JPH0534652A - 液晶表示素子製造方法 - Google Patents
液晶表示素子製造方法Info
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- JPH0534652A JPH0534652A JP18755791A JP18755791A JPH0534652A JP H0534652 A JPH0534652 A JP H0534652A JP 18755791 A JP18755791 A JP 18755791A JP 18755791 A JP18755791 A JP 18755791A JP H0534652 A JPH0534652 A JP H0534652A
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- cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は主としてＳＴＮ型の液晶表示素子の
製造に好適する液晶表示素子製造方法を提供することに
ある。 【構成】基板ＢＰ上に配向膜を形成する配向膜形成工程
と、配向膜形成工程にて形成された配向膜表面をラビン
グするラビング工程と、ラビング工程後に基板ＢＰを洗
浄する洗浄工程と、洗浄工程にて洗浄された一対の基板
ＢＰを貼り合わせ、この張り合わされた一対の基板ＢＰ
間に液晶を注入する液晶注入工程とを具備する液晶基板
製造方法において、洗浄工程は、基板ＢＰを洗浄液を用
いて湿式物理洗浄する第１洗浄工程と、この第１洗浄工
程後にオゾン中にて上記基板ＢＰに紫外線を照射し乾式
洗浄する第２洗浄工程とを具備することを特徴とする。
製造に好適する液晶表示素子製造方法を提供することに
ある。 【構成】基板ＢＰ上に配向膜を形成する配向膜形成工程
と、配向膜形成工程にて形成された配向膜表面をラビン
グするラビング工程と、ラビング工程後に基板ＢＰを洗
浄する洗浄工程と、洗浄工程にて洗浄された一対の基板
ＢＰを貼り合わせ、この張り合わされた一対の基板ＢＰ
間に液晶を注入する液晶注入工程とを具備する液晶基板
製造方法において、洗浄工程は、基板ＢＰを洗浄液を用
いて湿式物理洗浄する第１洗浄工程と、この第１洗浄工
程後にオゾン中にて上記基板ＢＰに紫外線を照射し乾式
洗浄する第２洗浄工程とを具備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてＳＴＮ（Supe
r Twisted Nematic ）型の液晶表示素子の製造に好適す
る液晶表示素子製造方法に関する。
r Twisted Nematic ）型の液晶表示素子の製造に好適す
る液晶表示素子製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用
の液晶基板に汚れや塵が付着していた場合には、電極や
配向層の形成にとっての支障となる。また、配向層を形
成した後に、汚れや塵が付着すると、液晶分子がドメイ
ンを形成し、液晶分子の配向ムラが発生して、表示品質
の低下を招く。したがって、表示特性、電気特性、信頼
性等の優れたＬＣＤを製造する場合には、温度及び湿度
が十分に管理されたクリ−ンル−ム内で製造されなけれ
ばならない。
の液晶基板に汚れや塵が付着していた場合には、電極や
配向層の形成にとっての支障となる。また、配向層を形
成した後に、汚れや塵が付着すると、液晶分子がドメイ
ンを形成し、液晶分子の配向ムラが発生して、表示品質
の低下を招く。したがって、表示特性、電気特性、信頼
性等の優れたＬＣＤを製造する場合には、温度及び湿度
が十分に管理されたクリ−ンル−ム内で製造されなけれ
ばならない。
【０００３】ところで、液晶基板の汚染原因としては、
有機物（糸くず、紙、繊維、ふけ、薬品、油脂（指紋、
素手による扱い）、唾液）、無機物（浮遊塵埃、ガラス
のカレット、蒸着膜くず）、残留微粒子がある。これら
のうち、有機物の除去には、弱アルカリ洗浄、フロン洗
浄等の化学洗浄法が適用されている。また、無機物の除
去には、弱酸液洗浄、ブラッシング洗浄、シャワ−洗浄
等の物理洗浄法が適用されている。さらに、残留微粒子
の除去には、超音波洗浄、シャワ−洗浄、ブラッシング
洗浄等の物理洗浄法が適用されている。そして、実際の
液晶表示素子の製造においては、通常、上記物理洗浄
後、上記化学洗浄を行っている。このことは、ＳＴＮ型
の液晶表示素子の製造においても例外ではない。
有機物（糸くず、紙、繊維、ふけ、薬品、油脂（指紋、
素手による扱い）、唾液）、無機物（浮遊塵埃、ガラス
のカレット、蒸着膜くず）、残留微粒子がある。これら
のうち、有機物の除去には、弱アルカリ洗浄、フロン洗
浄等の化学洗浄法が適用されている。また、無機物の除
