CN1497349A - 辐射源、光刻装置和器件的制造方法 - Google Patents

辐射源、光刻装置和器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1497349A
CN1497349A CNA031648363A CN03164836A CN1497349A CN 1497349 A CN1497349 A CN 1497349A CN A031648363 A CNA031648363 A CN A031648363A CN 03164836 A CN03164836 A CN 03164836A CN 1497349 A CN1497349 A CN 1497349A
Authority
CN
China
Prior art keywords
radiation source
discharge
radiation
anode
negative electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA031648363A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100594428C (zh
Inventor
K・N・科塞勒夫
K·N·科塞勒夫
班宁
V·Y·班宁
伊范诺夫
V·V·伊范诺夫
基夫特
E·R·基夫特
鲁普斯特拉
E·R·鲁普斯特拉
J・斯特文斯
L·H·J·斯特文斯
斯德科夫
Y·V·斯德科夫
科洛奇尼科夫
V·G·科洛奇尼科夫
克里特森
V·M·克里特森
加亚佐夫
R·R·加亚佐夫
V・弗里恩斯
O·W·V·弗里恩斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN1497349A publication Critical patent/CN1497349A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100594428C publication Critical patent/CN100594428C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28D—HEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D15/0266—Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with separate evaporating and condensing chambers connected by at least one conduit; Loop-type heat pipes; with multiple or common evaporating or condensing chambers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70166—Capillary or channel elements, e.g. nested extreme ultraviolet [EUV] mirrors or shells, optical fibers or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component

Abstract

一种包括阳极和阴极的辐射源，所述阳极和阴极被构造和排列成可以在阳极和阴极之间的空间中的气体或蒸汽中产生放电，进而形成等离子体收缩来产生电磁辐射。所述气体或蒸汽包括氙气、铟，锂和/或锡。为提高热耗散，辐射源包括多个放电元件，每个放电元件只使用短的时间间隔，之后就选择其他的放电元件。为改善收缩形成和由之产生的的EUV辐射脉冲的精确同步，辐射源包括一个触发器件。为提高转换效率，辐射源设置为具有低感应系数，并运行在自触发的状态。

