CN1959541A - 包括放电发生器的光刻装置和用于清洁光刻装置的元件的方法 - Google Patents

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Abstract

用于清洁光刻装置的元件的方法，例如清洁诸如收集反射镜的光学元件的方法，包括提供含有氮的气体；从至少部分气体产生氮基团，由此形成含有基团的气体；以及向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体。光刻装置包括辐射源和光学元件，以及布置成产生射频放电的放电发生器。

Description

包括放电发生器的光刻装置和用于清洁光刻装置的元件的方法
技术领域
本发明涉及一种包括放电发生器的光刻装置和用于清洁光刻装置的元件的方法，特别是涉及一种用于清洁光刻装置的一个或多个光学元件的方法。
背景技术
光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置例如可以用于集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被转印到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的转印是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含被相继构图的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并且同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件转印到基底上。
在光刻装置中，成像到基底上的特征尺寸受投影辐射的波长的限制。为了生产具有高密度器件的集成电路，因此操作速度更高，期望的是能够成像更小的特征。尽管大多数当前的光刻投影装置采用汞灯或准分子激光器产生的紫外光，但是已经提出使用更短波长的辐射，例如大约13nm。这种辐射称为远紫外或软x-射线，可能的辐射源例如包括产生激光的等离子体源、放电等离子体或电子存储环的同步辐射。
EUV辐射源通常是等离子体源，例如产生激光的等离子体或放电源。任何等离子体源的共同特征是快离子和原子的产生，所述离子和原子沿所有方向从等离子体发射。这些粒子可能损坏收集反射镜和聚光反射镜，所述反射镜通常是具有易碎表面的多层反射镜或切线入射反射镜。所述表面由于从等离子体发射的粒子的冲击或溅射而逐渐劣化，并因此减小了反射镜的使用寿命。对于辐射收集器来说溅射效应特别地存在问题。该反射镜的目的是收集等离子体源沿所有方向发射的辐射，并将其朝照射系统中的其它反射镜引导。辐射收集器定位得非常靠近等离子体源并在等离子体源的范围内，因此可接收来自等离子体的大流量的快粒子。通过溅射从等离子体发射的离子，系统中的其它反射镜通常会损坏到较小的程度，因为这些反射镜在某种程度上被屏蔽了。
由于存在(少量)的碳氢化合物，碳(包括含有碳的化合物)可能沉积在光刻装置的光学元件或其它元件上，例如壁等等。特别地由于这种沉积物对光学性能有害，因此光学元件上的沉积物是不期望的。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种用于清洁光刻装置的元件的方法，特别是用于清洁光刻装置的一个或多个光学元件的方法。本发明的另一个方面是提供一种包括放电发生器的光刻装置，其中所述放电发生器布置成提供放电。
根据本发明的第一方面，提供一种光刻装置，包括辐射源和一个或多个元件，特别是一个或多个光学元件，所述光刻装置还包括布置成产生放电更加具体地是射频(RF)放电的放电发生器。该RF放电可以用于形成包含多种气体的一个或多个基团，所述气体选自以下气体构成的组：含有氮基团的气体、含有氢基团的气体以及含有氢和氮基团的气体，上述基团可以用于清洁光刻装置的一个或多个元件，特别是用于清洁一个或多个光学元件。
根据本发明的另一个方面，提供一种用于清洁光刻装置的一个或多个元件的方法，所述方法包括提供含有氮的气体；从至少部分气体产生氮基团，由此形成含有基团的气体；向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体。
根据本发明的又一个方面，提供一种用于清洁光刻装置的一个或多个元件的方法，所述方法包括提供含有从氮和氢构成的组中选择的一种或多种的气体；从至少部分气体产生氮基团或氢基团或氮和氢基团，由此形成含有基团的气体；向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体。
附图说明
现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本发明的各个实施例，其中相应的参考标记表示相应的部件，其中：
图1示意性地示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置；
图2示意性地示出了根据图1中光刻装置的EUV照射系统和投影光学系统的侧视图；
图3示意性地示出了其中感应地产生了放电的实施例；
图4示意性地示出了其中电容性地产生了放电的实施例；
图5a-b示意性地示出了集成了收集反射镜的放电发生器的实施例和变形。
具体实施方式
图1示意性地表示了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射束B(例如UV辐射或EUV辐射)。支撑结构(例如掩模台)MT配置成支撑构图部件(例如掩模)MA，并与配置成依照某些参数精确定位该构图部件的第一定位装置PM连接。基底台(例如晶片台)WT配置成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与配置成依照某些参数精确定位该基底的第二定位装置PW连接。投影系统(例如折射投影透镜系统)PS配置成将由构图部件MA赋予给辐射束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括部分、一个或多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。
