CN1282023C - 在各像素具备辅助电容的有源矩阵型显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种在像素部，各像素具有顶栅极型TFT、补助电容Csc、液晶电容Clc的有源矩阵型显示装置，补助电容Csc第1电极(30)由TFTp-Si有源层(14)兼用，第2电极(32)在有源层(14)下层，并在其间挟持绝缘层(12)而成，以使与有源层(14)至少一部份相重叠。在内藏驱动部情况下，驱动部TFT与像素部TFT同为顶栅极型，且有源层(140)与有源层(14)为同一材料，并在有源层(140)下层具挟持绝缘层(12)并与第2电极(32)同一材料构成导电层(32D)。在像素部将防止开口率下降并同时形成补助电容，且可通过像素部TFT与驱动部TFT使有源层多结晶化退火时条件相同，并获得特性一致的TFT。
Description
技术领域
本发明涉及一种在各像素具备薄膜晶体管的有源矩阵型显示装置。
背景技术
液晶显示装置(以下称LCD)等平面显示器，因其可薄型化、小型化、轻量化故为低耗电，且LCD等以移动信息机器为首，已运用在大多数机器中，以作为各种机器的显示部份。在LCD等之中，在各像素设置薄膜晶体管等作为开关元件，称为有源矩阵型，此面板，由于可确实维持各像素的显示内容，故可用于实现高精密显示以及高显示品质所需的显示装置上。图1是显示针对有源矩阵型LCD画素的等效电路。各像素具备有连接至栅极线与数据线的薄膜晶体管1(TFT)，且当TFT通过输出至栅极线的选择信号而呈导通时，则由数据线通过此TFT以将与此显示内容相符的数据供给至液晶电容2(Clc)。在此，选择TFT并写入数据后，接下来到TFT再度被选择的期间，由于必须确实保持所写入的显示数据，故针对TFT连接有与液晶电容Clc呈并列的补助电容3(Csc)。
图2，显示在现有LCD的TFT形成基板(第1基板100)中的像素部的平面构成，图3，显示沿图2X-X线的位置上的LCD剖面结构。LCD，具备在第1及第2基板间封入液晶的结构，并且在有源矩阵型LCD中，在第1基板100上配置TFT1、像素电极74等成为矩阵状，并在与第1基板相对向配置的第2基板上，形成有施加共通电压Vcom的共通电极56、以及彩色滤光片54等。然后，挟持各像素电极74与液晶200，通过施加于与相对向的共通电极56之间的电压，以在各像素驱动液晶电容Clc。
在第1基板100侧，设于各像素的TFT，如图3所示，栅极电极60位于较有源层的上层，亦即顶栅极型TFT。TFT的有源层64，于基板5上形成如图2所示的图案，且覆盖此有源层而形成栅极绝缘膜66，并在栅极绝缘膜66上形成有兼用栅极电极60的栅极线。有源层64与栅极电极60相对向的位置为信道区64c，在挟持此信道区64c的两侧，形成有注入杂质的漏极区64d以及源极区64s。
有源层64的漏极区64d是透过覆盖栅极电极60而形成的层间绝缘膜68中所形成的接触孔，与兼用数据线的漏极电极70连接。
又，覆盖上述漏极电极以及数据线70而形成平坦化绝缘膜72，有源层64的源极区64s，透过接触孔而连接在此平坦化绝缘膜72上由氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等所构成的像素电极74。
有源层64的源极区64s，更兼用设于各像素补助电容Csc的第1电极80，如图2所示，由与像素电极74的接触孔区延伸。补助电容Csc的第2电极84，如图10所示，与栅极电极60在同一层同时形成，与栅极电极60隔以预定间隔而形成于另一区。第1电极80与第2电极84间的层间的电介质，由栅极绝缘膜66兼用。此外，补助电容Csc的第2电极84，如图2所示，未独立于各像素，而与栅极线60同样在像素区的行方向延伸，并施加预定的补助电容电压Vsc。
以此在各像素设置补助电容Csc的方式，在TFT的非选择期间中，可将依据待施加于液晶电容Clc的显示内容的电荷，保持于补助电容Csc。因此，而得以抑制像素电极74的电位变动，且保持显示内容。
在强烈要求显示装置小型化、高精密度化的用途上，必须将平均每像素的面积缩小，而平均每像素的液晶电容Clc亦随之变小。是故，为确实在单位显示期间中保持在各像素的显示数据，如上所述的补助电容Csc的存在即成为必要。
但是，另一方面，补助电容Csc本身因不作用成为显示区，故在透过型LCD情况下，如将补助电容Csc形成于各像素，将因此而无法避免平均每像素的显示可能面积减少，亦即开口率的下降。尤其是，如图2及图3所示，补助电容Csc的第2电极84，与栅极线60在同一层形成，故为使不与栅极线60与第2电极84发生短路，而必须要有绝缘空间。甚至，因与栅极为同一材料，故第2电极区为不透明，随之，将产生开口率下降、高辉度显示变难等问题。
再者，在以往的LCD中，除上述补助要领Csc外，在与形成TFT的第1基板相对向配置的第2基板上的像素区，为提高画面的对比，设有将像素间予以遮光的黑色矩阵。LCD如上述般，将第1基板与第2基板贴合，并将液晶封入间隙而构成。为避免由于此基板的贴合移位，而在各像素的开口率造成偏差，故预先将黑色矩阵的宽度加宽，或将像素区(例如像素电极)缩小。因此，开口率降低的问题，将变得更大。
发明内容
为解决上述课题，本发明的目的在于实现能确保充分的补助电容，并且高开口率的有源矩阵型显示装置。
为达成上述目的，本发明在各像素中具备有薄膜晶体管、补助电容的有源矩阵型显示装置中，在基板上，在各像素中形成前述TFT以作为顶栅极型，而前述补助电容的第1电极，与前述TFT的有源层电气连接，并使前述补助电容的第2电极与前述TFT的有源层至少一部份重叠，而在该有源层与前述基板之间挟持绝缘层而形成。
以本发明另一特征而言，在各像素中具备TFT、液晶电容、补助电容，并驱动封入在第1与第2基板间隙的液晶，以进行显示的有源矩阵型显示装置中，在前述第1基板的面对液晶的一侧中，在各像素中形成有前述TFT以作为顶栅极型，而前述补助电容是形成在第1电极和第2电极的对向区域，而所述第1电极由前述TFT的有源层所兼作，所述第2电极则在前述TFT的有源层与前述第1基板之间挟持绝缘膜而配置。
如上所述，将补助电容的第1电极连接(兼用)于TFT的有源层，甚且将第2电极，设置于与栅极线不同层，且在第1电极的下层，得以将充分大小的补助电容Csc，在不会造成开口率下降下，形成于各像素。
此外，以本发明另一特征而言，在上述有源矩阵型显示装置中，其中前述补助电容的第2电极具备遮光功能。
此外，以本发明另一特征而言，在上述有源矩阵型显示装置中，其中前述补助电容的第2电极，由遮光材料而形成于像素开口区域以外的区域。
再以本发明另一特征而言，在上述有源矩阵型显示装置中，前述补助电容的第2电极，形成于像素开口区域以外的区域，并兼作黑色矩阵。
如以配置于TFT的有源层的下层的补助电容的第2电极设为遮光性，则可由有源层下方侧，防止经由外部入射光源而产生光泄漏电流。此外，如设成黑色矩阵，则更可确实防止在TFT中的光泄漏电流产生，且将可提高对比。
又，采用第2电极以作为黑色矩阵的方式，将不会减少开口率且将能达到进一步提升对比的目的。
再者，在上述有源矩阵型显示装置中，在前述TFT的有源层，可采用对于成膜的非结晶硅层以照射激光的方式，而多结晶化的多晶硅层。
在进行为达到多晶化的激光退火时，如在非结晶硅层的有源层区，特别是在TFT信道区的下层，同样地形成第2电极层时，则为使对于信道区的退火条件一致，故可使多晶硅层的粒径一致，而防止TFT间的特性偏差。
再以本发明另一特征而言，在上述有源矩阵型显示装置中，配置成为矩阵状的各个像素，在栅极线与数据线的交叉附近构成，具备薄膜晶体管、显示元件、补助电容，在基板上，在各像素中形成有前述薄膜晶体管以作为顶栅极型，而前述补助电容的第1电极，将前述薄膜电晶层的有源层沿着前述数据线向外延伸而构成，且为使前述补助电容的第2电极，在前述第1电极与前基板之间挟持绝缘层而形成。
如上所述，本发明，将补助电容的第2电极，配置在与栅极线的另一层，并且在低于由TFT有源层所延伸出的第1电极的下方。因此无须考虑第2电极与栅极线之间的充分的绝缘空间等，而可有效地将与有源层成为一体的第1电极、第2电极相重叠的区域加宽。此外，沿着数据线的区域，多数情况为非显示区，如在此区域设置第1电极而形成补助电容，则不用降低开口率即易于获得大的电容。此外，通过将挟持绝缘层而成为位于上下的第1电极以及与数据线，设成为不要在平面重叠的布局，将可对数据线与第1电极间产生耦合的情况防患于未然。
再以本发明另一特征而言，在有源矩阵型显示装置中，配置成为矩阵状的各个像素，在栅极线与数据线的交叉附近构成，具备薄膜晶体管、显示元件、补助电容，在基板上，在各像素形成有前述薄膜晶体管以作为顶栅极型，而前述补助电容的第1电极，由前述薄膜晶体管的有源层向前述数据线的下层区延伸，而前述补助电容的第2电极，是以与前述第1电极挟持绝缘层重叠的方式而于该第1电极与前述基板之间形成，且在前述数据线与前述补助电容的第1电极相互重叠的区域中，在前述数据线与前述第1电极的层间挟持绝缘层而形成导电性防护层。
通过在数据线形成领域的下层设置补助电容的第1电极及第2电极，可将形成补助电容因而造成的开口率下降，控制在最低限度。而且，通过将导电性防护层设在数据线与第1电极之间，可防止与第1电极以及与数据线产生耦合情况。再者，亦可在第1电极与上述导电性防护层之间构成补助电容。
再以本发明另一特征而言，在上述有源矩阵型显示装置中，前述导电性防护层，由供给选择信号至另一行像素的薄膜晶体管的栅极线所兼用。
