JPH1164812A - 薄膜塗布装置および方法、並びに液晶表示素子の製造法 - Google Patents
薄膜塗布装置および方法、並びに液晶表示素子の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素欠陥の少ない液晶素子を高い歩留まりで
得る製造法。 【解決手段】 一対の透明基板上に電極と半導体素子を
設ける工程、フォトレジスト塗布、露光、エッチング、
レジスト剥離、電極及び半導体素子検査、絶縁膜塗布、
配向膜塗布、配向膜ラビング、スペーサー散布、シール
剤塗布、セル組立、液晶封入、偏向板貼付、ドライバー
ＩＣの接続等の諸工程を有する液晶素子の製造法におい
て、配向膜をラビングする以前の少なくとも一つの工程
において、該基板に軟Ｘ線を照射することを特徴とする
液晶素子の製造法。
得る製造法。 【解決手段】 一対の透明基板上に電極と半導体素子を
設ける工程、フォトレジスト塗布、露光、エッチング、
レジスト剥離、電極及び半導体素子検査、絶縁膜塗布、
配向膜塗布、配向膜ラビング、スペーサー散布、シール
剤塗布、セル組立、液晶封入、偏向板貼付、ドライバー
ＩＣの接続等の諸工程を有する液晶素子の製造法におい
て、配向膜をラビングする以前の少なくとも一つの工程
において、該基板に軟Ｘ線を照射することを特徴とする
液晶素子の製造法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、軟Ｘ線を用いた薄
膜塗布装置、薄膜塗布方法、液晶表示素子の製造方法お
よびこの方法で製造された液晶表示素子に関する。
膜塗布装置、薄膜塗布方法、液晶表示素子の製造方法お
よびこの方法で製造された液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、駆動電圧が低く、軽量
かつ高画質であることから、パソコンやワープロなどの
ＯＡ機器分野への導入が活発である。これらの用途に用
いられる液晶表示素子は、上下で一対をなす電極基板の
表面で、ネマチック液晶分子の配列方向を９０度ねじっ
たツイストネマチックモードの物が汎用されている。液
晶分子のねじれ角を１８０〜３００度と大きくした物
も、スーパーツイステッドネマチックモードとして知ら
れている。また近年はマトリクス表示やカラー表示等を
行なうために、多数の画素電極のＯＮ−ＯＦＦを行なう
ＭＩＭ（金属−絶縁相−金属）素子や、ＴＦＴ（電界効
果型薄膜トランジスタ）素子を用いるアクティブマトリ
ックス型ツイストネマチックモードの液晶表示素子の開
発が盛んになってきた。特開平２−２５２５号公報に
は、Ｘ線レジスト層を設けた基板上に平行Ｘ線を照射
し、ついで現像液、リンス液に浸せきすることにより、
液晶分子のプレチルト角を大きくする技術が開示されて
いる。該公報の技術は、Ｘ線によりＸ線レジスト層が感
光し、現像液、リンス液への浸せきによりＸ線レジスト
表面に凹凸ができ、液晶分子が配向するというものであ
る。また、軟Ｘ線の静電気除去効果を利用した薄膜塗布
装置の一例が特開平８−２１１６２２号公報に開示され
ている。
かつ高画質であることから、パソコンやワープロなどの
ＯＡ機器分野への導入が活発である。これらの用途に用
いられる液晶表示素子は、上下で一対をなす電極基板の
表面で、ネマチック液晶分子の配列方向を９０度ねじっ
たツイストネマチックモードの物が汎用されている。液
晶分子のねじれ角を１８０〜３００度と大きくした物
も、スーパーツイステッドネマチックモードとして知ら
れている。また近年はマトリクス表示やカラー表示等を
行なうために、多数の画素電極のＯＮ−ＯＦＦを行なう
ＭＩＭ（金属−絶縁相−金属）素子や、ＴＦＴ（電界効
果型薄膜トランジスタ）素子を用いるアクティブマトリ
ックス型ツイストネマチックモードの液晶表示素子の開
発が盛んになってきた。特開平２−２５２５号公報に
は、Ｘ線レジスト層を設けた基板上に平行Ｘ線を照射
し、ついで現像液、リンス液に浸せきすることにより、
液晶分子のプレチルト角を大きくする技術が開示されて
いる。該公報の技術は、Ｘ線によりＸ線レジスト層が感
光し、現像液、リンス液への浸せきによりＸ線レジスト
表面に凹凸ができ、液晶分子が配向するというものであ
る。また、軟Ｘ線の静電気除去効果を利用した薄膜塗布
装置の一例が特開平８−２１１６２２号公報に開示され
ている。
【０００３】一方、特開平８−４５６９５号公報および
特開平８−１２４６９５号公報には、軟Ｘ線を用いた静
電気除去装置が開示されている。これらの公報は基本的
に軟Ｘ線によりイオン化された空気を対象物に吹き付け
るというものである。本願発明者らが先に出願した特開
平８−５０２９３号公報には、ラビング処理した後に気
体中で配向膜に軟Ｘ線を照射することを特徴とする液晶
表示素子の製造方法が開示されている。該公報において
は、ラビング処理により活性化された配向膜に軟Ｘ線を
照射することにより、配向膜の表面エネルギーを低減
し、液晶表示素子の表示むらを防止する技術が提案され
ているが、前述の特開平８−５０２９３号公報ではラビ
ング処理後に、基板上に軟Ｘ線を照射する技術について
は開示されているが、本願発明者らがさらに鋭意検討し
た結果、液晶素子の製造法におけるラビング処理を施す
以前の工程において、基板上に軟Ｘ線を照射することに
よっても表示むらを効果的に防止する効果が見いだされ
た。
特開平８−１２４６９５号公報には、軟Ｘ線を用いた静
電気除去装置が開示されている。これらの公報は基本的
に軟Ｘ線によりイオン化された空気を対象物に吹き付け
るというものである。本願発明者らが先に出願した特開
平８−５０２９３号公報には、ラビング処理した後に気
体中で配向膜に軟Ｘ線を照射することを特徴とする液晶
表示素子の製造方法が開示されている。該公報において
は、ラビング処理により活性化された配向膜に軟Ｘ線を
照射することにより、配向膜の表面エネルギーを低減
し、液晶表示素子の表示むらを防止する技術が提案され
ているが、前述の特開平８−５０２９３号公報ではラビ
ング処理後に、基板上に軟Ｘ線を照射する技術について
は開示されているが、本願発明者らがさらに鋭意検討し
た結果、液晶素子の製造法におけるラビング処理を施す
以前の工程において、基板上に軟Ｘ線を照射することに
よっても表示むらを効果的に防止する効果が見いだされ
た。
【０００４】マルチメディア時代をむかえて文字表示や
図形表示が多く求められることから、液晶表示装置は必
然的に大画面、多画素、高精細の方向に向かっており、
これに伴って液晶表示素子の製造歩留まりが幾分低下す
る傾向にある。液晶表示素子の製造歩留まりを低減させ
る要因としては、画面の一部にコントラストや色度の異
なる領域のできる表示むら、あるいは黒表示の時に光が
抜ける白欠陥や、白表示の時に光を透過しない黒欠陥等
の画素欠陥が挙げられる。
図形表示が多く求められることから、液晶表示装置は必
然的に大画面、多画素、高精細の方向に向かっており、
これに伴って液晶表示素子の製造歩留まりが幾分低下す
る傾向にある。液晶表示素子の製造歩留まりを低減させ
る要因としては、画面の一部にコントラストや色度の異
なる領域のできる表示むら、あるいは黒表示の時に光が
抜ける白欠陥や、白表示の時に光を透過しない黒欠陥等
の画素欠陥が挙げられる。
【０００５】液晶表示素子の製造工程においては、いわ
ゆるゴミや、反応生成物、基板や周辺材料からの離散物
等の多くのパーティクルが発生していると考えられる。
このパーティクルが液晶表示素子中に混入して前述した
表示むらや画素欠陥の主たる原因となっている。クリー
ン化技術の進歩にともない、大きなパーティクルが混入
することは希になったが、人体から発生する脂肪酸類な
どの微少なパーティクルを完全に取り除くことはまだ難
しい。最近では、この微少のパーティクルを除去するた
めに、エアーワイパー式に噴射し得るノズル体を用いた
ドライ洗浄処理や、純水や有機溶剤などによるウエット
洗浄処理が行なわれている。しかしながら、ドライ洗浄
処理においては微少なパーティクルを完全に取り除くこ
とは困難であり、ウエット洗浄処理においては洗浄液中
にも微量の不純物が含まれることが指摘されており、こ
れを完全に除去することはやはり困難である。
ゆるゴミや、反応生成物、基板や周辺材料からの離散物
等の多くのパーティクルが発生していると考えられる。
このパーティクルが液晶表示素子中に混入して前述した
表示むらや画素欠陥の主たる原因となっている。クリー
ン化技術の進歩にともない、大きなパーティクルが混入
することは希になったが、人体から発生する脂肪酸類な
どの微少なパーティクルを完全に取り除くことはまだ難
しい。最近では、この微少のパーティクルを除去するた
めに、エアーワイパー式に噴射し得るノズル体を用いた
ドライ洗浄処理や、純水や有機溶剤などによるウエット
洗浄処理が行なわれている。しかしながら、ドライ洗浄
処理においては微少なパーティクルを完全に取り除くこ
とは困難であり、ウエット洗浄処理においては洗浄液中
にも微量の不純物が含まれることが指摘されており、こ
れを完全に除去することはやはり困難である。
【０００６】一方、液晶パネル製造工程においてはガラ
ス基板の搬送時や薄膜塗布工程等において６〜１０kVと
いう極めて高い静電気が発生することが知られている。
そして、発生した静電気により基板上にパーティクルが
付着し易くなるため、液晶表示素子の製造歩留まりを低
減させる大きな要因となっている。このような静電気に
対しては、加湿器を使用して湿度を６０〜７０％に高め
たり、イオン発生装置を付設して前記パーティクルの付
着に対処しているがまだ不十分であった。この静電気に
よる弊害としては、静電破壊による電極の断線・短絡、
アクティブ素子の動作不良等が挙げられている。以上の
ように、液晶表示素子の製造における歩留まりを向上す
るには、設備内パーティクルを減らすこと、静電気に起
因するパーティクルの基板への付着を制限すること、付
着したパーティクルを洗浄により落とすことが重要であ
るが、従来の方法では根本的な解決は困難であった。レ
ジスト、絶縁膜、配向膜等の薄膜塗布工程においては、
流動性のある液体を基板上に塗布した後に溶剤を蒸発・
乾燥させるため、塗布、蒸発・乾燥の過程で基板表面に
付着したパーティクルは、洗浄処理によっても除去する
のが困難であり特に大きな問題となっている。