支撑结构可以支撑即承受构图部件的重量。它可以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构图部件。支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影系统位于期望的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射束在其截面赋予图案从而在基底靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给辐射束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给辐射束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。
构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的实例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个实例采用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。
这里使用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，只要适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如浸没液体的使用或真空的使用。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
如这里所指出的，该装置是反射型(例如采用反射掩模)。或者，该装置可以是透射型(例如采用透射掩模)。
光刻装置可以具有两个(双工作台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多工作台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台或支座上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。
光刻装置还可以是这样一种类型，其中至少部分基底由具有相对高的折射率的液体如水覆盖，从而填充投影系统和基底之间的空间。浸没液体也可以应用于光刻装置中的其他空间，例如应用于掩模和投影系统之间。浸没技术在本领域中是公知的，其用于增大投影系统的数值孔径。
这里使用的术语“浸没”不表示结构如基底必须浸没在液体中，而是表示液体在曝光期间位于投影系统和基底之间。
参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射束借助于束输送系统从源SO传输到照射器IL，所述束输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要连同束输送系统BD一起可以称作辐射系统。
照射器IL可以包括调节装置，其用于调节辐射束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射束，从而使该束在其横截面上具有期望的均匀度和强度分布。
辐射束B入射到保持在掩模支撑结构(如掩模台MT)上的构图部件(如掩模MA)上，并由构图部件进行构图。横向穿过掩模MA后，辐射束B通过投影系统PS，该投影系统将束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如在辐射束B的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1来使掩模MA相对于辐射束B的光路精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现掩模台MT的移动，所述长行程模块和短行程模块构成第一定位装置PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块也可以实现基底台WT的移动，其中长行程模块和短行程模块构成第二定位装置PW的一部分。在步进器的情况下(与扫描装置相对)，掩模台MT可以只与短行程致动装置连接，或者固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA与基底W。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，但是它们也可以设置在各个靶部(这些标记是公知的划线对准标记)之间的空间中。类似地，在其中在掩模MA上提供了超过一个管芯的情况下，可以在各个管芯之间设置掩模对准标记。
所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用：
1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，而赋予辐射束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。
2.在扫描模式中，当赋予辐射束的图案被投影到靶部C时，同步扫描掩模台MT和基底台WT(即单次动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向通过投影系统PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。
3.在其他模式中，当赋予辐射束的图案被投影到靶部C上时，掩模台MT基本保持不动地支撑可编程构图部件，同时移动或扫描基底台WT。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程构图部件。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列型。
还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的使用模式。
