CN1239445A - 薄膜涂覆装置和方法以及生产液晶显示器的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种生产液晶显示器的方法，该方法包括以下步骤：在一对透明衬底的表面上形成透明电极和半导体电路元件的步骤，以及涂覆光刻胶、曝光、蚀刻、脱除光刻胶、检查电极和半导体电路元件、形成绝缘膜、形成取向膜、摩擦取向膜、涂布间隔层、涂覆密封剂、装配液晶盒、填充液晶、粘贴偏振片、连接驱动器IC等各种步骤，其特征在于，在摩擦取向膜之前的至少一个步骤中用软X－射线照射衬底以高产量地生产液晶显示器，在该显示器中象素缺陷的数量是很少的。

Description

薄膜涂覆装置和方法以及生产液晶显示器的方法
本发明涉及薄膜涂覆装置、涂覆薄膜的方法、使用软X-射线生产液晶显示器的方法以及采用该方法生产的液晶显示器。
由于液晶显示器可以在低电压下驱动、重量轻且可提供高质量的图像，因而已有效地将其引入像个人计算机和字处理器之类的OA(办公自动化)设备的领域。当液晶显示器用于这些用途时，通常采用的是扭转向列型的器件，其中，向列型液晶分子的取向在一对上部和下部电极衬底的表面之间扭转90°。液晶分子的扭转角增加到像180°-300°这样大的液晶显示器通称为超扭转向列型。此外，为了实现矩阵显示或彩色显示，近年来积极地开发采用MIM(金属-绝缘层-金属)电路元件(通过它可以实现大量象素电极的ON-OFF)或采用TFT(场效应型薄膜晶体管)电路元件的有源矩阵式扭转向列型液晶显示器。
在日本专利公开公报Hei2-2525中公开了一种技术，其中，将并行的X-射线照射到其表面备有X-射线抗蚀层的衬底上，然后将该衬底浸入显影剂和漂洗液中以增加衬底表面上形成的液晶分子的预倾斜(pretilt)角。根据该公报中所公开的这项技术，将X-射线抗蚀层暴露在X-射线下，然后浸入显影剂和漂洗液中以便在X-射线抗蚀层的表面上形成显微的凹凸部分从而使液晶分子定位。
在日本专利公开公报Hei8-211622中公开了应用软X-射线脱静电效应来涂覆薄膜的装置的实例。
另一方面，在日本专利公开公报Hei8-45695和Hei8-124695中，公开了采用软X-射线消除静电的装置。这些公报中所公开的装置主要是将采用软X-射线电离了的空气鼓吹到物体上。
根据本发明人几年前提交的申请所公开的日本专利公开公报Hei8-50293中，公开了一些包括在摩擦处理后在气体中用X-射线照射取向膜以生产液晶显示器的方法。更准确而言，在该公开中说明了一种技术，其中将软X-射线照射到通过摩擦处理活化了的取向膜上，以降低该取向膜的表面能从而防止在液晶显示器中发生不均匀显示。
由于已进入了多媒体时期，且已在寻求多种字符显示和图形显示，因此，必然要着手扩展液晶显示器的屏幕尺寸、获得大量的象素和精密的显示。为了适应上述情况，液晶显示器的产量在某种程度上处于降低的趋势。可以提及的一些影响产量降低的因素有：在一部分屏幕上出现具有不同对比度或不同色度区域的上述不均匀显示，以及发生象素缺陷，例如在黑显示时象素变得无光的白缺陷，和在白显示时该象素不传送光的黑缺陷。
在生产液晶显示器的步骤中，会出现许多例如所谓尘埃、反应产物和衬底碎片或周围物质的颗粒。这些颗粒会滑移到液晶显示器中并成为上述不均匀显示和象素缺陷的主要原因。随着净化技术的改进，大颗粒已经很少滑移到显示器中。然而，仍然难以完全除去如像由人体产生的脂肪酸那样极细的颗粒。
近来，为了除去极细的颗粒，采用能喷射空气的喷嘴像用擦净器那样操作的方式进行干式洗涤处理，以及采用纯水或有机溶剂进行温式洗涤处理。然而，采用干式洗涤处理难以完全除去极细的颗粒。有人指出，采用温式洗涤处理，极少量的杂质甚至会包含在洗涤液中，而且，也难以将这些杂质完全除去。
另一方面，众所周知在生产液晶显示屏的步骤中，特别是在输送玻璃衬底时，或在薄膜涂覆步骤或类似的操作中可产生例如6-10keV这样极高的静电。结果，一些颗粒就容易通过所产生的静电粘附在衬底上，这一事实已成为液晶显示器产量降低的最主要原因。鉴于静电的问题，尽管有一种方法，其中采用增湿器将湿度增加到60-70％，或另一种方法，其中安装了离子发生器用以克服上述颗粒的粘附，然而，这些方法仍不足以解决问题。可以提及的静电的有害作用有，由于静电击穿、有源器件失灵等造成电极的断路或短路。
如上所述，为了增加液晶显示器的产量，重要的是减少生产设备中的颗粒数量，以便抑制由于静电而使颗粒粘附到衬底上，并通过洗涤将粘附的颗粒除去。然而，根据常规的方法，难以从根本上解决这些问题。
在涂覆或形成如像光刻胶、绝缘膜和取向膜这类薄膜的步骤中，甚至通过洗涤处理，也难以除去在涂覆、蒸发和干燥步骤中粘附在衬底表面上的颗粒，这是因为在将具有流动性的液体涂覆在该衬底表面上之后的一些步骤中，溶剂会蒸发，且这样形成的薄膜会干燥；因此，这个困难变成特别严重的问题。
本发明的目的是改进如上所述的现有技术中的缺陷；提供涂覆薄膜的装置和方法，该装置和方法对于消除在生产液晶显示器的一些步骤中所产生的静电是有效的；提供一些方法，其中在生产液晶显示器的一些步骤中所产生的静电可以有效地消除，以增加产量；并提供采用上述方法所生产的液晶显示器。
在上述日本专利公开公报Hei8-50293中，公开了一种技术，其中在摩擦处理后，将软X-射线照射衬底的表面。然而，由于本发明人努力研究的结果，已发现在生产液晶显示器的过程中，在摩擦处理之前的步骤中通过将软X-射线照射衬底的表面可以有效地防止不均匀显示发生，导致完成了本发明。
