CN1388568A - 叶片式基片清洗方法及其装置 - Google Patents

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Abstract

在密闭的清洗室内对每片晶片进行非盒式、并且同时湿式清洗晶片的正反两面的叶片式湿式清洗技术,对旋转支撑的晶片W的正反面由上侧和下侧供给喷嘴25、26从上下方向依次供给多种药液来进行清洗,并且在下侧供给喷嘴26中,至少从不供给药液的下侧供给喷嘴常时流出纯水,防止发生各种药液的清洗处理期间的交叉污染。

Description

叶片式基片清洗方法及其装置
技术领域
本发明涉及叶片式基片清洗方法和叶片式基片清洗装置，特别涉及半导体和电子零件等器件的制造工序中对半导体晶片等基片进行每片湿式清洗处理的叶片式湿式清洗技术。
背景技术
作为对半导体晶片(以下简称为晶片)进行湿式清洗的方法，以往，对于将多个清洗槽连续排列的湿式台型的清洗处理来说，将装载台中收容的多片晶片、或省略装载台而直接将多片晶片通过搬运装置依次进行浸渍处理的所谓的批量式湿式清洗成为主流，但半导体器件也迎来超微米时代，随着这种器件结构的微细化、高集成化，近来对于晶片的表面也需要非常高清洁度，作为满足更高清洁度要求的湿式清洗技术，开发提出了在密闭的清洗室内对每片晶片进行非盒式湿式清洗的所谓叶片式湿式清洗。本申请人也改良了该叶片式湿式清洗方法，申请了日本第2000-370718号发明专利申请。其内容是有关发挥在密闭的清洗室内对每片晶片进行非盒式湿式清洗的叶片式湿式清洗的优点，并且有效地防止晶片的表面氧化的方法。
作为该叶片式湿式清洗，具有可以高精度地进行没有微粒再附着等高清洁环境下的清洗，而且装置结构简单、小型，即使多品种少量生产也可以有效地应对的优点。一般地，在该叶片式湿式清洗中，仅对晶片的表面即上表面按预定的顺序进行各种药液的清洗处理，但为了晶片的高效率的清洗处理，近来要求开发可同时清洗处理晶片的正反面的清洗技术。
但是，在对晶片的反面即下表面进行清洗处理的情况下，药液的供给以从下侧向上侧的喷射供给作为基本结构，在这样的结构中，在各种药液的清洗处理期间发生交叉污染(cross-contamination，以下简称为“交叉污染”)的危险非常大，对于上述新的清洗技术的开发来说，解决该问题是当务之急。
发明内容
本发明是鉴于这样的以往的问题而提出的发明，其目的在于提供一种叶片式基片清洗技术，在密闭的清洗室内对每片晶片进行非盒式湿式清洗，并且同时湿式清洗晶片的正反两面。
为了实现上述目的，本发明的叶片式基片清洗方法在密闭的清洗室内，对每片基片进行非盒式湿式清洗，其特征在于，对旋转支撑的基片的正反面由上侧和下侧供给喷嘴从上下方向依次供给多种药液来进行清洗，并且在下侧供给喷嘴中，至少从不供给药液的下侧供给喷嘴中常时流出纯水。
作为优选实施例，在所述多种药液的一连串的清洗工序中，在先行药液的清洗和后行的其它药液的清洗之间，进行纯水的漂洗时，通过供给所述先行药液的上侧和下侧供给喷嘴来供给漂洗处理用的纯水，并且在该漂洗处理结束后，从这些上侧和下侧供给喷嘴的至少下侧供给喷嘴中，连续流出纯水。在该情况下，最好以使防止从该下侧供给喷嘴供给的药液以外的药液的逆流入所需的范围尽量小来设定从所述下侧供给喷嘴中流出的纯水的流速和流量。