Description

辐射源、光刻装置和器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种包含阳极和阴极的辐射源，所述阳极和阴极被构造和排列成在所述阳极和阴极之间的空间内的物质中产生放电，并形成等离子体从而产生电磁辐射。而且，本发明还涉及具有上述辐射源的光刻投射装置，包括：
一个辐射系统，用来提供辐射投射束；
一个支持结构，用来支撑构图部件，所述构图部件根据需要的图案对所述投射束构图；
一个基底台，用来支持基底；和
一个投射系统，用来将图案化的射束投射到基底的靶部。
背景技术
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也可使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件内的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括：
掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型和衰减的相移掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射辐射束中的理想位置处，并且如果需要该台能相对光束移动。
可编程反射镜阵列。这种器件的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非可寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，可从反射的光束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。采用适当的电子装置就可实现所需的矩阵寻址。关于反射镜阵列的更多的信息例如可以从美国专利US5296891和US5523193中得到，它们在这里一并引为参考。在使用可编程反射镜阵列的情况下，所述支撑结构可以实现为框架或工作台，例如，可以是固定的或根据需要为可移动的；和
可编程LCD阵列，该结构的例子可以从美国专利US5229872中得到，该专利在这里一并引为参考。如上所述，在这种情况下，支撑结构可以实现为框架或工作台，例如，可以是固定的或根据需要为可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在很多地方主要针对掩模和掩模台的例子；但是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投射装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC单个层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(光致抗蚀剂)层的基底(晶片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般的，单一的晶片包含相邻靶部的整个网络，该相邻靶部由投射系统逐个相继辐射。在目前的装置中，采用掩模台上的掩模进行构图，可以区别两种不同类型的机器。在一种一类光刻装置中，通过一次曝光靶部上的全部掩模图案而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器(stepper)。在一种装置(通常称作分步扫描装置)中，通过在投射光束沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投射系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于这里描述的光刻器件的更多信息例如可以从美国专利US6046792中得到，该专利在这里一并引为参考。
在用光刻投射装置的制造过程中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分覆盖有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底进行各种处理，如涂底漆、涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行各种处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等，来完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的技术将这些器件彼此分开，由此单个器件可以安装在载体上，与管脚连接等。更多的涉及这样步骤的信息可以从例如“Microchip fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Processing”(第三版，Peter van Zant，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)的书中得到，在这里一并引参考。
为了简单起见，投射系统在下文称为“镜头”；但该术语应广义地解释为包含各种类型的投射系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于定向、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多台式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。双级光刻设备在例如专利US5969441和WO98/40791中都有描述，在这里一并作为参考。
在光刻装置中，能被成像在基底上的这些特征的尺寸受限于投射辐射的波长。为了制造出具有较高器件密度并从而具有较高工作速度的集成电路，就希望能够对较小的特征成像。尽管多数现有的光刻投射装置都使用由汞灯或准分子激光器产生的紫外光，但已经提出使用约13nm的更短波长辐射。这类辐射被称作远紫外线，表示为XUV或EUV辐射。简写“XUV”总的来说指的是波长范围从几十分之一纳米到几十纳米，结合有软x射线和真空UV范围，而术语“EUV”通常与光刻(EUVL)联合使用，指辐射波段从大约5到20纳米，即XUV范围的一部分。
进行XUV辐射的辐射源可以是等离子体放电辐射源，其中在阳极和阴极之间的物质中例如，气体或蒸汽，通过放电产生等离子体，且其中高温放电等离子体可通过等离子体的(脉冲的)电流欧姆加热产生。进一步，由通过等离子体的电流产生的磁场所引起的等离子体压缩可用于在放电轴上产生高温，高密度的等离子体(收缩效应)。存储的电能直接转化成等离子温度，并从而产生短波辐射。可以对具有相当高的温度和在放电轴上的密度的等离子体进行收缩，以提供由存储的电能量转变为热等离子体能量，从而转变为XUV辐射的极大的转变效率。器件的几何尺寸，如等离子焦点，Z-收缩，中空阴极和毛细放电源都可以是不同的，但在每个类型中，由放电电流产生的磁场驱动压缩。
附图5A到5E给出了这样的等离子放电辐射源的结构和操作的背景信息。附图5A到5E示意性的示出了根据已有技术的等离子放电辐射源，包括单独的Z-收缩中空一阴极类型的单个放电元件540。所述放电元件540具有圆柱对称并包括一个由电绝缘的圆柱型壁525连接的阳极520和阴极510。孔530沿中心轴B设置在阳极520中，用来通过由放电元件540产生的电磁辐射。中空的阴极510具有围绕中心轴B的环形孔511，此外在孔511的后面设置有一个大的空腔512。空腔512同样具有围绕中心轴B的环形结构，所述空腔的壁为阴极510的一部分。放电电源(未示出)连接在阳极520和阴极510上用来在放电元件540内部的阳极—阴极间隙之间提供脉冲电压V。而且，适合的气体或蒸汽由放电材料源(未示出)以一定的压力p提供在阳极和阴极之间。合适的物质的例子如氙气、锂、锡和铟。
放电将在低初始压力(p＜0.5Torr)和高电压(V＜10kV)的条件下发生，为此，电子平均自由路径比阳极—阴极间隙的尺寸要大，使得汤森电离效率低。这样的条件的特征是大的气体或蒸汽密度率与电场强度的比率，E/N。这一阶段显示为相当等距离的电位线EP，所述电位线具有固定电势差，如附图5A所示。
电离度的增长最初由工作在相当低的E/N的中空阴极510决定，结果为电子具有较小的平均自由路径。从中空阴极510放出的电子，由空腔512内的气体和蒸汽产生，被注入到阳极—阴极间隙，随着电离的进行，虚拟阳极产生了，所述虚拟阳极由阳极520向中空阴极510传播，将阳极的全部电势带向接近阴极，如附图5B不均衡分布的电位线EP所示。阴极510的中空腔体512的电场此时被显著的增强。
在下面的阶段，电离继续进行，导致了在中空阴极510中紧接着阴极开孔511之后，高浓度等离子区域迅速发展。最后，强烈的电子束e从该区域注入到阳极—阴极间隙，同样如附图5B所示，形成了最终的击穿沟道。这样的结构在放电量中提供了统一的预电离和击穿。
附图5C示出了放电开始和低温度的气体或蒸汽等离子体535在阳极—阴极间隙中产生。电流将经过等离子体从阴极510流向阳极520，该电流在放电元件540中会导致水平(azimuthal)的具有磁场强度为H的磁场。所述水平磁场将等离子体535从圆柱壁525分开并且压缩，如附图5C示意。