通过以下一段的栅极线兼用导电性防护层的方式，无须增加步骤而可在数据线下层构成不受数据线电压影响的补助电容。此外，由于栅极线兼用导电性防护层，故栅极线与此导电性防护层之间，无须考虑为确保绝缘性的布局弹性空间等，而可以最低限度的空间形成导电性防护层。
再以本发明另一特征而言，在有源矩阵型显示装置中，配置成为矩阵状的各个像素，在栅极线与数据线的交叉附近构成，具备薄膜晶体管、显示元件、补助电容，在基板上，在各像素形成有前述薄膜晶体管以作为顶栅极型，而前述补助电容的第1电极，由构成前述薄膜晶体管的有源层的半导体层所形成，而前述补助电容的第2电极，是以与前述第1电极挟持绝缘层重叠的方式，而在该第1电极与前述基板之间形成，且，该第2电极，具备将各像素间予以遮光的黑色矩阵功能，且该第2电极在各像素的前述薄膜晶体管的至少信道区系开口。
如上所述，本发明，将补助电容的第2电极，配置于不同于栅极线的另一层，并在位于由构成TFT的有源层的半导体层所构成的第1电极较低的下层(基板侧)。通过将此第2电极发挥作为黑色矩阵的功能，与在其它基板形成黑色矩阵情况相较。可防止2个基板贴合移位而造成各像素的开口率的下降。此外，无须考虑第2电极与栅极线之间充分的绝缘空间，即可在像素内有效率地形成补助电容，且将可确保充分的电容同时提升开口率。再者，第2电极，至少在薄膜晶体管的信道区开口，故如后述般，采用通过激光退火等而将非晶硅层等非晶质半导体层予以多结晶化的有源层时，不须将对于薄膜晶体管特性造成有极大影响的信道区的退火条件，与第2电极存在于下层时的特性相配合以进行调整。此外，在基板周边内藏备有与像素部同样的薄膜晶体管的驱动部时，第2电极将在像素部的薄膜晶体管的信道区下开口，故可用同一条件以形成驱动部的薄膜晶体管与像素部的上述薄膜晶体管。
再以本发明另一特征而言，在上述有源矩阵型显示装置中，在兼用前述黑色矩阵的前述第2电极所开口的前述薄膜晶体管的信道区附近，与前述有源层的前述第2电极的非对向面侧的上方，形成将此区予以遮光的遮光层。
再以本发明另一特征而言，在上述有源矩阵型显示装置中，前述遮光层，由前述数据线兼用。
第2电极所开口的信道区附近，由于其它遮光层而遮光，故可确实防止此信道区附近因光源泄漏，而使得影像对比降低。再者，因有源层的信道区受到遮光，故可防止光源照射至各薄膜晶体管的信道区，而使此晶体管产生光泄漏情况。此外，此遮光层由数据线所兼用，故无须追加特别步骤，即可将此区予以遮光。
再以本发明另一特征而言，在上述有源矩阵型显示装置中，前述薄膜晶体管的有源层，因对于成膜的非晶硅层以激光照射方式，故可采用多结晶化的多硅晶层。
在为进行多结晶化所须的激光退火之际，非晶硅层的有源层区，尤其在TFT区的下层中的热电容之差，虽导致粒径之差异，然在各TFT的信道区中，通过将第2电极开口的方式，可使对于信道区的退火条件一致。因此，可使多晶硅层的粒径统一，而防止TFT间的特性偏差。
再以本发明另一特征而言，在驱动器内藏型有源矩阵型显示装置中，在同一基板上，备有像素部与驱动部，且前述像素部，配置多个像素，且各像素，备有像素部薄膜晶体管、显示元件、补助电容，且前述像素部薄膜晶体管，在各像素前述基板上形成为顶栅极型晶体管，前述补助电容的第1电极，与前述像素部薄膜晶体管的有源层电性连接，而为使前述补助电容的第2电极，与前述像素部薄膜晶体管的有源层至少一部份相重叠，而在该有源层与前述基板之间挟持绝缘层形成；前述驱动部，备有输出用以驱动前述像素部的各像素的信号的多个驱动部薄膜晶体管，该驱动部薄膜晶体管，在前述基板上构成为顶栅极型晶体管，该驱动部薄膜晶体管的有源层，由与前述像素部晶体管的有源层同一材料层所构成，且该驱动部薄膜晶体管的有源层与前述基板之间，设有在其间挟持前述绝缘层的导电层，且所述导电层由与前述第2电极同一材料所构成。
再以本发明另一特征而言，驱动封入于第1与第2基板间隙的液晶，以进行显示的驱动器内藏型有源矩阵型显示装置中，在同一基板上，备有像素部与驱动部，前述像素部，配置多个像素，各像素，备有像素部薄膜晶体管、液晶电容、与补助电容，在前述第1基板的面对液晶的一侧，前述像素部薄膜晶体管，在各像素形成为顶栅极型晶体管，前述补助电容是形成在第1电极和第2电极之间的对向区域，而所述第1电极由前述像素部薄膜晶体管的有源层所兼用，而所述第2电极与该第1电极之间挟持绝缘层，并配置于前述像素部薄膜晶体管的有源层与前述基板之间，前述驱动部，备有输出用以驱动前述像素部的各像素的信号的多个驱动部薄膜晶体管，该驱动部薄膜晶体管，在前述基板上构成为顶栅极型晶体管，且，该驱动部薄膜晶体管的有源层，是由与前述像素部薄膜晶体管的有源层同一材料层所构成，且是在该驱动部薄膜晶体管有源层与前述基板之间设置导电层，该导电层与该有源层之间挟持有前述绝缘层，且该导电层与前述第2电极由同一材料所构成。
如上所述，将补助电容的第1电极连接(兼用)至薄膜晶体管的有源层，甚且，将第2电极设置在与栅极线不同层，而在第1电极的下层(基板侧)的方式，将可不用降低开口率而将充分大小的补助电容Csc形成于各像素。又，在同一基板上对于具备有由与像素部TFT的有源层同一材料所构成的有源层的驱动部薄膜晶体管，在该有源层的下方(基板侧)亦设有与补助电容的第2电极同一材料所形成的导电层。因此，构成像素部薄膜晶体管的有源层与驱动部薄膜晶体管的有源层的同一材料层的形成条件，将在两晶体管间变为相等，而可以获得特性一致的晶体管。
再以本发明另一特征而言，在上述其中的一驱动内藏型有源矩阵型显示装置中，在前述像素部以及驱动部薄膜晶体管的有源层，以对成膜的非晶硅层照射激光的方式，而采用多结晶化的多硅晶层。
在以激光退火将非晶硅层予以多结晶化之际，依据形成于此硅层领域内的热传导性等条件，最终可获得的多晶硅层的粒径亦不同。如本发明般在像素部以及驱动部薄膜晶体管的任一有源层的下方(基板侧)，亦以同样设置导电层方式，将能防止由激光退火所形成的多晶硅层粒径，在两晶体管的有源层变为不同，并能形成特性一致的晶体管。
再以本发明另一特征而言，在上述驱动内藏型有源矩阵型显示装置中，前述多个驱动部薄膜晶体管，具备导电型不同的n型信道晶体管与p型信道晶体管，在与n型信道晶体管有源层的前述基板之间所形成的前述导电层，与在p型信道晶体管有源层的前述基板之间所形成的前述导电层，各自受到控制。
在构成为顶栅极型晶体管的上述驱动部薄膜晶体管中，存在于有源层下方的导电层的电位，对于晶体管所造成的影响，为该晶体管的导电型为p型或n型而有所不同。因此，如本发明般将设于驱动部薄膜晶体管的有源层的下方(基板侧)的导电层的电位，针对p型及n型晶体管而各自控制设成为适当的电位，可防止产生背信道而造成电流泄漏的发生。
附图说明
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明：
图1，是显示有源矩阵型液晶显示装置的平均每一像素的等效电路图；
图2，是显示现有的有源矩阵型液晶显示装置中像素区的概略平面结构图；
图3，是显示沿图2X-X线位置上现有液晶显示装置的概略剖面结构图；
图4，是显示在与本发明第1实施例有关的有源矩阵型液晶显示装置像素部中的概略平面结构图；
图5，是显示沿图4A-A线位置上液晶显示装置的概略剖面结构图；
图6，是显示沿图4的B-B线位置上液晶显示装置的第1基板侧的概略剖面结构图；
图7，是显示与本发明有关的驱动内藏型有源矩阵型LCD的概略结构图；
图8，是显示与本发明的第1实施例有关的有源矩阵型液晶显示装置内藏驱动部的一部份平面结构的第1例图；
图9，是显示沿图8C-C线位置上的剖面结构图；
图10，是显示与本发明的第1实施例有关的有源矩阵型液晶显示装置内藏驱动部的一部份平面结构的第2例图；
图11，是显示沿图10的D-D线位置上的剖面结构图；
图12，是显示与本发明第2实施例有关的有源矩阵型LCD各显示像素中概略平面结构图；
图13，是显示沿图12B-B线位置上LCD第1基板侧的概略剖面结构图；
图14，是显示与本发明第3实施例有关的有源矩阵型LCD各显示像素中的概略平面结构图；
图15，是显示沿图4C-C线位置上与第2实施例有关的LCD的概略剖面结构图；
图16，是显示与本发明第4实施例有关的有源矩阵型LCD的各显示像素中概略平面结构图；
图17，是显示沿图16A-A线位置上与第4实施例有关的LCD的概略剖面结构图。
具体实施方式
以下，兹以附图对本发明的理想实施例(以下称实施例)进行说明。尚且，以显示装置而言，以下以液晶显示装置(LCD)为例进行说明。LCD，为在采用玻璃等透明绝缘材料的第1基板与第2基板之间挟持液晶并贴合而构成。
[第1实施例]
在与本第1实施例有关的有源矩阵型LCD中，具有在第1基板上备有各个TFT的像素部，甚且在同一基板上的像素部周边，形成有用以驱动此像素部的驱动部。
首先，针对像素部进行说明。图4，是显示与第1实施例有关的LCD的像素部的平面结构，图5，是显示沿图4A-A线位置上LCD的概略剖面结构，图6，是显示沿图4的B-B线位置上第1基板上的剖面结构。
各像素的等效电路与上述图1同样，在第1基板100上，如图4所示，像素电极24配置成矩阵状，并对应于各像素电极24对应而设置有顶栅极型TFT1以及补助电容3(Csc)。在各像素中，TFT1的有源层14，弯曲后并与向行方向延伸的栅极线20交叉，并在此交叉部份有源层14构成信道区14c，栅极线20在此处成为栅极。漏极(或源极)14d与向列方向延伸的数据线22连接，并在源极(或漏极)14s，与液晶电容2(Clc)及补助电容Csc呈并列连接。各像素的等效电路，虽约与上述图1相同，但在本实施例中，各像素的TFT，采用多栅极型TFT，其栅极为共通，且在数据线与像素电极之间，成为电性串行连接多个TFT有源层的结构。当然，与图1相同，亦可为设置单一TFT于各像素的结构。
