DE102005039849B4 - Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung - Google Patents
Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102005039849B4 DE102005039849B4 DE102005039849A DE102005039849A DE102005039849B4 DE 102005039849 B4 DE102005039849 B4 DE 102005039849B4 DE 102005039849 A DE102005039849 A DE 102005039849A DE 102005039849 A DE102005039849 A DE 102005039849A DE 102005039849 B4 DE102005039849 B4 DE 102005039849B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrodes
- radiation
- capacitor elements
- discharge
- discharge area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
Abstract
eine Entladungskammer, die einen Entladungsbereich für die Gasentladung zur Ausbildung eines die Strahlung emittierenden Plasmas aus einem Ausgangsmaterial und eine Emissionsöffnung für die erzeugte Strahlung aufweist,
eine erste und eine zweite drehbar gelagerte Elektrode und eine Hochspannungsversorgung zur Erzeugung von Hochspannungsimpulsen zwischen den beiden Elektroden,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Elektroden (1, 2, 1', 2') mit gegenseitigem Abstand starr miteinander verbunden und um eine gemeinsame Achse (X-X) drehbar gelagert sind, wobei durch den gegenseitigen Abstand ein Freiraum gebildet wird, in dem Kondensatorelemente (5) der Hochspannungsversorgung angeordnet sind, und dass die Elektroden (1, 2, 1', 2') sowohl mit den Kondensatorelementen (5) als auch mit einer Spannungsquelle (6) zur Aufladung der Kondensatorelemente (5) elektrisch verbunden sind.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung enthaltend eine Entladungskammer, die einen Entladungsbereich für die Gasentladung zur Ausbildung eines die Strahlung emittierenden Plasmas aus einem Ausgangsmaterial und eine Emissionsöffnung für die erzeugte Strahlung aufweist, eine erste und eine zweite drehbar gelagerte Elektrode und eine Hochspannungsversorgung zur Erzeugung von Hochspannungsimpulsen zwischen den beiden Elektroden.
- Es sind bereits vielfach auf unterschiedlichen Konzepten beruhende Strahlungsquellen beschrieben worden, die auf gasentladungserzeugten Plasmen basieren. Gemeinsames Prinzip dieser Einrichtungen ist es, dass eine gepulste Hochstromentladung von mehr als 10 kA in einem Gas bestimmter Dichte gezündet und als Folge der magnetischen Kräfte und der dissipierten Leistung im ionisierten Gas lokal ein sehr heißes (kT > 20 eV) und dichtes Plasma erzeugt wird.
- Von besonderer Bedeutung ist es, die Lebensdauer der Quellenkomponenten weiter zu erhöhen, da durch deren Austausch Stillstandszeiten in Produktionsanlagen, in denen die Strahlungsquellen zum Einsatz kommen, entstehen.
- Bei Strahlungsquellen, die auf einer Gasentladung basieren, ist es vor allem das Elektrodensystem, insbesondere die Elektroden, die einem hohen aufheizungs- und erosionsbedingten Verschleiß unterliegen.
- Während die Aufheizung der Elektroden vor allem durch den Stromfluss durch die Elektroden und durch die Strahlung des Plasmas hervorgerufen wird, führen schnelle Teilchen, die aus dem strahlungsemittierenden Plasma austreten, zur Erosion.
- Bekannte Lösungen entsprechend der
WO 2005/025280 A2 RU 2 252 496 C2 - Bei der für metallische Emitter geeigneten Vorrichtung gemäß der
WO 2005/025280 A2 - Die
WO 2005/025280 A2 - Da die Kondensatoren außerhalb der Entladungskammer angeordnet sind, resultiert zwangsläufig eine hohe Induktivität des Entladungskreises aufgrund der erforderlichen Stromdurchführungen bis zu den Elektroden. Das hat zur Folge, dass sich die zeitliche Dauer der Stromimpulse durch die Elektroden verlängert, wodurch die Energie, welche im Plasma deponiert werden kann, nicht effizient für die Strahlungserzeugung genutzt werden kann.
- Es besteht deshalb die Aufgabe, die Induktivität des Entladungskreises für die Gasentladung bei gleichzeitig erhöhter Lebensdauer des Elektrodensystems erheblich herabzusetzen. Zudem soll der Einsatz unterschiedlicher Emitter gewährleistet sein.
- Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass die Elektroden mit gegenseitigem Abstand starr miteinander verbunden und um eine gemeinsame Achse drehbar gelagert sind, wobei durch den gegenseitigen Abstand ein Freiraum gebildet wird, in dem Kondensatorelemente der Hochspannungsversorgung angeordnet sind, und dass die Elektroden sowohl mit den Kondensatorelementen als auch mit einer Spannungsquelle zur Aufladung der Kondensatorelemente elektrisch verbunden sind.