本发明的叶片式基片清洗装置用于实施所述清洗方法，该装置包括：基片旋转部件，该部件在所述清洗室内以水平状态来支撑旋转一片基片；清洗腔，该腔在所述基片旋转部件的外周部，形成基片旋转部件上旋转支撑的基片的清洗处理用空间；以及药液供给部件，该部件向所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的正反面供给药液；其特征在于，该药液供给部件设置在所述清洗室内，包括对所述基片的表面从上侧供给药液的上侧供给喷嘴、以及对所述基片的反面从下侧供给药液的下侧供给喷嘴，这些上侧和下侧供给喷嘴对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的正反面从上下方向依次供给多种药液来进行清洗，并且在该一连串的清洗工序中，至少从不供给药液的所述下侧供给喷嘴中常时流出纯水。
作为优选实施例，所述上侧和下侧供给喷嘴形成为对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的正反面喷射供给药液的喷嘴形态，并且配置与要供给的药液种类对应的数目。此外，在所述基片旋转部件的可旋转的旋转轴的上端部位，将所述下侧供给喷嘴向上并且固定地设置，同时可有选择地连通要供给的药液的供给源和纯水供给源。
所述基片旋转部件的旋转轴内周和所述配管外周的间隙最好具有作为惰性气体供给口的功能。
在本发明的叶片式基片清洗中，在密闭的清洗室内，对每片晶片进行非盒式湿式清洗，对旋转支撑的晶片的正反面由上侧和下侧供给喷嘴从上下方向依次供给多种药液来清洗。
这种情况下，在所述下侧供给喷嘴中，通过至少从不供给药液的下侧供给喷嘴中常时流出纯水，来防止发生因各种药液产生的清洗处理期间的交叉污染。
更详细地说，由于对晶片反面的药液供给为从下侧向上侧的供给，所述下侧供给喷嘴在构造上向上设置开口，所以在各下侧供给喷嘴中容易残留药液。因此，在一种药液的清洗处理后进行另一药液的清洗处理的情况下，各下侧供给喷嘴中残留的药液混入清洗处理中的某个其它药液中，或者该清洗处理中的药液侵入待机中的下侧供给喷嘴中，与那里残留的不同种药液混合，在各清洗处理期间发生交叉污染的可能性极大。
考虑到这点，在本发明中，通过在下侧供给喷嘴中，至少从不供给药液的下侧供给喷嘴中常时流出纯水，可以防止发生因各种药液在清洗处理期间产生的交叉污染。
即，在本发明的叶片式基片清洗中，在密闭的清洗室内，对每片晶片进行非盒式清洗时，对旋转支撑的晶片的正反面由上侧和下侧供给喷嘴从上下方向依次供给多种药液来进行清洗，通过在所述下侧供给喷嘴中，至少从不供给药液的下侧供给喷嘴中常时流出纯水，可防止发生因各种药液产生的清洗处理期间的交叉污染。
换句话说，对晶片反面的药液的供给为从下侧向上方的供给，由于所述下侧供给喷嘴在构造上向上设置开口，所以在各下侧供给喷嘴中容易残留药液。
因此，在一种药液的清洗处理后进行另一药液的清洗处理的情况下，各下侧供给喷嘴中残留的药液混入清洗处理中的某个其它药液中，或者该清洗处理中的药液侵入待机中的下侧供给喷嘴中，与那里残留的不同种药液混合，所以在各清洗处理期间发生交叉污染的可能性极大。
考虑到这点，在本发明中，通过在下侧供给喷嘴中，至少从不供给药液的下侧供给喷嘴中常时流出纯水，可以有效地防止发生因各种药液产生的清洗处理期间的交叉污染。
附图说明
图1表示本发明一实施例的叶片式基片清洗装置的内部结构的正面剖面图。
图2表示该基片清洗装置的基片旋转部、清洗室和药液供给部之间配置关系的放大正面剖面图。
图3表示该基片旋转部和药液供给部的下侧喷嘴结构的放大正面剖面图。
图4表示该基片旋转部和药液供给部的下侧喷嘴结构的放大平面图。
图5表示进一步放大示出该下侧喷嘴和其周围构造的放大正面图。
具体实施方式
以下，根据附图来详细说明本发明的实施例。