进一步如附图5D所示，由于水平磁场的压力远远大于热等离子体的压力：H2/8π＞＞nkT，等离子体的动态压缩发生了，其中n代表等离子体粒子密度，k为玻尔兹曼常数，T为等离子体的绝对温度。在等离子体压缩的整个期间，存储在与阳极520和阴极510相连接的电容器中的电能(放电电源的一部分，未示出)被最有效率地转换为动力内爆的能量。这样就产生了具有高度空间稳定性的，均匀分布的收缩(等离子收缩)550。
在等离子体压缩的最后阶段，即等离子体在中心或放电轴B处停滞，，等离子体的动能被完全转换为热能并最终转换为在XUV和EUV范围内非常大的分布的电磁辐射560(如附图5E所示)。
众所周知，在由气体等离子放电产生的EUV被认为适合(值得生产)器件的大规模生产之前，需要很多的改进，例如集成电路。这些包括：
更高的转换效率。现有的源典型的转换效率(在需要的波长下的能量输出与能量输入之比)大约为0.5％，结果是大部分的输入能量被转换为热量；
有效的热去除(冷却)。有两部分是突出的—在放电过程中等离子体喷射的最大热加载(peak het load)和由于重复放电的平均热加载。热量能得以传播的面积通常是有限的，所以随着能级和重复率的提升来获得适合生产的辐射源，热去除变得关键。如果电极的尺寸变化(变形)，一个或多个电极表面的过热就可能发生，从而影响收缩尺寸和位置；和
稳定的脉冲定时和能量。由于使用投射光刻器件，在投射时，辐射源应该产生稳定的输出。这可能有的负面影响有，例如EUV脉冲同步的变化(抖动)，收缩位置和尺寸的变化和EUV脉冲能量的变化。
发明内容
本发明的一个目的是提供辐射源，该辐射源产生值得生产的能级和重复率而没有过热的危险。
本发明的另一个目的是提供一种辐射源，该辐射源产生的XUV辐射脉冲具有明确的定时和明确的能量。
本发明的又一个目的是提供改进的辐射源，该辐射源提高电能到辐射的转换效率。
一方面提供一个辐射源，包括阳极和阴极，所述阳极和阴极被构造和安排为在其间的空间的物质中，在放电元件内产生放电，以形成等离子体来产生电磁辐射，其中所述辐射源包括多个放电元件。所述物质，例如可以是气体或蒸汽，可以包括氙气、锂、锡或任何其他合适的材料。为了改进热逸散，每个放电元件可以仅仅使用短暂的时间段，其后选择一个其它放电元件。
另一方面，提供了包括阳极和阴极的辐射源，所述阳极和阴极被构造和安排为在其间的放电空间的物质中产生放电，以形成等离子体来产生电磁辐射，其中所述辐射源包括触发器件，用于通过能量束辐照靠近所述放电空间的表面来开始所述放电。通过一个或更多合适的机构，如干扰腔体内的电场，改变电极之间材料的导电性，通过烧蚀提供材料和/或产生光致电离，来形成突然的等离子体收缩。辐照例如在阴极上的表面，可以改善等离子体收缩结构的同步和XUV脉冲的同步。
在另一方面，提供了一种辐射源，该辐射源具有低的感应系数，包括阳极和阴极，所述阳极和阴极被构造和安排为在其间的放电空间的物质中产生放电，以形成等离子体，从而产生电磁辐射，其中所述方法一般地包括一个最初的放电，紧接着操作所述辐射源，以允许随后由于在所述放电源中基本上自调节的振荡从而实现连续放电。小的尺寸和在持久的放电上多个等离子体收缩的迭加使得感应的能量分配在多个的等离子体收缩中，提高了转换效率。
根据又一方面，提供的光刻投射装置包括：
一个用来提供辐射投射束的辐射系统；
一个支撑结构，用来支撑构图部件，所述构图部件根据所需的图案为投射束提供图案。
一个用来支撑基底的基底台；和
一个投射系统，用来将经过构图的辐射束投射到基底的靶部，其中所述辐射系统包括如上所述的辐射源。
根据本发明又一方面，提供一种器件制造方法，包括如下步骤：
提供至少部分涂覆辐射敏感材料层的基底；
提供应用上述辐射系统的辐射的投射束；
应用构图部件为投射束赋予图案化的截面；
将已经构图的辐射束投射到辐射敏感材料层的靶部。
虽然本文中制作IC的过程中可以具体引用根据本发明的装置，但可以很清楚的理解，这样的装置可以具有很多其他的应用。例如，可以用来制造集成光学系统，用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途环境下，在说明书中任何术语“划线板”，“晶片”或者“电路小片(die)”的使用应被认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“靶部”代替。
在本文本中，术语“辐射“和“束”用来包括了所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(如波长365，248，193，157或126nm)和远紫外(EUV)辐射(如具有5-20nm的波长范围)。
附图说明
通过实施例和示意性的附图，本发明的实施方式将在下文描述，其中相同的参考标记表示等同或类似的部件，其中：
图1示出了包括根据本发明的辐射源的光刻投射装置；
图2A到2C示出了包括根据本发明的多个放电元件的辐射源；
图3示出了根据本发明的另一个辐射源的实施方式；
图4A到43示出了包括根据本发明的激光触发单元的辐射源；
图5A到5E示出了中空阴极类型在不同放电阶段的放电；
图6A到6E示出了根据本发明另一个类型的放电元件在不同放电阶段的放电；
图7示出了应用了根据本发明的自动触发的放电元件的测量特性；
图8A到8D示出了根据本发明的又一个放电元件在不同放电阶段的放电；
图9A到9E示出了用于根据本发明的放电触发的不同类型
图10示出了根据本发明的包括捻芯结构的用来做放电触发的靶结构；
图11A到11C示出了根据本发明的可能的通过捻芯结构的横截面；
图12A到12C示出了根据本发明的在放电触发的不同阶段通过捻芯结构的横截面；
图13示出了根据本发明包括捻芯结构的放电触发的靶结构；
图14示出了根据本发明的的捻芯结构的可能的横截面；
图15示出了包括根据本发明的捻芯结构的放电触发靶结构；
图16示出了包括通过根据本发明的一种液体的多个放电元件的辐射源；
图17A到17E示出了根据本发明不同方式的放电触发。
本领域的技术人员可以明了附图中示出的的元件仅为了简明和清楚而没有成比例绘制。例如，相对于其他元件放大图中一些元件的尺寸来帮助理解本发明的具体
实施方式。
具体实施方式
图1示意性的示出了根据本发明的特定实施例的光刻投射装置，该装置包括：
一种辐射系统LA，IL，用来提供辐射投射束PB，例如，具有波长范围5-20nm的EUV。在这个特定的例子中，辐射系统还包括辐射源LA；
第一目标台(掩膜台)MT，具有用于支撑掩膜MA(如一个分划板)的掩膜支撑台，并且连接用来根据PL项精确定位掩膜的第一定位部件PM；
第二目标台(基底台)WT，具有用于支撑基底W(如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底支撑台，并且连接用来根据PL项精确定位基底的第二定位部件PW；
一个投射系统(“透镜”)PL，用来将辐照的掩膜MA的部分成像到基底W的靶部C(如包括一个或多个电路小片)。
如所示的那样，所述装置为反射型的(即，具有反射掩膜)。然而，总的说来，它也可以是透射型的，例如具有透射掩膜。另外，该装置可以应用其它类型的构图部件，如上文提及的类型的可编程反射镜阵列。
参考图1，激光产生的或等离子的放电辐射源LA典型地产生如与光刻投射装置运行同步的一列脉冲的辐射束。该辐射束直接或经过例如是滤光器的调节部件后提供到照明系统(照明器)IL。所述照明器IL可以包括调节部件用于设定辐射束强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别表示为σ-外部和σ-内部)。而且，其通常包括不同的其他组件，如积分仪和聚光镜。通过这样的方法，入射到掩膜MA上的所述射束PB在其截面上具有需要的均匀性和强度分布。
需要指出的是，根据图1的辐射源LA可以在光刻投射装置中安置，但其也可以远离所述光刻投射装置，光刻投射装置产生的辐射束可以利用例如导向镜的合适的光学元件导向光刻投射装置。本发明和权利要求包含了这两种情况。
所述射束PB随后与支撑在掩膜台MT上的掩膜MA相交。被掩膜MA选择性的反射后，该射束PB通过透镜PL，该透镜将射束PB聚焦到基底W的靶部C。借助第二定位部件PW(和干涉测量部件IF)，基底台WT可以被精确地移动，举例说来，可以将不同的靶部C定位在射束PB路径中。相似的，第一定位部件PM可以根据射束PB的路径精确定位掩膜MA，如在将掩膜MA从掩膜库中取回之后，或在扫描中。总体上说，目标台MT、WT的移动将通过长程模块(粗定位)和短程模块(精确定位)实现，这没有在图1中明确示出。然而，在使用晶片分档器(相对于步进一扫描装置)的情况下，掩膜台MT可以只连接到短程调节器，或可以被固定。
所述的装置可以在以下两种不同的模式下使用：
1、在步进模式中，掩模台MT保持基本不动，整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由光束PB照射。
2、在扫描模式，基本为相同的情况，但是所给的靶部C不是在单“闪”中曝光。取而代之的是，掩模台MT可沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩模图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(例如M＝1/4或1/5)。以这种方式，可以曝光相对大的靶部C，而不必牺牲分辨率。
图2A示出了根据本发明的辐射源LA。所述辐射源LA包括多个等离子放电元件240，一个阳极板220，和一个阴极板210。所述阳极板220和阴极板210是彼此电隔离的。放电元件240基本对称于旋转轴A，在阳极板220和阴极板210之间设置，使得每一个放电元件240的阴极电连接到阴极板210，每一个放电元件240的阳极电连接到阳极板220。所述辐射源LA被安装到合适的支撑框架上(未示出)使其可以以预定的方向围绕轴A旋转。当一个放电元件240在预定的发射位置255时，辐射60通过在阳极板220的相应的出射孔230沿轴B出射。或者，辐射源LA可以如此构造使得辐射从在阴极板210上的出射孔出射。每个放电元件240都可以旋转到发射位置255—所述发射位置255基本上相对于光刻投射装置固定。一个放电电源(未示出)连接到阳极板220和阴极板210上来提供每个放电元件240中的阳极—阴极间隙上的脉冲电压V。而且合适的物质以气体或蒸汽的形式由放电物质源(未示出)以一定浓度提供到阳极和阴极之间。合适物质的例子可以是氙气、锂、锡和铟。
图2B示出了阳极板220在光刻投射装置中看上去的平面图。虽然示出了环形出射孔230，其实任何几何形状都可以使用，如多边形。相似地，虽然示出的阳极板220和阴极板210为一致的圆盘形，其实任何形状或结构都可以应用来允许放电元件240重复的置于发射位置255。例如，该形状可以修改以改善冷却，减轻质量，和/或提高结构的灵巧性。另外，如果材料对于发射辐射60是透明的，就可以使用没有发射孔230的材料。
辐射源LA的操作类似于格林式机枪的操作。所述放电元件240在发射位置255被操作产生等离子体收缩，该等离子体收缩又产生辐射脉冲60。在放出辐射脉冲之后，旋转辐射源LA使得不同的放电元件240定位在发射位置255。操作在发射位置255的放电元件240，重复该循环。每个放电元件在每次循环中只能使用一次，然后给其时间以恢复。典型的，恢复包括冷却和重建放电条件。
可选地，每个放电元件240可以在旋转之前，在发射位置255运行多次等离子体收缩。所述等离子体收缩的次数与包括热加载，和在放电元件240中重建放电条件所需要的时间等因素有关。
而且，不按顺续操作放电元件240使得每个放电元件240不在每次旋转到发射位置255时运行是有利的。换句话说，放电元件240可以被跳过—如当奇数的放电元件被使用，在放电操作之间，辐射源旋转两节，每个放电元件仅会在每两次旋转中被操作一次。
尽管示出的辐射源LA带有八个放电元件240，本领域普通技术人员都可以明了可以使用任何数目的放电元件240。例如，如果需要每个放电元件240启动一次并且要求脉冲频率为5kHz，就可以使用大约一千个放电元件以大约每秒5圈的速度旋转。
另外，为控制和/或诊断的目的识别当前在发射位置255的放电元件240会是有利的。测量器件的增加可以使得放电元件240以任何顺序旋转到发射位置，和/或避免可能不充分地执行的一个或多个放电元件240。
辐射源LA的结构可以简单地如图2C示出。这里放电元件240不是分离地可辨认的结构，而是在以合适的结构形成的阳极板220和阴极板210中相对应的位置。在发射位置255的放电元件240就是阳极板220位置和阴极板210位置的固定组合。在发射位置的放电可以由任何方便的部件进行触发，如在本发明的另一个实施例中描述的激光触发。很明显本领域技术人员可以进一步将辐射源LA修改成只有部分辐射源旋转，或不同部分以不同速度旋转。例如当阳极是过热的部件时，就仅仅旋转阳极板220或旋转阳极板220比阴极板210快是有利的。在这种情况下，在发射位置255的放电元件240是阳极板220位置和阴极板210位置的具体组合。
上述的实施方式在垂直于发射轴B的平面内旋转。可选地，如图3所示，辐射源LA的结构可以修改为使得放电元件240在大致与轴B同一个平面内沿轴A旋转。放电元件240以基本对称的排列设置在改型的阳极板320和阴极板310之间，使得每个放电元件240的阴极电连接改型的阴极板310，每个放电元件240的阳极电连接改型的阳极板320。
示出的实施方式描述了固定位置的放电元件240的使用，并且在其使用寿命中，在发射位置255使用多次。修改辐射源LA使其连续的提供和去除单次使用的放电元件240会是有利的，其中每个放电元件240在被替换之前，在发射位置255使用一次或多次。
在另一种替换方案中，实质上不相同的放电元件240可以被使用在一个辐射源LA中，每个放电元件240提供在例如波长，截面形状，固定发射角，尺寸和/或强度等方面不同的辐射束60。在辐射源提供这些类型的变化可以减少在光刻投射装置中照明器和投射透镜的复杂性，尤其当处理反射光学系统时。
此外，可以应用两种替换方案减少恢复时间：
放电元件240的附加冷却，例如，通过将预定温度的空气强加到表面上，和/或携载合适液体的冷却通道构造辐射源LA，所述合适液体例如是液体金属或水；和
通过将放电元件240分为多个组，增加放电材料的电流和/或供给率，每组放一个或多个电元件240具有自己的放电电源和/或分离的放电材料供给。
辐射源LA的实施例可以改为应用各种适合的类型的放电元件240，如Z-收缩，毛细放电，等离子聚焦，中空—阴极或激光产生等离子体器件。尤其有好处的是，使用具有在欧洲专利申请No.02256907.3中描述的一个或多个特征的放电元件240，该申请在这里一并作为参考。这些方面已经提供了提高的脉冲定时稳定性，减少的电极腐蚀和提高的转换效率。
此外，一些如欧洲专利申请No.02256907.3描述的放电元件，传送如氙、锂、锡和铟的液体到靠近放电空间的区域，用于为放电加料和/或在放电过程中保护电极。通过完善现有的液体传输机械或甚至将其替换，如图16的排列可以用来缩短应用多个放电元件240的辐射源LA的恢复时间。所述旋转的辐射源LA设置成至少一个不在发射位置255放电元件240浸没在盛放液体82的容器80中，其中液体将被传输到靠近所述放电元件的放电空间的区域。如果需要，容器80还可以包括加热元件84(或冷却元件)来将液体保持在恰当的温度。当辐射源LA旋转时，每个放电元件240将在发射位置255运行零，一或多个脉冲，接着部分或全部浸没在接近放电位置的容器80的液体82中足够长时间进行恢复。
辐射源LA的另一方面如图4A所示，设置激光触发单元15使其可以发射激光束380到预定的辐射源LA的靶部，而不会阻挡辐射60沿轴B出射到光刻投影装置的路径。如图4B所示，将激光束380沿不同于辐射60的出射路径的路径导向辐射源是有利的。该单元可以结合例如图2C所示的辐射源LA。
图6A到6E用来解释使用激光束380的收缩触发的基本原理。这些图示出了放电元件240的截面，包括电隔离的阳极20和阴极10。它们的装配是基本密封的，并被提供低压的气体或蒸汽，例如从放电材料供给源(未示出)提供的氙气、锂。所述阳极20和阴极10连接到放电电源(未示出)。同时示出了放电场线45。收缩形成使用合适的激光束380进行触发，例如光束的波长可以为254-1060nm，功率：在1-20ns中为10-100mJ，直径：0.3-1mm。
如图6A所示，利用放电电源(未示出)和放电材料源(未示出)，将放电元件240带入一种状态，在该状态将要形成收缩。例如，阳极20接地，阴极10接100Hz，11kV的交流电压，并且以4sccm(每分钟标准立方厘米)的速率提供氙气。在放电电源(未示出)循环的预定时刻，激光束380射在阳极表面的预定的点上(参见图6B)。激光束380导致区域337被加热，一些材料35将从表面被蒸发(消融)，如图6C所示。射出的材料35进入放电区域，触发了收缩效应(参见图6D)，导致一个包含热等离子体的紧缩(收缩)50(参见图6E)。由于截面很小，所述等离子体具有很高的阻抗，放电的电能有效地转变为等离子体的热能，最终转换成沿轴B放出的辐射60。收缩之后，所述器件回到扩散放电的状态(参见图6A)。
通过这种方法的触发可以消除由例如电极腐蚀，电极变形，辐射材料提供率的变化和/或电源的变化引起的定时和放电空间位置的不确定性。
图9A示出了另一个实施例的横截面图，放电元件240是中空阴极类型，包括电隔离的阳极20和中空阴极10。在阴极10上有孔911，在阳极20上有出射孔230。阳极可以由任何合适的材料，如钨，组成。该装置基本密封，内充有低压气体或蒸汽，例如可以是由材料供给装置提供的氙气、锂(未示出)。阳极20和阴极10连接到放电电源(未示出)。使用放电电源(未示出)和放电材料源(未示出)使放电元件240处于收缩将要形成的状态。在放电电源(未示出)的循环的预定时刻，激光束380射在靠近阳极20的发射孔230的区域。收缩成型和随后的辐射发射以如图6C到6E相似的方式发生。
预期的触发收缩方法如图9B到9E所示将激光束380射到阴极10上预定的靶位：
中空阴极10的后壁(参见图9B)；
阴极开孔911(参见图9C)；
在阳极20和阴极10之间在阴极10上靠近阴极开孔911的点(参见图9D)；和
一个凸起结构(触发针)355，在阴极10和阳极20之间的邻近放电区域的表面上(如图9E所示)。所述触发针355可以包含与阴极相同的金属，和/或用来产生等离子体的固体形态的气体和蒸汽，和/或根据蒸发特性选择的不同的材料，例如可以使用氙气、锡、锂、铟和铱。
然而，激光束380照射阳极20的部分的实施例(如图9A)提供了如下的优点：
收缩位置和发出的辐射相对中心轴B是稳定的，结果得到稳定的辐射脉冲能量和定时；和
收缩位置接近中心轴B，由电极腐蚀产生的碎屑比较少。
