JP3365070B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JP3365070B2 JP3365070B2 JP21145194A JP21145194A JP3365070B2 JP 3365070 B2 JP3365070 B2 JP 3365070B2 JP 21145194 A JP21145194 A JP 21145194A JP 21145194 A JP21145194 A JP 21145194A JP 3365070 B2 JP3365070 B2 JP 3365070B2
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- Japan
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- piezoelectric substrate
- wave device
- acoustic wave
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波（以下、ＳＡ
Ｗという。）装置に係り、特に高周波数振動子として使
用されるＳＡＷ共振器に適用する場合に好適な装置構造
に関する。
Ｗという。）装置に係り、特に高周波数振動子として使
用されるＳＡＷ共振器に適用する場合に好適な装置構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳＴカットの水晶基板の表面上に
相互に対向した一対の櫛歯電極から成るすだれ状電極変
換器(interdigital transducer：以下、ＩＤ変換器とい
う。）を構成したＳＡＷ共振器が製造されている。この
ＳＡＷ共振器は、ＩＤ変換器に導入された電気信号によ
り発生する弾性表面波を所定周期で形成された櫛歯電極
により共振させ、この共振周波数の電気信号を取り出す
ことにより基準振動子として機能するものである。この
場合、ＩＤ変換器の両側に所定の間隔で一対のグレーテ
ィング反射器（grating reflector:以下、ＧＴ反射器と
いう。）を形成すると、両ＧＴ反射器の間に弾性表面波
に対する共振空洞が形成され、この共振空洞に弾性表面
波の定在波が立つ。ＩＤ変換器はこの定在波と強く結合
するので、安定した振動子を構成することができる。
相互に対向した一対の櫛歯電極から成るすだれ状電極変
換器(interdigital transducer：以下、ＩＤ変換器とい
う。）を構成したＳＡＷ共振器が製造されている。この
ＳＡＷ共振器は、ＩＤ変換器に導入された電気信号によ
り発生する弾性表面波を所定周期で形成された櫛歯電極
により共振させ、この共振周波数の電気信号を取り出す
ことにより基準振動子として機能するものである。この
場合、ＩＤ変換器の両側に所定の間隔で一対のグレーテ
ィング反射器（grating reflector:以下、ＧＴ反射器と
いう。）を形成すると、両ＧＴ反射器の間に弾性表面波
に対する共振空洞が形成され、この共振空洞に弾性表面
波の定在波が立つ。ＩＤ変換器はこの定在波と強く結合
するので、安定した振動子を構成することができる。
【０００３】このＳＡＷ共振器は、水晶基板の寸法で振
動数が決定される通常の水晶振動子とは異なり、表面波
の共振を利用するため結晶の表面２０μｍ程度しか影響
を受けず、基板の厚さ等の制約がないので高周波数帯域
まで基本モード振動で駆動できるから、小型でスプリア
スモードの少ない圧電振動子を容易に実現できる。
動数が決定される通常の水晶振動子とは異なり、表面波
の共振を利用するため結晶の表面２０μｍ程度しか影響
を受けず、基板の厚さ等の制約がないので高周波数帯域
まで基本モード振動で駆動できるから、小型でスプリア
スモードの少ない圧電振動子を容易に実現できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｓ
ＡＷ共振器においては振動周波数に大きな温度依存性が
あり、振動周波数は温度に対して上に凸の２次曲線で示
される。この場合の２次曲線は−０．０３ｐｐｍ／℃2
（室温２５℃における発振周波数を基準とする。）程度
の２次係数をもつ。このような温度特性は振動周波数の
精度を無効にするため、適切な温度制御を行う必要があ
る。しかし、ＳＡＷ共振器の動作は水晶基板の表面近傍
の状態に大きく影響されるため、水晶基板の表面に温度
調節のための異物を接触させることができず、水晶基板
に効率的な温度調節を行うことが困難である。
ＡＷ共振器においては振動周波数に大きな温度依存性が
あり、振動周波数は温度に対して上に凸の２次曲線で示
される。この場合の２次曲線は−０．０３ｐｐｍ／℃2
（室温２５℃における発振周波数を基準とする。）程度
の２次係数をもつ。このような温度特性は振動周波数の
精度を無効にするため、適切な温度制御を行う必要があ
る。しかし、ＳＡＷ共振器の動作は水晶基板の表面近傍
の状態に大きく影響されるため、水晶基板の表面に温度
調節のための異物を接触させることができず、水晶基板
に効率的な温度調節を行うことが困難である。
【０００５】そこで本発明は上記問題点を解決するもの
であり、その課題は、ＳＡＷ共振器等のＳＡＷ装置の温
度調節を適切に行うことのできる新規の装置構成を実現
することにある。
であり、その課題は、ＳＡＷ共振器等のＳＡＷ装置の温
度調節を適切に行うことのできる新規の装置構成を実現
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた手段は、圧電基板の表面上に形成され
所定の周期構造を備えた信号電極と、前記圧電基板の表
面温度を測定する温度測定手段と、前記圧電基板の裏面
に一方の温度領域が熱的に接合するように配置された熱
電素子と、を有する弾性表面波装置であって、前記温度
測定手段の測定温度に応じて前記熱電素子を駆動させる
ことにより、前記表面温度を下降または上昇させる温度
制御手段を設けたものである。
に本発明が講じた手段は、圧電基板の表面上に形成され
所定の周期構造を備えた信号電極と、前記圧電基板の表
面温度を測定する温度測定手段と、前記圧電基板の裏面
に一方の温度領域が熱的に接合するように配置された熱
電素子と、を有する弾性表面波装置であって、前記温度
測定手段の測定温度に応じて前記熱電素子を駆動させる
ことにより、前記表面温度を下降または上昇させる温度
制御手段を設けたものである。
【０００７】この場合において、前記圧電基板、前記温
度測定手段、前記熱電素子及び前記温度制御手段を単一
のケーシング内に収容することが好ましい。
度測定手段、前記熱電素子及び前記温度制御手段を単一
のケーシング内に収容することが好ましい。
【０００８】また、前記圧電基板を、前記熱電素子を介
して支持部材に支持させることが望ましい。
して支持部材に支持させることが望ましい。
【０００９】また、前記圧電基板を、その裏面の一部の
みを接触面として支持部材に支持させることが望まし
い。
みを接触面として支持部材に支持させることが望まし
い。
【００１０】そして、前記熱電素子を、前記圧電基板の
裏面上に複数分散配置することが好ましい。
裏面上に複数分散配置することが好ましい。
【００１１】
【作用】本発明によれば、水晶基板の裏面にペルチェ素
子の一方の温度領域が熱的に接合されていることによ
り、水晶基板の表面側の構造に妨げられることなく、し
かも表面上の弾性表面波に影響を与えることなく大きな
接触面を介して冷却若しくは加熱を行うことができ、安
定したSAW装置の動作を実現できる。また、圧電素子の
裏面上に複数の熱電素子を分散配置することにより、熱
電素子間の応力伝達が分断されるので、水晶基板に与え
る応力をさらに低減することができる。
子の一方の温度領域が熱的に接合されていることによ
り、水晶基板の表面側の構造に妨げられることなく、し
かも表面上の弾性表面波に影響を与えることなく大きな
接触面を介して冷却若しくは加熱を行うことができ、安
定したSAW装置の動作を実現できる。また、圧電素子の
裏面上に複数の熱電素子を分散配置することにより、熱
電素子間の応力伝達が分断されるので、水晶基板に与え
る応力をさらに低減することができる。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【実施例】次に図面を参照して本発明に係るＳＡＷ装置
の実施例を説明する。以下に説明するＳＡＷ装置は水晶
基板を使用したＳＡＷ共振器である。しかし、本発明は
ＳＡＷ共振器に限らずＳＡＷフィルター等の各種ＳＡＷ
装置に適用できるものである。また、圧電基板について
も、水晶以外に、ＳＡＷ装置の構成や用途に応じてＬｉ
ＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の種々の材質が採用される。
の実施例を説明する。以下に説明するＳＡＷ装置は水晶
基板を使用したＳＡＷ共振器である。しかし、本発明は
ＳＡＷ共振器に限らずＳＡＷフィルター等の各種ＳＡＷ
装置に適用できるものである。また、圧電基板について
も、水晶以外に、ＳＡＷ装置の構成や用途に応じてＬｉ
ＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等の種々の材質が採用される。
【００１７】〔第１実施例〕この実施例では、図１に示
すように、縦３ｍｍ、横６ｍｍ、厚さ４００μｍ程度の
ＳＴカットの水晶基板１の表面にＩＤ変換器２、ＧＴ反
射器３，４、及び感温体５を形成し、水晶基板１の裏面
ほぼ全体にペルチェ素子６を貼着している。ペルチェ素
子６の中央部は支持台７の支持部７ａに固着されてい
る。
すように、縦３ｍｍ、横６ｍｍ、厚さ４００μｍ程度の
ＳＴカットの水晶基板１の表面にＩＤ変換器２、ＧＴ反
射器３，４、及び感温体５を形成し、水晶基板１の裏面
ほぼ全体にペルチェ素子６を貼着している。ペルチェ素
子６の中央部は支持台７の支持部７ａに固着されてい
る。
【００１８】支持部７ａは水晶基板１及びペルチェ素子
６を支持台７に対して所定の間隔で離反させ、水晶基板
１に支持台７から応力伝達のないように構成されてお
り、水晶基板１に応力に起因する歪みが発生しないよう
にしている。
６を支持台７に対して所定の間隔で離反させ、水晶基板
１に支持台７から応力伝達のないように構成されてお
り、水晶基板１に応力に起因する歪みが発生しないよう
にしている。
【００１９】〔第２実施例〕図２には、上記実施例とは
異なる実施例の構造を示す。この実施例は上記第１実施
例と同様の水晶基板１、ＩＤ変換器２、ＧＴ反射器３，
４、感温体５及び支持台７を備えており、その説明は省
略する。本実施例では水晶基板１の裏面の中央部にペル
チェ素子６Ａ、左右にペルチェ素子６Ｂ，６Ｃがそれぞ
れ貼着され、中央のペルチェ素子６Ａは支持台７の支持
部７ａに固着されている。
異なる実施例の構造を示す。この実施例は上記第１実施
例と同様の水晶基板１、ＩＤ変換器２、ＧＴ反射器３，
４、感温体５及び支持台７を備えており、その説明は省
略する。本実施例では水晶基板１の裏面の中央部にペル
チェ素子６Ａ、左右にペルチェ素子６Ｂ，６Ｃがそれぞ
れ貼着され、中央のペルチェ素子６Ａは支持台７の支持
部７ａに固着されている。
【００２０】図３（ａ）は上記第１実施例及び第２実施
例の全体構成を示す。上記図１及び図２に示されている
支持台７はベース８に固着されており、このベース上に
はＩＣチップ９が実装されている。ベース８にはカバー
１０が取付けられ、密封されるようになっている。な
お、ベース８及びカバー１０で形成される内部空間には
窒素やアルゴン等の不活性ガスが充填される。ベース８
の下面からは内部回路に導電接続された複数の外部接続
端子１１が突出形成されている。
例の全体構成を示す。上記図１及び図２に示されている
支持台７はベース８に固着されており、このベース上に
はＩＣチップ９が実装されている。ベース８にはカバー
１０が取付けられ、密封されるようになっている。な
お、ベース８及びカバー１０で形成される内部空間には
窒素やアルゴン等の不活性ガスが充填される。ベース８
の下面からは内部回路に導電接続された複数の外部接続
端子１１が突出形成されている。
【００２１】水晶基板１上のＩＤ変換器２には、図３
（ｂ）に示すようにそれぞれ櫛歯状に形成された対向電
極２ａ，２ｂが形成され、この対向電極２ａ，２ｂのそ
れぞれに信号線２１，２２がボンディングされている。
また、感温体５の両端にも検出線５１，５２が接続され
ている。これらの信号線２１，２２及び検出線５１，５
２の他端は支持台７に形成された配線パターンを介して
ベース８上の配線パターンに接続され、ＩＣチップ９内
に引き込まれている。
（ｂ）に示すようにそれぞれ櫛歯状に形成された対向電
極２ａ，２ｂが形成され、この対向電極２ａ，２ｂのそ
れぞれに信号線２１，２２がボンディングされている。
また、感温体５の両端にも検出線５１，５２が接続され
ている。これらの信号線２１，２２及び検出線５１，５
２の他端は支持台７に形成された配線パターンを介して
ベース８上の配線パターンに接続され、ＩＣチップ９内
に引き込まれている。
【００２２】ＩＤ変換器２の対向電極２ａ，２ｂ及びＧ
Ｔ反射器３，４の格子電極はアルミニウム等その他の合
金を蒸着、スパッタリング等により被着することによっ
て形成されている。ＩＤ変換機２の対向電極２ａ，２ｂ
及びＧＴ反射器３，４の格子電極の形成周期は水晶基板
１の表面に立つ弾性表面波の波長λの半分に設定されて
いる。また、感温体５は蒸着により形成された白金など
の薄膜であり、温度により変化する薄膜の抵抗値から水
晶基板１の表面温度が検出されるようになっている。
Ｔ反射器３，４の格子電極はアルミニウム等その他の合
金を蒸着、スパッタリング等により被着することによっ
て形成されている。ＩＤ変換機２の対向電極２ａ，２ｂ
及びＧＴ反射器３，４の格子電極の形成周期は水晶基板
１の表面に立つ弾性表面波の波長λの半分に設定されて
いる。また、感温体５は蒸着により形成された白金など
の薄膜であり、温度により変化する薄膜の抵抗値から水
晶基板１の表面温度が検出されるようになっている。
【００２３】図４には上記各実施例の回路構成を示す。
水晶基板１に形成されたＩＤ変換器２と感温体５はＩＣ
チップ９に接続されている。ＩＤ変換器２の信号線２
１，２２からは所定周波数の振動波形が取り出される。
また、感温体５の検出線５１，５２を介して得られた感
温体の抵抗値に応じて水晶基板１の表面温度が検出され
る。ＩＣチップ９は水晶基板１の表面温度と予め設定さ
れた基準温度との差を算出し、この温度差に応じてペル
チェ素子６の駆動電圧を出力する。
水晶基板１に形成されたＩＤ変換器２と感温体５はＩＣ
チップ９に接続されている。ＩＤ変換器２の信号線２
１，２２からは所定周波数の振動波形が取り出される。
また、感温体５の検出線５１，５２を介して得られた感
温体の抵抗値に応じて水晶基板１の表面温度が検出され
る。ＩＣチップ９は水晶基板１の表面温度と予め設定さ
れた基準温度との差を算出し、この温度差に応じてペル
チェ素子６の駆動電圧を出力する。
【００２４】図５はペルチェ素子６の断面構造を示すも
のである。ペルチェ素子６は、アルミナ等で形成された
セラミック基板６１及び６２の間に、電極６３，６４と
Ｂｉ−Ｔｅ系等のｎ型半導体６５及びｐ型半導体６６を
電気的には直列に、熱的には並列に接続したπ型構造を
複数配列させたものである。セラミック基板６１は接着
剤６７により水晶基板１に接着され、セラミック基板６
２は接着剤６８により支持台７に接着されている。
のである。ペルチェ素子６は、アルミナ等で形成された
セラミック基板６１及び６２の間に、電極６３，６４と
Ｂｉ−Ｔｅ系等のｎ型半導体６５及びｐ型半導体６６を
電気的には直列に、熱的には並列に接続したπ型構造を
複数配列させたものである。セラミック基板６１は接着
剤６７により水晶基板１に接着され、セラミック基板６
２は接着剤６８により支持台７に接着されている。
【００２５】上記第１実施例によれば、水晶基板１の裏
面上にペルチェ素子６を配置することにより、弾性表面
波に影響を与えることなく、しかも裏面上のいずれにも
ペルチェ素子を接触させることができるので、水晶基板
１全体の温度調節を行うことができる。この場合、水晶
基板１の支持は支持台７の支持部７ａによりペルチェ素
子６を介してのみ行われているため周囲に他の接触部が
存在せず、構造が簡素化されるとともに効率的な冷却若
しくは加熱を行うことができる。ペルチェ素子６のセラ
ミック基板６１は、上記駆動電圧の極性に応じて水晶基
板１の冷却と加熱を選択的に行い、上記駆動電圧の絶対
値に応じて冷却量若しくは加熱量が調整される。
面上にペルチェ素子６を配置することにより、弾性表面
波に影響を与えることなく、しかも裏面上のいずれにも
ペルチェ素子を接触させることができるので、水晶基板
１全体の温度調節を行うことができる。この場合、水晶
基板１の支持は支持台７の支持部７ａによりペルチェ素
子６を介してのみ行われているため周囲に他の接触部が
存在せず、構造が簡素化されるとともに効率的な冷却若
しくは加熱を行うことができる。ペルチェ素子６のセラ
ミック基板６１は、上記駆動電圧の極性に応じて水晶基
板１の冷却と加熱を選択的に行い、上記駆動電圧の絶対
値に応じて冷却量若しくは加熱量が調整される。
【００２６】水晶基板１は、支持台７の支持部７ａだけ
でペルチェ素子６を介して支持されているため、その表
面に支持台７若しくは他の部材からの応力を受けること
がないので、安定した特性を得ることができる。
でペルチェ素子６を介して支持されているため、その表
面に支持台７若しくは他の部材からの応力を受けること
がないので、安定した特性を得ることができる。
【００２７】第２実施例によれば、水晶基板１の裏面に
貼着されたペルチェ素子６Ａ，６Ｂ，６Ｃが分割された
状態で形成されているため、第１実施例のように水晶基
板１と支持部７ａに挟持されたペルチェ素子６を介して
水晶基板が応力を受ける恐れもなく、より安定した動作
を期待できる。
貼着されたペルチェ素子６Ａ，６Ｂ，６Ｃが分割された
状態で形成されているため、第１実施例のように水晶基
板１と支持部７ａに挟持されたペルチェ素子６を介して
水晶基板が応力を受ける恐れもなく、より安定した動作
を期待できる。
【００２８】上記各実施例では、ペルチェ素子を水晶基
板の裏面に貼着したことにより、極めてコンパクトに温
度制御構造を構成でき、温度制御による装置全体の容積
の増大を抑制することができる。また、各実施例では温
度制御手段により温度の調節を行うことにより振動周波
数を変化させることも可能である。
板の裏面に貼着したことにより、極めてコンパクトに温
度制御構造を構成でき、温度制御による装置全体の容積
の増大を抑制することができる。また、各実施例では温
度制御手段により温度の調節を行うことにより振動周波
数を変化させることも可能である。
【００２９】なお、上記支持部７ａによる支持位置は水
晶基板１の裏面中央である必要はなく、中央から外れた
位置に形成されていてもよい。また、第２実施例のよう
に複数のペルチェ素子を設ける際のペルチェ素子の個数
や配置は任意である。感温体は上記実施例に示したもの
に限定されることなく、公知の種々の温度センサを温度
計測に適した場所であれば任意の場所に設置することが
できる。また温度制御はＩＣチップ９の内部回路により
通常のＰＩＤ制御方式等で行うことができ、或いは必要
に応じて他の方式を採用してもよい。さらに、ペルチェ
素子６の冷却若しくは加熱効果を高めるために、支持台
の周囲に若しくはペルチェ素子６Ｂ，６Ｃにおけるセラ
ミック基板６２の下面上に放熱フィン等の補助部材を適
宜取付けてもよい。また、上記構造のペルチェ素子に限
らず公知の種々の熱電素子を使用できることは言うまで
もない。
晶基板１の裏面中央である必要はなく、中央から外れた
位置に形成されていてもよい。また、第２実施例のよう
に複数のペルチェ素子を設ける際のペルチェ素子の個数
や配置は任意である。感温体は上記実施例に示したもの
に限定されることなく、公知の種々の温度センサを温度
計測に適した場所であれば任意の場所に設置することが
できる。また温度制御はＩＣチップ９の内部回路により
通常のＰＩＤ制御方式等で行うことができ、或いは必要
に応じて他の方式を採用してもよい。さらに、ペルチェ
素子６の冷却若しくは加熱効果を高めるために、支持台
の周囲に若しくはペルチェ素子６Ｂ，６Ｃにおけるセラ
ミック基板６２の下面上に放熱フィン等の補助部材を適
宜取付けてもよい。また、上記構造のペルチェ素子に限
らず公知の種々の熱電素子を使用できることは言うまで
もない。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば以下
の効果を奏する。
の効果を奏する。
【００３１】請求項１によれば、水晶基板の裏面にペル
チェ素子の一方の温度領域が熱的に接合されていること
により、水晶基板の表面側の構造に妨げられることな
く、しかも表面上の弾性表面波に影響を与えることなく
大きな接触面を介して冷却若しくは加熱を行うことがで
きるので、効率的かつ安定した温度制御を行うことがで
き、安定したＳＡＷ装置の動作を実現できる。
チェ素子の一方の温度領域が熱的に接合されていること
により、水晶基板の表面側の構造に妨げられることな
く、しかも表面上の弾性表面波に影響を与えることなく
大きな接触面を介して冷却若しくは加熱を行うことがで
きるので、効率的かつ安定した温度制御を行うことがで
き、安定したＳＡＷ装置の動作を実現できる。
【００３２】請求項２によれば、単一のケーシング内に
各構成要素を全て収容することにより、高性能のＳＡＷ
デバイスを構成できる。
各構成要素を全て収容することにより、高性能のＳＡＷ
デバイスを構成できる。
【００３３】請求項３によれば、圧電基板を熱電素子を
介して支持部材に支持させることにより、圧電基板の支
持部を温度制御部として兼ねることができるので構造が
簡素化されるとともに効率的な冷却若しくは加熱ができ
る。
介して支持部材に支持させることにより、圧電基板の支
持部を温度制御部として兼ねることができるので構造が
簡素化されるとともに効率的な冷却若しくは加熱ができ
る。
【００３４】請求項４によれば、圧電基板をその裏面の
一部のみを介して支持することにより、圧電基板の周囲
から受ける応力を低減させることができ、安定した動作
を期すことができる。
一部のみを介して支持することにより、圧電基板の周囲
から受ける応力を低減させることができ、安定した動作
を期すことができる。
【００３５】請求項５によれば、圧電基板の裏面上に複
数の熱電素子を分散配置することにより、熱電素子間の
応力伝達が分断されるので、圧電基板に与える応力をさ
らに低減することができる。
数の熱電素子を分散配置することにより、熱電素子間の
応力伝達が分断されるので、圧電基板に与える応力をさ
らに低減することができる。
【図１】本発明に係る第１実施例におけるＳＡＷ装置の
主要部分の構造を示す縦断面図である。
主要部分の構造を示す縦断面図である。
【図２】本発明に係る第２実施例におけるＳＡＷ装置の
主要部分の構造を示す縦断面図である。
主要部分の構造を示す縦断面図である。
【図３】上記各実施例の全体構成を示す斜視図（ａ）及
びカバーを取り去った状態の平面図（ｂ）である。
びカバーを取り去った状態の平面図（ｂ）である。
【図４】上記各実施例の回路構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図５】上記各実施例に取付けるペルチェ素子の構造を
示す拡大断面図である。
示す拡大断面図である。
１ 水晶基板
２ ＩＤ変換器
３，４ ＧＴ反射器
５ 感温体
６，６Ａ，６Ｂ，６Ｃ ペルチェ素子
７ 支持台
７ａ 支持部
８ ベース
９ ＩＣチップ
１０ カバー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/145
H03H 9/25
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電基板の表面上に形成され所定の周期
構造を備えた信号電極と、前記圧電基板の表面温度を測
定する温度測定手段と、前記圧電基板の裏面に一方の温
度領域が熱的に接合するように配置された熱電素子と、
を有する弾性表面波装置であって、 前記温度測定手段の測定温度に応じて前記熱電素子を駆
動させることにより、前記表面温度を下降または上昇さ
せる温度制御手段を設けたことを特徴とする弾性表面波
装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記圧電基板、前記
温度測定手段、前記熱電素子及び前記温度制御手段は単
一のケーシング内に収容されていることを特徴とする弾
性表面波装置。 - 【請求項３】 請求項１において、前記圧電基板は、前
記熱電素子を介して支持部材に支持されていることを特
徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項４】 請求項１において、前記圧電基板は、そ
の裏面の一部のみを接触面として支持部材に支持されて
いることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項５】 請求項４において、前記熱電素子は、前
記圧電基板の裏面上に複数分散配置されていることを特
徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21145194A JP3365070B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21145194A JP3365070B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0879002A JPH0879002A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3365070B2 true JP3365070B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=16606170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21145194A Expired - Fee Related JP3365070B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3365070B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10065723A1 (de) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung zur Temperaturmessung und -regelung |
| JP3826875B2 (ja) | 2002-10-29 | 2006-09-27 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
| DE102007029393A1 (de) * | 2007-06-26 | 2009-01-22 | Epcos Ag | Transformatoranordnung |
| JP6282440B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2018-02-21 | 京セラ株式会社 | 検体液センサユニット、検体液センサ用リーダおよび検体液センサ |
| JP7086592B2 (ja) | 2016-12-21 | 2022-06-20 | スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド | 過温度保護を備えた無線周波数システム、弾性表面波フィルタ及びパッケージ状モジュール |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP21145194A patent/JP3365070B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0879002A (ja) | 1996-03-22 |
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