去には、弱酸液洗浄、ブラッシング洗浄、シャワ−洗浄
等の物理洗浄法が適用されている。さらに、残留微粒子
の除去には、超音波洗浄、シャワ−洗浄、ブラッシング
洗浄等の物理洗浄法が適用されている。そして、実際の
液晶表示素子の製造においては、通常、上記物理洗浄
後、上記化学洗浄を行っている。このことは、ＳＴＮ型
の液晶表示素子の製造においても例外ではない。
【０００４】しかしながら、上記化学洗浄法は、公害の
原因となるフロンガスや有害な有機溶剤を用いるので、
その適用に制約を受けるという問題がある。しかも、上
記物理洗浄法では、乾燥後にシミやムラが発生してしま
い、しかも上記湿式の化学洗浄法では、これらのシミや
ムラを十分除去できない問題をもっている。
原因となるフロンガスや有害な有機溶剤を用いるので、
その適用に制約を受けるという問題がある。しかも、上
記物理洗浄法では、乾燥後にシミやムラが発生してしま
い、しかも上記湿式の化学洗浄法では、これらのシミや
ムラを十分除去できない問題をもっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の液晶表示素子洗浄方法においては、化学洗浄方法の場
合は、フロンガスや有害な有機溶剤を用いているので、
その適用に制約を受けるという問題がある。他方、物理
洗浄法は、乾燥後にシミ、ムラが発生してしまう問題を
もっていることはもとより、上記従来の湿式化学洗浄法
では、これらのシミやムラを十分除去できない問題をも
っている。これらの問題は、ＬＣＤの表示特性、電気特
性、信頼性等の向上の障害となっていた。とりわけ、近
時、量産されつつあるＳＴＮ型の液晶表示素子の製造に
おいて大きな問題となっている。本発明は、上記事情を
参酌してなされたもので、公害の虞なく液晶基板の洗浄
を確実に行うことのできる液晶表示素子製造方法を提供
することを目的とする。
の液晶表示素子洗浄方法においては、化学洗浄方法の場
合は、フロンガスや有害な有機溶剤を用いているので、
その適用に制約を受けるという問題がある。他方、物理
洗浄法は、乾燥後にシミ、ムラが発生してしまう問題を
もっていることはもとより、上記従来の湿式化学洗浄法
では、これらのシミやムラを十分除去できない問題をも
っている。これらの問題は、ＬＣＤの表示特性、電気特
性、信頼性等の向上の障害となっていた。とりわけ、近
時、量産されつつあるＳＴＮ型の液晶表示素子の製造に
おいて大きな問題となっている。本発明は、上記事情を
参酌してなされたもので、公害の虞なく液晶基板の洗浄
を確実に行うことのできる液晶表示素子製造方法を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明の液晶
表示素子製造方法は、例えばＳＴＮ型などの液晶表示素
子の製造において、洗浄部にてブラシ洗浄、超音波洗浄
及びシャワ−洗浄からなる物理洗浄を行った後、紫外線
／オゾン洗浄を行うようにし、かつ、紫外線照射量を液
晶のプレチルト角をその特性上必要な角度に維持するこ
とができる範囲内としたので、汚れやシミが残存するこ
となく、液晶表示素子の所期の特性を達成することがで
きる。したがって、この発明の液晶表示素子製造方法に
よれば、高性能かつ高信頼性の液晶表示素子を高歩留に
て製造することが可能となる。
表示素子製造方法は、例えばＳＴＮ型などの液晶表示素
子の製造において、洗浄部にてブラシ洗浄、超音波洗浄
及びシャワ−洗浄からなる物理洗浄を行った後、紫外線
／オゾン洗浄を行うようにし、かつ、紫外線照射量を液
晶のプレチルト角をその特性上必要な角度に維持するこ
とができる範囲内としたので、汚れやシミが残存するこ
となく、液晶表示素子の所期の特性を達成することがで
きる。したがって、この発明の液晶表示素子製造方法に
よれば、高性能かつ高信頼性の液晶表示素子を高歩留に
て製造することが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
述する。
述する。
【０００８】図１及び図２は、この実施例の液晶表示素
子製造方法に用いられる装置を示している。この液晶表
示素子製造装置は、図３に示すＳＴＮ型の液晶表示素子
ＬＣＤを製造するためのもので、コンベア装置により透
明なガラス製の基板ＢＰを受け入れる受入部１と、この
受入部１にて受け入られた基板ＢＰを洗浄する例えばカ
セット式洗浄装置や枚葉式洗浄装置などからなる初期洗
浄部２と、この初期洗浄部２にて洗浄された基板ＢＰに
透明電極膜（ＩＴＯ膜）４０を例えば真空蒸着法、スパ
ッタリング法などにより被着する透明電極膜形成部３
と、この透明電極膜形成部３にて透明電極膜を被着した
基板ＢＰ上にレジストを塗布したのち現像・露光する第
１透明電極膜処理部４と、この第１透明電極膜処理部４
における各処理を施された基板ＢＰ上のレジストを利用
してエッチング・レジスト除去・洗浄・乾燥処理・表面
処理膜４１形成を行う第２透明電極膜処理部５と、この
第２透明電極膜処理部５を経由してきた基板ＢＰに例え
ばポリイミド樹脂などからなる配向膜４２を例えばロ−
ルコ−タなどにより被着し焼成する配向膜被着部６と、
この配向膜被着部６にて被着された配向膜４２を一定方
向に圧擦して液晶分子を一定方向に配列させるラビング
部７と、このラビング部７にてラビング処理された基板
ＢＰを洗浄・乾燥させる洗浄部８と、この洗浄部８にて
洗浄された基板ＢＰ上に例えばスクリ−ン印刷機などに
よりコモン電極転写印刷・シ−ル剤印刷を行う印刷部９
と、コモン電極転写印刷・シ−ル剤印刷を終えた一対の
基板ＢＰをスペ−サ４３を介して紫外線硬化型の接着剤
４４を介して貼り合わせる基板貼り合わせ部１０と、こ
の基板貼り合わせ部１０にて貼り合わされた一対の基板
ＢＰ間に十分脱気したＳＴＮ型液晶材料４５を注入した
のち封止樹脂４６により注入穴を封止する液晶注入部１
１と、この液晶注入部１１を経由してきた基板ＢＰをセ
ルに分断するセル分断部１２と、このセル分断部１２を
経由してきた基板ＢＰに偏光板４７・光反射板４８を貼
付する貼付部１３と、この貼付部１３を経由した基板Ｂ
Ｐの最終検査を行う検査部１４とからなっている。
子製造方法に用いられる装置を示している。この液晶表
示素子製造装置は、図３に示すＳＴＮ型の液晶表示素子
ＬＣＤを製造するためのもので、コンベア装置により透
明なガラス製の基板ＢＰを受け入れる受入部１と、この
受入部１にて受け入られた基板ＢＰを洗浄する例えばカ
セット式洗浄装置や枚葉式洗浄装置などからなる初期洗
浄部２と、この初期洗浄部２にて洗浄された基板ＢＰに
透明電極膜（ＩＴＯ膜）４０を例えば真空蒸着法、スパ
ッタリング法などにより被着する透明電極膜形成部３
と、この透明電極膜形成部３にて透明電極膜を被着した
基板ＢＰ上にレジストを塗布したのち現像・露光する第
１透明電極膜処理部４と、この第１透明電極膜処理部４
における各処理を施された基板ＢＰ上のレジストを利用
してエッチング・レジスト除去・洗浄・乾燥処理・表面
処理膜４１形成を行う第２透明電極膜処理部５と、この
第２透明電極膜処理部５を経由してきた基板ＢＰに例え
ばポリイミド樹脂などからなる配向膜４２を例えばロ−
ルコ−タなどにより被着し焼成する配向膜被着部６と、
この配向膜被着部６にて被着された配向膜４２を一定方
向に圧擦して液晶分子を一定方向に配列させるラビング
部７と、このラビング部７にてラビング処理された基板
ＢＰを洗浄・乾燥させる洗浄部８と、この洗浄部８にて
洗浄された基板ＢＰ上に例えばスクリ−ン印刷機などに
よりコモン電極転写印刷・シ−ル剤印刷を行う印刷部９
と、コモン電極転写印刷・シ−ル剤印刷を終えた一対の
基板ＢＰをスペ−サ４３を介して紫外線硬化型の接着剤
４４を介して貼り合わせる基板貼り合わせ部１０と、こ
の基板貼り合わせ部１０にて貼り合わされた一対の基板
ＢＰ間に十分脱気したＳＴＮ型液晶材料４５を注入した
のち封止樹脂４６により注入穴を封止する液晶注入部１
１と、この液晶注入部１１を経由してきた基板ＢＰをセ
ルに分断するセル分断部１２と、このセル分断部１２を
経由してきた基板ＢＰに偏光板４７・光反射板４８を貼
付する貼付部１３と、この貼付部１３を経由した基板Ｂ
Ｐの最終検査を行う検査部１４とからなっている。
【０００９】しかして、上記洗浄部８は、第２図に示す
ように、ラビング処理された基板ＢＰをブラシ洗浄する
ブラシ洗浄部１５と、このブラシ洗浄部１５にてブラシ
洗浄処理された基板ＢＰを超音波洗浄する超音波洗浄部
１６と、この超音波洗浄部１６にて洗浄された基板ＢＰ
に純枠を噴射して洗浄するシャワ−洗浄部１７と、この
シャワ−洗浄部１７にて洗浄された基板ＢＰに圧力空気
を噴射し洗浄水を除去するエアナイフ部１８と、このエ
アナイフ部１８を通過した基板ＢＰをオゾンガス中にて
紫外線を照射し乾式洗浄する紫外線／オゾン洗浄部１９
とからなっている。
ように、ラビング処理された基板ＢＰをブラシ洗浄する
ブラシ洗浄部１５と、このブラシ洗浄部１５にてブラシ
洗浄処理された基板ＢＰを超音波洗浄する超音波洗浄部
１６と、この超音波洗浄部１６にて洗浄された基板ＢＰ
に純枠を噴射して洗浄するシャワ−洗浄部１７と、この
シャワ−洗浄部１７にて洗浄された基板ＢＰに圧力空気
を噴射し洗浄水を除去するエアナイフ部１８と、このエ
アナイフ部１８を通過した基板ＢＰをオゾンガス中にて
紫外線を照射し乾式洗浄する紫外線／オゾン洗浄部１９
とからなっている。
【００１０】そして、上記ブラシ洗浄部１５は、その洗
浄室２０内にて複数に円柱状ブラシ２１を回転させ、こ
れらのブラシ２１に沿って基板ＢＰをコンベア２２によ
り走行させるようになっている。また、超音波洗浄部１
６は、洗浄室２３内部の天井部にノズル２４を設け、こ
のノズル２４の背部に超音波振動子２５を連結し、この
超音波振動子２５に発振器２６を電気的に接続すること
により、ノズル２４に供給される純水２７に超音波を印
加し、この超音波が印加された純水２７を、コンベア２
２により搬送されてきた基板ＢＰに噴射することによ
り、基板ＢＰの洗浄を行うものである。
浄室２０内にて複数に円柱状ブラシ２１を回転させ、こ
れらのブラシ２１に沿って基板ＢＰをコンベア２２によ
り走行させるようになっている。また、超音波洗浄部１
６は、洗浄室２３内部の天井部にノズル２４を設け、こ
のノズル２４の背部に超音波振動子２５を連結し、この
超音波振動子２５に発振器２６を電気的に接続すること
により、ノズル２４に供給される純水２７に超音波を印
加し、この超音波が印加された純水２７を、コンベア２
２により搬送されてきた基板ＢＰに噴射することによ
り、基板ＢＰの洗浄を行うものである。
【００１１】さらに、シャワ−洗浄部１７は、洗浄室２
８内部の天井部に設けられたノズル２９から純水３０を
コンベア２２により搬送されてきた基板ＢＰに、７Kg／
mm2 以下の低圧にて噴射するものである。一方、紫外線
／オゾン洗浄部１９は、密閉自在な洗浄室３１と、この
洗浄室３１内にエアナイフ部１８を通過した基板ＢＰを
搬入するコンベア３２と、この洗浄室３１内部の天井に
取り付けられたＵＶ（紫外線）ランプ３３と、洗浄室３
１に隣接して設置され高濃度のオゾンを洗浄室３１に供
給するオゾン発生器３３とからなっている。しかして、
ＵＶランプ３３としては、ランプ内水銀圧を300 〜400
Paに保持した低圧水銀ランプが用いられる。このランプ
は、水銀共鳴線185nm と254nm にピ−クをもっている。
このうち、水銀共鳴線185nm の光は、大気中の酸素から
オゾンを生成し、また、汚染有機物に対しては分子結合
を切断してラジカル酸素と反応しやすい状態にする。
８内部の天井部に設けられたノズル２９から純水３０を
コンベア２２により搬送されてきた基板ＢＰに、７Kg／
mm2 以下の低圧にて噴射するものである。一方、紫外線
／オゾン洗浄部１９は、密閉自在な洗浄室３１と、この
洗浄室３１内にエアナイフ部１８を通過した基板ＢＰを
搬入するコンベア３２と、この洗浄室３１内部の天井に
取り付けられたＵＶ（紫外線）ランプ３３と、洗浄室３
１に隣接して設置され高濃度のオゾンを洗浄室３１に供
給するオゾン発生器３３とからなっている。しかして、
ＵＶランプ３３としては、ランプ内水銀圧を300 〜400
Paに保持した低圧水銀ランプが用いられる。このランプ
は、水銀共鳴線185nm と254nm にピ−クをもっている。
このうち、水銀共鳴線185nm の光は、大気中の酸素から
オゾンを生成し、また、汚染有機物に対しては分子結合
を切断してラジカル酸素と反応しやすい状態にする。
【００１２】一方、254nm の光は、185nm の光で生成し
たオゾン及びオゾン発生器３３から供給されたオゾンに
吸収されるが、その結果オゾンを分解してラジカル酸素
を生成する。このラジカル酸素は、活性化された汚染有
機物に作用してＣＯ、Ｃ０2、Ｈ2 Ｏに酸化分解し、除
去する。この紫外線／オゾン洗浄部１９にては、この洗
浄メカニズムによって油脂、機械油、ワックス、フォト
レジストなどほとんどの汚染有機物を除去することがで
きる。なお、上記液晶注入部１１にて注入されるＳＴＮ
型液晶は、電圧を印加しない状態にて、一定角度傾斜し
ているが、この傾斜角度のことをプレチルト角という。
つぎに、上記構成の液晶表示素子製造装置を用いて、こ
の実施例の液晶表示素子製造方法について述べる。
たオゾン及びオゾン発生器３３から供給されたオゾンに
吸収されるが、その結果オゾンを分解してラジカル酸素
を生成する。このラジカル酸素は、活性化された汚染有
機物に作用してＣＯ、Ｃ０2、Ｈ2 Ｏに酸化分解し、除
去する。この紫外線／オゾン洗浄部１９にては、この洗
浄メカニズムによって油脂、機械油、ワックス、フォト
レジストなどほとんどの汚染有機物を除去することがで
きる。なお、上記液晶注入部１１にて注入されるＳＴＮ
型液晶は、電圧を印加しない状態にて、一定角度傾斜し
ているが、この傾斜角度のことをプレチルト角という。
つぎに、上記構成の液晶表示素子製造装置を用いて、こ
の実施例の液晶表示素子製造方法について述べる。
【００１３】まず、注入部１にてコンベア装置により基
板ＢＰを受け入れる。この受入部１にて受け入れられた
基板ＢＰは、例えばカセット式洗浄装置や枚葉式洗浄装
置などからなる初期洗浄部２にて洗浄される。つぎに、
透明電極膜形成部３にて、この初期洗浄部２にて洗浄さ
れた基板ＢＰに透明電極膜４０を例えば真空蒸着法、ス
パッタリング法などにより被着する。ついで、第１透明
電極膜処理部４にては、透明電極膜形成部３にて透明電
極膜４０を被着した基板ＢＰ上にレジストを塗布したの
ち現像・露光する。
板ＢＰを受け入れる。この受入部１にて受け入れられた
基板ＢＰは、例えばカセット式洗浄装置や枚葉式洗浄装
置などからなる初期洗浄部２にて洗浄される。つぎに、
透明電極膜形成部３にて、この初期洗浄部２にて洗浄さ
れた基板ＢＰに透明電極膜４０を例えば真空蒸着法、ス
パッタリング法などにより被着する。ついで、第１透明
電極膜処理部４にては、透明電極膜形成部３にて透明電
極膜４０を被着した基板ＢＰ上にレジストを塗布したの
ち現像・露光する。
【００１４】つづいて、第２透明電極膜処理部５にて、
第１透明電極膜処理部４において各処理を施された基板
ＢＰ上のレジストを利用してエッチング・レジスト除去
・洗浄・乾燥処理を行い、表面処理膜４１を被着する。
さらに、配向膜被着部６にては、第２透明電極膜処理部
５を経由してきた基板ＢＰの表面処理膜４１上に例えば
高温焼成型のポリイミド樹脂などからなる配向膜４２を
ロ−ルコ−タにより被着したのち、350 ℃にて焼成す
る。つぎに、ラビング部７にて配向膜被着部６にて被着
された配向膜４２を例えば織布、はけ、ラバ−などで一
定方向に圧擦して液晶分子を一定方向に配列させる。こ
のときの配向膜４２のラビング条件（方向、圧力、回
数）は、後述する液晶注入部１１にて注入されたＳＴＮ
型液晶のプレチルト角が４度程度となるように設定す
る。
第１透明電極膜処理部４において各処理を施された基板
ＢＰ上のレジストを利用してエッチング・レジスト除去
・洗浄・乾燥処理を行い、表面処理膜４１を被着する。
さらに、配向膜被着部６にては、第２透明電極膜処理部
５を経由してきた基板ＢＰの表面処理膜４１上に例えば
高温焼成型のポリイミド樹脂などからなる配向膜４２を
ロ−ルコ−タにより被着したのち、350 ℃にて焼成す
る。つぎに、ラビング部７にて配向膜被着部６にて被着
された配向膜４２を例えば織布、はけ、ラバ−などで一
定方向に圧擦して液晶分子を一定方向に配列させる。こ
のときの配向膜４２のラビング条件（方向、圧力、回
数）は、後述する液晶注入部１１にて注入されたＳＴＮ
型液晶のプレチルト角が４度程度となるように設定す
る。
【００１５】しかして、洗浄部８てには、ラビング部７
にてラビング処理された基板ＢＰを洗浄・乾燥させる。
すなわち、ラビング処理された基板ＢＰは、ブラシ洗浄
部１５にて、まず、ブラシ洗浄する。つぎに、このブラ
シ洗浄部１５にてブラシ洗浄処理された基板ＢＰは、超
音波洗浄部１６にて超音波洗浄される。つづいて、この
超音波洗浄部１６にて洗浄された基板ＢＰは、シャワ−
洗浄部１７にて純枠を噴射され洗浄される。以上の物理
洗浄においては、主として浮遊塵埃、ガラスのカレッ
ト、蒸着膜くず等の無機物が除去される。つぎに、この
シャワ−洗浄部１７にてシャワ−洗浄された基板ＢＰ
は、エアナイフ部１８にて、圧力空気１７ａを噴射され
洗浄水が除去される。さらに、このエアナイフ部１８を
通過した基板ＢＰは、紫外線／オゾン洗浄部１９にて紫
外線・オゾン洗浄される。この紫外線／オゾン洗浄部１
９におけるＵＶランプ３３からの紫外線照射量は、図４
に示すプレチルト角と紫外線照射量との関係から、２〜
１０+2×１０-7Ｊ・Ｓ-1の範囲（斜線領域Ｉ）内とす
る。この範囲より小さければ、洗浄効果がなくなり、ま
た、この範囲より大きければ、第４図に示すように、プ
レチルト角が急激に低下し、ＳＴＮ型液晶としての特性
を失うことになる。
にてラビング処理された基板ＢＰを洗浄・乾燥させる。
すなわち、ラビング処理された基板ＢＰは、ブラシ洗浄
部１５にて、まず、ブラシ洗浄する。つぎに、このブラ
シ洗浄部１５にてブラシ洗浄処理された基板ＢＰは、超
音波洗浄部１６にて超音波洗浄される。つづいて、この
超音波洗浄部１６にて洗浄された基板ＢＰは、シャワ−
洗浄部１７にて純枠を噴射され洗浄される。以上の物理
洗浄においては、主として浮遊塵埃、ガラスのカレッ
ト、蒸着膜くず等の無機物が除去される。つぎに、この
シャワ−洗浄部１７にてシャワ−洗浄された基板ＢＰ
は、エアナイフ部１８にて、圧力空気１７ａを噴射され
洗浄水が除去される。さらに、このエアナイフ部１８を
通過した基板ＢＰは、紫外線／オゾン洗浄部１９にて紫
外線・オゾン洗浄される。この紫外線／オゾン洗浄部１
９におけるＵＶランプ３３からの紫外線照射量は、図４
に示すプレチルト角と紫外線照射量との関係から、２〜
１０+2×１０-7Ｊ・Ｓ-1の範囲（斜線領域Ｉ）内とす
る。この範囲より小さければ、洗浄効果がなくなり、ま
た、この範囲より大きければ、第４図に示すように、プ
レチルト角が急激に低下し、ＳＴＮ型液晶としての特性
を失うことになる。
【００１６】なお、この図４において、領域IIは、ＴＮ
型液晶基板の場合でも、紫外線照射が可能となる領域で
あるが、これは、ＴＮ型液晶は、プレチルト角が０度で
もよいからである。
型液晶基板の場合でも、紫外線照射が可能となる領域で
あるが、これは、ＴＮ型液晶は、プレチルト角が０度で
もよいからである。
【００１７】つぎに、印刷部９にては、洗浄部８にて洗
浄された基板ＢＰ上に、例えばスクリ−ン印刷機などに
よりコモン電極転写印刷・シ−ル剤印刷を行う。つぎ
に、基板貼り合わせ部１０にては、コモン電極転写印刷
・シ−ル剤印刷を終えた一対の基板ＢＰを、スペ−サ４
３を介して紫外線硬化型の接着剤４４を介して貼り合せ
る。さらに、液晶注入部１１にては、この基板貼り合わ
せ部１０にて貼り合わされた一対の基板ＢＰ間に十分脱
気したＳＴＮ型液晶材料４５を注入したのち、注入穴を
封止樹脂４６により封止する。
浄された基板ＢＰ上に、例えばスクリ−ン印刷機などに
よりコモン電極転写印刷・シ−ル剤印刷を行う。つぎ
に、基板貼り合わせ部１０にては、コモン電極転写印刷
・シ−ル剤印刷を終えた一対の基板ＢＰを、スペ−サ４
３を介して紫外線硬化型の接着剤４４を介して貼り合せ
る。さらに、液晶注入部１１にては、この基板貼り合わ
せ部１０にて貼り合わされた一対の基板ＢＰ間に十分脱
気したＳＴＮ型液晶材料４５を注入したのち、注入穴を
封止樹脂４６により封止する。
【００１８】しかして、セル分断部１２にて、液晶注入
部１１を経由してきた基板ＢＰをセルに分断する。つづ
いて、貼付部１３にて、セル分断部１２を経由してきた
基板ＢＰに偏光板４７・光反射板４８を貼付する。最後
に検査部１４にて、貼付部１３を経由した基基板ＢＰの
最終検査を行う。
部１１を経由してきた基板ＢＰをセルに分断する。つづ
いて、貼付部１３にて、セル分断部１２を経由してきた
基板ＢＰに偏光板４７・光反射板４８を貼付する。最後
に検査部１４にて、貼付部１３を経由した基基板ＢＰの
最終検査を行う。
【００１９】以上のように、この実施例の液晶表示素子
製造方法は、ＳＴＮ型液晶表示素子の製造方法におい
て、洗浄部８にてブラシ洗浄、超音波洗浄及びシャワ−
洗浄からなる物理洗浄を行った後、紫外線／オゾン洗浄
を行うようにし、かつ、紫外線照射量を２〜１０+2×１
０-7Ｊ・Ｓ-1の範囲内としたので、汚れやシミが残存す
ることなく、ＳＴＮ型液晶のプレチルト角をその特性上
必要な４度に維持することができる。
製造方法は、ＳＴＮ型液晶表示素子の製造方法におい
て、洗浄部８にてブラシ洗浄、超音波洗浄及びシャワ−
洗浄からなる物理洗浄を行った後、紫外線／オゾン洗浄
を行うようにし、かつ、紫外線照射量を２〜１０+2×１
０-7Ｊ・Ｓ-1の範囲内としたので、汚れやシミが残存す
ることなく、ＳＴＮ型液晶のプレチルト角をその特性上
必要な４度に維持することができる。
【００２０】ちなみに、シャワ−洗浄部１７にてシャワ
−洗浄された基板ＢＰを乾燥後、呼気像法により、全体
の約７０％にシミが観察された。この傾向は、超音波洗
浄部１６における印加超音波の大きさを、0.3 〜２Ｗ／
cm2 の範囲で、洗浄時間を１０〜600 秒の範囲で変化さ
せても、変わらなかった。これに対し、物理洗浄後、紫
外線／オゾン洗浄を行ったこの実施例の基板ＢＰについ
ては、呼気像法により観察しても、シミ、汚れは全く観
察することはできなかった。したがって、この実施例の
液晶表示素子製造方法によれば。高性能かつ高信頼性の
ＳＴＮ型液晶表示素子を高歩留にて製造することが可能
となる。
−洗浄された基板ＢＰを乾燥後、呼気像法により、全体
の約７０％にシミが観察された。この傾向は、超音波洗
浄部１６における印加超音波の大きさを、0.3 〜２Ｗ／
cm2 の範囲で、洗浄時間を１０〜600 秒の範囲で変化さ
せても、変わらなかった。これに対し、物理洗浄後、紫
外線／オゾン洗浄を行ったこの実施例の基板ＢＰについ
ては、呼気像法により観察しても、シミ、汚れは全く観
察することはできなかった。したがって、この実施例の
液晶表示素子製造方法によれば。高性能かつ高信頼性の
ＳＴＮ型液晶表示素子を高歩留にて製造することが可能
となる。
【００２１】なお、上記実施例においては、ＳＴＮ型液
晶のプレチルト角は、４度であったが、液晶の種類、配
向膜の種類、基板の大きさに応じて、数度から１０度の
範囲で任意に変更自在である。さらに、上記実施例にお
けるエアナイフ部１８の代わりに、赤外線（ＩＲ）乾燥
法、スピン乾燥法を適用してもよい。さらに、シャワ−
洗浄法の代わりにスプレ−洗浄法を適用してもよい。さ
らにまた、上記実施例においては、ＳＴＮ型液晶表示素
子を例示しているが、この発明は、ＴＮ型液晶表示素子
等、その他の液晶表示素子の製造にも適用できる。
晶のプレチルト角は、４度であったが、液晶の種類、配
向膜の種類、基板の大きさに応じて、数度から１０度の
範囲で任意に変更自在である。さらに、上記実施例にお
けるエアナイフ部１８の代わりに、赤外線（ＩＲ）乾燥
法、スピン乾燥法を適用してもよい。さらに、シャワ−
洗浄法の代わりにスプレ−洗浄法を適用してもよい。さ
らにまた、上記実施例においては、ＳＴＮ型液晶表示素
子を例示しているが、この発明は、ＴＮ型液晶表示素子
等、その他の液晶表示素子の製造にも適用できる。
【００２２】さらに、基板ＢＰを洗浄する手段はブラシ
洗浄に代わりデイッピング式の超音波洗浄やスプレ−に
よる洗浄などであってもよい。また、基板ＢＰを乾燥さ
せる手段はスピン乾燥など他の手段であってもよい。
洗浄に代わりデイッピング式の超音波洗浄やスプレ−に
よる洗浄などであってもよい。また、基板ＢＰを乾燥さ
せる手段はスピン乾燥など他の手段であってもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明の液晶表示素子製造方法は、例え
ばＳＴＮ型などの液晶表示素子の製造において、洗浄部
にてブラシ洗浄、超音波洗浄及びシャワ−洗浄からなる
物理洗浄を行った後、紫外線／オゾン洗浄を行うように
し、かつ、紫外線照射量をＳＴＮ型液晶のプレチルト角
をその特性上必要な角度に維持することができる範囲内
としたので、汚れやシミが残存することなく、液晶表示
素子の所期の特性を達成することができる。したがっ
て、この発明の液晶表示素子製造方法によれば、高性能
かつ高信頼性の液晶表示素子を高歩留にて製造すること
が可能になる。
ばＳＴＮ型などの液晶表示素子の製造において、洗浄部
にてブラシ洗浄、超音波洗浄及びシャワ−洗浄からなる
物理洗浄を行った後、紫外線／オゾン洗浄を行うように
し、かつ、紫外線照射量をＳＴＮ型液晶のプレチルト角
をその特性上必要な角度に維持することができる範囲内
としたので、汚れやシミが残存することなく、液晶表示
素子の所期の特性を達成することができる。したがっ
て、この発明の液晶表示素子製造方法によれば、高性能
かつ高信頼性の液晶表示素子を高歩留にて製造すること
が可能になる。
【図１】本発明の一実施例の液晶表示素子製造方法の実
施に用いられる液晶表示素子製造装置の構成図。
施に用いられる液晶表示素子製造装置の構成図。
【図２】第１図の液晶表示素子製造装置の洗浄部の要部
を示す構成図。
を示す構成図。
【図３】本発明の一実施例の液晶表示素子製造方法によ
り製造される液晶表示素子の断面図。
り製造される液晶表示素子の断面図。
【図４】本発明の一実施例の液晶表示素子製造方法を説
明するためのグラフである。
明するためのグラフである。
ＬＣＤ…液晶表示素子、ＢＰ…基板、６…配向膜被着
部、７…ラビング部、８…洗浄部、１０…基板貼り合わ
せ部、１１…液晶注入部、１５…ブラシ洗浄部、１６…
超音波洗浄部、１９…紫外線／オゾン洗浄部、３３…Ｕ
Ｖランプ、４２…：配向膜、４５…液晶材料。
部、７…ラビング部、８…洗浄部、１０…基板貼り合わ
せ部、１１…液晶注入部、１５…ブラシ洗浄部、１６…
超音波洗浄部、１９…紫外線／オゾン洗浄部、３３…Ｕ
Ｖランプ、４２…：配向膜、４５…液晶材料。
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に配向膜を形成する配向膜形成工
程と、この配向膜形成工程にて形成された配向膜表面を
ラビングするラビング工程と、このラビング工程後に上
記基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程にて洗浄さ
れた一対の基板を貼り合わせ、この張り合わされた一対
の基板間に液晶を注入する液晶注入工程とを具備する液
晶基板製造方法において、上記洗浄工程は、上記基板を
洗浄液を用いて湿式物理洗浄する第１洗浄工程と、この
第１洗浄工程後にオゾン中にて上記基板に紫外線を照射
し乾式洗浄する第２洗浄工程とを具備することを特徴と
する液晶表示素子製造方法。 - 【請求項２】 液晶はＳＴＮ型であり、且つ、第２洗浄
工程における紫外線の照射量は、液晶のプレチルト角が
所定の角度となるように設定することを特徴とする請求
項（１）記載の液表示晶素子製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187557A JP3050957B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 液晶表示素子製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187557A JP3050957B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 液晶表示素子製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534652A true JPH0534652A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3050957B2 JP3050957B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=16208165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187557A Expired - Fee Related JP3050957B2 (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 液晶表示素子製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3050957B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0882790A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-03-26 | Japan Storage Battery Co Ltd | 液晶表示パネル用カラーフィルター残膜除去装置 |
| KR100454514B1 (ko) * | 2000-09-06 | 2004-11-05 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치와 액정 패널의제조 방법 및 제조 장치 |
| KR100841630B1 (ko) * | 2002-08-22 | 2008-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일체화된 액정표시소자 제조라인 및 이를 이용한액정표시소자 제조방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100783609B1 (ko) | 2001-07-10 | 2007-12-07 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3187557A patent/JP3050957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0882790A (ja) * | 1994-09-12 | 1996-03-26 | Japan Storage Battery Co Ltd | 液晶表示パネル用カラーフィルター残膜除去装置 |
| KR100454514B1 (ko) * | 2000-09-06 | 2004-11-05 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치의 제조 방법 및 제조 장치와 액정 패널의제조 방법 및 제조 장치 |
| US6893688B2 (en) | 2000-09-06 | 2005-05-17 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for fabricating electro-optical device and method and apparatus for fabricating liquid crystal panel |
| KR100841630B1 (ko) * | 2002-08-22 | 2008-06-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일체화된 액정표시소자 제조라인 및 이를 이용한액정표시소자 제조방법 |
| US7414696B2 (en) | 2002-08-22 | 2008-08-19 | Lg Display Co., Ltd. | Fabrication system for liquid crystal display device and method of fabricating liquid crystal display device using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3050957B2 (ja) | 2000-06-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |