JPH04259109A - ２ポートｓａｗ共振子 - Google Patents
２ポートｓａｗ共振子Info
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- JPH04259109A JPH04259109A JP1983991A JP1983991A JPH04259109A JP H04259109 A JPH04259109 A JP H04259109A JP 1983991 A JP1983991 A JP 1983991A JP 1983991 A JP1983991 A JP 1983991A JP H04259109 A JPH04259109 A JP H04259109A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波を用いた２ポ
ートＳＡＷ共振子の電極構造に関する。
ートＳＡＷ共振子の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の２ポートＳＡＷ共振子の電極構造
としては、例えば米国特許３８８６５０４号公報、又は
特開昭６１−２８１６１２号公報等に記載されている。 これらはいずれも弾性表面波を励振と検出を行う２つの
くし歯状変換器（ＩＤＴ）と、その両側に配置したグレ
ーティング反射器からなる。
としては、例えば米国特許３８８６５０４号公報、又は
特開昭６１−２８１６１２号公報等に記載されている。 これらはいずれも弾性表面波を励振と検出を行う２つの
くし歯状変換器（ＩＤＴ）と、その両側に配置したグレ
ーティング反射器からなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では２ポートＳＡＷ共振子を発振回路に組み込んでＳ
ＡＷ共振子を実現するに際して、２ポートＳＡＷ共振子
の出力（検出）ポートの終端条件によっては２ポートＳ
ＡＷ共振子の共振条件が変化して共振現象が不安定とな
り易いという問題点があった。そこで本発明はこのよう
な問題点を解決するもので、その目的とするところは共
振安定性の優れた２ポートＳＡＷ共振子を作成し周波数
安定性の優れたＵＨＦ帯のＳＡＷ発振器を市場に提供す
ることにある。
術では２ポートＳＡＷ共振子を発振回路に組み込んでＳ
ＡＷ共振子を実現するに際して、２ポートＳＡＷ共振子
の出力（検出）ポートの終端条件によっては２ポートＳ
ＡＷ共振子の共振条件が変化して共振現象が不安定とな
り易いという問題点があった。そこで本発明はこのよう
な問題点を解決するもので、その目的とするところは共
振安定性の優れた２ポートＳＡＷ共振子を作成し周波数
安定性の優れたＵＨＦ帯のＳＡＷ発振器を市場に提供す
ることにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の２ポートＳＡＷ
共振子は、（１）圧電平板上に１対の反射器にはさまれ
た弾性表面波を励振するＩＤＴを形成した２ポートＳＡ
Ｗ共振子に於て、前記反射器とＩＤＴは金属導体ストリ
ップを周期的に配置してなりさらに反射器とＩＤＴの最
も近接したストリップ中心間隔は、ＩＤＴのもつライン
対スペース比のスペースに対応しており、又ＩＤＴの放
射コンダクタンスの最大値を与える周波数と反射器のも
つ反射中心周波数をほぼ一致せしめるとともに、ＩＤＴ
のもつトータル反射係数ΓをΓ＞０．８としたいわゆる
エネルギー閉込型ＳＡＷ共振子を構成した上で、前記Ｉ
ＤＴを複数に分割して入出力ポートを構成したこと、（
２）（１）項記載の反射器のライン対スペース比がほぼ
１でかつ、ＩＤＴのライン対スペース比が１以上である
こと、（３）（１）項記載のＩＤＴを３つに分割した上
で、反射器側に配置した２つを励振用ＩＤＴとし、中央
の１つを検出用ＩＤＴとしたこと、（４）（１）項記載
のＩＤＴを３つに分割した上で、中央の１つを励振用Ｉ
ＤＴとし、反射器側に配置した２つを検出用ＩＤＴとし
たことを特徴とする。
共振子は、（１）圧電平板上に１対の反射器にはさまれ
た弾性表面波を励振するＩＤＴを形成した２ポートＳＡ
Ｗ共振子に於て、前記反射器とＩＤＴは金属導体ストリ
ップを周期的に配置してなりさらに反射器とＩＤＴの最
も近接したストリップ中心間隔は、ＩＤＴのもつライン
対スペース比のスペースに対応しており、又ＩＤＴの放
射コンダクタンスの最大値を与える周波数と反射器のも
つ反射中心周波数をほぼ一致せしめるとともに、ＩＤＴ
のもつトータル反射係数ΓをΓ＞０．８としたいわゆる
エネルギー閉込型ＳＡＷ共振子を構成した上で、前記Ｉ
ＤＴを複数に分割して入出力ポートを構成したこと、（
２）（１）項記載の反射器のライン対スペース比がほぼ
１でかつ、ＩＤＴのライン対スペース比が１以上である
こと、（３）（１）項記載のＩＤＴを３つに分割した上
で、反射器側に配置した２つを励振用ＩＤＴとし、中央
の１つを検出用ＩＤＴとしたこと、（４）（１）項記載
のＩＤＴを３つに分割した上で、中央の１つを励振用Ｉ
ＤＴとし、反射器側に配置した２つを検出用ＩＤＴとし
たことを特徴とする。
【０００５】
【実施例】図１から図３は本発明の２ポートＳＡＷ共振
子がもつ電極構造の実施例を示す平面図である。図１を
用いて詳しく説明をしていく。まず最初に図１中各部位
の名称を列記すると、１００は圧電体平板、１０１は交
流電源、１０２は終端負荷インピータンスＺ、１０３と
１０４は反射器、１０５と１０６は第１の励振用ＩＤＴ
、１０９と１１０は第２の励振用ＩＤＴ、１０７と１０
８は検出用ＩＤＴである。１００の圧電体平板は、水晶
、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３などに代表される圧電材
料の表面を鏡面研磨仕上げ状態として用いられる。１０
１の交流電源は前記励振用ＩＤＴの正電極１０５、１０
９と負電極１０６、１１０に接続して弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）を発生させる。１０２の終端負荷インピーダンスＺ
は前記検出用ＩＤＴの正負電極間に接続されるＬ、Ｃ、
Ｒの受動素子から構成されるものである。本発明の図１
を発振回路の周波数安定化素子として用いる場合には前
記１０１は励振側の端子の等価内部電源に相当し、１０
２は検出回路の負荷インピーダンスに相当する。次に前
記１００上に構成された１０３から１１０のパターンは
Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属導体を圧電体平板１０
０上に蒸着又スパッタ等の手段で蒸着して薄膜を形成し
た後フォトリソグラフィー等の手段を用いて微細パター
ンを形成してなる。本発明の２ポートＳＡＷ共振子にあ
っては、前記反射器１０３と１０４及び１０５から１１
０のＩＤＴを次の１ポートＳＡＷ共振子の配置を基本と
して構成する。まず反射器１０３と１０４の導体の配列
周期ＰＲは発生する弾性表面波の波長λのほぼ１／２と
する。さらに導体幅（ｌ）と導体間隔（ｓ）の比ｌ／ｓ
をほぼ１とする。一方前記ＩＤＴの導体配列周期ＰＴは
、前記反射器が作る弾性表面波の反射特性の最大値を与
える周波数にほぼ一致させるように、前記１０５から１
１０の１体化されたＩＤＴの放射コンダクタンス特性が
最大値を与える周波数を合せるように決定する。例えば
、圧電体平板１００がＳＴカット水晶板であり反射器と
ＩＤＴの導体金属がＡｌである場合には前記ＰＲとＰＴ
の比としてＰＲ／ＰＴ＝１．００２〜１．０２程度にと
られる。さらに又前記ＩＤＴの導体幅ｌと導体間間隔ｓ
の比率ｌ／ｓはｌ／ｓ≧１とし、反射器とＩＤＴの最も
近接した導体間間隔を前記ｓとなるようにして１ポート
ＳＡＷ共振子の直列共振抵抗を低減している。さらに又
ＩＤＴの絶対数Ｍと反射器の導体本数Ｎの比Ｎ／Ｍを１
．０〜２．０として、１ポート共振子のＱ値を向上させ
ている他、ＩＤＴの正電極と負電極を１対としてＭ対と
した時に１体化したＩＤＴのトータルな反射係数Γを次
の（１）式の通りに定義した上でΓ＞０．８としていわ
ゆるエネルギ閉込型共振子を実現している。
子がもつ電極構造の実施例を示す平面図である。図１を
用いて詳しく説明をしていく。まず最初に図１中各部位
の名称を列記すると、１００は圧電体平板、１０１は交
流電源、１０２は終端負荷インピータンスＺ、１０３と
１０４は反射器、１０５と１０６は第１の励振用ＩＤＴ
、１０９と１１０は第２の励振用ＩＤＴ、１０７と１０
８は検出用ＩＤＴである。１００の圧電体平板は、水晶
、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３などに代表される圧電材
料の表面を鏡面研磨仕上げ状態として用いられる。１０
１の交流電源は前記励振用ＩＤＴの正電極１０５、１０
９と負電極１０６、１１０に接続して弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）を発生させる。１０２の終端負荷インピーダンスＺ
は前記検出用ＩＤＴの正負電極間に接続されるＬ、Ｃ、
Ｒの受動素子から構成されるものである。本発明の図１
を発振回路の周波数安定化素子として用いる場合には前
記１０１は励振側の端子の等価内部電源に相当し、１０
２は検出回路の負荷インピーダンスに相当する。次に前
記１００上に構成された１０３から１１０のパターンは
Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属導体を圧電体平板１０
０上に蒸着又スパッタ等の手段で蒸着して薄膜を形成し
た後フォトリソグラフィー等の手段を用いて微細パター
ンを形成してなる。本発明の２ポートＳＡＷ共振子にあ
っては、前記反射器１０３と１０４及び１０５から１１
０のＩＤＴを次の１ポートＳＡＷ共振子の配置を基本と
して構成する。まず反射器１０３と１０４の導体の配列
周期ＰＲは発生する弾性表面波の波長λのほぼ１／２と
する。さらに導体幅（ｌ）と導体間隔（ｓ）の比ｌ／ｓ
をほぼ１とする。一方前記ＩＤＴの導体配列周期ＰＴは
、前記反射器が作る弾性表面波の反射特性の最大値を与
える周波数にほぼ一致させるように、前記１０５から１
１０の１体化されたＩＤＴの放射コンダクタンス特性が
最大値を与える周波数を合せるように決定する。例えば
、圧電体平板１００がＳＴカット水晶板であり反射器と
ＩＤＴの導体金属がＡｌである場合には前記ＰＲとＰＴ
の比としてＰＲ／ＰＴ＝１．００２〜１．０２程度にと
られる。さらに又前記ＩＤＴの導体幅ｌと導体間間隔ｓ
の比率ｌ／ｓはｌ／ｓ≧１とし、反射器とＩＤＴの最も
近接した導体間間隔を前記ｓとなるようにして１ポート
ＳＡＷ共振子の直列共振抵抗を低減している。さらに又
ＩＤＴの絶対数Ｍと反射器の導体本数Ｎの比Ｎ／Ｍを１
．０〜２．０として、１ポート共振子のＱ値を向上させ
ている他、ＩＤＴの正電極と負電極を１対としてＭ対と
した時に１体化したＩＤＴのトータルな反射係数Γを次
の（１）式の通りに定義した上でΓ＞０．８としていわ
ゆるエネルギ閉込型共振子を実現している。
【０００６】
Γ＝４ＭａＨ／λ
（１）但し、ここでＭはＩＤＴに於て正負電極を
１対としたときの対数、ａは電極１本当たりの弾性表面
波の反射係数、Ｈは導体膜厚、λは弾性表面波の波長で
ある。例えば前記ＳＴカット水晶板でＡｌ導体で形成さ
れたＩＤＴであれば、Ｍが８０以上あれば充分に１ポー
トＳＡＷ共振子を構成できる。このときГ＝２．４４８
程度となる。本発明の２ポートＳＡＷ共振子にあっては
前述の本発明の１部である１ポートＳＡＷ共振子のＩＤ
Ｔ電極を３部に分割して励振と検出用ＩＤＴを構成して
２ポートＳＡＷ共振子としている。但し分割に際してＩ
ＤＴを形成する導体配列はそのままとして、導体群の両
端を正負電極に対応して横に接続するバスバー導体を特
定位置にて分割して１体化したＩＤＴを３つに分割する
ものとする。図１中破線が分割により除去されたバスバ
ー導体である。図１に於ては１体化ＩＤＴの両側を１０
１の交流電源に接続して励振用ＩＤＴ即ち入力端子とし
１体化ＩＤＴの中央部ＩＤＴを１０２の検出回路に接続
して検出用ＩＤＴ（出力端子）として２ポートＳＡＷ共
振子を構成している。次に図２は、図１の２ポートＳＡ
Ｗ共振子の入力と出力端子を交換したものであり、１体
化ＩＤＴの中央部が励振用ＩＤＴに両端部が検出用ＩＤ
Ｔとして構成されている。各部位の名称は、２００は圧
電体平板、２０１は交流電源、２０２は終端負荷インピ
ーダンス、２０３と２０４は反射器、２０５と２０６及
び２０９と２１０は各々第１と第２の検出用ＩＤＴ、２
０７と２０８は励振用ＩＤＴである。反射器とＩＤＴの
導体群の配置は図１で説明した内容と同一である。次に
前述の図１と図２による構成の具体的実施例の一つを図
３により紹介する。図３は各ＩＤＴと反射器間を立体的
配線パターンを必要とせず行うものである。もちろん図
１と図２に於て各ＩＤＴの接続がワイヤーボンディング
によりなされてもかまわない。図３の各部位の名称を説
明すると、３００は圧電体平板、３０１と３０２は反射
器、３０２１と３０３は及び３０６と３０７は励振又は
検出用ＩＤＴ、３０４と３０５は検出又は励振用ＩＤＴ
である。３０８と３１１は入出力端子、３０９と３１０
は接地端子であって外部回路に接地されている容器の接
地部位に接続手段でもって接続される。ＩＤＴの電極３
０４は接続導体３１２と３１３により弾性表面波の伝播
路を横断して接地端子３０９と３１０に接続される。３
１２と３１３の接続導体の幅ｂは、図１で説明した１体
化ＩＤＴの導体の１本の左端から少数本離れた他のもう
１本の導体の右端にわたる様に設けられているものとす
る。 もちろん反射器とＩＤＴの導体群の配置は図１で説明し
た通りとする。
（１）但し、ここでＭはＩＤＴに於て正負電極を
１対としたときの対数、ａは電極１本当たりの弾性表面
波の反射係数、Ｈは導体膜厚、λは弾性表面波の波長で
ある。例えば前記ＳＴカット水晶板でＡｌ導体で形成さ
れたＩＤＴであれば、Ｍが８０以上あれば充分に１ポー
トＳＡＷ共振子を構成できる。このときГ＝２．４４８
程度となる。本発明の２ポートＳＡＷ共振子にあっては
前述の本発明の１部である１ポートＳＡＷ共振子のＩＤ
Ｔ電極を３部に分割して励振と検出用ＩＤＴを構成して
２ポートＳＡＷ共振子としている。但し分割に際してＩ
ＤＴを形成する導体配列はそのままとして、導体群の両
端を正負電極に対応して横に接続するバスバー導体を特
定位置にて分割して１体化したＩＤＴを３つに分割する
ものとする。図１中破線が分割により除去されたバスバ
ー導体である。図１に於ては１体化ＩＤＴの両側を１０
１の交流電源に接続して励振用ＩＤＴ即ち入力端子とし
１体化ＩＤＴの中央部ＩＤＴを１０２の検出回路に接続
して検出用ＩＤＴ（出力端子）として２ポートＳＡＷ共
振子を構成している。次に図２は、図１の２ポートＳＡ
Ｗ共振子の入力と出力端子を交換したものであり、１体
化ＩＤＴの中央部が励振用ＩＤＴに両端部が検出用ＩＤ
Ｔとして構成されている。各部位の名称は、２００は圧
電体平板、２０１は交流電源、２０２は終端負荷インピ
ーダンス、２０３と２０４は反射器、２０５と２０６及
び２０９と２１０は各々第１と第２の検出用ＩＤＴ、２
０７と２０８は励振用ＩＤＴである。反射器とＩＤＴの
導体群の配置は図１で説明した内容と同一である。次に
前述の図１と図２による構成の具体的実施例の一つを図
３により紹介する。図３は各ＩＤＴと反射器間を立体的
配線パターンを必要とせず行うものである。もちろん図
１と図２に於て各ＩＤＴの接続がワイヤーボンディング
によりなされてもかまわない。図３の各部位の名称を説
明すると、３００は圧電体平板、３０１と３０２は反射
器、３０２１と３０３は及び３０６と３０７は励振又は
検出用ＩＤＴ、３０４と３０５は検出又は励振用ＩＤＴ
である。３０８と３１１は入出力端子、３０９と３１０
は接地端子であって外部回路に接地されている容器の接
地部位に接続手段でもって接続される。ＩＤＴの電極３
０４は接続導体３１２と３１３により弾性表面波の伝播
路を横断して接地端子３０９と３１０に接続される。３
１２と３１３の接続導体の幅ｂは、図１で説明した１体
化ＩＤＴの導体の１本の左端から少数本離れた他のもう
１本の導体の右端にわたる様に設けられているものとす
る。 もちろん反射器とＩＤＴの導体群の配置は図１で説明し
た通りとする。
【０００７】次に本発明によって得られるＳＡＷ共振子
の特性を図４から図６を用いて説明する。まず図４は前
述の１体化されたＩＤＴのがもつ１ポートＳＡＷ共振子
が示すインピーダンスＺの周波数に対する変化である。 縦軸はインピーダンスＺ、横軸は周波数である。Ｚの最
小を与える周波数が直列共振周波数ｆ２を又Ｚの最大を
与える周波数ｆａは並列共振周波数を与える。図中の４
０２のφはＺの位相ａｒｇ（Ｚ）を与える。次に図６は
、前述の１ポートＳＡＷ共振子の１体化されたＩＤＴを
従来と同様に中央にて２分割して２ポートＳＡＷ共振子
を構成した場合に、これが示す伝送特性である。図中、
縦軸は伝送量ＳＢの対数をとった値Ｇ（４０５）である
、ここでＳＢは２ポートＳＡＷ共振子への入力電圧Ｖ１
と出力電圧Ｖ２の比Ｖ１／Ｖ２である。又４０６のφは
ＳＢの位相ａｒｇ（ＳＢ）を与える。Ｇの最小値を与え
る周波数ｆ１は前述の図４中のｆ２と大きく異なる値を
とる。位相φはｆ１の近傍で９０°から２７０°に変化
する。φはｆ１に於ては１８０°となっている。一方図
５は、本発明の２ポートＳＡＷ共振子図１、図２が示す
図６と同様な伝送特性を示すものであって、伝送量ＳＢ
の対数値Ｇ（４０３）が最小値を示す周波数ｆ０は図４
のｆｒと全く一致した値をとる。４０４のφは前記ＳＢ
の位相ａｒｇ（ＳＢ）であって、周波数ｆ０に於てφは
１８０°をとる。図１と図２の実施例ともに同一の図５
の特性をとりうることに注意を要する。それでは何故、
従来の２分割ＩＤＴに於てｆ１≠ｆｒであり、図１、図
２、図３による３分割ＩＤＴに於てｆ０＝ｆｒとなるか
について説明する。まず従来例にあっては、２分割され
たＩＤＴの一方は交流電源により励振されるのに反して
、他方はインピーダンスＺにより終端されて基本的には
弾性表面波を反射する機能をはたすことになる。従って
１ポートＳＡＷ共振子のような１体化されたＩＤＴの中
心に於て振動変位が最大となる如き変位の対称性が得ら
れなくなり、ｆ１≠ｆｒとなったものである。ｆ１はイ
ンピーダンスＺの影響を受けるから共振周波数の安定性
が悪い。一方３分割ＩＤＴの場合にあっては、図１、図
２いずれの状態でも、共振子中央に対して変位の対称性
が得られるために結果としてｆ０＝ｆｒとなり共振現象
が、検出側の終端負荷インピーダンスＺに影響されない
こととなり安定な周波数が得られていると考えられる。 ついでながら、図１、図２、図３の例にあっても従来と
同様に入力、出力インピーダンスを、励振と検出ＩＤＴ
の対数を調整することにより一致させることができる。 さらに図５に於てｆ０に於る位相を０°としてφの変化
を−９０°から９０°とするためには励振用ＩＤＴが検
出用ＩＤＴのいずれか一方のＩＤＴに於て電極導体のバ
スバーへの接続を正負逆とすれば実現できる。図３はｆ
０に於て０°となる２ポートＳＡＷ共振子を与える。も
ちろん２ポートＳＡＷ共振子の入力と出力端いずれか一
方に於て交流電源又は終端負荷インピーダンスへの接続
を逆にしても同様な結果が得られる。
の特性を図４から図６を用いて説明する。まず図４は前
述の１体化されたＩＤＴのがもつ１ポートＳＡＷ共振子
が示すインピーダンスＺの周波数に対する変化である。 縦軸はインピーダンスＺ、横軸は周波数である。Ｚの最
小を与える周波数が直列共振周波数ｆ２を又Ｚの最大を
与える周波数ｆａは並列共振周波数を与える。図中の４
０２のφはＺの位相ａｒｇ（Ｚ）を与える。次に図６は
、前述の１ポートＳＡＷ共振子の１体化されたＩＤＴを
従来と同様に中央にて２分割して２ポートＳＡＷ共振子
を構成した場合に、これが示す伝送特性である。図中、
縦軸は伝送量ＳＢの対数をとった値Ｇ（４０５）である
、ここでＳＢは２ポートＳＡＷ共振子への入力電圧Ｖ１
と出力電圧Ｖ２の比Ｖ１／Ｖ２である。又４０６のφは
ＳＢの位相ａｒｇ（ＳＢ）を与える。Ｇの最小値を与え
る周波数ｆ１は前述の図４中のｆ２と大きく異なる値を
とる。位相φはｆ１の近傍で９０°から２７０°に変化
する。φはｆ１に於ては１８０°となっている。一方図
５は、本発明の２ポートＳＡＷ共振子図１、図２が示す
図６と同様な伝送特性を示すものであって、伝送量ＳＢ
の対数値Ｇ（４０３）が最小値を示す周波数ｆ０は図４
のｆｒと全く一致した値をとる。４０４のφは前記ＳＢ
の位相ａｒｇ（ＳＢ）であって、周波数ｆ０に於てφは
１８０°をとる。図１と図２の実施例ともに同一の図５
の特性をとりうることに注意を要する。それでは何故、
従来の２分割ＩＤＴに於てｆ１≠ｆｒであり、図１、図
２、図３による３分割ＩＤＴに於てｆ０＝ｆｒとなるか
について説明する。まず従来例にあっては、２分割され
たＩＤＴの一方は交流電源により励振されるのに反して
、他方はインピーダンスＺにより終端されて基本的には
弾性表面波を反射する機能をはたすことになる。従って
１ポートＳＡＷ共振子のような１体化されたＩＤＴの中
心に於て振動変位が最大となる如き変位の対称性が得ら
れなくなり、ｆ１≠ｆｒとなったものである。ｆ１はイ
ンピーダンスＺの影響を受けるから共振周波数の安定性
が悪い。一方３分割ＩＤＴの場合にあっては、図１、図
２いずれの状態でも、共振子中央に対して変位の対称性
が得られるために結果としてｆ０＝ｆｒとなり共振現象
が、検出側の終端負荷インピーダンスＺに影響されない
こととなり安定な周波数が得られていると考えられる。 ついでながら、図１、図２、図３の例にあっても従来と
同様に入力、出力インピーダンスを、励振と検出ＩＤＴ
の対数を調整することにより一致させることができる。 さらに図５に於てｆ０に於る位相を０°としてφの変化
を−９０°から９０°とするためには励振用ＩＤＴが検
出用ＩＤＴのいずれか一方のＩＤＴに於て電極導体のバ
スバーへの接続を正負逆とすれば実現できる。図３はｆ
０に於て０°となる２ポートＳＡＷ共振子を与える。も
ちろん２ポートＳＡＷ共振子の入力と出力端いずれか一
方に於て交流電源又は終端負荷インピーダンスへの接続
を逆にしても同様な結果が得られる。
【０００８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、２ポ
ートＳＡＷ共振子の長手方向中心に対して、励振用ＩＤ
Ｔと検出用ＩＤＴを対称に配置することにより、出力側
の終端負荷インピーダンスＺの変動状態にかかわらず共
振周波数が変化せず極めて安定度の高い２ポートＳＡＷ
共振子が得られる。さらにこの２ポートＳＡＷ共振子を
用いて発振回路を構成した場合には、温度変化によって
発振回路中の前記Ｚに相当する素子の値が変化してもほ
ぼ一定の伝送特性を維持するため極めて安定なＳＡＷ発
振器が実現でき今後多くのＵＨＦ帯用機器のクロック源
として使用できる。
ートＳＡＷ共振子の長手方向中心に対して、励振用ＩＤ
Ｔと検出用ＩＤＴを対称に配置することにより、出力側
の終端負荷インピーダンスＺの変動状態にかかわらず共
振周波数が変化せず極めて安定度の高い２ポートＳＡＷ
共振子が得られる。さらにこの２ポートＳＡＷ共振子を
用いて発振回路を構成した場合には、温度変化によって
発振回路中の前記Ｚに相当する素子の値が変化してもほ
ぼ一定の伝送特性を維持するため極めて安定なＳＡＷ発
振器が実現でき今後多くのＵＨＦ帯用機器のクロック源
として使用できる。
【図１】本発明の２ポートＳＡＷ共振子の一実施例を示
す平面図。
す平面図。
【図２】本発明の他の実施例を示す平面図。
【図３】本発明の具体的な導体パターンを示す平面図。
【図４】１ポートＳＡＷ共振子が示す共振特性図。
【図５】本発明の２ポートＳＡＷ共振子が示す伝送特性
を示す図。
を示す図。
【図６】従来の２ポートＳＡＷ共振子が示す伝送特性を
示す図である。
示す図である。
１００ 圧電体平板
１０３と１０４ 反射器
１０５と１０６ 第１の励振用ＩＤＴ１０９と１１０
第２の励振用ＩＤＴ１０７と１０８ 検出用ＩＤ
Ｔ １０１ 交流電源 １０２ 終端負荷インピーダンス
第２の励振用ＩＤＴ１０７と１０８ 検出用ＩＤ
Ｔ １０１ 交流電源 １０２ 終端負荷インピーダンス
Claims (4)
- 【請求項１】圧電体平板上に１対の反射器にはさまれた
弾性表面波を励振するＩＤＴを形成した２ポートＳＡＷ
共振子に於て、前記反射器とＩＤＴは金属導体ストリッ
プを周期的に配置してなり、さらに反射器とＩＤＴの最
も近接したストリップ中心間隔は、ＩＤＴのもつライン
対スペース比のスペースに対応しており、またＩＤＴの
放射コンダクタンスの最大値を与える周波数と反射器の
もつ反射中心周波数をほぼ一致せしめるとともに、ＩＤ
Ｔのもつトータル反射係数ΓをΓ＞０．８としたいわゆ
るエネルギー閉込型ＳＡＷ共振子を構成した上で、前記
ＩＤＴを複数に分割して入出力ポートを構成したことを
特徴とする２ポートＳＡＷ共振子。 - 【請求項２】反射器のライン対スペース比がほぼ１でか
つ、ＩＤＴのライン対スペース比が１以上であることを
特徴とする請求項１記載の２ポートＳＡＷ共振子。 - 【請求項３】ＩＤＴを３つに分割した上で、反射器側に
配置した２つを励振用ＩＤＴとし、中央の１つを検出用
ＩＤＴとしたことを特徴とする請求項１記載の２ポート
ＳＡＷ共振子。 - 【請求項４】ＩＤＴを３つに分割した上で、中央の１つ
を励振用ＩＤＴとし、反射器側に配置した２つを検出用
ＩＤＴとしたことを特徴とする請求項１記載の２ポート
ＳＡＷ共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983991A JPH04259109A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | ２ポートｓａｗ共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983991A JPH04259109A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | ２ポートｓａｗ共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04259109A true JPH04259109A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12010446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983991A Pending JPH04259109A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | ２ポートｓａｗ共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04259109A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07283686A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波共振子フィルタ |
| US6049260A (en) * | 1998-01-16 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter having parameters optimized to suppress spurious signals |
| US6160339A (en) * | 1997-07-17 | 2000-12-12 | Seiko Epson Corporation | Two-port saw resonator |
| US6255916B1 (en) * | 1993-05-27 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Resonator-type surface-acoustic-wave filter for reducing the signal strength of a spurious peak |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP1983991A patent/JPH04259109A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255916B1 (en) * | 1993-05-27 | 2001-07-03 | Fujitsu Limited | Resonator-type surface-acoustic-wave filter for reducing the signal strength of a spurious peak |
| JPH07283686A (ja) * | 1994-04-12 | 1995-10-27 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波共振子フィルタ |
| US6160339A (en) * | 1997-07-17 | 2000-12-12 | Seiko Epson Corporation | Two-port saw resonator |
| US6049260A (en) * | 1998-01-16 | 2000-04-11 | Nec Corporation | Surface acoustic wave filter having parameters optimized to suppress spurious signals |
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