ス基板の搬送時や薄膜塗布工程等において６〜１０kVと
いう極めて高い静電気が発生することが知られている。
そして、発生した静電気により基板上にパーティクルが
付着し易くなるため、液晶表示素子の製造歩留まりを低
減させる大きな要因となっている。このような静電気に
対しては、加湿器を使用して湿度を６０〜７０％に高め
たり、イオン発生装置を付設して前記パーティクルの付
着に対処しているがまだ不十分であった。この静電気に
よる弊害としては、静電破壊による電極の断線・短絡、
アクティブ素子の動作不良等が挙げられている。以上の
ように、液晶表示素子の製造における歩留まりを向上す
るには、設備内パーティクルを減らすこと、静電気に起
因するパーティクルの基板への付着を制限すること、付
着したパーティクルを洗浄により落とすことが重要であ
るが、従来の方法では根本的な解決は困難であった。レ
ジスト、絶縁膜、配向膜等の薄膜塗布工程においては、
流動性のある液体を基板上に塗布した後に溶剤を蒸発・
乾燥させるため、塗布、蒸発・乾燥の過程で基板表面に
付着したパーティクルは、洗浄処理によっても除去する
のが困難であり特に大きな問題となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、この
ような従来技術の欠点を改善するためになされたもので
あり、液晶表示素子の製造工程中に発生する静電気の除
去に効果的な薄膜塗布装置および方法を提供すること、
液晶表示素子の製造工程中に発生する静電気を効果的に
除去して生産の歩留まりを向上させるような液晶表示素
子の製造方法およびこの方法により製造された液晶表示
素子を提供することにある。
ような従来技術の欠点を改善するためになされたもので
あり、液晶表示素子の製造工程中に発生する静電気の除
去に効果的な薄膜塗布装置および方法を提供すること、
液晶表示素子の製造工程中に発生する静電気を効果的に
除去して生産の歩留まりを向上させるような液晶表示素
子の製造方法およびこの方法により製造された液晶表示
素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の特開平８−５０２
９３号公報ではラビング処理後に、基板上に軟Ｘ線を照
射する技術については開示されているが、本願発明者ら
はさらに鋭意検討した結果、液晶素子の製造法における
ラビング処理を施す以前の工程において、基板上に軟Ｘ
線を照射することによっても表示むらを効果的に防止で
きることを見いだし、本発明に到達した。
９３号公報ではラビング処理後に、基板上に軟Ｘ線を照
射する技術については開示されているが、本願発明者ら
はさらに鋭意検討した結果、液晶素子の製造法における
ラビング処理を施す以前の工程において、基板上に軟Ｘ
線を照射することによっても表示むらを効果的に防止で
きることを見いだし、本発明に到達した。
【０００９】本願で特許請求される発明は以下のとおり
である。 （１）装置内で基板を移動させ得る基板の移送部と、該
基板上に薄膜を塗布するための塗布部と、前記基板の移
送部または塗布部において基板に対して軟Ｘ線を出射す
る軟Ｘ線照射部とを有することを特徴とする薄膜塗布装
置。 （２）軟Ｘ線照射部における軟Ｘ線のエネルギーが４〜
９．５keV であることを特徴とする上記（１）記載の薄
膜塗布装置。 （３）該基板から軟Ｘ線源までの距離が１５００mm以下
であることを特徴とする上記（１）記載の薄膜塗布装
置。 （４）軟Ｘ線照射部が、塗布部の前および後の位置で基
板に対して軟Ｘ線をそれぞれ照射し得る、第一および第
二の軟Ｘ線照射部を含むことを特徴とする上記（１）記
載の薄膜塗布装置。 （５）薄膜がフォトレジストであることを特徴とする上
記（１）記載の薄膜塗布装置。
である。 （１）装置内で基板を移動させ得る基板の移送部と、該
基板上に薄膜を塗布するための塗布部と、前記基板の移
送部または塗布部において基板に対して軟Ｘ線を出射す
る軟Ｘ線照射部とを有することを特徴とする薄膜塗布装
置。 （２）軟Ｘ線照射部における軟Ｘ線のエネルギーが４〜
９．５keV であることを特徴とする上記（１）記載の薄
膜塗布装置。 （３）該基板から軟Ｘ線源までの距離が１５００mm以下
であることを特徴とする上記（１）記載の薄膜塗布装
置。 （４）軟Ｘ線照射部が、塗布部の前および後の位置で基
板に対して軟Ｘ線をそれぞれ照射し得る、第一および第
二の軟Ｘ線照射部を含むことを特徴とする上記（１）記
載の薄膜塗布装置。 （５）薄膜がフォトレジストであることを特徴とする上
記（１）記載の薄膜塗布装置。
【００１０】（６）薄膜が絶縁膜であることを特徴とす
る上記（１）記載の薄膜塗布装置。 （７）薄膜が配向膜であることを特徴とする上記（１）
記載の薄膜塗布装置。 （８）前記基板の移送部に基板をセットし、前記塗布部
で該基板に薄膜を塗布する、上記（１）載の薄膜塗布装
置を用いた薄膜塗布方法。 （９）薄膜がフォトレジストであることを特徴とする上
記（８）記載の薄膜塗布方法。 （１０）薄膜が絶縁膜であることを特徴とする上記
（８）記載の薄膜塗布方法。 （１１）薄膜が配向膜であることを特徴とする上記
（８）記載の薄膜塗布方法。
る上記（１）記載の薄膜塗布装置。 （７）薄膜が配向膜であることを特徴とする上記（１）
記載の薄膜塗布装置。 （８）前記基板の移送部に基板をセットし、前記塗布部
で該基板に薄膜を塗布する、上記（１）載の薄膜塗布装
置を用いた薄膜塗布方法。 （９）薄膜がフォトレジストであることを特徴とする上
記（８）記載の薄膜塗布方法。 （１０）薄膜が絶縁膜であることを特徴とする上記
（８）記載の薄膜塗布方法。 （１１）薄膜が配向膜であることを特徴とする上記
（８）記載の薄膜塗布方法。
【００１１】（１２）一対の透明基板上に透明電極およ
び半導体素子を設ける工程、該基板上に所定のパターン
に従ってフォトレジストを塗布する工程、該基板上のフ
ォトレジストに露光する工程、該基板をエッチングする
工程、該基板上のフォトレジストを剥離する工程、該透
明電極および半導体素子を検査する工程、該基板上に絶
縁膜を塗布する工程、該基板上に配向膜を塗布する工
程、しかる後該基板上の配向膜をラビング処理する工
程、該基板にスペーサーを散布する工程、該基板にシー
ル剤を塗布する工程、該基板を重ね合わせる工程、該基
板の間に所定のギャップを設ける工程、該基板を所定サ
イズに分断する工程、該ギャップに液晶材料を封入する
工程、該基板に偏光板を貼り付ける工程、および前記透
明電極にドライバーＩＣを接続する工程を含む液晶表示
素子の製造法において、前記ラビング処理をする工程よ
りも前の少なくとも一つの工程において気体中で該基板
に軟Ｘ線を照射することを特徴とする、液晶表示素子の
製造方法。
び半導体素子を設ける工程、該基板上に所定のパターン
に従ってフォトレジストを塗布する工程、該基板上のフ
ォトレジストに露光する工程、該基板をエッチングする
工程、該基板上のフォトレジストを剥離する工程、該透
明電極および半導体素子を検査する工程、該基板上に絶
縁膜を塗布する工程、該基板上に配向膜を塗布する工
程、しかる後該基板上の配向膜をラビング処理する工
程、該基板にスペーサーを散布する工程、該基板にシー
ル剤を塗布する工程、該基板を重ね合わせる工程、該基
板の間に所定のギャップを設ける工程、該基板を所定サ
イズに分断する工程、該ギャップに液晶材料を封入する
工程、該基板に偏光板を貼り付ける工程、および前記透
明電極にドライバーＩＣを接続する工程を含む液晶表示
素子の製造法において、前記ラビング処理をする工程よ
りも前の少なくとも一つの工程において気体中で該基板
に軟Ｘ線を照射することを特徴とする、液晶表示素子の
製造方法。
【００１２】（１３）軟Ｘ線の照射エネルギーが４〜
９．５keV であることを特徴とする上記（１２）記載の
液晶表示素子の製造方法。 （１４）基板から軟Ｘ線源までの距離が１５００mm以下
であることを特徴とする上記（１２）記載の液晶表示素
子の製造方法。 （１５）上記（１２）記載の方法により製造された液晶
表示素子。
９．５keV であることを特徴とする上記（１２）記載の
液晶表示素子の製造方法。 （１４）基板から軟Ｘ線源までの距離が１５００mm以下
であることを特徴とする上記（１２）記載の液晶表示素
子の製造方法。 （１５）上記（１２）記載の方法により製造された液晶
表示素子。
【００１３】（１６）液晶材料が一般式（２）または一
般式（３）
般式（３）
【化３】
【００１４】（これらの式において、Ｒ1 およびＲ3 は
それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基また
は炭素数２〜１０のアルケニル基を、Ｒ2 およびＲ4 は
それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基も
しくはアルキルオキシ基、−ＣＮ、フッ素原子、塩素原
子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ2 、−ＯＣＦ3 または−ＯＣＨ
Ｆ2 を、Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 およびＳ4 はそれぞれ独立に
水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ
2 、−ＯＣＦ3 または−ＯＣＨＦ2 を、Ｚ1 、Ｚ 2 およ
びＺ3 はそれぞれ独立に−ＣＯＯ−、−ＣＨ2 ＣＨ
2 −、−Ｃ≡Ｃ−または単結合をそれぞれ表わし、
Ａ1 、Ａ2 およびＡ3 はそれぞれ独立に
それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基また
は炭素数２〜１０のアルケニル基を、Ｒ2 およびＲ4 は
それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基も
しくはアルキルオキシ基、−ＣＮ、フッ素原子、塩素原
子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ2 、−ＯＣＦ3 または−ＯＣＨ
Ｆ2 を、Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 およびＳ4 はそれぞれ独立に
水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ
2 、−ＯＣＦ3 または−ＯＣＨＦ2 を、Ｚ1 、Ｚ 2 およ
びＺ3 はそれぞれ独立に−ＣＯＯ−、−ＣＨ2 ＣＨ
2 −、−Ｃ≡Ｃ−または単結合をそれぞれ表わし、
Ａ1 、Ａ2 およびＡ3 はそれぞれ独立に
【化４】 を表わす）で示される化合物を少なくとも一つ含む混合
物であることを特徴とする上記（１５）記載の液晶表示
素子。本発明の薄膜塗布装置は、装置内で基板を移動さ
せ得る基板の移送部と、該基板上に薄膜を塗布するため
の塗布部と、該基板の移送部または塗布部において該基
板に対して軟Ｘ線を出射するための軟Ｘ線照射部とを有
することを特徴とする。
物であることを特徴とする上記（１５）記載の液晶表示
素子。本発明の薄膜塗布装置は、装置内で基板を移動さ
せ得る基板の移送部と、該基板上に薄膜を塗布するため
の塗布部と、該基板の移送部または塗布部において該基
板に対して軟Ｘ線を出射するための軟Ｘ線照射部とを有
することを特徴とする。
【００１５】本発明の基本原理は、波長の長い軟Ｘ線の
電離作用により発生する気体イオンが基板上に吸着する
ことにより、薄膜塗布工程において生じる静電気を簡単
かつ効果的に除去でき、その除電効果により被塗布面へ
のパーティクルの付着および静電破壊を防止して製品の
歩留まりを向上させることである。
電離作用により発生する気体イオンが基板上に吸着する
ことにより、薄膜塗布工程において生じる静電気を簡単
かつ効果的に除去でき、その除電効果により被塗布面へ
のパーティクルの付着および静電破壊を防止して製品の
歩留まりを向上させることである。
【００１６】本発明で用いられる軟Ｘ線照射装置は、軟
Ｘ線のエネルギーが４〜９．５キロ電子ボルト（keV)で
出力を安定してコントロールできるものであれば特に限
定されるものではない。軟Ｘ線の照射時間も特に限定さ
れるものではないが、通常は０．５秒以上であり、好ま
しくは２〜３００秒である。照射時間０．５秒未満で
は、軟Ｘ線照射による効果が小さくなってしまう。軟Ｘ
線照射距離は、特に限定されるものではないが、通常は
１５００mm以下に調節され、好ましくは１０〜４００mm
が適当である。
Ｘ線のエネルギーが４〜９．５キロ電子ボルト（keV)で
出力を安定してコントロールできるものであれば特に限
定されるものではない。軟Ｘ線の照射時間も特に限定さ
れるものではないが、通常は０．５秒以上であり、好ま
しくは２〜３００秒である。照射時間０．５秒未満で
は、軟Ｘ線照射による効果が小さくなってしまう。軟Ｘ
線照射距離は、特に限定されるものではないが、通常は
１５００mm以下に調節され、好ましくは１０〜４００mm
が適当である。
【００１７】本発明で用いられる軟Ｘ線照射装置は、基
板の片面に所定電極が形成された透明基板上に塗布溶液
を滴下せしめるディスペンサと呼ばれる溶液供給手段
と、該透明基板上に滴下した塗布溶液を回転による遠心
力により平坦化せしめるための回転可能なステージとを
具備するスピンコート方式のフォトレジスト塗布装置、
絶縁膜塗布装置または配向膜塗布装置等に搭載して用い
ることができる。本発明において、軟Ｘ線を照射する雰
囲気は、気体中であればなんら限定されるものではな
い。好ましい気体としては、空気、窒素、二酸化炭素、
水蒸気、ヘリウム、ネオン、アルゴン、これらの少なく
とも一種と酸素との混合気体、およびそれらの混合気体
を挙げることができる。
板の片面に所定電極が形成された透明基板上に塗布溶液
を滴下せしめるディスペンサと呼ばれる溶液供給手段
と、該透明基板上に滴下した塗布溶液を回転による遠心
力により平坦化せしめるための回転可能なステージとを
具備するスピンコート方式のフォトレジスト塗布装置、
絶縁膜塗布装置または配向膜塗布装置等に搭載して用い
ることができる。本発明において、軟Ｘ線を照射する雰
囲気は、気体中であればなんら限定されるものではな
い。好ましい気体としては、空気、窒素、二酸化炭素、
水蒸気、ヘリウム、ネオン、アルゴン、これらの少なく
とも一種と酸素との混合気体、およびそれらの混合気体
を挙げることができる。
【００１８】本発明に用いられる軟Ｘ線は、エネルギー
が低いため物質の透過能が非常に弱いものである。これ
は、透明な塩化ビニール板などで容易に遮蔽できるレベ
ルにあり、人体に危険を及ぼすこともなく、安全管理の
面からも問題はない。以下、薄膜としてフォトレジスト
を用いた本発明の薄膜塗布装置を図面を参照して説明す
る。
が低いため物質の透過能が非常に弱いものである。これ
は、透明な塩化ビニール板などで容易に遮蔽できるレベ
ルにあり、人体に危険を及ぼすこともなく、安全管理の
面からも問題はない。以下、薄膜としてフォトレジスト
を用いた本発明の薄膜塗布装置を図面を参照して説明す
る。
【発明の実施の形態】図１、２および３は、本発明の一
実施例を示すフォトレジスト塗布装置のそれぞれ正面
図、側面図および平面図である。フォトレジスト塗布装
置１は、回転可能なステージ４の上に載置されたガラス
等の透明基板３と、該透明基板３上にフォトレジスト溶
液を滴下するためのディスペンサ２と、ステージ４から
透明基板３を取り外し易くするために、前記ステージ４
に埋設、内蔵された、透明基板３の片側を押し上げ得る
突出自在の突き上げピン６と、前記基板上に軟Ｘ線を照
射する装置８および９とから主として構成される。な
お、図中、５は架台、１０は軟Ｘ線の照射窓、１２は装
置８の支持棒、１３は支柱１１に設けられた支持棒の連
結金具である。以上の構成において、真空吸着によって
ステージ４上にセットされた、透明電極の形成された透
明ガラス基板３上に、操作部７のスタートボタン（図示
せず）の押圧により、ディスペンサ２から所定量のフォ
トレジスト溶液を滴下され、ステージ４が所定回転数で
回転することにより、基板上にフォトレジスト塗布処理
がなされる。
実施例を示すフォトレジスト塗布装置のそれぞれ正面
図、側面図および平面図である。フォトレジスト塗布装
置１は、回転可能なステージ４の上に載置されたガラス
等の透明基板３と、該透明基板３上にフォトレジスト溶
液を滴下するためのディスペンサ２と、ステージ４から
透明基板３を取り外し易くするために、前記ステージ４
に埋設、内蔵された、透明基板３の片側を押し上げ得る
突出自在の突き上げピン６と、前記基板上に軟Ｘ線を照
射する装置８および９とから主として構成される。な
お、図中、５は架台、１０は軟Ｘ線の照射窓、１２は装
置８の支持棒、１３は支柱１１に設けられた支持棒の連
結金具である。以上の構成において、真空吸着によって
ステージ４上にセットされた、透明電極の形成された透
明ガラス基板３上に、操作部７のスタートボタン（図示
せず）の押圧により、ディスペンサ２から所定量のフォ
トレジスト溶液を滴下され、ステージ４が所定回転数で
回転することにより、基板上にフォトレジスト塗布処理
がなされる。
【００１９】本フォトレジスト塗布装置においては、軟
Ｘ線照射装置が２台設けられているが、第１の軟Ｘ線照
射装置８は、フォトレジスト塗布処理の実際に行なわれ
る位置で、換言すればフォトレジスト塗布処理中に、ス
テージ４上の透明基板を照射するためのものであり、第
２の軟Ｘ線照射装置９は、塗布処理前後の準備・待機位
置（図１の右側）、換言すれば塗布処理前後に、ステー
ジ４上の透明基板３を照射するものである。なお、軟Ｘ
線照射装置８、９の照射範囲（斜線部）は、照射窓１０
より１１０゜（θ）の角度をもって全方向に円錐状に軟
Ｘ線を照射するようにしている。軟Ｘ線の照射強度は距
離の二乗に反比例して大きくなり、したがって照射範囲
の中心と端部では約２０％端部の方が強度的に小さくな
ることから、いずれの軟Ｘ線照射装置も、架台５上に任
意の高さおよび任意の角度に置けるように設置されてい
る。具体的には、軟Ｘ線照射装置８は、例えば架台５上
の任意の位置に設置され得る支柱１１と、支柱１１に対
して垂直に配置され得る支持棒１２と、両者を相対移動
可能に締結・固定し得るクランプ形式の連結金具１３と
により、架台５上に剛性的に支承されている。
Ｘ線照射装置が２台設けられているが、第１の軟Ｘ線照
射装置８は、フォトレジスト塗布処理の実際に行なわれ
る位置で、換言すればフォトレジスト塗布処理中に、ス
テージ４上の透明基板を照射するためのものであり、第
２の軟Ｘ線照射装置９は、塗布処理前後の準備・待機位
置（図１の右側）、換言すれば塗布処理前後に、ステー
ジ４上の透明基板３を照射するものである。なお、軟Ｘ
線照射装置８、９の照射範囲（斜線部）は、照射窓１０
より１１０゜（θ）の角度をもって全方向に円錐状に軟
Ｘ線を照射するようにしている。軟Ｘ線の照射強度は距
離の二乗に反比例して大きくなり、したがって照射範囲
の中心と端部では約２０％端部の方が強度的に小さくな
ることから、いずれの軟Ｘ線照射装置も、架台５上に任
意の高さおよび任意の角度に置けるように設置されてい
る。具体的には、軟Ｘ線照射装置８は、例えば架台５上
の任意の位置に設置され得る支柱１１と、支柱１１に対
して垂直に配置され得る支持棒１２と、両者を相対移動
可能に締結・固定し得るクランプ形式の連結金具１３と
により、架台５上に剛性的に支承されている。
【００２０】さらに、本発明で用いられる軟Ｘ線照射装
置は、基板の片面に所定電極が形成された透明基板の面
に対して平行でかつその透明基板の面との距離が変動可
能に保持された円筒状の版胴と、該版胴を回転せしめな
がら前記透明基板に対し所定の方向に相対的に移動せし
める駆動手段とを具備するオフセット印刷方式のフォト
レジスト塗布装置、絶縁膜塗布装置または配向膜塗布装
置等に搭載して用いることができる。次に図４、５およ
び６は、本発明の他の実施例を示す配向膜塗布装置のそ
れぞれ正面図、側面図および平面図である。
置は、基板の片面に所定電極が形成された透明基板の面
に対して平行でかつその透明基板の面との距離が変動可
能に保持された円筒状の版胴と、該版胴を回転せしめな
がら前記透明基板に対し所定の方向に相対的に移動せし
める駆動手段とを具備するオフセット印刷方式のフォト
レジスト塗布装置、絶縁膜塗布装置または配向膜塗布装
置等に搭載して用いることができる。次に図４、５およ
び６は、本発明の他の実施例を示す配向膜塗布装置のそ
れぞれ正面図、側面図および平面図である。
【００２１】配向膜塗布装置２１は、片面に所定電極を
形成してなるガラス等の透明基板２２と、該基板２２が
載置される可動ステージ２３と、該可動ステージ２３上
の透明基板２２に対して当接し得るように移動可能に水
平に支承され、その円筒状の外周面に凸版が巻き付けら
れた回転可能な版胴２４と、凸版表面に配向膜溶液を転
写するためのアロニックスローラー２５と、配向膜溶液
を滴下するためのディスペンサ２６と、滴下した配向膜
溶液を平坦化するためのドクターローラ２７とから主に
構成される。
形成してなるガラス等の透明基板２２と、該基板２２が
載置される可動ステージ２３と、該可動ステージ２３上
の透明基板２２に対して当接し得るように移動可能に水
平に支承され、その円筒状の外周面に凸版が巻き付けら
れた回転可能な版胴２４と、凸版表面に配向膜溶液を転
写するためのアロニックスローラー２５と、配向膜溶液
を滴下するためのディスペンサ２６と、滴下した配向膜
溶液を平坦化するためのドクターローラ２７とから主に
構成される。
【００２２】ステージ２３は、架台２８の上面に平行に
固定された一対のレール２９と、それに摺動自在に装着
された支持体３０とからなるいわゆる直線案内機構によ
り前後方向（図５では、左右方向）に移動可能に支承さ
れるとともに、両レール２９の間に配置されたボールネ
ジ３１とそれに螺合するナット部材３２とからなる、い
わゆる直線駆動機構を介してサーボモータ（図示せず）
により駆動される。また、ステージ２３の上面には、ス
テージ２３から透明基板２２を取り外しやすくするため
に、透明基板２２の片側を押し上げ得る突出自在の突き
上げピン３３が埋設、内蔵されている。版胴２４はモー
タにより回転駆動されるとともに、上下方向に並進的に
移動し得るように主柱部３４（架台２８）に支承されて
いる。以上の構成により、真空吸着によってステージ２
３上にセットされた、透明電極の形成された透明ガラス
基板２２は、操作部３５のスタートボタン（図示せず）
の押圧により、版胴２４が所定速度で回転しかつ所定寸
法だけ下降し、ステージ２３が所定速度で移動すること
により、その配向膜塗布処理が行われる。
固定された一対のレール２９と、それに摺動自在に装着
された支持体３０とからなるいわゆる直線案内機構によ
り前後方向（図５では、左右方向）に移動可能に支承さ
れるとともに、両レール２９の間に配置されたボールネ
ジ３１とそれに螺合するナット部材３２とからなる、い
わゆる直線駆動機構を介してサーボモータ（図示せず）
により駆動される。また、ステージ２３の上面には、ス
テージ２３から透明基板２２を取り外しやすくするため
に、透明基板２２の片側を押し上げ得る突出自在の突き
上げピン３３が埋設、内蔵されている。版胴２４はモー
タにより回転駆動されるとともに、上下方向に並進的に
移動し得るように主柱部３４（架台２８）に支承されて
いる。以上の構成により、真空吸着によってステージ２
３上にセットされた、透明電極の形成された透明ガラス
基板２２は、操作部３５のスタートボタン（図示せず）
の押圧により、版胴２４が所定速度で回転しかつ所定寸
法だけ下降し、ステージ２３が所定速度で移動すること
により、その配向膜塗布処理が行われる。
【００２３】本発明の配向膜塗布装置においても、軟Ｘ
線照射装置（３６、３７）が２台設けられるが、第一の
軟Ｘ線照射装置３６は、配向膜塗布処理の実際に行なわ
れる位置で、換言すれば配向膜塗布処理中に、ステージ
２３上の透明基板を照射するものであり、第二の軟Ｘ線
照射装置３７は、塗布処理後に準備・待機位置（図５で
右端）にステージ２３が位置する際に、換言すれば配向
膜塗布処理後に、ステージ２３上の透明基板２２を照射
するものである。以上のように、本発明で用いられる軟
Ｘ線照射装置は、液晶表示素子の製造工程中におけるフ
ォトレジスト塗布装置、絶縁膜塗布装置または配向膜塗
布装置等に搭載して用いることができるが、上記以外
に、例えば半導体製造工程のレジスト塗布装置や絶縁膜
塗布装置など静電気の発生が問題となるような装置であ
れば、いずれも適用可能である。
線照射装置（３６、３７）が２台設けられるが、第一の
軟Ｘ線照射装置３６は、配向膜塗布処理の実際に行なわ
れる位置で、換言すれば配向膜塗布処理中に、ステージ
２３上の透明基板を照射するものであり、第二の軟Ｘ線
照射装置３７は、塗布処理後に準備・待機位置（図５で
右端）にステージ２３が位置する際に、換言すれば配向
膜塗布処理後に、ステージ２３上の透明基板２２を照射
するものである。以上のように、本発明で用いられる軟
Ｘ線照射装置は、液晶表示素子の製造工程中におけるフ
ォトレジスト塗布装置、絶縁膜塗布装置または配向膜塗
布装置等に搭載して用いることができるが、上記以外
に、例えば半導体製造工程のレジスト塗布装置や絶縁膜
塗布装置など静電気の発生が問題となるような装置であ
れば、いずれも適用可能である。
【００２４】本発明の液晶表示素子の製造方法は、一対
の透明基板上に透明電極および半導体素子を設ける工
程、該基板上に所定のパターンに従ってフォトレジスト
を塗布する工程、該基板上のフォトレジストに露光する
工程、該基板をエッチングする工程、該基板上のフォト
レジストを剥離する工程、該透明電極および半導体素子
を検査する工程、該基板上に絶縁膜を塗布する工程、該
基板上に配向膜を塗布する工程、しかる後該基板上の配
向膜をラビング処理する工程、該基板にスペーサーを散
布する工程、該基板にシール剤を塗布する工程、該基板
を重ね合わせる工程、該基板の間に所定のギャップを設
ける工程、該基板を所定サイズに分断する工程、該ギャ
ップに液晶材料を封入する工程、該基板に偏光板を貼り
付ける工程、および前記透明電極にドライバーＩＣを接
続する工程を含む液晶表示素子の製造法において、前記
ラビング処理をする工程よりも前の少なくとも一つの工
程において気体中で該基板に軟Ｘ線を照射することを特
徴とする。
の透明基板上に透明電極および半導体素子を設ける工
程、該基板上に所定のパターンに従ってフォトレジスト
を塗布する工程、該基板上のフォトレジストに露光する
工程、該基板をエッチングする工程、該基板上のフォト
レジストを剥離する工程、該透明電極および半導体素子
を検査する工程、該基板上に絶縁膜を塗布する工程、該
基板上に配向膜を塗布する工程、しかる後該基板上の配
向膜をラビング処理する工程、該基板にスペーサーを散
布する工程、該基板にシール剤を塗布する工程、該基板
を重ね合わせる工程、該基板の間に所定のギャップを設
ける工程、該基板を所定サイズに分断する工程、該ギャ
ップに液晶材料を封入する工程、該基板に偏光板を貼り
付ける工程、および前記透明電極にドライバーＩＣを接
続する工程を含む液晶表示素子の製造法において、前記
ラビング処理をする工程よりも前の少なくとも一つの工
程において気体中で該基板に軟Ｘ線を照射することを特
徴とする。
【００２５】本発明の液晶表示素子の製造方法において
用いられる軟Ｘ線照射装置は種々の装置に搭載すること
ができる。すなわち、スパッタリング、プラズマＣＶ
Ｄ、もしくは真空蒸着等の方法で透明基板上に透明電極
や半導体素子を設ける薄膜形成装置、フォトレジスト塗
布装置、プロキシミティ方式、レンズプロジェクション
方式、もしくはミラープロジェクション方式のフォトレ
ジスト露光装置、ガスプラズマを用いるケミカルドライ
エッチング方式や塩酸、硝酸、フッ酸等によるウェット
エッチング方式のエッチング装置、強アルカリによる薬
液剥離方式や酸素プラズマアッシング方式のレジスト剥
離装置、透明電極や半導体素子の検査装置、絶縁膜塗布
装置、および配向膜塗布装置等に搭載して用いることが
できる。これらの軟Ｘ線照射装置は、液晶表示素子にラ
ビング処理を施す以前の製造工程において一般的に用い
られるものであれば、特に限定されるものではない。
用いられる軟Ｘ線照射装置は種々の装置に搭載すること
ができる。すなわち、スパッタリング、プラズマＣＶ
Ｄ、もしくは真空蒸着等の方法で透明基板上に透明電極
や半導体素子を設ける薄膜形成装置、フォトレジスト塗
布装置、プロキシミティ方式、レンズプロジェクション
方式、もしくはミラープロジェクション方式のフォトレ
ジスト露光装置、ガスプラズマを用いるケミカルドライ
エッチング方式や塩酸、硝酸、フッ酸等によるウェット
エッチング方式のエッチング装置、強アルカリによる薬
液剥離方式や酸素プラズマアッシング方式のレジスト剥
離装置、透明電極や半導体素子の検査装置、絶縁膜塗布
装置、および配向膜塗布装置等に搭載して用いることが
できる。これらの軟Ｘ線照射装置は、液晶表示素子にラ
ビング処理を施す以前の製造工程において一般的に用い
られるものであれば、特に限定されるものではない。
【００２６】本発明においては、配向膜の材料としては
ポリイミド樹脂が好ましく用いられる。ポリイミドとし
ては、その前駆体として、一般色（１）
ポリイミド樹脂が好ましく用いられる。ポリイミドとし
ては、その前駆体として、一般色（１）
【化５】
【００２７】（式中、Ｒ1 は４価の、脂環式、芳香族ま
たは複素環式の炭化水素残基を示し、基中にハロゲン等
の基を有することもでき、Ｒ2 は２価の炭化水素残基を
示し、基中に−Ｏ−、−Ｓ−、またはハロゲン原子また
はシアノ基を有することもできる。）で示される構造単
位を有するポリアミック酸を用いて製造された物が用い
られる。すなわち、ポリアミック酸としては、ピロメリ
ット酸二無水物のような芳香族環を有するテトラカルボ
ン酸二無水物や、シクロブタン酸テトラカルボン酸二無
水物等の脂環式テトラカルボン酸二無水物にジアミノ化
合物を反応させて得られるポリアミック酸等が好ましく
用いられる。
たは複素環式の炭化水素残基を示し、基中にハロゲン等
の基を有することもでき、Ｒ2 は２価の炭化水素残基を
示し、基中に−Ｏ−、−Ｓ−、またはハロゲン原子また
はシアノ基を有することもできる。）で示される構造単
位を有するポリアミック酸を用いて製造された物が用い
られる。すなわち、ポリアミック酸としては、ピロメリ
ット酸二無水物のような芳香族環を有するテトラカルボ
ン酸二無水物や、シクロブタン酸テトラカルボン酸二無
水物等の脂環式テトラカルボン酸二無水物にジアミノ化
合物を反応させて得られるポリアミック酸等が好ましく
用いられる。
【００２８】テトラカルボン酸二無水物としては、ピロ
メリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３´，４´
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３´，
４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，３，３´，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２´，３，３´−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）スルホン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタリ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタ
リンテトラカルボン酸二無水物等の芳香族系テトラカル
ボン酸二無水物を、また、脂環式テトラカルボン酸とし
ては、シクロブタン、シクロヘキサン、シクロオクタ
ン、ビシクロオクタン等の環を有する脂環式テトラカル
ボン酸の二無水物や下記の構造式の物をあげることがで
きる。
メリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３´，４´
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３´，
４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２，３，３´，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、２，２´，３，３´−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）スルホン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタリ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタ
リンテトラカルボン酸二無水物等の芳香族系テトラカル
ボン酸二無水物を、また、脂環式テトラカルボン酸とし
ては、シクロブタン、シクロヘキサン、シクロオクタ
ン、ビシクロオクタン等の環を有する脂環式テトラカル
ボン酸の二無水物や下記の構造式の物をあげることがで
きる。
【００２９】
【化６】
【００３０】また、ポリアミック酸のもう一方の原料で
あるジアミノ化合物としては、１，１−ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕シクロヘキサン、１，
１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−
４−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕−４−エチルシクロヘキ
サン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕−４−プロピルシクロヘキサン、１，１−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ブチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕−４−ペンチルシクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−４−ヘキシルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ヘプチル
シクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕−４−オクチルシクロヘキサン、
あるジアミノ化合物としては、１，１−ビス〔４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル〕シクロヘキサン、１，
１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−
４−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−
アミノフェノキシ）フェニル〕−４−エチルシクロヘキ
サン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕−４−プロピルシクロヘキサン、１，１−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ブチ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕−４−ペンチルシクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕−４−ヘキシルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ヘプチル
シクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕−４−オクチルシクロヘキサン、
【００３１】２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２，２−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタン、２，
２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘ
キサン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕ヘプタン、２，２−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕オクタン、２，２−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ノナン、２，２−
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕デカ
ン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕ドデカン、１，１−ビス〔４−（４−アミノベン
ジル）フェニル〕シクロヘキサン、１，１−ビス〔４−
（４−アミノベンジル）フェニル〕−４−メチルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−アミノベンジル）
フェニル〕−４−エチルシクロヘキサン、１，１−ビス
〔４−（４−アミノベンジル）フェニル〕−４−プロピ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−アミノベ
ンジル）フェニル〕−４−ブチルシクロヘキサン、１，
１−ビス〔４−（４−アミノベンジル）フェニル〕−４
−ペンチルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−
アミノベンジル）フェニル〕メタン、
シ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、２，２−ビス〔４
−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタン、２，
２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘ
キサン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）
フェニル〕ヘプタン、２，２−ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕オクタン、２，２−ビス〔４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ノナン、２，２−
ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕デカ
ン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕ドデカン、１，１−ビス〔４−（４−アミノベン
ジル）フェニル〕シクロヘキサン、１，１−ビス〔４−
（４−アミノベンジル）フェニル〕−４−メチルシクロ
ヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−アミノベンジル）
フェニル〕−４−エチルシクロヘキサン、１，１−ビス
〔４−（４−アミノベンジル）フェニル〕−４−プロピ
ルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−アミノベ
ンジル）フェニル〕−４−ブチルシクロヘキサン、１，
１−ビス〔４−（４−アミノベンジル）フェニル〕−４
−ペンチルシクロヘキサン、１，１−ビス〔４−（４−
アミノベンジル）フェニル〕メタン、
【００３２】４，４´−ジアミノフェニルエーテル、
４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジア
ミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、４，４´−ジ（メタ−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、４，４´−（パラ−アミノフ
ェノキシ）ジフェニルスルホン、オルト−フェニレンジ
アミン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−フェニレン
ジアミン、ベンジジン、２，２´−ジアミノベンゾフェ
ノン、４，４´−ジアミノベンゾフェノン、４，４´−
ジアミノジフェニル−２，２´−プロパン、１，５−ジ
アミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、２，
２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘ
キサメチルプロパン等の芳香族ジアミノ化合物、ならび
に１，４−ジアミノシクロヘキサン、４，４´−ジアミ
ノジシクロヘキシルメタン等の脂環式ジアミノ化合物が
