CN1276576C - 压电器件 - Google Patents
压电器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1276576C CN1276576C CNB2003101030576A CN200310103057A CN1276576C CN 1276576 C CN1276576 C CN 1276576C CN B2003101030576 A CNB2003101030576 A CN B2003101030576A CN 200310103057 A CN200310103057 A CN 200310103057A CN 1276576 C CN1276576 C CN 1276576C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tab
- shell
- wiring pattern
- piezoelectric vibration
- vibration piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 31
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 3
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 24
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000009740 moulding (composite fabrication) Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 6
- UQMRAFJOBWOFNS-UHFFFAOYSA-N butyl 2-(2,4-dichlorophenoxy)acetate Chemical compound CCCCOC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl UQMRAFJOBWOFNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
- B81B7/0048—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the MEMS die and the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02897—Means for compensation or elimination of undesirable effects of strain or mechanical damage, e.g. strain due to bending influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02984—Protection measures against damaging
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0552—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the device and the other elements being mounted on opposite sides of a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3201—Structure
- H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32014—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being smaller than the bonding area, e.g. bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明提供一种压电器件及其制造方法,可以实现管壳底座的通用化。压电器件(1)具有如下结构:通过在绝缘带(22)的表面形成了布线图案(30)的TAB带(20),将压电振动片(10)安装在管壳底座(42)上。压电器件(1)的制造方法由下述工序构成:第1工序,将压电振动片(10)安装到TAB带(20)上;第2工序,将安装有压电振动片(10)的TAB带(20)安装到管壳底座(42)上。
Description
技术领域
本发明涉及压电器件及其制造方法。
背景技术
专利文献1:特开平10-32455号公报
专利文献2:特开2000-165190号公报
图14表示作为压电器件的一个例子的弹性表面波(SAW)谐振器的说明图。图14(1)是去掉SAW谐振器盖子后的状态的俯视图,图14(2)是该图(1)的沿M-M线的侧面剖视图。压电器件被广泛应用于电路中,用于获得恒定的频率等。作为压电器件一例的SAW谐振器500是把SAW谐振片510安装在管壳540的内部而作成的。可以从管壳540背面的外部电极552对SAW谐振片510的IDT(叉指换能器)电极512通电。
在SAW谐振片510的上面,形成有激励弹性表面波的一组IDT电极512,并形成与该IDT电极512导通的电极焊盘516。其中一个管壳底座542具有安装SAW谐振片510的空腔544,其侧壁形成为阶梯状。在阶梯的中段部分上面,形成有多个引线焊接用焊盘556。该引线焊接用焊盘556与SAW谐振片510的电极焊盘516的个数相对应,形成于各电极焊盘516的近旁。此外,从引线焊接用焊盘556到外部电极552,在管壳底座542上形成有布线图案。进而,与IDT电极导通的电极焊盘516和与外部端子导通的引线焊接用焊盘556之间,通过引线550相连接。从而,可以从管壳的外部电极552对SAW谐振片510的IDT电极512通电。