连接于各像素的上述TFT1的源极的液晶电容(显示电容)Clc，挟持液晶200而配置，并于施加与显示内容相符电压的像素电极24，以及与施加共通电位Vcom的对向电极(共通电极)56之间构成。
补助电容Csc，在第1电极30与第2电极32之间挟持绝缘层而形成重叠区域的结构。第1电极30，是由TFT1的有源层14兼用，第2电极32，形成于第1基板100上，并在与有源层14之间挟持绝缘膜(缓冲层)12，并在有源层14的下方延展。如此，因第2电极扩及有源层14的下层全区，故TFT的有源层自身可发挥作为第1电极30的功能，并且不须补助电容Csc所需的特别大的区域。在第1电极30中，隔介TFT1而由数据线22施加与所供给的显示内容相符的电压，并于第2电极32施加例如在显示区域内共通的补助电容电压Vsc。
补助电容Csc的第2电极32的材料，因不须如现有的补助电容第2电极般，将栅极线设为同层，故使用材料不限制为栅极材料。因此，如为导电性材料则不限于为良导体且遮光性的金属材料，并可采用ITO等透明导电材料，但在本实施例中，采用遮光性的金属材料而形成此第2电极32。设为遮光性的方式则在顶栅极型TFT1中，将可防止来自第1基板侧的入射光到达TFT1的有源层14，而得以降低TFT的光泄漏电流，并更进一步提升显示对比。
尚且，在本实施例中，补助电容Csc，如上所述在平面下观看时，不须形成于TFT的另外区域，即可形成充分的电容。但是，补助电容Csc的电容值不足时，如后述实施例般，则以扩大第1电极30的区域，亦即有源层14源极区14s的面积，并延伸至例如邻接的像素电极24之间的区域为较理想。
此外在本实施例中，此第2电极32，并非单与电性连接至TFT有源层14的层(第1电极30)相重叠，而至少是与有源层14的信道区相重叠的形态，而此第2电极32亦可作为遮光层。在图4的布局中，栅极线20向行方向延伸，TFT1的有源层14，为由数据线22的下层附近潜进栅极线20下方(图4为2次)的形态，信道区14c是形成于与栅极线20的交叉区。于是，兼用此种TFT有源层14的遮光的补助电容Csc的第2电极32，以形成于信道区，亦即与栅极(栅极线)形成区相重叠的区为最佳。并以考虑位置调整弹性空间，较栅极线宽度微宽(例如两侧各为+2μm)，而形成于栅极线的下层则更为理想。再加上，因与兼用第1电极30TFT1的有源层14，在大部分位置重叠，故如上述图2所示，即使不使第1电极30由TFT的源极区14s延伸扩展情况下，亦能构成大的补助电容Csc，并能在小面积内有效率地形成补助电容Csc。
在此，以TFT1的有源层14而言，能够采用如后述般通过激光退火等，而多结晶化的多晶硅层(p-Si)。此情形下，在本实施例中，由于补助电容Csc的第2电极32，亦存在于此p-Si层的下层，故可聚集多结晶的粒径，形成特性偏差较少的TFT。
其理由如下所示。亦即，通过激光退火将非晶硅层予以多结晶化时，非晶硅膜的下层的热传导性产生偏差时则退火条件改变，粒径在有源层14内将会产生偏差。特别是，在信道区内的粒径的偏差，将造成TFT特性极大影响。在形成于有源层14的下层的补助电容Csc的第2电极32中，虽可采用高熔点金属的Cr等，但此Cr等比构成第1基板的玻璃等热传导性更高。因此，在以激光退火形成p-Si有源层14时，在有源层14的下层，热传导性较高的第2电极32存在或不存在，均将使退火条件改变，故较为不理想。于是，在本实施例中，如图4及图5所示，将第2电极32，同样地设置于有源层14的至少信道区的下方，并将对于非晶硅层的退火条件设成相同，而抑制各TFT的特性偏差。
为达上述目的，第2电极32，亦可仅配置于有源层的下层区，但在本实施例中，第2电极32的采用的图案，如图4所示在显示区内仅在像素电极对应区开口，并覆盖其它区域。如在第2电极32采用遮光材料并设成如图1的矩阵型，则可增大与有源层的重叠面积(补助电容的增大)，此外，更可确实进行对于有源层14的遮光。再者，如此种形态时，可利用此第2电极32以作为面板的黑色矩阵。亦即，将第1基板的外侧(图5的下侧)作为显示装置的观察面，或在投影机光阀的用途等上，可将第1基板配置于光源侧，且在该情况下可防止对于有源层14的光照射，并更进一步提升对比。
尚且，在本实施例中，补助电容Csc，如上所述在平面下观看时，不须形成于TFT的另外区域，即可形成充分的电容。但是，补助电容Csc的电容值不足时，则以扩大第1电极30的区域，亦即有源层14的源极区14s的面积，并延伸至例如邻接像素电极24之间的区域为较理想。
其次，针对形成于用以驱动上述所示像素部的像素部周边的内藏型驱动部的第1例，进行说明如下。图7，是显示驱动内藏型有源矩阵型LCD的概略结构，图8，是显示此内藏型驱动部的一部份平面结构，图9，是显示沿图4C-C线位置上的概略剖面结构。此外，对于既已说明的结构附上相同符号，而说明从略。在图8中，配置有n-ch型TFT与p-ch型TFT共计4个TFT。任一个TFT，均如图9所示与像素部TFT同样，由顶栅极型晶体管而构成。再者，在本实施例中，上述驱动部TFT的各有源层140n、140p，采用与像素部TFT相同材料。具体而言，是通过激光退火等的低温工艺，而将非晶硅层予以结晶化并形成多晶硅，且将此多晶硅用于驱动部的TFT11(11n、11p)的有源层140(140n、140p)。
又，在本实施例中，在由与像素部TFT的有源层相同材料所构成的有源层140的至少信道区140c(140nc、140pc)下方，其间挟持绝缘膜并形成有导电层32D。此导电层32D，与设于像素部TFT有源层14下方的补助电容Csc的第2电极32相同材料，例如为铬等高熔点金属。驱动部，由于未照射通常光，故未必须如像素部TFT般设置遮光层与有源层下方(当然，以遮光的方式，可确实防止在驱动部光泄漏的发生)。此外，驱动部的各TFT，与像素部TFT相较，其数据保持时间大多是短时间即可，并不特别需要如像素部般，在驱动部TFT的有源层与导电层32D之间形成补助电容(当然，构成补助电容亦可)。在本实施例中，此导电层32D的任务，是通过设置在与像素部TFT同一材料所构成的驱动部TFT11有源层140的至少信道下层，而在将非晶硅予以多结晶化并形成有源层140的多结晶化步骤之际，可将像素部TFT有源层14的多结晶化条件，以及驱动部TFT有源层140的多结晶化条件设成相等。然后，通过此导电层32D，将像素部的多结晶TFT与驱动部的多结晶TFT的多结晶有源层的粒径予以统合，并将TFT特性予以统一以易于控制。
此外，在第1例中，对导电层32D施加与此导电层32D相重叠的有源层140TFT的栅极电压相同的电压。图8，例如连接n-ch型以及p-ch型TFT的栅极电极121、123于相同的栅极线122，且，形成于此TFT下层的导电层32D，隔介接触孔33，连接于相同的栅极线122。亦即，n-ch型、p-ch型的任一TFT，其自有的栅极信号均输入至导电层32D，各TFT，挟持有源层140，与在上下备有栅极的结构相同，构成双重栅极型TFT。在n-ch型TFT与p-ch型TFT中，因动作阈值电压相互为逆极性，故如像素部般对于所有的导电层32D施加任意的共通电压时，在驱动部中，n型或p型的任一TFT的动作，将有可能变得不稳定。但是，在此例中，不须将导电层32D的电压，以设成为所对应的TFT栅极电压的方式，而设定特别的结构，即可防止导电层32D对于TFT动作所造成的不良影响。甚至是由于构成双重栅极型TFT，故可提升动作速度等以及动作特性等。
其次，针对驱动部TFT中导电层32D的第2例，参照图10及图11以进行说明。图10，是显示驱动部的一部份平面结构，图12，是显示沿图10的D-D线的位置上的剖面结构。在第2例中，亦与上述第1例相同，是在驱动部采用n-ch型TFT以及p-ch型TFT。又，任一有源层140(140n、140p)亦与第1例同样，是由与像素部TFT的有源层14相同材料层(多晶硅层)所构成，且在各有源层140的下方，挟持绝缘膜12，并在至少与各信道区140nc、140pc相重叠的位置，形成有与像素部补助电容第2电极32相同材料所构成的导电层32D。
与第1例相异之处，是在于以n-ch型TFT与p-ch型TFT，另外控制对于有源层140下层的导电层32D所施加的电压。亦即，如图10所示之例，形成于n-ch型TFT有源层140n下层的导电层32D(32vss)，隔介接触孔33vss，连接于低电压电源线150，并施加低电压Vss。相反地形成于p-ch型TFT有源层140p下层的导电层32D，隔介接触孔33hvdd，连接于高电压电源线160，并施加高电压HVdd。因此，在n-ch型TFT中，是以导电层32vss，通过背信道的产生而防止该n-ch型TFT导通，而在p-ch型TFT中，亦以导电层32hvdd，通过背信道的产生而防止p-ch型TFT导通。
此外，在图10及图11中，符号126及128，是显示各TFT的栅极电极，符号152，为采用CMOS构造的n-ch型TFT与p-ch型TFT的输出线。
在以上图10及图11所示第2例，亦将与像素部TFT的补助电容Csc第2电极相同的导电层32D，设于驱动部TFT有源层140的下层，藉此，在将非晶硅予以多结晶化并形成有源层140的多结晶化步骤之际，将像素部TFT的有源层14的多结晶化条件与驱动部TFT有源层140的多结晶化条件设为相同。再者，n-ch型TFT下层的导电层32D，是以施加低电压Vss，p-ch型TFT的导电层32D，是以施加高电压HVdd的方式，防止n-ch型、p-ch型的任一TFT，对于栅极电极122及124未施加所期望的栅极信号时而发生动作。
其次，针对与本实施例有关的LCD第1基板侧各要素的制造方法进行概说。
以第1基板100而言，可采用玻璃基板、石英基板、蓝宝石基板等透明绝缘性基板。首先，在此第1基板100上，形成Cr等高熔点金属层，并在像素部，如图4所示在像素电极形成预定区域部份予以开口而形成补助电容第2电极。又在驱动部，如图7或图10所示，以使导电层32D在与之后形成的TFT有源层相重叠的位置上留下的方式而进行图案化。
形成补助电容Csc的第2电极32以及驱动部的导电层32D之后，在覆盖此第2电极32以及导电层32D的基板全面，形成SiO2、SiNx等的绝缘层12。
在绝缘层12上形成非晶硅层，在图5，由相当于第1基板100上方位置照射准分子激光，并将非晶硅层予以退火以使其多结晶化。如上所述，在准分子激光退火之际，在非晶硅层的至少信道形成区的下方，在像素部同样形成第2电极32，在驱动部同样形成导电层32D。因此，各信道形成区，均以相等条件激光退火，而于此区形成粒径统一的多晶硅层。在多结晶化退火终了后，将所获得的多晶硅层，予以图案化成为像素部TFT以及驱动部TFT的有源层形状以及补助电容第1电极的形状。再者，覆盖多晶硅层，形成由SiO2所构成的栅极绝缘膜16。
栅极绝缘膜16形成后，例如采用Cr，使金属层成膜及图案化，并形成驱动部TFT的栅极电极121、123(或126、128)。并同时在像素部可形成与栅极电极成为一体的栅极线20。但此像素部TFT的栅极，亦可采用Al而于其它步骤中形成。
其次，将栅极设为屏蔽，并由栅极侧将杂质掺杂(dope)于有源层14、140。在此，在像素部TFT中，以栅极为屏蔽，对有源层14以低浓度掺杂杂质(例如磷)，甚且将栅极线20，以较该线宽更具一定宽度的屏蔽覆盖，并对有源层14以高浓度掺杂杂质(例如磷)。藉此，在有源层14中，在与栅极线20对应的区，形成未掺杂杂质的真实信道区14c，并在信道区14c的两侧，形成以低浓度掺杂杂质的LD区141d，并于此LD区的外侧，形成以高浓度注入杂质的漏极区14d以及源极区14s。
在驱动部TFT中，对于与上述像素部TFT同一导电型，可以与例如对于n-ch型TFT、像素部TFT的有源层所进行的上述掺杂步骤，同时进行掺杂。此时，p-ch型TFT的形成区，先由掺杂屏蔽覆盖。然后，对于n-ch型TFT有源层的掺杂终了后，即去除覆盖p-ch型TFT形成区的掺杂屏蔽，相反地并覆盖驱动部n-ch型TFT以及像素部TFT区，并对于有源层140p掺杂硼等杂质。
在掺杂步骤终了后，施加退火处理并使掺杂的杂质活性化。其次全面地形成层间绝缘膜17，并在像素部，在与TFT1漏极区14d(或源极区14s)相对应的区(本实施例中为漏极)、以及在驱动部，在与各TFT的漏极区以及源极区相对应的区，形成贯通层间绝缘膜17以与栅极绝缘膜16的接触孔。再者，采用Al等并于像素部形成兼用漏极电极的数据线22，并隔介上述接触孔，以连接此数据线22与有源层14的漏极区14d。此外，在驱动部，同时采用Al，隔介接触孔，以连接漏极与源极电极，以及TFT的漏极区与源极区。
形成必要的配线后，在基板全体，形成采用丙烯酸树脂的平坦化绝缘膜18，并在与TFT1的源极区14s相对应的位置上，形成贯通平坦化绝缘膜18、层间绝缘膜17以与栅极绝缘膜16的接触孔。再者，形成ITO等透明导电型材料层，并将此图案化成像素电极形状，并隔介上述接触孔，以形成与源极区14s连接的像素电极24。
在像素电极24形成后，因应需要全面地形成控制液晶配向的配向膜26，并根据以上形成第1基板侧所需的要素。
LCD的第2基板500侧，在采用玻璃及塑料等透明基板的第2基板500上，在彩色显示装置时形成R、G、B等彩色滤光片54。在此彩色滤光片54上，形成由用以与第1基板100的各像素电极24对液晶200施加电压的ITO等所构成的对向电极(共通电极)56。在此对向电极56上，更与第1基板100侧同样形成有配向膜。此外，在本实施例中，在第1基板因形成即使作为黑色矩阵亦可发挥功能的补助电容Csc的第2电极32，故在第2基板侧，亦可不用形成通常形成的黑色矩阵。
通过以上所获得的第1基板100与第2基板500，以其外缘部份隔以预定之间隔进行贴合，并于基板间之间隙封入液晶200后即完成LCD。另外，在第2基板500的外侧(图5中为上面侧)配置有偏光膜、位相差膜等。
在以上说明中，在有源矩阵型显示装置上虽以LCD为例，但本发明亦可适用在对于在各像素需要补助电容的其它有源矩阵型显示装置，例如使用EL元件以作为显示元件的有源矩阵型的电致发光(electroluminescence)显示装置上，而可获得同样的效果。
又，在像素部，补助电容Csc的第1电极30以及第2电极32的形态，如能满足第2电极至少与有源层14的信道区相重叠的条件，则不以图4及图5所示者为限。
如以上所说明，在本实施例中，使设置于有源矩阵型显示装置各像素补助电容的第1电极，兼用为顶栅极型的TFT有源层，且该补助电容的第2电极，是挟持绝缘膜并形成于TFT有源层的下层。通过将第2电极设于顶栅极TFT有源层的下层，而能够相对于在透过型显示装置中通常对显示未有助益的TFT形成区，将补助电容重叠而形成，并对像素开口率的提升有所助益。
再者，在第2电极采用遮光性材料，可将TFT的有源层，确实遮蔽来自第1基板侧的入射光，并可防止在TFT中所产生的光泄漏电流，并可提升显示对比。
再者，在上述实施例中，驱动部的TFT，为与像素部TFT相同的顶栅极型，驱动部TFT的有源层，为与像素部TFT的有源层相同材料，因与像素部TFT同样，至少在有源层一部份的下层(基板侧)，形成与第2电极同一材料所构成的导电层，故在形成像素部TFT与驱动部TFT的有源层之际，可在同一条件下形成两者。因此，可在同一基板上形成特性一致的TFT。
[第2实施例]
图12，是显示与第2实施例有关的有源矩阵型LCD的显示像素的平面结构。且在沿此图12的A-A线的位置上LCD的概略剖面结构，与上述图5相同。图13，是显示沿图12的B-B线位置上第1基板上的剖面结构。另外，对于与以下既已说明的图相对应的结构，附以相同符号，说明从略。
补助电容Csc，为第1电极30与第2电极32，挟持绝缘层12而构成重叠的区域，此点虽与上述实施例相同，但在第2实施例中，第1电极30，与TFT的有源层14一体构成，而此第1电极30，具由有源层14沿着通过像素边缘的数据线22而所导出的突出部所构成的此点而言却有相异之处。
第2电极32，形成于第1基板100上，在其上方形成绝缘层(缓冲层)12，更于此绝缘膜12上，形成上述第1电极30。通过以上挟持绝缘膜12而相对向的第1及第2电极30，32的方式，构成补助电容Csc，并对于第1电极30，隔介TFT1以施加与供给自数据线22的显示内容相符的电压，并且对于第2电极32，施加例如在显示区内共通的补助电容电压Vsc。
在第2实施例中，为使补助电容Csc的第1电极30，沿数据线22，而形成有源层14延伸扩展的结构，更严格地说，如图12及图13所示，为使不与数据线22重叠而进行规划。数据线22以及第1电极30虽然通过后述栅极绝缘膜16以及层间绝缘膜17而在膜厚方向绝缘，但施加与显示内容相符的高电压的数据线22以及第1电极30间挟持绝缘层而重叠之际，将发生耦合，补助电容Csc的保持电荷将受到数据线22的电压的影响。但是，如第2实施例般，为使不与数据线22相互重叠而进行规划，将防止上述耦合的发生，并同时在与下层的第2电极32之间构成补助电容Csc。
补助电容Csc的第2电极32，因无须如现有补助电容第2电极般将栅极线设为同层，故使用材料不以栅极材料为限。是故，如为导电性材料则不以作为通常遮光性的金属材料为限，而可采用ITO等透明导电材料。
但是，第2实施例中，与上述实施例同样，采用遮光性金属材料而非透明导电材料，以形成第2电极32。此外，此遮光性的第2电极32，不仅为第1电极30的下层区，并延伸扩展至顶栅极型TFT1有源层14的至少信道区14c的下层区，同时将信道区14c予以遮光。如图12所示的布局中，TFT1的有源层14，是由数据线22的下层附近潜入栅极线20的下方(图12中为2次)，而信道区14c，形成于与此种有源层14的栅极线20的交叉区。因此，如第1实施例所示，如欲使补助电容Csc的第2电极32，至少发挥作为信道区14c的遮光层的作用，则第2电极32，需要形成于与栅极(栅极线)相重叠的位置上。此外，第2电极32，以考虑位置调整弹性空间，在栅极线20的下层，至少将此栅极线宽设定成微宽(例如各为2μm)则更为理想。如此，在第2实施例中，通过使其为遮光性且与信道区重叠的方式，将第2电极32予以规划，以防止来自第1基板侧的入射光到达TFT1的信道区14c。是以，可达抑制来自第1基板侧的外部光源而造成光泄漏电流发生，并更进一步提升显示对比的目的。
如果采用使有源层的遮光，则第2电极32，除第1电极30的下层外，再广及至有源层的下层区即可。但是，在第2实施例中，第2电极32，与上述实施例相同，是设为在显示区中仅像素电极对应区开口(参照图12)，并覆盖其它区的形态。如在第2电极32采用遮光性材料，设为如图1所示的矩阵型时，则将可增加与此第2电极32，以及与有源层14成为一体的第1电极30之间的重叠面积，而且，可确实作到对于有源层14的遮光。再者，如为此种形态，则亦可利用此第2电极32，作为面板的黑色矩阵。因此，即使在本实施例中，将第1基板的外侧(上述图5)设为显示装置的观察面，可在投影机的光阀用途等上，配置第1基板于光源侧，并在该情况下得以防止对于有源层14的光照射，并更进一步提升对比。
