JPH04110800A - 標的物質の供給装置 - Google Patents

標的物質の供給装置

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JPH04110800A
JPH04110800A JP23178790A JP23178790A JPH04110800A JP H04110800 A JPH04110800 A JP H04110800A JP 23178790 A JP23178790 A JP 23178790A JP 23178790 A JP23178790 A JP 23178790A JP H04110800 A JPH04110800 A JP H04110800A
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JP
Japan
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hole
laser beam
target
liquid
laser
Prior art date
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Pending
Application number
JP23178790A
Other languages
English (en)
Inventor
Masabumi Jinno
神野 正文
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Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、レーザ光を所定の物質に照射することによっ
てプラズマ化し、X線あるいはイオン等を発生する装置
において、標的物質をレーザ光照射位置に連続的に供給
するための装置に関する。
〈従来の技術〉 例えばレーザプラズマX線源においては、標的として固
体金属などが用いられているか、レーザ光の照射によっ
て標的物質は分解または蒸発して消耗する。そのため、
レーザ光照射位置に次々と標的物質を供給する必要かあ
る。
従来、この供給を行う方法としては、円筒体や平板状に
形成した固体標的物質を移動させる方法あるいは移動す
るベルト上に液体の標的物質を滴下し瞬時に冷却固化さ
せる方法等かある。
〈発明か解決しようとする課題〉 ところで、固体の標的物質を移動させる方法によれば、
面積に限りがあるため標的物質を頻繁に交換する必要が
あり、X線源等の装置の長時間連続運転かできないとい
った問題かある。一方、ベルトを用いた方法によると、
液体窒素なとの冷媒か必要になる上、供給装置全体の構
造か複雑になるという問題かある。
本発明は、上記の従来装置の諸問題を一挙に解決すへく
なされたもので、標的物質を長時間交換する必要がなく
、しかも構造か簡単な標的物質の供給装置の提供を目的
としている。
〈課題を解決するための手段〉 上記の目的を達成するだめの構成を、実施例に対応する
第1図、第2図を参照しつつ説明すると、本発明は、液
状の標的物質を貯溜する貯溜槽1と、貫通孔2a・・・
2aか穿たれた部′N(ディスク)2と、この部材2を
移動させ、貫通孔2aを貯溜槽2の液状材料M中もしく
はその液面上方に交互に位置させるだめの手段(例えば
ディスク2を回転させるパルスモータ3等)を有し、貫
通孔2aか貯溜槽2の液体中からその上方位置へと移動
したときに、その貫通孔2aに捕捉される物質Mをレー
ザ光りを照射すべき標的としたことによって特徴づけら
れる。
〈作用〉 貫通孔2aを、貯溜槽2の液状標的物質M中に浸した状
態からその液面上方に移動させると、この貫通孔2aに
は表面張力により標的物質Mか捕捉される。この捕捉さ
れた標的物質Mはレーザ光照射によりその一部もしくは
全てか消失するか、貫通孔2aを再び貯溜槽2の液体中
に浸すことでその貫通孔2aには再び標的物質Mが捕捉
される。
従って以上の操作を順次繰り返すことによって、レーザ
光照射位置に標的物質Mを連続的に供給することかでき
る。
〈実施例〉 本発明の実施例を、以下、図面に基ついて説明する。
第1図は本発明実施例の構成図で、(a)は正面図、ま
た(b)は側面図である。第2図は第1図(a)のII
−■断面拡大図である。
ディスク2には、回転中心と同心の円周に沿って複数個
の貫通孔2a・・・2aか等ピッチで穿たれている。こ
のディスク2はパルスモータ3によって断続的に回転運
動か与えられるわけであるが、このパルスモータ3は、
標的物質をプラズマ化するために用いられるパルスレー
ザ4の1パルス発振ごとに、貫通孔2a・・・2aの配
列ピッチ分だけディスク2を回転するよう構成されてい
る。そして、このようなディスク2の下方一部が貯溜槽
1内の液体標的物質M中に浸されている。
次に、以上の本発明実施例の使用方法ならびに作用を述
べる。
まず、パルスレーザ4の光軸か、貯溜槽1上方位置の貫
通孔2aのいずれか一つの中心位置に一致するように、
ディスク2とパルスレーザ4との相対的な位置合わせを
行ってお(。次に、パルスモータ3に適当な数のパルス
信号を与えてディスク2を回転させ、貯溜槽1の液体標
的物質M中に浸されていた貫通孔2aをパルスレーザ4
の光軸位置まで移動させる。このとき、液体標的物質M
中に浸されていた貫通孔2aが液面上方に出た時点て、
その孔2a内に、第2図に示すように液体標的物質Mか
捕捉される。従って以上の操作により、レーザ光照射位
置に液体標的物質Mが供給されたことになる。そしてこ
の状態でパルスレーザ4の発振を行うと、貫通孔2a内
に捕捉されだ液体標的物質Mにレーザ光しか照射され、
プラズマか発生する。これに伴って有用なX線等の電磁
波やイオンが発生する。
ここで、1パルスのレーザ光照射で、貫通孔2aに捕捉
された液体標的物質Mは分解・蒸発して破壊されるが、
レーザ発振の1シヨツトごとにディスク2を回転させる
ことにより、レーザ光り照射位置には、液体標的物質M
を捕捉した次の貫通孔2aが順次配置される。また、レ
ーザ光照射によって標的物質が破壊された貫通孔2aは
貯溜槽1の液体標的物質M中を通り抜けることによって
、その孔2aには標的物質Mが再び捕捉される。以上の
ようにして、レーザ光り照射位置に標的物質Mを連続的
に供給することかできる。
以上の本発明実施例によれば、レーザ光りの標的物質M
への入射面とは反対面側に電磁波やイオンなどの出力を
得ることかできるため、例えばX線源等の装置に適用す
るにあたり、その装置設計の際の自由度が大きくなる。
また、ディスク2の貫通孔2aの内壁面は発生プラズマ
の膨張を妨げるため、これにより、例えばX線源等にお
いて軟X線の発生効率を高めることかできるいった効果
も期待できる。
なお、以上の本発明実施例においては、ディスク2を回
転させることによって貫通孔2aを、貯溜槽内とレーザ
光照射位置との間を往復させているか、例えば貫通孔を
備えた円筒体を回転させたりあるいは貫通孔を備えた平
板やテープを平行移動させてもよく、要するに、貫通孔
をもつ部材を移動させ、その貫通孔を貯溜槽内とレーザ
光照射との間を往復できる構造であれば特に限定されな
い。
また、以上の本発明実施例では、貫通孔2aに捕捉され
た標的物質はレーザ光照射位置において液状のままであ
る物質に、本発明を適用した例について説明したか、標
的物質が貫通孔2aに捕捉された後、すぐに固体となる
物質であっても、動作原理は同じであり、例えば低融点
金属などを標的物質とする場合でも本発明を適用できる
。なお、この場合、必要に応じて貯溜槽に内部の標的物
質を加熱する手段を設けておく。さらに、標的物質か高
融点金属等である場合には、その金属の超微粒子を適当
な液体を媒体としてその液体中に分散させておくことで
、本発明の適用か可能となる。
本発明は、X線顕微鏡やX線分析装置のX線源のほか、
例えばイオン分析装置に用いられるイオン源等、電磁波
、荷電粒子あるいは中性子等を発生する種々の装置に適
用可能である。なお、貯溜槽に収容する標的物質自体を
分析試料とすれは、レーザ光照射によるプラズマの発光
やその発生イオンを分析することによって、新しい一次
的微量分析方法を提供できる可能性もある。
〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、液状の標的物質
を貯溜する貯溜槽と、貫通孔か穿たれた部材を移動させ
てその貫通孔を貯溜槽の液体標的物質もしくはその液面
上方に交互に位置させるための手段を備え、貫通孔か貯
溜槽の液体中からその上方位置へと移動したときに、そ
の貫通孔に捕捉される物質を標的としてレーザ光を照射
するよう構成したから、簡単な構造で、レーザ光照射位
置に標的材料を連続的に供給することができ、従来のよ
うな標的物質の交換作業が不要となる。これにより、例
えばX線源等の装置に本発明を適用すると、その装置を
長時間にわたって連続的に運転することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の構成図で、唾)は正面図(b)
は側面図である。また第2図は第1図(a)のI[−■
断面拡大図である。 1・・・貯溜槽 2・・・ディスク 2a・・・2a・・・貫通孔 3・・・パルスモータ 4・・・パルスレーザ 第2図 第1図 特許出願人    株式会社島津製作所代 理 人  
  弁理士 西1)新

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レーザ光を標的物質に照射することによってプラズマ化
    し、電磁波、荷電粒子もしくは中性粒子等を発生する装
    置において、標的物質をレーザ光照射位置に供給するた
    めの装置であって、液状の標的物質を貯溜する貯溜槽と
    、貫通孔が穿たれた部材と、この部材を移動させ、上記
    貫通孔を上記貯溜槽の液状物質中もしくはその液面上方
    に交互に位置させるための手段を有し、上記貫通孔が上
    記貯溜槽の液体中からその上方位置へと移動したときに
    、その貫通孔に捕捉される物質をレーザ光を照射すべき
    標的としたことを特徴とする、標的物質の供給装置。
JP23178790A 1990-08-31 1990-08-31 標的物質の供給装置 Pending JPH04110800A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001357997A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Teikoku Electric Mfg Co Ltd レーザプラズマx線発生装置
WO2003013197A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-13 Japan Science And Technology Agency Method and apparatus for generating x-ray
JP2004165155A (ja) * 2002-09-19 2004-06-10 Asml Netherlands Bv 放射源、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
JP2007505460A (ja) * 2003-09-11 2007-03-08 コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ.ブイ. 極紫外放射又は軟x線放射を生成する方法及び装置
JP2008204940A (ja) * 2007-01-25 2008-09-04 Xtreme Technologies Gmbh 電気的に作動するガス放電により極紫外放射線を発生するための方法及び装置
JP2011529619A (ja) * 2008-07-28 2011-12-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Euv放射又は軟x線を生成する方法及び装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001357997A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Teikoku Electric Mfg Co Ltd レーザプラズマx線発生装置
WO2003013197A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-13 Japan Science And Technology Agency Method and apparatus for generating x-ray
US7023961B2 (en) 2001-07-31 2006-04-04 Japan Science And Technology Agency Method and apparatus for generating X-ray
JP2004165155A (ja) * 2002-09-19 2004-06-10 Asml Netherlands Bv 放射源、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
JP2007305992A (ja) * 2002-09-19 2007-11-22 Asml Netherlands Bv 放射源を動作させる方法、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
US7528395B2 (en) 2002-09-19 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4580959B2 (ja) * 2002-09-19 2010-11-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 放射源、リソグラフィ投影装置及びデバイス製造方法
JP2007505460A (ja) * 2003-09-11 2007-03-08 コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ.ブイ. 極紫外放射又は軟x線放射を生成する方法及び装置
JP4667378B2 (ja) * 2003-09-11 2011-04-13 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 極紫外放射又は軟x線放射を生成する方法及び装置
JP2008204940A (ja) * 2007-01-25 2008-09-04 Xtreme Technologies Gmbh 電気的に作動するガス放電により極紫外放射線を発生するための方法及び装置
JP2011529619A (ja) * 2008-07-28 2011-12-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Euv放射又は軟x線を生成する方法及び装置

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