像图9E示出的应用凸出结构(触发针)355是有优点的，但是要在接近发射孔230的阳极20的表面上。进一步的选择方案是构造激光束380的位置和能量使得一些或全部放电材料可以由在辐射源LA的合适表面的消融的材料提供。同样具有优点的是，应用另一种辐射或粒子源取代激光束380，例如可以为电子束。
当使用激光碰撞第一电极来触发放电，所述第一电极例如是阴极，接近另一个(第二)电极，例如阳极的等离子体具有低浓度并且具有高度不规则的阻抗。实验示出大约来自放电电源的大约25％的放电能量在放电启动之前用来克服阻抗，这就减小了放电元件的效率。可能的解决方法是应用外部的开关来延迟从放电电源来的电流直到从第一电极消融的材料被允许在第二电极区域提高等离子体浓度。遗憾的是，使用外部开关提高了外部电路的感应系数，这通常降低了辐射源的效率。一个特别优越的替换方案如图17A所示。该图示出了放电元件240中心部分的横截面图，其中阴极10包括与阴极10电隔离的凸出触发针355。当激光束380撞击到触发针355时，材料被消融并向放电空间扩散。放电仅仅当材料既达到阳极又达到阴极时才开始，从而使产生的时间延迟可以通过改变触发针355的大小、触发针355和放电空间之间的距离、激光束380冲击的触发针355的表面和电极(阳极和阴极)之间的距离来影响。这意味着不影响辐射源的几何形状和感应系数就可以选择时间延迟。典型的辐射源阳极20和阴极10之间的间隙为3.5mm到6.5mm之间，触发针355和阴极20之间的间隙在0.3到0.6mm之间；触发针在阴极表面的凸出为0.5到1.5mm之间并且触发针的直径大约为1到4mm。
根据需要的延迟和阴极20和阳极10的构造，可以有多个不同变化的可能。这些变化包括凹进触发针355的表面，如图17B所示；沿不同于阳极20的孔的路径导引激光，如图17C所示；将触发针保持与阴极10的表面水平，如图17D所示和当使用如图17E示出的不对称阴极20/阳极10时，将触发针355设置在放电元件240的中间。
通过前述实施例的相似的方法，隔离的触发针355可以包括部分阳极而不是阴极，或者触发针355可以是在辐射源LA中的独立的结构，而不是电极的一部分。进一步对本领域技术人员明显的是，多个已知的和新的触发方法可以结合起来进一步提升辐射源LA的特性。
同样有好处的是，应用进一步包括合适的液体表面的触发器结构355。在放电源中，传输液体的方便的方法是使用如欧洲专利申请No.02256907.3描述的芯捻结构。图10示出了改进的芯捻结构70，该结构的第一端浸入容器80的液体82中，第二端设置得接近放电区域，该放电区域可以被辐射或粒子束380照射到。液体82可以是用于制作阴极或/和阳极的材料的液体形式，和/或形成等离子体的气体或蒸汽的液体形式，和/或根据蒸发属性选择的不同的液体。合适的物质的例子如氙气、锡、锂、铟和铱。在一些情况中，液体82可能需要使用加热元件84和184在容器和芯捻结构中加热以确保通过芯捻结构70的稳定流体。附图11A示出了图10中的芯捻结构70沿XI-XI线的截面图，该图基本上包括圆柱结构90，例如可以是彼此相互接触放置的线。在结构90之间的间隙95限定了基本规则的包含液体82的通道，使得间隙95的形状和大小根据结构90的大小和排列而改变。图12A为沿图11A的通过芯捻结构70第二端的XII-XII线的截面，示出了圆柱结构90和盛有液体82的间隙95。使用加热元件84和184，放电加热，或其组合，使液体82保持理想的温度。在毛细效应的影响下，液体82从容器80通过窄的通道95由芯捻结构70的第一端流向第二端。如图12A所示，由于圆柱结构90有规则的排列，液体82均匀地分布在芯捻结构70。而且，由于各通道95的容量和形状基本相同，所以在每个通道95中的液体流速都基本相同。如图12B和12C，光束380使得芯捻结构70的第二端的区域被加热。该区域包括多个通道95，其中的液体82将会被加热，在表面上形成蒸汽335。所述蒸汽335进入放电区域，并且触发了收缩效应。蒸发的液体335将通过毛细效应从容器80中得到补充。
由每个光束380脉冲产生的蒸汽335的量可以通过改变临界参数来改变，如使用的液体82，光束380的光斑大小，通道95的大小，通道95之间的距离和光束380的能量。通道95的大小可以通过，例如改变圆柱结构90的相对排列，如图11B所示；可以通过改变圆柱结构90的直径，例如如图11C所示的更小的截面；可以通过改变结构90的截面形状；或者通过在同一个芯捻结构70中结合不同直径的圆柱结构90来改变。相似的，光束380脉冲之间的定时和所述放电可以通过，例如，由每个光束380脉冲产生的蒸汽335的量，和芯捻结构70的第二端和放电区域之间的距离来改变。辐射源的恢复时间(在下次XUV辐射脉冲可以被触发之前的时间)可以通过改变影响流速的临界参数来被优化，如通道95的大小或圆柱结构90的粗糙度。
由于光束380辐射对圆柱结构90造成的损伤和因此在辐射源中的碎片显著地减少，这是因为总的来说，蒸发液体比蒸发固体需要少的多的能量。使用这样的芯捻结构使光束380的能量降低并随之提高辐射源的能量转换效率。
通过芯捻结构70的液体82的流动还可以通过在一定压力下连接芯捻结构70的第一端到容器280来进行控制，如图15所示。由此，通过通道95的液体82的流动可以通过改变在容器280的液体压力而变化，可以是基本恒定的，或是脉冲的。容器280中的压力可以通过如机械装置，液体注入，气体注入或它们的结合来提高。
对本领域技术人员来说很明显的是，可以使用其他的形状来产生规则的液体通道网络。芯捻结构170的另一种方案，其构造与图10所示结构70相似，如图13所示。这里，芯捻结构170包括紧密堆叠的基本相同的球体190，例如具有0.1mm的直径。这样的结构可以通过例如将这些球体在高温高压下挤压而形成。通过芯捻结构170的XIV-XIV线的截面在图14中示出。这些球体190形成了与海绵体在对称性和排列规则都相似的通道网络195。对该芯捻结构的操作与前述的方法相似，其中应用毛细效应将液体82从结构170的第一端传输到第二端。
放电元件240的另一实施例在图8A到8E示意性地示出了截面图。所述放电元件240包括电隔离的阳极20和阴极10。该装置基本上是密封的，并提供低压的气体或蒸汽，例如可以是由材料供给装置提供的氙气、锂(未示出)。阳极20和阴极10连接到放电电源(未示出)，例如可以是在100Hz下工作的交流电压源。同样示出了放电场线45。
放电元件构造为使其具有低的感应系数，例如低于大约20nH。这可以如下进行：
在阴极10和阳极20之间具有最小的间隙，例如可以是几毫米；
放电元件240具有最小的直径，例如阳极的直径可以小于大约10mm；
放电电源(未示出)和放电元件240之间为短连接；和
厚的电连接，例如使用金属盘来代替导线。
在放电电源循环的预定时刻，通过使放电电源发出的电流迅速增大(例如不超过100纳秒)而产生电触发，之后将电流保持预定的时间间隔例如10微秒。利用低感应系数的系统使得可以迅速增大电流。
如图8A所示，放电元件240进入了一种从阴极点15到阳极20的扩散放电的状态。所述阴极点是阴极表面的热斑。由于这些热斑比环境温度高，因而提供放电的电子，并且在足够高的温度，它们可以通过蒸发提供放电的阴极材料。从阴极10流向阳极20的电流受到放电电源(未示出)的限制。如图8B所示，当电流通过该系统时，发生了两个物理效应—从阴极斑15提供的阴极材料以低温等离子体35的形式进入到放电间隙，以及由于收缩效应，等离子体的体积得到压缩。如图8C所示，收缩效应导致一种包含热等离子的压缩(收缩)50。所述等离子体由于其小的截面而具有高阻抗，可以有效地将放电电能转换为等离子体的热能，并最终转换成沿轴B发出的辐射60。收缩50的高阻抗导致电流下降，等离子体再次扩散到阳极壁，如图8D所示。等离子体的扩散导致了如图8A所示的扩散放电的形成。扩散放电的阻抗很低，这样导致电流进一步提升。通过操作放电元件240使得阴极斑15连续提供材料，这样如图8A到8D的循环就可以连续的重复。如此，具有多个发出的辐射脉冲60的自震荡(自动—触发)状态在由电源保持的电流的预定的如10微秒的时间间隔中产生。
图7示出了放电元件240在自动触发期间的测量值。该图表示出输出辐射强度701，电源的电流702和电压703，其中使用鋰蒸汽作为工作物质。脉冲704的间隔时间大约为45ns(相当于22MHz)。
等离子体区域大小的减小意味着输入到系统中能量仅有小部分用来在收缩的最后阶段加热等离子体。剩余的能量或以感应现象而存储或用来产生等离子体。低感应系数的结构和连续的放电材料的供应相结合导致了多个等离子体收缩叠加在持久的放电上。感应的能量被分给多个等离子体收缩，产生至少为2％的转换效率。
另外，一些放电材料可以通过从放电元件240中的合适的表面消融的材料来提供。可以通过任何合适的能量束，如激光或电子束来实现。
在另一个可选方案中，通过发射任何合适的能量束，在预定位置激励形成阴极斑15，其中的能量束例如可以是在预定位置的激光或电子束。
该实施例利用电触发沉淀最初的收缩结构，并利用阴极斑15提供放电材料35。使用上述实施例所述的激光触发单元触发最初的收缩结构可以是有利的。在这种情况下，在放电元件240中的最初收缩结构将发生与图6A到6E所示的相似的过程，其中放电材料35通过照射放电元件240中的合适表面的预定位置来提供。通过重复照射合适的表面使得加热的区域337连续地提供放电材料，就可以获得自动触发状态。在前面实施例中描述的照射表面的位置的变化同样适用与本实施例。
由此，本发明的发明范围不仅由实施例说明，而且由附加的权利要求和其他等同的来说明。