并且,通过Ag胶或Si树脂胶等粘接剂538,把SAW谐振片510安装到管壳底座542的空腔544的底面。进而,在空腔544的开口部上安装盖548,将管壳540密封,SAW谐振片510被保持在氮气气氛等中。从而,空气中的微粒等就不会附着在IDT电极512上,防止SAW谐振器500的谐振频率随着时间的推移发生变化。
在图15中,示出作为压电器件的一个例子的SAW滤波器的说明图。图15(1)是除去SAW滤波器盖子后的状态俯视图,图15(2)是该图(1)的P-P线的侧面剖视图。有时在SAW滤波器600中的SAW谐振片610的表面上,形成2组IDT电极612、613。此外,在压电振动片的表面形成有各种图案的激励电极,与激励电极导通的电极焊盘的个数和位置也各种各样。必须在管壳底座上形成与这些各种各样的电极焊盘对应的引线焊接用焊盘。其结果就会增加管壳底座的种类,存在很难降低成本的问题。
此外,图14所示的SAW谐振片510通过粘接剂被牢固地固定于管壳底座542。于是,当对牢固地固定的压电振动片的压电谐振器作用冲击力时,有在压电振动片的粘接部发生机械连接破坏的问题。另一方面,当压电谐振器被加热或冷却时,压电振动片和管壳也会随之膨胀或收缩。这时,由于压电振动片和管壳的线膨胀系数不同,因此它们各自的膨胀或收缩率也就不同。其结果,就会对压电振动片的粘接部作用剪切应力,从而存在发生机械连接破坏的问题。此外,在粘接部进行电连接的情况下,也会同时产生电连接破坏。再者,上述专利文献1和2所述的发明虽然可以回避压电振动片的连接破坏的发生,但不能实现管壳的通用化。
此外,当加热压电器件时,包含在粘接剂中的有机溶剂等蒸发并附着在压电振动片的激励电极等上,其中粘接剂用于接合安装在管壳内部的压电振动片和管壳。从而,存在压电振动片的谐振频率产生漂移的问题。
发明内容
本发明着眼于上述问题点,目的在于提供一种压电器件及其制造方法,使管壳底座的通用化成为可能,不会发生压电振动片的连接破坏,也没有由杂质气体的附着引起的谐振频率的漂移。
为达到上述目的,本发明的压电器件,将压电振动片安装在管壳的内部,并使该压电振动片的激励电极可以与管壳的外部端子导通,其特征在于,所述压电振动片通过在绝缘带的表面形成了布线图案的TAB带安装在所述管壳的内部,形成所述布线图案使所述压电振动片的激励电极可以与所述管壳的外部端子导通,并且所述布线图案形成在所述绝缘带的与所述管壳相对的一面上,所述压电振动片通过在所述绝缘带上形成的窗部安装在所述布线图案上。
因为在TAB带上形成布线图案,所以无需在管壳底座上形成布线图案。从而,即使在安装电极结构不同的压电振动片时,只要改变TAB带的布线图案,就可以确保与管壳的外部电极导通。因此,可以实现管壳的通用化。
此外,所述布线图案形成在所述绝缘带的与所述管壳相对的一面上,所述压电振动片也可以通过在所述绝缘带上形成的窗部安装在所述布线图案上。在此情况下,由于只要在绝缘带的一个面上形成布线图案即可,因此可以降低其成本。
此外,所述压电振动片也可以安装在从把所述布线图案的一部分从所述绝缘带的表面突起而形成的安装端子上。在此情况下,即使对压电器件作用冲击力,因为安装端子起着缓冲材料的作用,所以不会发生压电振动片的连接破坏。另一方面,由于压电振动片和管壳的线膨胀系数不同,因此即使各自的膨胀率或收缩率不同,安装端子也可以吸收膨胀率或收缩率的差。从而,在粘接部不会作用剪切应力,不会发生压电振动片的连接破坏。
此外,也可以从所述绝缘带的中央部朝向周边部上方突起来形成所述安装端子,将所述压电振动片配置在上述安装端子的上方,并安装在所述安装端子的顶端部。这与从绝缘带的周边部朝向中央部突起来形成安装端子的情况相比,在上述情况下,可以有效地利用空间。因此,可以小型化压电器件。
此外,也可以通过凸点(bump:也称为凸块)将所述TAB带安装在所述管壳上和/或将所述压电振动片安装在上述TAB带上。此时,由于不进行引线焊接,因此可简化工艺。此外,由于凸点不会产生杂质气体,也就不会由于附着杂质气体而产生谐振频率的漂移。
另一方面,本发明的压电器件的制造方法,把压电振动片通过在绝缘带表面形成了布线图案的TAB带安装在管壳内部,其特征在于,包括下述工序:第1工序,将所述压电振动片安装在所述TAB带上;第2工序,将安装了所述压电振动片的所述TAB带安装在管壳底座上。在此情况下,可以将压电振动片连续地安装在长TAB带上,因此可以高效地制造压电器件。
此外,还提供一种压电器件的制造方法,把压电振动片通过在绝缘带表面形成了布线图案的TAB带安装在管壳内部,其特征在于,包括下述工序:第1工序,将所述TAB带安装在管壳底座上;第2工序,将所述压电振动片安装在安装于所述管壳底座上的所述TAB带上。因为在安装压电振动片之前把TAB带安装在管壳底座上,因此无需使TAB带的外形大于压电振动片的外形。结果,只要使TAB带的外形与压电振动片的外形相同大小即可,可以实现所谓芯片大小的管壳。因此,可以实现压电器件的小型化。
附图说明
图1是第1实施方式的压电器件的说明图。
图2是SAW谐振片的说明图。
图3是管壳底座的说明图。
图4是TAB带的说明图。
图5是TAB带的制造方法的说明图。
图6是TAB带的制造方法的说明图。
图7是第1实施方式的压电器件的制造方法的说明图。
图8是第1实施方式的压电器件的制造方法的说明图。
图9是接合工具的说明图。
图10是第1实施方式的变形例的压电器件的说明图。
图11是TAB带的说明图。
图12是压电振荡器的说明图。
图13是第2实施方式的压电器件的制造方法的说明图。
图14是现有技术的SAW谐振器的说明图。
图15是现有技术的SAW滤波器的说明图。
附图符号说明
1:压电器件,10:压电振动片,16:电极焊盘,18:凸点,20:TAB带,22:绝缘带,30:布线图案,34:安装端子,42:管壳底座,52:外部电极,54:安装电极,58:凸点
具体实施方式
根据附图对本发明的压电器件及其制造方法的优选实施方式进行详细说明。并且,虽然下面将以SAW谐振片为例进行说明。但本发明的压电器件及其制造方法,同样也可以应用于其它压电器件。
首先,对第1实施方式进行说明。
图1表示第1实施方式的压电器件的说明图。图1(1)为俯视图,图1(2)是图1(1)的沿A-A线的侧面剖视图。第1实施方式的压电器件1是通过在绝缘带22的表面形成有布线图案30的TAB带20,将SAW谐振片10安装到管壳底座42上而成的,它是通过下述工序制造的:第1工序,将SAW谐振片10安装在TAB带20上;第2工序,将安装了SAW谐振片10的TAB带20安装在管壳底座42上。
