JP2914284B2 - 圧電トランス - Google Patents

圧電トランス

Info

Publication number
JP2914284B2
JP2914284B2 JP8070243A JP7024396A JP2914284B2 JP 2914284 B2 JP2914284 B2 JP 2914284B2 JP 8070243 A JP8070243 A JP 8070243A JP 7024396 A JP7024396 A JP 7024396A JP 2914284 B2 JP2914284 B2 JP 2914284B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric transformer
lead terminal
contact portion
transformer element
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP8070243A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09260738A (ja
Inventor
宏実 鈴木
光弘 杉本
祐子 佐藤
直人 大白
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP8070243A priority Critical patent/JP2914284B2/ja
Priority to TW086103783A priority patent/TW413963B/zh
Priority to KR1019970010583A priority patent/KR100263571B1/ko
Priority to US08/827,063 priority patent/US5929553A/en
Publication of JPH09260738A publication Critical patent/JPH09260738A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2914284B2 publication Critical patent/JP2914284B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/88Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/40Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータやカーナビゲーションなどの液晶表示パネルの冷
陰極管バックライト用のインバータ回路、民生用電子機
器一般に用いられるアダプタ電源回路或いは電子複写機
などに用いられる圧電トランスに関し、特に、パッケー
ジへの実装構造に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、バックライトインバータやテレビ
ジョンの偏向装置など、高電圧を必要とする装置内の電
源回路に用いる高電圧発生用の電圧変換用素子として、
圧電効果を用いた圧電トランスの開発が盛んとなってき
ている。圧電トランスは、従来用いられている巻線型電
磁トランスに比べて小型化、薄型化が容易である、材料
にセラミックを用いているため不燃化が図れる、電磁誘
導によるノイズが出ないなど、数多くの長所を有してい
る。
【0003】このような圧電トランスの開発に伴い、圧
電トランスを収納するための信頼性の高いパッケージが
求められている。圧電トランスは、一般に、駆動部と発
電部とからなり、駆動部に交流電圧を印加するとトラン
ス全体が振動し、発電部に高電圧が発生する(昇圧型の
場合)構成となっている。そこで、このような振動子を
支持する方法が実装上重要となる。この種の圧電体の支
持方法に関しては、圧電共振器に関するパッケージ構造
で、多くの報告がなされている。
【0004】従来知られている圧電体の支持方法の一つ
に、支持体に突起を形成する方法がある。そのような支
持方法の一例が、実開昭63ー40018号公報(以
下、第1の公報という)に開示されている。図11
(a)は、上記第1の公報による圧電部品の断面図を示
す。図11(b)は、図11(a)中の支持端子を示す
斜視図である。図11(a)を参照すると、平板状の圧
電素子1Aがケース1012内に、二つの支持端子10
13,1014によって挟持されている。支持端子10
13には、図11(b)に示されるような、球面状の突
起1013aが形成されている。同様に、もう一方の支
持端子1014にも、突起1013aに対向する位置
に、突起1014aが形成されている。この圧電部品
は、それら対向する突起1013a,1014aが圧電
素子1Aに当接し、これを支持する構造となっている。
【0005】しかし、上記したような支持方法では、こ
れを例えば圧電トランスの支持に適用した場合、衝撃が
加わった際に支持体が圧電素子に追従できず電気接点に
瞬断が生じることがある。そのような問題を解決する一
つの手段としては、支持体にばね性を持たせる方法が考
えられる。そして、その構造を実現するために支持体に
湾曲部を形成する方法が、これまでに開示されている。
【0006】そのような方法の一例が、実開平4ー85
823号公報(以下、第2の公報という)に開示されて
いる。図12(a)は、上記第2の公報による圧電共振
部品の断面図である。図12(b)は、図12(a)中
のスプリング端子を示す正面図である。図12(a)を
参照すると、平板状の圧電素子1Bはケース1022内
に、互いに対向するスプリング端子1023の突起10
23aと支持端子1024の突出部1024aが圧電素
子1に当接するようにして、挟持されている。上記のス
プリング端子1023は、詳しくは図12(b)に示さ
れるように、端子の中央付近に山なりのスプリング部分
1023sが形成されており、更にそのスプリング部分
1023sの中央頂点部に突起1023aが形成された
構造を持つ。従って、圧電素子1Bは、このように構成
されたスプリング端子1023のばね性により押圧され
た状態で支持されることになる。
【0007】上記第2の公報における山なりのスプリン
グ部分1023sのように支持体に湾曲部を形成してば
ね性を持たせる例は、他にも報告されている。実開昭6
0ー55117号公報(以下、第3の公報という)や特
開昭61ー18209号公報(以下、第4の公報とい
う)に開示された技術は、このような支持方法の一例で
ある。
【0008】図13(a)は、上記第3の公報による圧
電素子の保持構造を示す断面図である。図13(b)
は、図13(a)中の支持端子湾曲部の側面図及び上面
図である。図13(a)を参照すると、平板状の圧電素
子1Cはケース1032内に、支持端子1033と支持
端子1034とにより挟持されている。支持端子103
4と圧電素子1Cとの間には、導電性を持つ弾性体10
35が介在している。支持端子1034は、この弾性体
1035と対向する部分に湾曲部1034aが形成され
てばね弾性を有しており、この湾曲部1034aと弾性
体1035とで圧電素子1Cを押圧し支持している。
尚、この湾曲部1034aは、図13(b)で示される
ように、高さが端子の厚さTの1.5〜3.0倍であ
り、幅は端子幅Wの0.8〜20.0倍になっている。
【0009】又、第4の公報によるセラミック共振子を
図14に示す。図14(a)は、パッケージの斜視図で
あり、図14(b)は、実装後のセラミック共振子の断
面図である。図14(a)に示されるように、ケース1
042には、金属製の支持板1043が埋設されてい
る。支持板1043は、中央部付近に形成された2本の
切込み1043bと、切込み間の部分を押し出して形成
したばね状部1043aとからなっている。このように
構成されたケースを二つ用いて、圧電素子1Dを収納し
たセラミック共振子の構造を示しているのが、図14
(b)である。図14(b)に示されるように、圧電素
子1Dは、二つのばね状部1043a,1044aによ
って押圧された状態で支持されている。この他に、類似
の支持方法を用いたセラミック共振子として、特開昭6
1ー18208号公報に開示された発明がある。同公報
では、圧電素子と当接する突起の裏面に弾性材料を埋め
込んで形成した支持板により、圧電素子を支持してい
る。
【0010】上述した第2乃至4の公報にあるような、
支持体の他に支持体にばね性をもたせる例としては、従
来、支持体を部分的に切り起こして板ばねを形成する技
術が知られている。そのような支持方法の例が、実開昭
63ー40019号公報(以下、第5の公報という),
実開昭63ー136425号公報(以下、第6の公報と
いう),特開平4ー35514号公報(以下、第7の公
報という)に開示された考案、発明がある。
【0011】図15(a)は、上記第5の公報による圧
電振動部品に用いられる支持体の斜視図である。図15
(b)は、図15(a)の支持体を用いて圧電素子を支
持した状態を示す側面図である。図15(a)を参照す
ると、支持体1052には、中央部付近を切り起こした
板ばね1053が形成されている。板ばね1053の先
端寄りには、圧電素子1Eと当接してこれを支持するた
めの支持突起1053aが形成されている。更に、板ば
ね1053の近傍には、突起1054a,1054bが
形成されている。このような支持体1052と、支持突
起1056のみが形成されている支持体1055とによ
り、図15(b)に示されるように、圧電素子1Eが押
圧、挟持されている。
【0012】又、16(a)は、上記第6の公報による
電子部品の分解斜視図である。図16(b)は、図16
(a)中の弾性支持片の拡大斜視図である。図16
(a)を参照して、圧電素子1Fはケース1062内
に、支持端子1063,1064によって挟持されてい
る。支持端子1063,1064には、それぞれの中央
部に突起1063a,1064aが形成されており、こ
の部分が圧電素子1Fと当接する。更に、支持端子10
64には、端部付近を部分的に切り起こしたばね性を有
する弾性支持片1065が形成されており、ばね性を有
している支持端子1063とにより、圧電素子1Fを押
圧して保持する構造となっている。
【0013】図17(a)は、上記第7の公報による表
面実装用水晶振動子の構造を示す断面図である。図17
(b)は、図17(a)中の支持体の斜視図である。図
17(a)を参照すると、平板状の水晶片1Gはケース
1072内に、互いに対向して固着された支持体107
3,1074によって挟持されている。この支持体10
74では、図17(b)に示すように、金属製平板の中
央部が「く」の字状に切り起こされて、板ばね1074
aをなしている。もう一方の支持体1073も同様の構
造となっている。このため、水晶片1Gは、支持体10
73,1074のばね性により、押圧された状態で保持
される。
【0014】板ばねではないが、上記第7の公報記載の
発明のように、支持体が曲げて構成されている例とし
て、実開平4ー85824号公報(以下、第8の公報と
いう)に開示された技術がある。図18に示される圧電
部品は、同公報に記載された圧電部品の斜視図である。
図18を参照すると、平板状の圧電基板1Hはその両端
部で、先端部がU字状に湾曲する二つの入出力端子10
82により、挟持されている。圧電基板1Hの中央部に
は、アース端子1083が配設されている。このアース
端子1083は先端部が曲折形成されており、外装ケー
ス(図示せず)に埋設される構造となっている。
【0015】又、圧電体の支持方法ではないが、この外
に板ばねを利用している例として、特開平2ー1108
11号公報(以下、第9の公報という)に開示された技
術がある。図19(a)は、上記第9の公報による回転
磁気ヘッドドラムの構造を示す断面図である。図19
(b)は、図19(a)中のアースブラシの平面図であ
る。図19(a)を参照して、回転ドラム1092に発
生した静電気が、接地されたアースブラシ1091によ
って逃がされる構造となっている。このアースブラシ1
901は、図19(b)に示されるように、保持金具1
091aと板ばね1091bとを重ね合せた構造となっ
ており、保持金具1091aの端部1091cは、その
幅が徐々に狭くなる形状となっている。
【0016】ところで、これまで述べた第2乃至9の公
報における支持方法を、圧電トランスにおけるトランス
素子の支持に適用しようとすると、それぞれ下記に示す
幾つかの問題が生じる。
【0017】例えば、上記第2,第5,第6の公報によ
る支持方法では、圧電素子を挟持している互いに対向す
る二つの支持体は、その一方のみがばね性を有している
構造である。圧電トランス素子は、この従来技術に使用
されている圧電素子(圧電振動子)に比べて、サイズが
大きい。このため、ばね性を有していない支持体側の方
向から振動や衝撃が加わった場合、支持体と圧電トラン
ス素子とが離れ、電気的瞬断が生じてしまうことがあ
る。
【0018】これに対し、上記第3,第4の公報によれ
ば、圧電素子を挟持している互いに対向する二つの支持
体は両方ともばね性を有しているので、電気的瞬断発生
の問題は比較的小さい。しかし、図示されるように、圧
電素子との接触面積が非常に大きいので、圧電トランス
素子のような振動動作レベルの大きいものに適用する
と、入・出力の変換効率が大幅に低下してしまうという
問題が起る。
【0019】又、上記第7の公報による水晶振動子の支
持方法には、部品加工形状が複雑で部品点数が非常に多
く、組立て工数が多いという問題がある。
【0020】勿論、第8の公報記載の支持体は、上記第
1の公報同様、外部からの振動、衝撃に追従し得ない。
しかもこれに加えて、全体を外装ケースに埋め込む構造
となっているので、圧電トランスの振動を大きく阻害
し、入・出力の変換効率が大幅に低下してしまうという
問題がある。
【0021】更に、第9の公報による板ばねは、保持金
具1091aと板ばね1091bの二点の部品を用いる
ことによって共振を防いでいるが、これでは共振を防ぐ
ために部品点数を増やさなくてはならず、コストアップ
になってしまう。
【0022】以上述べてきたような、従来よりある圧電
共振子、水晶振動子などの支持方法における問題点を踏
まえて、図20及び図21に示すようなパッケージ入り
の圧電トランスが提案されている。図20,21に示さ
れる圧電トランスは、この出願発明の譲受人と同一の譲
受人による特願平7ー39912号に記載された圧電ト
ランスである。
【0023】図20(a)に、分解斜視図を示す。又、
図21(a)に、図20(a)中のAーA切断線で切っ
たときの断面を示す。図20(a),図21(a)を参
照して、長板状の圧電トランス素子1が、上部ケース4
Aと下部ケース4Bとに囲まれる空間内に収納されてい
る。トランス素子1の上面には長手方向の両端側にそれ
ぞれ位置する二つの入力電極52Aと、中央に位置する
ストライプ状の出力電極53Aの計三つの表面電極が独
立に形成されている。トランス素子1の下面には、上面
の各電極に対向する領域毎に、計三つの表面電極が形成
されている。上部ケース4Aにはその側壁から水平方向
に、トランス素子1の上側の入力電極52Aの中心迄、
上部リード端子70Aが伸びている。そして、先端付近
でトランス素子1側にV字状に折り曲げられ、接点部7
1Aで入力電極52Aに接している。同様に、下部ケー
ス4Bの側壁からは下部リード端子70Bが、トランス
素子1の下面側の入力電極52Bの中心迄水平に伸び、
先端が折り曲げられて、接点部71Bで入力電極52B
に接している。上下のリード端子70A,70Bはそれ
ぞれ、例えば錫めっきを施したりん青銅の平板母材など
を加工したもので、ばね性を持ち、上下のケース4A,
4Bの側壁にこれを内外に貫通するようにして、インサ
ートモールド工法によって埋め込まれている。側壁の外
部に延在する部分が、外部との接続部分となる。このよ
うな構造の上部リード端子および下部リード端子が、ト
ランス素子1のもう一方の入力電極にも設けられてい
る。又、出力電極53Aにも、設けられている。
【0024】尚、上下のケース4A,4Bは、一例を図
20(b)に示すような、スナップフィット構造になっ
ている。従って、二つのケース4A,4Bを上下から嵌
め合せるだけで、簡単にしかも緩みのないように確実に
組み立てることができる。
【0025】このようなパッケージを用いると、トラン
ス素子1を挟持する上下のリード端子70A,70Bが
共にばね性を有しているので、外部から衝撃や振動が加
わっても、トランス素子1表面の電極とリード端子との
間には、電気的瞬断は生じない。又、上記特願平7ー3
9912号に記載されているように、トランス素子1と
各上・下リード端子70A,70Bとの接触面積を、各
接点当り、トランス素子1の電極形成面の投影面積の
0.5%以下にしておけば、入・出力の変換効率の低下
は実質上問題にならない。更に上下二つのケース4A,
4Bにトランス素子1を載置して嵌め合せるだけで組み
立てられるので、部品点数も又組立て工数も少く、コス
ト低減が容易である。
【0026】
【発明が解決しようとする課題】上述した特願平7ー3
9912号記載の圧電トランス(図20(a)及び図2
1(a)参照)には、トランス素子表面の電極とリード
端子と間の接触状態に初期的ばらつき及び経時的変化が
生じ易く、その結果、 電気的導通状態の初期的ばらつきも又、経時的な変化
も大きく、導通の信頼性に改善すべき点がある。 パッケージに収納した場合の音鳴りが初期的にも又、
経時的にも発生し易い。という問題がある。以下に、そ
の説明を行う。
【0027】図21(b)は、下部リード端子70Bが
圧電トランス素子1によって、荷重ゼロの状態(図中、
破線で示す)から、下方に押し込まれた状態(同、実線
で示す)を示す側面図である。リード端子70Bは荷重
ゼロのとき、接点部71Bがトランス素子1の電極形成
面と平行となっている。ここで、トランス素子1により
下方に押し込まれると、リード端子基部72Bは実線で
示すように、ケース側壁5Bを支点として撓み、接点部
71Bに回転角が生じる。その回転は、接点部71Bが
図中右回転する方向である。そのため接点部71Bは、
トランス素子1の電極形成面に対して、リード端子の伸
長方向に向って開くように傾くことになる。そして、ト
ランス素子側の電極とリード端子の接点部とは、本来面
接触であるべきところが、接点部71Bの折曲げ部の稜
線でだけ接するような線接触となり、接触状態が非常に
不安定となる。しかも、量産性を考慮すると、上記トラ
ンス素子電極とリード端子接点部との線接触は、更に、
点接触に悪化する。すなわち、リード端子は通常、母材
の板材をプレス金型で打ち抜くという工法で製造される
のであるが、その打抜きの際にリード端子の周縁部にば
りが生じることは、避けられない。又、めっきを施した
ものでは、接点部71B周縁の上記加工ばりに加えて、
更にめっきの盛上りが加わる。すなわち、トランス素子
の電極とリード端子との接触は、リード端子折曲り部の
稜線による線接触から、その稜線の両端での二点接触に
と、劣悪なものになってしまう。
【0028】ところで、上記のばりやめっきの盛上りは
その大きさをコントロールすることが困難あるので、上
述のような点接触では、電極とリード端子との接触状態
は初期的にすら制御し切れるものではない。つまり、電
気的導通状態のばらつきが非常に大きい接触しか得られ
ない。一方、リード端子は通常、リード端子に起因する
音鳴りを防止するために、そのたわみモード、ねじれモ
ードの固有振動数が、トランス素子のたわみモード、ね
じれモードの固有振動数に一致しないようにすると共
に、トランス素子の駆動周波数からも外れるように設計
するのであるが、上記のようにばらつきの大きいリード
端子では、そのように設計したばね拘束条件を製造当初
から常に満たすことは困難で、音鳴りが発生し易くな
る。
【0029】又、上記のような点接触になった状態で
は、トランス素子側の電極とリード端子との接触が滑ら
かでなく、外部からの振動や衝撃によってトランス素子
の電極が引っ掻かれたり或いは、長期間の使用で電極の
一部分だけが深く削られたりする。その結果、リード端
子の飛跳ねによる瞬断が生じて雑音が発生したり、初期
的には音鳴りが無いものでも、使用しているうちに次第
に音鳴りがするようになってしまう。電気的導通状態
も、当然、劣化してしまう。
【0030】従って、本発明は、板ばね製のリード端子
を持つパッケージに収納され、トランス素子側の電極と
リード端子とがばね性により押圧接触する構造の圧電ト
ランスであって、トランス素子側の電極とリード端子と
の間の接触状態の初期的ばらつきが少くしかも経時変化
の小さい、電気的導通の信頼性に富むと共に音鳴りのな
い圧電トランスを提供することを目的とするものであ
る。
【0031】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電トランス
は、圧電性材料からなる長板の表面に入力電極と出力電
極とを設け、外部から前記入力電極を介して前記長板に
交流電圧を与えて長板を振動させその振動に応じて長板
が発生する電圧を前記出力電極から取り出す構造の圧電
トランス素子が、これを取り囲むモールドケースの側壁
に前記圧電トランス素子の電極形成面に平行に前記入力
電極又は出力電極上に延びる導電性板ばねからなるリー
ド端子が埋め込まれた構造のパッケージに収納され、前
記リード端子はそのばね性により、前記圧電トランス素
子に設けられた入力電極又は出力電極の前記振動のノー
ド点に押圧接触する構造の圧電トランスにおいて、前記
リード端子は、前記圧電トランス素子の入力電極又は出
力電極に押圧接触するための、平坦面構造又は前記圧電
トランス素子の電極形成面側に凸の曲率面構造の接触部
を含む接点部と、前記モールドケース側壁内に埋め込ま
れた埋込み部と、前記接点部と前記埋込み部とを連結す
る基部とを少くとも備え、前記接点部に圧電トランス素
子からの静的押圧力を受けて前記基部が前記モールドケ
ース側壁を支点に撓んだとき、前記接点部にあっては前
記基部の撓みによって前記接点部に生じる回転が打ち消
されて、前記接点部の前記接触部と前記圧電トランス素
子の入力電極又は出力電極とが平行を保つ構造であるこ
とを特徴とする。
【0032】
【発明の実施の形態】次に、本発明の幾つかの実施の形
態について、図面を参照して説明する。
【0033】(第1の実施の形態)図1(a)は、本発
明の第1の実施の形態による、パッケージ入り圧電トラ
ンスの断面図である。図1(b)及び図1(c)はそれ
ぞれ、図1(a)に示す圧電トランスに用いた下部リー
ド端子10Bの、側面図および斜視図である。それぞ
れ、リード端子10Bに荷重が加わっていない状態での
形状を示している。図1と図21(a)とを比較して、
本実施の形態の圧電トランスは、上部リード端子10
A,下部リード端子10Bの側面形状が、従来の圧電ト
ランスとは異っている。トランス素子1や、上部ケース
4Aと下部ケース4Bとのスナップフィット構造(図2
0(b)参照)は、同じである。
【0034】本実施の形態で用いたリード端子の構造に
ついて、下部リード端子10Bを例にして説明する。上
部リード端子10Aは、パッケージ内部に限れば、下部
リード端子10Bと同一の構造である。尚、この後に述
べる幾つかの実施の形態においても、特に断らわない限
り、上部リード端子と下部リード端子とは同一の構造で
ある。従って、下部リード端子に対する説明は、上部リ
ード端子にも適用される。
【0035】下部リード端子10Bの側面形状を示す図
1(b),図1(c)を参照して、リード端子10B
は、長板の片端をモールドケース側壁5Bに埋め込んだ
片持ち梁構造のもので、伸長方向の先端部分に位置して
トランス素子1の下部電極に接触する接点部11Bと、
その接点部11Bとケース側壁5Bに埋め込まれた部分
(埋込み部分)とを繋ぐ基部12Bとに区分される。接
点部11Bは、実際にトランス素子の下部電極に接触す
る接触部15Bと、接触部15Bと基部12Bとを連結
する連結部16Bと、接触部15Bより更に先端側に位
置するロール状のエッジ部17Bとに分かれている。本
実施の形態の特徴は、リード端子10Bに荷重が加わっ
ていないとき、接触部15Bは基部12Bに対して、リ
ード端子の伸長方向(紙面左側から右側に進む方向)に
向って開く傾斜を持っている点にある。従来の圧電トラ
ンスでは、リード端子への荷重がゼロのとき、リード端
子基部と接触部とトランス素子の三つは、互いに平行で
あった(図21参照)。
【0036】図2は、図1(b),(c)に示したリー
ド端子を持つパッケージ内にトランス素子を実装して、
図1(a)に示すパッケージ入りの圧電トランスにした
ときの、下部リード端子の状態を模式的に示す側面図で
ある。図2を参照して、トランス素子1をパッケージに
実装するとき、リード端子10Bはトランス素子1の電
極形成面2から静的荷重を受け、トランス素子1を支持
する力が発生していない状態(図中、破線で示す)、換
言すればリード端子10Bの弾性変形変位量Δxがゼロ
の状態から、湾曲を始める。そして、リード端子10B
には、上記の弾性変形に伴い、基部12Bのケース側壁
5Bを支点とした回転が生じる(図中、実線で示す)。
このとき、予めトランス素子1に対して傾斜を与えられ
ていた接触部15Bは、次第にトランス素子1に平行に
近付いて行く。そして、最終的にリード端子が所定の距
離だけ押し込まれた静止状態で、接触部15Bは、トラ
ンス素子1を平行に支持するようになる。その結果、リ
ード端子の接触部15Bとトランス素子の下部電極とは
面で接触することとなり、良好な接触が得られる。たと
えリード端子10Bの周縁にプレス打抜き時のばりやめ
っきの盛上りが有ったとしても、従来の圧電トランスと
は違って、点接触にはならない。接触部15Bの周縁部
で線接触するようになるので、従来よりも滑かな接触と
なり、トランス素子電極の局部的摩耗やリード端子の飛
跳ねは、大幅に改善される。
【0037】次に、図3(a),(b),(c)は、ト
ランス素子1に対するリード端子10Bの支持状態が極
端に片寄った場合を、模式的に示す側面図である。図示
するようなトランス素子の傾きは、例えばリード端子の
加工ばらつき、湾曲具合の見積り設計誤差あるいはモー
ルド樹脂やリード端子の経時変化などが原因となって生
じることがある。圧電トランスにおいてトランス素子の
電極とリード端子との接触を滑かに保つには、上記のよ
うなトランス素子の傾きが生じた場合でも、トランス素
子電極とリード端子との接触が点接触にならないように
しなければならない。本実施の形態では、そのために、
接触部15Bの更に先端側に位置するエッジ部17B及
び、接触部15Bの後端と連結部16Bとが接続する部
分をロール状に湾曲させ、Rがついた形状としている。
このロール状の部分(例えば、先端側のエッジ部17
B)の長さRL は、トランス素子1が最大に傾いたとき
でもロール状部分の最先端がトランス素子の電極形成面
に当らないだけの長さが必要である。そのようにしない
と、リード端子とトランス素子の電極との接触は、リー
ド端子の最先端で点接触となってしまうからである。一
方で、上記の条件を満たす範囲で、極力短くなければな
らない。ロール状部分はその大部分はトランス素子の電
極に接触せずに浮いており、トランス素子電極と接触し
ている部分を拘束面とする固有値を持つ。そのような固
有値を持つロール状部分の振動を、最小限に抑えなけれ
ばならないからである。
【0038】以下に、本実施の形態によるパッケージ入
り圧電トランスついて、具体的に説明する。先ず、トラ
ンス素子1は幅w=10mm、厚さt=1mm、長さ4
2mmである。モールド材には、液晶ポリマであるゼナ
イト7130(商品名。デュポン社製)を使用した。リ
ード端子10Bは、ケース側壁5Bからリード端子先端
までの長さAが約6.0mm、幅約0.4mmである。
基部12Bの根元部分は強度を持たせるために、約1.
0mmと幅広にしてある。母材はりん青銅(Cー521
0H材)で板厚約0.2mm、表面に2〜5μmのニッ
ケルめっきを施したものを用いた。リード端子の接触部
15Bの寸法は、伸長方向の長さ(接触長)L=0.4
mmとした。この接触長Lは、前述の特願平7ー399
12号に記載されている条件すなわち、トランス素子1
の振動のノード点を、振動を阻害しない面積(トランス
素子の電極とリード端子10Bとの接触面積が、単位接
点当り、トランス素子1の投影平面面積に対し0.5%
以下)で支持しなければならないという条件を満たすよ
うにした値である。
【0039】リード端子先端のロール状エッジ部17B
の長さRL は、その部分での振動を最小限に抑えるため
に、上記の接触長Lに比較して短くなるようRL ≦Lと
することとし、RL =0.2mmとした。ロール状部分
の円周角δは、トランス素子1がパッケージ内で傾きが
最大になったときでも、リード端子最先端がトランス素
子1の電極に接触しないだけの角度が必要である。従っ
て、トランス素子1の最大傾き角φ=tan-1(t/
w)としたときに、円周角δ≧φでなければならない。
本実施の形態では、δ=90°≧φ=5.7°とした。
【0040】リード端子接触部15Bのトランス素子1
に対する傾斜角θは、リード端子10Bの弾性変形変位
量Δxとリード端子長Aとによって決まり、リード端子
10Bがトランス素子を支持することによって受ける静
的荷重の反作用方向に沿った回転角θ=tan-1(Δx
/A)で近似される。本実施の形態では、θ=約3°の
傾斜を持たせた。弾性変形変位量Δxは、上部リード端
子10Aとそれに対向する下部リード端子10Bの接触
面間隔wd と、トランス素子厚さtとによって決まり、
上部、下部の両リード端子のばね定数が同じであれば、
Δx=(wd −t)/2である。本実施の形態では、Δ
x=0.3mmとし、このときに約30gfの力でトラ
ンス素子1を上面、下面から押圧する構造とした。
【0041】図21に示す従来の圧電トランスにおい
て、駆動の際に生じる音鳴り(騒音)は、トランス素子
1の振動がリード端子に伝播してリード端子の固有モー
ドの振動を誘発し、リード端子上で発生固有周波数とト
ランス駆動周波数との干渉か或いは、発生固有周波数相
互間の干渉か又はこれら二種が混合した性質を持つ干渉
のいずれかが生じ、相互の周波数差が可聴周波数領域で
あるときにビートとして聞こえるものである。本実施の
形態においてはそのような原因による音鳴り対策とし
て、リード端子の設計に当って固有値解析を行い、最も
生じ易い振動モードである長さ方向のたわみモードとね
じれモードの固有値がトランス素子の駆動周波数(11
0〜116kHz)の前後20kHz以内に来ないよう
にして、共振しないようにした。尚、上記のように共振
しないようにすることは、リード端子母材の密度、ポア
ッソン比、ヤング率といった物理的特性を固定しておい
て、リード端子の幅、長さ、厚さといった幾何学的寸法
の少くとも一つを変えることにより、実現できる。或い
は逆に、リード端子の寸法を固定しておいて、上記の物
理的特性の少くとも一つを変化させることによっても、
実現できる。更には、リード端子の物理的特性および幾
何学的寸法のうちの少くとも二つを同時に変化させるこ
とによっても、実現できる。
【0042】このように、本実施の形態では、リード端
子の接点部11B、特に接触部15Bをトランス素子1
に対して予め傾斜させたことによって、パッケージに実
装した状態で、トランス素子とリード端子の接点部との
平行が保たれている。その結果、トランス素子電極とリ
ード端子との接触状態は、リード端子周縁のばりやめっ
き盛上りの影響を受け難くなり、従来に比べて滑らかな
接触が得られている。又、リード端子の接点部の伸長方
向先端をロール状にすると共に、リード端子最先端がト
ランス素子の電極形成面に当らないようにしたので、リ
ード端子最先端でも点接触になることはなく、やはり滑
らかな接触が得られている。
【0043】本実施の形態において、トランス素子電極
とリード端子との接触は、初期的にもばらつきが少く、
又、経時変化も小さい。従って、当初設計どおりのばね
拘束条件を満たした接触が再現性良く得られたのみなら
ず、その拘束条件を長期に亘って維持できて、動作時の
音鳴りを低く抑えることができた。更に、トランス素子
とリード端子との接触が滑らかになったことから、トラ
ンス素子電極やリード端子接点部の削れが改善され、電
気的接点の信頼性が向上した。又、リード端子接点部の
引っ掛かり、飛跳ねが原因の電気的瞬断、雑音発生がな
くなった。
【0044】図4(a),(b)に、本実施の形態およ
び図21に示す従来の圧電トランスのそれぞれを駆動さ
せたときの、リード端子の振動スペクトルを示す。振動
スペクトル解析は、リード端子の振動状態について、次
の方法で行った。すなわち、圧電トランスに140V
PーP を定常入力して単体動作させた状態で、入力周波数
を110〜116kHzで掃引し、このときのリード端
子の振動状態をレーザドップラー装置で測定した。尚、
圧電トランスの出力負荷には、冷陰極管のインピーダン
スに合せたRC疑似負荷を用いた。
【0045】図4(a)は、本実施の形態による圧電ト
ランスの、下部リード端子の振動スペクトルを示す。図
4(b)は、図21に示す従来の圧電トランスの、下部
リード端子の振動スペクトルを示す。図4(a)と図4
(b)とを比較すると、本実施の形態のリード端子は、
従来の圧電トランスに見られるような、リード端子の自
励振動に基く入力周波数以外の振動モードの発生はな
く、音鳴りの原因となっていた振動モードが改善されて
いることが分る。
【0046】又、図5は、本実施の形態による圧電トラ
ンスをインバータ回路駆動基板で動作させたときの、音
圧レベルを示す図である。トランス駆動時の音圧は、防
音ボックス内に測定サンプルを配置し、音圧測定器で測
定した。圧電トランスの負荷としては、液晶バックライ
トに使用する冷陰極管負荷を用いた。図5に示されるよ
うに、本実施の形態の音圧レベルは、出力電力0.5〜
5.0W迄、バックグランドの音圧レベル(A特性音圧
レベル)であった。この圧電トランスは通常、2〜3W
の出力電力で用いられるので、通常動作時の出力電力に
対して約1.7倍の動作電力でも安定であることにな
る。
【0047】次に、以下の信頼性試験を施した後、上述
したと同様の評価を行ったところ、いずれの試験におい
ても上述したと同じ結果が再現され、接触の信頼性が確
認された。
【0048】(信頼性試験) 振動試験(XYZ3方向2G各2hr) 衝撃試験(XYZ3方向10G各5回) 高温高湿放置試験(60℃,85%RH,20hr) 高温動作試験(60℃,240hr) 温度サイクル試験(−20〜70℃,100サイク
ル) 尚、これまでは、リード端子材料としてりん青銅を、め
っき材料としてニッケルを、モールド樹脂として液晶ポ
リマ(商品名:ゼナイト7130。デュポン社製)を用
いた例について説明したが、本発明はこれに限られるも
のではない。リード端子材料として42ニッケルアロ
イ、黄銅、ベリリウム銅を、めっき材料として錫、金、
はんだ、インジウム、パラジウム及びそれらの複合材、
モールド樹脂として他メーカの液晶ポリマ(住友化学
(株)製、商品名:スミカーパ。ポリプラスチック社
製、商品名:ベクトラ。三菱化成(株)製、商品名:N
OVACCURATEなど)でも、同様の効果が得られ
ることを確認した。
【0049】又、本実施の形態におけると同一の寸法、
形状のパッケージを用い、接点部先端のエッジ部17B
のロール径、ロール長RL 、円周角を変えたもので同様
の試験を行ったところ、接触長L=0.4mm、ロール
外径1.0mm、ロール長さRL =0.24mm、円周
角14°でも、同様の効果が得られた。
【0050】(第2の実施の形態)次に、本発明の第2
の実施の形態について、説明する。図6(a)および図
6(b)はそれぞれ、本発明の第2の実施の形態による
圧電トランスに用いた下部リード端子20Bの側面図お
よび斜視図である。それぞれ、リード端子20Bに荷重
が加わっていない状態での形状を示している。図6と図
1(a),(b)とを比較して、本実施の形態の圧電ト
ランスは、上部リード端子20A,下部リード端子20
Bの接点部の構造が、第1の実施の形態に用いたリード
端子と異っている。圧電素子トランス1や、上部ケース
4Aと下部ケース4Bとのスナップフィット構造(図2
0(b)参照)は、同じである。
【0051】本実施の形態で用いたリード端子の構造に
ついて、下部リード端子20Bを例にして説明する。下
部リード端子20Bの形状を示す図6(a),(b)を
参照して、下部リード端子20Bの接点部21Bは、ト
ランス素子の電極形成面に接触する接触部25Bと、そ
の接触部25Bをリード端子の基部22Bに繋ぐ連結部
26Bとに分かれている。接触部21Bが、球殻を長軸
に沿って切断したもののような、曲率面をなしている点
に、本実施の形態の特徴がある。第1の実施の形態で
は、リード端子の接触部15B(図1(a),(b)参
照)は平坦で、その伸長方向先端側にロール状のエッジ
部17Bを備えていた。本実施の形態においては、接触
部25Bの先端側にロール状部分は不要である。接触部
21Bの曲率面はプレス加工により形成されたものであ
る。尚、接触部21Bにおける上記球殻の切断面は、第
1の実施におけると同様に、トランス素子からの荷重が
ゼロのとき、予めリード端子基部22Bに対して伸長方
向に向いて開くような傾斜をなしている。
【0052】図7(a)は、図6(a),(b)に示し
たリード端子を持つパッケージ内にトランス素子を実装
したときの、下部リード端子の状態を模式的に示す側面
図である。図7(a)を参照して、トランス素子1をパ
ッケージに実装するとき、リード端子20Bはトランス
素子1の電極形成面2から静的荷重を受け、トランス素
子1を支持する力が発生していない状態(図中、破線で
示す)、換言すればリード端子20Bの弾性変形変位量
Δxがゼロの状態から、湾曲を始める。そして、リード
端子20Bには、上記の弾性変形に伴って、基部22B
のケース側壁5Bを支点とした回転が生じる(図中、実
線で示す)。このとき、予めトランス素子1に対して傾
斜を与えられていた接触部25Bは、次第にトランス素
子1に平行に近付いて行く。そして、最終的にリード端
子が所定の距離だけ押し込まれた静止状態で、接触部2
5Bは、トランス素子1を平行に支持するようになる。
その結果、リード端子の接触部25Bとトランス素子の
下部電極とは面で接触することとなり、良好な接触が得
られる。たとえリード端子20Bの周縁にプレス打抜き
時のばりやめっきの盛上りが有ったとしても、従来の圧
電トランスとは違って、点接触にはならない。接触部2
5Bの周縁部で線接触するようになるので、従来よりも
滑らかな接触となり、トランス素子電極の局部的摩耗や
リード端子の飛跳ねは、大幅に改善される。
【0053】次に、図7(b)は、トランス素子1に対
するリード端子20Bの支持状態が極端に片寄った場合
を、模式的に示す側面図である。本実施の形態において
トランス素子の電極とリード端子との接触が、トランス
素子の振動を阻害しないようにするには、前述した特願
平7ー39912号に記載されたように、接触部25B
の面積が、トランス素子1の投影平面面積Sの0.5%
以下でなければならない。本実施の形態ではこの条件を
満たすために、接触部25の面積(=π(L/2)2
但し、Lは、球殻状接触部25Bの直径)を、そのリー
ド端子が接触すべき電極面積Sの0.5%以下となるよ
うにした。すなわち、L≦2√(0.005S/π)=
0.944を満たすようにした。ここで、本実施の形態
の場合、入力電極の長さは、一つの入力電極当り14m
mであるので、S=14×10=140mm2 である。
【0054】又、滑らかな接触を得るためには、トラン
ス素子に最大傾き(角度=φ。第1の実施の形態におけ
ると同一で、φ=tan-1(t/w)=5.7°)が生
じた場合でも、トランス素子電極とリード端子との接触
が点接触にならないように、リード端子の曲率状接触部
25Bの最先端が、トランス素子の電極形成面に当らな
いようにしなければならない。そのために、曲率面の円
周角,曲率半径をそれぞれ、δ,rとしたとき、δ≧φ
であり、且つ接触長Lは、(L/2)≧2πr・(φ/
360)を満足しなければならない。
【0055】本実施の形態においては、S=140mm
2 、トランス素子の最大傾き角φ=5.7°であるの
で、リード端子接触長L=0.4mm(=リード端子
幅)、曲率面の円周角δ=14°、曲率半径r=15m
mとした。又、リード端子接触部25Bのトランス素子
1に対する傾斜角θ及び弾性変形変位量Δxは、第1の
実施の形態におけると同様に、θ=3度、Δx=0.3
mmとし、このときに上下のリード端子が約30gfの
力でトランス素子1を、上面および下面から押圧する構
造とした。これにより、 L=0.4≦2√(0.005S/π)=0.944 δ=14°≧φ=tan-1(t/w)=5.7° r=15≦180L/(2πφ)=180×0.4/2
π×0.57≒20 となって、各条件が満足された。すなわち、トランス素
子1に最大傾き角φが生じたときでも、リード端子接触
部25Bはトランス素子電極面のノード点から半径0.
2mm以内に位置し、素子の振動阻害は最小限に留めら
れ、しかもリード端子接触部の最先端がトランス素子電
極面に触れることのない接触構造が実現された。
【0056】本実施の形態では、リード端子の接触部2
5Bを曲率面状にすることにより、その接触部周縁のば
りやめっき盛上りのトランス素子への当り或いは、外部
からの荷重による変形に起因する点接触性の部分的な接
触を無くし、トランス素子1との密着性を向上させたの
みならず、常に一定のばね拘束条件を再現性良く実現
し、しかも長期に亘って維持できるようになった。
【0057】尚、モールド材料、リード端子母材、リー
ド端子のめっき材料などに、第1の実施の形態における
ものと同じものを適用しても、これまで述べたと同様の
効果が得られることは、勿論である。又、リード端子接
触部25Bの曲率半径rは必ずしもr=180L/(2
πφ)にする必要はなく、接触部25Bの伸長方向最先
端がトランス素子1の電極に触れない寸法、形状なら良
い。本実施の形態と同じリード端子寸法で、接触部25
Bの曲率半径のみをr=0.5<180L(2πφ)と
したときも、これまで述べたと同様の効果が得られた。
更に、リード端子接触部25Bの曲率面は、必ずしも球
殻状でなくとも、回転楕円体殻または卵殻を縦長に切断
したもの或いはスプーンの匙部分などのような、伸長方
向に非対称形のものであっても構わない。
【0058】(第3の実施の形態)次に、本発明の第3
の実施の形態について、説明する。図8(a)は、本発
明の第3の実施の形態による圧電トランスに用いた下部
リード端子30Bの、側面図である。又、図8(b)
は、その斜視図である。それぞれ、リード端子30Bに
荷重が加わっていない状態での形状を示している。図8
(a),(b)を参照して、本実施の形態におけるリー
ド端子30Bは、片側をケース側壁5Bに埋め込んだ片
持ち梁構造で、リード端子基部32Bの埋込み部33B
とは反対側先端から、基部32Bの一部を抜き曲げ加工
して、連結部36Bとした形状をしている。連結部36
Bはリード端子基部32Bを基点とし、ケース側壁5B
に向って起き上る構造となっている。そして、連結部3
6Bのケース側壁5B側の先端部分がリード端子基部3
2Bと平行にされて、この平行、平坦部分が接触部35
Bとなっている。このリード端子30Bの構造は、ケー
ス側壁5Bを支点とする基部32Bからなる第1の板ば
ね38Bと、その第1の板ばね38Bの埋込み部33B
とは反対側の先端の抜曲げ開始部を支点とする、連結部
36Bからなる第2の板ばね39Bとを組み合わせたば
ね構造であると見ることができる。
【0059】図8(c)は、上記構造のリード端子を持
つパッケージに圧電トランス素子1を実装したときの、
断面図である。図8(c)を参照して、トランス素子1
は、上部リード端子30Aと下部リード端子30Bと
に、一定のばね力で挟み込まれた構造となっている。パ
ッケージは、上部ケース4Aと下部ケース4Bとから構
成され、それぞれのケースに上部リード端子30Aと下
部リード端子30Bとが片持ち状態で埋め込まれてい
る。上部ケース4Aと下部ケース4Bとの嵌め合せは、
第1の実施の形態におけると同様のスナップフィット構
造で、簡単に組み立られるようにされている。
【0060】図8(d)は、図8(a),(b)に示し
たリード端子を持つパッケージ内にトランス素子を実装
したときの、下部リード端子の状態を模式的に示す側面
図である。図8(d)を参照して、トランス素子1をパ
ッケージに実装するとき、リード端子30Bはトランス
素子1の電極形成面から静的荷重を受け、トランス素子
1を支持する力が発生していない状態(図中、破線で示
す)、換言すればリード端子30Bの弾性変形変位量Δ
xがゼロの状態から、湾曲を始める。そして、第1の板
ばね38Bには、上記の弾性変形に伴って、基部32B
のケース側壁5Bを支点とした回転が生じる(図中、実
線で示す)。この回転は、接触部35Bを図中右回転さ
せる方向である。一方このとき同時に、第2の板ばね3
9Bにおいては、連結部36Bが次第に押し込まれて行
き、第1の板ばね38B先端の抜曲げ開始部を支点とす
る回転が生じる。この回転は、接触部35Bを図中左回
転させる方向である。その結果、接触部35Bでは、第
1の板ばね38Bによる右回転と、第2の板ばね39B
による左回転とが打ち消し合って、常にトランス素子1
に平行に保たれる。すなわち、リード端子30B全体が
所定の距離押し込まれ、図8(c)に示す組立て状態で
弾性変形しているときでも、圧電トランス素子1と接触
部35Bとの接触は面接触を保ち、良好な接触が得られ
る。たとえ接触部35Bの周縁にプレス打抜き時のばり
やめっきの盛上りが有ったとしても、従来の圧電トラン
スとは違って、点接触にはならない。接触部35Bの周
縁部で線接触するようになるので、従来よりも滑らかな
接触となり、トランス素子電極の局部的摩耗やリード端
子の飛跳ねは、大幅に改善される。
【0061】以下に、本実施の形態におけるリード端子
について、詳細に説明する。母材として、材質がりん青
銅(Cー5210H材)、板厚0.2mm、表面に2〜
5μmのニッケルめっき処理を施したものを用いた。第
1の板ばね38Bは、幅1.6mm×長さ9.3mmで
ある。第2の板ばね39Bは幅0.6mm×長さ3.4
5mmで、接触部35Bの幅0.6mm×長さ0.6m
mである。又、第1の板ばねの基部32Bと第2の板ば
ねの接触部35Bとのギャップを、0.5mmとした。
このような構造の下部リード端子30A,上部リード端
子30Bをインサートモールド工法でケース側壁5A,
5Bに埋め込み、上部ケース4A及び下部ケース4Bを
作製した。リード端子のばね定数は、75gf/mmで
あった。そして、下部ケース4Bと上部ケース4Aとの
間に、42mm×10mm×1mmサイズのトランス素
子1を挿入して、本実施の形態によるパッケージ入り圧
電トランスを得た。尚、本実施の形態を構成するケース
のモールド樹脂、リード端子母材、リード端子めっき材
料、トランス素子などは、これまで述べた第1,第2の
実施の形態に用いたものと全く同様のものを適用でき
る。
【0062】本実施の形態による圧電トランスにおいて
トランス素子とリード端子とは、リード端子の押込み量
に拘わらず、常に平行に接触する。本実施の形態によれ
ば、各部品の加工ばらつき、経時変化による変形、トラ
ンス素子を支持するばね力の設計変更などに対するマー
ジンを大きくとれるので、第1,第2の実施の形態より
更に安定な圧電トランスを実現できる。
【0063】尚、本実施の形態では、第1の板ばね38
Bを構成するリード端子基部32Bが伸長方向に直線で
延びる例について説明したが、図9(a)に側面図を示
し、図9(b)に斜視図を示すもののように、基部32
Bの形状を、伸長方向に若干の曲線を持つ形状にするこ
とによって、第2の板ばね39Bの抜曲げがスムーズな
形状となる。本実施の形態ではこのようにすることによ
って、第2の板ばね39Bの支点の荷重強度を増すこと
ができた。尚また、第2の板ばね39B先端部の接触部
35Bの構造を、第1の実施の形態におけるもののよう
な、接触部の前後にロール状部分を設けた構造や、第2
の実施の形態におけるもののような、曲率面の構造とし
ても、これまで述べたと同様の効果が得られた。
【0064】(第4の実施の形態)次に、本発明の第4
の実施の形態について、説明する。図10(a)は、本
発明の第4の実施の形態による圧電トランスに用いた下
部リード端子40Bの平面図である。図10(b)は、
その断面図である。それぞれ、リード端子40Bに荷重
が加わっていない状態での形状を示している。図10
(a),(b)を参照して、本実施の形態におけるリー
ド端子40Bは、両側を対向する二つのケース側壁5B
L,5BRに埋め込んだ両持ち梁構造である。左右二つ
の埋込み部43BL,43BRの中央には、接点部41
Bが設けられている。接点部41Bは、断面が「コ」の
字を立てた形状をしている。すなわち、トランス素子1
に平行で平坦な接触部45Bと、その接触部45Bを左
右二つの基部42BL,42BRに連結し支える、左右
二つの連結部46BL,46BRとからなっている。平
坦な接触部45Bで、トランス素子1の電極を面受けす
る構造である。
【0065】図10(c)は、上述の構造のリード端子
を持つパッケージに圧電トランス素子1を実装したとき
の、全体を示す断面図である。図10(c)を参照し
て、トランス素子1は、上部リード端子40Aと下部リ
ード端子40Bとに、一定のばね力で挟み込まれた構造
となっている。パッケージは、上部ケース4Aと下部ケ
ース4Bとから構成され、それぞれのケースに上部リー
ド端子40Aと下部リード端子40Bとが両持ち状態で
埋め込まれている。埋込み部43Bには切込みが入って
おり、ここにモールド樹脂が入り込むことでリード端子
を固定し、強度確保を行っている。上部ケース4Aと下
部ケース4Bとの嵌め合せは、第1の実施の形態におけ
ると同様のスナップフィット構造で、簡単に組み立られ
るようにされている。トランス素子1は、第1の実施の
形態におけると同様に、長さ42mm×幅10mm×厚
さ1mmである。トランス素子1をパッケージに封入し
た際のリード端子40Bとケース4Bとのクリアランス
は0.2mm、リード端子40Bのばね押込み量は0.
5mm、リード端子をインサートモールドするモールド
壁厚さは1.5mmである。そこで、外形寸法が45m
m×13mm×3.7mmのパッケージを作製した。
【0066】図10(d)は、図10(a),(b)に
示したリード端子を持つパッケージ内にトランス素子を
実装したときの、下部リード端子の状態を模式的に示す
側面図である。図10(d)を参照して、トランス素子
1をパッケージに実装するとき、リード端子40Bはト
ランス素子1の電極形成面から静的荷重を受け、トラン
ス素子1を支持する力が発生していない状態(図中、破
線で示す)、換言すればリード端子40Bの弾性変形変
位量Δxがゼロの状態から、湾曲を始める。そして、基
部42BL,42BRには、上記の弾性変形に伴って、
ケース側壁5BL,5BRを支点とした回転が生じる
(図中、実線で示す)。ところがこのとき、接触部45
Bは、両端を共にそれぞれ連結部46BL,46BRに
よって、二つの基部42BL,42BRに固定されてい
ることから、連結部46BL,46BRはリード端子の
押し込みに伴って次第に開いて行く。そして、接触部4
5Bが、トランス素子1と平行を保ったまま、下って行
く。この動作は、基部42BL,42BRに生じる回転
によって、本来、接触部45Bに回転が起るところ、二
つの連結部46BL,46BRが変形することによっ
て、それぞれ基部42BL,42BRの先端を基点とし
て上記の回転を打ち消す方向の回転が生じ、結果とし
て、接触部45Bがトランス素子1に平行に保たれるも
のということができる。このように、本実施の形態によ
れば、リード端子接触部45Bは、常にトランス素子1
に平行に保たれる。すなわち、リード端子40B全体が
所定の距離押し込まれ、図10(c)に示す組立て状態
で弾性変形しているときでも、圧電トランス素子1との
接触部45Bとの接触は面接触を保ち、良好な接触が得
られる。たとえ接触部45Bの周縁にプレス打抜き時の
ばりやめっきの盛上りが有ったとしても、従来の圧電ト
ランスとは異り、点接触にはならない。接触部45Bの
周縁部で線接触するようになるので、従来よりも滑らか
な接触となり、トランス素子電極の局部的摩耗やリード
端子の飛跳ねは、大幅に改善される。
【0067】本実施の形態による圧電トランスについ
て、第1および第2の実施の形態におけると同様の音圧
レベルの評価を行ったところ、同様に良好な結果が得ら
れた。更に、本実施の形態において、下部ケース4Bの
底面に穴を明けたものを試作したところ、トランス素子
封入時における下部リード端子40Bと下部ケース4B
とのクリアランスを考慮しなくても良くなり、45mm
×13mm×3.3mmと、更に薄型化することができ
た。
【0068】又、電気特性における重要項目に電力変換
効率が上げられるが、高効率を達成するには寄生容量を
最小限にする必要がある。本実施の形態では、リード端
子基部42BL,42BRの接触部45B側の幅w
1 (図10(a)参照)=0.5mm、ケース側壁5B
L,5BR側の幅w2 (同)=0.7mmと細くするこ
とによって、第3の実施の形態におけると同様の支持力
を得るのに、リード端子40Bの面積を約47%小さく
できた。この結果、寄生容量が小さくなって、高効率の
圧電トランスが得られた。
【0069】本実施の形態では、上部リード端子40A
と下部リード端子40Bとが同一形状の場合について説
明したが、両ばねによる面接点支持方法であれば、上・
下リード端子40A,40Bはそれぞれ別形状であって
も良い。但し、第3の実施の形態で述べたように、リー
ド端子40A,40Bのばね圧が20〜120gfでな
ければ同等の効果は得られない。又、本実施の形態にお
けるリード端子接点部41Bの接触部45Bの形状は、
平坦のみならず、第2の実施の形態に用いたような、曲
率面構造にしても良い。
【0070】本実施の形態は、リード端子40Bが両持
ち梁構造のばねであり、又、リード端子40Bの加圧力
が変化(特に、低下)しても、圧電トランス素子1とリ
ード端子40Bとが一定の接点状態を保つことができる
ので、第1および第2の実施の形態におけるよりも安定
してトランス素子1を支持できる。しかも、両持ち梁構
造であるので、耐久性に優れている。更に、リード端子
の寄生容量に係わる面積が第3の実施の形態よりも小さ
く、且つ、構造が簡単であるため、加工が容易であり、
設計変更に対応し易いといった利点を持つ。
【0071】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の圧電トラ
ンスでは、リード端子がその接点部に圧電トランス素子
からの静的押圧力を受けて、基部がモールドケース側壁
を支点に撓んだとき、その基部の撓みによって接点部に
生じる回転角度が打ち消され、接点部と圧電トランス素
子の入力電極又は出力電極とが常に平行を保つ構造なっ
ている。
【0072】これにより本発明によれば、パッケージに
実装した状態で、トランス素子とリード端子の接点部と
は常に平行が保たれ、トランス素子電極とリード端子と
の間の接触は、リード端子周縁のばりやめっき盛上りの
影響を受けず、点接触になることのない、滑らかな接触
となる。その結果、当初設計どおりのばね拘束条件を満
たした接触が再現性良く得られるのみならず、その拘束
条件を長期に亘って維持できて、動作時の音鳴りを、初
期的にも経時的にも低く抑えることができる。又、トラ
ンス素子電極やリード端子接点部の局部的削れやリード
端子の引っ掛かりが改善され、電気的導通の信頼性が向
上する。しかも、リード端子の飛跳ねなどが原因の電気
的瞬断、雑音発生がなくなる。
【0073】本発明において、上記リード端子接触部に
おける回転角の打消しは、リード端子接点部の特に接触
部をトランス素子に対して予め傾斜させることによっ
て、実現できる。或いは、リード端子接点部とリード端
子基部とが接続する部分に、その部分を支点とする弾性
撓みにより回転を生じる機構を設けることによっても、
実現できる。
【0074】本発明によれば、板ばね製のリード端子を
持つパッケージに収納され、トランス素子側の電極とリ
ード端子とがばね性により押圧接触する構造の圧電トラ
ンスであって、トランス素子側の電極とリード端子との
間の接触状態の初期的ばらつきが少くしかも経時変化の
小さい、電気的導通の信頼性に富むと共に音鳴りのない
圧電トランスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態によるパッケージ入
り圧電トランスの断面図並びに、これに用いた下部リー
ド端子の側面図及び斜視図である。
【図2】第1の実施の形態によるパッケージ入りの圧電
トランスの、下部リード端子の状態を模式的に示す側面
図である。
【図3】第1の実施の形態において、トランス素子に対
する下部リード端子の支持状態が極端に片寄った場合を
模式的に示す側面図である。
【図4】第1の実施の形態による圧電トランスのリード
端子の振動スペクトルを示す図及び従来の圧電トランス
の、リード端子の振動スペクトルを示す図である。
【図5】第1の実施の形態による圧電トランスをインバ
ータ回路駆動基板で動作させたときの、音圧レベルを示
す図である。
【図6】本発明の第2の実施の形態によるパッケージ入
り圧電トランスに用いた下部リード端子の側面図及び、
斜視図である。
【図7】第2の実施の形態によるパッケージ入りの圧電
トランスの下部リード端子の状態を模式的に示す側面図
及び、第2の実施の形態において、トランス素子に対す
る下部リード端子の支持状態が極端に片寄った場合を、
模式的に示す側面図である。
【図8】本発明の第3の実施の形態によるパッケージ入
り圧電トランスに用いた下部リード端子の側面図及び斜
視図、パッケージに実装したときの断面図並びに、下部
リード端子の状態を模式的に示す側面図である。
【図9】本発明の第3の実施の形態に用いた下部リード
端子の変形例を示す側面図及び、斜視図である。
【図10】本発明の第4の実施の形態によるパッケージ
入り圧電トランスに用いた下部リード端子の平面図及び
側面図、パッケージに実装したときの断面図並びに、下
部リード端子の状態を模式的に示す側面図である。
【図11】実開昭63ー40018号公報による圧電部
品の断面図及び、これに用いられる支持端子の斜視図で
ある。
【図12】実開平4ー85823号公報による圧電共振
部品の断面図及び、これに用いられるスプリング端子の
正面図である。
【図13】実開昭60ー55117号公報による圧電素
子の断面図並びに、これに用いられる支持端子の側面図
及び平面図である。
【図14】特開昭61ー18209号公報によるセラミ
ック共振子に用いられるケースの斜視図及び、セラミッ
ク共振子の断面図である。
【図15】実開昭63ー40019号公報による圧電振
動部品に用いられる支持体の斜視図及び、その支持体を
用いて圧電素子を支持した状態を示す断面図である。
【図16】実開昭63ー136425号公報による電子
部品の分解斜視図及び、これに用いられる弾性支持片の
斜視図である。
【図17】特開平4ー35514号公報による表面実装
用水晶振動子の断面図及び、これに用いられる支持体の
斜視図である。
【図18】実開平4ー85824号公報による圧電部品
の斜視図である。
【図19】特開平2ー110811号公報による回転磁
気ヘッドドラムの断面図及び、これに用いられるアース
ブラシの平面図である。
【図20】特願平4ー39912号による圧電トランス
の分解斜視図及び、パッケージのスナップフィット構造
を示す斜視図である。
【図21】特願平4ー39912号による圧電トランス
の断面図及び、パッケージに収納したときの下部リード
端子の状態を示す側面図である。
【符号の説明】
1 圧電トランス素子 2 電極面 3 ノード点 4A,4B ケース 5A,5B ケース側壁 10B,20B,30B,40B リード端子 11B,21B,31B,41B 接点部 12B,22B,32B,42B 基部 13B,23B,33B,43B 埋込み部 15B,25B,35B,45B 接触部 16B,26B,36B,46B 連結部 17B エッジ部 52A,53A 電極 70A,70B リード端子 71A,71B 接点部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大白 直人 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 実開 昭55−124873(JP,U) 実開 平4−67814(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 41/00 - 41/26

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電性材料からなる長板の表面に入力電
    極と出力電極とを設け、外部から前記入力電極を介して
    前記長板に交流電圧を与えて長板を振動させその振動に
    応じて長板が発生する電圧を前記出力電極から取り出す
    構造の圧電トランス素子が、これを取り囲むモールドケ
    ースの側壁に前記圧電トランス素子の電極形成面に平行
    に前記入力電極又は出力電極上に延びる導電性板ばねか
    らなるリード端子が埋め込まれた構造のパッケージに収
    納され、前記リード端子はそのばね性により、前記圧電
    トランス素子に設けられた入力電極又は出力電極の前記
    振動のノード点に押圧接触する構造の圧電トランスにお
    いて、 前記リード端子は、前記圧電トランス素子の入力電極又
    は出力電極に押圧接触するための、平坦面構造又は前記
    圧電トランス素子の電極形成面側に凸の曲率面構造の
    触部を含む接点部と、前記モールドケース側壁内に埋め
    込まれた埋込み部と、前記接点部と前記埋込み部とを連
    結する基部とを少くとも備え、 前記接点部に圧電トランス素子からの静的押圧力を受け
    て前記基部が前記モールドケース側壁を支点に撓んだと
    き、前記接点部にあっては前記基部の撓みによって前記
    接点部に生じる回転が打ち消されて、前記接点部の前記
    接触部と前記圧電トランス素子の入力電極又は出力電極
    とが平行を保つ構造であることを特徴とする圧電トラン
    ス。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の圧電トランスにおいて、 前記リード端子の接点部における前記回転の打消しが、
    前記接点部の構造を、リード端子に対する圧電トランス
    素子からの前記静的押圧力がゼロのとき、前記接触部が
    予め前記基部に対して、基部の伸長方向に開角する傾斜
    角を有する構造としたことに基くものであることを特徴
    とする圧電トランス。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の圧電トランスにおいて、 前記リード端子の接点部における前記回転の打消しが、
    前記接点部の構造を、リード端子が圧電トランス素子か
    ら前記静的押圧力を受けたとき、前記連結部が、前記基
    部の伸長方向先端部分に位置する基部との接続点を支点
    として、前記基部の撓みによる回転とは反対方向の回転
    をもたらす弾性撓みを生じる構造としたことに基くもの
    であることを特徴とする圧電トランス。
  4. 【請求項4】 請求項1,請求項2又は3記載の圧電ト
    ランスにおいて、 前記リード端子が、片持ち梁構造であることを特徴とす
    る圧電トランス。
  5. 【請求項5】 請求項3記載の圧電トランスにおいて、 前記リード端子が、両持ち梁構造であることを特徴とす
    る圧電トランス。
  6. 【請求項6】 圧電性材料からなる長板の表面に入力電
    極と出力電極とを設け、外部から前記入力電極を介して
    前記長板に交流電圧を与えて長板を振動させその振動に
    応じて前記長板が発生する電圧を前記出力電極から取り
    出す構造の圧電トランス素子が、これを取り囲むモール
    ドケースの側壁に前記圧電トランス素子の電極形成面に
    平行に前記入力電極又は出力電極上に延びる板ばねから
    なるリード端子が埋め込まれた構造のパッケージに収納
    され、前記リード端子はそのばね性により、前記圧電ト
    ランス素子に設けられた入力電極又は出力電極の前記振
    動のノード点に押圧接触する構造の圧電トランスにおい
    て、 前記リード端子は、前記圧電トランス素子の入力電極又
    は出力電極との接触部を含む接点部と、前記モールドケ
    ース側壁内に埋め込まれた埋込み部と、前記接点部と前
    記埋込み部とを連結する基部とを少くとも備え、 前記接点部は、前記リード端子の伸長方向に順に、前記
    基部に連結する連結部と、前記連結部に連接して前記圧
    電トランスの入力電極又は出力電極と接触する平坦な接
    触部とからなり、 前記リード端子に対する圧電トランス素子からの静的押
    圧力がゼロの状態で、前記リード端子をその伸長方向に
    垂直で圧電トランス素子の電極形成面に平行な方向から
    見たとき、前記接点部の接触部が前記基部に対し、リー
    ド端子の伸長方向に開角する傾斜をなすことを特徴とす
    る圧電トランス。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の圧電トランスにおいて、
    前記接触部のリード端子の伸長方向先端に、圧電トラン
    ス素子の電極形成面側に凸のロール状部分を設けたこと
    を特徴とする圧電トランス。
  8. 【請求項8】 請求項7記載の圧電トランスにおいて、 前記リード端子の接点部のロール状部分の長さが、前記
    接触部の長さ以下であると共に、 前記ロール状部分に外接する面の最大傾きが前記圧電ト
    ランス素子の最大傾き以上であることを特徴とする圧電
    トランス。
  9. 【請求項9】 請求項6記載の圧電トランスにおいて、
    前記接触部を平坦面にするのに替えて、 球殻を切ったもの又は鶏卵の殻若しくは回転楕円体殻を
    縦長に切ったものなどのような、前記圧電トランス素子
    の入力電極又は出力電極側に凸の曲率面とすると共に、 前記曲率面の切断面が、前記リード端子の基部に対し
    て、基部の伸長方向に開角する傾斜をなすようにしたこ
    とを特徴とする圧電トランス。
  10. 【請求項10】 請求項9記載の圧電トランスにおい
    て、 前記リード端子の前記曲率面をなす接触部の、前記圧電
    トランス素子の入力電極又は出力電極と接触する部分に
    外接する面の最大傾きが、圧電トランス素子の最大傾き
    以上であることを特徴とする圧電トランス。
  11. 【請求項11】 圧電性材料からなる長板の表面に入力
    電極と出力電極とを設け、外部から前記入力電極を介し
    て前記長板に交流電圧を与えて長板を振動させその振動
    に応じて前記長板が発生する電圧を前記出力電極から取
    り出す構造の圧電トランス素子が、これを取り囲むモー
    ルドケースの側壁に前記圧電トランス素子の電極形成面
    に平行に前記入力電極又は出力電極上に延びる板ばねか
    らなるリード端子が埋め込まれた構造のパッケージに収
    納され、前記リード端子はそのばね性により、前記圧電
    トランス素子に設けられた入力電極又は出力電極の前記
    振動のノード点に押圧接触する構造の圧電トランスにお
    いて、 前記リード端子は、前記圧電トランス素子の入力電極又
    は出力電極との接触部を含む接点部と、前記モールドケ
    ース側壁内に埋め込まれた埋込み部と、前記接点部と前
    記埋込み部とを連結する基部とからなり、 前記接点部が、前記基部の伸長方向の先端部を基点とし
    前記埋込み部側に向う長さの短い片持ち梁構造の導電性
    板ばねからなる連結部と、その連結部の前記埋込み部側
    の先端に位置して前記トランス素子の入力電極又は出力
    電極と接触する、前記圧電トランス素子の電極形成面に
    平行で平坦な接触部とからなることを特徴とする圧電ト
    ランス。
  12. 【請求項12】 圧電性材料からなる長板の表面に入力
    電極と出力電極とを設け、外部から前記入力電極を介し
    て前記長板に交流電圧を与えて長板を振動させその振動
    に応じて前記長板が発生する電圧を前記出力電極から取
    り出す構造の圧電トランス素子が、これを取り囲むモー
    ルドケースの側壁に前記圧電トランス素子の電極形成面
    に平行に前記入力電極又は出力電極上に延びる板ばねか
    らなるリード端子が埋め込まれた構造のパッケージに収
    納され、前記リード端子はそのばね性により、前記圧電
    トランス素子に設けられた入力電極又は出力電極の前記
    振動のノード点に押圧接触する構造の圧電トランスにお
    いて、 前記リード端子は、モールドケースの一つの側壁とこれ
    に対向する他方の側壁とに支持される両持ち梁構造であ
    って、前記圧電トランス素子の入力電極又は出力電極に
    接触する平坦な接触部を含む接点部と、前記二つのモー
    ルドケース側壁のそれぞれにそれぞれ埋め込まれた二つ
    の埋込み部と、前記接点部の両端と前記埋込み部とを連
    結する二つの基部とからなり、 前記接点部は、リード端子の長手方向中央に位置する前
    記接触部と、その接触部の両端のそれぞれを前記二つの
    基部のそれぞれに接続する二つの連結部とからなること
    を特徴とする圧電トランス。
  13. 【請求項13】 請求項11又は請求項12記載の圧電
    トランスにおいて、 前記リード端子の接点部を平坦構造にするのに替えて、
    球殻を切ったもの又は鶏卵の殻若しくは回転楕円体殻を
    縦長に切ったものなどのような、曲率面構造にしたこと
    を特徴とする圧電トランス。
  14. 【請求項14】 請求項6乃至13に記載の圧電トラン
    スにおいて、 前記接触部の前記圧電トランス素子の入力電極又は出力
    電極との接触面積が、単位接点当り、圧電トランス素子
    の電極形成面の投影面積の0.5%以内であることを特
    徴とする圧電トランス。
  15. 【請求項15】 請求項1乃至14のいずれかに記載の
    圧電トランスにおいて、 前記リード端子が有する固有振動数の少くとも一つを前
    記圧電トランス素子の固有振動数から外すと共に、 前記リード端子の固有振動数を、前記圧電トランス素子
    の駆動周波数から±20kHz以上外したことを特徴と
    する圧電トランス。
JP8070243A 1996-03-26 1996-03-26 圧電トランス Expired - Lifetime JP2914284B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8070243A JP2914284B2 (ja) 1996-03-26 1996-03-26 圧電トランス
TW086103783A TW413963B (en) 1996-03-26 1997-03-25 Piezoelectric transformer
KR1019970010583A KR100263571B1 (ko) 1996-03-26 1997-03-26 압전트랜스포머
US08/827,063 US5929553A (en) 1996-03-26 1997-03-26 Piezoelectric transformer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8070243A JP2914284B2 (ja) 1996-03-26 1996-03-26 圧電トランス

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09260738A JPH09260738A (ja) 1997-10-03
JP2914284B2 true JP2914284B2 (ja) 1999-06-28

Family

ID=13425941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8070243A Expired - Lifetime JP2914284B2 (ja) 1996-03-26 1996-03-26 圧電トランス

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5929553A (ja)
JP (1) JP2914284B2 (ja)
KR (1) KR100263571B1 (ja)
TW (1) TW413963B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101905670B1 (ko) 2018-05-30 2018-10-08 주식회사 부력에너지 에지형 led 조명 램프

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6127771A (en) * 1998-10-15 2000-10-03 Face International Corp. Multi-layer piezoelectric transformer mounting device
DE19914109C2 (de) * 1999-03-23 2001-10-11 Atotech Deutschland Gmbh Halterung für einen Schwingquarz
JP4803925B2 (ja) * 2001-09-10 2011-10-26 シチズン電子株式会社 発光モジュール及び受光モジュール
KR100476556B1 (ko) * 2002-04-11 2005-03-18 삼성전기주식회사 압전트랜스 장치, 압전트랜스 하우징 및 그 제조방법
JP3826875B2 (ja) * 2002-10-29 2006-09-27 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイスおよびその製造方法
KR100526241B1 (ko) * 2002-11-26 2005-11-08 삼성전기주식회사 볼록형 리드프레임을 갖는 압전트랜스포머
DE102005025623A1 (de) * 2005-06-03 2006-12-07 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED-Leuchte und Anorndung aus Leuchtenkörper und LED-Betriebsgerät
JP4509152B2 (ja) * 2007-08-28 2010-07-21 シャープ株式会社 薄膜圧電トランスおよびその製造方法
TWI403087B (zh) * 2009-11-06 2013-07-21 Midas Wei Trading Co Ltd Piezoelectric element packaging device
JP5687935B2 (ja) * 2011-03-30 2015-03-25 太平洋セメント株式会社 圧電アクチュエータ
TWM551357U (zh) * 2017-04-06 2017-11-01 宣德科技股份有限公司 電子連接器
CN110166014B (zh) * 2018-02-11 2020-09-08 诺思(天津)微系统有限责任公司 体声波谐振器及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55124873A (en) * 1979-03-22 1980-09-26 Hitachi Ltd Continuing method for blurred line
JPS6055117A (ja) * 1983-09-02 1985-03-30 Zenitakagumi:Kk 地盤改良施工機
JPS6118209A (ja) * 1984-07-04 1986-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミツク共振子
JPS6118208A (ja) * 1984-07-04 1986-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd セラミツク共振子
SU1432139A1 (ru) * 1986-05-16 1988-10-23 Всесоюзный научно-исследовательский институт транспортного строительства Устройство управлени свайным вибропогружателем
JPS6340019A (ja) * 1986-08-04 1988-02-20 Takenaka Komuten Co Ltd 中空コンクリ−トぐいのくい頭処理工法および処理装置
GB8625125D0 (en) * 1986-10-20 1986-11-26 Raychem Sa Nv Wraparound recoverable article
JPH02110811A (ja) * 1988-10-19 1990-04-24 Hitachi Ltd 回転磁気ヘッドドラム
JPH0435514A (ja) * 1990-05-31 1992-02-06 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用水晶振動子
JPH0653089B2 (ja) * 1990-07-06 1994-07-20 技術研究組合医療福祉機器研究所 寝 台
JPH0485824A (ja) * 1990-07-26 1992-03-18 Fujitsu Ltd タングステン薄膜の形成方法並びに半導体装置の製造方法
JPH0485823A (ja) * 1990-07-26 1992-03-18 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
DE59100463D1 (de) * 1991-02-07 1993-11-11 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Ultraschallwandlern.
US5616981A (en) * 1993-08-20 1997-04-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Terminal for a piezoelectric device
EP0730312B1 (en) * 1995-02-28 2003-07-30 Nec Corporation Packaged piezoelectric transformer unit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101905670B1 (ko) 2018-05-30 2018-10-08 주식회사 부력에너지 에지형 led 조명 램프

Also Published As

Publication number Publication date
US5929553A (en) 1999-07-27
TW413963B (en) 2000-12-01
KR100263571B1 (ko) 2000-08-01
JPH09260738A (ja) 1997-10-03
KR970067963A (ko) 1997-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2914284B2 (ja) 圧電トランス
US6472797B1 (en) Piezoelectric electro-acoustic transducer
JP4035156B2 (ja) 超音波アクチュエータ
US7076079B2 (en) Multi-functional actuator
US7576474B2 (en) Piezoelectric motor
US4649311A (en) Vibration wave motor
JP2000078790A (ja) 電磁振動体及びそれを用いた電池駆動機器
JPH1032456A (ja) 振動子
JP2007318997A (ja) 超音波アクチュエータ
US6057633A (en) Piezoelectric transformer unit
KR20050032575A (ko) 전자 장치에 대한 초음파 변환기
JPH10108297A (ja) 圧電発音体
WO2012020788A1 (ja) 光走査装置
JP4872674B2 (ja) 圧電発音体
JP2008167264A (ja) 圧電発音体
JP2013172237A (ja) 電気音響変換器及び電子機器
JP4737082B2 (ja) 圧電発音体
US20220230612A1 (en) Piezoelectric sounding component
JP7417206B2 (ja) 圧電発音部品
JP2005129973A (ja) 板バネ端子及びエレクトレットコンデンサマイクロホン
JP2001025204A (ja) 電磁振動体およびそれを用いた電池駆動機器
JP3187030B2 (ja) 電磁振動体およびそれを用いた電池駆動機器
JP2001196653A (ja) 圧電トランス
CN115349266A (zh) 压电发声部件
JP2001025203A (ja) 電磁振動体およびそれを用いた電池駆動機器

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990316