ある。しかし、本発明で用いられる配向膜の原料である
テトラカルボン酸二無水物およびジアミノ化合物は、こ
れらに限定されるものではない。また、酸無水物および
ジアミノ化合物はそれらの二種類以上を組み合わせて用
いることもできる。
４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジア
ミノジフェニルスルホン、４，４´−ジアミノジフェニ
ルスルフィド、４，４´−ジ（メタ−アミノフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、４，４´−（パラ−アミノフ
ェノキシ）ジフェニルスルホン、オルト−フェニレンジ
アミン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−フェニレン
ジアミン、ベンジジン、２，２´−ジアミノベンゾフェ
ノン、４，４´−ジアミノベンゾフェノン、４，４´−
ジアミノジフェニル−２，２´−プロパン、１，５−ジ
アミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、２，
２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘ
キサメチルプロパン等の芳香族ジアミノ化合物、ならび
に１，４−ジアミノシクロヘキサン、４，４´−ジアミ
ノジシクロヘキシルメタン等の脂環式ジアミノ化合物が
ある。しかし、本発明で用いられる配向膜の原料である
テトラカルボン酸二無水物およびジアミノ化合物は、こ
れらに限定されるものではない。また、酸無水物および
ジアミノ化合物はそれらの二種類以上を組み合わせて用
いることもできる。
【００３３】本発明に関わるポリイミド配向膜を基板上
に設けるには、一般にポリイミド化合物は溶媒に不溶で
あるため、この前駆体であるテトラカルボン酸二無水物
とジアミノ化合物の縮合によって得られるポリアミック
酸を溶媒に溶かして、基板上に塗布した後、加熱してイ
ミド化する方法が用いられる。具体的には、ポリアミッ
ク酸をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ブチ
ルセルソルブ（ＢＣ）、エチルカルビトール、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテル、３−メチル−３−メ
トキシブタノールなどの溶剤に溶解し、ポリアミック酸
の０．１〜３０重量％溶液、好ましくは１〜１０重量％
溶液に調製し、この溶液を刷毛塗り法、浸積法、回転塗
布法、スプレー法、印刷法などにより塗布し、基板上に
塗膜を形成する。塗膜形成後、５０℃〜１５０℃、好ま
しくは８０℃〜１２０℃で溶媒を蒸発させた後、１５０
℃〜４００℃、好ましくは１８０℃〜２８０℃で加熱処
理を行ない、脱水閉環反応をさせてポリベンジルイミド
系高分子膜からなる液晶配向膜を設ける。
に設けるには、一般にポリイミド化合物は溶媒に不溶で
あるため、この前駆体であるテトラカルボン酸二無水物
とジアミノ化合物の縮合によって得られるポリアミック
酸を溶媒に溶かして、基板上に塗布した後、加熱してイ
ミド化する方法が用いられる。具体的には、ポリアミッ
ク酸をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチ
ルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ブチ
ルセルソルブ（ＢＣ）、エチルカルビトール、プロピレ
ングリコールモノブチルエーテル、３−メチル−３−メ
トキシブタノールなどの溶剤に溶解し、ポリアミック酸
の０．１〜３０重量％溶液、好ましくは１〜１０重量％
溶液に調製し、この溶液を刷毛塗り法、浸積法、回転塗
布法、スプレー法、印刷法などにより塗布し、基板上に
塗膜を形成する。塗膜形成後、５０℃〜１５０℃、好ま
しくは８０℃〜１２０℃で溶媒を蒸発させた後、１５０
℃〜４００℃、好ましくは１８０℃〜２８０℃で加熱処
理を行ない、脱水閉環反応をさせてポリベンジルイミド
系高分子膜からなる液晶配向膜を設ける。
【００３４】得られた高分子膜の基板への密着性が良好
でない場合には、事前に基板表面上にシランカップリン
グ剤で表面処理を行なった後、高分子膜を形成すれば接
着性は改善される。このようにして有機高分子系の膜を
基板面に設けた後、この被膜面を布などで一定方向にラ
ビングして液晶配向膜が得られる。本発明の液晶表示素
子に使用される液晶材料としては、通常のネマチック液
晶のほかに二色性色素を添加した液晶、強誘電性液晶お
よび反強誘電性液晶そのほか通常表示用素子に使用でき
る液晶ならば何でも使用することができる。本発明で用
いることのできる液晶の成分としては、一例をあげる
と、後記の一般式（２）で表わされる液晶化合物や一般
式（３）で表わされる液晶化合物などを示すことができ
る。
でない場合には、事前に基板表面上にシランカップリン
グ剤で表面処理を行なった後、高分子膜を形成すれば接
着性は改善される。このようにして有機高分子系の膜を
基板面に設けた後、この被膜面を布などで一定方向にラ
ビングして液晶配向膜が得られる。本発明の液晶表示素
子に使用される液晶材料としては、通常のネマチック液
晶のほかに二色性色素を添加した液晶、強誘電性液晶お
よび反強誘電性液晶そのほか通常表示用素子に使用でき
る液晶ならば何でも使用することができる。本発明で用
いることのできる液晶の成分としては、一例をあげる
と、後記の一般式（２）で表わされる液晶化合物や一般
式（３）で表わされる液晶化合物などを示すことができ
る。
【００３５】
【化７】
【００３６】式中、Ｒ1 は、炭素原子数１〜１０の直鎖
状アルキル基または炭素原子数２〜１０のアルケニル基
を表わし、Ｒ2 は炭素原子数１〜１０の直鎖状のアルキ
ル基もしくはアルキルオキシ基、−ＣＮ、フッ素原子、
塩素原子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ2 、−ＯＣＦ3 または−
ＯＣＨＦ2 を表わし、Ｓ1 およびＳ2 は水素原子、フッ
素原子、塩素原子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ2 、−ＯＣＦ3
または−ＯＣＨＦ2 を表わし、これらは互いに同一であ
っても異なっていてもよく、Ｚ1 は、−ＣＯＯ−、−Ｃ
Ｈ2 ＣＨ2 −、−Ｃ≡Ｃ−または単結合を表わし、Ａ1
は、
状アルキル基または炭素原子数２〜１０のアルケニル基
を表わし、Ｒ2 は炭素原子数１〜１０の直鎖状のアルキ
ル基もしくはアルキルオキシ基、−ＣＮ、フッ素原子、
塩素原子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ2 、−ＯＣＦ3 または−
ＯＣＨＦ2 を表わし、Ｓ1 およびＳ2 は水素原子、フッ
素原子、塩素原子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ2 、−ＯＣＦ3
または−ＯＣＨＦ2 を表わし、これらは互いに同一であ
っても異なっていてもよく、Ｚ1 は、−ＣＯＯ−、−Ｃ
Ｈ2 ＣＨ2 −、−Ｃ≡Ｃ−または単結合を表わし、Ａ1
は、
【００３７】
【化８】 を表わす。
【００３８】
【化９】
【００３９】式中、Ｒ3 は、一般式（２）におけるＲ1
と同意義であり、Ｒ4 は一般式（２）におけるＲ2 と同
意義であり、Ｓ3 およびＳ4 はそれぞれ一般式（２）に
おけるＳ1 およびＳ2 と同意義であり互いに同一であっ
ても異なっていてもよく、Ｚ 2 およびＺ3 は、互いに同
一であっても異なっていてもよく、一般式（２）のＺ 1
と同意義であり、Ａ2 およびＡ3 は一般式（２）のＡ1
と同意義であり、これらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。これらの液晶組成物の成分は、単一成分
であっても複数成分の混合物であってもよいが、複数の
化合物を含有する物が好ましい。また、本発明の液晶表
示素子に用いられる液晶混合物には、発明の目的を損な
わない限り、上記した物以外の化合物を混合することが
できる。
と同意義であり、Ｒ4 は一般式（２）におけるＲ2 と同
意義であり、Ｓ3 およびＳ4 はそれぞれ一般式（２）に
おけるＳ1 およびＳ2 と同意義であり互いに同一であっ
ても異なっていてもよく、Ｚ 2 およびＺ3 は、互いに同
一であっても異なっていてもよく、一般式（２）のＺ 1
と同意義であり、Ａ2 およびＡ3 は一般式（２）のＡ1
と同意義であり、これらは互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。これらの液晶組成物の成分は、単一成分
であっても複数成分の混合物であってもよいが、複数の
化合物を含有する物が好ましい。また、本発明の液晶表
示素子に用いられる液晶混合物には、発明の目的を損な
わない限り、上記した物以外の化合物を混合することが
できる。
【００４０】
【実施例】以下に実施例および比較例を示して本発明を
さらに具体的に記載するが、本発明は、これらの実施例
に限定されるものではない。 実施例１ 片面にＩＴＯ電極を設けた透明ガラス基板上に、軟Ｘ線
照射装置（浜松ホトニクス（株）製：Ｌ７１２０型）を
搭載したスピンコーター方式のフォトレジスト塗布装置
を用いて初速回転数５００rpm で３秒、本速回転数２０
００rpm で５秒、終速回転数３０００rpm で０．５秒の
条件で東京応化工業（株）製フォトレジスト（商品名Ｏ
ＦＰＲ−８００）を塗布した。この際、ガラス基板をス
ピンナーに装着する前に搬送等により発生した約５kVの
ガラス基板の静電気が、５秒間の軟Ｘ線照射により１０
０Ｖ以下になることが確認された。軟Ｘ線照射装置のエ
ネルギーは６keV であり、その管電圧および管電流は、
それぞれ９．５kVおよび１５０μＡであった。フォトレ
ジスト塗布後、プリベークを温度９０℃で３０分（クリ
ーンオーブン）行ない１．４μｍのフォトレジスト膜を
得た。この基板を１５．６mW/cm2（４０５nm）の露光機
にてプロキシミティ露光を３秒行ない、東京応化工業
（株）製の現像液（商品名ＮＭＤ−３：２．３８％）で
６０秒のディップ現像を行ない、超純水にて３０秒リン
スした後、１３５℃クリーンオーブンにて２０分ポスト
ベークを施した。この基板をＦｅＣｌ3 ＋ＨＣｌの酸に
てＩＴＯをエッチングし、東京応化工業（株）製の剥離
液（商品名５０２Ａ）にてフォトレジストを剥離した。
剥離後超純水でリンスし、乾燥を行ないＩＴＯパターン
のショートおよびオープンを確認したところ、従来の軟
Ｘ線を照射しない方法に対して、この軟Ｘ線を照射する
ことにより静電気を除去し、ダストの基板への吸着を少
なくした方がＩＴＯパターンの不良率が１０％向上し
た。
さらに具体的に記載するが、本発明は、これらの実施例
に限定されるものではない。 実施例１ 片面にＩＴＯ電極を設けた透明ガラス基板上に、軟Ｘ線
照射装置（浜松ホトニクス（株）製：Ｌ７１２０型）を
搭載したスピンコーター方式のフォトレジスト塗布装置
を用いて初速回転数５００rpm で３秒、本速回転数２０
００rpm で５秒、終速回転数３０００rpm で０．５秒の
条件で東京応化工業（株）製フォトレジスト（商品名Ｏ
ＦＰＲ−８００）を塗布した。この際、ガラス基板をス
ピンナーに装着する前に搬送等により発生した約５kVの
ガラス基板の静電気が、５秒間の軟Ｘ線照射により１０
０Ｖ以下になることが確認された。軟Ｘ線照射装置のエ
ネルギーは６keV であり、その管電圧および管電流は、
それぞれ９．５kVおよび１５０μＡであった。フォトレ
ジスト塗布後、プリベークを温度９０℃で３０分（クリ
ーンオーブン）行ない１．４μｍのフォトレジスト膜を
得た。この基板を１５．６mW/cm2（４０５nm）の露光機
にてプロキシミティ露光を３秒行ない、東京応化工業
（株）製の現像液（商品名ＮＭＤ−３：２．３８％）で
６０秒のディップ現像を行ない、超純水にて３０秒リン
スした後、１３５℃クリーンオーブンにて２０分ポスト
ベークを施した。この基板をＦｅＣｌ3 ＋ＨＣｌの酸に
てＩＴＯをエッチングし、東京応化工業（株）製の剥離
液（商品名５０２Ａ）にてフォトレジストを剥離した。
剥離後超純水でリンスし、乾燥を行ないＩＴＯパターン
のショートおよびオープンを確認したところ、従来の軟
Ｘ線を照射しない方法に対して、この軟Ｘ線を照射する
ことにより静電気を除去し、ダストの基板への吸着を少
なくした方がＩＴＯパターンの不良率が１０％向上し
た。
【００４１】実施例２ 片面にＩＴＯ電極を設けた透明ガラス基板上に、軟Ｘ線
照射装置（浜松ホトニクス（株）製：Ｌ７１２０型）を
搭載したスピンコーター方式の絶縁膜塗布装置を用いて
回転数１０００rpm で２０秒間回転させてチッソ（株）
製絶縁膜（商品名ＬＩＸＯＮ コート ＰＭＡ−８０１
Ｐ）を塗布した。この際発生した、最大１０kVの静電気
が、軟Ｘ線照射により１００Ｖ以下になることが確認さ
れた。軟Ｘ線照射装置のエネルギーは６keV であり、そ
の管電圧および管電流は、それぞれ９．５kVおよび１５
０μＡであった。塗膜後１００℃で３分乾燥した後、エ
アーオーブン中２００℃で３０分間加熱処理を行ない、
硬化被膜を得た。この基板上にオフセット印刷方式の配
向膜塗布装置を用いてチッソ（株）製ＳＴＮ用配向膜
（商品名ＬＩＸＯＮ ＡＬＩＧＮＥＲ ＰＩＡ−２４２
４）を塗布した。塗膜後１００℃で１０分乾燥した後、
エアーオーブン中で一時間かけて２００℃まで昇温を行
ない、２００℃で９０分間加熱処理を行ない、膜厚約６
００オングストロームのポリイミド膜を透明電極を設け
た基板上に得た。得られたポリイミド膜を形成した透明
ガラス基板をラビング処理した後、湿式のスペーサー散
布装置を用いて６ミクロンのスペーサーを散布した。ス
ペーサーの散布されていない別の基板上にシール剤を塗
布した後、二枚の基板を貼り合わせてツイスト角が２４
０゜になるような液晶セルを組み立てた。得られたセル
にチッソ（株）製ＳＴＮ用液晶（商品名ＬＩＸＯＮ ４
０３２−０００ＸＸ）を封入した後、１２０℃で３０分
間アイソトロピック処理を行ない、室温まで徐冷して液
晶素子を得た。同様にして１０枚の液晶素子を作成し、
得られた素子に通電して表示むらの有無を調べたとこ
ろ、３枚の素子においてわずかに表示むらが観察された
が、残り７枚の素子においては表示むらは認められなか
った。
照射装置（浜松ホトニクス（株）製：Ｌ７１２０型）を
搭載したスピンコーター方式の絶縁膜塗布装置を用いて
回転数１０００rpm で２０秒間回転させてチッソ（株）
製絶縁膜（商品名ＬＩＸＯＮ コート ＰＭＡ−８０１
Ｐ）を塗布した。この際発生した、最大１０kVの静電気
が、軟Ｘ線照射により１００Ｖ以下になることが確認さ
れた。軟Ｘ線照射装置のエネルギーは６keV であり、そ
の管電圧および管電流は、それぞれ９．５kVおよび１５
０μＡであった。塗膜後１００℃で３分乾燥した後、エ
アーオーブン中２００℃で３０分間加熱処理を行ない、
硬化被膜を得た。この基板上にオフセット印刷方式の配
向膜塗布装置を用いてチッソ（株）製ＳＴＮ用配向膜
（商品名ＬＩＸＯＮ ＡＬＩＧＮＥＲ ＰＩＡ−２４２
４）を塗布した。塗膜後１００℃で１０分乾燥した後、
エアーオーブン中で一時間かけて２００℃まで昇温を行
ない、２００℃で９０分間加熱処理を行ない、膜厚約６
００オングストロームのポリイミド膜を透明電極を設け
た基板上に得た。得られたポリイミド膜を形成した透明
ガラス基板をラビング処理した後、湿式のスペーサー散
布装置を用いて６ミクロンのスペーサーを散布した。ス
ペーサーの散布されていない別の基板上にシール剤を塗
布した後、二枚の基板を貼り合わせてツイスト角が２４
０゜になるような液晶セルを組み立てた。得られたセル
にチッソ（株）製ＳＴＮ用液晶（商品名ＬＩＸＯＮ ４
０３２−０００ＸＸ）を封入した後、１２０℃で３０分
間アイソトロピック処理を行ない、室温まで徐冷して液
晶素子を得た。同様にして１０枚の液晶素子を作成し、
得られた素子に通電して表示むらの有無を調べたとこ
ろ、３枚の素子においてわずかに表示むらが観察された
が、残り７枚の素子においては表示むらは認められなか
った。
【００４２】実施例３ 片面にＩＴＯ電極を設けた透明ガラス基板上にスピンコ
ータ方式の絶縁膜塗布装置を用いて回転数１０００rpm
で２０秒間回転させてチッソ（株）製絶縁膜（商品名Ｌ
ＩＸＯＮ コート ＰＭＡ−８０１Ｐ）を塗布した。塗
膜後１００℃で３分乾燥した後、エアーオーブン中２０
０℃で３０分間加熱処理を行ない、硬化被膜を得た。こ
の基板上に軟Ｘ線照射装置（浜松ホトニクス（株）製：
Ｌ７１２０型）を搭載したオフセット印刷方式の配向膜
塗布装置を用いてチッソ（株）製ＳＴＮ用配向膜（商品
名ＬＩＸＯＮ ＡＬＩＧＮＥＲ ＰＩＡ−２４２４）を
塗布した。この際発生した最大１０kVの静電気が、軟Ｘ
線照射により１００Ｖ以下になることが確認された。軟
Ｘ線照射装置のエネルギーは６keV であり、その管電圧
および管電流は、それぞれ９．５kVおよび１５０μＡで
あった。塗膜後１００℃で１０分乾燥した後、エアーオ
ーブン中で一時間かけて２００℃まで昇温を行ない、２
００℃で９０分間加熱処理を行ない、膜厚約６００オン
グストロームのポリイミド膜を透明電極を設けた基板上
に得た。
ータ方式の絶縁膜塗布装置を用いて回転数１０００rpm
で２０秒間回転させてチッソ（株）製絶縁膜（商品名Ｌ
ＩＸＯＮ コート ＰＭＡ−８０１Ｐ）を塗布した。塗
膜後１００℃で３分乾燥した後、エアーオーブン中２０
０℃で３０分間加熱処理を行ない、硬化被膜を得た。こ
の基板上に軟Ｘ線照射装置（浜松ホトニクス（株）製：
Ｌ７１２０型）を搭載したオフセット印刷方式の配向膜
塗布装置を用いてチッソ（株）製ＳＴＮ用配向膜（商品
名ＬＩＸＯＮ ＡＬＩＧＮＥＲ ＰＩＡ−２４２４）を
塗布した。この際発生した最大１０kVの静電気が、軟Ｘ
線照射により１００Ｖ以下になることが確認された。軟
Ｘ線照射装置のエネルギーは６keV であり、その管電圧
および管電流は、それぞれ９．５kVおよび１５０μＡで
あった。塗膜後１００℃で１０分乾燥した後、エアーオ
ーブン中で一時間かけて２００℃まで昇温を行ない、２
００℃で９０分間加熱処理を行ない、膜厚約６００オン
グストロームのポリイミド膜を透明電極を設けた基板上
に得た。
【００４３】得られたポリイミド膜を形成した透明ガラ
ス基板をラビング処理した後、湿式のスペーサー散布装
置を用いて６ミクロンのスペーサーを散布した。スペー
サーの散布されていない別の基板上にシール剤を塗布し
た後、二枚の基板を貼り合わせてツイスト角が２４０゜
になるような液晶セルを組み立てた。得られたセルにチ
ッソ（株）製ＳＴＮ用液晶（商品名ＬＩＸＯＮ ４０３
２−０００ＸＸ）を封入した後、１２０℃で３０分間ア
イソトロピック処理を行ない、室温まで徐冷して液晶素
子を得た。同様にして１０枚の液晶素子を作成し、得ら
れた素子に通電して表示むらの有無を調べたところ、３
枚の素子においてわずかに表示むらが観察されたが、残
り７枚の素子においては表示むらは認められなかった。
ス基板をラビング処理した後、湿式のスペーサー散布装
置を用いて６ミクロンのスペーサーを散布した。スペー
サーの散布されていない別の基板上にシール剤を塗布し
た後、二枚の基板を貼り合わせてツイスト角が２４０゜
になるような液晶セルを組み立てた。得られたセルにチ
ッソ（株）製ＳＴＮ用液晶（商品名ＬＩＸＯＮ ４０３
２−０００ＸＸ）を封入した後、１２０℃で３０分間ア
イソトロピック処理を行ない、室温まで徐冷して液晶素
子を得た。同様にして１０枚の液晶素子を作成し、得ら
れた素子に通電して表示むらの有無を調べたところ、３
枚の素子においてわずかに表示むらが観察されたが、残
り７枚の素子においては表示むらは認められなかった。
【００４４】比較例１ 軟Ｘ線照射を行なわなかったこと以外は実施例２と同様
の方法で１０枚の液晶表示素子を作成した。得られた１
０枚の素子に通電して表示むらの有無を調べたところ、
すべての素子において表示むらが観察され、特に７枚の
素子においては顕著な表示むらが認められた。 比較例２ 軟Ｘ線照射を行なわなかったこと以外は実施例３と同様
の方法で１０枚の液晶表示素子を作成した。得られた１
０枚の素子に通電して表示むらの有無を調べたところ、
すべての素子において表示むらが観察された。特に７枚
の素子においては顕著な表示むらが認められた。
の方法で１０枚の液晶表示素子を作成した。得られた１
０枚の素子に通電して表示むらの有無を調べたところ、
すべての素子において表示むらが観察され、特に７枚の
素子においては顕著な表示むらが認められた。 比較例２ 軟Ｘ線照射を行なわなかったこと以外は実施例３と同様
の方法で１０枚の液晶表示素子を作成した。得られた１
０枚の素子に通電して表示むらの有無を調べたところ、
すべての素子において表示むらが観察された。特に７枚
の素子においては顕著な表示むらが認められた。
【００４５】
【発明の効果】本発明の薄膜塗布装置によれば、薄膜塗
布工程において生じる静電気を簡単かつ効果的に除去
し、被塗布面へのパーティクルの付着を防止することが
できる。また本発明の液晶表示素子の製造方法によれ
ば、液晶表示素子のラビング処理以前の製造工程におい
て気体中に軟Ｘ線を照射することにより、静電気を除去
して液晶表示素子の表示むらおよび画素欠陥を低減させ
ることができ、これにより液晶表示装置の表示品質を改
良し、製品の歩留まりを改善することができる。
布工程において生じる静電気を簡単かつ効果的に除去
し、被塗布面へのパーティクルの付着を防止することが
できる。また本発明の液晶表示素子の製造方法によれ
ば、液晶表示素子のラビング処理以前の製造工程におい
て気体中に軟Ｘ線を照射することにより、静電気を除去
して液晶表示素子の表示むらおよび画素欠陥を低減させ
ることができ、これにより液晶表示装置の表示品質を改
良し、製品の歩留まりを改善することができる。
【００４６】
【図１】本発明に係るフォトレジスト塗布装置の一例の
正面図。
正面図。
【図２】本発明に係るフォトレジスト塗布装置の一例の
側面図。
側面図。
【図３】本発明に係るフォトレジスト塗布装置の一例の
平面図。
平面図。
【図４】本発明に係る配向膜塗布装置の一例の正面図。
【図５】本発明に係る配向膜塗布装置の一例の側面図。
【図６】本発明に係る配向膜塗布装置の一例の平面図。
１…フォトレジスト塗布装置、２…ディスペンサ、３…
透明基板、４…ステージ、５…架台、６…突き上げピ
ン、７…操作部、８、９…軟Ｘ線照射装置、１０…照射
窓、１１…支柱、１２…支持棒、１３…連結金具、２１
…配向膜塗布装置、２２…透明基板、２３…ステージ、
２４…版胴、２５…アロニックスローラー、２６…ディ
スペンサ、２７…ドクターローラ、２８…架台、２９…
レール、３０…支持体、３１…ボールネジ、３２…ナッ
ト部材、３３…突き上げピン、３４…主柱部、３５…操
作部、３６、３７…軟Ｘ線照射装置。
透明基板、４…ステージ、５…架台、６…突き上げピ
ン、７…操作部、８、９…軟Ｘ線照射装置、１０…照射
窓、１１…支柱、１２…支持棒、１３…連結金具、２１
…配向膜塗布装置、２２…透明基板、２３…ステージ、
２４…版胴、２５…アロニックスローラー、２６…ディ
スペンサ、２７…ドクターローラ、２８…架台、２９…
レール、３０…支持体、３１…ボールネジ、３２…ナッ
ト部材、３３…突き上げピン、３４…主柱部、３５…操
作部、３６、３７…軟Ｘ線照射装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ２１Ｋ 5/10 Ｇ２１Ｋ 5/10 Ｓ // Ｃ０９Ｋ 19/06 Ｃ０９Ｋ 19/06 (72)発明者 村田 鎮男 千葉県市原市椎津545番地９ (72)発明者 河野 誠 長野県茅野市玉川字原山11400−1078 株 式会社飯沼ゲージ製作所内 (72)発明者 平野 雅之 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】 装置内で基板を移動させ得る基板の移送
部と、該基板上に薄膜を塗布するための塗布部と、前記
基板の移送部または塗布部において基板に対して軟Ｘ線
を出射する軟Ｘ線照射部とを有することを特徴とする薄
膜塗布装置。 - 【請求項２】 軟Ｘ線照射部における軟Ｘ線のエネルギ
ーが４〜９．５keVであることを特徴とする請求項１に
記載の薄膜塗布装置。 - 【請求項３】 該基板から軟Ｘ線源までの距離が１５０
０mm以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
塗布装置。 - 【請求項４】 軟Ｘ線照射部が、塗布部の前および後の
位置で基板に対して軟Ｘ線をそれぞれ照射し得る、第一
および第二の軟Ｘ線照射部を含むことを特徴とする請求
項１に記載の薄膜塗布装置。 - 【請求項５】 薄膜がフォトレジストであることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜塗布装置。 - 【請求項６】 薄膜が絶縁膜であることを特徴とする請
求項１に記載の薄膜塗布装置。 - 【請求項７】 薄膜が配向膜であることを特徴とする請
求項１に記載の薄膜塗布装置。 - 【請求項８】 前記基板の移送部に基板をセットし、前
記塗布部で該基板に薄膜を塗布する、請求項１記載の薄
膜塗布装置を用いた薄膜塗布方法。 - 【請求項９】 薄膜がフォトレジストであることを特徴
とする請求項８に記載の薄膜塗布方法。 - 【請求項１０】 薄膜が絶縁膜であることを特徴とする
請求項８に記載の薄膜塗布方法。 - 【請求項１１】 薄膜が配向膜であることを特徴とする
請求項８に記載の薄膜塗布方法。 - 【請求項１２】 一対の透明基板上に透明電極および半
導体素子を設ける工程、該基板上に所定のパターンに従
ってフォトレジストを塗布する工程、該基板上のフォト
レジストに露光する工程、該基板をエッチングする工
程、該基板上のフォトレジストを剥離する工程、該透明
電極および半導体素子を検査する工程、該基板上に絶縁
膜を塗布する工程、該基板上に配向膜を塗布する工程、
しかる後該基板上の配向膜をラビング処理する工程、該
基板にスペーサーを散布する工程、該基板にシール剤を
塗布する工程、該基板を重ね合わせる工程、該基板の間
に所定のギャップを設ける工程、該基板を所定サイズに
分断する工程、該ギャップに液晶材料を封入する工程、
該基板に偏光板を貼り付ける工程、および前記透明電極
にドライバーＩＣを接続する工程を含む液晶表示素子の
製造法において、前記ラビング処理をする工程よりも前
の少なくとも一つの工程において気体中で該基板に軟Ｘ
線を照射することを特徴とする、液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項１３】 軟Ｘ線の照射エネルギーが４〜９．５
keV であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表
示素子の製造方法。 - 【請求項１４】 基板から軟Ｘ線源までの距離が１５０
０mm以下であることを特徴とする請求項１２に記載の液
晶表示素子の製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１２記載の方法により製造され
た液晶表示素子。 - 【請求項１６】 液晶材料が一般式（２）または一般式
（３） 【化１】 （これらの式において、Ｒ1 およびＲ3 はそれぞれ独立
に炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基または炭素数２〜
１０のアルケニル基を、Ｒ2 およびＲ4 はそれぞれ独立
に炭素数１〜１０の直鎖状のアルキル基もしくはアルキ
ルオキシ基、−ＣＮ、フッ素原子、塩素原子、−Ｃ
Ｆ3 、−ＣＨＦ2 、−ＯＣＦ3 または−ＯＣＨＦ2 を、
Ｓ1 、Ｓ2 、Ｓ3 およびＳ4 はそれぞれ独立に水素原
子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ3 、−ＣＨＦ2 、−
ＯＣＦ3 または−ＯＣＨＦ2 を、Ｚ1 、Ｚ 2 およびＺ3
はそれぞれ独立に−ＣＯＯ−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−Ｃ
≡Ｃ−または単結合をそれぞれ表わし、Ａ1 、Ａ2 およ
びＡ3 はそれぞれ独立に 【化２】 を表わす）で示される化合物を少なくとも一つ含む混合
物であることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示
素子。
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| EP98938933A EP0933139B1 (en) | 1997-08-22 | 1998-08-21 | Thin film coater, coating method, and method for manufacturing liquid crystal display element |
| TW087113850A TW482935B (en) | 1997-08-22 | 1998-08-21 | Method for producing liquid crystal display device |
| DE69837912T DE69837912T2 (de) | 1997-08-22 | 1998-08-21 | Vorrichtung und verfahren zum auftrag einer dünnen schicht und verfahren zur herstellung eines lcd-elementes |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| EP (1) | EP0933139B1 (ja) |
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| WO (1) | WO1999010107A1 (ja) |
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| JP2014036198A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Toshiba Corp | 塗布装置および塗布方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| CN112530794A (zh) * | 2020-12-01 | 2021-03-19 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 一种光刻方法、半导体器件及其制作方法 |
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