Claims (32)

1、一种包含阳极和阴极的辐射源，所述阳极和阴极被构造和排列成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间的物质中的放电元件内产生放电，以形成等离子体，从而产生电磁辐射，其特征在于，所述辐射源包括多个放电元件。
2、如权利要求1所述的辐射源，其特征在于，每个放电元件是其中沿使用了所述辐射源的装置的光轴可移动的。
3、如权利要求1或2所述的辐射源，其特征在于，所述放电元件围绕所述辐射源的旋转轴排列。
4、如权利要求1到3的任一项所述的辐射源，其特征在于，第一放电元件的阳极与第二放电元件的阴极可以一致移动。
5、如权利要求1到4的任一项所述的辐射源，其特征在于，每个放电元件的至少一部分在所述元件中开始放电之前与一种液体接触，以使该液体覆盖所述元件的内表面。
6、一种包含阳极和阴极的辐射源，所述阳极和阴极被构造和排列成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间的物质中产生放电，以形成等离子体，从而产生电磁辐射，其特征在于，所述辐射源包括一种触发器件来通过使用能量束照射接近所述放电空间的表面启动所述放电。
7、如权利要求6所述的辐射源，其特征在于，所述能量束为电磁辐射束。
8、如权利要求7所述的辐射源，其特征在于，所述能量束为激光束。
9、如权利要求6所述的辐射源，其特征在于，所述能量束为带电粒子束。
10、如权利要求6到9任一的所述辐射源，其特征在于，所述能量束照射阳极表面上的一个区域。
11、如权利要求6到9任一的所述辐射源，其特征在于，所述能量束照射阳极表面接近一个发射孔的区域。
12、如权利要求6到9任一的所述辐射源，其特征在于，所述能量束照射阴极的表面的区域。
13、如权利要求6到9任一项所述的辐射源，其特征在于，能量束照射接近所述放电区域的靶结构。
14、如权利要求13所述的辐射源，其特征在于，所述靶结构包括从组：氙气(Xe)、锡(Sn)、锂(Li)、铟(In)和铱(Ir)中选择的元素。
15、如权利要求13或14所述的辐射源，其特征在于，所述靶结构形成部分所述阴极。
16、如权利要求13或14所述的辐射源，其特征在于，所述靶结构形成部分所述阳极。
17、如权利要求15或16所述的辐射源，其特征在于，所述靶结构与阴极电隔离。
18、如权利要求15或16所述的辐射源，其特征在于，所述靶结构与阳极电隔离。
19、如权利要求6到18任一项所述的辐射源，其特征在于，被所述能量束照射的表面包括用来将液体从连接所述芯捻结构的液体容器中传输到所述放电空间的芯捻结构。
20、如权利要求19所述的辐射源，其特征在于，所述芯捻结构包括相互之间留有空间以通过毛细作用力传输所述液体的多个结构。
21、如权利要求20所述的辐射源，其特征在于，所述芯捻结构包括基本呈圆柱的结构的规则排列。
22、如权利要求20所述的辐射源，其特征在于，所述芯捻结构包括基本呈球形的结构的规则排列。
23、如权利要求19到22任一项所述的辐射源，其特征在于，所述辐射源进一步包括加压器部件来对芯捻结构中的液体施加压力。
24、如权利要求23所述的辐射源，其特征在于，所述加压器以脉冲方式施加压力。
25、如权利要求5或权利要求19到24任一项所述的辐射源，其特征在于，所述液体包含从组：氙气(Xe)、锡(Sn)、锂(Li)、铟(In)和铱(Ir)中选择的元素。
26、一种操作辐射源的方法，该辐射源构造成具有低感应系数，并包括阳极和阴极，所述阳极和阴极被构造和排列成在所述阳极和所述阴极之间的放电空间的物质中产生放电，以形成等离子体，从而产生电磁辐射，其特征在于，该方法总体上包括初始放电，然后是操作所述辐射源，以允许产生连续放电，所述连续放电的原因在于所述放电源内的基本自制的振荡。
27、如权利要求26所述的辐射源，其特征在于，放电材料由位于一个阴极斑处的蒸发提供。
28、如权利要求27所述的辐射源，其特征在于，所述初始放电由增加通过阴极斑的电流启动。
29、如权利要求26所述的辐射源，其特征在于，所述最初放电由能量束照射接近所述放电空间的表面来启动。
30、如权利要求26所述的辐射源，其特征在于，所述连续放电由能量束照射接近放电空间的表面来启动。
31、一种光刻投射装置，包括：
一个辐射系统，用来提供辐射的投射束；
一个用来支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件根据需要的图案为投射束提供图案；
一个用来支撑基底的基底台；
一个投射系统，用于将图案化的射束投向基底的靶部，
其特征在于，所述辐射系统包括根据权利要求1到30任一项的辐射源。
32、一种器件制造方法，包括如下步骤：
提供至少部分覆盖辐射敏感层材料的基底；
使用包括根据权利要求1到30任一项的辐射源的辐射系统提供辐射的投射束；
使用构图部件用其截面图案将投射束构图；
将已构图的辐射束投射到辐射敏感材料层的靶部。
CN03164836A 2002-09-19 2003-09-17 辐射源、光刻装置和器件的制造方法 Expired - Lifetime CN100594428C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02256486.8 2002-09-19
EP02256486 2002-09-19
EP02256907.3 2002-10-03
EP02256907 2002-10-03