这里，在根据本发明的实施例中，提供一种光刻装置，包括辐射源、(从辐射源接收辐射并配置成调节辐射束的)照射系统；配置成支撑构图部件的支座，所述构图部件配置成给辐射束在其截面赋予图案以便形成带图案的辐射束；配置成保持基底的基底台；配置成将带图案的辐射束投影到基底靶部上的投影系统，和根据本发明的清洁部件。
术语“含有卤素的气体”或“包括卤素的气体”、“含有氢的气体”或“包括氢的气体”以及“含有氮的气体”或“包括氮的气体”表示多种气体或气体混合物，其至少分别包括含有卤素的化合物、含有氢的化合物和含有氮的化合物。
术语“卤素”在实施例中表示选自F、Cl、Br和I中的至少一种或多种，或者表示为原子(基团)或化合物，例如F2、Cl2、Br2、I2、HF、HCl、HBr、HI，表示卤素互化物，例如ClF3，或者表示包括选自F、Cl、Br和I中的至少一种或多种的其它化合物。在一个实施例中可以使用F2、Cl2、Br2、I2中的一种或多种特别是I2作为卤素。
术语“氢”和“氢基团”表示包括其同位素以及特别地是氘。因此，术语“含有氢的气体”表示包括H2或其氘或氚的类似物。在一个实施例中，含有氢的气体包括选自H2、HD、D2、HT、DT、T2构成的组中的一种或多种。在一种变形中，所述气体由选自H2、HD、D2、HT、DT、T2构成的组中的一种或多种组成。
术语“氮”和“氮基团”在一个实施例中分别表示N2和N原子。因此，术语“氮”和“含有氮的气体”包括N2(双氮)和含有气体的N2。在另一个实施例中，所述气体包括N2或者在一种变形中，气体由N2组成。在另一个实施例中，所述气体包括含有氮的化合物如NH3，其还可以用于产生N基团或H基团或两者。在又一个实施例中，包括氮化合物的所述气体包括诸如选自由NH3、HD3、N2C2、N2H4、N2H4*H2O、N2O、NO和NO2构成的组中的一种或多种的氮化合物。在另一个实施例中，含有氮的气体包括N2或NH3或两者。
术语“含有基团的气体”包括“含有基团的气体”，它表示一种气体，其中在气体中存在氢基团或氮基团或两者。通常，这种气体还分别包含氢分子(类似H2、HD、D2、HT、DT、T2中的一种或多种)和N2，因为并非所有的氢和所有的氮都可以转化成基团，以及因为基团重组。术语“含有氢的气体基团”表示包括氢基团或其氘或氚类似物的气体。这种气体还包括其它组分，如H2等等，所述组分没有从氢基团分离或者已经从氢基团重组。同样，术语“含有氮基团的气体”表示包括氮基团的气体。这种气体还包括其它组分，如N2等等，所述组分没有从氢基团分离或者已经从氢基团重组。
含有卤素的气体或含有氢的气体或含有氮的气体或含有基团的气体还包括诸如缓冲气体的附加组分，如氩、氦等等。在一个实施例中，所述气体在大约200℃的温度下使用。
这里术语“碳”(C)或“碳沉积物”表示含有碳的化合物(其可以沉积在光刻装置的元件如光学元件上，例如由于塑料管的除气作用、来自泵的油等等)，所述化合物包括碳氢化合物。
在本申请适用的地方，术语“透镜”可以表示任何一个各种类型的光学部件或其组合，包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，248，193，157或者126nm的波长λ)和远紫外(EUV或软-射线)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长例如13.5nm)，以及粒子束，例如离子束或电子束。一般地，认为波长介于780-3000nm(或更大)的辐射是IR辐射。UV表示波长大约为100-400nm的辐射。在光刻法中，通常还可应用能够用放电汞灯产生的波长：G-线436nm；H-线405nm；和/或I-线365nm。VUV是真空UV(即用空气吸收的UV)，它表示大约为100-200nm的波长。DUV是深UV，它通常用于光刻法中由准分子激光器产生的波长，如126-248nm。本领域技术人员应该理解波长范围例如5-20nm的辐射与具有某一波长带的辐射相关，所述波长带至少部分处于5-20nm的范围内。在一个实施例中，辐射源SO布置成产生5-20nm的EUV辐射，特别是在EUV光刻中使用。
术语“放电发生器”和“清洁方法”表示一种在清洁处理中使用的设备和方法。如下所述，提供氢基团可以用来还原氧化物，如氧化锡，接着，卤素(例如I2)可以去除金属，如锡(通过形成卤化物)。因此，在该申请中的“清洁”表示完全或部分地去除不期望的沉积物，还可以表示部分清洁处理，例如还原(没有实质上去除沉积物)。因此，术语清洁还包括在清洁处理的清洁过程中(用气体)的处理。此外，在一个实施例中可以使用氢基团去除沉积物。
如上所述的放电发生器是“附加的”放电发生器。例如，尽管也可以使用其它的辐射源，但是应该理解辐射源SO也可以提供放电。无论辐射源SO是否包括产生放电的源，这里的放电发生器在某种意义上是一个附加的放电发生器，即其对现有技术的光刻装置来说是附加的。此外，在本发明中使用的放电发生器不布置或设计成产生在光刻装置中使用的(EUV)辐射，但是布置和设计成产生用于清洁光刻装置的元件特别是光学元件的放电，所述元件位于包含辐射源SO的腔室外部。在一个实施例中，放电发生器设计和布置成产生RF放电。放电发生器特别地以这样一种方式进行布置，即在距待清洁的元件如腔室壁或诸如收集反射镜的光学元件100cm或更小的范围内产生放电。在一个实施例中，放电发生器以这样一种方式布置，即在元件(如光学元件)的60cm或更小的范围内产生放电。在又一个实施例中，放电发生器以这样一种方式布置，即在元件(如光学元件)的40cm或更小的范围内产生放电。在又一个实施例中，放电发生器以这样一种方式布置，即在元件(如光学元件)的20cm或更小的范围内产生放电。
在一个实施例中，至少部分线圈或至少部分导电板与光学元件集成在一起。通过这种方式，本发明提供一种放电发生器，其中所述放电发生器布置成提供放电，该放电用于形成包含多种气体的一种或多种基团，所述气体选自由含有氮基团的气体、含有氢基团的气体以及含有氢和氮基团的气体构成的组中，所述基团用于清洁光刻装置的一个或多个元件，特别是用于清洁一个或多个光学元件。