本发明的叶片式基片清洗装置示于图1，具体地说，该基片清洗装置具有在密闭的清洗室1内对每片晶片W进行非盒式湿式清洗的构造，由以下主要部分构成：在可密闭的上述清洗室1内，以水平状态支撑旋转一片晶片W的基片旋转部(基片旋转部件)2；可相对上下方向移动的清洗腔3；供给药液至晶片W的上下正反表面的供给部(药液供给部件)4；供给用于防止氧化的惰性气体的惰性气体供给部(惰性气体供给部件)5；以及相互连动控制这些驱动部的控制部6。
清洗室1的上部形成可密闭的清洗处理用的空间，同时下部配置在上部空间内并形成各种装置驱动部的设置部。具体地说，图中虽未示出，但在清洗室1的上部空间中，设置可开闭的基片搬运出入口，该基片搬运出入口在其闭塞时具有确保该部位的气密、不透水性的构造。
基片旋转部2在旋转清洗时和旋转干燥时以水平状态支撑一片晶片W并使其水平旋转，基片支撑部11以水平状态安装支撑在旋转轴10的前端部分，并且包括旋转驱动该旋转轴10的驱动电机12。
基片支撑部11和旋转轴10通过轴承支撑筒体13以垂直直立状态可旋转地配置在清洗室1的中央部，将一片晶片W以水平状态支撑在基片支撑部11上。
具体地说，基片支撑部11形成如图3和图4所示的圆盘形态，并且在其上表面外周部包括装载支撑晶片W的周缘部的多个(图中情况下为4个)圆柱状的支撑体14、14、…。
这些支撑体14、14、…如图所示沿基片支撑部11的圆周方向等间隔配置，其前端内周部分形成支撑晶片W的周缘部分的支撑凹部14a。这些支撑体14、14、…的支撑凹部14a、14a…以彼此同一高度来设定，由此，以水平状态来支撑晶片W的周缘部。
支撑凹部14a的支撑面未具体地图示，但具有与晶片W的周缘部的轮廓形状对应的剖面形状，由此，对晶片W的短形剖面的周缘部形成以点接触状态或线接触状态来对接支撑该周缘角部。
旋转轴10由轴承40通过支撑筒体13直立状旋转支撑，并且其下端部可皮带驱动连接到驱动电机12。然后，旋转轴10由该驱动电机12的驱动来旋转驱动，使上述基片支撑部11根据规定的转数来旋转。旋转轴10的旋转速度例如在旋转清洗处理时被设定为40～50r.p.m.的低速，而在旋转干燥时被设定为约3000r.p.m.的高速。
上述旋转轴10形成图示的空心筒状，在其空心内部配置后述的药液供给部4的下侧供给喷嘴26的配管30。
清洗腔3是对晶片W清洗处理的部位，其内径尺寸如后述那样，按与基片旋转部2的基片支撑部11的关系来设定，在基片旋转部2的外周部形成该基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的清洗处理用空间。
具体地如图1和图2所示，清洗腔3在其内周部中包括在上下方向上排列的多段圆环状处理槽15～18，并且形成对上述基片旋转部2沿上下方向可升降动作的结构。
在图示的实施例中，上述圆环状处理槽15～18包围基片旋转部2的基片支撑部11上支撑的晶片W，并且同心状沿上下方向排列为4段。
这些圆环状处理槽15～18的内径边缘不与上述基片旋转部2的基片支撑部11的外径边缘接触，并且这两个边缘之间形成的环状间隙以阻止药液等向下侧漏泄的程度的微小间隔来设定。
清洗腔3包括通过图中未示出的升降导轨沿上下方向可垂直升降地支撑、并且对基片旋转部2的基片支撑部11进行每次规定行程量的升降动作的升降机构20。
该升降机构20由使支撑清洗腔3的支撑框21升降动作的图中未示出的进给丝杆机构、以及旋转驱动该进给丝杆机构的驱动电机22构成。
根据清洗处理工序，通过与后述的基片旋转部2动作连动的驱动电机22的驱动，通过上述进给丝杆机构，清洗腔3沿上下方向每次升降规定行程，要进行清洗处理工序的圆环状处理槽15～18的某一个处理槽相对于上述基片旋转部2的基片支撑部11上支撑的晶片W有选择地决定其高度方向位置。
具体地虽未图示，但在4个圆环状处理槽15～18中，分别设置连通到装置外部的排泄部。这些排泄部排出各处理槽15～18内的药液或惰性气体，或进行再利用回收，仅在清洗处理进行时形成开口，而在进行其它处理槽中的清洗处理的情况下闭塞。
药液供给部4对上述基片旋转部2旋转支撑的晶片W的表面供给药液，主要包括对晶片W正表面从上侧供给药液的上侧供给喷嘴25，以及对晶片W的反面从下侧供给药液的下侧供给喷嘴26。
具体地说，这些上侧供给喷嘴25和下侧供给喷嘴26形成对晶片W的正反面喷射供给药液的喷嘴形态，与要供给的药液的种类所对应的数目来配置，并且这两种供给喷嘴25、26都可连通到在清洗室1的外部设置的药液供给源27。
在图示的实施例中，上侧供给喷嘴25形成将多个喷嘴一体化的喷嘴部25A的形态，该喷嘴部25A在清洗室1内的上部中以向下状态可水平旋转地设置，并且被连接到图中未示出的用于摆动的驱动电机。
在上述喷嘴部25A中，设置与要供给的药液种类对应数目的喷嘴口25、25、…，具体地说，设置4个喷嘴25、25、…(图中省略)，分别具有作为后述的APM液、纯水和DHF液的供给口的功能。
上述喷嘴部25A的上侧喷嘴25相对于基片旋转部2的基片支撑部11上水平状态旋转支撑的晶片W的表面，从其外周经过中心来水平旋转，并且在水平旋转静止后喷射供给规定的药液。
下侧供给喷嘴26被设置在基片旋转部2的可旋转的旋转轴10的上端部位，相对于旋转支撑的晶片W的反面以向上状态固定地设置。在图示的实施例中，对应于上侧喷嘴25、25、…，将APM液、纯水和DHF液所用的喷嘴分别设置各两个，配置合计6个的下侧喷嘴26、26、…。
这些下侧喷嘴26、26、…如图3～图5所示，通过旋转轴10内部配置的配管30可连通到上述药液供给源27。
具体地说，上述配管30在空心圆筒状的旋转轴10的空心内部沿上下方向贯通，并且通过图中未示出的支撑构造，与旋转轴10非接触状态地固定配置。
在该配管30的上端部安装固定圆板状的药液供给部31，在该药液供给部31的上面沿圆周方向等间隔配置上述6个下侧供给喷嘴26、26、…，并且各喷嘴26相对于基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的反面中央部呈现向上倾斜的状态。
这些下侧供给喷嘴26、26、…分别连通在配管30的内部贯通设置的药液供给路径30a、30a、…。这些药液供给路径30a、30a、…在配管30的下端部中，通过方向控制阀32，可分别有选择地连通到上述药液供给源27的药液(APM液和DHF液)的供给源和纯水的供给源。上述药液供给路径30a、30a、…还分别连通到上述的上侧喷嘴25、25、…。
上述药液供给源27是对上侧喷嘴25和下侧喷嘴26、…供给清洗用药液的供给源，在图示的实施例中，是可选择包括用于进行APM(NH4OH+H2O2+H2O)液的清洗的结构、以及用于进行DHF(HF+H2O)液的清洗的结构的2药液系统，与此相对，清洗腔3中的处理槽15～18分别是最下段的处理槽15用于APM液的清洗工序，处理槽15上段的处理槽16用于DHF液的清洗工序，处理槽16上段的处理槽17用于纯水的清洗，而最上段的处理槽18用于旋转干燥。
然后，上述药液供给源27通过适当选择设定清洗工序的处方，通过与后述的惰性气体供给源37协同动作，可有选择地执行i)APM+DHF+(O3+DIW)+DRY、ii)APM+DHF+DRY、iii)APM+DRY和DHF+DRY等清洗工序。
如后所述，驱动控制这些上侧供给喷嘴25和下侧供给喷嘴26、…，以便根据上述某个选择设定的处方，对基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的正反面从上下方向依次供给多种药液来进行清洗，并且在这一连串的清洗工序中，从不供给药液的下侧供给喷嘴26中常时流出纯水。
惰性气体供给部5对上述基片旋转部2上旋转支撑的晶片W表面供给用于防止氧化的惰性气体，该供给部主要包括对晶片W的正面供给惰性气体的上侧供给部35，以及对晶片W反面供给惰性气体的下侧供给部36，这些供给部35、36可连通到在清洗室1的外部设置的惰性气体供给源37。在图示的实施例中，使用氮气(N2)作为惰性气体。
上侧供给部35被设置在清洗室1内的上部，与清洗腔3协同动作，在基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面周围形成干燥用密闭空间的圆形盖形态。
具体地说，以与清洗腔3的内径边缘即最上段的圆环状处理槽18的外形边缘紧密连接状连接来设计上述上侧供给部35的外形边缘，由此，在基片旋转部2上旋转支撑的晶片W的表面周围形成必要最小限度的干燥用密闭空间。上侧供给部35通过配管38连通到上述惰性气体供给源37。
上述上侧供给部35在与上述清洗腔3协同动作的使用位置(图中未示出)、和不干扰上述药液供给部4的使用待机位置即图1所示的高度位置之间可沿上下方向移动，并且与图中未示出的升降部件驱动连接。
下侧供给部36与药液供给部4的下侧喷嘴26同样，设置在基片旋转部2的可旋转的旋转轴10的上端部位。
具体地说，如图5所示，基片旋转部2的旋转轴10的上端部的空心内周和上述配管30外周即药液供给部31之间的间隙39具有作为上述下侧供给部36的供给口的功能。
即，如图5所示，下侧供给部36的供给口39从上述药液供给部31的下面和基片支撑部11的上面之间面向水平放射方向整周开口，并且通过沿水平放射方向贯通到药液供给部31的连通部31a、31a、…，连通到与配管30内部中央贯通的惰性气体供给路径30b，该惰性气体供给路径30b在配管30的下端部中通过方向控制阀41可连通到上述惰性气体供给源37。
下侧供给部36具有防止药液逆流到上述旋转轴10的空心内周和上述配管30外周之间的间隙39a内，而使清洗室1的下部内的各种装置驱动部被腐蚀的作用，因此，从下侧供给部36常时喷射供给惰性气体。
这样构成的惰性气体供给部5在上述的晶片W清洗时和将清洗腔3内的药液排出置换时进行动作。
控制部6相互连动驱动控制上述基片清洗装置的各构成部，通过该控制部6全自动地执行以下一连串的湿式处理工序。
(1)清洗处理前的晶片W通过图中未示出的清洗室1的基片搬运出入口被搬运到清洗腔3内的基片支撑部11上，清洗腔3密闭后，通过清洗腔3的升降动作，在晶片W定位于清洗腔3内的晶片清洗处理的位置后，按预定的顺序执行上述各种清洗处理。
(2)例如，如果是上述ii)的清洗处理工序(APM+DHF+DRY)，则通过清洗腔3的升降位置块，基片支撑部11上的晶片W首先定位配置在最下段的处理槽15上，一边从惰性气体供给部5的下侧供给部36中喷射供给惰性气体即氮气，一边从上侧喷嘴25和下侧喷嘴26中喷射供给APM，并且通过基片旋转部2的低速旋转进行漂洗。
这种情况下，从不供给药液的、即APM液所用以外的下侧供给喷嘴26中常时流出纯水。从这些供给喷嘴26中流出的纯水以比上述药液喷射供给时小的流速和流量来设定，以使防止从该下侧供给喷嘴供给的药液以外的药液的逆流入所需的范围尽量小来设定该流速和流量。在该条件下从下侧供给喷嘴26的流出成为图5所示的流垂状态。
(3)接着，定位配置到上面第2段的处理槽17，一边从惰性气体供给部5的下侧供给部36中喷射供给氮气，一边从所有的上侧供给喷嘴25和下侧供给喷嘴26中喷射供给纯水，并且通过基片旋转部2的低速旋转进行漂洗。
在结束该漂洗处理后，上侧供给喷嘴25和下侧供给喷嘴26原封不动地转换为上述流速、流量的纯水流出动作，使纯水连续流出。
(4)接着，定位配置到上面第3段的处理槽16，一边从惰性气体供给部5的下侧供给部36中喷射供给氮气，一边从上侧喷嘴25和下侧喷嘴26中供给DHF液，并且通过基片旋转部2的低速旋转进行漂洗。
这种情况下，从不供给药液的、即DHF液所用以外的下侧供给喷嘴26中继续上述纯水的流出动作。
(5)再次定位配置到上述处理槽17，一边从惰性气体供给部5的下侧供给部36中喷射供给氮气，一边从所有的上侧供给喷嘴25和下侧供给喷嘴26中供给纯水，并且通过基片旋转部2的低速旋转进行漂洗。
(6)最后，定位配置到最上段的处理槽18，通过从惰性气体供给部5的上侧供给部35和下侧供给部36喷射氮气，并且通过基片旋转部2的高速旋转来进行旋转干燥。
在该干燥工序中，通过将惰性气体供给部5的上侧供给部35下降至与清洗腔3协同动作的使用位置，与清洗腔3协同动作来形成干燥用密闭空间，在该干燥用密闭空间内供给充满氮气。
因此，通过用氮气对密闭空间A内部进行清洁，而且在该情况下，通过从圆环状处理槽18的排泄部强制排气，在干燥用密闭空间A内产生从惰性气体供给部5至排泄部的路径的气流，由此使晶片W的整个表面周围的氧浓度实质上为零，在该状态下进行旋转干燥。
(7)将结束了基片清洗装置中的一连串清洗处理的晶片W再次通过清洗室1的基片搬运出入口搬出。
但是，在以上那样构成的基片清洗装置中，在密闭的清洗室1内，对旋转支撑的一片晶片W的正反面由上侧供给喷嘴25和下侧供给喷嘴26从上下方向依次供给多种药液来进行湿式清洗，特别在上述下侧供给喷嘴26、26、…中，通过至少从不供给药液的下侧供给喷嘴中常时流出纯水，来有效地防止发生因各种药液造成的清洗处理期间的交叉污染。
即，对晶片W的反面的药液的供给为从下侧向上方的供给，上述下侧供给喷嘴26在构造上向上开口设置，所以在各下侧供给喷嘴26中容易残留药液。因此，在一种药液的清洗处理后进行另一药液的清洗处理的情况下，各下侧供给喷嘴26中残留的药液混入清洗处理中的某个其它药液中，或者该清洗处理中的药液侵入待机中的下侧供给喷嘴26中，与那里残留的不同种药液混合，所以在各清洗处理期间发生交叉污染的可能性极大。
考虑到这点，在上述清洗装置中，通过在下侧供给喷嘴26、26、…中，至少从不供给药液的下侧供给喷嘴中常时流出纯水，可有效地防止发生各种药液产生的清洗处理期间的交叉污染。
上述实施例仅仅表示本发明的优选实施例，本发明并不限于此，在其范围内可进行各种设计变更。
例如，在图示的实施例中，下侧供给喷嘴26对APM液、纯水和DHF液所用的喷嘴各配置两个，合计配置6个，但也可以对APM液和DHF液所用的喷嘴各配置一个，对纯水所用的喷嘴配置两个，剩余的两个用作晶片反面干燥用的氮气喷嘴，可以进行各种选择利用。
图示的实施例的基片清洗装置可单独使用，也可以作为包括装载部、卸载部或移载机械手等各种装置的基片清洗系统的基本构成要素来使用。
本实施例中所用的药液仅是示例，根据需要，例如也可以使用HPM(HCl+H2O2+H2O)和SPM(H2SO4+H2O2+H2O)等其它药液。

Claims (10)

1.一种叶片式基片清洗方法，在密闭的清洗室内，对每片基片进行非盒式湿式清洗，其特征在于，对旋转支撑的基片的正反面由上侧和下侧供给喷嘴从上下方向依次供给多种药液来进行清洗，并且在下侧供给喷嘴中，至少从不供给药液的下侧供给喷嘴中常时流出纯水。
2.如权利要求1所述的叶片式基片清洗方法，其特征在于，在所述多种药液的一连串的清洗工序中，在以先行药液的清洗和后行的其它药液的清洗之间，进行纯水的漂洗时，通过供给所述先行药液的上侧和下侧供给喷嘴来供给漂洗处理用的纯水，并且在该漂洗处理结束后，从这些上侧和下侧供给喷嘴的至少下侧供给喷嘴中连续流出纯水。
3.如权利要求1或2所述的叶片式基片清洗方法，其特征在于，以使防止从该下侧供给喷嘴供给的药液以外的药液的逆流入所需的范围尽量小来设定从所述下侧供给喷嘴中流出的纯水的流速和流量。
4.一种叶片式基片清洗装置，该装置在密闭的清洗室内对每片基片进行非盒式湿式清洗，该装置包括：基片旋转部件，该部件在所述清洗室内以水平状态来支撑旋转一片基片；清洗腔，该腔在所述基片旋转部件的外周部，形成基片旋转部件上旋转支撑的基片的清洗处理用空间；以及药液供给部件，该部件向所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的正反面供给药液；其特征在于，该药液供给部件设置在所述清洗室内，包括对所述基片的表面从上侧供给药液的上侧供给喷嘴、以及对所述基片的反面从下侧供给药液的下侧供给喷嘴，这些上侧和下侧供给喷嘴对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的正反面从上下方向依次供给多种药液来进行清洗，并且在该一连串的清洗工序中，至少从不供给药液的所述下侧供给喷嘴中常时流出纯水。
5.如权利要求4所述的叶片式基片清洗装置，其特征在于，所述上侧和下侧供给喷嘴形成为对所述基片旋转部件上旋转支撑的基片的正反面喷射供给药液的喷嘴形态，并且配置与要供给的药液种类对应的数目。
6.如权利要求4或5所述的叶片式基片清洗装置，其特征在于，在所述基片旋转部件的可旋转的旋转轴的上端部位，将所述下侧供给喷嘴向上并且固定地设置，同时可有选择地连通要供给的药液的供给源和纯水供给源。
7.如权利要求6所述的叶片式基片清洗装置，其特征在于，所述基片旋转部件的旋转轴形成空心筒状，在该旋转轴的空心内部，将包括多种药液供给路径的配管沿上下方向贯通，并且以与所述旋转轴非接触的状态来固定配置，将所述下侧供给喷嘴向上并且固定设置在该配管的上端部，并且与所述配管的药液供给路径连通，在所述配管的下端部，所述药液供给路径可有选择地连通所述药液的供给源和纯水的供给源。
8.如权利要求7所述的叶片式基片清洗装置，其特征在于，所述基片旋转部件的旋转轴内周和所述配管外周的间隙具有作为惰性气体供给口的功能。
9.如权利要求4至8中的任何一项所述的叶片式基片清洗装置，其特征在于，所述清洗腔相对于所述基片旋转部件可沿上下方向相对地升降动作，并且在该清洗腔的内周部，形成所述清洗处理用空间的环状清洗槽包围所述基片旋转部件上支撑的基片，并且同心状沿上下方向进行多段排列，根据清洗处理工序，这些环状清洗槽的某一个通过所述清洗腔的沿上下方向的升降动作，移动并定位于与所述基片旋转部件上支撑的基片对应的位置。
10.如权利要求9所述的叶片式基片清洗装置，其特征在于，所述清洗腔设定为所述环状处理槽的内径边缘不与所述基片旋转部件的基片支撑部的外径边缘接触，并且在这两个边缘之间形成的环状间隙为可阻止药液单纯向下侧漏泄的程度的微小间隔。
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