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010100035055A Division CN101795527B (zh) 2002-09-19 2003-09-17 辐射源、光刻装置和器件制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1497349A true CN1497349A (zh) 2004-05-19
CN100594428C CN100594428C (zh) 2010-03-17

Family

ID=32395460

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN03164836A Expired - Lifetime CN100594428C (zh) 2002-09-19 2003-09-17 辐射源、光刻装置和器件的制造方法
CN2010100035055A Expired - Fee Related CN101795527B (zh) 2002-09-19 2003-09-17 辐射源、光刻装置和器件制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010100035055A Expired - Fee Related CN101795527B (zh) 2002-09-19 2003-09-17 辐射源、光刻装置和器件制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7528395B2 (zh)
JP (2) JP4381094B2 (zh)
KR (1) KR100598639B1 (zh)
CN (2) CN100594428C (zh)
SG (1) SG153664A1 (zh)
TW (1) TWI266962B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101785369A (zh) * 2007-08-23 2010-07-21 Asml荷兰有限公司 用于产生极紫外辐射的模块和方法
US8242473B2 (en) 2008-04-02 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Radiation source
CN102119583B (zh) * 2008-07-28 2013-09-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于产生euv辐射或软x射线的方法和设备
US8901521B2 (en) 2007-08-23 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
CN105573060A (zh) * 2014-10-16 2016-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Euv光源和曝光装置、校准装置和校准方法
CN111585152A (zh) * 2020-04-08 2020-08-25 中国科学院微电子研究所 用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5098126B2 (ja) * 2001-08-07 2012-12-12 株式会社ニコン Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7154109B2 (en) * 2004-09-30 2006-12-26 Intel Corporation Method and apparatus for producing electromagnetic radiation
JP5503108B2 (ja) * 2004-11-29 2014-05-28 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 約１ｎｍから約３０ｎｍの波長範囲の放射線を発生させる方法および機器、ならびにリソグラフィー装置
DE102005007884A1 (de) * 2005-02-15 2006-08-24 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter (EUV-) Strahlung
WO2006093687A1 (en) * 2005-02-25 2006-09-08 Cymer, Inc. Method and apparatus for euv light source target material handling
DE102005023060B4 (de) * 2005-05-19 2011-01-27 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Gasentladungs-Strahlungsquelle, insbesondere für EUV-Strahlung
DE102005039849B4 (de) * 2005-08-19 2011-01-27 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung
DE102005044141B4 (de) * 2005-09-15 2008-08-14 Qimonda Ag Belichtungsgerät und Verfahren zum Betrieb eines Belichtungsgeräts
JP4429302B2 (ja) * 2005-09-23 2010-03-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 電磁放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、および該製造方法によって製造されたデバイス
DE102006003683B3 (de) * 2006-01-24 2007-09-13 Xtreme Technologies Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von EUV-Strahlung hoher Durchschnittsleistung
CN101444148B (zh) * 2006-05-16 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 提高euv和/或软x射线灯的转换效率的方法及相应装置
US8766212B2 (en) * 2006-07-19 2014-07-01 Asml Netherlands B.V. Correction of spatial instability of an EUV source by laser beam steering
US7759663B1 (en) * 2006-12-06 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Self-shading electrodes for debris suppression in an EUV source
US7518134B2 (en) * 2006-12-06 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Plasma radiation source for a lithographic apparatus
US7838853B2 (en) 2006-12-14 2010-11-23 Asml Netherlands B.V. Plasma radiation source, method of forming plasma radiation, apparatus for projecting a pattern from a patterning device onto a substrate and device manufacturing method
US7518135B2 (en) 2006-12-20 2009-04-14 Asml Netherlands B.V. Reducing fast ions in a plasma radiation source
US20080239262A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asml Netherlands B.V. Radiation source for generating electromagnetic radiation and method for generating electromagnetic radiation
JP2008311465A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nikon Corp Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置および半導体デバイスの製造方法
US8227771B2 (en) * 2007-07-23 2012-07-24 Asml Netherlands B.V. Debris prevention system and lithographic apparatus
US8493548B2 (en) * 2007-08-06 2013-07-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2002890A1 (nl) * 2008-06-16 2009-12-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
DE102010055889B4 (de) * 2010-12-21 2014-04-30 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung kurzwelliger Strahlung mittels einer gasentladungsbasierten Hochfrequenzhochstromentladung

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2412869C3 (de) 1974-03-18 1980-10-30 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Anzeigevorrichtung mit einem Gasentladungsraum als Elektronenquelle, mit einem Elektronennachbeschleunigungsraum und mit einem Leuchtschirm und Verfahren zum Betrieb dieser Anzeigevorrichtung
CA1048182A (en) 1976-10-26 1979-02-06 Her Majesty The Queen, In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence Laser driven plasma display
GB2101638B (en) 1981-07-16 1985-07-24 Ampex Moveable cathodes/targets for high rate sputtering system
FR2551615A1 (fr) 1983-09-02 1985-03-08 Centre Nat Rech Scient Source de rayons x mous utilisant un microcanal de plasma obtenu par photo-ionisation d'un gaz
DE3332711A1 (de) * 1983-09-10 1985-03-28 Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Vorrichtung zur erzeugung einer plasmaquelle mit hoher strahlungsintensitaet im roentgenbereich
JPS6348799A (ja) * 1986-08-14 1988-03-01 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Ｘ線発生装置
JPH06101317B2 (ja) * 1987-08-28 1994-12-12 株式会社日立製作所 Ｘ線発生装置
US4928296A (en) 1988-04-04 1990-05-22 General Electric Company Apparatus for cooling an X-ray device
JPH0278199A (ja) * 1988-09-13 1990-03-19 Toshiba Corp パルスｘ線源駆動装置
JPH03283398A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Shimadzu Corp Ｘ線発生装置
JPH04110800A (ja) * 1990-08-31 1992-04-13 Shimadzu Corp 標的物質の供給装置
JPH05190955A (ja) 1992-01-17 1993-07-30 Toshiba Corp ガスレーザ装置
US5317574A (en) 1992-12-31 1994-05-31 Hui Wang Method and apparatus for generating x-ray and/or extreme ultraviolet laser
JP2794154B2 (ja) * 1993-06-04 1998-09-03 ダイヤモンド電機 株式会社 ヒートシンク
US5499282A (en) 1994-05-02 1996-03-12 University Of Central Florida Efficient narrow spectral width soft-X-ray discharge sources
JPH09133485A (ja) * 1995-11-06 1997-05-20 Mitsubishi Materials Corp ヒートパイプ
JPH10185468A (ja) * 1996-12-20 1998-07-14 Akutoronikusu Kk 極大面積比の面間熱拡散接続用プレートヒートパイプ
US6815700B2 (en) * 1997-05-12 2004-11-09 Cymer, Inc. Plasma focus light source with improved pulse power system
JP2000298200A (ja) * 1999-04-13 2000-10-24 Agency Of Ind Science & Technol レーザー励起型ｘ線源
DE19962160C2 (de) * 1999-06-29 2003-11-13 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtungen zur Erzeugung von Extrem-Ultraviolett- und weicher Röntgenstrahlung aus einer Gasentladung
JP2001023796A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Shimadzu Corp レーザープラズマｘ線源
JP2001155897A (ja) * 1999-11-25 2001-06-08 Japan Atom Energy Res Inst 短パルス硬ｘ線発生装置
JP2001160499A (ja) * 1999-12-03 2001-06-12 Japan Atom Energy Res Inst 金属プラズマ放電型ｘ線発生装置
CN1300179A (zh) * 1999-12-16 2001-06-20 中国科学院长春光学精密机械研究所 喷气靶激光等离子体软x射线源
TWI246872B (en) * 1999-12-17 2006-01-01 Asml Netherlands Bv Radiation source for use in lithographic projection apparatus
JP2001221583A (ja) * 2000-02-03 2001-08-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 冷熱拡散用ヒートパイプおよびその設置方法
RU2206186C2 (ru) * 2000-07-04 2003-06-10 Государственный научный центр Российской Федерации Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований Способ получения коротковолнового излучения из газоразрядной плазмы и устройство для его реализации
JP5098126B2 (ja) 2001-08-07 2012-12-12 株式会社ニコン Ｘ線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
AU2003268462A1 (en) 2002-09-03 2004-03-29 Parker Medical, Inc. Multiple grooved x-ray generator
SG129259A1 (en) * 2002-10-03 2007-02-26 Asml Netherlands Bv Radiation source lithographic apparatus, and device manufacturing method
US7208746B2 (en) * 2004-07-14 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Radiation generating device, lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101785369A (zh) * 2007-08-23 2010-07-21 Asml荷兰有限公司 用于产生极紫外辐射的模块和方法
US8901521B2 (en) 2007-08-23 2014-12-02 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
US9363879B2 (en) 2007-08-23 2016-06-07 Asml Netherlands B.V. Module and method for producing extreme ultraviolet radiation
US8242473B2 (en) 2008-04-02 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Radiation source
CN102119583B (zh) * 2008-07-28 2013-09-11 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于产生euv辐射或软x射线的方法和设备
CN105573060A (zh) * 2014-10-16 2016-05-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Euv光源和曝光装置、校准装置和校准方法
CN105573060B (zh) * 2014-10-16 2017-12-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Euv光源和曝光装置、校准装置和校准方法
CN111585152A (zh) * 2020-04-08 2020-08-25 中国科学院微电子研究所 用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备
CN111585152B (zh) * 2020-04-08 2022-02-08 中国科学院微电子研究所 用于激光器腔室的电极、激光器系统及曝光设备

Also Published As

Publication number Publication date
JP4580959B2 (ja) 2010-11-17
TW200413860A (en) 2004-08-01
US20040105082A1 (en) 2004-06-03
TWI266962B (en) 2006-11-21
CN101795527A (zh) 2010-08-04
SG153664A1 (en) 2009-07-29
JP2004165155A (ja) 2004-06-10
US7528395B2 (en) 2009-05-05
JP2007305992A (ja) 2007-11-22
CN100594428C (zh) 2010-03-17
CN101795527B (zh) 2013-02-20
KR100598639B1 (ko) 2006-07-07
JP4381094B2 (ja) 2009-12-09
KR20040025632A (ko) 2004-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1497349A (zh) 辐射源、光刻装置和器件的制造方法
CN1498056A (zh) 辐射源、光刻设备和器件制造方法
TWI246872B (en) Radiation source for use in lithographic projection apparatus
US6590959B2 (en) High-intensity sources of short-wavelength electromagnetic radiation for microlithography and other uses
CN101911839B (zh) 辐射源、光刻设备以及器件制造方法
JP4073647B2 (ja) 放射線源、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス
CN1707364A (zh) 光刻装置及器件制造方法
US6861656B2 (en) High-luminosity EUV-source devices for use in extreme ultraviolet (soft X-ray) lithography systems and other EUV optical systems
CN1510518A (zh) 光刻装置、器件的制造方法及由此制得的器件
CN1959541A (zh) 包括放电发生器的光刻装置和用于清洁光刻装置的元件的方法
CN1721999A (zh) 辐射产生器件、光刻装置、器件制造方法及由此制造的器件
JP5218994B2 (ja) 複数の１次光源を有する光学要素
TW200919112A (en) Radiation source
CN103592727A (zh) 具有高收光效率的基于发光二极管的光刻发光器
TW522469B (en) Extreme ultraviolet light generator, exposure device using the generating device and method for manufacturing semiconductor
CN1495532A (zh) 光刻投射装置及用于所述装置中的反射器组件
TWI358074B (en) Reducing fast ions in a plasma radiation source
EP1401248A2 (en) Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
JP6477179B2 (ja) 放電電極及び極端紫外光光源装置
TW200843564A (en) Plasma radiation source, method of forming plasma radiation, apparatus for projecting a pattern from a patterning device onto a substrate and device manufacturing method
US20110007289A1 (en) Device constructed and arranged to generate radiation, lithographic apparatus, and device manufacturing method
CN106575085B (zh) 光刻设备和制造器件的方法
US20230280656A1 (en) Liquid tamped targets for extreme ultraviolet lithography
JP4966312B2 (ja) Ｅｕｖ光発生装置及びｅｕｖ露光装置
Choi et al. High-brightness EUV light source for HVM

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100317

CX01 Expiry of patent term