸化物半導体層９を基板８上に成長することを
特徴とする。
【００２０】前述のように、本発明者らはキャリア濃度
の大きいｐ形ＺｎＯ酸化物半導体層を得るため、鋭意検
討を重ねた結果、アンドープ結晶の最適温度において、
チッ素を固溶させるためには、アンドープ状態よりもＺ
ｎの供給量を増やすこと、またはアンドープ結晶の最適
温度よりも基板温度を下げることにより、チッ素が固溶
されることを見出した。キャリア濃度が低く、モビリテ
ィの高いアンドープ層が得られるのは、酸素源の供給量
を一定にし、Ｚｎ供給量を変化させたとき、成長レート
が飽和する点（図５の肩部）でのＺｎを供給したときで
ある。この成長レート飽和時のＺｎ供給量以上のＺｎを
供給する条件（図５の肩部より右側）を、本明細書では
Ｚｎリッチ条件とよんでいる。このことは、基板温度を
そのままで、Ｚｎ供給量を増やすことは当然Ｚｎリッチ
であり、また図５に示される飽和時のＺｎ供給量のまま
で、基板温度を下げることも、成長面におけるＺｎの再
蒸発レートが遅くなり、実効的にＺｎリッチ条件になる
（実際に、酸素リッチ領域でも、基板温度を下げると成
長レートが増大する領域がある）。
の大きいｐ形ＺｎＯ酸化物半導体層を得るため、鋭意検
討を重ねた結果、アンドープ結晶の最適温度において、
チッ素を固溶させるためには、アンドープ状態よりもＺ
ｎの供給量を増やすこと、またはアンドープ結晶の最適
温度よりも基板温度を下げることにより、チッ素が固溶
されることを見出した。キャリア濃度が低く、モビリテ
ィの高いアンドープ層が得られるのは、酸素源の供給量
を一定にし、Ｚｎ供給量を変化させたとき、成長レート
が飽和する点（図５の肩部）でのＺｎを供給したときで
ある。この成長レート飽和時のＺｎ供給量以上のＺｎを
供給する条件（図５の肩部より右側）を、本明細書では
Ｚｎリッチ条件とよんでいる。このことは、基板温度を
そのままで、Ｚｎ供給量を増やすことは当然Ｚｎリッチ
であり、また図５に示される飽和時のＺｎ供給量のまま
で、基板温度を下げることも、成長面におけるＺｎの再
蒸発レートが遅くなり、実効的にＺｎリッチ条件になる
（実際に、酸素リッチ領域でも、基板温度を下げると成
長レートが増大する領域がある）。
【００２１】たとえばＭＢＥ装置で、基板を所定の温度
に上昇させた後、ＺｎＯの材料源であるＺｎのセルと、
Ｏのプラズマ源と、ｐ形ドーパントとしてのＮのプラズ
マ源をそれぞれ開いて基板に照射する際に、Ｚｎの蒸発
量を多くして、基板上にＮドープのＺｎＯ層を成長し
た。このようにして成長したＺｎＯ層のＮ濃度（atoms
／ｃｍ3）をＳＩＭＳ（２次イオン質量分析計）分析に
より調べた結果を、ＺｎＯの２次イオン強度（counts／
sec）と対比して図３に示した。図３から明らかなよう
に、ほぼ１×１０20ｃｍ-3以上のＮを結晶内に取り込ん
でおり、キャリア濃度の大きいｐ形ＺｎＯ層が得られた
ことが分る。
に上昇させた後、ＺｎＯの材料源であるＺｎのセルと、
Ｏのプラズマ源と、ｐ形ドーパントとしてのＮのプラズ
マ源をそれぞれ開いて基板に照射する際に、Ｚｎの蒸発
量を多くして、基板上にＮドープのＺｎＯ層を成長し
た。このようにして成長したＺｎＯ層のＮ濃度（atoms
／ｃｍ3）をＳＩＭＳ（２次イオン質量分析計）分析に
より調べた結果を、ＺｎＯの２次イオン強度（counts／
sec）と対比して図３に示した。図３から明らかなよう
に、ほぼ１×１０20ｃｍ-3以上のＮを結晶内に取り込ん
でおり、キャリア濃度の大きいｐ形ＺｎＯ層が得られた
ことが分る。
【００２２】なお、Ｚｎリッチにしない従来の方法によ
りアンドープのＺｎＯ層とＮドープのｐ形層とを成長し
たときの同様のＮ濃度をＺｎＯの２次イオン強度と共に
図４に示した。この例では、アンドープ層とＮドープ層
との間で、境界を認識できるように表面の一部にマスク
を形成するため、一旦成長炉から基板を取出しており、
その影響によるＮ濃度の極大部分が生じているが、アン
ドープ層とＮドープ層とのＮ濃度に殆ど差がないことが
分る。図４でＮ濃度が非常にノイジーであるのは、濃度
が低く、ＳＩＭＳによる測定の限界に近いためである。
りアンドープのＺｎＯ層とＮドープのｐ形層とを成長し
たときの同様のＮ濃度をＺｎＯの２次イオン強度と共に
図４に示した。この例では、アンドープ層とＮドープ層
との間で、境界を認識できるように表面の一部にマスク
を形成するため、一旦成長炉から基板を取出しており、
その影響によるＮ濃度の極大部分が生じているが、アン
ドープ層とＮドープ層とのＮ濃度に殆ど差がないことが
分る。図４でＮ濃度が非常にノイジーであるのは、濃度
が低く、ＳＩＭＳによる測定の限界に近いためである。
【００２３】本発明によれば、従来殆どドーピングでき
なかったＮを非常に高濃度にドーピングできるようにな
り、ｐ形層を実現できるようになった。この理由は、前
述したように、Ｚｎが多いことにより、Ｚｎ＋Ｏ*（活
性化酸素）の優先的反応のみならず、反応の遅いＺｎ＋
Ｎ*（活性化チッ素）の反応も起こりやすくなるためと
考えられる。
なかったＮを非常に高濃度にドーピングできるようにな
り、ｐ形層を実現できるようになった。この理由は、前
述したように、Ｚｎが多いことにより、Ｚｎ＋Ｏ*（活
性化酸素）の優先的反応のみならず、反応の遅いＺｎ＋
Ｎ*（活性化チッ素）の反応も起こりやすくなるためと
考えられる。
【００２４】さらに、このＺｎリッチの条件で成長した
ＺｎＯ層の表面をＡＦＭにより検査した結果、非常に成
長表面が平坦であり、凹凸が殆どないことを見出した。
そして、アンドープ層およびｎ形層についてもＺｎリッ
チの条件で成長すると、同様に平坦な成長面が得られ、
その表面にＺｎＯ系酸化物層を成長する場合には、Ｚｎ
リッチの条件でなくても、平坦面の上に成長するため、
非常に平坦な半導体層を成長することができることを見
出した。そして、基板表面にＺｎリッチの条件でＺｎＯ
系酸化物半導体からなる表面が平坦なバッファ層を成長
し、そのバッファ層上に発光層を形成するＺｎＯ系酸化
物半導体からなる発光層形成部を含む半導体積層部を成
長することにより、結晶性がよく、非常に発光特性の優
れたＬＥＤやＬＤなどのＺｎＯ系半導体発光素子が得ら
れることを見出した。
ＺｎＯ層の表面をＡＦＭにより検査した結果、非常に成
長表面が平坦であり、凹凸が殆どないことを見出した。
そして、アンドープ層およびｎ形層についてもＺｎリッ
チの条件で成長すると、同様に平坦な成長面が得られ、
その表面にＺｎＯ系酸化物層を成長する場合には、Ｚｎ
リッチの条件でなくても、平坦面の上に成長するため、
非常に平坦な半導体層を成長することができることを見
出した。そして、基板表面にＺｎリッチの条件でＺｎＯ
系酸化物半導体からなる表面が平坦なバッファ層を成長
し、そのバッファ層上に発光層を形成するＺｎＯ系酸化
物半導体からなる発光層形成部を含む半導体積層部を成
長することにより、結晶性がよく、非常に発光特性の優
れたＬＥＤやＬＤなどのＺｎＯ系半導体発光素子が得ら
れることを見出した。
【００２５】図２に、ＺｎＯ系化合物半導体を用いて、
そのような方法により製造した青色系（紫外から黄色の
波長領域）のＬＥＤチップの断面構造が示されている。
このＬＥＤを製造するには、たとえばＭＢＥ装置内にサ
ファイア基板１１をセッティングし、基板温度を６００
〜７００℃にしてサーマルクリーニングをした後、３５
０℃程度にし、Ｚｎリッチの条件になるように、Ｚｎお
よびプラズマ酸素を照射し、表面が平坦なＺｎＯからな
るバッファ層１２を５０ｎｍ〜０.１μｍ程度成膜す
る。前述のように、基板温度を低くすることは、Ｚｎリ
ッチにつながり、さらに基板１１表面のＺｎの蒸発を抑
制することができるため、この程度の低温で行うことが
とくに好ましい。
そのような方法により製造した青色系（紫外から黄色の
波長領域）のＬＥＤチップの断面構造が示されている。
このＬＥＤを製造するには、たとえばＭＢＥ装置内にサ
ファイア基板１１をセッティングし、基板温度を６００
〜７００℃にしてサーマルクリーニングをした後、３５
０℃程度にし、Ｚｎリッチの条件になるように、Ｚｎお
よびプラズマ酸素を照射し、表面が平坦なＺｎＯからな
るバッファ層１２を５０ｎｍ〜０.１μｍ程度成膜す
る。前述のように、基板温度を低くすることは、Ｚｎリ
ッチにつながり、さらに基板１１表面のＺｎの蒸発を抑
制することができるため、この程度の低温で行うことが
とくに好ましい。
【００２６】ついで、基板温度を６００℃程度にし、酸
素ラジカルおよびＺｎのソース源（セル）のシャッター
をあけ、再度酸素ラジカルとＺｎを照射すると共に、ｎ
形ドーパントのＡｌまたはＧａのシャッターもあけてｎ
形のＺｎＯからなるｎ形コンタクト層１３を１.５μｍ
程度成長させる。ついで、Ｍｇのシャッターもあけて、
ＭｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.１５）
からなるｎ形のクラッド層１４を２μｍ程度、Ｍｇを止
めて、ＣｄのシャッターをあけアンドープでＣｄxＺｎ
1-xＯ（０≦ｘ＜１、たとえばｘ＝０.０８）からなる活
性層１５を０.１μｍ程度成長する。これまでの各層の
成長は、Ｚｎリッチにしても構わないし、Ｚｎリッチで
なくても構わない。
素ラジカルおよびＺｎのソース源（セル）のシャッター
をあけ、再度酸素ラジカルとＺｎを照射すると共に、ｎ
形ドーパントのＡｌまたはＧａのシャッターもあけてｎ
形のＺｎＯからなるｎ形コンタクト層１３を１.５μｍ
程度成長させる。ついで、Ｍｇのシャッターもあけて、
ＭｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、たとえばｙ＝０.１５）
からなるｎ形のクラッド層１４を２μｍ程度、Ｍｇを止
めて、ＣｄのシャッターをあけアンドープでＣｄxＺｎ
1-xＯ（０≦ｘ＜１、たとえばｘ＝０.０８）からなる活
性層１５を０.１μｍ程度成長する。これまでの各層の
成長は、Ｚｎリッチにしても構わないし、Ｚｎリッチで
なくても構わない。
【００２７】そして、ＺｎリッチになるようにＺｎの供
給量を多くし、Ｃｄを止めてＭｇのシャッターを再びあ
け、さらにｐ形ドーパントとしてプラズマ励起チッ素の
シャッターをあけ、ｐ形ＭｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、
たとえばｙ＝０.１５）からなるｐ形のクラッド層１６
を２μｍ程度、さらにＭｇを止めてＺｎＯリッチのまま
成長を続け、ｐ形ＺｎＯからなるｐ形コンタクト層１７
を１μｍ程度順次成長する。このｎ形クラッド層１４、
活性層１５およびｐ形クラッド層１６により発光層形成
部１０を構成している。
給量を多くし、Ｃｄを止めてＭｇのシャッターを再びあ
け、さらにｐ形ドーパントとしてプラズマ励起チッ素の
シャッターをあけ、ｐ形ＭｇyＺｎ1-yＯ（０≦ｙ＜１、
たとえばｙ＝０.１５）からなるｐ形のクラッド層１６
を２μｍ程度、さらにＭｇを止めてＺｎＯリッチのまま
成長を続け、ｐ形ＺｎＯからなるｐ形コンタクト層１７
を１μｍ程度順次成長する。このｎ形クラッド層１４、
活性層１５およびｐ形クラッド層１６により発光層形成
部１０を構成している。
【００２８】その後、ＭＢＥ装置よりエピタキシャル成
長がされたウェハを取り出し、スパッタ装置に入れて透
明性導電膜であるＩＴＯ膜１８を０.１５μｍ程度の厚
さに設ける。その後、積層した半導体層の一部をＲＩＥ
法などのドライエッチングによりｎ形コンタクト層１３
を露出させ、サファイア基板１１を研磨し、基板１１の
厚さを１００μｍ程度とし、ＩＴＯ膜１８上にＮｉ／Ａ
ｌなどからなるｐ側電極２０を、エッチングにより露出
したｎ形コンタクト層１３の表面にＴｉ／Ａｕなどから
なるｎ側電極１９を、それぞれたとえばリフトオフ法に
よる真空蒸着などにより形成する。その後ウェハからチ
ップ化することにより、図２に示されるＬＥＤチップが
得られる。
長がされたウェハを取り出し、スパッタ装置に入れて透
明性導電膜であるＩＴＯ膜１８を０.１５μｍ程度の厚
さに設ける。その後、積層した半導体層の一部をＲＩＥ
法などのドライエッチングによりｎ形コンタクト層１３
を露出させ、サファイア基板１１を研磨し、基板１１の
厚さを１００μｍ程度とし、ＩＴＯ膜１８上にＮｉ／Ａ
ｌなどからなるｐ側電極２０を、エッチングにより露出
したｎ形コンタクト層１３の表面にＴｉ／Ａｕなどから
なるｎ側電極１９を、それぞれたとえばリフトオフ法に
よる真空蒸着などにより形成する。その後ウェハからチ
ップ化することにより、図２に示されるＬＥＤチップが
得られる。
【００２９】なお、この例では、発光層形成部１０がダ
ブルヘテロ接合のＬＥＤチップであったが、ヘテロ接合
またはホモ接合のｐｎ接合構造などの他の接合構造でも
よい。また、ＬＥＤでなくてもＬＤであっても同様であ
る。この場合、たとえば活性層１５はノンドープのＣｄ
0.03Ｚｎ0.97Ｏ／Ｃｄ0.2Ｚｎ0.8Ｏからなるバリア層と
ウェル層とをそれぞれ５ｎｍおよび４ｎｍづつ交互に２
〜５層づつ積層した多重量子井戸構造により形成するこ
とが好ましい。また、活性層１５が薄く充分に光を活性
層１５内に閉じ込められない場合には、たとえばＺｎＯ
からなる光ガイド層が活性層の両側に設けられる。ま
た、ＩＴＯ膜１８からなる透明電極は不要で、直接ｐ側
電極２０をストライプ状にパターニングして形成した
り、半導体層の上部をメサ型形状にエッチングしたり、
電流狭窄層を埋め込むことにより、電流注入領域を画定
する構造に形成される。
ブルヘテロ接合のＬＥＤチップであったが、ヘテロ接合
またはホモ接合のｐｎ接合構造などの他の接合構造でも
よい。また、ＬＥＤでなくてもＬＤであっても同様であ
る。この場合、たとえば活性層１５はノンドープのＣｄ
0.03Ｚｎ0.97Ｏ／Ｃｄ0.2Ｚｎ0.8Ｏからなるバリア層と
ウェル層とをそれぞれ５ｎｍおよび４ｎｍづつ交互に２
〜５層づつ積層した多重量子井戸構造により形成するこ
とが好ましい。また、活性層１５が薄く充分に光を活性
層１５内に閉じ込められない場合には、たとえばＺｎＯ
からなる光ガイド層が活性層の両側に設けられる。ま
た、ＩＴＯ膜１８からなる透明電極は不要で、直接ｐ側
電極２０をストライプ状にパターニングして形成した
り、半導体層の上部をメサ型形状にエッチングしたり、
電流狭窄層を埋め込むことにより、電流注入領域を画定
する構造に形成される。
【００３０】本発明の半導体発光素子によれば、Ｚｎリ
ッチによる平坦で、結晶性の優れたバッファ層が設けら
れているため、その上に積層される発光層形成部なども
非常に平坦性がよく結晶性が良好になる。すなわち、前
述のように、サファイア基板などのＺｎＯ系酸化物半導
体と異なる材料の上に高温で直接成長しようとすると、
Ｚｎの蒸気圧の高さに起因して、表面が平坦にならず、
凹凸の有する膜になり、その上に成長するＺｎＯ系酸化
物半導体層も結晶欠陥を引きずることになる。しかし、
Ｚｎリッチの条件で、とくに３５０℃程度の低温で、こ
のバッファ層を成長することにより、より一層Ｚｎリッ
チとなり、表面が平坦なバッファ層が得られ、その上に
積層される半導体積層部も結晶性が向上する。その結
果、発光効率の高いＬＥＤが得られる。また、ＬＤにし
ても、しきい電流値を下げることができ、発光特性の向
上した半導体発光素子を得ることができる。
ッチによる平坦で、結晶性の優れたバッファ層が設けら
れているため、その上に積層される発光層形成部なども
非常に平坦性がよく結晶性が良好になる。すなわち、前
述のように、サファイア基板などのＺｎＯ系酸化物半導
体と異なる材料の上に高温で直接成長しようとすると、
Ｚｎの蒸気圧の高さに起因して、表面が平坦にならず、
凹凸の有する膜になり、その上に成長するＺｎＯ系酸化
物半導体層も結晶欠陥を引きずることになる。しかし、
Ｚｎリッチの条件で、とくに３５０℃程度の低温で、こ
のバッファ層を成長することにより、より一層Ｚｎリッ
チとなり、表面が平坦なバッファ層が得られ、その上に
積層される半導体積層部も結晶性が向上する。その結
果、発光効率の高いＬＥＤが得られる。また、ＬＤにし
ても、しきい電流値を下げることができ、発光特性の向
上した半導体発光素子を得ることができる。
【００３１】前述の例は、サファイア基板上にＺｎＯ系
化合物半導体層をＭＢＥ法により成長する例であった
が、ＭＯＣＶＤ法でも同様にＺｎリッチの条件でバッフ
ァ層を形成し、その後に発光層形成部を成長することに
より、非常に結晶性がよく、発光特性の優れた半導体発
光素子が得られる。さらに、ｐ形層を形成する場合に、
Ｚｎリッチにすることにより、非常にキャリア濃度の大
きいｐ形層が得られ、駆動電圧が低く発光出力の大きい
ＬＥＤやＬＤなどの半導体発光素子が得られる。
化合物半導体層をＭＢＥ法により成長する例であった
が、ＭＯＣＶＤ法でも同様にＺｎリッチの条件でバッフ
ァ層を形成し、その後に発光層形成部を成長することに
より、非常に結晶性がよく、発光特性の優れた半導体発
光素子が得られる。さらに、ｐ形層を形成する場合に、
Ｚｎリッチにすることにより、非常にキャリア濃度の大
きいｐ形層が得られ、駆動電圧が低く発光出力の大きい
ＬＥＤやＬＤなどの半導体発光素子が得られる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、Ｎドープを充分に行う
ことができ、キャリア濃度の大きいｐ形半導体層を簡単
に得ることができる。さらに、平坦性の優れたＺｎＯ系
化合物半導体層を成長することができ、結晶性の優れた
半導体層が得られる。その結果、ＺｎＯ系酸化物半導体
からなるＬＥＤやＬＤなどの半導体発光素子の発光特性
を大幅に向上させることができる。
ことができ、キャリア濃度の大きいｐ形半導体層を簡単
に得ることができる。さらに、平坦性の優れたＺｎＯ系
化合物半導体層を成長することができ、結晶性の優れた
半導体層が得られる。その結果、ＺｎＯ系酸化物半導体
からなるＬＥＤやＬＤなどの半導体発光素子の発光特性
を大幅に向上させることができる。
【図１】本発明のｐ形ＺｎＯ酸化物半導体層を成長する
方法を説明する概念図である。
方法を説明する概念図である。
【図２】本発明により製造する発光素子の一例を示すＬ
ＥＤチップの構造図である。
ＥＤチップの構造図である。
【図３】本発明により成長したＮドープＺｎＯ層のＮ濃
度をＺｎＯの２次イオン強度と共に示す図である。
度をＺｎＯの２次イオン強度と共に示す図である。
【図４】従来の方法により成長した、アンドープＺｎＯ
層とＮドープＺｎＯ層のＮ濃度をＺｎＯの２次イオン強
度と共に示す図である。
層とＮドープＺｎＯ層のＮ濃度をＺｎＯの２次イオン強
度と共に示す図である。
【図５】Ｚｎリッチを説明するための、Ｏの供給量を一
定としてＺｎの供給量を変化させたときの成長レートを
示す図である。
定としてＺｎの供給量を変化させたときの成長レートを
示す図である。
８ 基板 ９ ｐ形ＺｎＯ層 １０ 発光層形成部 １１ 基板 １２ バッファ層 １６ ｐ形クラッド層 １７ ｐ形コンタクト層
フロントページの続き (72)発明者 ポール・フォンス 茨城県つくば市梅園１−１−４ 通商産業 省 工業技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 山田 昭政 茨城県つくば市梅園１−１−４ 通商産業 省 工業技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 松原 浩司 茨城県つくば市梅園１−１−４ 通商産業 省 工業技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 仁木 栄 茨城県つくば市梅園１−１−４ 通商産業 省 工業技術院電子技術総合研究所内 (72)発明者 中原 健 京都市右京区西院溝崎町21番地 ローム株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 CA04 CA41 CA46 CA55 CA66 5F045 AA04 AA05 AA08 AB22 AC19 AD07 AD10 CA11 CB02 DA53 5F073 AA74 CA22 CB05 CB07 CB19 DA06 5F103 AA04 DD30 HH04 JJ01 KK10 LL01 NN05 PP11
Claims (5)
- 【請求項１】 ＺｎＯ系酸化物を構成する材料源と、ｐ
形ドーパントであるチッ素とを供給すると共に、前記Ｚ
ｎＯ系酸化物を構成する材料源がＺｎリッチとなるよう
に供給しながらｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層を成長する
ことを特徴とするＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法。 - 【請求項２】 基板表面にＺｎリッチの条件でＺｎＯ系
酸化物半導体からなる表面が平坦なバッファ層を成長
し、該バッファ層上に発光層を形成するＺｎＯ系酸化物
半導体からなり、少なくともｎ形層およびｐ形層を有す
る発光層形成部を含む半導体積層部を成長する半導体発
光素子の製法。 - 【請求項３】 前記バッファ層を前記発光層形成部の成
長温度より低い温度で成長する請求項２記載の半導体発
光素子の製法。 - 【請求項４】 前記半導体積層部のｐ形層を成長する際
に、ｐ形ドーパントとしてのドーパント源と共に、該ｐ
形層を構成するＺｎＯ系酸化物の材料源をＺｎリッチに
なるように供給しながらｐ形層を成長する請求項２また
は３記載の半導体発光素子の製法。 - 【請求項５】 前記半導体積層部のｎ形層を成長する際
に、該ｎ形層を構成するＺｎＯ系酸化物の材料源をＺｎ
リッチになるように供給しながらｎ形層を成長する請求
項２、３または４記載の半導体発光素子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000256729A JP2002076026A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000256729A JP2002076026A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076026A true JP2002076026A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18745293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000256729A Pending JP2002076026A (ja) | 2000-08-28 | 2000-08-28 | ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法およびそれを用いた半導体発光素子の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002076026A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007128936A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Stanley Electric Co Ltd | ＺｎＯ結晶またはＺｎＯ系半導体化合物結晶の製造方法、及びＺｎＯ系発光素子の製造方法 |
| JP2007165805A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 結晶成長方法及び結晶成長装置 |
| JP2008219059A (ja) * | 2005-06-29 | 2008-09-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＺｎＯ発光デバイス |
| JP2011134787A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Stanley Electric Co Ltd | ＺｎＯ系半導体装置及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-08-28 JP JP2000256729A patent/JP2002076026A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008219059A (ja) * | 2005-06-29 | 2008-09-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＺｎＯ発光デバイス |
| JP2007128936A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Stanley Electric Co Ltd | ＺｎＯ結晶またはＺｎＯ系半導体化合物結晶の製造方法、及びＺｎＯ系発光素子の製造方法 |
| US7968363B2 (en) | 2005-11-01 | 2011-06-28 | Stanley Electric Co., Ltd. | Manufacture method for ZnO based semiconductor crystal and light emitting device using same |
| DE102006051455B4 (de) * | 2005-11-01 | 2020-12-24 | Stanley Electric Co. Ltd. | Herstellungsverfahren für eine ZnO-basierte Leuchtvorrichtung |
| JP2007165805A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | National Univ Corp Shizuoka Univ | 結晶成長方法及び結晶成長装置 |
| JP2011134787A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Stanley Electric Co Ltd | ＺｎＯ系半導体装置及びその製造方法 |
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