这里术语“集成”还包括多种实施例，其中至少部分(光学)元件是导电的，并用作产生感应放电的线圈或用作产生电容放电的导电板或导电杆等等。此外壁或部分壁可以用作产生RF放电的板或线圈。术语“集成”还包括多种实施例，其中例如部分壁的元件是导电的，并用作产生放电的线圈或板。例如，反射器、反射镜等等可以具有包括导电板的支座。正如应该理解的，有多种可替换的方法来分别布置线圈或布置电极和对电极。
如上所述，放电发生器可以用于从含有氢的气体产生氢基团，但是可替换地或者附加地也可以用于从含有氮的气体产生氮基团，所述基团例如用于清洁光学元件表面的碳沉积物。因此，在一个实施例中，在本发明的方法中使用的放电发生器布置和设计成从(至少部分)含有氢的气体中产生氢基团，在另一个实施例中，放电发生器布置和设计成从(至少部分)含有氮的气体中产生氮基团。此外，在又一个实施例中，放电发生器布置和设计成从(至少部分)含有氢和氮的气体中产生氢基团和氮基团。
氮原子的一个特征是与其相对大的尺寸相关联，这例如表示与可以相对容易地穿过薄Ru层并损坏诸如收集反射镜的多层(ML)反射镜的H原子相比，氮原子不能或者不能容易地穿过例如反射镜上的Ru(钌)保护层。N原子可形成稳定的与碳结合(CN、C2N2)以及与氧结合(NO、N2O、N2O3、N2O4、N2O5等等)的气态物质，这样就能够在所述气态物质暴露于大气中之后用于清洁ML反射镜和用于清洁腔室壁。此外，氮原子是比氢原子更“稳定”的基团；氮原子每个原子具有约5ev的化学能，而氢原子具有2.25eV。因此，氮原子可以使大量的烃类分子分裂，假定所述烃类分子是ML反射镜以及腔室壁上杂质的主要来源。通过使用射频(RF)放电可产生氮的高离解电势。因此，利用氮基团或原子不仅可以去除碳，本发明的方法还可以用来去除氧。
用于氮离解的合适条件是已知的。在一个实施例中，可以通过基团发生器使用压力为大约0.001-10巴(0.1-106Pa)的氮和惰性气体的气体混合物(例如：Ar占1-30体积％的N2，但是也可以使用纯N2)来产生氮基团。在一个实施例中，使用大约0.001-1巴(0.1-100Pa)的压力。含有氮的气体特别是N2的分压在一个实施例中可以介于大约0.1个总压力和1个总压力之间。在一个实施例中，N2的分压是至少0.001巴。
氢基团也可以用于去除碳沉积物和/或去除氧，但是氢基团还可以用于去除类似锡(例如由于来自锡EUV辐射源的锡沉积)的沉积物。氢基团还可以用于使类似氧化锡的氧化物还原成金属(锡)，随后通过形成氢化物(类似SnH4)的氢基团和/或形成卤化物(类似SnI4)的卤素将其去除。
用于卤素离解的合适条件是已知的。在一个实施例中，可以通过基团发生器使用压力为大约0.001亳巴-10巴(0.1-106Pa)的氢和惰性气体的气体混合物(例如：Ar占1-30体积％的H2，但是也可以使用纯H2)来产生氢基团。在一个实施例中，使用大约0.01毫巴-1巴(1-105Pa)的压力。含有氢的气体特别是H2(或类似物，如D2、HD等等)的分压在一个实施例中可以介于大约0.1个总压力和1个总压力之间。在一个实施例中，H2的分压是至少0.001巴。
这里，通常将使用大约0.001毫巴-10巴的压力。这里术语“压力”表示总压力，其与“分压”区别开。
这里，术语“放电”或“气体放电”是已知的，它表示穿过电离气体的放电，即等离子体。
用来产生放电的电势通常介于大约80至100,000V。在一个实施例中，使用射频(RF)放电特别是大约1-1000MHz的RF频率的射频放电从气体中产生基团。在一个变形中，所施加的电压是大约100-500V(一般地，可以在较低的电压下获得射频放电即EUV辐射源SO的脉冲DC放电)。在又一个变形中，RF放电的频率是大约10-300MHz，例如140-180MHz。正如应该理解的，所述频率和电压可以变化，其取决于氢或氮或者氢和氮的压力，以及其中要产生放电的总(局部)压力。正如还应该理解的，待施加的电压可以是RF功率、频率以及N2和可选择的填充气体压力(或H2和可选择的填充气体压力；或H2和N2以及可选择的填充气体压力)的函数。其幅度可从大约100V变化到几千伏(例如2000V)。一般地电压在高频和小RF功率时较小。例如，使用总压力为0.1毫巴的占Ar1体积％的N2：在约100MHz和约0.01W/cm2的功率通量下为约100V。电压可以在较低频和较高压力时较大：在压力为1毫巴在约10MHz和约0.1W/cm2的功率通量下为约1000V。对于大的N2浓度，可以施加更高的电压。但是本领域技术人员了解如何产生放电。在一个实施例中，可以施加大约1W/cm2-100W/cm2的功率通量。
因此，在本发明的方法中，氢基团可以用于清洁表面上例如来自锡辐射源的锡沉积物或例如由于塑料管的除气作用导致的碳(包括碳氢化合物)沉积物等等。但是，氢基团还可以用于还原氧化物，例如将氧化锡还原成锡，然后通过形成挥发性的氢化锡的氢基团或形成挥发性的卤化锡的卤化物去除该还原的氧化物。
氮基团可以用于去除碳沉积物或用于(至少部分)去除遗留在光刻装置中的氧。因此，本发明在一个实施例中提供氮基团的(使用方法和)用途，用于去除光学元件上的碳沉积物。同样，在另一个实施例中，本发明提供氮基团的(使用方法和)用途，用于去除光刻装置中的氧。
因此，在一方面本发明涉及一种用于清洁光刻装置的一个或多个(待清洁)元件的方法，该方法包括提供含有氮的气体；从至少部分气体产生氮基团，由此形成含有基团的气体；向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体，另一方面，本发明涉及一种用于清洁光刻装置的一个或多个(待清洁)元件的方法，该方法包括提供含有选自由氮和氢构成的组中的一种或多种的气体；从至少部分气体产生氮基团或氢基团或者氮基团和氢基团，由此形成含有基团的气体；向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体。本发明的这些实施例可以在根据本发明的光刻装置中实施。
此外，在一个实施例中，如上所述所述气体还包括卤素。在另一个实施例中，通过向所述一个或多个元件提供含有氢的气体基团并随后向所述一个或多个元件提供含有氮的气体基团来清洁所述一个或多个元件。在又一个实施例中，通过向所述一个或多个元件提供包括气体的基团，所述基团含有选自氢基团和氮基团构成的组中的基团，并且随后向所述一个或多个元件提供含有卤素的气体来清洁所述元件。