另外，以TFT1的有源层14而言，与第1实施例相同，可采用p-Si层。在第1实施例中，由于将此补助电容Csc的第2电极32，形成于此p-Si层的下层，故得以统一多结晶的粒径，并形成特性偏差较少的TFT。
与第2实施例有关的LCD第1基板侧的各要素，其与有源层以及与此成为一体的第1电极30、数据线22的布局等的形态，如图12所示，不含与第1实施例情况下相异点，可通过与上述实施例同样的制造方法获得。
另外，在本实施例中，可获得在与漏极14d、源极14s的形成同时，在由源极区14s朝向数据线22所导出的区，亦同样以高浓度注入杂质的第1电极30。
另外，在第1基板100的显示区的外侧(基板的外缘部份)，亦可形成与经由与上述像素部TFT1大约相同步骤，形成以多晶硅层作为有源层的TFT，并且采用此TFT的内藏驱动电路(栅极驱动器、数据驱动器)。
[第3实施例]
图14所示，与第3实施例有关的有源矩阵型液晶显示装置的各显示像素中概略平面结构。但针对像素电极24而言，为易于观看图面，而省略记载。此外，图15，是显示沿图14的C-C线位置上第1基板上的剖面结构。在与上述第1、2实施例相共通的部份，附以共通的符号。
在上述第2实施例中，为防止耦合，故为使与TFT有源层形成一体的补助电容第1电极不与数据线22相重叠而进行布局。相对于此，在第3实施例中，将补助电容的第1电极30，与数据线的形成区相重叠，且为防止耦合，而在与第1电极30以及与数据线间的重叠区，在层间形成导电性密封层。此导电性密封层，如为施加预定电压的层即可。在第3实施例中，如图14所示，由用以选择下一行TFT的栅极线20，兼用导电性密封层20e。具体而言，由各栅极线20起，在与此交叉的数据线22的位置上，沿该数据线22，在前段方向设置突出部，且此突出部构成导电性密封层20e。
在第3实施例中，TFT与第1实施例同样为顶栅极型，而补助电容Csc的第1电极30，与p-Si有源层14成为一体。因此，在补助电容Csc的形成区中的剖面结构，将成为如图15所示。亦即，在第1基板100上与第1实施例同样地形成第2电极32，并覆盖此形成绝缘膜12，且在此绝缘膜12上，形成由有源层14延伸至数据线形成区的第1电极30。第1电极30，是由栅极绝缘膜16所覆盖，在栅极绝缘膜16上配置有由下一段栅极线20所延伸的密封层20e，并于此密封层20e上形成层间绝缘膜17，更于该上层形成数据线22。
如上所述，在第3实施例中，与数据线22与补助电容Csc的第1电极30之间设有密封层20e，以防止数据线与第1电极30间的耦合。甚且，不仅于补助电容Csc的第1及第2电极30，32的重叠区，亦于补助电容Csc的第1电极30与上述密封层20e之间构成补助电容，将不会使开口率下降而形成较大电容。
在此，以补助电容Csc的第2电极32而言，可与第1、2实施例相同，采用Cr等高熔点的遮光材料，且此第2电极32，更以与TFT有源层14的至少信道区重叠，并遮蔽TFT来自第1基板侧的光源为理想。特别是，如图14所示，如将第2像素电极32，设为覆盖像素开口区以外的区的形态，则与第1电极30的重叠面积将增大，补助电容Csc亦增大，且TFT的遮光效果亦增大，并有助于显示品质的提升。
如上所述，依据第2、3实施例，设置于有源矩阵型显示装置各像素补助电容的第1电极，沿数据线而不与该数据线重叠，而由顶栅极型的TFT的有源层延伸出来。然后，补助电容的第2电极，挟持绝缘膜形成于TFT有源层的下层。藉此种结构，而可易于实现开口率的提升以及补助电容的提升等两方面。
又，将第1电极延伸于数据线形成区，并在此构成与下层的第2电极间构成补助电容的同时，在数据线以及与该第1电极间，设置由下一段栅极线等所延伸的导电性密封层，而能防止数据线与补助电容第1电极间的耦合，且可有效地在各像素设置较大的补助电容。因此，而能实现高对比，且为高显示品质的显示装置。
再者，在第2电极采用遮光材料，不仅配置成与第1电极相重叠外，且形成为覆盖至少TFT的有源层区，可确实地将TFT遮蔽来自第1基板侧的入射光源，且能防止光泄漏电流的发生。
[第四实施例]
图16表示第4实施例的有源矩阵型LCD的显示部平面构成。(但为了容易观视而省略像素电极)。此外，图17显示沿着图16的A-A线位置的LCD的概略剖面构成。
与上述实施例相异之处，在本实施例中，与第1电极30一起构成补助电容Csc第2电极32，在各TFT1形成区，具体而言至少有源层14的信道区14c开口。亦即，此第2电极是在信道区周边、及像素显示区开口，并将沿数据线22以与栅极线20的区域予以遮光，且与补助电容Csc的第1电极32重叠而构成补助电容Csc。另外，第2电极32，在考虑位置调整弹性空间且沿数据线与栅极线的位置上，可针对较此预定宽度更广的区域予以遮光。此外，此第2电极32，因无须如现有的补助电容第2电极般，设成与栅极线同层，故使用材料不以栅极材料为限，但为使作为上述黑色矩阵的功能发挥作用，以采用作为遮光性导电材料，并耐用于第2电极32形成后的工艺的Cr、Mo等高熔点金属材料为理想。而且，在本实施例中，上述补助电容Csc的第2电极32，将像素间的非显示区予以遮光，而可兼用像素显示区所开口的黑色矩阵。
如此，使设置于较有源层14的下层，并兼用黑色矩阵的补助电容Csc的第2电极32，至少在信道区14c开口，从而将防止在TFT1产生特性偏差。如上所述，在TFT1的有源层14中，可采用通过激光退火等而多结晶化的多晶硅(p-Si)层，而在通过激光退火而将非晶硅予以多结晶化时，在非晶硅膜的下层，如热传导层有差异，则退火条件亦改变。退火条件的变动，将成为在有源层14内的粒径偏差，特别是在信道区内的粒径的偏差，对TFT特性造成极大影响。此第2电极32，其热传导性较构成第1基板的低熔点玻璃等更高。因此，通过激光退火而形成p-Si有源层14时，在有源层14的下层，热传导性高的第2电极存在或不存在，其退火条件亦改变，故不甚理想。在第4实施例中，在有源层14的此信道区中，在该正下方区，因未形成第2电极32，故在基板上的各TFT，未发生设置第2电极32而造成退火条件的变化。
又，在将多晶硅层采用于TFT有源层的有源矩阵型LCD中，如图7所示，可在像素部周边将同样采用多晶硅层于有源层的驱动部TFT予以内藏。驱动部的多晶硅TFT，与像素部相异故不须补助电容Csc，而如第2电极32般的导电层，未形成在此驱动部顶栅极TFT的有源层下层。因此，当将不具补助电容Csc的驱动器TFT设在具有补助电容Csc的像素部TFT的同一基板上时，则在第4实施例中，因为第2电极32的像素部TFT的信道区有开口，故藉此可将内藏驱动器TFT，以及像素部TFT，在信道区下层的热传导率，亦即退火条件设为相同。当然亦可对于在像素部复数形成的各TFT，使其退火条件相互一致。是故，可以形成特性相同的TFT。
又，与本发明有关的第4实施例中，补助电容Csc的第2电极32，未必限于兼用黑色矩阵者。然后，例如亦可另外设置黑色矩阵，而未在面板设置黑色矩阵的情况亦可。在此种情况下，第2电极32，为与第1电极30而构成补助电容Csc的电极，其仅在各像素显示区与信道区周边开口，且具有遍及像素部其它区的形态的导电层。由于是此种形态，因此与构成第1电极30的TFT有源层14的形成区，除信道区外均重叠，并且可非常有面积效率地构成补助电容Csc。再者，此第2电极32，是在信道区14c开口，故如上述所示在驱动器内藏型的有源矩阵型显示装置中，在下层不须电容电极的驱动部TFT有源层的信道区，而可与像素部TFT有源层的信道区，以相等的退火条件，进行多结晶化退火。
再者，在第4实施例中，遮光性的数据线22，在第2电极32开口的TFT的主动区域中，具有突出的区域(延展部)22a。是故，TFT有源层14，通过位于信道区14c的上方的遮光性的栅极电极20，以及上述数据部22的延展部22a，将可对于在图17由上方入射的光源予以确实遮光。因此，可抑制因外光照射而造成在TFT中的光泄漏电流产生。在此，TFT信道区14c，是以上层的栅极电极20，以对来自上方的光源遮蔽，故由来自栅极侧的光源以防止泄漏的观点来看，数据线22未必需要形成延展部22a。但是，如图16所示，在TFT形成区中，作为黑色矩阵的第2电极32的开口部份，以数据线22完全覆盖的方式，可确实达到此部份的遮光。亦即，例如来自第1基板侧的光源的入射光，以及来自第2基板侧的入射光，可通过第2电极予以反射等，而防止来自第2电极32侧入射至该东道区开口部的光源，穿越液晶200侧的情况。因此，而可达到提高对比的目的。此外当然，亦可采用数据线22以外的层以进行TFT信道区遮光。但是，如将数据线22采用作为遮光层，则无须另外形成遮光层故更为理想。
另外，与本实施例相关的LCD第1基板侧的各要素的制造方法，与上述实施例相同。
另外，在上述各实施例中，在有源矩阵型显示装置上虽以LCD为例，但本发明亦可适用在对于在各像素需要补助电容的其它有源矩阵型显示装置，例如使用EL元件以作为显示元件的有源矩阵型的电致发光(electro luminescence)显示装置上，而可获得同样的效果。
如上所述，在第4实施例中，在有源矩阵型显示装置的各像素设置顶栅极型TFT、补助电容以及液晶等显示元件，补助电容的第2电极，将可在TFT有源层的下发挥作为黑色矩阵的功能。此外第2电极在有源层的信道区开口，是故，不使开口率降低而能形成补助电容，甚至即使在有源层的下层形成第2电极，亦不会对各TFT信道区的形成条件造成影响。因此，将不会有偏差情况形成各TFT的有源层，又，在构成驱动器内藏型有源矩阵型显示装置时，可用同一条件形成驱动部TFT的有源层与像素部TFT的有源层。
Claims (27)
1、一种有源矩阵型显示装置，在各像素中具有薄膜晶体管、补助电容，其特征在于：在基板上，在各像素中形成所述薄膜晶体管作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极是电气连接于所述薄膜晶体管的有源层；所述补助电容的第2电极是在该有源层与所述基板之间挟持绝缘层而形成，以便与所述薄膜晶体管的有源层至少一部分重叠。
2、如权利要求1所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极由遮光材料形成。
3、如权利要求1所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极在像素开口区域以外的区域中形成，并兼作黑色矩阵。
4、如权利要求1所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的有源层中，采用通过对于成膜的非晶硅层照射激光，而多结晶化的多晶硅层。
5、一种有源矩阵型显示装置，在各像素中具有薄膜晶体管、液晶电容、补助电容，并驱动封入于第1与第2基板间隙的液晶，以进行显示，其特征在于：在所述第1基板的面对液晶的一侧，在各像素中形成所述薄膜晶体管以作为顶栅极型；所述补助电容是形成于第1电极和第2电极的对向区域，而所述第1电极由所述薄膜晶体管的有源层所兼作，所述第2电极则在所述薄膜晶体管的有源层与所述第1基板之间挟持绝缘膜而配置。
6、如权利要求5所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极由遮光材料形成。
7、如权利要求5所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极在像素开口区域以外的区域中形成，并兼作黑色矩阵。
8、如权利要求5所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的有源层中，采用通过对成膜的非晶硅层照射激光，而多结晶化的多晶硅层。
9、一种有源矩阵型显示装置，其特征在于：具备有配置成矩阵状的像素，各个像素是在栅极线及数据线的交叉附近构成，并具备有：薄膜晶体管、显示元件、补助电容；其特征在于：在基板上，在各像素中形成所述薄膜晶体管以作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极，是将所述薄膜晶体管的有源层，沿所述数据线向外延伸而构成；所述补助电容的第2电极是以与该第1电极挟持绝缘层并重叠的方式，而于所述第1电极和所述基板之间形成。
10、如权利要求9所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极是在像素开口区域的外的区域中由遮光性材料而形成。
11、如权利要求9所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极系形成于像素开口区域以外的区域，并兼作黑色矩阵。
12、如权利要求9所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的有源层中，采用通过对成膜的非晶硅层照射激光，而多结晶化的多晶硅层。
13、一种有源矩阵型显示装置，具备有配置成矩阵状的像素，各个像素是在栅极线及数据线的交叉附近构成，并具备有：薄膜晶体管、显示元件、补助电容；其特征在于：在基板上，在各像素中形成所述薄膜晶体管以作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极是将所述薄膜晶体管的有源层，沿所述数据线向外延伸而构成；所述补助电容的第2电极是以与所述第1电极挟持绝缘层并重叠的方式，而于该第1电极和所述基板之间形成；在所述数据线与所述补助电容的第1电极相重叠的区域中，在所述数据线与所述第1电极之间的层间，挟持绝缘层而形成导电性密封层。
14、如权利要求13所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：将选择信号供给到其它行像素的薄膜晶体管的栅极线兼作所述导电性密封层。
15、如权利要求13所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极是在像素开口区域以外的区域由遮光性材料而形成。
16、如权利要求13所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述补助电容的第2电极形成于像素开口区以外的区域，并兼作黑色矩阵。
17、如权利要求13所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的有源层中，采用通过对成膜的非晶硅层照射激光，而多结晶化的多晶硅层。
18、一种有源矩阵型显示装置，具备有配置成矩阵状的像素，各个像素是在栅极线及数据线的交叉附近构成，并具备有：薄膜晶体管、显示元件、补助电容；其特征在于：在基板上，在各像素中形成所述薄膜晶体管以作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极是由构成所述薄膜晶体管的有源层的半导体层而形成；所述补助电容的第2电极是以与所述第1电极挟持绝缘层并重叠的方式，而于该第1电极和所述基板之间形成；该第2电极更具备有遮光各像素间的黑色矩阵功能，且该第2电极在各像素的所述薄膜晶体管的至少信道区域是开口的。
19、如权利要求18所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：在兼作所述黑色矩阵的所述第2电极的信道区域附近，在所述有源层的非面对所述第2电极的一侧的上方，形成有将此区域遮光的遮光层。
20、如权利要求19所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述数据线兼作所述遮光层。
21、如权利要求18所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的有源层中，采用通过对成膜的非晶硅层照射激光，而多结晶化的多晶硅层。
22、一种有源矩阵型显示装置，在同一基板上具备有像素部和驱动部，所述像素部配置多个像素，各像素具备有：像素部薄膜晶体管、显示元件、补助电容；其特征在于：在基板上，在各像素中形成有所述像素部薄膜晶体管以作为顶栅极型；所述补助电容的第1电极是电气连接于所述像素部薄膜晶体管的有源层；所述补助电容的第2电极，是为了与所述像素部薄膜晶体管的有源层至少一部份相重叠，而在该有源层和所述基板之间挟持绝缘层而形成；所述驱动部具备输出用于驱动所述像素部的各像素的信号的多个驱动部薄膜晶体管；该驱动部薄膜晶体管在所述基板上构成为顶栅极型晶体管；该驱动部薄膜晶体管的有源层是由与所述像素部薄膜晶体管的有源层相同的同一材料层所构成；且在该驱动部薄膜晶体管的有源层与所述基板之间设置导电层，该导电层和该有源层间挟持有所述绝缘层，且该导电层由与所述第2电极相同的材料所构成。
23、如权利要求22所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的有源层中，采用通过对成膜的非晶硅层照射激光，而多结晶化的多晶硅层。
24、如权利要求22所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述多个驱动部薄膜晶体管具备导电型各异n型信道晶体管与p型信道晶体管，并控制在n型信道晶体管的有源层与所述基板之间所形成的所述导电层的电位，使其不同于在p型信道晶体管的有源层与所述基板之间的所述导电层的电位。
25、一种有源矩阵型显示装置，驱动封入于第1及第2基板间隙的液晶，并进行显示，在同一基板上，具备有像素部以及驱动部，其特征在于：所述像素部配置多个像素，且各像素具备有像素部薄膜晶体管、液晶电容、补助电容；在所述第1基板的面对液晶的一侧，所述像素部薄膜晶体管，在各像素中形成为顶栅极型晶体管；所述补助电容是形成于第1电极和第2电极间的对向区域，而所述第1电极由所述像素部薄膜晶体管的有源层所兼作，所述第2电极则与该第1电极之间挟持有绝缘层，且所述第2电极配置在所述像素部薄膜晶体管的有源层与所述基板之间成；所述驱动部，具备有输出用于驱动所述像素部的各像素的信号的多个驱动部薄膜晶体管；该驱动部薄膜晶体管，在所述基板上构成为顶栅极型晶体管，且该驱动部薄膜晶体管的有源层，是由与所述像素部薄膜晶体管的有源层相同的同一材料层所构成，且在该驱动部薄膜晶体管的有源层与所述基板之间，设置由与所述第2电极相同的材料所构成的导电层，且所述导电层与该有源层之间挟持所述绝缘层。
26、如权利要求25所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：在所述薄膜晶体管的有源层中，采用通过对成膜的非晶硅层照射激光，而多结晶化的多晶硅层。
27、如25所述的有源矩阵型显示装置，其特征在于：所述多个驱动部薄膜晶体管，具备导电型各异n型信道晶体管与p型信道晶体管，并控制在n型信道晶体管的有源层与所述基板之间所形成的所述导电层的电位，使其不同于在p型信道晶体管的有源层与所述基板之间的所述导电层的电位。
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| JP2002200936A (ja) | 2000-11-06 | 2002-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び車両 |
| TW575777B (en) * | 2001-03-30 | 2004-02-11 | Sanyo Electric Co | Active matrix type display device |
| US7230592B2 (en) * | 2002-03-04 | 2007-06-12 | Hitachi, Ltd. | Organic electroluminescent light emitting display device |
| KR100638304B1 (ko) * | 2002-04-26 | 2006-10-26 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | Ｅｌ 표시 패널의 드라이버 회로 |
| JP4199501B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2008-12-17 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2004165241A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100870701B1 (ko) * | 2002-12-17 | 2008-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| JP2004341144A (ja) * | 2003-05-15 | 2004-12-02 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
| JP4446707B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-04-07 | 三洋電機株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
| KR20050051140A (ko) * | 2003-11-27 | 2005-06-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 커패시터 및 이를 구비한 평판표시장치 |
| CN100451784C (zh) * | 2004-01-29 | 2009-01-14 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| KR101112549B1 (ko) | 2005-01-31 | 2012-06-12 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 |
| JP4083752B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2008-04-30 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
| CN100381924C (zh) * | 2005-01-31 | 2008-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
| JP2007058172A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-03-08 | Mitsubishi Electric Corp | 遮光膜付き基板、カラーフィルタ基板及びこれらの製造方法、並びに遮光膜付き基板を備えた表示装置。 |
| JP2007114726A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-05-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP4663485B2 (ja) * | 2005-11-04 | 2011-04-06 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法、半透過型液晶表示装置 |
| JP2007188936A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
| CN100389444C (zh) * | 2006-04-24 | 2008-05-21 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板模块 |
| US8421944B2 (en) * | 2007-04-24 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device substrate, display device, and wiring substrate |
| TWI361019B (en) * | 2007-05-22 | 2012-03-21 | Chimei Innolux Corp | System for displaying images including active-matr |
| TWI354377B (en) * | 2007-05-30 | 2011-12-11 | Au Optronics Corp | Pixel structure of lcd and fabrication method ther |
| JP5251034B2 (ja) * | 2007-08-15 | 2013-07-31 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| TWI396911B (zh) * | 2008-01-08 | 2013-05-21 | Au Optronics Corp | 畫素結構 |
| JP5525224B2 (ja) | 2008-09-30 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| TWI420670B (zh) * | 2008-10-30 | 2013-12-21 | Hitachi Displays Ltd | 顯示裝置 |
| US8604579B2 (en) * | 2008-12-05 | 2013-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and method for manufacturing same |
| CN101872770B (zh) * | 2009-04-27 | 2014-02-05 | 上海天马微电子有限公司 | 像素单元、共面转换型液晶显示装置及制造方法 |
| TWI423448B (zh) * | 2010-05-21 | 2014-01-11 | Innolux Corp | 影像顯示系統 |
| CN102487043A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器 |
| CN102338956A (zh) * | 2011-08-31 | 2012-02-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板 |
| KR20130027188A (ko) | 2011-09-07 | 2013-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP5855888B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2016-02-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| CN102981335A (zh) | 2012-11-15 | 2013-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元结构、阵列基板和显示装置 |
| US10199507B2 (en) * | 2012-12-03 | 2019-02-05 | Lg Display Co., Ltd. | Thin film transistor, display device and method of manufacturing the same |
| KR102046997B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2019-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 유기 발광 표시 장치 |
| US10642116B2 (en) | 2013-05-01 | 2020-05-05 | Apple Inc. | Display pixels with improved storage capacitance |
| GB2517489A (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-25 | Plastic Logic Ltd | Planarisation Layers |
| TWI713943B (zh) | 2013-09-12 | 2020-12-21 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置及電子機器 |
| CN104035615B (zh) * | 2014-05-20 | 2016-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触摸显示面板和显示装置 |
| CN105988255B (zh) * | 2014-12-02 | 2019-07-09 | 群创光电股份有限公司 | 显示面板 |
| TW201622112A (zh) | 2014-12-02 | 2016-06-16 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| CN104600080B (zh) * | 2014-12-30 | 2018-10-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法 |
| CN105206619B (zh) * | 2015-08-27 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| KR102489594B1 (ko) | 2016-07-29 | 2023-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 협 베젤을 갖는 표시장치 |
| JP6776060B2 (ja) * | 2016-08-29 | 2020-10-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN108039351B (zh) * | 2017-12-04 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| KR20200052782A (ko) * | 2018-11-07 | 2020-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20200144162A (ko) * | 2019-06-17 | 2020-12-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP7305510B2 (ja) * | 2019-10-11 | 2023-07-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び半導体装置 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW347477B (en) * | 1994-09-30 | 1998-12-11 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display with storage capacitors for holding electric charges |
| JP3433779B2 (ja) * | 1996-06-19 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| JP3708637B2 (ja) * | 1996-07-15 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP3992797B2 (ja) | 1996-09-25 | 2007-10-17 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
| TWI236556B (en) * | 1996-10-16 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | Substrate for a liquid crystal equipment, liquid crystal equipment and projection type display equipment |
| KR100225097B1 (ko) * | 1996-10-29 | 1999-10-15 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP3308498B2 (ja) * | 1998-07-31 | 2002-07-29 | 富士通株式会社 | 液晶表示パネル |
| TW514757B (en) * | 1998-11-26 | 2002-12-21 | Seiko Epson Corp | Electro-optical device and production method thereof and electronic equipment |
| US6346730B1 (en) * | 1999-04-06 | 2002-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a pixel TFT formed in a display region and a drive circuit formed in the periphery of the display region on the same substrate |
| US6362507B1 (en) * | 1999-04-20 | 2002-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical devices in which pixel section and the driver circuit are disposed over the same substrate |
| JP3464944B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2003-11-10 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板、その製造方法および液晶表示装置 |
| JP3697964B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2005-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
| KR100654158B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2006-12-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치 |
| US6528950B2 (en) * | 2000-04-06 | 2003-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and driving method |
| JP2002057339A (ja) * | 2000-08-10 | 2002-02-22 | Sony Corp | 薄膜半導体装置 |
| TW575777B (en) * | 2001-03-30 | 2004-02-11 | Sanyo Electric Co | Active matrix type display device |
-
2002
- 2002-03-01 TW TW91103817A patent/TW575777B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-28 US US10/113,693 patent/US6812912B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-29 CN CNB021084394A patent/CN1282023C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-29 KR KR10-2002-0017335A patent/KR100501128B1/ko active IP Right Grant
- 2002-04-02 EP EP02252387A patent/EP1245996A3/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102621730A (zh) * | 2007-04-02 | 2012-08-01 | 奇美电子股份有限公司 | 液晶面板 |
| CN102621730B (zh) * | 2007-04-02 | 2015-05-27 | 群创光电股份有限公司 | 液晶面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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