图2是SAW谐振片的说明图。图2(1)是图2(2)的沿C-C线的侧面剖视图,图2(2)是底面图。SAW谐振片10是在ST切割石英平板11等的主表面上形成铝(AL)材料等构成的电极而成的。作为电极,把一组梳齿状电极交替组合起来的IDT电极12形成在中央部,并把梯子状反射器电极14形成在IDT电极12的两端部。与各梳齿状电极相互邻接,形成与各梳齿状电极导通的电极焊盘16。
图3表示构成管壳的管壳底座的说明图。图3(1)为俯视图,图3(2)是图3(1)的D-D线的侧面剖视图。管壳底座42是将由陶瓷材料等构成的多个薄片,按规定的形状成坯之后层叠形成。在管壳底座42上,形成安装SAW谐振片的空腔44。此外,在空腔44的底面的中央部,设有用于管壳内部的进气排气的通孔46。另一方面,在构成空腔44底面的底座片45上,形成由镀镍或镀金等构成的电极图案。具体来说,在底座片45的下面的四角形成外部电极52。此外,在底座片45的上面的四角形成安装电极54。进而,在底座片45的侧面也形成电极,以确保外部电极52和安装电极54的导通。
图4表示TAB带的说明图。图4(1)是图4(2)的E-E线侧面剖视图,图4(2)是底面图。TAB带20是在由聚酰亚胺树脂等构成的绝缘带22的表面上由铜箔等形成布线图案30而成的。聚酰亚胺树脂可以利用四羧酸(テトラカルボン酸)和二元胺的缩聚来容易地制造出来,通过变更各分子结构,就可以使树脂的物理特性(线膨胀系数、杨式模量、热熔接性、吸湿率等)可变。从而,通过使上述绝缘带的线膨胀系数接近管壳的线膨胀系数,在管壳和上述绝缘带的粘接部不会作用剪切应力,因此也就不会产生上述绝缘带的连接破坏。在绝缘带22的中央部,设有用于管壳内部的进气排气的通孔26。此外,在绝缘带22的四角设有用于安装SAW谐振片的窗部24。窗部24沿安装在TAB带20上的SAW谐振片10的电极焊盘16(参照图2),形成为长方形。
另一方面,沿各窗部24的内侧的长边形成布线图案30。布线图案30从绝缘带22的周边部到中央部形成为直线状,而且,从绝缘带22的中央部到上述窗部24的内侧的短边形成为U字形。进而,从窗部24的内侧的短边开始,贯穿窗部24在绝缘带22的背面侧将布线图案突起(立ち上げ),形成SAW谐振片的安装端子34。
图5和图6表示TAB带的制造方法的说明图。图5(1)、(2)和图6(1)都是与图4(2)相同的底面图,图6(2)是图6(1)的G-G线侧面剖视图。TAB带的具体制造方法如下:首先如图5(1)所示,在长的绝缘带22的规定位置上形成窗部24和通孔26的半成品。其次,如图5(2)所示,在绝缘带22的整个表面上,通过喷溅、蒸镀、模铸、熔焊、用粘接剂粘贴等方法,形成铜箔等金属箔32。其次,进行光刻,形成与布线图案形状对应的掩模。进而,如果通过该掩模蚀刻金属箔,然后清除掩模的话,就形成如图6(1)所示的金属箔构成的布线图案30。其次,如图6(2)所示,弯折在窗部形成的布线图案使其贯穿窗部,在绝缘带的背面侧突起,形成安装端子34。并且,如后所述,第1实施方式中,可以同时进行该安装端子34的形成工序和将SAW谐振片安装在TAB带的安装工序。此时,可以把安装用的接合工具62同时用作布线图案的弯折夹具。
进而,如图1(2)所示,把SAW谐振片10安装到TAB带20上,然后把TAB带20安装到管壳底座42上。将SAW谐振片10的电极形成面配置在下,把在电极焊盘16上形成的凸点18与TAB带20的安装端子34相接合。另一方面,把TAB带20的布线图案30的形成面配置在下,把布线图案30的端部与在管壳底座42的安装电极54上形成的凸点58相接合。作为凸点的材料,可使用金或焊锡等。与粘接剂不同,不会从凸点蒸发杂质气体,因此可以防止由于在SAW谐振片上附着杂质气体而引起的谐振频率的漂移。通过以上工序,可以从管壳底座42的外部电极52向SAW谐振片10的IDT电极12(参照图2)进行通电。然后,在管壳底座42的空腔开口部安装盖子,以使空腔内部于保持氮气气氛等。
图7和图8是第1实施方式的压电器件的制造方法的说明图。图7和图8都是相当于图1(1)的A-A线的部分的侧面剖视图。第1实施方式的压电器件的制造方法的概要是:依次进行下述工序:第1工序,将SAW谐振片10安装到TAB带20上;第2工序,将安装了SAW谐振片10的TAB带20安装到管壳底座42上。
作为第1工序,如图7(1)所示,在TAB带20上安装SAW谐振片10。具体来说,首先,在SAW谐振片10上所形成的电极焊盘16(参照图2)的表面上,通过利用金属导线的柱形凸点形成装置来形成凸点18。凸点18形成在相当于形成在TAB带20上的安装端子34的顶端部的位置。其次,将在TAB带20上形成的安装端子34的顶端部与凸点18相接合。具体来说,就是用倒装接合法来进行。倒装接合法大体可划分为通过加热加压进行的压接以及通过施加超声波进行的压接两类。在通过加热加压进行压接的情况下,通过放置有接合工具62和SAW谐振片10的载物台63,一边加热接合部,一边用接合工具62把安装端子34按压到凸点18,从而把安装端子34加热压接到凸点18。此外,在通过施加超声波进行压接的情况下,在通过接合工具62把安装端子34按压到凸点18时,在接合工具62上施加超声波振动,把安装端子34和凸点18的界面接合起来。此时,由于不需要如加热加压时那样的高温,因此可以降低施加在SAW谐振片10和TAB带20上的应力。可根据连接强度等条件分别选择使用这两种安装方法。然后,在TAB带20上连续安装SAW谐振片10,形成TCP(Tape carrier package-带载封装)。
第1实施方式中,在形成TAB带20的安装端子34的同时,也可以将安装端子34接合到凸点18。具体来说,从形成有凸点18的SAW谐振片10开始,隔规定间隔保持TAB带20。其次,把在TAB带20的窗部所形成的布线图案,通过接合工具62进行弯折,形成安装端子34。接着,通过接合工具62,把安装端子34倒装接合到凸点18。通过上述工序,就可以高效地形成TCP。