根据本发明的又一个方面，本发明涉及一种用于清洁光刻装置的一个或多个(待清洁)元件的方法，该方法包括提供含有氢的气体；从至少部分气体产生氢基团，由此形成含有基团的气体；向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体。该方法可以在本发明的光刻装置中实施。
本发明的方法在一个实施例中特别适合于清洁一个或多个元件，所述元件选自由反射镜、光栅、中间掩模版、传感器、支座、光刻装置的腔室和光刻装置的(腔室)壁构成的组。在一个实施例中，所述方法用于清洁一个或多个光学元件，所述光学元件选自由多层反射镜、法线入射反射镜、切线入射反射镜、收集反射镜、中间掩模版、滤光镜、小孔、掩模叶片、光栅和光学传感器构成的组。
参考图2，该附图详细地示出了投影装置1，其包括辐射系统42、照射光学单元44和投影系统PS。辐射系统42包括用放电等离子形成的辐射源SO，EUV辐射可以用气体或蒸汽例如氙气体、锂蒸气或锡蒸气产生，其中在电磁波谱的EUV范围中形成非常热的发出辐射的等离子体。通过例如利用放电使至少部分等离子体电离可形成非常热的等离子体。为了有效地产生辐射，要求氙、锂、锡蒸气或任何其它合适的气体或蒸气的分压例如为10Pa。由辐射源SO发出的辐射通过气体屏蔽或杂质收集器49从辐射源腔室47进入收集室48，所述杂质收集器定位在发生器腔室47的开口之中或之后。气体屏障49包括一通道结构。
收集室48包括由切线入射收集器形成的辐射收集器50。辐射收集器50具有上游辐射收集侧50a和下游辐射收集侧50b。经过收集器50的辐射被反射偏离光栅光谱过滤器151，以便被聚焦到收集室48中小孔处的虚拟源点52。辐射束56通过法线入射反射器53、54从收集室48反射到照射光学单元44中的中间掩模版或掩模上，所述中间掩模版或掩模定位在中间掩模版或掩模台MT上。可以形成一带图案的束，其通过反射元件58、59成像在投影系统PS中晶片台或基底台WT上。在照射光学单元44和投影系统PS中通常存在比所示的更多的元件。视需要地可以提供光栅光谱过滤器51，其取决于光刻装置的类型。此外，还可以提供比附图中所示出的更多的反射镜，例如可以提供比反射元件58、59多1-4个的反射元件。辐射收集器50是已知的。参考数字180指出了两个反射器例如反射器142和143之间的空间。
在图2中示出的所有光学元件(和未在该实施例的示意图中示出的光学元件)容易被辐射源SO产生的杂质沉积物如锡或碳沉积物损坏。对于辐射收集器50以及光栅光谱过滤器51(如果存在的话)来说就是这种情况。因此，(在图3-5中示出，并在下文详细描述的)放电发生器可以用来清洁这些光学元件中的一个或多个，并且本发明的清洁方法可以应用于这些光学元件，以及应用于法线入射反射器53、54和反射元件58、59或其它光学元件，如附加的反射镜、光栅等等。但是，放电发生器还可以用于清洁辐射系统42(不包括辐射源腔室47)的一个或多个壁(内壁)、收集室48、照射光学单元44(IL)和投影系统PS，或者在这些腔室中存在的其它元件。
辐射收集器50可以是掠射收集器。所述收集器50沿光轴O对准。辐射源SO或其图像定位在光轴O上。辐射收集器50包括反射器142、143、146。有时也称它们为罩(shell)。这些反射器142、143、146可以围绕光轴O布置并可旋转地对称。在图2(以及其它附图)中，内部反射器用参考数字142表示，中间反射器用参考数字143表示，外部反射器用参考数字146表示。辐射收集器50可封闭一定的容积，即外部反射器146内的容积。通常，外部反射器146内的容积在圆周上被封闭，尽管可能存在小的开口。所有反射器142、143和146包括至少部分具有一个或多个反射层的表面。因此，反射器142、143和146(可以存在多个反射器，并包括在这里)包括至少部分设计成用于反射和收集来自辐射源SO的EUV辐射的反射器，至少部分反射器没有设计成用于反射和收集EUV辐射。后者也可以称为背面。在这些反射层的表面上，附加地提供一保护层(例如钌)，其用于保护或作为布置在反射层的至少部分表面上的滤光器。
辐射收集器50通常布置在辐射源SO或辐射源SO的图像附近。每个反射器142、143、146包括至少两个相邻的反射面，远离辐射源SO的反射面和光轴O的角度布置成比接近辐射源SO的反射面相对光轴O的角度更小。通过这种方式，切线入射收集器50配置成产生沿光轴O传播的(E)UV辐射束。至少两个反射器大体上同轴布置并围绕光轴O大体上旋转对称地延伸。应该理解，辐射收集器50可以在外部反射器146的外表面上具有其它特征或者具有围绕外部反射器146的其它特征，例如保护性支架、加热器等等。
在使用期间，可以在外部反射器146和内部反射器142/143中的一个或多个上看到沉积物，特别地当使用锡辐射源SO时是锡。在几个单层之后，例如由于锡辐射源产生的锡沉积物会损害辐射收集器50或其它光学元件的反射，这对清洁这种光学元件是必要的。这里的损害表示反射器或反射镜的反射面的反射率的减小和损失，所述反射器或反射镜设计成反射(和/或收集)辐射。沉积物还可能例如损害光学传感器的表面(其设计成感测)。此外，如上所述可替换地或附加地，还可以看到碳沉积物(包括碳氢化合物)。
在一个实施例中，通过卤素例如F2、Cl2、Br2和I2可以去除沉积物特别是包括锡的沉积物，在另一个实施例中是通过氢基团，在又一个实施例中是通过氢基团和一种或多种卤素的组合，其可以同时或随后应用。在存在例如具有锡的沉积物的情况下，由于存在少量的氧，通常在某种程度上还存在锡的氧化物。为了去除锡的氧化物，在一个实施例中使用卤素气体形成卤化物去除元素锡之前，或者在一个实施例中使用氢基团形成氢化物去除还原的氧化物之前，还原步骤是必须的。
氮基团可以用于去除碳沉积。因此，氢基团或氮基团或氢基团和氮基团在一个实施例中可以提供给收集反射镜50的至少部分表面，或者待清洁的其它(光学)元件的至少部分表面。这种表面例如是反射器142、143和146的EUV反射面或腔室42、48、44(IL)和PS，所述反射面可能被诸如锡和C的沉积物污染。术语“压力”因此特别地表示例如光刻装置的腔室或其它容积中的压力，所述光刻装置中布置有待清洁的元件。例如它表示照射光学系统IL或腔室42、48、44(IL)和PS，或者表示收集反射镜50内部承受的压力。