- Durch die Anordnung der für die Speicherung der elektrischen Energie notwendigen Kondensatorelemente zwischen den sich gemeinsam drehenden Elektroden und deren direkte elektrische Verbindung zu den Elektroden wird die Induktivität des Entladungskreises erheblich herabgesetzt. Das gewährleistet einen sehr schnellen Anstieg des Stromes während der Entladung und führt zu einer Erhöhung der Konversionseffizienz von elektrischer Energie zu emittierter Strahlungsenergie. Die Kondensatorelemente können entweder mit Gleichstrom oder mit kurzen Stromimpulsen aufgeladen werden.
- Eine besondere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass die Elektroden in elektrisch voneinander getrennte Schmelzbäder einer metallischen Schmelze eintauchen, wodurch es bei der Rotation der Elektroden zu einer Benetzung der Elektrodenoberfläche mit dem Metall kommt.
- Alternativ können die Elektroden in elektrischem Kontakt zu koaxial zur Drehachse ausgerichteten Eintauchelementen stehen, welche in die elektrisch voneinander getrennten Schmelzbäder eintauchen.
- Bei beiden Ausgestaltungen ist die elektrische Verbindung der Elektroden mit der Spannungsquelle über die Schmelzbäder geführt, wobei als metallische Schmelze ein Zinn- oder ein Lithiumbad vorgesehen sein kann.
- Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist vorgesehen, dass die von den Elektroden aufgenommene metallische Schmelze als Ausgangsmaterial für die Strahlungserzeugung dient.
- Alternativ kann aber auch eine Injektionseinrichtung auf den Entladungsbereich gerichtet sein, die eine Folge von Einzelvolumina des der Strahlungserzeugung dienenden Ausgangsmaterials als flüssige oder feste Tropfen bereitstellt und mit Abstand zu den Elektroden in den Entladungsbereich injiziert.
- Die Injektion der Einzelvolumina gewährleistet bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung, mit der insbesondere extrem ultraviolette Strahlung durch eine Gasentladung erzeugt werden kann, eine Maximierung des Abstandes zwischen dem Ort der Plasmaerzeugung und den Elektroden.
- In Verbindung mit der Rotation der Elektroden führt die der Abstandsvergrößerung dienende Maßnahme, bei der das als Emitter vorgesehene Ausgangsmaterial für die Strahlungserzeugung im dichten Zustand als Tröpfchen oder Kügelchen an einen für die Plasmaerzeugung optimalen Ort platziert und vorionisiert wird, zu einer Erhöhung der Lebensdauer der Elektroden. Weiterhin können Einschränkungen hinsichtlich des Emittermaterials selbst beseitigt werden, so dass sowohl Xenon als auch Zinn sowie Zinnverbindungen oder Lithium zur Anwendung kommen können.
- Unter dichtem Zustand soll Festkörperdichte oder eine Dichte wenige Größenordnungen unterhalb der Festkörperdichte verstanden werden.
- Erfindungsgemäß wird die für die gewünschte Strahlungsemission im EUV-Wellenlängenbereich optimale Emitteranzahl je Entladungspuls nahezu unabhängig von der Hintergrundgasdichte durch die Größe der eingebrachten Einzelvolumina bestimmt. In diesem Sinne erfolgt die Zufuhr des als Emitter dienenden Ausgangsmaterials in regenerativer und echter massenlimitierter Form.
- Ein weiterer Vorteil der Bereitstellung des Emittermaterials in Form von kleinen Einzelvolumina durch eine Injektionseinrichtung besteht in der Möglichkeit, Tropfen des Emittermaterials an einer beliebigen Stelle des Elektrodenumfangs einbringen zu können. Damit kann eine Strahlungsquelle verwirklicht werden, die Strahlung in einer beliebigen Richtung abstrahlt.
- Besonders vorteilhaft ist es, wenn auf das Ausgangsmaterial für die Strahlungserzeugung ein von einer Energiestrahlquelle bereitgestellter Energiestrahl gerichtet ist, wodurch eine zumindest teilweise Vorionisation des Ausgangsmaterials erfolgt, die eine optimale Einkopplung der Entladungsenergie in das Ausgangsmaterial gewährleistet. Außerdem kann die Geometrie der Elektroden gegenüber der reinen Verwendung von bevorzugt Argon als Hintergrundgas deutlich vergrößert werden.
- Als Energiestrahlquellen eignen sind Laser-, Elektronen- oder Ionenstrahlquellen.
