CN1410804A - 电光学装置及其制造方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

电光学装置配有在TFT阵列基片上被配置在图像显示区域内的像素电极；被配置在位于图像显示区域外围的外围区域、构成外围电路的TFT；按照至少部分覆盖外围区域的原则被形成的保护膜。保护膜不被设置在图像显示区域内的各像素开口区域的至少一部分。这样，在液晶装置等电光学装置中，通过用保护膜保护被设置到基片上的晶体管等电子元件，可延长装置寿命，同时可防止由于该保护膜的存在引起的显示图像的质量下降。

Description

电光学装置及其制造方法和电子设备

技术领域

本发明涉及液晶装置等电光学装置及其制造方法，以及配有这种电光学装置的投射型显示装置等各种电子设备。

现有技术

在这种电光学装置中，在进行图像显示的图像显示区域，设有像素电极等显示电极，特别在有源矩阵驱动方式的场合下，在各像素电极内设有薄膜晶体管(以下在适当的场合下称为TFT(Thin FilmTransistor：薄膜晶体管)、薄膜二极管(以下在适当的场合下称为TFD(Thin Film Diods：薄膜二极管)等电子元件。此外，在位于基片上的图像显示区域的外围的外围区域，内设包含多个TFT、TFD等电子元件的扫描线驱动电路、数据线驱动电路等驱动电路等外围电路的所谓外围电路内置型或驱动电路内置型电光学装置也是常见的。

这种TFT等电子元件，受到水分或潮气的影响后其特性会发生变化，成为缩短该电光学装置本身的寿命的主要原因。因此，在这种电光学装置中，在内设了TFT等电子元件的图像显示区域和外围区域的整个区域，一般在电子元件的上侧形成保护膜。

发明内容

在这种电光学装置中，一般在要求延长装置寿命的同时，还要求具有较高的图像显示质量，作为其中一环，极重要的一条是能实现具有鲜明颜色再现性良好的图像显示。

然而，如上所述，在包括图像显示区域及外围区域的基片上的全部区域内形成了由氮化膜等组成的保护膜，特别在采用了透光性显示用电极的透过型电光学装置的场合下，不论保护膜的层叠位置如何，或者在采用了反射型显示用电极的反射型电光学装置的场合下，保护膜在反射面的上侧层叠后，由于保护膜的影响，透光率将降低，从而使显示图像变暗，这是一个问题点。如果，暗度难以观察或根据显示光的光量进行补偿，根据保护膜中的透光率的频率相关性，显示图像将附带特定的颜色，这也是一个问题点。更具体地说，比如一般将致密的耐湿性良好的氮化膜层叠成薄层，作为保护膜，也会产生显示图像发黄的问题。

这样，虽然保护膜作用下的耐湿性的提高一般与其膜厚成比例，但由于这种透光率的降低及附带特定颜色的现象也与其膜厚成比例，因而其结果是，如果想利用保护膜提高耐湿性，延长装置寿命，则由于保护膜的存在所引起的显示图像的质量下降将会增大。这样，要同时达到延长装置寿命和提高显示图像质量这两个目的是非常困难的。

再有，在比如像素电极等显示用电极与同其相连接的晶体管等电子元件之间存在由氮化膜等形成的保护膜等场合下，有时在构造上，有必要设置用于连接保护膜的上层侧与下层侧的传导孔等。然而，基本上希望呈致密形式的氮化膜等保护膜的蚀刻率一般都较低。因此，在上述的现有技术下单纯在整个基片上形成保护膜的场合下，也与此对应，存在与传导孔等的开孔等有关的制造工艺上的困难，因而最终为进行传导，不得不缩小各像素的开口区域(即在各像素中用于实际显示的光透过或反射的区域)，或者难于在被限定的各像素的非开口区域(即，在各像素中用于实际显示的光不透过或不反射的，除了开口区域之外的区域)内进行传导。这样，如果利用现有技术形成保护膜，则还存在一个难以扩大各像素的开口区域以得到鲜明的图像显示的问题点。

本发明考虑到了上述问题点，其课题是提供一种通过利用保护膜保护晶体管等电子元件，来延长装置寿命，可防止或减轻由于该保护膜的存在所引起的显示图像质量下降的电光学装置及其制造方法，以及配有这种电光学装置的投射型显示装置等电子设备。

本发明的第1电光学装置为解决上述课题，配有被配置在基片上的图像显示区域的显示用电极；被配置在位于上述图像显示区域外围的外围区域、构成外围电路的电子元件；按照至少部分覆盖上述外围区域的原则而被形成的保护膜，上述保护膜不被设置在上述图像显示区域内的各像素开口区域的至少一部分。

根据本发明的第1电光学装置，作为比如由多个晶体管等电子元件构成的外围电路的驱动电路，通过像素转换用晶体管等电子元件或者直接向像素电极、条状电极等的显示用电极提供图像信号等。这样，可实现有源矩阵驱动与无源矩阵驱动等。尤其是，外围区域，由于至少部分被保护膜覆盖，因而通过该保护膜的膜厚与膜质，根据形成区域等，可以提高针对被配置在外围区域内的晶体管等电子元件的耐湿性。此时，在外围区域中通过保护膜，不存在透光率下降对显示图像的影响。即，在对驱动频率与驱动电流等要求性能较高的外围电路被设置的外围区域内，由于可形成不会发生显示图像变暗或附带任何颜色的保护膜，因而可按照得到必要的耐湿性的原则形成该保护膜。

此外，根据本发明人的研究，(i)外围区域内的晶体管等电子元件，与图像显示区域内的晶体管等电子元件相比处于外围区域，容易受到来自外部的水分的影响，(ii)在图像显示区域内，存在用于图像显示的液晶等电光学物质，与外围区域相比，耐湿性基本较高，(iii)由于在图像显示区域中的像素转换控制中，一般不需要复杂性较高的控制，不采用互补型晶体管也可以，因而可以只由比如与P沟道型晶体管相比，更难于发生由湿气或水分引起的性能下降的N沟道型晶体管组成像素转换用电子元件，(iv)由于外围电路中的比如驱动电路等对驱动频率及驱动电流等要求的性能较高等各种因素，因而实际上该电光学装置的装置寿命取决于外围电路。因此，通过积极地保护构成外围电路的晶体管等电子元件，延长其寿命，对于延长整体装置的寿命有关。因此，根据第1电光学装置，由于存在覆盖外围区域的保护膜，因而可显著延长装置寿命，因而十分有利。

另一方面，在图像显示区域内，由于在各像素的开口区域的至少一部分内不设置保护膜，因而根据不形成保护膜的部分，只要不使开口区域的透光率下降即可。即，在图像显示区域内，通过全部或至少部分不形成保护膜，可使图像显示不变暗或不产生附带颜色。

根据上述结果，通过第1电光学装置，可以利用较简单的构成，通过保护膜延长装置寿命，还可以防止或减轻由于保护膜的存在所引起的显示图像质量下降。

在本发明的第1电光学装置的一种模式中，上述显示用电极由像素电极组成，该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域内，与上述像素电极连接的第1晶体管，上述电子元件由第2晶体管组成。

根据这种模式，通过利用第1晶体管对像素电极进行转换控制，可实施有源矩阵驱动。因此，通过利用保护膜对构成外围电路的第2晶体管进行完全或至少部分保护，可延长整体装置的寿命。而且，通过在设有像素电极的各像素的开口区域内完全或至少部分不形成保护膜，可以减轻由于保护膜的存在所引起的显示图像质量下降。

在本发明的第1电光学装置的其它模式下，上述保护膜，不被设置在上述各像素的开口区域内。

根据这种模式，由于保护膜不被设置在各像素的开口区域内，因而可以把由于保护膜的存在所引起的显示图像的质量下降抑制到最小限度。反之，由于不必担心显示图像的质量下降，因而在外围区域内可形成很厚的或具有任意透光率的保护膜。

此外在该模式下，在各像素的非开口区域内可以形成也可以不形成保护膜。尤其是，在各像素的非开口区域内设置像素转换用的第1晶体管等电子元件的场合下，通过在该非开口区域内形成保护膜，可使针对该电子元件的耐湿性得到一定程度的提高。

在本发明的第1电光学装置的其它模式下，上述保护膜，不被设置到上述图像显示区域内。

根据该模式，由于保护膜不被设置在图像显示区域内，因而可以把由于保护膜的存在所引起的显示图像的质量下降抑制到最小限度。反之，由于不必担心显示图像的质量下降，因而在外围区域内可形成很厚的或具有任意透光率的保护膜。尤其是，由于可以只在从作为图像显示区域与外围区域的边界的边缘区域至外围侧的范围内形成保护膜，因而可以较容易地形成保护膜。

在本发明的第1电光学装置的其它模式下，上述保护膜，被设置在上述整个外围区域内。

根据这种模式，由于保护膜被设置到整个外围区域内，因而可以把针对构成外围电路的第2晶体管等电子元件的耐湿性提高到最大限度。尤其是，由于可以只在从作为图像显示区域与外围区域的边界的边缘区域至外围侧的整个范围内形成保护膜，因而可以较容易地形成保护膜。

在本发明的第1电光学装置的其它模式下，上述保护膜，被设置到与上述外围区域内的上述电子元件重叠的区域内，同时在与上述电子元件不重叠的区域的至少一部分内不设置。

根据这种模式，由于保护膜被设置到与外围区域内的电子元件重叠的区域内，因而可以提高针对电子元件的耐湿性。此外，在基片上的层叠构造中，具有通过传导孔将比如位于保护膜的上层侧的布线、电极、元件等与位于保护膜的下层侧的布线、电极、元件等连接的必要性的区域等，在与电子元件不重叠的区域内在构造或制造工艺上不需要存在保护膜的区域内，可以不形成保护膜。根据这种构成，可便于传导孔的开孔等所涉及的制造工艺，可在被限定的各像素的非开口区域内良好地实施传导孔的开孔等。因此，最终可在形成保护膜中，扩大各像素的开口区域，进行鲜明的图像显示。

在本发明的第1电光学装置的其它模式下，上述电子元件，由互补型晶体管组成，上述保护膜，被设置在至少与构成上述外围区域内的上述互补型晶体管的P沟道型晶体管重叠的区域内。

根据这种模式，由于保护膜被设置在与同N沟道型晶体管相比，更易于发生由湿气或水分引起的性能下降的P沟道型晶体管重叠的区域内，因而通过提高针对该P沟道型晶体管的耐湿性，可以延长互补型晶体管的寿命。此外，对于与N沟道型晶体管重叠的区域，可以形成也可以不形成保护膜。

在本模式下，上述保护膜可以至少在与构成上述外围区域内的上述互补型晶体管的N沟道型晶体管重叠的区域的一部分内不被设置。

根据这种构成，在与N沟道型晶体管重叠区域中在构造或制造工艺上不需要存在保护膜的区域内，可以不形成保护膜。

本发明的第2电光学装置为解决上述课题，在基片上配有，被配置在图像显示区域的显示用电极；被配置在位于上述图像显示区域外围的外围区域，构成外围电路的电子元件；按照至少部分覆盖上述外围区域及上述图像显示区域的原则被形成的同时，在上述外围区域内被相对较厚地形成，而且在上述图像显示区域内被相对较薄地形成的保护膜。

根据本发明的第2电光学装置，通过把比如由晶体管等电子元件构成的外围电路作为驱动电路，通过像素转换用晶体管等电子元件或者直接向显示用电极提供图像信号等，可实现有源矩阵驱动与无源矩阵驱动等。尤其是，外围区域，由于被较厚的保护膜覆盖，因而可以提高针对被配置在外围区域内的晶体管等电子元件的耐湿性。此时，在外围区域中由于较厚的保护膜，不会引起透光率下降对显示图像的影响。即，由于不必担心会发生显示图像变暗或附带任何颜色，可在外围区域内形成较厚的保护膜，因而可按照获取必要的耐湿性的原则形成该保护膜。

此外，根据本发明人的研究，根据上述各种因素，实际上该电光学装置的装置寿命取决于外围电路。因此，通过积极地保护构成外围电路的晶体管等电子元件，延长其寿命，对于延长整体装置的寿命有关。因此，根据第2电光学装置，由于存在覆盖外围区域的较厚的保护膜，因而在使用中可显著延长装置寿命，十分有利。

另一方面，在图像显示区域内，由于保护膜设置得较薄，因而与按照与外围区域相同的原则形成较厚的保护膜的场合相比，只要开口区域内的透光率不下降即可。即，在图像显示区域内，通过形成较薄的保护膜，可使图像显示几乎不变暗或几乎不附带颜色，同时，由于存在这种较薄的保护膜，因而在图像显示区域内设置比如像素转换用的晶体管等电子元件的场合下，与丝毫不存在保护膜的场合相比，可以通过较薄的保护膜，把耐湿性提高到一定程序。

根据上述结果，通过第2电光学装置，可以利用较简单的构成，通过保护膜延长装置寿命，还可以减轻由于保护膜的存在所引起的显示图像质量下降。

在本发明的第2电光学装置的一种模式下，上述保护膜，在上述整个画像显示区域内相对较薄地形成，在上述整个外围区域内相对较厚地形成。

根据这种模式，由于保护膜在整个外围区域内较厚地形成，在整个画像显示区域内较薄地形成，因而可最大限度地提高针对构成外围电路的晶体管等电子元件的耐湿性。特别是，由于可以在从作为图像显示区域与外围区域的边界的框缘区域至外围侧的整个范围内形成较厚的保护膜，同时在框缘区域的整个中央侧形成较薄的保护膜，因而较容易作为整体形成保护膜。

本发明的第3电光学装置，配有被配置在基片上的图像显示区域内的显示用电极；被配置在位于上述图像显示区域外围的外围区域，构成外围电路的电子元件；按照至少部分覆盖上述外围区域的原则被形成的保护膜，还配有按照与上述图像显示区域内的各像素的开口区域以外的非开口区域对应的原则延伸的布线，上述保护膜，还按照至少部分覆盖上述布线的原则被形成。

根据本发明的第3电光学装置，通过把比如由晶体管等电子元件构成的外围电路作为驱动电路，通过像素转换用晶体管等电子元件或者直接向显示用电极提供图像信号等，可实现有源矩阵驱动与无源矩阵驱动等。尤其是，保护膜，按照覆盖按照与外围区域及开口区域以外的非开口区域对应的原则延伸的布线的形式被形成。因此，可以提高针对被配置在外围区域内的晶体管等电子元件的耐湿性。此外，通过在布线上也形成保护膜，在比如该电光学装置的制造过程中，可以避免对该布线造成任何损坏。这里的所谓“损坏”系指由于比如在对该布线上形成的保护膜按规定形状形成图案场合下所实施的蚀刻所造成的腐蚀等。

在本发明下，产生这种布线的腐蚀及断线的可能性可降低，可期待电光学装置的正确运作，除此之外，与只在比如外围区域形成保护膜的场合相比，由于保护膜的形成区域的面积相对增大，因而可更有效地发挥防止水分渗入的作用，可进一步延长装置的寿命。此外毋庸赘言，不产生布线的腐蚀及断线的作用效果，还将有贡献于装置寿命的长期化。

此外，在图像显示区域内，由于保护膜只按覆盖布线的原则形成，因而几乎不产生图像变暗，或在图像上混入附带颜色的光等现象。即，依然可实现高质量的图像显示。

此外，根据本发明人的研究，根据上述各种重要因素，实际上该电光学装置的装置寿命取决于外围电路。因此，通过积极地保护构成外围电路的晶体管等电子元件，延长其寿命，对于延长整体装置的寿命有一定关系。

如上所述，根据第3电光学装置，由于覆盖外围区域及布线的保护膜的存在，因而在使用中可显著延长装置寿命，故而十分有利。

在本发明的第3电光学装置的一种模式下，上述布线至少包含铝。

根据这种模式，由于布线含有电阻较小的铝，因而不会产生布线延迟等问题。

此外，由于铝是融点较低的材料，而且机械强度(比如硬度等)较差，因而在这种由铝形成的布线中，在制造过程中受到上述损坏的可能性更大。因此在本模式下，由于形成用于覆盖由这种铝形成的布线的保护膜，因而上述担心几乎完全可以排除。即，在布线由铝材构成的场合下，与不采用铝材的场合相比，保护膜的存在价值将更高。

如上所述，在本模式下，不仅可实现布线的低电阻化，在该布线的制造过程中又不会造成损坏，从而可一举解决一般难以兼顾上述二者的难题。

在本发明的第3电光学装置的其它模式下，上述布线包括用于向上述显示用电极提供图像信号的数据线。

根据这种模式，可以极力消除针对数据线的上述损坏。因此，图像信号的供应不产生滞后，几乎不产生由于数据线的缺陷所造成的显示不良等。此外，由于该数据线一般由低电阻材料，比如上述的铝等构成，因而在这种场合下，可享受上述的存在价值较高的保护膜的作用效果。

在本发明的第3电光学装置的其它模式下，上述保护膜，被设置到上述的整个外围区域内及上述的整个布线形成区域内。

根据这种模式，由于保护膜被设置到整个外围区域内，因而可以把针对构成外围电路的第2晶体管等电子元件的耐湿性提高到最大限度。此外，由于可以在从作为图像显示区域与外围区域的边界的框缘区域至外围区域的整个范围内，以及图像显示区域内的布线的整个形成区域内形成保护膜，因而可以较容易地形成保护膜。

尤其是，本模式提供一种能最大限度地享受保护膜的防止水分渗入的作用的最佳模式。在实际中，本发明人通过按照覆盖整个外围区域及作为布线一例的数据线的整个形成区域的原则对形成了保护膜的模式下的电光学装置的装置寿命的测量，确认其可比传统模式下的寿命提高5倍以上。

在本发明的第3电光学装置的其它模式下，上述显示用电极由像素电极构成，该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域内，与上述像素电极及上述布线连接的第1晶体管，上述电子元件由第2晶体管构成，同时配有与该第2晶体管连接的电极，上述保护膜，按照覆盖作为同一膜被形成的上述布线及上述电极的原则，被作为同一膜形成。

根据这种模式，通过利用第1晶体管对像素电极的转换控制，可实施有源矩阵驱动。因此，通过利用保护膜对构成外围电路的第2晶体管进行完全或至少部分保护，可以延长整体装置的寿命。

因此尤其在本模式下，与第1晶体管连接的布线，以及与作为构成外围电路的电子元件的第2晶体管连接的电极被作为同一膜形成，而且，在这些布线与电极的上侧，上述保护膜被作为同一膜形成。这样，首先，可以利用比如低电阻的铝等共同制成布线及电极，这可以实现工艺的简单化或制造成本的低廉化等。此外，如果采用铝等，在布线及电极中布线延迟等将不成为问题。

此外，通过保护膜在这种布线及电极的上侧被作为同一膜形成，由此可得到与上述基本相同的有关制造方面的作用效果，同时由于该保护膜的存在，可共同保护上述布线及上述电极。即，如上所述，在比如对该保护膜形成图案时所实施的蚀刻等场合下，由于在布线及电极上，最终残存着对其实施覆盖的保护膜，因而上述蚀刻等不会对这些布线及电极造成损坏。

在本发明的第3电光学装置的其它模式下，还配有规定上述开口区域的遮光膜，在该遮光膜与上述保护膜互相重叠的部分的至少一部分中，上述遮光膜的宽度大于按照覆盖上述布线的原则形成的保护膜的宽度。

根据这种模式，由于规定开口区域的遮光膜的宽度大于按照覆盖布线的原则形成的保护膜的宽度，因而如果从平面上观察该构成，将呈现一种该保护膜几乎完全被遮光膜覆盖的形态。这样，通过遮光膜的边缘附近的光到达保护膜的可能性很小。这样，即使通过该遮光膜的边缘附近的光包含斜向成分，其到达保护膜的可能性也仍然很小。因此，在最终构成图像的光中，混进透过保护膜后的光，即附带颜色的光的可能性很小。根据上述形式，在本模式下，可显示出更高质量的图像。

尤其在配用这种遮光膜的模式下，还配有与上述基片对置配置的对置基片；在上述图像显示区域内，被夹持在上述基片与上述对置基片之间的电光学物质，也可以采用上述遮光膜在上述对置基片上形成的构成。

根据这种构成，可实现在一对基片之间夹持液晶等电光学物质而形成的电光学装置。因此，如果在图像显示区域内的基片上，设置像素转换用的第1晶体管等电子元件，由于其上侧存在电光学物质，因而由于电光学物质的存在，可提高针对该电子元件的耐湿性。另一方面，对于构成外围电路的电子元件，即使不存在电光学物质，由于存在保护膜，因而通过采用这种构成，可以非常有效地延长整体装置的寿命。

因此，尤其在本模式下，在上述的对置基片上配备遮光膜，而且，该遮光膜的宽度大于上述保护膜的宽度。这样，根据本模式，在该对置基片上的遮光膜与保护膜的关系下，可以享受上述的作用效果(即，无附带颜色的高质量的图像显示)。

或者，在该模式下，还可以在上述基片上构筑包括上述显示用电极及上述布线的层叠结构，上述遮光膜可以包括构成上述层叠构造的一部分的内置遮光膜。

根据这种构成，由于在基片上被构筑的构成的一部分构成内置遮光膜，因而可以在相当程度上防止针对在图像显示区域内形成的第1晶体管等电子元件的光入射。这样，可抑制漏光电流的发生，显示出没有闪烁等的图像。因此，尤其在本模式下，这种内置遮光膜被包括在上述遮光膜内，即，内置遮光膜的宽度大于保护膜的宽度。这样，根据本模式，在该内置遮光膜与保护膜的关系下，可享受上述的作用效果。

此外，作为本模式下的“内置遮光膜”的具体示例，如后所述，除了包括蓄存电容的固定电位侧电容电极，还相当于在基片上的上述第1晶体管等电子元件的下侧被形成的下侧遮光膜等。

尤其在配备该内置遮光膜的模式下，上述显示用电极由像素电极构成，该电光学装置，还配有被配置在上述图像显示区域内，与上述像素电极连接的第1晶体管；分别与上述像素电极及上述第1晶体管电连接的像素电位侧电容电极；与该像素电位侧电容电极对置配置的固定电位侧电容电极；由被上述像素电位侧电容电极与上述固定电位侧电容电极夹持的电介体膜构成的蓄存电容，上述内置遮光膜可以包括上述固定电位侧电容电极。

根据上述构成，首先，通过配备分别与像素电极及第1晶体管电连接的蓄存电容，可显著提高像素电极中的电位保持特性，这样，可显示没有闪烁等的高质量图像。

因此，尤其在本模式下，构成该蓄存电容的一部分的固定电位侧电容电极被包括在上述的“内置遮光膜”内，即，该固定电位侧电容电极实际被包括在上述的“遮光膜”内。这样，该固定电位侧电容电极如同其名称一样，除了作为构成蓄存电容的一对电极的一方的固定电位电极发挥功能，还作为上述的遮光膜发挥功能，因此，该电光学装置的构成可以更为简化。此外，在本模式下，固定电位侧电容电极的宽度大于保护膜的宽度，这样，可以享受上述的作用效果。

在配有上述遮光膜的各种模式下，上述遮光膜的边缘最好比上述保护膜的边缘在两侧各大出0.2～1.0微米。

根据这种构成，通过使针对遮光膜宽度的保护膜宽度具有更具体更适当的值，可以更有效地消除与上述附带颜色的光有关的不正常现象。即，在小于该值的场合下，换言之，在遮光膜的宽度缩小的场合下，由于一般透过开口区域的光中也包含斜向成分等，因而将发生通过保护膜后的光混入构成图像的光内，产生与上述附带颜色的光有关的不正常现象的事态，在大于该值的场合下，换言之，在遮光膜的宽度增大的场合下，开口区域将变窄，将违背显示更鲜明的图像的要求。在本模式下，不必担心会发生上述的不正常现象。

在本发明的第3电光学装置的其它模式下，上述保护膜由氮化膜组成，该氮化膜通过等离子CVD法形成。

根据这种模式，保护膜由氮化膜组成，而且，由于该氮化膜通过等离子CVD法形成，因而可以形成具有良好的防止水分浸入作用的保护膜。这是因为该氮化膜具有较稠密的构造等。

然而，对于这种氮化膜，在实施用于形成其图案的蚀刻等时，大多情况下较难以进行该处理。具体举例说，与由其它材料组成的膜相比，氮化膜的蚀刻率较低等。因此，针对氮化膜的蚀刻处理等，虽有必要采用固有的手段(比如，较强力的，或长时间的蚀刻)，但这样一来，对位于其下层的各种构成要素，具体说对作为布线的数据线等，产生无用的损坏的可能性将更大。

因此，在本发明中，由于作为保护膜的氮化膜按照覆盖布线的原则，比如按照覆盖作为其一例的数据线的原则被形成，因而同样几乎不必担心会发生上述的不正常现象。其结果是，在本模式下，可提供一种把虽具有良好的防止水分浸入作用，但同时伴有加工困难性的氮化膜作为保护膜使用，也几乎不产生针对数据线等布线的损坏，可期待能正确运作，或者长寿命化的电光学装置。

在本发明的第3电光学装置的其它模式下，上述保护膜的厚度为5～35nm。

根据这种模式，通过使保护膜的厚度处于适当的范围内，可得到下列作用效果。首先第1，通过把保护膜的厚度下限设为5nm，可正常享受上述的防止水分浸入的作用。这里，如果保护膜的厚度处于5nm以下，则该保护膜将过薄，不能充分发挥防止水分浸入的作用。第二，通过把保护膜的厚度上限设为35nm，可以显示出高质量的图像。即，如果保护膜的厚度超过35nm，则透过该保护膜后的光的附带色等的程度将增大，可能产生混入构成图像的光内的问题，但在本模式下，不会产生这种问题。此外，把保护膜的厚度上限按上述设定后，在该保护膜上进一步构筑由层间绝缘膜等组成的层叠构造的场合下，可以控制其最上层的阶差大小。这样，比如，作为该最上层，在设置与作为电光学物质一例的液晶相接的定向膜的场合下，由于可以使该定向膜尽量平坦地形成，因而可以适当地实施针对该定向膜的摩擦处理，此外，可以极力抑制在液晶的定向状态中产生紊乱的事态。即，不会产生显著的定向不良，可显示出更高质量的图像。

在本发明的第3电光学装置的其它模式下，在上述基片上构筑包括上述显示用电极、上述布线及上述保护膜的层叠构造，上述保护膜被作为构成上述层叠构造的一部分的硼磷硅酸盐玻璃膜的下层形成。

根据这种模式，保护膜被作为构成在基片上构筑的层叠构造的一部分的硼磷硅酸盐玻璃膜(以下有时简称“BPSG膜”)的下层形成。更具体地说，如果典型的上述第1及第2晶体管等，在基片上的下层，即基片的表面附近形成，则本模式涉及的保护膜可设想存在于上述第1及第2晶体管与BPSG膜之间。

这里，该BPSG膜除了一般可通过低温处理形成，据知还具有富含柔软性，而且有较大吸水能力等性质。

首先，根据最前一个性质(可低温处理形成)，比如，在采用铝材形成作为布线一例的数据线的场合下，作为该数据线形成以后应形成的层间绝缘膜，采用BPSG膜是有利的。因为在由铝材形成的数据线的上层中，不能再利用高温处理(如果利用400℃以上的高温处理，数据线有可能溶融)。

此外，通过第2个有关“柔软性”的性质，可以较好地维持该层间绝缘膜的平坦性。这里的所谓“柔软性”，其意义系指在根据某构成要素形成BPSG膜的场合下，把该BPSG膜的表面能更正确地反映该构成要素的阶差的场合称为“硬”，否则便称为“软”。即，所谓富含柔软性，如果以在数据线上形成BPSG膜为例作以说明，系指在该BPSG膜的表面，不能正确反映该数据线的形状(尤其是其高度)。反之，如果考虑在数据线上形成缺乏柔软性的层间绝缘膜的场合，其不同之处是，在该层间绝缘膜的表面，能按原样复现该数据线的形状，如实再现其原来的形状。因此，在将前者与后者进行比较的场合下，一般最好采用前者，即具有良好的柔软性的BPSG膜。其原因是，如果在层间绝缘膜的表面产生了较大的阶差，比如，作为层叠构造的最上层被形成的定向膜表面也将复现出该阶差形状，这样将无法均匀地实施针对该定向膜的摩擦处理，或者使作为与该定向膜相接的电光学物质一例的液晶的定向状态产生紊乱。

BPSG膜虽然具有上述各种长处，但上述第3个性质，即吸水能力较大的性质，对本发明绝不能说是所希望的。因为被该BPSG膜吸收的水分有可能浸入到像素转换用的第1晶体管等内。这一点，即使在存在保护膜的场合下，如果该保护膜在BPSG膜的上层形成，也不能有效防止对第1晶体管等的水分浸入。因为即使这种保护膜能发挥防止水分浸入的作用，位于其下层的BPSG膜所预先吸收或含有的较多的水分也有可能到达第1晶体管等内。

然而，本模式下的保护膜被作为BPSG膜的下层形成。这样，即使在该BPSG膜所含有的水分向第1晶体管扩散的场合下，其扩散也能被有效地阻断。因此，根据本模式，可以更可靠地延长装置寿命。

尤其在该模式下，可以采用以下构成，在上述层叠构造中形成的多个层间绝缘膜中最上层的层间绝缘膜，由上述硼磷硅酸盐玻璃膜形成，同时，在该硼磷硅酸盐玻璃膜上，按照自下而上的顺序，通过与上述显示用电极及电光学物质相接，形成可将其定向状态维持在规定状态的定向膜。

根据这种构成，利用上述的“柔软性”，上述最上层的层间绝缘膜的表面(即BPSG膜的表面)，无需经过特别的处理和工艺等，换言之，无需花费追加成本，便可得到较良好的平坦性。因此，在该BPSG膜上形成的定向膜的表面也将具有良好的平坦性。这样，在本构成中，可良好地实施针对定向膜的摩擦处理，此外，可降低与该定向膜相接的上述液晶的定向状态中产生紊乱的可能性。

在本发明的第1至第3电光学装置的其它模式下，上述保护膜由氮化膜组成。

根据该模式，利用由氮化膜组成的保护膜，由于可以显著提高耐湿性，因而可延长构成外围电路的晶体管等电子元件的寿命。这样，假设氮化膜在图像显示区域(尤其是各像素的开口区域)较厚地形成，会造成透光率下降或显示图像发黄，如果在该区域内不形成氮化膜或较薄地形成，或者只在布线上形成，则会由于由该氮化膜组成的保护膜的存在，可以防止或减少显示图像质量的下降。

在该模式下，上述氮化膜的构成膜厚可以为5～2000nm。

根据这种构成，通过氮化膜可较容易地实现基于装置规格的必要的耐湿性。但是，也可使比这更薄的或更厚的氮化膜作为保护膜形成。

在本发明第1至第3的电光学装置的其它模式下，上述保护膜被层叠在上述电子元件的上侧。

根据这种模式，通过从其上侧利用保护膜覆盖电子元件，可提高针对电子元件的耐湿性。尤其是，由于在电子元件的下侧存在基片，因而对电子元件下侧的耐湿性基本上较高。因此，这种从上侧用保护膜覆盖的模式对于提高针对电子元件的耐湿性是有效的。

在本发明第1至第3的电光学装置的其它模式下，上述保护膜在上述基片上的层叠构造中，被层叠在上述显示用电极的下侧。

根据这种模式，通过被层叠在像素电极等显示用电极的下侧的保护膜，可提高针对电子元件的耐湿性。尤其是，如果在图像显示区域内，部分形成由氮化膜等电介体膜或绝缘体膜构成的保护膜或者在整个区域内形成较薄的该保护膜，当把该保护膜层叠到显示用电极的上侧后，该保护膜将产生介电极化，难以根据图像信号实施适当的来自显示用电极的电压施加。即，通过把这种保护膜层叠到显示用电极的下侧，可易于使显示用电极正常运作，在这一点上是有利的。

在本发明的第1至第3的电光学装置的其它模式下，上述显示用电极由像素电极组成，该电光学装置，还配有被配置在上述图像显示区域内，与上述像素电极连接的第1晶体管，上述像素电极与上述第1晶体管，通过在未形成上述保护膜的区域内开孔的传导孔被连接。

根据这种模式，像素电极等显示用电极与第1晶体管，通过在未形成保护膜的区域内开孔的传导孔被连接。因此，可以预先防止通过蚀刻等进行该传导孔开孔的制造工序由于保护膜的存在而发生困难。反而可与该传导孔的开孔作业不发生关系，按照提高耐湿性的原则选择保护膜材质。

在本发明的第1至第3的电光学装置的其它模式下，还配有：与上述基片对置配置的对置基片；在上述图像显示区域内，被夹持在上述基片与上述对置基片之间的电光学物质。

根据这种模式，可实现在一对基片之间夹持液晶等电光学物质所形成的电光学装置。因此，如果在图像显示区域内的基片上，设置像素转换用的第1晶体管等电子元件，由于其上侧存在电光学物质，因而由于电光学物质的存在，可提高针对该电子元件的耐湿性。另一方面，对于构成外围电路的电子元件，即使不存在电光学物质，由于存在保护膜，因而通过采用这种构成，可以很有效地延长整体装置寿命。

在本发明的第1至第3的电光学装置的其它模式下，上述显示用电极由像素电极组成，该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域内，与上述像素电极连接的第1晶体管，上述第1晶体管，由N沟道型晶体管组成。

根据这种模式，在至少部分地不形成保护膜或形成较薄的保护膜的图像显示区域内，设置由与P沟道型晶体管相比，更难以发生由于湿气或水分而引起的性能下降的N沟道型晶体管组成的第1晶体管。因此，可获得整体耐湿性较高的结构，延长整体装置的寿命。

本发明的电光学装置的制造方法为解决上述课题，是一种制造上述本发明第1至第3的电光学装置(也包括它们的各种模式)的电光学装置制造方法，配有：在上述基片上，形成上述电子元件的工序；在上述基片上及上述电子元件上形成作为上述保护膜的预制膜(preform film)的工序；在上述图像显示区域内的至少一部分内通过蚀刻把上述所形成的预制膜除去或使之薄膜化，形成上述保护膜的工序；形成上述保护膜后，在上述图像显示区域内形成上述显示用电极的工序。

根据本发明的电光学装置的制造方法，在基片上，形成晶体管等电子元件后，在基片上及电子元件上通过比如低温CVD(ChemicalVapor Deposition：化学蒸镀)、等离子CVD等形成作为保护膜的氮化膜等预制膜。然后，在图像显示区域的至少一部分中，利用干蚀刻或湿蚀刻等蚀刻除去该预制膜，或使之薄膜化，形成具有上述本发明所涉及的规定图案的保护膜。然后，在图像显示区域内，利用ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)膜等形成显示用电极。因此可以较简单地制造上述本发明的第1至第3电光学装置。

本发明的电子设备为解决上述课题，配有上述本发明的第1至第3电光学装置(也包括它们的各种模式)。

本发明的电子设备由于配有上述本发明的第1至第3电光学装置，因而可长期实现高质量的图像显示，可实现投射型显示装置、液晶电视、便携电话、电子帐薄、字处理器、取景器型或监视器直视型视频磁带录像机、工作站、可视电话、POS终端、触摸盘等各种电子设备。

通过下列说明的实施方式，可了解本发明的上述作用及其它长处。

附图说明

图1是从对置基片侧观看本发明实施方式1的电光学装置中的TFT阵列基片及在其上面形成的各构成要素的平面图。

图2是图1的H-H′断面图。

图3是表示图1的平面图中保护膜形成区域的平面图。

图4是表示构成本发明实施方式1的电光学装置中的图像显示区域的矩阵状多个像素内所设置的各种元件、布线等的等效电路及外围电路的方框图。

图5是形成了实施方式下的电光学装置中的数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基片的多个邻接像素群的平面图。

图6是图5的E-E′断面图。

图7是构成本发明实施方式2下的外围电路的互补型晶体管的放大平面图。

图8是图7的A-A′断面图。

图9是构成本发明实施方式3下的外围电路的互补型晶体管的放大平面图。

图10是图9的B-B′断面图。

图11是表示本发明实施方式4下的保护膜形成区域的平面图。

图12是图8及图6相同内容的组合图，是互补型晶体管及图像显示区域内的一像素相关构成的断面图。

图13是表示实施方式4下的保护膜与对置基片上形成的格状遮光膜的配置关系的说明图。

图14是表示各工序的工序图(之一)，其中左图表示外围区域内设置TFT部分的断面结构，与之并列的右图表示图像显示区域内设置TFT部分的断面结构。

图15是表示各工序的工序图(之二)，其中左侧图表示外围区域内设置TFT部分的断面结构，与之并列的右侧图表示图像显示区域内设置TFT部分的断面结构。

图16是有关变形方式的工序图。

图17是表示作为本发明电子设备的实施方式下的投射型彩色显示装置一例的彩色液晶投影仪的断面图。

符号说明

1a    半导体层

1a′  沟道区

1b    低浓度源极区

1c    低浓度漏极区

1d    高浓度源极区

1e    高浓度漏极区

2     绝缘膜

3a    扫描线

6a    数据线

9a    像素电极

10    TFT阵列基片

11a   下侧遮光膜

12    底层绝缘膜

16    定向膜

20    对置基片

20    对置电极

22    定向膜

30    TFT

50     液晶层

53     框缘遮光膜

70     蓄存电容

71     中继层

81、83、85  传导孔

101    数据线驱动电路

104    扫描线驱动电路

114    取样电路驱动信号线

115    图像信号线

116    引出布线

202    TFT

202a、202b  互补型TFT

206    引出布线

300    电容线

301    取样电路

501、501′、501″    保护膜

实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式作以说明。在以下的实施方式中，本发明的电光学装置适用于液晶装置。

(实施方式1)

首先，参照图1至图3，对本发明实施方式1下的电光学装置的总体构成作以说明。这里，以作为电光学装置一例的驱动电路内置型TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为例。

图1是从对置基片侧观看TFT阵列基片及在其上面形成的各构成要素的平面图。图2是图1的H-H′断面图。图3是表示图1的平面图中保护膜形成区域的平面图。

在图1及图2中，在本实施方式涉及的电光学装置中，TFT阵列基片10与对置基片20被对置配置。在TFT阵列基片10与对置基片20之间封入液晶层50，TFT阵列基片10与对置基片20，通过被设在位于图像显示区10a周围的密封区内的密封材料52相互连接。

密封材料52由用于使两个基片贴合的比如紫外线硬化树脂、热硬化树脂等构成，在制造过程中被涂布到TFT阵列基片10上后，通过紫外线照射、加热等被硬化。此外，在密封材料52中，混入用于使TFT阵列基片10与对置基片20的间隔(基片之间的间隙)达到规定值的玻璃纤维或玻璃细珠等填隙材料。即，本实施方式的电光学装置适用于作为投影仪的光阀，以小型规模实施放大显示。但是，如果该电光学装置是液晶显示器及液晶电视等以大型规模实施同倍显示的液晶装置，则这种填隙材料也可以被包括在液晶层50内。

与配置了密封材料52的密封区域的内侧平行，用于规定图像显示区域10a的框缘区域的遮光性框缘遮光膜53被设置在对置基片20侧。但是，这种框缘遮光膜的一部分或全部也可以在TFT阵列基片10侧被作为内置遮光膜设置。

在图像显示区域外围中宽大的区域内，在位于配置了密封材料52的密封区域外侧的外围区域内，数据线驱动电路101及外部电路连接端子102被沿TFT阵列基片10的一边设置，扫描线驱动电路104被沿与其一边邻接的2边设置。此外，在TFT阵列基片10的剩余一边上，设有用于连接被设置在图像显示区域10a的两侧的扫描线驱动电路104之间的多条布线105。此外如图1所示，在对置基片20的4个边角部中，配置作为两个基片之间的上下导通端子的上下导通材料106。另一方面，在TFT阵列基片10中，在与这些边角对置的区域内设有上下导通端子。通过它们，可在TFT阵列基片10与对置基片20之间实现电导通。

尤其在本实施方式下，对由数据线驱动电路101提供的图像信号取样的取样电路301被配置在框缘区域内。但是该取样电路301也可以通过密封材料52被配置到外围侧。

在图2中，在TFT阵列基片10上，在形成像素转换用TFT及扫描线、数据线等布线后的像素电极9a上，形成定向膜。另一方面，在对置基片20上，除了对置电极21之外，在最上层部分还形成定向膜。此外，液晶层50由比如一种或多种向列液晶混合后的液晶构成，在上述一对定向膜之间，具有规定的定向状态。

此外，在图1及图2所示的TFT阵列基片10上，除了这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104、取样电路301等之外，也可以形成在图像信号之前向多个数据线6a分别提供具有规定电压电平的预充电信号的预充电电路、用于检查制造过程中及出厂时的该电光学装置的质量及缺陷等的检查电路等。

尤其在图3所示的本实施方式下，比如由氮化膜形成的具有良好的耐湿性或耐水性的保护膜501在包括除了TFT阵列基片10上的图像显示区域10a的框缘区域的外围区域内形成。即，在图3中，在由右下斜线区表示的区域内，形成保护膜501。但外部电路连接端子102及上下导通材料106，为能与TFT阵列基片10的电极电连接，有必要除去保护膜501。

在本实施方式下，该保护膜501按照至少部分覆盖构成外围电路的TFT等电子元件被设置的外围区域的原则形成，在包括各像素的开口区域的图像显示区域10a内不设置。因此，通过该保护膜501的膜厚与膜质，根据形成区域等，可提高针对被配置在外围区域内的TFT等的耐湿性。此时，正如从图3中可以看出的那样，在外围区域由于保护膜501所引起的透光率下降对显示图像没有影响。尤其在本实施方式下，由于保护膜501不在图像显示区域10a内全部设置，因而对图像显示区域10a的透明性没有任何影响。

这样，在设有要求高速驱动的数据线驱动电路101等外围电路的外围区域，通过由比如氮化膜组成的保护膜501，不必担心显示图像发暗或附带任何颜色，通过形成保护膜501，可得到必要的足够的耐湿性。其结果是，如上所述，通过延长构成在外围电路内置型或驱动电路内置型电光学装置中大致决定装置寿命的外围电路或驱动电路的TFT的寿命，可以有效延长该电光学装置的整体寿命。

最好在本实施方式下，在图3所示的整个右下斜线区内，设置保护膜501。这样，也可最大限度地提高针对构成外围电路的TFT等的耐湿性，此外，还可便于实施包括图案形成工序的保护膜501的生成工序。

这种保护膜501由具有比如5～2000nm膜厚的氮化膜组成。利用这种氮化膜，可以较简单地形成耐湿性较高的保护膜501。

此外，保护膜501，也可以由2层以上的多层膜形成。

此外，最好在本实施方式下，保护膜501被层叠在作为外围电路一部分被设置在TFT阵列基片10上的TFT等的上侧。由于在TFT等的下侧存在TFT阵列基片10，基本上没有来自下侧的水分，因而通过从上侧用保护膜501覆盖TFT等，可以有效提高耐湿性。

而且此外，尤其在本实施方式下，在未形成保护膜501的图像显示区域10a内，存在液晶层50，这样，可以在某种程度上防止湿气及水分对TFT阵列基片10的浸入。即，在除了图像显示区域10a之外的外围区域内形成保护膜501的本实施方式下，在有效提高耐湿性而且不导致显示图像质量劣化这一点上很有利。

而且此外，最好在本实施方式下，保护膜501被层叠在TFT阵列基片10上的层叠结构中像素电极9a的下侧。尤其是，如果在像素电极9a的上侧层叠由氮化膜之类的电介体膜构成的保护膜501，由于保护膜501产生电介极化，有时难以根据图像信号适当地实施基于像素电极9a的电压施加，因而如上所述把保护膜501配置到下侧是有效的。

作为以上的结果，根据本实施方式，可利用较简单的构成，通过保护膜501延长装置寿命，而且可防止或减轻由于保护膜501的存在而引起的显示图像质量下降。

以下参照图4对具有上述构成的电光学装置中的电路构成及运作作以说明。图4是表示按照构成电光学装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路及外围电路的方框图。

在图4中，在按照构成本实施方式下的电光学装置的图像显示区域的矩阵状形成的多个像素中，形成图像电极9a及用于对该图像电极9a实施转换控制的TFT30，被提供图像信号的数据线6a与该TFT30的源极电连接。

在处于图像显示区域10a的外侧的外围区域内，数据线6a的一端(图4中的下端)被与构成取样电路301的作为转换用电路元件一例的TFT202的漏极连接。另一方面，图像信号线115通过引出布线116与取样电路301的TFT202的源极连接。与数据线驱动电路101连接的取样电路驱动信号线114被与取样电路301的TFT202的栅极连接。这样，通过图像信号线115被提供的图像信号S1，S2……Sn，根据通过取样电路驱动信号线114由数据线驱动电路101提供的取样电路驱动信号，由取样电路301取样，被提供给各数据线6a。

这样被写入数据线6a内的图像信号S1，S2……Sn可以按该顺序按线路依次提供，也可以对相邻的多个数据线6a，按各组提供。

此外，像素转换用的TFT30的栅极与扫描线3a电连接，在规定的定时下，由扫描线驱动电路104把扫描信号G1，G2……，Gm以脉冲形式按该顺序按线路依次施加到扫描线3a上。像素电极9a被与TFT30的漏极电连接，通过只在一定期间内关闭作为转换元件的TFT30的开关，在规定的定时内写入由数据线6a提供的图像信号S1，S2……Sn。通过像素电极9a在作为电光学物质一例的液晶内写入的具有规定电平的图像信号S1，S2……Sn在与在对置基片上形成的对置电极21之间被保存一定时间。液晶通过由所施加的电位电平改变分子集合的定向及秩序，可对光进行调制，并分阶段显示。如果是常白模式，根据被施加在各单位像素上的电压，与入射光对应的透过率下降，如果是常黑模式，根据被施加在各单位像素上的电压，与入射光对应的透过率增加，作为整体，由电光学装置发射出与图像信号对应的具有对比度的光。这里，为防止被保持的图像信号外漏，与在图像电极9a与对置电极21之间形成的液晶电容并联附加蓄存电容70。与扫描线3a并联一条包括蓄存电容70的固定电位侧电容电极，同时被固定在恒定电位上的电容线300。

接下来，参照图5及图6对本发明实施方式下的电光学装置的图像显示区域中的构成作以说明。图5是与形成了数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基片相邻的多个像素群的平面图。图6是图5的E-E′断面图。此外在图6中，为了使各层及各部件的大小能在图上看清，各层及各部件的比例大小都不同。

在图5中，在电光学装置的TFT阵列基片上，以矩阵状设置了多个透明像素电极9a(由虚线9a′以轮廓形式表示)，沿像素电极9a的各纵横边界设置数据线6a及扫描线3a。

此外，按照与半导体层1a中由图中右上斜线区表示的沟道区1a′对置的原则配置扫描线3a，扫描线3a具有栅极的功能。这样，在扫描线3a与数据线6a交叉的位置上，设有在沟道区1a′中扫描线3a被作为栅极电极对置配置的像素转换用的TFT30。

如图5及图6所示，蓄存电容70的形成状态是，作为与TFT30的高浓度漏极区1e及像素电极9a连接的像素电位侧电容电极的中继层71和作为固定电位侧电容电极的电容线300的一部分通过电介体膜75被对置配置。

电容线300从平面上看，沿扫描线3a呈条状延伸，与TFT30重叠的位置在图5中向上下突出。这种电容线300的构成最好具有由膜厚为50nm左右的导电性多晶硅膜等构成的第1膜、由包含膜厚为150nm左右的高融点金属的金属硅化膜等构成的第2膜被层叠的多层构造。根据这种构成，第2膜除了具有电容线300或蓄存电容70的固定电位侧电容电极功能外，还具有在TFT30的上侧对TFT30遮住入射光的遮光层功能。

尤其在本实施方式下，电容线300由于在扫描线3a及数据线6a之间层叠，通过在从平面上看扫描线3a及数据线6a的重叠区内设置电容，可增大蓄存电容70的容量。

另一方面，在TFT阵列基片10上的TFT30的下侧，下侧遮光膜11a被设置成格状。下侧遮光膜11a由含有比如Ti(钛)、Cr (铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等高融点金属中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物、多晶硅化物、层叠它们的物质等构成。

这样，通过图5中沿纵向延伸的数据线6a与图5中沿横向延伸的电容线300相交叉形成以及按格状形成的下侧遮光膜11a，规定各像素的开口区域。

如图5及图6所示，数据线6a通过传导孔81，与由比如多晶硅膜构成的半导体层1a中高浓度源极区1d电连接。此外，也可以形成由与上述的中继层71的同一膜构成的中继层，通过该中继层及2个传导孔，对数据线6a及高浓度源极区1d电连接。

此外电容线300最好从配有像素电极9a的图像显示区域10a(参照图1)向周围延伸，与固定电位源电连接，具有固定电位。作为这种固定电位源，可以采用向数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104提供的正电源及负电源的固定电位源，也可以采用向对置基片20的对置电极21提供的固定电位。此外，对于被设置在TFT30的下侧的下侧遮光膜11a也同样，为避免该电位变动对TFT30的不利影响，与电容线300同样，从图像显示区域10a向周围延伸，与固定电位源连接。

像素电极9a通过以中继层71为中继，通过传导孔83及85与半导体层1a中的高浓度漏极区1e电连接。

在图5及图6中，电光学装置配有透明的TFT阵列基片10、与此对置配置的透明的对置基片20。TFT阵列基片10由比如石英基片、玻璃基片、硅基片构成，对置基片20由比如玻璃基片和石英基片构成。

如图6所示，在TFT阵列基片10上，设有像素电极9a，在其上侧，设有被实施了摩擦处理等规定的定向处理的定向膜16。像素电极9a由比如ITO膜等的透明导电性膜构成。此外定向膜16由比如聚酰亚胺膜等透明的有机膜构成。

另一方面，在对置基片20上，在整个表面上设置对置电极21，在其下侧，设置被实施了摩擦处理等规定的定向处理的定向膜22。对置电极21由比如ITO膜等透明导电膜构成。此外定向膜22由聚酰亚胺膜等透明的有机膜构成。

在对置基片20上，可以与各像素的非开口区域对应，设置格状或条状遮光膜。通过采用这种构成，规定上述非开口区域的电容线300及数据线6a通过该对置基片20上的遮光膜，可更可靠地阻止来自对置基片20侧的入射光侵入沟道区1a′和低浓度源极区1b及低浓度漏极区1c。此外，这种对置基片20上的遮光膜，通过利用高反射膜形成至少被入射光照射的表面，可防止电光学装置的温度上升。此外，这种对置基片20上的遮光膜，最好按照不因两个基片的贴合偏差而使各像素的开口区域缩小的形式，在非开口区域的内侧细致地形成。通过这种细致地形成，也可在实施充裕的遮光的同时，发挥防止由于入射光所造成的电光学装置内部的温度上升的效果。

在与上述构成的像素电极9a和对置电极21对置配置的TFT阵列基片10与对置基片20之间，在由密封材料52(参照图1及图2)围成的空间内封入作为电光学物质一例的液晶，形成液晶层50。

此外，在像素转换用TFT30之下，设有底层绝缘膜12。底层绝缘膜12除了具有使下侧遮光膜11a与TFT30层间绝缘的功能之外，通过在整个TFT基片10上形成，还具有防止由TFT阵列基片10的表面研磨所产生的残渣及洗净后残留的污物等引起的像素转换用TFT30的特性变化的功能。

图6中，像素转换用TFT30具有LDD(Lightly Doped drain：微量掺杂漏极)结构，配有扫描线3a、由该扫描线3a产生的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区1a′、包含使扫描线3a与半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘膜2、半导体层1a的低浓度源极区1b及低浓度漏极区1c、半导体层1a的高浓度源极区1d及高浓度漏极区1e。

在扫描线3a上，形成分别开设通往高浓度源极区1d的传导孔81及通往高浓度漏极区1e的传导孔83的第1层间绝缘膜41。

在第1层间绝缘膜41上，形成中继层71及电容线300，在其上面，形成分别开设通往高浓度源极区1d的传导孔81及通往中继层71的传导孔85的第2层间绝缘膜42。

在第2层间绝缘膜42上形成数据线6a，在其上面，形成已形成了通往中继层71的传导孔85的平坦化了的第3层间绝缘膜43。像素电极9a被设置在如此构成的第3层间绝缘膜43的上面。

在本实施方式下，第3层间绝缘膜43的表面，通过CMP(Chemicalmechanical Polishing：化学机械研磨)处理等实现平坦化，可减少由于其下方存在的各种布线及元件引起的阶差所造成的液晶层50内的液晶定向不良。

根据上述说明的实施方式1，由于在图像显示区域10a内的各像素的开口区域内，形成保护膜501，因而通过保护膜501将不会发生透过率下降，显示图像也不会附带特定颜色。同时，由于在外围区域内形成保护膜501，因而采用在湿气及水分的影响下难以劣化的外围电路，可长期显示出高质量的图像。

此外在以上说明的实施方式中，通过图6所示的层叠多个导电层，通过第3层间绝缘膜43的表面平坦化，虽然可以缓解像素电极9a的底层面(即，第3层间绝缘膜43的表面)在沿数据线6a及扫描线3a的区域内产生的阶差，但也可以用以下内容予以代替或加以补充：在TFT阵列基片10、底层绝缘膜12、第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42或第3层间绝缘膜43上掘置沟槽，通过把数据线6a等布线和TFT30等埋置于内，实施平坦化处理，也可以通过利用CMP处理等对第2层间绝缘膜42上面的阶差进行研磨，或者通过利用有机或无机SOG形成平坦表面，实施该平坦化处理。

(实施方式2)

参照图7及图8，对本发明的实施方式2下的电光学装置作以说明。实施方式2涉及针对在外围区域内形成的TFT等电子元件的保护膜501的平面形状的一个具体示例，有关电光学装置的整体构成与上述的实施方式1相同。这里，图7是作为在实施方式2下的外围区域内形成的电子元件一例的互补型TFT的放大平面图，图8是它的A-A′断面图。此外，在图7及图8中，在与从图1至图6所示的实施方式1相同的构成要素中附加相同的参照符号，省略其说明。

如图7及图8所示，比如在图2的CR部分附近的TFT阵列基片10上设置的互补型TFT202a配有包含P沟道区320p及N沟道区320n的半导体层320。这样，互补型TFT202a的构成是，把布线316的前端部作为栅极电极(输入侧)，把低电位布线321及高电位布线322的前端部作为源极电极，把布线306的前端部作为漏极电极(输出侧)，组成P沟道型TFT202p及N沟道型TFT2 02n。此外，这种P沟道型TFT202p及N沟道型TFT202n可以具有与像素转换用TFT30相同的LDD构造。尤其在实施方式2下，由氮化膜等形成的保护膜501a，通过从上侧覆盖整个互补型TFT202a，可以防止湿气或水分等浸入互补型TFT202a内。其它构成与参照图1至图6说明的实施方式1的场合相同。

这样，根据实施方式2，可提高互补型TFT202a的耐湿性，可延长互补型TFT202a的寿命，还可延长把它作为构成要素的外围电路的寿命，最终可延长电光学装置本身的寿命。

(实施方式3)

参照图9及图10，对本发明的实施方式3下的电光学装置作以说明。实施方式3涉及针对在外围区域内形成的TFT等电子元件的保护膜501的平面形状的另一个具体示例，有关电光学装置的整体构成与上述的实施方式1相同。这里，图9是作为在实施方式3下的外围电路中形成的电子元件一例的互补型TFT的放大平面图，图10是它的B-B′断面图。此外，在图9及图10中，在与从图1至图6所示的实施方式1或图7及图8所示的实施方式2相同的构成要素中附加相同的参照符号，省略其说明。

如图9及图10所示，尤其在实施方式3下，由氮化膜等构成的保护膜501b，按照在互补型TFT202a中，从上侧覆盖P沟道型TFT202p的形式被形成，在N沟道型TFT202n的上侧不设置。其它构成与参照图7及图8说明的实施方式2的场合相同。

这样，根据实施方式3，只在与同N沟道型TFT202n相比更易于发生由湿气或水分引起的性能下降的P沟道型TFT202p重叠的区域内，设置保护膜501b。这样，通过提高针对基本决定互补型TFT202a的寿命的P沟道型TFT202p的耐湿性，可有效地延长互补型TFT202a的寿命。

此外，该保护膜501b虽然也可以不在被设置在外围区域内的多个N沟道型TFT202n的整个上侧都设置，但有关保护膜501b的存在，在TFT阵列基片10上的构造或制造工序上，也可以只对在不希望的区域内被设置的N沟道型TFT200n不形成保护膜501b。此外，有关保护膜501b的存在，在TFT阵列基片10上的构造或制造工序上，也可以对在特别不希望的区域内被设置的P沟道型TFT200p例外地不形成保护膜501b。

(实施方式4)

以下参照图11至图13，对本发明的实施方式4作以说明。实施方式4涉及按照覆盖在图像显示区域10a内形成的数据线6a的形式形成保护膜的具体示例，有关电光学装置的整体构成与上述的实施方式1相同。这里，图11是表示在外围区域内形成的保护膜501c及按照覆盖数据线6a的形式形成的保护膜501A的形成区域的平面图，图12是图8及图6相同内容的组合图，是表示在互补型TFT202a及数据线6a上形成保护膜501c及501A的断面图。图13是表示在对置基片上形成的格状遮光膜与实施方式4下的保护膜的配置关系的平面图。此外，在图11至图13中，在与从图1至图6所示的实施方式1、图7及图8所示的实施方式2或图9及图10所示的实施方式3相同的构成要素中附加相同的参照符号，省略其说明。

在实施方式4下，除了外围区域内的互补型TFT202a的上侧，如图11及图12所示，由氮化膜等构成的保护膜501A还在被形成在图像显示区域10a内的数据线6a的上侧形成。更详细地说，如图12所示，实施方式4所涉及的保护膜501A及外围区域中的保护膜501c被作为同一膜形成。即，在该电光学装置的制造过程中，保护膜501A及501c的预制膜在按照全面覆盖TFT阵列基片10的形式被形成后，按照只在数据线6a上及外围区域上残留该预制膜的形式(即，具有如图11所示的形状)，通过光刻及蚀刻工艺形成图案，通过上述过程，保护膜501A及501c被同时形成。这样，如此形成的保护膜501A及501c，如图12所示，按照分别覆盖含有铝的数据线6a的上侧，以及与该数据线6a作为同一膜被形成的，仍然含有铝的互补型TFT202a的各种电极的上侧的形式被形成。

另外，这种在同一制造工序中形成的保护膜501A及501c的厚度最好为5～35nm左右。因为如果厚度为5nm以下，便不能充分发挥后述的防止水分浸入的作用，如果为35nm以上，透过该保护膜后的附带颜色程度较高的光可能混入构成图像的光内。此外，在实施方式4下，在这种保护膜501A及501c之上，形成由BPSG构成的第3层间绝缘膜43′，在该第3层间绝缘膜43′的上侧，虽然形成像素电极9a及定向膜16，但如果使保护膜501A及501c的厚度处于上述的范围之内，则可以按照该第3层间绝缘膜43′的表面，或者其上的定向膜16的表面上的阶差不过大的原则进行控制。

此外另一方面，实施方式4涉及的保护膜501A，在与对置基片20上所形成的格状遮光膜23之间，具有图13所示的关系。此外，在图13中，为了清晰表示两者之间的配置关系，只表示出了保护膜501A与格状遮光膜23以及数据线6a。首先，在实施方式4下，在对置基片20上，更具体地说是在该基片20上的对置电极21的下方，形成规定从平面角度看的非开口区域的格状遮光膜23(仍参照图12)。该格状遮光膜23可由比如具有较高的光反射能力的铝等构成。这样，通过从图13中的上侧向对置基片20入射的光被反射，可防止该入射光过多地侵入电光学装置内部。此外，格状遮光膜23，除了采用上述的铝之外，还可以利用光吸收能力较高的铬或其合金，或树脂黑等形成，另外，也可以采用具有光反射能力及光吸收能力的材料的层叠构造。此外，也可以不采用“格状”形式，而按条状形成。

这样，尤其在实施方式4下，沿着这种格状遮光膜23中的数据线6a的部分宽度W2，如图13所示，将大于保护膜501A的宽度W1。具体地说，从保护膜501A的边缘至格状遮光膜23的边缘的距离最好为0.2～1.0微米，即δw＝(W2-W1)/2＝0.2～1.0(微米)。这样，实施方式4下的保护膜501A将基本上完全处于非开口区域内。

此外，在本实施方式涉及的电光学装置中，如上述实施方式1的说明所提到的那样，作为被构筑在TFT阵列基片10上的层叠构造的一部分的电容线300，具有在TFT30的上侧遮住TFT30，使之不受入射光的照射的遮光层功能。即，这种场合下的电容线300将作为内置遮光膜发挥功能。此外，在本实施方式所涉及的电光学装置中，作为上述层叠结构一部分的下侧遮光膜11a还具有在TFT30的下侧遮住TFT30，使之不受返光等的照射的遮光层功能。因此，下侧遮光膜11a还作为内置遮光膜发挥功能。

这样，在该场合下，可以满足保护膜501A的宽度W1小于该电容线300的宽度，或下侧遮光膜11a的宽度的条件。比如，就保护膜501A与电容线300的关系而言，该电容线300中的突出部(该突出部是与保护膜501A的重叠部分)的宽度大于该保护膜501A的宽度，就保护膜501A与下侧遮光膜11a的关系而言，沿该下侧遮光膜11a中的数据线6a的部分的宽度大于该保护膜501A的宽度。要点是，本发明中的所谓“遮光膜”除了包含上述的对置基片20上的格状遮光膜23之外，还包含由电容线300、下侧遮光膜11a等构成的内置遮光膜。不管在哪种情况下，只要满足上述条件，保护膜501A便一定会基本完全处于非开口区域内。

通过上述构成，实施方式4下的电光学装置具有以下作用效果。首先第1，保护膜501A通过按照覆盖数据线6a的形式被形成，在比如该电光学装置的制造过程中，可以避免对该数据线6a造成任何损坏。这样，可以减少数据线6a产生腐蚀、断线等的可能，可期待电光学装置的正确运作。

此外，这种作用效果，在保护膜501A及501c是通过等离子CVD法等形成的氮化膜的场合下，可得到特别有效的发挥。这是因为氮化膜是具有较致密的结构，稳定性较高的薄膜，因而对它的加工，具体说是在图案形成等时所实施的蚀刻等比较困难。即与之相反，虽然意味着在对该氮化膜加工时，有必要实施较强力的蚀刻等，但这样一来，对位于其下层的数据线6a等造成损坏的可能性将增大。这种问题在该数据线6a等由本实施方式下的铝等构成的场合下更为深刻。

然而，在实施方式4下，按照均覆盖由铝构成的数据线6a及互补型TFT202a的各种电极的形式，形成保护膜501A及501c，假设，在该保护膜501A及501c由氮化膜构成的场合下，针对它们的较强力的蚀刻等的影响也不会波及到位于下层的上述数据线6a及各种电极。即，对于数据线6a，或互补型TFT202a的各种电极，不会发生由上述的蚀刻所造成的损坏，具体说即腐蚀、断线等。

另一方面，在实施方式4下，与上述实施方式1下的只在外围区域内形成保护膜501的场合相比，在把保护膜501c及实施方式4下的保护膜501A作为整体看的场合下的该形成面积，如同对比参照图11及图2可以看出的那样，相对地增大，因而防止水分浸入的作用可更有效地得到发挥，装置寿命可进一步延长。实际上，在形成图11所示的保护膜501A及501c的场合下的电光学装置的装置寿命与传统模式相比，确认可提高5倍左右。

此外，在图像显示区10a内，由于保护膜501A按照只覆盖数据线6a的原则被形成，因而几乎不发生图像变暗，或图像中混入附带颜色的光等事态。即，仍然可显示出高质量的图像。关于这一点，尤其在实施方式4下，通过保护膜501A的形成宽度W1小于格状遮光膜23的宽度W2，图像中混入附带颜色的光的可能性被下降到极小程度。即，图13所示的入射光，原则上从格状遮光膜23的外则通过(参照图13中的光L1)，因而透过保护膜501A的光的绝对量极小。而且，作为例外，虽然不能不考虑具有斜向成分的光从格状遮光膜23的外侧通过，并透过保护膜501A的场合，但在实施方式4下，通过按上述的δw＝(W2-W1)/2＝0.2～1.0微米算式进行适当设定，这种可能性将非常小(参照图13中的光L2)。这是因为该格状遮光膜23的所谓“成为影子的部分”增大。

通过上述过程，在实施方式4下，产生图像质量劣化的可能性非常小。另外，该0.2～1.0微米的宽度差，在可以得到上述的作用效果的同时，从格状遮光膜2 3不随便缩小开口区域，确保足够的透光量，显示出更鲜明的图像的观点出发，也是一个较好的值。

此外，实施方式4所涉及的保护膜501A及501c，通过在由BPSG膜形成的第3层间绝缘膜43′的下侧形成，具有以下作用效果。首先，由于第3层间绝缘膜43′本身由BPSG膜构成，根据该BPSG膜所具有的在400℃以下的低温处理中的形成可能性，或者柔软性的性质，即使在数据线6a由铝构成的场合下，也不发生溶融等，可在该数据线6a上形成适当的层间绝缘膜，此外，该数据线6a的形状不能在层间绝缘膜的表面上被复现，可降低该表面上产生无用的阶差的可能性。根据后者的作用效果，在第3层间绝缘膜43′的上侧形成的定向膜16的表面上，也可以避免产生无用的阶差，因而可适当地实施针对该定向膜16的摩擦处理，构成与该定向膜16相接的液晶层50的液晶分子的定向状态几乎不发生紊乱。

此外，这种BPSG膜还具有所不需要的高吸水性的性质，这样，不会发生该BPSG膜中预先吸收的水分到达TFT30，缩短其寿命的事态。然而，在实施方式4下，如图13所示，由于在第3层间绝缘膜43′的下侧形成保护膜501A及501c，因而从该第3层间绝缘膜43′至TFT30的水分进入经路可被有效地阻断。即，TFT30的耐湿性将进一步提高，这样，实施方式4所涉及的电光学装置的装置寿命将被更可靠地延长。

另外在上述中，在图像显示区域10a中，虽然只按照覆盖数据线6a的形式形成保护膜501A，但根据具体场合，也可以按照覆盖扫描线3a的形式形成保护膜。在该场合下，按照与数据线6a及扫描线3a形成的格状对应的形式，形成格状保护膜。这样，根据这种方式，TFT阵列基片10上的保护膜所占的比例相对增大，因而可更有效地发挥提高TFT30的耐湿性的作用效果。而且，如果形成这种格状保护膜，该保护膜不到达开口区域内，这一点与上述一样，因而仍然几乎不会发生图像变暗，或图像中混入附带颜色的光的现象，不会发生图像质量下降的事态。

(变形方式)

在上述的第2至实施方式4下，虽然根据TFT的有无，决定形成保护膜501a及501b，或501c的区域，但作为一种变形方式，在TFT阵列基片10上的层叠构造中，对于具有比如通过传导孔将存在于保护膜501a及501b，或501c的上层侧的布线、电极、元件等与存在于保护膜501a及501b，或501c的下层侧的布线、电极、元件等连接起来的必要性的区域，也可以在局部不形成保护膜501a及501b，或501c。这样，可便于与传导孔的开孔等有关的制造工艺，可在被限定的各像素的非开口区域内，良好地实施传导孔的开孔等。

此外在上述的第1至实施方式3中，虽然在图像显示区域10a中，不设置保护膜501等，但作为其它变形方式，也可以在图像显示区域10a内的各像素的非开口区域内设置保护膜。根据这种构成，对于在实际中用于显示的光透过或反射的各像素的开口区域，由于不存在保护膜，因而也不会发生透过率下降及显示图像附带特定颜色。这样，只因为在非开口区域内形成保护膜，因而在图像显示区域10a内，也可在某种程度上提高对TFT30等的耐湿性。此外，它的一种具体模式不外乎是上述实施方式4。

此外，在上述的第1至实施方式4下，根据区域的不同，可设置保护膜501等，也可不设置，但作为其它变形方式，在上述的第1至实施方式4中，对于不希望形成保护膜501等的区域或不形成保护膜501等也可以的区域，在较薄地形成相对较薄的保护膜的同时，对于希望形成保护膜501等的区域，也可以与上述第1至实施方式4的场合同样形成保护膜。在这种构成下，可获得与第1至实施方式4的场合类似的效果。

此外，在上述的第1至实施方式4下，作为像素转换用的TFT30，虽然可以采用N沟道型TFT或P沟道型TFT，或把它们组合后的互补型TFT等任意的TFT，但作为其它的变形方式，在上述的第1至实施方式3中，像素转换用的TFT30也可以只由N沟道型TFT构成。如果把与该P沟道型TFT相比，更难以发生由于湿气或水分引起的性能下降的N沟道型TFT设置到图像显示区域10a内，则可优先保证图像显示区域10a的图像显示质量，即使是几乎或完全不覆盖保护膜501等，也可得到整体耐湿性较高的构造。

在参照上述图1至图13说明的各实施方式下，也可以不在TFT阵列基片10上设置数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104，而在被安装在比如TAB(Tape Automated bonding：自动带耦合)基片上的驱动用LSI上，通过被设置在TFT阵列基片10的外围部的各向异性导电膜进行电气及机械连接。此外，在各对置基片20的投射光入射侧及TFT阵列基片10的出射光的出射侧，根据比如TN(TwistedNematic：扭绞向列)式、VA(Vertically Aligned：纵向对中)式、PDLC(Polymer Di spersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)式等运作模式及常白模式/常黑模式的不同，按规定方向配置偏振光膜、相位差膜、偏振光片等。

上述说明的实施方式下的电光学装置为用于投影仪，采用3个电光学装置作为RGB用的光阀，在各光阀内，通过各RGB色分解用双色镜被分解的各颜色的光被作为投射光入射。这样，在各实施方式下，在对置基片20上，不设置滤色器。然而，在与像素电极9a对置的规定区域内，在对置基片20上可以形成RGB滤色器及其保护膜。这样，对于投影仪以外的直视型及反射型彩色电光学装置，可采用各实施方式下的电光学装置。此外，在对置基片20上也可以按照1个像素对应1个的形式形成微型透镜。或者，也可以在与TFT阵列基片10上的RGB对置的像素电极9a下方通过耐色膜等形成滤色层。这样，通过提高入射光的集光效率，可实现鲜明的电光学装置。此外，通过在对置基片20上，层叠若干层其折射率各异的干涉层，可利用光的干涉，形成能产生RGB色的双色滤色器。利用设有该双色滤色器的对置基片，可实现更为鲜明的彩色电光学装置。

(制造过程)

接下来，参照图14至图16，对具有上述构造的电光学装置的制造方法作以说明。这里，图14及图15是表示各工序的工序图，其中，左侧表示在外围区域内设置TFT部分的断面构造，与之并列的右侧表示在图像显示区域内设置TFT部分的断面构造。此外图16是有关变形方式的工序图。

首先在图14的工序(1)中，准备硅基片、石英基片、玻璃基片等TFT阵列基片10。这里，最好在N2(氮气)等惰性气体氛围下，在大约850～1300℃，最好在1000℃的高温下进行热处理，然后在所实施的高温处理中，按照减少在TFT阵列基片10上所产生的畸变的原则进行预处理。

在经过上述处理后的TFT阵列基片10的整个表面上，通过溅射法等，形成其膜厚为100～500nm左右，最好为200nm左右的Ti，Cr，W，Ta，Mo等金属和金属硅化物等金属合金膜，作为遮光层，然后通过光刻及蚀刻，在TFT阵列基片10上形成具有图5及图6所示图案的下侧遮光膜11a。接着，在下侧遮光膜11a上，通过比如常压或减压CVD法等，利用TEOS(四乙基原硅酸盐)气体、TEB(四乙基ボ-トレ-ト)气体、TMOP(四甲基氧フオスレ-ト)气体等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等构成的第1层间绝缘膜12。

接下来如工序(2)所示，在底层绝缘膜12上，通过利用减压CVD等形成非晶形硅膜，并实施热处理，使多晶硅膜固相成长。或者，不经过非晶形硅膜，利用减压CVD法等直接形成多晶硅膜。接下来，通过对该多晶硅膜实施光刻工序、蚀刻工序等，在图像显示区域内形成具有图5及图6所示的规定图案的半导体层1a，同时，在外围区域内形成具有图7或图9所示的规定图案的半导体层320。

接下来如工序(3)所示，通过热氧化等，形成作为栅极绝缘膜的绝缘膜2。其结果是，半导体层1a和半导体层320的厚度达到大约30～150nm，最好为大约35～50nm，绝缘膜2的厚度达到大约20～150nm，最好为大约30～100nm。

接下来如工序(4)所示，使通过减压CVD法等掺杂P(磷)后的多晶硅膜层叠大约100～500nm厚，通过光刻工序、蚀刻工序等，在图像显示区域内形成具有图5及图6所示的规定图案的扫描线3a，同时，在外围区域内形成具有图7至图10所示的规定图案的栅极电极316。接下来，通过按低浓度与高浓度2个阶段掺杂杂质，在图像显示区域内形成包括低浓度源极区1b及低浓度漏极区1c、高浓度源极区1d及高浓度漏极区1e的LDD构造像素转换用TFT30的半导体层1a，同时，在外围区域内形成包括构成TFT202等的P沟道区320p及N沟道区320n的半导体层320。

接下来如工序(5)所示，利用比如常压或减压CVD法及TEOS气体等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等构成的第2层间绝缘膜41。

接着，通过减压CVD法等使掺杂P(磷)后的多晶硅膜层叠，形成中继层71。利用减压CVD法、等离子CVD法等把由高温氧化硅膜(HTO膜)和氮化硅膜构成的电介体膜75层叠为膜厚为50nm左右的较薄的厚度，然后，通过溅射法，利用Ti，Cr，W，Ta，Mo等金属和金属硅化物等金属合金膜形成电容线300。这样，在图像显示区域内形成蓄存电容70。

然后，利用比如常压或减压CVD法及TEOS气体等，形成由NSG、PSG、BSG、BPSG等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜、氧化硅膜等构成的第2层间绝缘膜42。接着，通过针对第2层间绝缘膜42的反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻等干蚀刻，开凿传导孔后，在整个第2层间绝缘膜42上，通过溅射等，把遮光性Al等的低电阻金属和金属硅化物等作为金属膜，层叠大约100～500nm的厚度，最好为大约300nm。这样，通过光刻及蚀刻，在图像显示区域内形成具有规定图案的数据线6a。与此同时，在外围区域内，形成布线322和306。

接下来在图15的工序(6)中，按照覆盖数据线6a及第2层间绝缘膜42的原则，通过低温CVD、等离子CVD等，在TFT阵列基片10的整个范围内形成由氮化膜等构成的保护膜501。即，在该工序(6)中，在整个图像显示区域内，也形成保护膜501′。

接下来在工序(7)中，通过利用光刻及蚀刻，把在图像显示区域内形成的保护膜501′除去，只在外围区域内留下保护膜501。

接着，通过针对第3层间绝缘膜43的反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻等干蚀刻，开凿传导孔85。

特别在此时，对于传导孔85，根据由氮化膜等构成同时又作为保护膜的性质，由于可在一般较难被蚀刻的保护膜501′在工序(7)中被除去的区域内开孔，因而该蚀刻比较容易实施。假如未在工序(7)中除去保护膜501′，则在该传导孔85开孔时，蚀刻剂浸入保护膜501′的界面后，传导孔85的形状将局部扩大，或易剥离的微小空间将扩大。

其后，在第3层间绝缘膜43上，通过溅射处理等，把ITO膜等透明导电膜层叠为大约50～200nm的厚度，然后，通过光刻及蚀刻，形成像素电极9a，在它上面涂布聚酰亚胺系定向膜涂布液后，通过按照具有规定的预倾角的原则，在规定方向上实施摩擦处理等，形成定向膜16。

通过以上说明的制造过程，与上述第1至实施方式3相同，在图像显示区域及外围区域内分别设置TFT的同时，可较容易地制造具有用保护膜501等只覆盖外围区域内的TFT的构造的电光学装置。

此外，如图16所示，也可以不采用上述工序(7)，不通过蚀刻完全除去在图像显示区域10a内形成的保护膜501′，而实施通过蚀刻实现薄膜化的工序(7′)。在该场合下，在图16的工序(8′)中，传导孔8 5的开孔作业虽然包括贯通由致密的氮化膜等构成的保护膜501′的作业，但在工序(7′)中，如果使保护膜501′适当地薄膜化，形成保护膜501″，则传导孔85的开孔作业将较容易。这样，只需在图像显示区域10a内也形成这种较薄的保护膜501″，便可提高图像显示区域10a内的耐湿性。同时，通过使保护膜501″较薄地形成，可以使透过率的下降及特定颜色内附带异色等缺陷几乎不出现，因而有利于实际应用。

此外，虽然上述图17的工序(7′)或工序(8′)主要着眼于实施薄膜化，但毋庸赘言，在如同上述实施方式4，主要着眼于按照覆盖数据线6a的形式保留保护膜501A的场合下，也可以采用几乎相同的制造工序。然而，在该场合下，如图17的工序(7′)或工序(8′)所示，在形成保护膜时，不覆盖第2层间绝缘膜42的整个表面，而是如图13所示，按照只在数据线6a′上形成保护膜501A的原则，实施图案形成(参照图11及图12)。此外，在该场合下，对于该保护膜501A，可以实施上述的薄膜化，也可以不实施。

(电子设备的实施方式)

以下，对作为把上述详细说明过的电光学装置作为光阀使用的电子设备一例的投射型彩色显示装置的实施方式下的总体构成，特别是光学构成作以说明。这里图17是投射型彩色显示装置的断面图。

在图17中，作为本实施方式下的投射型彩色显示装置一例的液晶投影仪1100，配有3个包括在TFT阵列基片上搭载驱动电路的液晶装置的液晶模块，各自被作为RGB用的光阀100R、100G、100B使用的投影仪构成。在液晶投影仪1100中，来自金属卤灯等白色光源的灯单元1102的投射光被发出后，通过3个反射镜1106和2个双色镜1108，被分成与RGB三原色对应的光成分R、G、B，分别被导入与各色对应的光阀100R、100G、100B内。此时的B光，为防止由较长的光路造成的光损失，通过由入射透镜1122、中继透镜1123及出射透镜1124构成的中继透镜系统1121被传导。这样，与分别由光阀100R、100G、100B调制后的三原色对应的光成分，在由双色棱镜1112再度合成后，通过投射透镜1114作为彩色图像被投射到屏面1120上。

此外，本发明的电光学装置，不局限于采用液晶的装置，也可适用于电泳装置、EL装置等。

本发明不局限于上述的实施方式，在不违反从权利要求范围及说明书整体读取的发明宗旨或思想的范围内可作适当的变更，伴随着这种变更的电光学装置及其制造方法，以及电子设备也被包括在本发明的技术范围内。

Claims (44)

1.一种电光学装置，其特征是：配有

被配置在基片上的图像显示区域的显示用电极；

被配置在位于上述图像显示区域外围的外围区域、构成外围电路的电子元件；

按照至少部分覆盖上述外围区域的原则而被形成的保护膜，

上述保护膜不被设置在上述图像显示区域内的各像素开口区域的至少一部分。

2.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，

该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极连接的第1晶体管，

上述电子元件由第2晶体管组成。

3.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜不被设置在上述各像素的开口区域。

4.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜不被设置在上述图像显示区域。

5.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜被设置在上述整个外围区域。

6.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜被设置在与上述外围区域内的上述电子元件重叠的区域，同时不被设置在与上述电子元件不重叠的区域的至少一部分。

7.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述电子元件由互补型晶体管组成，

上述保护膜至少被设置在与构成上述外围区域内的上述互补型晶体管的P沟道型晶体管重叠的区域。

8.权利要求7中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜至少不被设置在与构成上述外围区域内的上述互补型晶体管的N沟道型晶体管重叠的区域的一部分。

9.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜由氮化膜组成。

10.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜被层叠在上述电子元件的上侧。

11.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜在上述基片上的层叠构造中被层叠在上述像素电极的下侧。

12.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，

该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极连接的第1晶体管，

上述像素电极和上述第1晶体管，通过在未形成上述保护膜的区域开孔的传导孔被连接。

13.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：还配有

与上述基片对置配置的对置基片；

在上述图像显示区域内，被夹持在上述基片与上述对置基片之间的电光学物质。

14.权利要求1中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，

该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极连接的第1晶体管，

上述第1晶体管，由N沟道型晶体管组成。

15.一种电光学装置，其特征是：配有

被配置在基片上的图像显示区域的显示用电极；

被配置在位于上述图像显示区域外围的外围区域、构成外围电路的电子元件；

在按照至少分别部分覆盖上述外围区域及上述图像显示区域的原则被形成的同时，在上述外围区域内被相对较厚地形成，而且在上述图像显示区域内被相对较薄地形成的保护膜。

16.权利要求15中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜，在上述整个画像显示区域相对较薄地形成，而且在上述整个外围区域相对较厚地形成。

17.权利要求15中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜由氮化膜组成。

18.权利要求15中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜被层叠在上述电子元件的上侧。

19.权利要求15中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜在上述基片上的层叠构造中被层叠在上述像素电极的下侧。

20.权利要求15中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，

该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极连接的第1晶体管，

上述像素电极和上述第1晶体管，通过在未形成上述保护膜的区域开孔的传导孔被连接。

21.权利要求15中记载的电光学装置，其特征是：还配有

与上述基片对置配置的对置基片；

在上述图像显示区域内，被夹持在上述基片与上述对置基片之间的电光学物质。

22.权利要求15中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，

该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极连接的第1晶体管，

上述第1晶体管，由N沟道型晶体管组成。

23.一种电光学装置，其特征是：还配

被配置在基片上的图像显示区域的显示用电极；

被配置在位于上述图像显示区域外围的外围区域、构成外围电路的电子元件；

按照至少部分覆盖上述外围区域的原则被形成的保护膜，

还配有

按照与上述图像显示区域内的各像素的开口区域以外的非开口区域对应的原则延伸的配线，

上述保护膜按照还至少部分覆盖上述配线的原则形成。

24.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述配线至少包含铝。

25.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述配线，包含用于向上述显示用电极提供图像信号的数据线。

26.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜被设置在上述整个外围区域及上述整个配线形成区域。

27.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极及上述配线连接的第1晶体管，

上述电子元件由第2晶体管组成，同时配有与该第2晶体管连接的电极，

上述保护膜按照覆盖作为同一膜被形成的上述配线及上述电极的原则，作为同一膜被形成。

28.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

还配有规定上述开口区域的遮光膜，

在该遮光膜及上述保护膜互相重叠的部分的至少一部分中，上述遮光膜的宽度大于按照覆盖上述配线的原则形成的保护膜的宽度。

29.权利要求28中记载的电光学装置，其特征是：

还配有与上述基片对置配置的对置基片；在上述图像显示区域内，被夹持在上述基片与上述对置基片之间的电光学物质，

上述遮光膜，在上述对置基片上形成。

30.权利要求28中记载的电光学装置，其特征是：

在上述基片上构筑包括上述显示用电极及上述配线的层叠结构，

上述遮光膜，包括构成上述层叠构造的一部分的内置遮光膜。

31.权利要求30中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，

该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极连接的第1晶体管；

由分别与上述像素电极及上述第1晶体管电连接的像素电位侧电容电极、与该像素电位侧电容电极对置配置的固定电位侧电容电极、被上述像素电位侧电容电极及上述固定电位侧电容电极夹持的电介体膜组成的蓄存电容，

上述内置遮光膜包括上述固定电位侧电容电极。

32.权利要求27中记载的电光学装置，其特征是：

上述遮光膜的边缘，最好比上述保护膜的边缘在两侧各大出0.2～1.0μm。

33.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜由氮化膜组成，

该氮化膜通过等离子CVD法形成。

34.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜的厚度为5～35nm。

35.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

在上述基片上构筑包括上述显示用电极、上述配线及上述保护膜的层叠构造，

上述保护膜，被作为构成上述层叠构造的一部分的硼磷硅酸盐玻璃膜的下层被形成。

36.权利要求35中记载的电光学装置，其特征是：

在上述层叠构造中形成的多个层间绝缘膜中最上层的层间绝缘膜，由上述硼磷硅酸盐玻璃膜组成，同时在该硼磷硅酸盐玻璃膜上，形成通过按照自下而上的顺序与上述显示用电极及电光学物质接触，可将其定向状态维持在规定状态的定向膜。

37.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜由氮化膜组成。

38.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜，被层叠在上述电子元件的上侧。

39.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述保护膜，在上述基片上的层叠构造中被层叠在上述像素电极的下侧。

40.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，

该电光学装置，还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极连接的第1晶体管，

上述像素电极和上述第1晶体管，通过在未形成上述保护膜的区域开孔的传导孔被连接。

41.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：还配有

与上述基片对置配置的对置基片；

在上述图像显示区域内，被夹持在上述基片与上述对置基片之间的电光学物质。

42.权利要求23中记载的电光学装置，其特征是：

上述显示用电极由像素电极组成，

该电光学装置还配有被配置在上述图像显示区域、与上述像素电极连接的第1晶体管，

上述第1晶体管，由N沟道型晶体管组成。

43.一种制造电光学装置的电光学装置制造方法，其特征是：配有

在上述基片上，形成上述电子元件的工序；

在上述基片上及上述电子元件上形成作为上述保护膜的预制膜(preform film)的工序；

在上述图像显示区域内的至少一部分内通过蚀刻把上述所形成的预制膜除去或使之薄膜化，形成上述保护膜的工序；

形成上述保护膜后，在上述图像显示区域内形成上述显示用电极的工序。

44.一种电子设备，其特正是：

具备权利要求1，15，23的任一项记载的电光学装置。

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