图3示意性地示出了其中感应地产生了放电的实施例(用于感应放电操作的固有元件例如电压电源没有包括在该示意图中)。示出的腔室300例如可以分别是腔室42、48、44(IL)和PS中的一个，所述腔室包括光学元件100。在该示意图中，反射镜或光栅示出为光学元件100，其特别地表示如上所述的光学元件中的任何一个。向该腔室提供例如含有氢或氮或氢和氮的气流155。至少部分气体155经受由放电发生器200产生的放电。在该实施例中，放电发生器200通过使用一个或多个线圈210产生感应放电。在一个实施例中，放电发生器200布置成产生RF感应放电。因此，放电发生器200后面的气体是含有基团的气体165。该含有基团的气体165可以用于清洁腔室300的壁和/或清洁光学元件100，或如上所述的其它元件，但没有在该示意图中示出。在一个实施例中，提供一排气口22，用于去除形成的产物70，所述产物例如包括氢化物(在使用含有氢的气体的情况下)、卤化物(在使用卤化物的情况下)、氮化物(在使用含有氮的气体的情况下)或上述产物中两种或多种的组合(在使用两种或多种这样的气体的组合的情况下)。在首先进行氢基团和/或氮基团清洁或处理之后，进行卤素清洁。
图4示意性地示出了其中以电容方式产生了放电的实施例(用于电容放电操作的固有元件没有包括在该示意图中)。示出的腔室300例如可以分别是腔室42、44(IL)和PS中的一个，所述腔室包括光学元件100。在该示意图中，反射镜或光栅示出为光学元件100，其特别地表示如上所述的光学元件中的任何一个。向该腔室提供例如含有氢或氮或氢和氮的气流155。至少部分气体155经受由放电发生器200产生的放电。在该实施例中，放电发生器200通过使用带电表面221和222如带电板产生电容放电，尽管这种板还包括壁的一部分，所述部分是导电的(即这种板与这种壁集成在一起)。电容器是一种器件，其可存储在一对导体(电镀薄膜或板或电极)之间形成的电场中的能量。这两个板(表面或电极)是导电的，并由绝缘体或电介质隔开。这里使用术语“板”。术语“板”也表示(带电)电极或(带电)表面。这些板或表面221和222彼此电绝缘，并可用作电极和相对电极。在一个实施例中，放电发生器200布置成产生RF电容放电。因此，在放电发生器200后面的气体是含有基团的气体165。该含有基团的气体165用于清洁腔室300的壁和/或清洁光学元件100，或如上所述的其它元件，但是没有在该示意图中示出。在一个实施例中，提供一排气口22，用于去除形成的产物170，所述产物例如包括氢化物(在使用含有氢的气体的情况下)、卤化物(在使用卤化物的情况下)、氮化物(在使用含有氮的气体的情况下)或上述产物中两种或多种的组合(在使用两种或多种这样的气体的组合的情况下)。在首先进行氢基团和/或氮基团清洁或处理之后，进行卤素清洁。
这里，用作电极和相对电极的带电表面、板或目标221和222还可以表示为“板”。这些板221和222布置成在它们之间产生电容感应放电，特别是RF放电。在一个实施例中，板或目标221和222可以用顶部绝缘层覆盖，以便防止电极电腐蚀，从而减少或防止在(洁净的)容积中产生附加的杂质。
应该理解，施加在线圈210或平板或目标221和222(以及240，参加下文)上的电压、频率等等可以选择成产生RF放电。
术语“布置成产生放电的放电发生器”表示该放电发生器包括源，所述源用于当放电发生器包括线圈210时提供通过线圈210的电流，所述放电发生器布置成产生感应放电，或者所述源用于当放电发生器200包括电极和相对电极(也表示为板或目标221和222(和240，参见下文))时在电极和对电极(例如板或目标221和222(和240，参见下文))上施加电压，所述放电发生器布置成产生电容放电。放电发生器200布置成产生基团，并如此布置使得可以使用所述基团来处理待处理的元件表面。
这里，根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置1，其包括辐射源SO和一个或多个光学元件，所述光刻装置1还包括布置成产生放电特别是射频放电的放电发生器200。在一个实施例中，放电发生器200布置成产生感应放电或电容放电。放电发生器200布置在光刻装置1中，至少部分含有基团的气体165与待清洁的元件(表面)相碰撞。这例如可以表示待清洁元件(表面)的放电230的距离为1m或更短以及可以使用气流。因此，在一个实施例中，放电发生器200布置成在距待清洁元件1m或更短的距离处产生放电。这意味着可以在距待清洁元件(的表面)1m或更短的距离处产生氢基团。因此，放电发生器200布置成能够利用放电发生器200从气体155(特别是H2、N2或N2和H2，尽管例如除了N2之外可应用或者可以替代地应用N2NH3)产生的基团对待处理或清洁的元件特别是光学元件进行处理或清洁。
图5a示意性地示出了与收集反射镜50集成的放电发生器200的实施例和变形。这里，光刻装置1(未示出，但是例如可以参见图2)包括收集反射镜50，其中收集反射镜50包括多个反射器142、143、146，以及其中放电发生器200与收集反射镜50集成在一起并布置成在至少两个反射器之间产生一个或多个放电230。放电230示意性地示出为阴影区230。收集反射镜50包括比所示的更多的反射器(或更少)以及产生比所示的更多的放电230。例如，放电230还可以在中心反射器142中产生。放电230的实际形式和形状当然可以和示意图不同，它可以取决于反射器(142、143和146)的几何结构、电压、放电发生器200的几何结构。