作为第2工序,如图7(2)所示,把TAB带20安装在管壳底座42的空腔底面。具体来说,首先在管壳底座42上所形成的安装电极54(参照图3)的表面上,通过利用金属导线的柱形凸点形成装置来形成凸点58。凸点58形成在相当于在TAB带20上所形成的布线图案30的端部的位置。另一方面,把在第1工序所形成的TCP切断为TAB带单片20。进而,把在TAB带20上形成的布线图案30的端部与凸点58相接合。此时,使用接合工具64,在按压TAB带20的绝缘带的同时进行加热,把布线图案30倒装接合到凸点58上。
图9表示接合工具的说明图。图9(1)的(b)是使用状态斜视图,图9(1)的(a)是上下颠倒状态的斜视图。如图9(1)所示,接合工具64具有突出状的按压部65。按压部65的外形比管壳底座的空腔的内形小,而按压部65的内形比SAW谐振片的外形大。此外,按压部65的高度比管壳底座的空腔的深度高。利用这样的接合工具,按压TAB带的四周,就可以把布线图案与凸点接合起来。此时,接合工具不会与管壳底座或SAW谐振片发生干涉。并且,TAB带的外形必须比SAW谐振片的外形大。
此外,除图9(1)所示的接合工具64之外,也可使用图9(2)所示的接合工具66或图9(3)所示的接合工具68。接合工具66、68只在布线图案和凸点的接合部分形成按压部67、69。在此情况下,也可以把布线图案与凸点相接合,此时,接合工具不会与管壳底座或SAW谐振片发生干涉。
作为第3工序,如图8(1)所示,在管壳底座42的空腔开口部安装盖子48。当盖子48是玻璃材料时,通过使在盖子和管壳底座之间配置的图中未示出的低熔点玻璃熔化,把两者接合起来。当盖子48是金属材料时,对管壳底座进行缝焊。
作为第4工序,如图8(2)所示,在氮气气氛等下将管壳40的内部密封。具体来说,通过在管壳40的底座片45上形成的通孔46,将管壳40内部的气体置换为氮气等。然后,用金属钎料来密封通孔46。具体来说,将由铜/锡等材料构成的球状金属钎料49配置在通孔46的开口部,然后对其照射激光70,从而将熔化的金属钎料49填充到通孔46的内部。通过上述工序,管壳40的内部由氮气气氛等密封。并且,也可以通过在氮气气氛等中进行上述第3工序,在安装盖子48的同时,将管壳40的内部密封为氮气气氛等。在此情况下,没有必要在管壳40的底座片45上形成通孔46。
作为第5工序,对SAW谐振片进行频率调整。当盖子48是玻璃材料时,透过盖子48照射激光,通过熔蚀SAW谐振片10上形成的电极膜,使SAW谐振器1的谐振频率与目标值一致。并且,通过调整激光的焦点深度,可以熔蚀在SAW谐振片10的背面侧所形成的电极膜。这样,通过对封入管壳后的SAW谐振片进行频率调整,可以回避伴随着管壳封入而发生的谐振频率的漂移。另一方面,当盖子48是玻璃材料时,通过在第1工序前进行干式蚀刻等,使SAW谐振片10的谐振频率与目标值一致。
通过以上详述的第1实施方式的压电器件,就可以实现管壳的通用化。
亦即,第1实施方式的压电器件中,通过在绝缘带表面形成布线图案的TAB带,把SAW谐振片安装到管壳底座。因为在TAB带上形成布线图案,因此不必在管壳底座上形成布线图案。从而,即使在安装电极结构不同的SAW谐振片的情况下,只要变更TAB带的布线图案,就可以确保与管壳的外部电极的导通。因此,可以实现管壳的通用化。
通过使管壳通用化,就没有必要设计新的管壳,从而可以降低用于制造管壳基板的模具费用。此外,不必对管壳进行分类,因此可减少错误组装。另一方面,在压电器件的制造工艺中,也可以缩短伴随制造品种的变更所需的变换顺序的时间,从而可以降低制造成本。此外,因为可以把放置管壳的托盘的尺寸统一化,从而可以降低设备成本。并且,没有必要按品种设定生产线。而且,因为可以使出厂时包装压电器件的卷轴(reel)或托盘统一化,从而可以降低设备成本。
此外,第1实施方式是在把部分布线图案从绝缘带的表面突起所形成的安装端子上安装SAW谐振片的结构。在此情况下,即使对SAW谐振器作用冲击力,因为安装端子起到作为缓冲材料的作用,所以不会发生连接破坏。另一方面,由于SAW谐振片和管壳的线膨胀系数不同,即使各膨胀率和收缩率不同,具有挠性的安装端子吸收膨胀率和收缩率之差。因此,在接合部并不作用剪切应力,不会发生连接破坏。此外,管壳对SAW谐振片也没有应力作用,频率特性不会变差。
并且,变更构成TAB带的绝缘带和金属箔的材料,使TAB带的刚性发生变化,可以调整SAW谐振片的支撑条件。此外,通过变更安装端子的形状,也可以调整SAW谐振片的支撑条件。而且,通过变更凸点的材质或形状,也可以调整SAW谐振片的支撑条件。
此外,通过凸点将TAB带安装到管壳底座和将SAW谐振片安装到TAB带上。因为凸点不会发生杂质气体,所以不会由于杂质气体的附着引起的谐振频率的漂移。
另一方面,第1实施方式的压电器件的制造方法为依次进行下列工序:第1工序,将SAW谐振片安装到TAB带上;第2工序,将安装有SAW谐振片的TAB带安装到管壳底座上。在此情况下,可以将SAW谐振片连续地安装到长的TAB带上,因此可以高效地制造SAW谐振器。
并且,第1实施方式以安装有SAW谐振片的SAW谐振器的情况为例进行了说明。其实,本发明也可应用于安装有其它压电振动片的压电器件。例如可以应用于安装了SAW谐振片的SAW滤波器、安装了AT切割压电振动片的压电振动器、安装了音叉型压电振动片的压电振动器等。因此,作为第1实施方式的变形例,下面对安装了音叉型压电振动片的压电振荡器的情况进行说明。
图10表示安装了音叉型压电振动片的压电器件的说明图。图10(1)为除去了压电器件的盖子后的状态的俯视图,图10(2)是图10(1)的H-H线的侧面剖视图。音叉型压电振动片110使从音叉根部115伸出的2条振动臂111弯曲振动,在振动臂111的表面形成有激励电极112,与该激励电极112导通的连接电极116形成在音叉根部115的表面。此外,管壳140的结构与第1实施方式相同。并且,虽然配合图10的音叉型压电振动片110的外形,形成了较小的管壳底座142,但也可以直接使用图3所示的管壳底座42。
图11表示TAB带的说明图。图11(1)是图11(2)的K-K线的侧面剖视图,图11(2)为底面图。图11的TAB带120也与图4的TAB带相同,在绝缘带122的表面上,形成有布线图案130。在绝缘带122上,沿着安装的音叉型压电振动片的连接电极,设有长方形的窗部124。此外,沿各窗部124的外侧的长边,形成布线图案130。布线图案130从绝缘带122的周边部到中央部,形成为直线状,而到上述窗部124内侧的短边形成为U字状。而且,贯穿窗部124在绝缘带122的背面侧将布线图案突起,形成安装端子134。并且,布线图案130的具体形成方法与第1实施方式相同。
使用如上所述构成的压电振动片,管壳底座和TAB带,形成图10所示的压电器件100。其具体制造方法与第1实施方式相同。也就是说,作为第1工序,在音叉型压电振动片110的连接电极上形成凸点118,并与在TAB带120上形成的安装端子134相接合。其次,作为第2工序,在管壳底座142的安装电极154上形成凸点158,并与在TAB带120上形成的布线图案130的端部相接合。
上述第1实施方式的变形例的压电器件中,从TAB带120的中央部朝向周边部的上方,将安装端子134突起,把在压电振动片110的端部形成的连接电极116与安装端子134的顶端部接合起来。因此,因为安装端子134的全体被配置在压电振动片110的下方,所以,与从TAB带120的周边部朝向中央部将安装端子突起的情况相比较,可以有效地利用空间。因此,可以将压电器件100小型化。
图12示出具有集成电路元件(IC)的压电振荡器的说明图。图12是与图10(2)相同的侧面剖视图。本发明也可以应用于具有集成电路元件206的压电振荡器205。在图12所示的TAB带220上形成与将压电振动片210的连接电极216和集成电路元件206相连接的同时,还将管壳底座242的安装电极254与集成电路元件206相连接的布线图案230。可以通过倒装接合法等将集成电路元件206安装到该布线图案230。
具体来说,通过使用金属导线的柱状凸点形成装置,在集成电路元件206的电极焊盘部形成凸点,对TAB带220的连接布线部进行倒装接合法,连接集成电路元件206。在TAB带220上配置可预先连接集成电路元件206的布线图案。弯折在TAB带220的窗部形成的布线图案,使其贯穿窗部,在绝缘带的背侧突起,形成与压电振动片210连接的安装端子。另一方面,在压电振动片210的连接电极216上,也通过利用金属导线的柱状凸点形成装置来形成凸点,对从TAB带220伸出的安装端子进行倒装接合,连接压电振动片210。通过以上工序,完成全部连接。并且,在管壳底座242上,为防止与集成电路元件206发生干涉,设置凹部243。
根据上述内容,也能够在管壳内安装集成电路元件206,从而可以制造压电振荡器205。此外,由于通过在压电振荡器205上设置凹部243,可以防止集成电路元件206和管壳底座242的干涉,因此不仅可以实现压电振荡器205的小型化,也可以实现超薄化(高度减小)。而且,由于在TAB带220上装有压电振动片210和集成电路元件206,因此可以使压电振动片210和集成电路元件206之间的布线长度最小化,与此同时,由于不需要印刷布线或接合导线,因此可以降低成本。
其次,对第2实施方式进行说明。
图13示出第2实施方式的压电器件的制造方法的说明图。图13的各图是与图7相同的侧面剖视图。第2实施方式的压电器件的制造方法的概要是依次进行下述工序:第1工序,将形成有布线图案330的TAB带320安装在管壳底座342的空腔底面;第2工序,将压电振动片310安装到在TAB带320上所形成的安装端子334上。并且,对与第1实施方式结构相同的部分,省略其说明。
作为第1工序,如图13(1)所示,将TAB带320安装在管壳底座342的空腔底面。也就是说,第2实施方式在安装压电振动片310之前,先把TAB带320安装在管壳底座342上。具体来说,首先在管壳底座342上所形成的安装电极354的表面上,通过利用金属导线的柱状凸点形成装置来形成凸点358。凸点358形成在相当于在TAB带320上形成的布线图案330的端部的位置。其次,把在TAB带320上形成的布线图案330的端部与凸点358接合起来。此时,使用接合工具364,在对TAB带320的绝缘带按压的同时进行加热,把布线图案330倒装接合到凸点358。其他具体方法与第1实施方式相同。
作为第2工序,如图13(2)所示,将SAW谐振片310安装到在TAB带320上形成的安装端子334上。具体来说,首先,在SAW谐振片310上形成的电极焊盘16(参照图2)的表面上,通过利用金属导线的柱状凸点形成装置,形成凸点318。凸点318形成在相当于在TAB带320上所形成的安装端子334的端部位置。
其次,把凸点318接合到在TAB带320上形成的安装端子334的顶端部。第2实施方式不能使用图7(1)所示的接合工具62进行压接。因此,通过倒装接合法,把形成凸点318的SAW谐振片接合到安装端子334上。另一方面,在与安装端子334的位置对应的管壳底座342的表面上,预先形成凹部343。如果在其上安装SAW谐振片310,则安装端子334被按压在管壳底座342上而不会发生变形,可以把安装后的安装端子334恢复到原来的弹性支撑形状。
并且,第3工序以后的工序与第1实施方式相同。通过上述工序,完成压电器件。
由于上述第1实施方式把安装了SAW谐振片之后的TAB带安装在管壳底座上,因此必须使TAB带的外形大于SAW谐振片的外形。因此,压电器件的小型化有一定界限。关于此点,若采用第2实施方式的制造方法,则可以使压电器件小型化。
亦即,第2实施方式的压电器件的制造方法为依次进行以下工序:第1工序,将形成了布线图案的TAB带安装到管壳底座的空腔底面;第2工序,将压电振动片安装到在TAB带上所形成的安装端子上。由于在安装SAW谐振片之前,把TAB带安装到管壳底座上,因此没有必要使TAB带的外形比SAW谐振片的外形大。其结果,只要TAB带的外形与SAW谐振片的外形相同即可,可以实现所谓芯片大小管壳。因此,可以实现SAW谐振器的小型化。
Claims (4)
1.一种压电器件,将压电振动片安装在管壳的内部,并使该压电振动片的激励电极可以与管壳的外部端子导通,其特征在于,
所述压电振动片通过在绝缘带的表面形成了布线图案的TAB带安装在所述管壳的内部,
形成所述布线图案使所述压电振动片的激励电极可以与所述管壳的外部端子导通,并且所述布线图案形成在所述绝缘带的与所述管壳相对的一面上,
所述压电振动片通过在所述绝缘带上形成的窗部安装在所述布线图案上。
2.如权利要求1所述的压电器件,其特征在于,
所述压电振动片安装在把所述布线图案的一部分从所述绝缘带的表面突起而形成的安装端子上。
3.如权利要求2所述的压电器件,其特征在于,
所述安装端子是从所述绝缘带的中央部朝向周边部上方突起而形成的,
所述压电振动片配置在所述安装端子的上方,并安装在所述安装端子的顶端部。
4.如权利要求1至3的任何一项所述的压电器件,其特征在于,
通过凸点将所述TAB带安装在所述管壳上和/或将所述压电振动片安装在所述TAB带上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002314321A JP3826875B2 (ja) | 2002-10-29 | 2002-10-29 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
JP314321/2002 | 2002-10-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1499713A CN1499713A (zh) | 2004-05-26 |
CN1276576C true CN1276576C (zh) | 2006-09-20 |
Family
ID=32458661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2003101030576A Expired - Fee Related CN1276576C (zh) | 2002-10-29 | 2003-10-29 | 压电器件 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7145283B2 (zh) |
JP (1) | JP3826875B2 (zh) |
CN (1) | CN1276576C (zh) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3966237B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス、圧電デバイスを搭載した電子機器 |
US7157836B2 (en) * | 2004-10-19 | 2007-01-02 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device |
JP2006174370A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | 実装物、tab基板、圧電振動片および圧電デバイス |
JP2006238014A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子実装基板及びそれを用いた高周波モジュール、通信機器 |
DE102005008511B4 (de) | 2005-02-24 | 2019-09-12 | Tdk Corporation | MEMS-Mikrofon |
JP4721101B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2011-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス並びに圧電デバイスの製造方法、及び電子機器 |
JP2006325051A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス及び電子機器 |
DE102005050398A1 (de) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Epcos Ag | Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
DE102005053765B4 (de) | 2005-11-10 | 2016-04-14 | Epcos Ag | MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung |
JP2007166461A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波素子、及びこれを用いた弾性表面波デバイス |
US20080003963A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Microsoft Corporation | Self-powered radio integrated circuit with embedded antenna |
JP4924873B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2012-04-25 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動ジャイロモジュール及び圧電振動ジャイロセンサ |
JP5243746B2 (ja) * | 2007-08-07 | 2013-07-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁気記憶装置の製造方法および磁気記憶装置 |
JP5555974B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2014-07-23 | パナソニック株式会社 | 圧電デバイスとこれを用いた電子機器、及び自動車 |
DE102008028299B3 (de) | 2008-06-13 | 2009-07-30 | Epcos Ag | Systemträger für elektronische Komponente und Verfahren für dessen Herstellung |
JP2010190706A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Panasonic Corp | 慣性力センサ |
JP5466537B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-04-09 | エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 | 圧電振動子、発振器及び発振器パッケージ |
JP2012065304A (ja) * | 2010-08-16 | 2012-03-29 | Seiko Epson Corp | 圧電振動デバイス及びその製造方法、共振周波数の調整方法 |
US20120098389A1 (en) * | 2010-10-21 | 2012-04-26 | Micro Crystal Ag | Method for mounting a piezoelectric resonator in a case and packaged piezoelectric resonator |
DE102010054782A1 (de) | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Epcos Ag | Gehäustes elektrisches Bauelement |
JP6051577B2 (ja) * | 2012-04-20 | 2016-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよび電子機器 |
JP2013258571A (ja) * | 2012-06-13 | 2013-12-26 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、電子機器及び移動体 |
DE102013106353B4 (de) * | 2013-06-18 | 2018-06-28 | Tdk Corporation | Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement |
USD760230S1 (en) | 2014-09-16 | 2016-06-28 | Daishinku Corporation | Piezoelectric vibration device |
DE102016205793A1 (de) * | 2016-04-07 | 2017-03-02 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches System |
CN107462192B (zh) * | 2017-09-11 | 2023-06-23 | 重庆大学 | 一种基于soi和压电薄膜的声表面波高温应变传感器芯片及其制备方法 |
US11743634B2 (en) * | 2021-05-20 | 2023-08-29 | Aac Acoustic Technologies (Shenzhen) Co., Ltd. | MEMS microphone |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63160239A (ja) | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Nec Corp | リ−ド・ボンデイング方法 |
JPH0576048A (ja) | 1991-09-17 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 映像信号のドロツプアウト補償方式 |
JP2730352B2 (ja) | 1991-10-25 | 1998-03-25 | 日本電気株式会社 | Tabテープ |
JPH06104679A (ja) | 1992-08-18 | 1994-04-15 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電デバイスの保持構造 |
JP3365070B2 (ja) | 1994-09-05 | 2003-01-08 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波装置 |
JP3170182B2 (ja) * | 1995-08-15 | 2001-05-28 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JP3284853B2 (ja) | 1995-10-23 | 2002-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
TW340967B (en) * | 1996-02-19 | 1998-09-21 | Toray Industries | An adhesive sheet for a semiconductor to connect with a substrate, and adhesive sticking tape for tab, an adhesive sticking tape for wire bonding connection, a substrate for connecting with a semiconductor and a semiconductor device |
JPH09246682A (ja) | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Olympus Optical Co Ltd | プリント基板 |
JP2820108B2 (ja) | 1996-03-13 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 電子部品の実装構造およびその製造方法 |
JP2914284B2 (ja) * | 1996-03-26 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 圧電トランス |
DE69710670T2 (de) * | 1996-05-15 | 2002-08-14 | Tokin Corp., Sendai | Piezoelektrischer transformator |
JPH1032455A (ja) | 1996-07-18 | 1998-02-03 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電振動子 |
JP3577170B2 (ja) * | 1996-08-05 | 2004-10-13 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子とその製造方法およびそれを用いた電子部品 |
US6396201B1 (en) * | 1997-08-19 | 2002-05-28 | Miyota Co., Ltd. | Piezoelectric vibrator |
JPH11251863A (ja) | 1998-03-04 | 1999-09-17 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電振動子 |
JP3695183B2 (ja) | 1998-11-30 | 2005-09-14 | セイコーエプソン株式会社 | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP2000295039A (ja) | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電発振器 |
KR100406352B1 (ko) | 2001-03-29 | 2003-11-28 | 삼성전기주식회사 | 안테나 및 그 제조방법 |
-
2002
- 2002-10-29 JP JP2002314321A patent/JP3826875B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-29 CN CNB2003101030576A patent/CN1276576C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-29 US US10/697,632 patent/US7145283B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7145283B2 (en) | 2006-12-05 |
JP3826875B2 (ja) | 2006-09-27 |
CN1499713A (zh) | 2004-05-26 |
JP2004153408A (ja) | 2004-05-27 |
US20040160145A1 (en) | 2004-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1276576C (zh) | 压电器件 | |
CN1839543A (zh) | 压电器件 | |
CN1495999A (zh) | 声波器件及其制作方法 | |
CN1128901A (zh) | 制造芯片封装型半导体器件的方法 | |
CN1309283C (zh) | 电路装置的制造方法 | |
JP5318685B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
US7791421B2 (en) | Surface-mounted piezoelectric oscillators | |
CN1119371A (zh) | 复合电子组件及其制造方法 | |
JP2011147054A (ja) | 電子装置、および、電子装置の製造方法 | |
JP2008005464A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
US6928718B2 (en) | Method for array processing of surface acoustic wave devices | |
JP4906557B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
CN1835388A (zh) | 表面安装型水晶振荡器的制造方法 | |
JP2004228286A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2007234834A (ja) | 圧電デバイス | |
JPH11103233A (ja) | 圧電振動子とその製造方法 | |
US6627482B2 (en) | Mass production technique for surface mount optical device with a focusing cup | |
JPH09148875A (ja) | 圧電振動子ならびにその製造方法 | |
JP2002353763A (ja) | 圧電素子デバイスの製造方法 | |
JP2006066648A (ja) | 多数個取り配線基板、電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2011097247A (ja) | 高周波モジュールおよびその製造方法 | |
JP4511335B2 (ja) | 多数個取り配線基板および電子装置 | |
JP4377729B2 (ja) | 配線基板 | |
JP4246043B2 (ja) | 素子収容体の製造方法および素子収容体の製造装置 | |
JP2006066629A (ja) | 多数個取り配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060920 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |