KR20070072395A - 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 활성층을 포함하는 반도체 발광 소자에 관한 것으로서, 상기 활성층은 불순물이 도핑되지 않은 우물층, 제1 장벽층, 및 제2 장벽층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 상기 우물층은 상기 제1 장벽층과 상기 제2 장벽층 사이에 형성되어 있고，상기 제1 장벽층은 상기 우물층에 인접하여 위치하는 제1 불순물 도핑 영역을 가지고，상기 우물층으로부터 떨어져 위치하는 제1 불순물 미도핑 영역을 가진다. 상기 제2 장벽층은 상기 우물층에 인접하여 위치하는 제2 불순물 미도핑 영역을 가진다.
활성층, 다중 양자 우물, 우물층, 장벽층, 반도체, 발광 소자

Description

반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 {SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 도시한 도면이다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 활성층의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 발광 강도와 전류 간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 4는 전류와 전압 간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 활성층의 구성을 도시한 도면이다.
(도면 부호에 대한 설명)
10: 기판 11: 완충층
12: n형 반도체층 13: 활성층
131: 우물층 132: 장벽층
132a: n형 불순물이 도핑된 영역
132b: 불순물이 도핑되지 않은 영역(불순물 미도핑 영역)
14: p형 반도체층 16: 제1 전극
17: 제2 전극
본 발명은 발광 소자, 및 상기 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 반도체 발광 소자 및 그것의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드는 광범위하게 이용되며, 이를테면, 광학 디스플레이, 교통 표지, 자료 저장 장치, 통신 장치, 조명 장치, 의료 장치 등에 이용된다. 현재 당업자에게는 이러한 발광 다이오드의 휘도를 증가시키는 방법을 개발하는 것이 주요 과제이다.
종래의 질화물 반도체 발광 소자에서는 활성층(active layer)으로서, 일반적으로 n형 불순물이 도핑된 다중 양자 우물(multiple quantum well, MQW) 구조의 활성층을 이용하며, 상기 활성층에 적용되는 불순물의 도핑 방식은 대체로 다음과 같은 3가지 방식으로 구분된다:
1. 장벽층에는 n형 불순물을 균일하게 도핑하고，양자 우물층에는 불순물을 도핑하지 않는 방법;
2. 양자 우물층에는 n형 불순물을 균일하게 도핑하고，장벽층에는 불순물을 도핑하지 않는 방법; 및
3. 장벽층과 양자 우물층 모두에 n형 불순물을 균일하게 도핑하는 방법.
그러나, 전술한 불순물 도핑 방식에 의해 얻어지는 발광 소자는 발광 휘도 면에 있어서 여전히 문제가 있다. 이에 따라, 레이저 다이오드의 발광 휘도를 증가시키기 위한 종래의 방법으로서, 장벽층에 인접한 양자 우물층 영역의 일부분에 불순물을 도핑하고，상기 양자 우물층에 인접한 상기 장벽층 영역의 일부분에도 불순물을 도핑함으로써, 레이저 다이오드의 발광 휘도를 증가시키는 방법이 제안된 바 있다.
본 발명은 발광 휘도가 향상된 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 발광 휘도 향상된 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 반도체 발광 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 발광 소자는 활성층을 포함하며, 상기 활성층은，불순물이 도핑되지 않은 우물층, 제1 장벽층, 및 제2 장벽층을 포함하고, 상기 우물층은 상기 제1 장벽층과 상기 제2 장벽층 사이에 형성되어 있고, 상기 제1 장벽층은 상기 우물층에 인접하여 위치하는 n형 불순물 도핑 영역，및 상기 우물층으로부터 떨어져 위치하는 불순물 미도핑 영역을 가지며, 상기 제2 장벽층은 상기 우물층에 인접하여 위치하는 불순물 미도핑 영역을 가지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 반도체 발광 소자는 발광 휘도가 높아 바람직하며, 나아가, 작동 전압이 낮으므로 종래의 발광 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 반도체 발광 소자의 제조 방법을 제공한다. 본 발명 의 제조 방법에 따르면, 서로 대응되는 양측에 제1 표면 및 제2 표면을 가지며, 불순물이 도핑되지 않은 우물층을 형성하는 단계; 상기 제1 표면에 인접한 위치에 제1의 n형 불순물 도핑 영역을 형성한 다음, 상기 제1 표면으로부터 떨어진 위치에 불순물 미도핑 영역을 형성함으로써, 제1 장벽층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 표면에 인접한 위치에 불순물 미도핑 영역을 형성함으로써, 제2 장벽층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예
도 1 및 도 2를 참조해 볼 때，본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자(1)는 기판(10); 기판(10) 상에 형성된 완충층(11); 완충층(11) 상에 형성되며, 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 n형 반도체층(12); 상기 제1 표면 상에 형성된 활성층(13); 활성층(13) 상에 형성된 p형 반도체층(14); p형 반도체층(14) 상에 형성된 제1 전극(16); 및 상기 제2 표면 상에 형성된 제2 전극(17)을 포함한다. 본 발명의 반도체 발광 소자에서 상기 활성층(13)은 MQW 구조를 가지며，복수의 우물층(131), 및 상기 복수의 우물층(131)들 사이에 삽입된 복수의 장벽층(132)을 포함한다. 상기 우물층(131)은 불순물이 도핑되지 않은 진성 반도체(intrinsic semiconductor)로 구성되며, 그 불순물 농도는 약 1×1017 ㎝-3 이하이다. 우물층(131)은 하표면(下表面)과 상표면(上表面)을 가지며，우물층(131)의 하표면과 접하는 장벽층(132)은 2개의 영역을 포함한다. 상기 우물층(131)의 하표면에 인접한 영역은 n형 불순물이 도핑된 영역(132a)이고，우물층(131)의 하표면으로부터 떨어 져 위치하는 영역은 불순물이 도핑되지 않은 영역(132b)이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 우물층(131)의 상표면에 서로 접한 장벽층(132)에는 불순물이 도핑되어 있지 않다. 단, 발광 소자(1)가 바람직한 휘도를 갖도록 하기 위해서는, 도 2b에 도시된 바와 같이, 우물층(131)의 상표면에 접한 장벽층(132) 역시 2개의 영역을 포함할 수 있다. 즉, 우물층(131)의 상표면에 인접한 영역을 불순물 미도핑 영역(132b)으로서, 그리고 우물층(131)의 상표면으로부터 떨어져 위치하는 영역을 n형 불순물 도핑 영역(132a)으로서 형성할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자(1)의 제조 방법은,
기판(10)을 선택하는 단계;
상기 기판(10) 상에 완충층(11)을 형성하는 단계;
상기 완충층(11) 상에 n형 반도체층(12)을 형성하는 단계; 및
상기 n형 반도체층(12) 상에 활성층(13)을 형성하는 단계를 포함한다.
또한 상기 제조 방법에 따르면, 상기 활성층(13)은 MQW 구조를 가지며，복수의 우물층(131), 및 상기 복수의 우물층(131)들 사이에 삽입된 복수의 장벽층(132)이 교차되어 형성된다. 아울러, 상기 n형 반도체층(12) 상에 활성층을 형성하는 공정은, 상기 n형 반도체층(12) 상에 불순물 미도핑 영역(132b)으로 이루어진 장벽층을 형성한 다음, 상기 불순물 미도핑 영역(132b) 상에 n형 불순물 도핑 영역(132a)으로 이루어진 장벽층을 형성한 후, 상기 n형 불순물 도핑 영역(132a) 상에, 불순물이 도핑되지 않은 우물층(131)을 형성한 다음, 상기 우물층(131) 상에 불순물 미도핑 영역(132b)으로 이루어진 장벽층을 형성한 후, 상기 불순물 미도핑 영역(132b)으로 이루어진 장벽층 상에 n형 불순물 도핑 영역(132a)으로 이루어진 장벽층을 형성하는 단계를 포함한다. 활성층(13) 상에는 p형 반도체층(14)을 형성한 다음, 에칭법에 의해 일부의 p형 반도체층(14), 및 활성층(13)을 순차적으로 에칭함으로써 n형 반도체층(12)의 일부 표면을 노출시키고, p형 반도체층(14) 상에 제1 전극(16)을 형성하고, 상기 n형 반도체층(12)의 노출된 표면에 제2 전극(17)을 형성한다.
도 3은 전류 크기에 따른, 본 발명에 따른 반도체 발광 소자(1)의 발광 강도의 변화와, 위에서 설명한 종래 기술에 따른 발광 소자(A) 및 발광 소자(B)의 발광 강도의 변화를 통해, 이들 소자의 전기적 특성을 비교한 그래프(L-I curve)이다. 상기 발광 소자(A)의 우물층에는 불순물을 도핑하지 않았으며，장벽층에는 전부 n형 불순물을 도핑하였다. 한편, 상기 발광 소자(B)의 우물층과 장벽층에는 상호 교접하는 계면과 인접한 영역에 각각 부분적으로 n형 불순물을 도핑하였다. 도 3에 도시된 바와 같이, 동일한 입력 전류 조건에서 본 발명의 반도체 발광 소자(1)는 종래 기술에 따른 발광 소자(A) 및 발광 소자(B)에 비해 발광 강도보다 크다. 아울러, 도 4로부터, 동일한 입력 전류 조건에서, 본 발명에 따른 반도체 발광 소자(1)는 종래의 발광 소자(A) 및 발광 소자(B)에 비해 작동 전압이 낮다는 것을 알 수 있다. 이러한 결과로부터, 본 발명에 따른 반도체 발광 소자가 양호한 전기적 특성을 갖는다는 것을 확인할 수 있다.
전술한 각각의 층은, 금속 유기화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)에 의해 상기 기판 상에 성장시킴으로써 형성될 수 있다.
반도체 발광 소자(1)를 분자 빔 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)에 의해 형성하는 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 활성층(13)의 MQW 구조에서 우물층(131)의 하표면과 접한 장벽층(132)을 불순물 미도핑 영역으로서 형성할 수 있다. 단, 발광 소자(1)가 양호한 휘도를 갖도록 하기 위해서는 우물층(131)의 하표면과 접한 장벽층(132)이 2개의 영역을 가지도록 할 수 있다. 즉, 우물층(131)의 하표면에 인접한 영역을 불순물 미도핑 영역(132b)으로서 형성하고，우물층(131)의 하표면으로부터 떨어져 위치하는 영역을 n형 불순물 도핑 영역(132a)으로서 형성할 수 있다. 우물층(131)의 상표면과 접한 장벽층(132)은 2개의 영역을 포함한다. 다시 말하면, 우물층(131)의 상표면에 인접한 영역은 n형 불순물 도핑 영역(132a)이고，우물층(131)의 상표면으로부터 떨어져 위치하는 영역은 불순물 미도핑 영역(132b)이다.
상기 기판(10)은 사파이어 기판이며，상기 n형 반도체층(12) 재료의 조성은 AlgInhGa(1-g-h)N (0≤g≤1, 0≤h≤1, 0≤g+h≤1)이고，상기 불순물 미도핑 영역(132b) 재료의 조성은 AlcIndGa(1-c-d)N (0≤c≤1, 0≤d≤1, 0≤c+d≤1)이며，그 불순물 농도는 1×1017 ㎝-3 이하이다. 각 층의 불순물 미도핑 영역(132b) 재료의 조성은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 n형 불순물 도핑 영역(132a) 재료의 조성은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)이고，상기 n형 불순물은 Si, Ge, Sn, Te, O, S, 및 C로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료를 포함한다. 상기 n형 불 순물의 농도는 1×1017 ㎝-3∼1×1020 ㎝-3이고, 바람직하게는 5×1017 ㎝-3∼5×1019 ㎝-3이다. 상기 각 층의 불순물 도핑 영역(132a) 재료의 조성은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 우물층(131) 재료의 조성은 AlaInbGa(1-a-b)N (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)이고，각 층의 우물층(131) 재료의 조성은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 p형 반도체층(14) 재료의 조성은 AleInfGa(1-e-f)N (0≤e≤1, 0≤f≤1, 0≤e+f≤1)이다. 발광 소자의 휘도는, 장벽층(132)의 총 두께(B)에 대한 상기 n형 불순물 도핑 영역(132a)의 두께(B1)의 비 값, 및 상기 총 두께(B)에 대한 상기 불순물 미도핑 영역(132b)의 두께(B2)의 비 값의 영향을 받는다. 상기 B에 대한 B1의 비 값(B1/B)이 0 내지 1 사이의 값(0＜B1/B＜1)이고，상기 B에 대한 B2의 비 값(B2/B)이 0 내지 1 사이의 값(0＜B2/B＜1)인 경우에는 발광 소자의 휘도가 향상된다. 본 실시예에서, B1/B 값은 3/4 이하이고，B2/B 값은 1/4보다 크며，상기 발광 소자의 휘도는 현저하게 증가된다. 각각의 장벽층에서, 상기 장벽층(132)의 두께에 대한 상기 불순물 도핑 영역(132a)의 두께의 비 값은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 p형 반도체층(14)과 제1 전극(16) 사이에는 제1 투명 도전층을 형성하고，상기 n형 반도체층(12)의 제2 표면과 제2 전극(17) 사이에는 제2 투명 도전층을 형성할 수 있다. 상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층의 재료를 예시하면, 금속, 산화인듐주석, 산화카드뮴주석, 산화안티몬주석, 산화인듐아연, 산 화아연알루미늄, 및 산화아연주석을 들 수 있다. 상기 도전층의 재료로서 산화인듐주석을 이용하는 경우, 예컨대, 상기 도전층의 두께는 50 ㎚ 내지 1 ㎛이고, 300∼700 ㎚의 파장에 대해 50% 이상의 투과율을 가진다. 이러한 투명 도전층은 전자빔 증착법(E-beam evaporation), 이온 스퍼터링법(Ion-sputtering), 또는 열 증착법(Thermal evaporation)에 의해, 또는 이들 중 두 가지 이상의 방법을 조합하여 제조할 수 있다.
상기 기판(10)은 ZnO, MgO, 및 유리로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 더 포함할 수 있다. 또한, 기판(10)으로서 도전 기판을 이용할 수도 있으며, 이러한 도전 기판을 이용하는 경우, 상기 제2 전극은 상기 도전 기판의 하표면에 형성되어, 에칭 공정의 수행을 생략할 수 있다. 상기 도전 기판은 SiC, GaN, AlN, 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함할 수 있다.
상기 n형 반도체층(12)은 AlGaAs, AlGaInP, AlInP, 및 InGaP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함할 수 있으며, 상기 장벽층(132)은 AlGaAs, AlInGaP, InGaP, 및 AlInP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함할 수 있다. 상기 우물층(131)은 AlGaAs, AlInGaP, InGaP, 및 AlInP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함할 수 있으며，상기 p형 반도체층(14)은 AlGaAs, AlGaInP, AlInP, 및 InGaP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함할 수 있다. 상기 도전 기판은 GaAs 및 GaP로 이루어진 군 에서 선택되는 1종 이상의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함한다.
이상, 실시예를 들어 본 발명에 대해 설명하였으나, 본 발명은 전술한 실시예로 한정되지 않는다. 본 발명에 대한 각종 변경 및 수정은 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않는다.
본 발명에 따른 반도체 발광 소자는 발광 휘도가 높고, 나아가 작동 전압이 낮으므로, 종래의 발광 소자가 갖는 전기적 특성을 개선할 수 있다.

Claims (30)

  1. 기판, 및 상기 기판 상에 형성된 활성층을 포함하며,
    상기 활성층은，불순물이 도핑되지 않은 우물층, 제1 장벽층, 및 제2 장벽층을 포함하고,
    상기 우물층은 상기 제1 장벽층과 상기 제2 장벽층 사이에 형성되어 있고,
    상기 제1 장벽층은 상기 우물층에 인접한 n형 불순물 도핑 영역，및 상기 우물층으로부터 떨어져 위치하는 불순물 미도핑 영역을 가지며,
    상기 제2 장벽층은 상기 우물층에 인접한 불순물 미도핑 영역을 가지는 것을 특징으로 하는
    반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 장벽층은, 상기 우물층으로부터 떨어져 위치하는 n형 불순물 도핑 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 우물층의 일측에 상기 제1 장벽층과 함께 형성되며, 상기 제1 장벽층에 비해 상기 우물층으로부터 더 멀리 떨어져 위치하는 제3 장벽층을 포함하고,
    상기 제3 장벽층은 상기 제1 장벽층에 인접한 n형 불순물 도핑 영역, 및 상 기 제1 장벽층으로부터 떨어져 위치하는 불순물 미도핑 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 우물층의 일측에 상기 제2 장벽층과 함께 형성되며, 상기 제2 장벽층에 비해 상기 우물층으로부터 더 멀리 떨어져 위치하는 제4 장벽층을 포함하고,
    상기 제4 장벽층은 상기 제2 장벽층에 인접한 불순물 미도핑 영역, 및 상기 제2 장벽층으로부터 떨어져 위치하는 n형 불순물 도핑 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 활성층 사이에 형성되며, 제1 표면 및 제2 표면을 가지는 n형 반도체층,
    상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층,
    상기 p형 반도체층 상에 형성되는 제1 전극, 및
    상기 n형 반도체층 상에 형성되는 제2 전극
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판과 상기 n형 반도체층 사이에 형성된 완충층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 p형 반도체층과 상기 제1 전극 사이에 형성된 제1 투명 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 n형 반도체층과 상기 제2 전극 사이에 형성된 제2 투명 도전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 장벽층의 두께(B)에 대한 상기 제1 장벽층의 n형 불순물 도핑 영역의 두께(B1)의 비 값(B1/B)이 3/4 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 장벽층의 두께(B)에 대한 상기 제2 장벽층의 불순물 미도핑 영역의 두께(B2)의 비 값(B2/B)이 1/4보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제2 장벽층의 두께(B)에 대한 상기 제2 장벽층의 n형 불순물 도핑 영역 의 두께(B1)의 비 값(B1/B)이 3/4 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기판이 SiC, GaAs, GaN, AlN, GaP, Si, ZnO, MgO, 및 유리로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 우물층이, AlaInbGa(1-a-b)N (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1), AlGaAs, AlInGaP, InGaP, 및 AlInP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  14. 제1항에 있어서
    상기 제1 장벽층이, AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), AlGaAs, AlInGaP, InGaP, 및 AlInP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제2 장벽층이, AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), AlGaAs, AlInGaP, InGaP, 및 AlInP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  16. 제5항에 있어서,
    상기 n형 반도체층이, AlcIndGa(1-c-d)N (0≤c≤1, 0≤d≤1, 0≤c+d≤1), AlGaAs, AlGaInP, AlInP, 및 InGaP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  17. 제5항에 있어서,
    상기 p형 반도체층이, AleInfGa(1-e-f)N (0≤e≤1, 0≤f≤1, 0≤e+f≤1), AlGaAs, AlGaInP, AlInP, 및 InGaP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 n형 불순물은 Si, Ge, Sn, Te, O, S, 및 C로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 n형 불순물의 도핑 농도가 1×1017 ㎝-3∼1×1020 ㎝-3인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  20. 제7항에 있어서,
    상기 제1 투명 도전층이 금속, 산화인듐주석, 산화카드뮴주석, 산화안티몬주석, 산화인듐아연, 산화아연알루미늄, 및 산화아연주석으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  21. 제8항에 있어서,
    상기 제2 투명 도전층이 금속, 산화인듐주석, 산화카드뮴주석, 산화안티몬주석, 산화인듐아연, 산화아연알루미늄 및 산화아연주석으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  22. 제2항에 있어서,
    상기 n형 불순물이 Si, Ge, Sn, Te, O, S, 및 C로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  23. 제2항에 있어서,
    상기 제3 장벽층이 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1), AlGaAs, AlInGaP, InGaP, 및 AlInP로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료, 또는 상기 재료의 대체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 n형 불순물이 Si, Ge, Sn, Te, O, S, 및 C로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  25. 서로 대응되는 양측에 제1 표면 및 제2 표면을 가지며, 불순물이 도핑되지 않은 우물층을 형성하는 단계;
    상기 제1 표면에 인접한 위치에 제1의 n형 불순물 도핑 영역을 형성한 다음, 상기 제1 표면으로부터 떨어진 위치에 불순물 미도핑 영역을 형성함으로써, 제1 장벽층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 표면에 인접한 위치에 불순물 미도핑 영역을 형성함으로써, 제2 장벽층을 형성하는 단계
    를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제2 표면으로부터 떨어져 위치하는 n형 불순물 도핑 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  27. 제25항에 있어서,
    금속 유기화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  28. 제25항에 있어서,
    분자 빔 에피택시(molecular beam epitaxy, MBE)를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  29. 반도체 다중 양자 우물(MQW: multiple quantum well) 구조를 가지는 활성층을 포함하는 반도체 발광 소자로서,
    불순물이 도핑되지 않은 우물층, 제1 장벽층, 및 제2 장벽층을 포함하며,
    상기 우물층은 상기 제1 장벽층과 상기 제2 장벽층 사이에 형성되어 있고,
    상기 제1 장벽층은 상기 우물층에 인접한 n형 불순물 도핑 영역, 및 상기 우물층으로부터 떨어져 위치하는 불순물 미도핑 영역을 가지는 것
    을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제2 장벽층이, 상기 우물층에 인접한 불순물 미도핑 영역을 가지는 것 을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
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