图5a示意性地示出了放电发生器200的两种可能变形的组合。在一个实施例中，光刻装置1(未示出，但是例如可以参见图2)包括收集反射镜50，其中收集反射镜50包括一个或多个导电线圈210。所述线圈至少部分地围绕反射器。因此，放电发生器200包括一个或多个导电线圈210，其可以用于产生感应放电。在其它实施例中，光刻装置1包括收集反射镜50，其中收集反射镜50包括多个反射器(142、143和146)，其中反射器(142、143和146等等)(围绕光轴O可旋转地对称，参见图2)包括一个或多个导电板(221、222(等等))，其中反射器上的导电板和相邻反射器上的导电板彼此绝缘。示意性地，仅仅示出了两个导电板221和222，它们布置在相邻的反射器146和143上。但是，每个反射器可以包括一个或多个导电板。所述导电板布置成用来产生电容放电，特别是在两个反射器之间。多个彼此相对布置的导电板可以用于在两个相邻的反射器之间产生多个放电230。在一个实施例中，含有氢和/或氮的气体155从侧面50b进入(下游)，即距离辐射源SO(同样参见图2)最远的收集反射镜50的开口，接着沿辐射源SO的方向流入收集器50内。然后具有氢化物和/或氮化物170的气体在最接近辐射源SO的开口50a处流出。在一个实施例中，线圈210与一个或多个反射器(142、143、146等等)集成在一起，以便避免反射损失。在又一个实施例中，线圈210布置在一个或多个反射器(142、143、146等等)上的多个位置处，在所述位置例如没有对线圈210的辐射源SO的直接辐射(阴影)。其例如可以在图5a中反射器的边缘右侧。
在另一个实施例中，参考图5b，通过使用中心结构(或者其它目标，特别是中心圆柱)230可以在中心反射器142内产生放电230，所述中心结构至少部分穿过中心空间180，并且在一个实施例中具有与光轴O对准的中心轴，该中心结构240或中心结构240的一个或多个部分可以用作导电板或目标222(电极)，以便在收集器142(对电极221)内即空间180内产生RF电容放电。该中心结构240没有在图5a中示出，但是其在图5b中以收集反射镜50的前视图形式示出。
因此，反射器或部分反射器142、143、146以及中心结构或部分中心结构240可以分别用作电极和相对电极(221/222)，所述电极布置成产生电容感应RF放电。中心结构240可以作为收集反射镜50的支座和/或杂质屏障49的支座而提供。在一个实施例中，中心结构240特别是中心圆柱可以包含用于旋转杂质收集器49的旋转元件。因此，在一个实施例中提供一种光刻装置1，其中所述光刻装置1包括收集反射镜50，所述收集反射镜50包括多个反射器(142、143、146等等)，所述围绕光轴O可旋转对称布置的反射器还包括中心结构240，其中至少部分中心结构240布置成在中心结构230和相邻反射器142之间产生电容放电230。
因此，可以使用收集反射镜50中的多个元件，如反射器(142、143、146等等)以及中心结构240。为了产生电容感应的RF放电，选择这些元件中的两个或这些元件中的两个导电部，并在作为电极和对电极的这些元件或这些元件中的一部分之间施加电压。在其间产生放电的这些元件或这些元件中的一部分彼此电绝缘。
收集反射镜50内的其它目标是所谓的“星形轮”，其可用于布置线圈或板或杆等等，这些线圈或板或杆用于产生放电，或者这些目标本身可以用于产生放电(当电压施加到这种目标时)，所述星形轮是支撑反射镜142、143和146的支座。
因此，放电发生器200布置成提供放电(放电230，参见示意图5a和5b)，特别是RF放电，更加特别地是RF感应放电或电容放电，所述放电用于产生含有一种或多种基团的气体165，所述气体选自由含有氮基团的气体、含有氢基团的气体以及含有氢基团和氮基团的气体构成的组中，并且所述基团165用于清洁光刻装置中的一个或多个元件，特别是用于清洁一个或多个光学元件100。因此，放电发生器200布置成从至少部分气体155中产生氮基团或氢基团或氮基团和氢基团，所述气体含有选自由氮和氢构成的组中的一种或多种，由此形成含有基团的气体165，然后所述放电发生器布置成向所述装置的一个或多个元件提供含有气体165的基团，用于清洁这些元件特别是光学元件100(例如收集反射镜50)(的表面)。
在一个可替换的实施例中，提供布置成产生放电的放电发生器，所述放电选自由直流放电、交流放电、微波放电和螺旋放电构成的组中。此外通过这种方式可以产生多种基团，所述基团用于去除碳沉积物、去除锡沉积物、还原氧化锡沉积物或去除氧。
因此，根据一个实施例不使用热的W线从H2中产生H基团，而是通过施加RF感应放电或电容放电。这就消除了W蒸发(和/或其它电线材料)的可能性，以及因此消除了对反射镜或其它光学元件的潜在损害。在一个实施例中，在收集反射镜50内部产生RF放电。在这种情况下，反射器(外壳)(142、143、146等等)在一个实施例中交替地彼此绝缘，并在各个反射器(外壳)之间产生RF放电。H2或N2或H2和N2将进入外壳，从而将在外壳(142、143、146等等)中的每个位置局部地产H或N或H和N。然后使用H还原SnOx(锡的氧化物)，以便于进一步的卤素清洁和使用H的直接的锡清洁，此外H还可以用于去除碳沉积物或去除(例如遗留在系统中的)氧。对于后两种处理，也可以使用氮，因为氮基团能够与形成挥发性氮化物的碳沉积物以及形成氮氧化物的氧发生反应。该局部产物可在反射镜上提供较低且均匀的H浓度，并因此减小H反射镜损坏的概率。
此外，当H2(或存在类似物)促进还原反应和锡的清洁反应时可在RF放电中产生H+、H2 +和H3 +。
与原子氢相比，原子氮大体上不能穿过例如EUV反射镜(例如EUV光刻装置中的收集反射镜50)的Ru保护层，由此它不会损坏EUV反射镜。此外，假定原子氮由于其较大的化学势以及和碳、氧形成的气态物质比氢和碳、氧形成的气态物质更稳定的能力，因此它在清洁作为ML反射镜的EUV腔室中具有更大的化学效率。因此清洁速度更快。较大的N的浓度(由于不存在进入Ru保护层的漫射)同样可以增大清洁速度。
在一个实施例中，光刻装置包括EUV光刻装置。但是本发明不仅限于EUV辐射，而且还可以用于使用了如上所述的其它辐射的光刻装置。
尽管在本申请中可以具体参考使用该光刻装置制造IC，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应该理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用可以认为分别与更普通的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如涂布显影装置(通常将抗蚀剂层施加于基底上并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。
尽管在上面可以具体参考在光学光刻法中使用本发明的实施例，但是应该理解本发明可以用于其它应用，例如压印光刻法，在本申请允许的地方，本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中，构图部件中的外形限定了在基底上形成的图案。构图部件的外形还可以挤压到施加于基底上的抗蚀剂层中，并在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合使抗蚀剂固化。在抗蚀剂固化之后，可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。
尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解可以不同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。
上面的描述是为了说明，而不是限制。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面描述的权利要求的范围的条件下，可以对所描述的发明进行各种修改。
动词“包括”和其变形的使用不排除存在权利要求中描述的那些元件或步骤。在元件前面的冠词“一”或“一个”不排除存在多个这种元件。本发明可以通过包括几个不同元件的硬件以及通过适当编程的计算机来实施。在列举几个设备/装置的设备权利要求中，通过硬件的一个和相同项目可以包括几个这样的设备/装置。在相互不同的从属权利要求中描述的某些措施不表示不能有利地使用这些措施的组合。

Claims (31)

1.一种用于清洁光刻装置的元件的方法，包括：
提供含有氮的气体；
从至少部分气体产生氮基团，由此形成含有基团的气体；
向所述装置的一个或多个元件提供至少部分含有基团的气体
2.如权利要求1所述的方法，其中所述光刻装置包括EUV光刻装置。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述气体包括N2。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述气体还包括H2。
5.如权利要求1所述的方法，其中利用放电由所述气体产生所述基团。
6.如权利要求1所述的方法，其中利用射频放电由所述气体产生所述基团。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述放电包括感应放电或电容放电。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述光刻装置的元件选自由以下元件构成的组中：反射镜、光栅、中间掩模版、传感器、支座、光刻装置的腔室和光刻装置的壁。
9.如权利要求7所述的方法，其中所述气体还包括卤素。
10.如权利要求1所述的方法，其中通过向所述元件提供含有氢基团的气体，并且随后向所述元件提供含有氮基团的气体来清洁所述一个或多个元件。
11.如权利要求1所述的方法，其中通过提供含有基团的气体，并且随后向所述元件提供含有卤素的气体来清洁所述元件。
12.一种用于清洁光刻装置的一个或多个元件的方法，包括：
提供含有从氮和氢构成的组中选择的一种或多种的气体；
从至少部分气体产生氮基团和/或氢基团，由此形成含有基团的气体；向所述装置的元件提供至少部分含有基团的气体。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述光刻装置包括EUV光刻装置。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述气体包括N2。
15.如权利要求12所述的方法，其中所述气体包括H2。
16.如权利要求12所述的方法，其中利用放电由所述气体产生所述基团。
17.如权利要求12所述的方法，其中利用射频放电从所述气体产生所述基团。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述放电包括感应放电或电容放电。
19.如权利要求12所述的方法，其中所述光刻装置的元件选自由以下元件构成的组中：反射镜、光栅、中间掩模版、传感器、支座、光刻装置的腔室和光刻装置的壁。
20.如权利要求12所述的方法，其中所述气体还包括卤素。
21.如权利要求12所述的方法，其中通过向所述元件提供含有氢基团的气体，并且随后向所述一个或多个元件提供含有氮基团的气体来清洁所述元件。
22.如权利要求12所述的方法，其中通过向所述一个或多个元件提供包括基团的气体，并且随后向所述一个或多个元件提供含有卤素的气体来清洁所述元件，其中所述基团含有选自氢基团和氮基团构成的组中的基团。
23.一种光刻装置，包括
辐射源；
光学元件；
布置成产生射频放电的放电发生器。
24.如权利要求23所述的光刻装置，其中所述放电发生器布置成产生感应放电或电容放电。
25.如权利要求23所述的光刻装置，其中所述光刻装置是EUV光刻装置。
26.如权利要求23所述的光刻装置，其中所述放电发生器与收集反射镜集成在一起。
27.如权利要求23所述的光刻装置，还包括：
收集反射镜，其中所述收集反射镜包括多个反射器，所述放电发生器与收集反射镜集成在一起，并配置成在两个反射器之间产生放电。
28.如权利要求23所述的光刻装置，还包括：
收集反射镜，其中所述收集反射镜包括一个或多个导电线圈。
29.如权利要求23所述的光刻装置，还包括：
收集反射镜，其中所述收集反射镜包括反射器，所述反射器包括导电板，并且在一个反射器上的导电板与在相邻反射器上的导电板彼此绝缘。
30.如权利要求23所述的光刻装置，还包括：
收集反射镜，其中所述收集反射镜包括反射器，所述反射器围绕光轴可旋转对称地布置；和
中心结构，其中至少部分中心结构配置成在中心结构和相邻的反射器之间产生电容放电。
31.如权利要求23所述的光刻装置，其中所述放电发生器布置成产生1-1000MHz的射频放电。
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