JPH01210932A - 液晶表示装置の配向処理方法 - Google Patents
液晶表示装置の配向処理方法Info
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- JPH01210932A JPH01210932A JP3695388A JP3695388A JPH01210932A JP H01210932 A JPH01210932 A JP H01210932A JP 3695388 A JP3695388 A JP 3695388A JP 3695388 A JP3695388 A JP 3695388A JP H01210932 A JPH01210932 A JP H01210932A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶分子を液晶表示用基板に対して所定の方向
に配向させるための処理方法に関する。
に配向させるための処理方法に関する。
液晶表示素子では、液晶の電気光学的特性を制御するた
めに液晶分子を特定の方向に配向させる必要がある。一
般的には、配向膜として例えばポリイミドのような高分
子樹脂が用いられ、特定の材料で特定の方向に擦す（ラ
ビング）方法が用いられる。第５図は、その代表例を示
すもので、表面に布織布１６を有するローラ１５を用い
て、ポリイミド樹脂ｌの表面を矢印の方向に擦る。
めに液晶分子を特定の方向に配向させる必要がある。一
般的には、配向膜として例えばポリイミドのような高分
子樹脂が用いられ、特定の材料で特定の方向に擦す（ラ
ビング）方法が用いられる。第５図は、その代表例を示
すもので、表面に布織布１６を有するローラ１５を用い
て、ポリイミド樹脂ｌの表面を矢印の方向に擦る。
上述したラビング処理方法では、ローラ表面の布織布か
ら繊維クズが発生する。通常ラビング後洗浄処理を施す
が、この繊維クズがとりきれず、ポリイミド配向膜上に
付着したまま次工程に進む場合もしばしば発生し、２枚
の基板間のギャップ不良をひきおこす。このため、繊維
クズの発生しない、清浄な配向処理方法が望まれていた
。又、ラビングによる従来の配向処理法では、ローラで
擦るため、基板表面段差の影響を受けやすく、隅々まで
微細に配向処理を施すことが困難であった。
ら繊維クズが発生する。通常ラビング後洗浄処理を施す
が、この繊維クズがとりきれず、ポリイミド配向膜上に
付着したまま次工程に進む場合もしばしば発生し、２枚
の基板間のギャップ不良をひきおこす。このため、繊維
クズの発生しない、清浄な配向処理方法が望まれていた
。又、ラビングによる従来の配向処理法では、ローラで
擦るため、基板表面段差の影響を受けやすく、隅々まで
微細に配向処理を施すことが困難であった。
本発明の配向処理方法は、高分子樹脂からなる液晶配向
膜に紫外線を局部的に照射して、液晶配向膜表面に直線
状の周期的な凹凸を形成するという手段を有している。
膜に紫外線を局部的に照射して、液晶配向膜表面に直線
状の周期的な凹凸を形成するという手段を有している。
紫外線が照射された配向膜表面領域では、紫外線照射で
生成された雰囲気中のオゾンにより、高分子樹脂表面が
酸化されて気化する。このため、紫外線が照射されて領
域のみ表面が凹む。このように本発明では、化学反応を
利用して配向膜表面に凹凸を設けるため、従来法で発生
した、繊維クズによる工程不良および配向処理の不均一
性の問題を解決できる。
生成された雰囲気中のオゾンにより、高分子樹脂表面が
酸化されて気化する。このため、紫外線が照射されて領
域のみ表面が凹む。このように本発明では、化学反応を
利用して配向膜表面に凹凸を設けるため、従来法で発生
した、繊維クズによる工程不良および配向処理の不均一
性の問題を解決できる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図に本発明の一実施例を示す。大きさ１５０ｍｍｏ
、厚さ１．１ ｍｍの無アルカリガラス基板３に厚さ１
０００人のＩＴＯ膜からなる透明電極２をスパッタリン
グ法で形成し、この透明電極２上に厚さ１０００人のポ
リイミド樹脂１を印刷法により形成した。熱硬化処理を
施したのち、ＭＰ ２４００からなるレジスト膜４・を
０．７μｍの厚さに塗布し、通常の方法で、開口部５の
幅１μｍ、ピッチ２μｍの縞状にバターニングを行った
。
、厚さ１．１ ｍｍの無アルカリガラス基板３に厚さ１
０００人のＩＴＯ膜からなる透明電極２をスパッタリン
グ法で形成し、この透明電極２上に厚さ１０００人のポ
リイミド樹脂１を印刷法により形成した。熱硬化処理を
施したのち、ＭＰ ２４００からなるレジスト膜４・を
０．７μｍの厚さに塗布し、通常の方法で、開口部５の
幅１μｍ、ピッチ２μｍの縞状にバターニングを行った
。
次に、清浄な空気中で、紫外線６をレジスト膜４および
ポリイミド樹脂１０表面上に照射した。
ポリイミド樹脂１０表面上に照射した。
紫外線源として１００Ｗの高圧水銀ランプを用いた。レ
ジスト膜４の表面から２０ｍｍ離れた所に高圧水銀ラン
プを設けて、５１分間照射した。照射後、レジスト膜４
を剥離し、ポリイミド樹脂１０表面を電子顕微鏡で観察
した結果、深さ約２００人。
ジスト膜４の表面から２０ｍｍ離れた所に高圧水銀ラン
プを設けて、５１分間照射した。照射後、レジスト膜４
を剥離し、ポリイミド樹脂１０表面を電子顕微鏡で観察
した結果、深さ約２００人。
幅１μｍ、ピッチ２μｍの直線状の周期的凹凸を有する
ポリイミド配向膜７が形成されて℃・た（第２図）。
ポリイミド配向膜７が形成されて℃・た（第２図）。
次に、このような手法を用いて、液晶デイスプレィパネ
ルを作成した。第３図は、液晶表示セル構成を示す断面
図で、アクティブ素子層９とポリイミド配向膜、ＰＦｌ
ｏが順次積層された構造を有するガラス基板８と、ＩＴ
Ｏからなる透明電極１３゜ポリイミド配向膜考１２が順
次積層された構造を有するガラス基板１４との間に層厚
４μｍの液晶１１が封入されている。ポリイミド配向膜
表面の凹凸の直線方向は、ポリイミド配向膜甲１０とポ
リイミド配向膜Ｚ１２とでは第４図に示すように９０°
異っている。
ルを作成した。第３図は、液晶表示セル構成を示す断面
図で、アクティブ素子層９とポリイミド配向膜、ＰＦｌ
ｏが順次積層された構造を有するガラス基板８と、ＩＴ
Ｏからなる透明電極１３゜ポリイミド配向膜考１２が順
次積層された構造を有するガラス基板１４との間に層厚
４μｍの液晶１１が封入されている。ポリイミド配向膜
表面の凹凸の直線方向は、ポリイミド配向膜甲１０とポ
リイミド配向膜Ｚ１２とでは第４図に示すように９０°
異っている。
このような液晶デイスプレィパネルを作成して光学特性
を評価した結果、従来のラビング法で配向処理した場合
よりも均一性の優れた、良好な液晶配向状態が得られて
いた。
を評価した結果、従来のラビング法で配向処理した場合
よりも均一性の優れた、良好な液晶配向状態が得られて
いた。
又、このようなパネルを２０個作成したところ、いずれ
も良好な表示特性が得られ、再現性の点でも従来の方法
に比べて優れていた。
も良好な表示特性が得られ、再現性の点でも従来の方法
に比べて優れていた。
次に、本発明の他の実施例を説明する。本実施例では、
紫外線源としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ
）を用いた。レンズ系により幅５−１長さ３０ｍｍのビ
ーム形状に整形し、第１゜２図の実施例と同じ構造の試
料表面に、清浄な空気中で照射した。照射時には、レジ
スト膜パターンのライン方向に毎秒１０關の速度で試料
を移動させた。ＫｒＦエキシマレーザ照射後、レジスト
膜を剥離して、ポリイミド配向膜表面を電子顕微鏡で観
察した結果、深さ約１００人１幅２μｍ。
紫外線源としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ
）を用いた。レンズ系により幅５−１長さ３０ｍｍのビ
ーム形状に整形し、第１゜２図の実施例と同じ構造の試
料表面に、清浄な空気中で照射した。照射時には、レジ
スト膜パターンのライン方向に毎秒１０關の速度で試料
を移動させた。ＫｒＦエキシマレーザ照射後、レジスト
膜を剥離して、ポリイミド配向膜表面を電子顕微鏡で観
察した結果、深さ約１００人１幅２μｍ。
ピッチ４μｍの直線状の表面凹凸が形成されていた。こ
のような方法で紫外線照射処理したポリイミド配向膜を
用いて、第１，２図の一実施例で述べたと同様な液晶デ
イスプレィパネルを作成し表示特性を評価した結果２良
好な液晶配向状態が確認された。
のような方法で紫外線照射処理したポリイミド配向膜を
用いて、第１，２図の一実施例で述べたと同様な液晶デ
イスプレィパネルを作成し表示特性を評価した結果２良
好な液晶配向状態が確認された。
ＫｒＦ以外の他のエキシマレーザ、例えばＡ ｒ Ｆ波
長１９３ｎｍ）を用いてもポリイミド樹脂表面に凹凸を
形成することができた。
長１９３ｎｍ）を用いてもポリイミド樹脂表面に凹凸を
形成することができた。
以上説明したように、本発明は、配向処理法として紫外
線による化学反応を利用しているため、従来の方法でみ
られたような繊維クズの発生が全くなく、従ってこのよ
うな異物に起因した表示不良発生率を従来に比べて低減
できるという利点を有する。
線による化学反応を利用しているため、従来の方法でみ
られたような繊維クズの発生が全くなく、従ってこのよ
うな異物に起因した表示不良発生率を従来に比べて低減
できるという利点を有する。
又、従来の方法では、基板表面の段差の影響を受けやす
いため、隅々まで微細な配向処理を施すことが困難で、
繊維クズのような異物がなくても局所的に配向不良が生
じやすかったが、本発明の方法を用いることにより、こ
のような問題からも解決され、従来よりも均一かつ再現
良く配向処理を行うことができる。
いため、隅々まで微細な配向処理を施すことが困難で、
繊維クズのような異物がなくても局所的に配向不良が生
じやすかったが、本発明の方法を用いることにより、こ
のような問題からも解決され、従来よりも均一かつ再現
良く配向処理を行うことができる。
第１図〜第４図は本発明の一実施例を示す図で、第１図
は配向処理工程での断面図、第２図は、配向処理後の状
態を模式的に示した基板断面図、第３図は、液晶表示セ
ルの断面図、第４図は、液晶表示セル（第３図）の２組
のポリイミド配向膜の表面凹凸の方向を説明する図であ
る。第５図は、従来法による配向処理を説明する断面図
である。 １・・・・・・ポリイミド樹脂、２，１３・・・・・・
透明電極、３．８．１４・・・・・・ガラス基板、４・
・・・・・レジスト膜、５・・・・・・開口部、６・・
・・・・紫外線、７・・・・・・ポリイミド配向膜、９
・・・・・・アクティブ素子層、１０・・・・・・ポリ
イミド配向膜蛸、１１・・・・・・液晶、１２・・・・
・・ポリイミド配向膜４．１５・・・・・・ローラー、
１６・・・・・・布織布。 代理人 弁理士 内 原 音 第１ 画 茅２１！Ｉ 第３ 圀
は配向処理工程での断面図、第２図は、配向処理後の状
態を模式的に示した基板断面図、第３図は、液晶表示セ
ルの断面図、第４図は、液晶表示セル（第３図）の２組
のポリイミド配向膜の表面凹凸の方向を説明する図であ
る。第５図は、従来法による配向処理を説明する断面図
である。 １・・・・・・ポリイミド樹脂、２，１３・・・・・・
透明電極、３．８．１４・・・・・・ガラス基板、４・
・・・・・レジスト膜、５・・・・・・開口部、６・・
・・・・紫外線、７・・・・・・ポリイミド配向膜、９
・・・・・・アクティブ素子層、１０・・・・・・ポリ
イミド配向膜蛸、１１・・・・・・液晶、１２・・・・
・・ポリイミド配向膜４．１５・・・・・・ローラー、
１６・・・・・・布織布。 代理人 弁理士 内 原 音 第１ 画 茅２１！Ｉ 第３ 圀
Claims (1)
- 高分子樹脂からなる液晶配向膜に紫外線を局部的に照射
して液晶配向膜表面に直線状の周期的な凹凸を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の配向処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3695388A JPH01210932A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 液晶表示装置の配向処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3695388A JPH01210932A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 液晶表示装置の配向処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01210932A true JPH01210932A (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=12484110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3695388A Pending JPH01210932A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 液晶表示装置の配向処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01210932A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5128788A (en) * | 1989-09-29 | 1992-07-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid-crystal orientating film, method of manufacturing the film, and liquid-crystal element having the film |
| US5579141A (en) * | 1993-07-23 | 1996-11-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having regions with different pretilt angles |
| US5594570A (en) * | 1993-07-30 | 1997-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| US5604615A (en) * | 1994-05-27 | 1997-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and methods for producing same with alignment layer having new bond formation or bond cleavage reaction of molecular chains by light irradiation |
| US5627667A (en) * | 1993-01-29 | 1997-05-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus, a method for producing the same, and a substrate |
| US5666178A (en) * | 1993-07-30 | 1997-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having plural regions of different aligning conditions and method for producing the same |
| US5838407A (en) * | 1991-07-26 | 1998-11-17 | Rolic Ag | Liquid crystal display cells |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP3695388A patent/JPH01210932A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5691792A (en) * | 1993-01-29 | 1997-11-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a liquid crystal display apparatus by irradiating an aligning film with light to reduce pretilt angles of liquid crystal molecules thereof |
| US5627667A (en) * | 1993-01-29 | 1997-05-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus, a method for producing the same, and a substrate |
| US5657102A (en) * | 1993-01-29 | 1997-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus, a method for producing the same, and a substrate having an alignment layer with different degrees of roughness |
| US5579141A (en) * | 1993-07-23 | 1996-11-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having regions with different pretilt angles |
| US5652634A (en) * | 1993-07-30 | 1997-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multiple domain liquid crystal display device with particular reference orientation directions and method for producing the same |
| US5666178A (en) * | 1993-07-30 | 1997-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having plural regions of different aligning conditions and method for producing the same |
| US5689322A (en) * | 1993-07-30 | 1997-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having regions with different twist angles |
| US5594570A (en) * | 1993-07-30 | 1997-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| US5855968A (en) * | 1993-07-30 | 1999-01-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
| US6013335A (en) * | 1993-07-30 | 2000-01-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and method for processing the same |
| US5604615A (en) * | 1994-05-27 | 1997-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and methods for producing same with alignment layer having new bond formation or bond cleavage reaction of molecular chains by light irradiation |
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