- Dem Schutz vor unerwünschten Materialablagerungen an Elektroden, den Kondensatoren bzw. an den Einrichtungen, welche den Abstand der Elektroden gewährleisten dient eine Einrichtung, die in dem Freiraum zwischen den Elektroden, insbesondere zwischen dem Entladungsbereich und den Kondensatorelementen angeordnet ist, und die eine Labyrinthdichtung aus elektrisch isolierenden oder metallischen Zylinderringen umfasst, die wechselseitig an den Elektroden angebracht sind, sich zumindest teilweise überlappen und die Kondensatorelemente umschließen.
- Die Erfindung soll nachstehend anhand der schematischen Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigen:
-
1 eine Drehelektroden-Anordnung, bei der die Elektroden in eine Metallschmelze eintauchen -
2 eine Drehelektroden-Anordnung, bei der das Ausgangsmaterial zur Strahlungserzeugung in Form von Einzelvolumina in den Entladungsbereich eingebracht wird -
3 eine Drehelektroden-Anordnung mit tropfenförmig injiziertem Xenon als Ausgangsmaterial und mit einer Stromzufuhr über Schleifkontakte -
4 eine Drehelektroden-Anordnung mit tropfenförmig injiziertem Xenon als Ausgangsmaterial und mit einer Stromzufuhr über elektrisch isolierte Schmelzbäder metallischer Schmelzen -
5 eine Variante der Ausführung gemäß4 , bei der die Drehachse der Drehelektroden-Anordnung vertikal gelegt ist -
6 eine Gasentladungsquelle mit einer erfindungsgemäßen Drehelektroden-Anordnung - Bei der in
1 dargestellten Drehelektroden-Anordnung sind zwei Elektroden1 ,2 mittels Abstandshalter3 aus isolierendem Material fest miteinander verbunden und um eine gemeinsame, durch eine Welle4 verlaufende Drehachse X-X drehbar gelagert. In dem Freiraum zwischen den Elektroden1 ,2 ist eine Vielzahl elektrisch mit den Elektroden verbundener Kondensatorelemente5 , die bevorzugt als Keramikkondensatoren ausgebildet sind, angeordnet, zu deren Aufladung eine Spannungsquelle6 einer Hochspannungsversorgung dient. Die Kondensatorelemente5 sorgen dafür, dass eine Gasentladung mit Repetitionsfrequenzen von mehreren kHz betrieben werden kann. - In einer ersten Ausführung sind elektrisch voneinander getrennte Schmelzbäder
7 ,8 einer metallischen Schmelze vorgesehen, in welche die Elektroden1 ,2 eintauchen, so dass infolge der Rotation der Elektroden1 ,2 eine Aufnahme der als Ausgangsmaterials zur Strahlungserzeugung vorgesehenen metallischen Schmelze erfolgt. - Damit sind selbstheilende Elektroden geschaffen, bei denen durch ständiges Auftragen des Ausgangsmaterials für die Strahlungserzeugung einer Erosion der Elektroden entgegenwirkt werden kann.
- Da die beiden Schmelzbäder
7 ,8 , die bevorzugt Zinnbäder sind, in elektrischem Kontakt mit der Spannungsquelle6 stehen, kann die Aufladung der Kondensatorelemente5 über diese Schmelzbäder7 ,8 und die Elektroden1 ,2 erfolgen. - Ein von einer Energiestrahlquelle
9 bereitgestellter Energiestrahl10 ist auf eine Elektrodenoberfläche11 gerichtet, so dass auf der Oberfläche befindliches Ausgangsmaterial für die Strahlungserzeugung verdampft wird. Da sich das verdampfte Ausgangsmaterial zwischen den beiden Elektroden1 ,2 ausbreitet, werden die Voraussetzungen für die Entladung der Kondensatorelemente5 geschaffen, wodurch sich infolge der Zündung einer Gasentladung ein kleines, heißes Plasma12 im Entladungsbereich13 ausbildet, welches elektromagnetische Strahlung im bevorzugten Wellenlängenbereich emittiert. - Als Energiestrahlquelle
9 eignen sich insbesondere Laserstrahlquellen sowie Ionen- oder Elektronenstrahlquelle. - Besonders wichtig für die Funktion der Drehelektroden-Anordnung ist es, dass weder die Kondensatorelemente
5 noch die Abstandshalter3 mit elektrisch leitfähigen Materialien beaufschlagt werden, welche nach der Entladung an Flächen im Inneren der Gasentladungsquelle kondensieren können. Deshalb weist die Drehelektroden-Anordnung in dem Freiraum zwischen den Elektroden1 ,2 eine Schutzeinrichtung in Form einer Labyrinthdichtung14 auf, welche aus koaxial zur Drehachse X-X ausgerichteten zylindrischen Ringen14.1 aus Metall oder elektrisch isolierender Keramik besteht, die wechselseitig an den Elektroden1 ,2 angebracht sind, sich zumindest teilweise überlappen und die Kondensatorelemente5 und die Abstandshalter3 umschließen. Bei geeigneter Dimensionierung des Labyrinths wird eine lange Betriebsdauer ohne Beeinträchtigung durch Kondensate gewährleistet. - Gemäß einer zweiten Ausführung der Erfindung ist vorgesehen, dass das Ausgangsmaterial, z. B. Zinn, in Form von Einzelvolumina
15 in den Entladungsbereich13 eingebracht wird, insbesondere an einen beabstandet zu den Elektroden1 ,2 vorgesehenen Ort im Entladungsbereich13 , an dem die Plasmaerzeugung erfolgt. Bevorzugt werden die Einzelvolumina15 als kontinuierlicher Tropfenstrom in dichter, d. h. in fester oder flüssiger Form durch eine auf den Entladungsbereich13 gerichtete Injektionseinrichtung16 bereitgestellt. - Der von der Energiestrahlquelle
9 erzeugte gepulste Energiestrahl10 , der bevorzugt ein Laserstrahl einer Laserstrahlungsquelle sein kann, ist zeitsynchron zur Frequenz der Gasentladung auf den Ort der Plasmaerzeugung im Entladungsbereich13 gerichtet, um einen der Tropfen vorzuionisieren. Eine hier nicht dargestellte Strahlfalle kann dafür vorgesehen sein, nicht absorbierte Energiereststrahlung vollständig aufzunehmen. - Die Tropfeninjektion besitzt den Vorteil, dass der Abstand zwischen dem Plasma
12 und den Elektroden1 ,2 gegenüber einer Ausführung gemäß1 , bei der das Ausgangsmaterial von der Elektrodenoberfläche abgedampft wird, vergrößert werden kann, was zu einer Verringerung der Erosion der Elektrodenoberfläche führt. Das ist auch dann von Vorteil, wenn die Elektroden1 ,2 durch eine Metallschmelze laufen, da erodiertes Material potentiell zu einer Verschmutzung der Gasentladungsquelle bzw. der gesamten Anlage führen kann, in der die Gasentladungsquelle zum Einsatz kommt. - Ein derartiges, bei metallischen Emittern, insbesondere bei Zinn bestehendes Verschmutzungsproblem kann dadurch umgangen werden, dass als Einzelvolumina Tropfen aus gefrorenem Xenon gemäß
3 in den Entladungsbereich13 eingebracht und mittels Laserstrahlung verdampft werden. - Da die Erosion der Elektrodenoberfläche durch das Plasma
12 von der Temperatur der Elektroden1 ,2 abhängt, können diese im Inneren Kühlkanäle17 aufweisen, durch die Kühlflüssigkeit, z. B. Wasser, zur direkten Kühlung strömt. Wird die Kühlflüssigkeit mit hohem Druck durch die Kühlkanäle17 gepresst, erhöht das die Effizienz der Kühlung, insbesondere auch durch die erhebliche Erhöhung des Siedepunktes der Kühlflüssigkeit. - Die Zuführung der für die Gasentladung notwendigen elektrischen Energie von der Spannungsquelle
6 zu den Kondensatorelementen5 kann auf unterschiedliche Weise erfolgen. - So ist gemäß
3 vorgesehen, die Elektroden1 ,2 über Schleifkontakte18 mit der Spannungsquelle6 elektrisch zu verbinden. - Bei einer anderen Ausführung gemäß
4 , bei der als Einzelvolumina15 ebenfalls Xenontropfen in den Entladungsbereich13 injiziert werden, erfolgt die Stromzufuhr zu den Kondensatorelementen5 über elektrisch isolierte Schmelzbäder7' ,8' metallischer Schmelzen, vorzugsweise Zinnbäder oder andere niedrigschmelzende metallische Bäder wie z. B. Galliumbäder. Im Unterschied zur Ausführung gemäß1 tauchen die Elektroden1 ,2 jedoch nicht direkt in die metallische Schmelze ein, sondern diese Aufgabe übernehmen ringscheibenförmige Eintauchelemente19 ,20 aus elektrisch leitfähigem Material, welche die Elektroden1 ,2 umschließen und mit diesen in elektrischem Kontakt stehen. Die Eintauchelemente19 ,20 sind in ihrer Form und Größe derart ausgebildet, dass eine Verdampfung des von ihnen aufgenommen Metalls verhindert wird. Insbesondere hat die benetzte Oberfläche der Eintauchelemente19 ,20 keine direkte Sichtlinie zum Plasma12 , wodurch eine Erosion verhindert wird. - Mit einer derartigen Lösung ist auch bei injizierten Xenontropfen eine verschleißfreie Stromzuführung zu den Kondensatorelementen
5 möglich, ohne dass es zu metallischen Ablagerungen in oder außerhalb der Gasentladungsquelle kommt. - Metallische Schmelzbäder haben bei Verwendung niedrigschmelzender Metalle ferner den Vorteil, dass diese unter Umständen zur Kühlung der Elektroden genutzt werden können, welche aufgrund der eingebrachten hohen elektrischen Leistungen oftmals weitaus höhere Temperaturen erreichen können als für den Betrieb der Schmelzbäder notwendig. Durch die Kühlung der Schmelzbäder kann diese überschüssige Wärme abgeführt werden.