本发明概述如下：(1)一种薄膜涂覆装置，该装置包括能够在该装置中移动衬底的衬底移动部分，在该衬底上形成薄膜的涂覆部分，以及在衬底移动部分或衬底涂覆部分发射软X-射线到衬底上的软X-射线照射部分。(2)上述(1)中的薄膜涂覆装置，其中在软X-射线照射部分中的软X-射线的能量为4-9.5keV。(3)上述(1)中的薄膜涂覆装置，其中从衬底到软X-射线源的距离小于1500mm。(4)上述(1)中的薄膜涂覆装置，其中软X-射线照射部分包括能够分别在涂覆部分的前面和后面的位置发射软X-射线到衬底上的第一和第二软X-射线照射部分。(5)上述(1)中的薄膜涂覆装置，其中该薄膜是光刻胶膜。(6)上述(1)中的薄膜涂覆装置，其中该薄膜是绝缘膜。(7)上述(1)中的薄膜涂覆装置，其中该薄膜是取向膜。(8)一种涂覆薄膜的方法，该方法包括采用上述(1)中的薄膜涂覆装置，将该衬底安置在衬底移动部分上，并在涂覆部分中在衬底上形成薄膜。(9)上述(8)中的涂覆薄膜的方法，其中该薄膜是光刻胶膜。(10)上述(8)中的涂覆薄膜的方法，其中该薄膜是绝缘膜。(11)上述(8)中的涂覆薄膜的方法，其中该薄膜是取向膜。(12)一种生产液晶显示器的方法，该方法包括：在一对透明衬底的表面上形成透明电极和半导体电路元件的步骤，根据预定的图案在衬底表面上涂覆光刻胶的步骤，使涂覆在衬底上的光刻胶曝光的步骤，将该衬底进行蚀刻处理的步骤，将该光刻胶从衬底上脱除的步骤，检查透明电极和半导体电路元件的步骤，在该衬底上形成绝缘膜的步骤，在该衬底上形成取向膜的步骤，摩擦该衬底上形成的取向膜的步骤，在该衬底上涂布间隔层的步骤，在该衬底上涂覆密封剂的步骤，堆叠衬底的步骤，在衬底之间保持预定厚度的间隙的步骤，将衬底切割成预定尺寸的步骤，在间隙中填充液晶材料的步骤，将偏振片粘贴在该衬底上的步骤，以及将驱动器IC连接到透明电极上的步骤，包括在摩擦取向膜步骤之前的至少一个步骤中在气体中用软X-射线照射该衬底的改进。(13)上述(12)中的生产液晶显示器的方法，其中该软X-射线的照射能量为4-9.5keV。(14)上述(12)中的生产液晶显示器的方法，其中从该衬底到软X-射线源的距离小于1500mm。(15)一种采用上述(12)中的方法生产的液晶显示器。(16)上述(15)中的液晶显示器，其中该液晶材料是包括至少一种以通式(2)或(3)表示的化合物的混合物
Figure A9880137200071
式中R1和R3独立地代表具有1-10个碳原子的直链烷基或具有2-10个碳原子的链烯基；R2和R4独立地代表具有1-10个碳原子的直链烷基或烷氧基、-CN、氟原子、氯原子、-CF3、-CHF2、-OCF3或-OCHF2；S1、S2、S3和S4独立地代表氢原子、氟原子、氯原子、-CF3、-CHF2、-OCF3或-OCHF2；Z1、Z2和Z3独立地代表-COO-、-CH2CH2-、-C≡C-或单键；A1、A2和A3独立地代表 或
Figure A9880137200084
本发明的薄膜涂覆装置的特征在于具有可在该装置中移动或转移衬底的衬底移动部分，在该衬底上形成薄膜的涂覆部分，将软X-射线发射到衬底移动部分或衬底涂覆部分中的衬底上的软X-射线照射部分。
本发明的基本原理是在涂覆或形成薄膜的步骤中在衬底上产生的静电可以容易地和有效地通过经具有长波长的软X-射线离子化气态离子的吸收而消除，通过静电消除作用可以防止涂覆了的表面上粘附颗粒和静电击穿，以提高产品的产量。
用于本发明的软X-射线照射装置并没有特别的限制，就软X-射线的能量而言，只要它们能稳定地控制其输出为4-9.5keV即可。软X-射线的照射时间也没有特别的限制。然而，它通常为0.5秒或更长且优选2-300秒。当照射时间小于0.5秒时，软X-射线照射的效果不大。虽然软X-射线照射所经过的距离没有特别的限制，但是通常将该距离调节到小于1500mm且优选10-400mm。
用于本发明的软X-射线照射装置可以装载在旋涂型光刻胶涂覆装置、绝缘膜涂覆装置或取向膜涂覆装置上使用，这些装置备有(a)称之为给料器的溶液供给设备，可使溶液滴落到具有在其一侧上形成的预定电极的透明衬底表面上和(b)用于通过离心力摊平滴落在透明衬底表面上的涂覆溶液的旋转台。
在本发明中，软X-射线在哪种气氛中照射完全没有限制，只要它是气体即可。作为优选的气体可以提及的有空气、氮气、二氧化碳气、水蒸汽、氦、氖、氩、它们中的至少一种与氧的混合气、及其混合气。
用于本发明的软X-射线由于其能量较低，在其穿过物质的能力上是极弱的。其能力处于这样的能级，在该能级下传送软X-射线能够容易地被透明聚氯乙烯板或类似的材料屏蔽，因而软X-射线对人体并不造成威胁，而且甚至从安全监督的观点来看也不会出现问题。
参照附图对采用光刻胶作为薄膜的本发明的薄膜涂覆装置叙述如下。
图1是本发明的光刻胶涂覆装置实例的前视图。
图2是本发明的光刻胶涂覆装置实例的侧视图。
图3是本发明的光刻胶涂覆装置实例的平面图。
图4是本发明的取向膜涂覆装置实例的前视图。
图5是本发明的取向膜涂覆装置实例的侧视图。
图6是本发明的取向膜涂覆装置实例的平面图。
图1、2和3分别是说明本发明的一个实施方案的光刻胶涂覆装置的前视图、侧视图和平面图。
光刻胶涂覆装置1主要由玻璃或类似材料制成并放在旋转台4表面上的透明衬底3组成；用来将光刻胶溶液滴落在透明衬底3表面上的给料器2；包括在上述旋转台4中且能抬高透明衬底3的一边以便于将透明衬底3从旋转台4上拆除的自由突出式上推销钉(freely projectable pushup pin)6；用于在衬底表面上照射软X-射线的装置8和9。在图中，5是基座，10是软X-射线的照射窗，12是装置8的支杆，13是配备在柱11上用于支杆的金属联轴器。
在上述结构中，当按操作段7中的启动钮(图中未示出)时，预定量的光刻胶溶液即从给料器2中滴落在通过真空吸附固定在旋转台4上且其上具有形成了透明电极的透明玻璃衬底3的表面上，旋转台4按预定的旋转速度旋转，从而使光刻胶溶液涂覆在该衬底的整个表面上。
虽然在附图中示出的光刻胶涂覆装置中装备了两个软X-射线照射装置，第一个软X-射线照射装置8是在光刻胶涂覆处理实际上进行(换言之，在光刻胶涂覆处理的过程中)的位置上照射旋转台4上的透明衬底，而第二个软X-射线照射装置9是在涂覆处理之前或之后准备或等待(换言之在涂覆处理之前或之后)的位置(图1的右边)上照射旋转台4上的透明衬底3。调节软X-射线照射装置8和9的照射范围(斜纹阴影区)，致使软X-射线从照射窗口10按110°(θ)的角度呈锥形照射到所有的方向。照射强度按照与距离的平方成反比增加，因此，当比较照射范围的中心部分和末端部分的照射强度时，末端部分的照射强度约小20％。因此，两个软X-射线照射装置这样安装，致使它们能按任选高度和任选角度放置在基座5上。具体而言，软X-射线照射装置8，例如与可按基座5上的任选位置安装的柱11一起坚固地支持在基座5上，支杆12可任意地按垂直于柱11的方向安置，呈夹钳形式的金属联轴器13可以相对可移动的方式牢固地与柱和支杆连接。
此外，用于本发明的软X-射线照射装置可以装载在胶印型光刻胶涂覆装置、绝缘膜涂覆装置或取向膜涂覆装置上使用，这些装置备有(a)按平行于透明衬底表面固定的筒形印刷辊，该透明衬底具有在其一侧上形成的预定电极且与印刷辊表面之间的距离可以改变(b)在旋转该辊时，按预定方向相对于透明衬底移动印刷辊的驱动设备。
图4、5和6分别是说明本发明另一个实施方案的取向膜涂覆装置的前视图、侧视图和平面图。
取向膜涂覆装置21主要由玻璃或类似材料的透明衬底22组成，该衬底具有在其一侧形成的预定电极；在其上放置了衬底22的可移动台23；以可移动方式水平支承的旋转式筒形印刷辊24，这样它能够与放置在可移动台23上的透明衬底22接触，并具有环绕其外周围表面的浮雕；用于传送溶液以便在该凹形物的表面上形成取向膜的anirox辊25；用于滴落溶液以便形成取向膜的的给料器26；用于铺平滴落的取向膜溶液的刮刀辊27。
台23以这样的方式支承，即，它可以通过所谓的线性导向装置按往返的方向(图5中左和右的方向)移动，该导向装置包括一对平行固定在基座28上的轨道29和滑动地装配在其上的支承部件30，并通过由排列在轨道29和用球状螺母拧紧的螺母元件32之间的球状螺母31组成的所谓直接驱动装置用伺服电动机(图中未示出)驱动。在台23顶面上，包括能够抬高透明衬底22一边的可自由上推的销钉33，以便于将衬底22从台23上拆除。筒形印刷辊24通过电动机转动，并以柱部分34(基座28)支承，致使它能够平行地按向上和向下的方向移动。
基于上述结构，当按操作段35中的启动钮(图中未示出)时，筒形印刷辊24按预定的速度旋转，并按预定的距离下降，台23按预定的速度移动，从而在透明玻璃衬底22表面上进行取向膜涂覆，该透明玻璃衬底通过真空吸附固定在台23上且其上具有形成的透明电极。
虽然在本发明的取向膜涂覆装置中甚至可以安装两个软X-射线照射装置(36和37)，第一个软X-射线照射装置36是在实际上进行取向膜涂覆的位置上(换言之，在取向膜涂覆处理的过程中)照射台23上的透明衬底22，而第二个软X-射线照射装置37是在涂覆处理之后(换言之在取向膜涂覆处理之后)当台23处于准备或等待的位置(图5的右边)时，照射台23上的透明衬底22。
如上所述，虽然用于本发明的软X-射线照射装置在生产液晶显示器的步骤中可以装载在光刻胶涂覆装置、绝缘膜涂覆装置或取向膜涂覆装置上使用，但是，本发明的这些装置可以应用到除上述装置以外的任一种装置上，只要它们是如像用于生产半导体的步骤中所用的光刻胶涂覆装置和绝缘膜涂覆装置(在这些装置中，静电的产生成为问题)即可。
本发明的液晶显示器的生产方法包括：在一对透明衬底的表面上形成透明电极和半导体电路元件的步骤，根据预定的图案在衬底表面上涂覆光刻胶的步骤，使涂覆在衬底上的光刻胶曝光的步骤，将该衬底进行蚀刻处理的步骤，将该光刻胶从衬底上脱除的步骤，检查透明电极和半导体电路元件的步骤，在该衬底上形成绝缘膜的步骤，在该衬底上形成取向膜的步骤，摩擦该衬底上形成的取向膜的步骤，在该衬底上涂布间隔层的步骤，在该衬底上涂覆密封剂的步骤，堆叠衬底的步骤，在衬底之间保持预定厚度的间隙的步骤，将衬底切割成预定尺寸的步骤，在间隙中填充液晶材料的步骤，将偏振片粘贴在该衬底上的步骤，以及将驱动器IC连接到上述透明电极上的步骤，该方法的特征在于在上述摩擦处理之前的至少一个步骤中在气体中用软X-射线照射该衬底。
在本发明生产液晶显示器的方法中所用的软X-射线照射装置可以装载在各种装置上。即，该软X-射线照射装置可以装载在以下装置上使用：薄膜形成装置，通过该装置，采用溅射、等离子体CVD或真空淀积的方法，在透明衬底上形成透明电极和半导体电路元件；光刻胶涂覆装置；接近式、透镜投影型或反射镜投影型光刻胶曝光装置；采用气体等离子体用于化学干蚀刻的或采用盐酸、硝酸、氢氟酸等用于湿蚀刻的蚀刻装置；采用强碱用于化学脱除过程或用于氧等离子体灰化过程的光刻胶脱除装置；透明电极或半导体电路元件的检查装置；绝缘膜涂覆装置；取向膜涂覆装置。这些软X-射线照射装置并没有特别的限制，通常只要它们能在液晶显示器进行摩擦处理之前的各个步骤中使用即可。
在本发明中，优选聚酰亚胺树脂用作形成取向膜的材料。可以采用的聚酰亚胺是通过采用具有通式(1)表示的结构单元的聚酰胺酸作为其前体制备的材料
Figure A9880137200121
式中R1代表四价脂环族烃、芳族烃或杂环族烃的残余物，其中它可以具有一种基团例如卤素，R2代表二价烃的残余物，其中它可以具有-O-、-S-、卤素原子或氰基。
即，通过将二氨基化合物与具有芳环的四羧酸二酐例如均苯四酸二酐，或脂环族二酐例如环丁烷酸等反应而得的聚酰胺酸均优选采用。
作为四羧酸二酐可以提及的有芳族四羧酸二酐例如均苯四酸二酐、3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐、2，2’，3，3’-联苯四羧酸二酐、2，3，3’，4’-联苯四羧酸二酐、3，3’，4，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2，3，3’，4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2，2’，3，3’-二苯甲酮四羧酸二酐、双(3，4-二羧基苯基)磺酸二酐、1，2，5，6-萘四羧酸二酐和2，3，6，7-萘四羧酸二酐，而作为脂环族四羧酸，具有环的脂环族四羧酸的二酐例如环丁烷、环己烷、环辛烷和二环辛烷以及具有以下结构式之一的化合物均可提及
Figure A9880137200131
式中m是1-4的整数
作为是聚酰胺酸的起始材料的另一方面的二氨基化合物，芳族二氨基化合物可以提及的有例如
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-4-甲基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-4-乙基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-4-丙基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-4-丁基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-4-戊基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-4-己基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-4-庚基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-4-辛基环己烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丁烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]戊烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]己烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]庚烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]辛烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]壬烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]癸烷、
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]十二烷、
1，1-双[4-(4-氨基苄基)苯基]环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苄基)苯基]-4-甲基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苄基)苯基]-4-乙基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苄基)苯基]-4-丙基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苄基)苯基]-4-丁基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苄基)苯基]-4-戊基环己烷、
1，1-双[4-(4-氨基苄基)苯基]甲烷、
4，4’-二氨基苯基醚、
4，4’-二氨基二苯甲烷、
4，4’-二氨基二苯砜、
4，4’-二氨基二苯硫醚、
4，4’-二(间-氨基苯氧基)二苯砜、
4，4’-二(对-氨基苯氧基)二苯砜、
邻苯二胺、
间苯二胺、
对苯二胺、
联苯胺、
2，2’-二氨基二苯甲酮、
4，4’-二氨基二苯甲酮、
4，4’-二氨基二苯基-2，2’-丙烷、
1，5-二氨基萘、
1，8-二氨基萘、和
2，2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六甲基丙烷和脂环族二氨基化合物例如1，4-二氨基环己烷和4，4’-二氨基二环己基甲烷。
然而，用于本发明取向膜的起始材料的四羧酸二酐和二氨基化合物并不限于上述那些化合物。此外，酸酐和二氨基化合物可以采用其两种或多种的组合。
为了在衬底上形成本发明的取向膜，通常采用一种方法，其中将聚酰胺酸(它是聚酰亚胺化合物的前体且可通过四羧酸二酐与二氨基化合物缩合得到)溶于溶剂，然后将该溶液涂覆在衬底上并加热以形成酰亚胺，因为聚酰亚胺化合物不溶于溶剂。具体而言，可将聚酰胺酸溶于溶剂例如N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基甲酰胺(DMF)、二甲亚砜(DMSO)、丁二醇一丁醚(BC)、二甘醇一乙醚、丙二醇一丁醚和3-甲基-3-甲氧基丁醇以制备具有浓度为0.1-30％(重量)、优选1-10％(重量)的聚酰胺酸溶液，然后，采用刷涂法、浸涂法、旋涂法、喷涂法、印刷法等将该溶液涂覆在衬底上以便在该衬底上形成涂覆了的薄膜。形成薄膜后，在50-150℃、优选80-120℃的温度下将该溶剂蒸发除去，然后在150-400℃、优选180-280℃的温度下将该薄膜加热以进行脱氢环化反应，从而形成包括聚苄基酰亚胺型聚合物的液晶取向膜。
在这样得到的聚合物膜粘附在衬底上不良的情况下，通过提前用硅烷偶合剂处理该衬底的表面，然后再形成聚合物膜，即可改进其粘附。采用如上所述的这种方法，通过在衬底表面上形成有机聚合物薄膜，然后按某一规定的方向用布摩擦该薄膜的表面，即可获得液晶的取向膜。
作为用于本发明的液晶显示器的液晶材料，除普通向列型液晶以外，任一种材料均可采用，只要这些材料是具有其中加进了二色性染料的液晶、铁电体液晶、反铁电体液晶或可以用于普通显示器的其他液晶。
作为可以用于本发明的液晶组分，可以作为其实例提及的是通过以下通式(2)或(3)表示的液晶化合物式中R1代表具有1-10个碳原子的直链烷基或具有2-10个碳原子的链烯基；R2代表具有1-10个碳原子的直链烷基或烷氧基、-CN、氟原子、氯原子、-CF3、-CHF2、-OCF3或-OCHF2；S1和S2代表氢原子、氟原子、氯原子、-CF3、-CHF2、-OCF3或-OCHF2且这些原子或基团可以是相同或不同的；Z1代表-COO-、-CH2CH2-、-C≡C-或单键；A1代表
Figure A9880137200162
Figure A9880137200163
或
Figure A9880137200164
式中R3具有与通式(2)中R1相同的意义；R4具有与通式(2)中R2相同的意义；S3和S4具有与通式(2)中S1和S2相同的意义，且它们可以是相同或不同的；Z2和Z3可以是相同或不同的，且具有与通式(2)中Z1相同的意义；A2和A3具有与通式(2)中A1相同的意义，且它们可以是相同或不同的。
虽然这些液晶组合物可以由单一的组分或多种组分的混合物组成，然而，包括多种化合物的组合物是优选的。此外，除上述的那些以外，可将其他化合物混入本发明的液晶显示器所用的液晶混合物中，只要本发明的效果不受到损害即可。
现在，将参照一些实施例和对比例对本发明作更详细的说明。然而，应该理解的是，本发明的范围绝不受这些具体的实施例和对比例的限制。实施例1
通过采用装备了软X-射线照射装置(Hamamatsu Photonics Co.，Ltd.生产的L7120型)的旋涂型光刻胶涂覆装置，以起始转数为500rpm计3秒钟、中等转数为2000计5秒钟、最后转数为3000rpm计O.5秒钟，将Tokyo Ohka Kogyo Co.，Ltd.生产的光刻胶(商品名：OFPR-800)涂覆在其一侧备有ITO电极的透明玻璃衬底表面上。此时，可以证实通过用软X-射线照射5秒钟，在其装配到旋涂器(光刻胶涂覆装置)之前，在玻璃衬底的输送或其他操作期间，衬底表面上产生的大约5kV的静电变为小于100V。软X-射线照射装置的能量为6keV，且其电子管电压和电子管电流分别为9.5kV和150微安。光刻胶涂覆完成后，在干净的烘箱中于90℃下进行预烘烤30分钟以获得厚度为1.4微米的光刻胶膜。
将该衬底用15.6mW/cm2(405nm)的曝光装置进行接近曝光3秒钟，用Tokyo Ohka Kogyo Co.，Ltd.生产的显影剂(商品名：NMD-3：2.38％)进行浸渍式显影60秒钟，用超纯水漂洗30秒钟，然后在干净的烘箱中于135℃下进行后烘烤20分钟。将该衬底用FeCl3＋HCl的酸进行蚀刻处理，并用Tokyo Ohka Kogyo Co.，Ltd.生产的脱模液(商品名：502A)脱除光刻胶。脱除完毕后，将该衬底用超纯水漂洗、干燥并检查ITO图案中的短路和开路。结果发现，与未照射软X-射线的常规方法相比，通过用软X-射线照射该衬底消除其静电，从而减少了吸附在其上的灰尘量，ITO图案的不合格率降低了10％。实施例2
通过采用装备了软X-射线照射装置(Hamamatsu Photonics Co.，Ltd.生产的L7120型)的旋涂型绝缘膜涂覆装置，在转数为1000rpm下旋转20秒钟，将Chisso Corporation生产的用于形成绝缘膜的绝缘液(商品名：LIXON COAT PMA-801P)涂覆到在其一侧备有ITO电极的透明玻璃衬底表面上。经证实通过软X-射线照射，原来产生的10kV的最大静电变为小于100V。
软X-射线照射装置的能量为6keV，且其电子管电压和电子管电流分别为9.5kV和150微安。绝缘液涂覆完毕后，在100℃下干燥3分钟，然后在热空气干燥炉中于200℃下加热处理30分钟以获得固化薄膜。
通过采用胶印型取向膜涂覆装置，将Chisso Corporation生产的用于形成STN取向膜的取向膜液(用于形成取向膜的液体)(商品名：LIXONALIGNER PIA-2424)涂覆在上述衬底的表面上。取向膜液涂覆完毕后，在100℃下干燥10分钟，在热空气干燥炉中将温度升高到200℃计1小时，然后在200℃下加热处理90分钟以便在配备有透明电极的衬底上获得具有厚度约为600埃的聚酰亚胺薄膜。
在将这样得到其上具有形成的聚酰亚胺薄膜的透明玻璃衬底进行摩擦后，通过采用湿式间隔层涂布装置涂布6微米的间隔层。将密封剂涂覆在另一片没有涂布间隔层的衬底的表面上。然后，将两片衬底粘贴在一起以制成液晶盒，其中将扭转角调节到240°。在将Chisso Corporation生产的STN液晶(商品名：LIXON4032-000XX)填充到这样得到的液晶盒中之后，将其在120℃下进行各向同性处理计30分钟，然后逐渐冷却到室温以制成液晶显示器。
采用与上述相同的方法，制备10片衬底，并将电流通过这样得到的装置以便检查是否有不均匀显示存在，结果发现，尽管观察到3片衬底有轻微的不均匀显示，然而其余7片衬底未注意到有不均匀显示。实施例3
通过采用旋涂型绝缘膜涂覆装置，在转数为1000rpm下旋转20秒钟，将Chisso Corporation生产的用于形成绝缘膜的绝缘液(商品名：LIXONCOAT PMA-801P)涂覆在其一侧备有ITO电极的透明玻璃衬底表面上。绝缘液涂覆完毕后，在100℃下干燥3分钟，然后在热空气干燥炉中于200℃下加热处理30分钟以获得固化薄膜。
通过采用装备了软X-射线照射装置(Hamamatsu Photonics Co.，Ltd.生产的L7120型)的胶印型取向膜涂覆装置，将Chisso Corporation生产的用于形成STN取向膜的取向膜液(商品名：LIXON ALIGNER PIA-2424)涂覆在上述衬底的表面上。经证实通过软X-射线照射，原来产生的10kV的最大静电变为小于100V。软X-射线照射装置的能量为6keV，且其电子管电压和电子管电流分别为9.5kV和150微安。取向膜液涂覆完毕后，在100℃下干燥10分钟，在热空气干燥炉中将温度升高到200℃计1小时，然后在200℃下加热处理90分钟以便在配备有透明电极的衬底上获得具有厚度约为600埃的聚酰亚胺薄膜。
在将这样得到的具有其上形成的聚酰亚胺薄膜的透明玻璃衬底进行摩擦后，通过采用湿式间隔层涂布装置涂布6微米的间隔层。将密封剂涂覆在另一片没有涂布间隔层的衬底的表面上。然后，将两片衬底粘贴在一起以制成液晶盒，其中将扭转角调节到240°。在将Chisso Corporation生产的STN液晶(商品名：LIXON4032-000XX)填充到这样得到的液晶盒中之后，将其在120℃下进行各向同性处理计30分钟，然后逐渐冷却到室温以制成液晶显示器。
采用与上述相同的方法，制备10片衬底，并将电流通过这样得到的装置以便检查是否有不均匀显示存在，结果发现，尽管观察到3片衬底有轻微的不均匀显示，然而其余7片衬底未注意到有不均匀显示。对比例1
除没有进行软X-射线照射以外，采用与实施例2相同的方法，制备10片液晶显示器的衬底。
将电流通过这样得到的10片衬底以便检查是否有不均匀显示存在，经观察发现在每个器件中均有不均匀显示，在7片衬底上注意到有显著的不均匀显示。对比例2
除没有进行软X-射线照射以外，采用与实施例3相同的方法，制备10片液晶显示器的衬底。
将电流通过这样得到的10片衬底以便检查是否有不均匀显示存在，经观察发现在每个器件中均有不均匀显示，在7片衬底上注意到有显著的不均匀显示。
根据本发明的薄膜涂覆装置，可以容易地和有效地消除薄膜涂覆步骤中所产生的静电。根据本发明的生产液晶显示器的方法，在摩擦处理液晶显示器之前的生产步骤中在气体中通过用软X-射线照射可以消除静电并减少不均匀显示和象素缺陷，从而改进液晶显示器的显示质量，并增加其产量。
本发明优选用于光刻胶涂覆装置、绝缘膜涂覆装置、取向膜涂覆装置，其中，可以防止由于静电而粘附到衬底上的颗粒；且在生产液晶显示器的方法中优选采用。

Claims (16)

1.一种薄膜涂覆装置，该装置包括能够在该装置中移动衬底的衬底移动部分，在该衬底上形成薄膜的涂覆部分，以及在衬底移动部分或衬底涂覆部分发射软X-射线到衬底上的软X-射线照射部分。
2.根据权利要求1的薄膜涂覆装置，其中在软X-射线照射部分中的软X-射线的能量为4-9.5keV。
3.根据权利要求1的薄膜涂覆装置，其中从衬底到软X-射线源的距离小于1500mm。
4.根据权利要求1的薄膜涂覆装置，其中软X-射线照射部分包括能够分别在涂覆部分的前面和后面的位置发射软X-射线到衬底上的第一和第二软X-射线照射部分。
5.根据权利要求1的薄膜涂覆装置，其中该薄膜是光刻胶膜。
6.根据权利要求1的薄膜涂覆装置，其中该薄膜是绝缘膜。
7.根据权利要求1的薄膜涂覆装置，其中该薄膜是取向膜。
8.一种涂覆薄膜的方法，该方法包括采用权利要求1中定义的薄膜涂覆装置，将该衬底安置在衬底移动部分上，并在涂覆部分中在衬底上形成薄膜。
9.根据权利要求8的涂覆薄膜的方法，其中该薄膜是光刻胶膜。
10.根据权利要求8的涂覆薄膜的方法，其中该薄膜是绝缘膜。
11.根据权利要求8的涂覆薄膜的方法，其中该薄膜是取向膜。
12.一种生产液晶显示器的方法，该方法包括：在一对透明衬底的表面上形成透明电极和半导体电路元件的步骤，根据预定的图案在衬底表面上涂覆光刻胶的步骤，使涂覆在衬底上的光刻胶曝光的步骤，将该衬底进行蚀刻处理的步骤，将该光刻胶从衬底上脱除的步骤，检查透明电极和半导体电路元件的步骤，在该衬底上形成绝缘膜的步骤，在该衬底上形成取向膜的步骤，摩擦该衬底上形成的取向膜的步骤，在该衬底上涂布间隔层的步骤，在该衬底上涂覆密封剂的步骤，堆叠衬底的步骤，在衬底之间保持预定厚度的间隙的步骤，将衬底切割成预定尺寸的步骤，在间隙中填充液晶材料的步骤，将偏振片粘贴在该衬底上的步骤，以及将驱动器IC连接到透明电极上的步骤，包括在摩擦取向膜步骤之前的至少一个步骤中在气体中用软X-射线照射该衬底的改进。
13.根据权利要求12的生产液晶显示器的方法，其中该软X-射线的照射能量为4-9.5keV。
14.根据权利要求12的生产液晶显示器的方法，其中从该衬底到软X-射线源的距离小于1500mm。
15.一种采用权利要求12中定义的方法生产的液晶显示器。
16.根据权利要求15的液晶显示器，其中该液晶材料是包括至少一种以通式(2)或(3)表示的化合物的混合物
Figure A9880137200031
Figure A9880137200032
式中R1和R3独立地代表具有1-10个碳原子的直链烷基或具有2-10个碳原子的链烯基；R2和R4独立地代表具有1-10个碳原子的直链烷基或烷氧基、-CN、氟原子、氯原子、-CF3、-CHF2、-OCF3或-OCHF2；S1、S2、S3和S4独立地代表氢原子、氟原子、氯原子、-CF3、-CHF2、-OCF3或-OCHF2；Z1、Z2和Z3独立地代表-COO-、-CH2CH2-、-C≡C-或单键；A1、A2和A3独立地代表
Figure A9880137200033
Figure A9880137200034
或
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1300638C (zh) * 2004-11-25 2007-02-14 上海交通大学 用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法
CN112530794A (zh) * 2020-12-01 2021-03-19 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种光刻方法、半导体器件及其制作方法
CN113275204A (zh) * 2020-03-19 2021-08-20 安泰科技股份有限公司 一种用于非晶纳米晶带材连续涂覆绝缘涂层的设备及方法
CN114527529A (zh) * 2022-02-18 2022-05-24 江苏传艺科技股份有限公司 一种高分辨率结构色器件的制备方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848556B1 (ko) * 2002-03-25 2008-07-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 패널의 회전 버퍼 및 이를 이용한 러빙장치
KR100573514B1 (ko) * 2002-08-20 2006-04-26 니폰 메크트론 가부시키가이샤 신규 폴리이미드 공중합체 및 그 금속 적층체
JP2005032825A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Sony Corp 相補分割方法、マスク作製方法およびプログラム
JP2005072559A (ja) * 2003-08-05 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
CN100350559C (zh) * 2003-08-05 2007-11-21 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
EP1732115A4 (en) * 2004-03-31 2009-03-04 Konica Minolta Holdings Inc TFT SHEET AND PRODUCTION METHOD THEREOF
JP2006013289A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
JP2006155983A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sii Nanotechnology Inc 電子ビーム欠陥修正装置の除電方法およびその装置
KR101108345B1 (ko) * 2004-12-09 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 제조장치 및 방법
JP4367347B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器
TWI335455B (en) * 2005-09-22 2011-01-01 Ind Tech Res Inst Liquid crystal display device
TWI387812B (zh) * 2006-11-13 2013-03-01 Ind Tech Res Inst 具有光學補償功能之透明基板及其液晶顯示器
JP5783971B2 (ja) * 2012-08-10 2015-09-24 株式会社東芝 塗布装置および塗布方法
KR20160039957A (ko) * 2014-10-02 2016-04-12 삼성전자주식회사 이온 발생기를 갖는 기판 이송 시스템
CN104923443B (zh) * 2015-07-17 2017-06-30 深圳晶华显示器材有限公司 Pin脚点碳浆方法和点碳浆系统
JP2020013124A (ja) * 2018-07-12 2020-01-23 シャープ株式会社 配向膜付きカラーフィルタ基板の製造方法および液晶パネルの製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465254A (en) * 1987-09-07 1989-03-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of thin metallic film
FR2625827B1 (fr) 1988-01-11 1993-07-16 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage en couleur a matrice active sans croisement des conducteurs lignes d'adressage et des conducteurs colonnes de commande
JP2553636B2 (ja) 1988-06-16 1996-11-13 松下電器産業株式会社 液晶用配向膜の製法
US5438421A (en) * 1991-04-24 1995-08-01 Alps Electric Co., Ltd. Orientation film of liquid crystal having bilaterally asymmetric ridges separated by grooves
EP0792090B1 (en) * 1992-08-14 2004-07-21 Takasago Netsugaku Kogyo Kabushiki Kaisha Apparatus and method for producing gaseous ions by use of x-rays
JPH07294928A (ja) 1994-04-28 1995-11-10 Iinuma Geeji Seisakusho:Kk 液晶配向処理装置
JP2648286B2 (ja) * 1994-08-04 1997-08-27 株式会社飯沼ゲージ製作所 基板の洗浄乾燥装置
TW339415B (en) * 1994-04-28 1998-09-01 Chisso Corp Processing and manufacturing method of LCD elements
JP3081952B2 (ja) 1994-08-05 2000-08-28 チッソ株式会社 液晶表示素子用の配向膜の処理方法および液晶表示素子の製造方法
JP3696904B2 (ja) 1994-08-02 2005-09-21 シシド静電気株式会社 軟ｘ線を利用した除電装置
JP2668512B2 (ja) 1994-10-24 1997-10-27 株式会社レヨーン工業 軟ｘ線による物体表面の静電気除去装置
JPH08211622A (ja) 1995-02-07 1996-08-20 Hitachi Ltd レジスト塗布装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1300638C (zh) * 2004-11-25 2007-02-14 上海交通大学 用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法
CN113275204A (zh) * 2020-03-19 2021-08-20 安泰科技股份有限公司 一种用于非晶纳米晶带材连续涂覆绝缘涂层的设备及方法
CN112530794A (zh) * 2020-12-01 2021-03-19 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种光刻方法、半导体器件及其制作方法
CN114527529A (zh) * 2022-02-18 2022-05-24 江苏传艺科技股份有限公司 一种高分辨率结构色器件的制备方法
CN114527529B (zh) * 2022-02-18 2024-03-05 江苏传艺科技股份有限公司 一种高分辨率结构色器件的制备方法

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