- Bei einer konstruktiv anders gestalteten Variante der Ausführung gemäß
4 ist die Drehachse X-X entsprechend5 in die Vertikale gelegt. Für beide Elektroden1' ,2' sind elektrisch getrennte Schmelzbäder7'' ,8'' einer metallischen Schmelze, vorzugsweise Zinn, vorgesehen, welche die Welle4 koaxial umschließen und in welche die Elektroden1' ,2' mit zylinderringförmigen elektrischen Kontaktelementen21 ,22 eintauchen. Die Schmelzbäder7'' ,8'' sind mit Abdeckungen23 ,24 versehen, welche nur einen kleinen Spalt zu den Kontaktelementen21 ,22 freilassen, um die Verdampfung des geschmolzenen Metalls zu minimieren. - Ferner dienen die Schmelzbäder
7'' ,8'' gleichzeitig dazu, die aufgrund der Entladung in den Elektroden1' ,2' deponierte Wärme abzuführen, weshalb die Schmelzbäder7'' ,8'' in nicht dargestellter Weise geeignet gekühlt werden. - Auch hier kann das für die Erzeugung des Plasmas
12 notwendige Emittermaterial entweder in Tropfenform in den Entladungsbereich gebracht werden, wo es von einem Energiestrahl verdampft wird, oder es wird in geeigneter Weise auf die Oberfläche einer der Elektroden1' ,2' aufgebracht und von dort von einem Energiestrahl in den Entladungsbereich gebracht. - Keine einschränkenden Auswirkungen soll es haben, dass die wesentlichen Bestandteile der Gasentladungsquelle lediglich für die Ausführung gemäß
3 ergänzend in6 dargestellt sind. In analoger Weise sind diese Bestandteile selbstverständlich auch bei den übrigen Ausführungen der Erfindung zu finden. - Die erfindungsgemäße Drehelektroden-Anordnung ist in einer als Vakuumkammer ausgebildeten Entladungskammer
25 untergebracht, aus der heraus die elektrische Verbindung zu der Spannungsquelle6 über elektrische Vakuumdurchführungen26 ,27 erfolgt. - Die von dem heißen Plasma
12 emittierte Strahlung28 gelangt nach dem Durchlaufen einer Debrisschutzeinrichtung29 auf eine Kollektoroptik30 , welche die Strahlung28 auf eine Strahlaustrittsöffnung31 in der Entladungskammer25 richtet. Durch Abbildung des Plasmas12 mittels der Kollektoroptik30 wird ein in oder in der Nähe der Strahlaustrittsöffnung31 lokalisierter Zwischenfokus ZF generiert, der als Schnittstelle zu einer Belichtungsoptik in einer Halbleiterbelichtungsanlage dient, für welche die bevorzugt für den EUV-Wellenlängenbereich ausgebildete Gasentladungsquelle vorgesehen sein kann.
Claims (22)
- Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung enthaltend eine Entladungskammer, die einen Entladungsbereich für die Gasentladung zur Ausbildung eines die Strahlung emittierenden Plasmas aus einem Ausgangsmaterial und eine Emissionsöffnung für die erzeugte Strahlung aufweist, eine erste und eine zweite drehbar gelagerte Elektrode und eine Hochspannungsversorgung zur Erzeugung von Hochspannungsimpulsen zwischen den beiden Elektroden, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (
1 ,2 ,1' ,2' ) mit gegenseitigem Abstand starr miteinander verbunden und um eine gemeinsame Achse (X-X) drehbar gelagert sind, wobei durch den gegenseitigen Abstand ein Freiraum gebildet wird, in dem Kondensatorelemente (5 ) der Hochspannungsversorgung angeordnet sind, und dass die Elektroden (1 ,2 ,1' ,2' ) sowohl mit den Kondensatorelementen (5 ) als auch mit einer Spannungsquelle (6 ) zur Aufladung der Kondensatorelemente (5 ) elektrisch verbunden sind. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (
1 ,2 ) in elektrisch voneinander getrennte Schmelzbäder (7 ,8 ) einer metallischen Schmelze eintauchen, wodurch es bei der Rotation der Elektroden (1 ,2 ) zu einer Benetzung der Elektrodenoberfläche mit dem Metall kommt. - Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schmelze als Zinnbad ausgebildet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schmelze als Lithiumbad oder Galliumbad ausgebildet ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden (
1 ,2 ,1' ,2' ) in elektrischem Kontakt zu koaxial zur Drehachse (X-X) ausgerichteten Eintauchelementen (19 ,20 ,21 ,22 ) stehen, die in elektrisch voneinander getrennte Schmelzbäder (7' ,8' ,7'' ,8'' ) einer metallischen Schmelze eintauchen. - Vorrichtung nach Anspruch 3, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Verbindung der Elektroden (
1 ,2 ,1' ,2' ) mit der Spannungsquelle (6 ) über die Schmelzbäder (7 ,8 ,7' ,8' ,7'' ,8'' ) geführt ist. - Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass auf den Entladungsbereich (
13 ) eine Injektionseinrichtung (16 ) gerichtet ist, die eine Folge von Einzelvolumina (15 ) des der Strahlungserzeugung dienenden Ausgangsmaterials bereitstellt und mit Abstand zu den Elektroden (1 ,2 ,1' ,2' ) in den Entladungsbereich (13 ) injiziert. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf den Entladungsbereich (
13 ) eine Injektionseinrichtung (16 ) gerichtet ist, die eine Folge von Einzelvolumina (15 ) des der Strahlungserzeugung dienenden Ausgangsmaterials bereitstellt und mit Abstand zu den Elektroden (1 ,2 ,1' ,2' ) in den Entladungsbereich (13 ) injiziert, und dass die elektrische Verbindung der Elektroden (1 ,2 ) mit der Spannungsquelle (6 ) über Schleifkontakte (18 ) geführt ist. - Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die in den Entladungsbereich (
13 ) injizierten Einzelvolumina (15 ) als flüssige oder feste Tropfen ausgebildet sind. - Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Tropfen aus metallischem Material bestehen.
- Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass als metallisches Material Zinn oder Lithium vorgesehen ist.
- Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Tropfen aus flüssigem oder gefrorenem Xenon bestehen.
- Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die von den Elektroden (
1 ,2 ) aufgenommene metallische Schmelze als Ausgangsmaterials für die Strahlungserzeugung vorgesehen ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass auf das Ausgangsmaterial für die Strahlungserzeugung ein von einer Energiestrahlquelle (
9 ) bereitgestellter Energiestrahl (10 ) gerichtet ist, wodurch eine zumindest teilweise Vorionisation des Ausgangsmaterials erfolgt. - Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiestrahlquelle (
9 ) eine Laserstrahlquelle ist. - Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiestrahlquelle (
9 ) eine Elektronenstrahlquelle ist. - Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Energiestrahlquelle (
9 ) eine Ionenstrahlquelle ist. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Freiraum zwischen den Elektroden (
1 ,2 ) eine zwischen dem Entladungsbereich (13 ) und den Kondensatorelementen (5 ) angeordnete Einrichtung zum Schutz vor Materialablagerungen untergebracht ist. - Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung eine Labyrinthdichtung (
14 ) bestehend aus koaxial zur Drehachse (X-X) ausgerichteten zylindrischen Ringen (14.1 ) umfasst, die wechselseitig an den Elektroden (1 ,2 ) angebracht sind, sich zumindest teilweise überlappen und die Kondensatorelemente (5 ) umschließen. - Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die zylindrischen Ringe (
14.1 ) aus Metall bestehen. - Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die zylindrischen Ringe (
14.1 ) aus elektrisch isolierendem Keramikmaterial bestehen. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass in die Elektroden (
1 ,2 ) Kühlkanäle (17 ) eingelassen sind.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005039849A DE102005039849B4 (de) | 2005-08-19 | 2005-08-19 | Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung |
US11/464,887 US7800086B2 (en) | 2005-08-19 | 2006-08-16 | Arrangement for radiation generation by means of a gas discharge |
NL1032338A NL1032338C2 (nl) | 2005-08-19 | 2006-08-17 | Inrichting voor het opwekken van straling door middel van gasontlading. |
JP2006222496A JP4810351B2 (ja) | 2005-08-19 | 2006-08-17 | ガス放電による放射線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005039849A DE102005039849B4 (de) | 2005-08-19 | 2005-08-19 | Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005039849A1 DE102005039849A1 (de) | 2007-03-01 |
DE102005039849B4 true DE102005039849B4 (de) | 2011-01-27 |
Family
ID=37715361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005039849A Expired - Fee Related DE102005039849B4 (de) | 2005-08-19 | 2005-08-19 | Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7800086B2 (de) |
JP (1) | JP4810351B2 (de) |
DE (1) | DE102005039849B4 (de) |
NL (1) | NL1032338C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010050947A1 (de) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung des Quellortes der Erzeugung extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis eines Entladungsplasmas |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080239262A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source for generating electromagnetic radiation and method for generating electromagnetic radiation |
US20090095924A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | International Business Machines Corporation | Electrode design for euv discharge plasma source |
NL1036272A1 (nl) * | 2007-12-19 | 2009-06-22 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL1036595A1 (nl) * | 2008-02-28 | 2009-08-31 | Asml Netherlands Bv | Device constructed and arranged to generate radiation, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
JP4623192B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2011-02-02 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光光源装置および極端紫外光発生方法 |
DE102010047419B4 (de) | 2010-10-01 | 2013-09-05 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von EUV-Strahlung aus einem Gasentladungsplasma |
DE102012109809B3 (de) | 2012-10-15 | 2013-12-12 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung auf Basis eines Gasentladungsplasmas |
DE102013103668B4 (de) | 2013-04-11 | 2016-02-25 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Anordnung zum Handhaben eines flüssigen Metalls zur Kühlung von umlaufenden Komponenten einer Strahlungsquelle auf Basis eines strahlungsemittierenden Plasmas |
DE102013209447A1 (de) * | 2013-05-22 | 2014-11-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenquelle und Verfahren zur Erzeugung von Röntgenstrahlung |
US9301381B1 (en) | 2014-09-12 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Dual pulse driven extreme ultraviolet (EUV) radiation source utilizing a droplet comprising a metal core with dual concentric shells of buffer gas |
CN105573060B (zh) * | 2014-10-16 | 2017-12-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Euv光源和曝光装置、校准装置和校准方法 |
JP6477179B2 (ja) * | 2015-04-07 | 2019-03-06 | ウシオ電機株式会社 | 放電電極及び極端紫外光光源装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1401248A2 (de) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | ASML Netherlands B.V. | Strahlungsquelle, Lithographiegerät und Methode zur Herstellung von Bauelementen |
WO2005025280A2 (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-17 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Method and apparatus for producing extreme ultraviolett radiation or soft x-ray radiation |
RU2252496C2 (ru) * | 2002-07-31 | 2005-05-20 | Борисов Владимир Михайлович | Устройство и способ получения коротковолнового излучения из плазмы газового разряда |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10289797A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-27 | Sangyo Souzou Kenkyusho:Kk | X線発生装置 |
JPH1164598A (ja) * | 1997-08-26 | 1999-03-05 | Shimadzu Corp | レーザプラズマx線源 |
JP2001021697A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Shimadzu Corp | レーザープラズマx線源 |
JP5098126B2 (ja) * | 2001-08-07 | 2012-12-12 | 株式会社ニコン | X線発生装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2003288998A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Ushio Inc | 極端紫外光源 |
TWI266962B (en) * | 2002-09-19 | 2006-11-21 | Asml Netherlands Bv | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
US7154109B2 (en) * | 2004-09-30 | 2006-12-26 | Intel Corporation | Method and apparatus for producing electromagnetic radiation |
US7501642B2 (en) * | 2005-12-29 | 2009-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
-
2005
- 2005-08-19 DE DE102005039849A patent/DE102005039849B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-16 US US11/464,887 patent/US7800086B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-08-17 NL NL1032338A patent/NL1032338C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2006-08-17 JP JP2006222496A patent/JP4810351B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2252496C2 (ru) * | 2002-07-31 | 2005-05-20 | Борисов Владимир Михайлович | Устройство и способ получения коротковолнового излучения из плазмы газового разряда |
EP1401248A2 (de) * | 2002-09-19 | 2004-03-24 | ASML Netherlands B.V. | Strahlungsquelle, Lithographiegerät und Methode zur Herstellung von Bauelementen |
WO2005025280A2 (en) * | 2003-09-11 | 2005-03-17 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Method and apparatus for producing extreme ultraviolett radiation or soft x-ray radiation |
DE10342239A1 (de) * | 2003-09-11 | 2005-06-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Extrem-Ultraviolettstrahlung oder weicher Röntgenstrahlung |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
BORISOV,V., et al.: Power Scaling of DPP Source for EUV Lithography: Xe or Sn?. 3rd International EUVL Symposium, Nov. 1-4, 2004, Miyazaki, Japan. Im Internet: * |
BORISOV,V., et al.: Power Scaling of DPP Source for EUV Lithography: Xe or Sn?. 3rd International EUVL Symposium, Nov. 1-4, 2004, Miyazaki, Japan. Im Internet: <URL:www.sematech.org/resources/ltho/meetings/euvl/20041101euvl/presentations/day3/So10_Borisov.pdf> |
BORISOV,V., et al: EUV sources using Xe and Sn discharge plasmas. J. Phys. D: Appl. Phys., Nr. 37, 2004, S. 3254-3265 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010050947A1 (de) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung des Quellortes der Erzeugung extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis eines Entladungsplasmas |
US8546775B2 (en) | 2010-11-10 | 2013-10-01 | Xtreme Technologies Gmbh | Method and arrangement for the stabilization of the source location of the generation of extreme ultraviolet (EUV) radiation based on a discharge plasma |
DE102010050947B4 (de) * | 2010-11-10 | 2017-07-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Verfahren und Anordnung zur Stabilisierung des Quellortes der Erzeugung extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis eines Entladungsplasmas |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005039849A1 (de) | 2007-03-01 |
NL1032338A1 (nl) | 2007-02-20 |
JP2007053099A (ja) | 2007-03-01 |
NL1032338C2 (nl) | 2010-05-12 |
US7800086B2 (en) | 2010-09-21 |
JP4810351B2 (ja) | 2011-11-09 |
US20070040511A1 (en) | 2007-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102005039849B4 (de) | Vorrichtung zur Strahlungserzeugung mittels einer Gasentladung | |
DE102005023060B4 (de) | Gasentladungs-Strahlungsquelle, insbesondere für EUV-Strahlung | |
DE10342239B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Extrem-Ultraviolettstrahlung oder weicher Röntgenstrahlung | |
DE102005030304B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung | |
DE4113241C2 (de) | Gepulster Gasentladungslaser | |
DE10151080C1 (de) | Einrichtung und Verfahren zum Erzeugen von extrem ultravioletter (EUV-)Strahlung auf Basis einer Gasentladung | |
EP1248499B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von extrem ultravioletter Strahlung | |
EP0140005B1 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung einer Plasmaquelle mit hoher Strahlungsintensität in Röntgenbereich | |
DE102005041567A1 (de) | EUV-Strahlungsquelle mit hoher Strahlungsleistung auf Basis einer Gasentladung | |
DE102005025624A1 (de) | Anordnung zur Erzeugung von intensiver kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Gasentladungsplasmas | |
DE2628076A1 (de) | Elektronenabgabeanordnung | |
EP1691588A2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter (EUV-) Strahlung | |
DE102006015641B4 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung mittels einer elektrisch betriebenen Gasentladung | |
DE102006015640B3 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung auf Basis einer elektrisch betriebenen Gasentladung | |
DE102007060807B4 (de) | Gasentladungsquelle, insbesondere für EUV-Strahlung | |
DE10310623B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Plasmas durch eletrische Entladung in einem Entladungsraum | |
DE1640255A1 (de) | Funkenstreckenschalter | |
DE2824761A1 (de) | Entladungserhitzter kupferdampf-laser | |
DE1765430A1 (de) | Vakuumfunkenstrecken fuer hohe Stroeme | |
DE3303677C2 (de) | Plasmakanone | |
DE2528032C2 (de) | Elektronenstrahlerzeuger für Heiz-, Schmelz- und Verdampfungszwecke | |
DE3642749C2 (de) | ||
DE102006022823B4 (de) | Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung auf Basis eines Gasentladungsplasmas | |
DE1640824A1 (de) | Anschluss fuer Hochspannungs-Koaxialkabel | |
DE2638094C3 (de) | Vakuum-Lichtbogen-Erwärmungseinrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: XTREME TECHNOLOGIES GMBH, 37077 GOETTINGEN, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, 07743 JENA, DE |
|
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20110427 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA, JP Free format text: FORMER OWNER: XTREME TECHNOLOGIES GMBH, 37077 GOETTINGEN, DE Effective date: 20110712 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE Effective date: 20110712 |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA, JP Free format text: FORMER OWNER: XTREME TECHNOLOGIES GMBH, 52074 AACHEN, DE Effective date: 20131114 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE Effective date: 20131114 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |