DE69837912T2 - Vorrichtung und verfahren zum auftrag einer dünnen schicht und verfahren zur herstellung eines lcd-elementes - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zum auftrag einer dünnen schicht und verfahren zur herstellung eines lcd-elementes Download PDF

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Description

  • Diese Erfindung betrifft Verfahren zur Erzeugung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen, die weiche Röntgenstrahlen anwenden.
  • Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen werden aktiv auf dem Gebiet wie OA-(office automation)-Instrumenten wie PC- und Word-Prozessoren verwendet, weil die Anzeigevorrichtungen bei niedriger Spannung angetrieben werden können, leichtgewichtig sind und ein Bild mit hoher Qualität erzeugen. Als Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen, die bei diesen Anwendungen verwendet werden, werden im allgemeinen Vorrichtungen vom verdrillten nematischen Modus verwendet, bei denen die Ausrichtungsrichtung der nematischen Flüssigkristallmoleküle zwischen der Oberfläche eines Paars von oberen und unteren Elektrodensubstraten um 90° verdrillt wird. Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen, bei denen der Twistwinkel der Flüssigkristallmoleküle auf 180 bis 300° erhöht wird, sind als superverdrillter nematischer Modus bekannt. Zur Durchführung der Matrixanzeige oder Farbanzeige, wurde in den letzten Jahren die Entwicklung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen vom verdrillten nematischen Modus vom aktiven Matrix-Typ unter Verwendung eines MIM (Metall-Isolationsschicht-Metall)-Schaltkreiselementes, durch das ein AN-AUS einer großen Anzahl von Pixelelektroden durchgeführt werden kann, oder eines TFT (Dünnfilmtransistor vom Feldeffekt-Typ)-Schaltkreiselementes aktiv. In der offengelegten japanischen Patentveröffentlichung Hei 2-2525 wird eine Technologie offenbart, worin parallele Röntgenstrahlen auf ein Substrat gestrahlt werden, auf dessen Oberfläche eine Röntgenstrahlen-Resistschicht vorgesehen wird, und dann das Substrat in einen Entwickler und eine Spülung getaucht wird, zur Erhöhung des Pretilt-Winkels der Flüssigkristallmoleküle, die auf der Oberfläche des Substrates gebildet werden. Gemäß der Technologie, die in der Veröffentlichung offenbart ist, wird eine Röntgenstrahlen-Resistschicht Röntgenstrahlen ausgesetzt und in einen Entwickler und eine Spülung getaucht, zur Bildung von mikroskopischen Projektionen und Vertiefungen auf der Oberfläche der Röntgenstrahlen-Resistschicht, um hierdurch die Flüssigkristallmoleküle auszurichten.
  • In der offengelegten japanischen Patentveröffentlichung Hei-8-211622 wird ein Beispiel von Anlagen zum Beschichten eines dünnen Filmes unter Anwendung der Wirkung der Instatisierung mit weichen Röntgenstrahlen offenbart.
  • Auf der anderen Seite werden in den offengelegten japanischen Patentveröffentlichungen Hei 8-45695 und Hei 8-124695 statische Eliminierungsanlagen unter Verwendung von weichen Röntgenstrahlen offenbart. Die in diesen Veröffentlichungen offenbarten Anlagen blasen grundsätzlich die Luft, die mit weichen Röntgenstrahlen ionisiert wird, auf Objekte.
  • In der offengelegten japanischen Patentveröffentlichung Hei 8-50293 , die auf der Grundlage einer Anmeldung veröffentlicht wurde, die vor einigen Jahren durch diese Erfinder angemeldet wurde, werden Verfahren zur Erzeugung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen offenbart, umfassend das Bestrahlen von weichen Röntgenstrahlen auf einen Ausrichtungsfilm in ein Gas nach einer Reibbehandlung. Mehr spezifisch wird in dieser Veröffentlichung eine Technologie gezeigt, worin weiche Röntgenstrahlen auf einen Ausrichtungsfilm, der durch eine Reibbehandlung aktiviert ist, gestrahlt werden, um die Oberflächenenergie des Ausrichtungsfilmes zu reduzieren, um hierdurch das Auftreten von ungleichmäßigen Anzeigen in Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen zu verhindern.
  • Seit dem Beginn der Periode der Multimedien und Entwicklung von vielen Buchstabenanzeigen und diagrammatischen Anzeigen entwickeln sich die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen unvermeidbar in Richtung auf die erweiterte Bildschirmgröße, eine große Anzahl von Pixel und feine Anzeigen. Angesichts dessen erniedrigt sich die Produktionsausbeute von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen in gewissem Ausmaß. Als Faktoren, die die Erniedrigung der Produktionsausbeute beeinflussen, können das Auftreten von solchen ungleichmäßigen Anzeigen, daß Bereiche mit einem unterschiedlichen Kontrast oder unterschiedlichen Chromatizität in einen Teil des Bildschirmes auftreten oder das Auftreten von Pixelmängeln wie weiße Mängel, worin ein Pixel zum Zeitpunkt der schwarzen Anzeige von Licht befreit ist, und einen schwarzen Mangel, worin ein Pixel das Licht zum Zeitpunkt der weißen Anzeige nicht transmitiert, erwähnt werden.
  • Bei den Schritten der Erzeugung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen treten viele Teilchen wie die sogenannten Stäube, Reaktionsprodukte und gebrochene Teile der Substrate oder umgebenden Materialien auf. Die Teilchen gleiten in die Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen und werden eine Hauptursache der hauptungleichmäßigen Anzeigen und Pixelmängel wie oben beschrieben. Mit dem Fortschritt der Reinigungstechnologie gleiten große Teilchen selten in die Vorrichtungen. Jedoch ist es schwierig, solche extrem feinen Teilchen wie Fettsäuren, die von menschlichen Körpern erzeugt werden, vollständig zu entfernen.
  • Zur Entfernung der extrem feinen Teilchen werden Trockenwaschbehandlungen unter Verwendung einer Düse, die Luft so strahlen kann, wie es mit Wischerblättern durchgeführt wird, und Naßwaschbehandlungen unter Verwendung von reinem Wasser oder einem organischen Lösungsmittel verwendet. Jedoch ist es schwierig, die extrem feinen Teilchen durch die Trockenwaschbehandlungen vollständig zu entfernen. Mit den Naßwaschbehandlungen wird festgestellt, daß eine extrem kleine Menge an Verunreinigungen selbst in Waschlösungen enthalten sind, und es ist ebenfalls schwierig, die Verunreinigungen vollständig zu entfernen.
  • Auf der anderen Seite ist es bekannt, daß eine extrem hohe statische Elektrizität von 6 bis 10 keV bei den Schritten zur Erzeugung von Flüssigkristallpanelen insbesondere zum Zeitpunkt der Zufuhr von Glassubstraten oder in einem Dünnfilmbeschichtungsschritt oder dgl. erzeugt wird. Als Ergebnis haften die Teilchen leicht an den Substraten durch die erzeugte statische Elektrizität, und diese Tatsache führt zu dem wesentlichen Grund der Erniedrigung der Produktionsausbeute von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen. Im Zusammenhang mit der statischen Elektrizität sind solche Verfahren noch unzureichend, während ein Verfahren, bei dem ein Befeuchter, um die Feuchtigkeit auf 60 bis 70 % zu erhöhen, oder ein Verfahren verwendet wird, bei dem eine Ionenerzeugungsanlage installiert wird, eingesetzt wird um das oben beschriebenen Anhaften der Teilchen zu vermeiden. Als störende Wirkungen durch die statische Elektrizität können die Verbindungsunterbrechung oder der Kurzschluß von Elektroden aufgrund eines elektrostatischen Kurzschlusses, die schlechte Funktionierung der aktiven Vorrichtungen und dgl. erwähnt werden.
  • Wie oben beschrieben, ist es zur Erhöhung der Ausbeute bei der Produktion von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen wesentlich, die Anzahl der Teilchen bei den Produktionsanlagen zu vermindern, das Anhaften der Teilchen an Substraten, das durch die statische Elektrizität verursacht wird, zu unterdrücken und die anhaftenden Teilchen durch Waschen zu entfernen. Gemäß den konventionellen Verfahren war es jedoch schwierig, die Probleme grundsätzlich zu lösen.
  • Bei den Schritten zur Beschichtung oder Bildung eines solchen dünnen Filmes wie eines Photoresists, Isolationsfilm und Ausrichtungsfilm ist es schwierig, selbst durch Waschbehandlungen die Teilchen, die an der Oberfläche eines Substrates haften, in den Schritten der Beschichtung, Verdampfung und Trocknung zu entfernen, weil das Lösungsmittel verdampft und der somit gebildete Film bei den Schritten getrocknet wird, nachdem eine Flüssigkeit mit einer Fließfähigkeit auf die Oberfläche des Substrates aufgetragen ist; und diese Schwierigkeit ist ein besonders ernsthaftes Problem.
  • JP-08211622 A offenbart ein Verfahren zur Bildung eines Resistfilmes auf einem Substrat und eine Vorrichtung, ausgerüstet mit einer Vielzahl von Entladungsvorrichtungen und Vorrichtungen zum Bestrahlen weicher Röntgenstrahlen in der Nähe einer Walze zur Entfernung von elektrostatischen Änderungen, die sich in der Walze zum Beschichten des Filmes bilden.
  • US 5,265,475 beschreibt die Durchführung einer Bestrahlung mit weichen Röntgenstrahlen nach dem Reiben eines Ausrichtungsfilmes für ein Flüssigkristall-Anzeigeelement.
  • Ein Ziel dieser Erfindung liegt darin, solche Mängel des oben beschriebenen Standes der Technik zu verbessern; Verfahren zum Beschichten eines dünnen Films anzugeben, wobei die Verfahren zum Eliminieren der statischen Elektrizität effizient sind, die bei den Schritten zur Erzeugung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen erzeugt sind; Verfahren anzugeben, worin die statische Elektrizität, die bei den Schritten zur Erzeugung von Flüssigkristall- Anzeigevorrichtungen erzeugt ist, effizient eliminiert wird, um die Produktionsausbeute zu erhöhen.
  • In der offengelegten japanischen Patentveröffentlichung Hei 8-50293 , wie oben erwähnt, ist eine Technologie offenbart, bei der weiche Röntgenstrahlen auf die Oberfläche eines Substrate nach einer Reibbehandlung gestrahlt werden. Als Ergebnis von intensiven Untersuchungen durch diese Erfinder wurde jedoch festgestellt, daß das Auftreten von ungleichmäßigen Anzeigen effizient verhindert werden kann, indem weiche Röntgenstrahlen auf die Oberfläche eines Substrates in einem Schritt vor einer Reibbehandlung in den Verfahren zur Erzeugung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen verhindert werden kann, wodurch diese Erfindung vollendet wurde.
  • Diese Erfindung wird wie folgt zusammengefaßt:
  • Verfahren zur Erzeugung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, umfassend die folgenden Schritte: (a) Bildung einer transparenten Elektrode und eines Schaltkreiselementes eines Halbleiters auf der Oberfläche eines Paars von transparenten Substraten, (b) Auftragen eines Photoresists auf die Oberfläche der Substrate gemäß einem vorbestimmten Muster, (c) Belichten des auf die Substrate aufgetragenen Photoresists mit Licht, (d) Durchführen einer Ätzbehandlung mit den Substraten, (e) Freisetzen des Photoresists von den Substraten, (f) Inspizieren der transparenten Elektroden und Schaltkreiselemente des Halbleiters, (g) Bildung eines Isolationsfilmes auf den Substraten, (h) Bildung eines Ausrichtungsfilms auf den Substraten, (i) Reiben des ausgerichteten Films, der auf dem Substrat gebildet ist, (j) Verteilen von Abstandshaltern auf dem Substrat, (k) Auftragen eines Abdichtmittels auf das Substrat, (l) Schichten der Substrate, (m) Vorsehen eines Zwischenraums mit vorbestimmter Dicke zwischen die Substrate, (n) Schneiden der Substrate in eine vorbestimmte Größe der Substrate, (o) Füllen eines Flüssigkristallmaterials in den Zwischenraum, (p) Kleben einer polarisierenden Platte an das Substrat, und (q) Verbinden eines Antreibers IC mit den transparenten Elektroden, dadurch gekennzeichnet, daß weiche Röntgenstrahlen auf die Substrate in einem Gas in zumindest einem der Schritte (g) oder (h) gestrahlt werden.
  • Verfahren zur Erzeugung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gemäß (1), worin die Bestrahlungsenergie der weichen Röntgenstrahlen 4 bis 9,5 keV ist.
  • (3) Verfahren zur Erzeugung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gemäß (1), worin der Abstand vom Substrat zur Quelle der weichen Röntgenstrahlen kürzer als 1500 mm ist.
  • Verfahren gemäß (1), worin das Flüssigkristallmaterial eine Mischung ist, umfassend zumindest eine Verbindung mit der Formel (2) oder (3)
    Figure 00070001
    worin R1 und R3 unabhängig eine geradkettige Alkyl-Gruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen oder Alkenyl-Gruppe mit 2 bis 10 Kohlenstoffatomen sind; R2 und R4 unabhängig eine geradkettige Alkyl- oder Alkyloxy-Gruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen, -CN, Fluoratom, Chloratom, -CF3, -CHF2, -OCF3 oder OCHF2 sind; S1, S2, S3 und S4 unabhängig Wasserstoffatom, Fluoratom, Chloratom, -CF3, -CHF2, -OCF3 oder -OCHF2 sind; Z1, Z2 und Z3 unabhängig -COO-, -CH2CH2-, -C≡C- oder eine Einfachbindung sind und A1, A2 und A3 unabhängig bedeuten:
    Figure 00080001
  • Dünnfilm-Beschichtungsanlagen haben einen Substratbewegungsbereich, der in der Lage ist, ein Substrat in den Anlagen zu bewegen oder zu verschieben, einen Beschichtungsbereich zur Bildung eines dünnen Filmes auf dem Substrat und einen Bereich zum Strahlen von weichen Röntgenstrahlen zum Emittieren von weichen Röntgenstrahlen auf das Substrat in dem Substrat-Bewegungsbereich oder Substrat-Beschichtungsbereich.
  • Das grundlegende Prinzip dieser Erfindung liegt darin, daß die statische Elektrizität, die beim Schritt zur Beschichtung oder Bildung eines dünnen Filmes erzeugt wird, leicht und effizient durch die Adsorption der gasförmigen Ionen auf dem Substrat, die durch Ionisieren von weichen Röntgenstrahlen mit einer großen Wellenlänge erzeugt sind, eliminiert werden können und das Anhaften von Teilchen auf der beschichteten Oberfläche und der statische Ausfall durch die statische Löschwirkung verhindert werden kann, unter Erhöhung der Ausbeute der Produkte.
  • Anlagen zum Strahlen von weichen Röntgenstrahlen, die erfindungsgemäß verwendet werden, sind nicht besonders beschränkt, solange sie stabil ihren Ausstoß im Bereich von 4 bis 9,5 keV ausgedrückt als Energie der weichen Röntgenstrahlen steuern können. Die Bestrahlungszeit der weichen Röntgenstrahlen ist nicht besonders beschränkt. Jedoch liegt sie üblicherweise bei 0,5 Sekunden oder länger und bevorzugt 2 bis 300 Sekunden. Wenn die Bestrahlungszeit kürzer als 0,5 Sekunden ist, sind die Wirkungen zur Bestrahlung mit weichen Röntgenstrahlen gering. Während der Abstand, durch den die weichen Röntgenstrahlen bestrahlt werden, nicht spezifisch beschränkt ist, wird der Abstand üblicherweise auf weniger als 1500 mm und bevorzugt 10 bis 400 mm eingestellt.
  • Anlagen zum Bestrahlen von weichen Röntgenstrahlen, die erfindungsgemäß verwendet werden, können verwendet werden, während sie auf einer Photoresist-Beschichtungsanlage vom Spinnbeschichtungstyp, Isolationsfilm-Beschichtungsanlage oder Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage vorgesehen sind, versehen mit (a) einem Mittel zum Zuführen einer Lösung, das als Spender bezeichnet wird und eine Beschichtungslösung tröpfchenweise auf die Oberfläche eines transparenten Substrates mit einer vorbestimmten Elektrode, die auf einer Seite davon gebildet ist, fallen läßt und (b) einer rotierbaren Stufe zum Abflachen der Beschichtungslösung durch Zentrifugalkraft, die auf die Oberfläche des transparenten Substrates fallengelassen wurde.
  • Erfindungsgemäß ist die Atmosphäre, in der die weichen Röntgenstrahlen gestrahlt werden, überhaupt nicht beschränkt, solange sie ein Gas ist. Bevorzugte Gase sind Luft, Stickstoffgas, Kohlendioxidgas, Wasserdampf, Helium, Neon, Argon, ein gemischtes Gas aus zumindest einem von diesen mit Sauerstoff und ein gemischtes Gas davon.
  • Die erfindungsgemäß verwendeten weichen Röntgenstrahlen sind extrem schwach bezüglich ihrer Fähigkeit, durch ein Substrat zu leiten, weil ihre Energie gering ist. Die Fähigkeit ist in einem Ausmaß, so daß das Durchleiten der weichen Röntgenstrahlen leicht mit einer transparenten Polyvinylchlorid-Platte oder dgl. abgeschirmt werden kann, und die weichen Röntgenstrahlen stellen für den menschlichen Körper keine Gefahr dar und stellen selbst angesichts der Sicherheitsüberwachung kein Problemen dar.
  • Dünnfilm-Beschichtungsanlagen unter Verwendung eines Photoresists als dünner Film werden unten unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • 1 ist eine Frontansicht eines Beispiels der Photoresist-Beschichtungsanlagen, die erfindungsgemäß verwendet werden.
  • 2 ist eine Seitenansicht eines Beispiels der Photoresist-Beschichtungsanlagen, die erfindungsgemäß verwendet werden.
  • 3 ist eine planare Ansicht eines Beispiels der Photoresist-Beschichtungsanlagen, die erfindungsgemäß verwendet werden.
  • 4 ist eine Vorderansicht eines Beispiels der Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage, die erfindungsgemäß verwendet wird.
  • 5 ist eine Seitenansicht eines Beispiels der Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage, die erfindungsgemäß verwendet wird.
  • 6 ist eine planare Ansicht eines Beispiels der Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage, die erfindungsgemäß verwendet wird.
  • Die 1, 2 und 3 sind die Vorderansicht, Seitenansicht bzw. planare Ansicht einer Photoresist-Beschichtungsanlage, die erfindungsgemäß verwendet wird.
  • Die Photoresist-Beschichtungsanlage 1 setzt sich grundsätzlich aus einem transparenten Substrat 3 aus Glas oder dgl. die auf der Oberfläche einer rotierbaren Stufe 4 angeordnet ist, einem Spender 2 zum Fallenlassen der Lösung eines Photoresists in Tropfenform auf die Oberfläche des transparenten Substrates 3, frei projizierbarem Vorziehpin 6, der in der oben erwähnten Stufe 4 enthalten ist und in der Lage ist, eine Seite des transparenten Substrates 3 nach oben zu rücken, um die Entfernung des transparenten Substrates von der Stufe 4 zu erleichtern; und Anlagen 8 und 9 zum Bestrahlen von weichen Röntgenstrahlen auf die Oberfläche des Substrates zusammen. In den Figuren ist 5 ein Sockel, 10 ein Bestrahlungsfenster für Röntgenstrahlen, 12 ein Tragestab der Anlage 8 und 13 ein Metallkuppler für den Tragestab, der auf der Säule 11 vorgesehen ist.
  • Bei der oben beschriebenen Bildung fällt, wenn ein Startknopf (in der Zeichnung nicht dargestellt) im Bedienungsbereich 7 gedrückt wird, eine vorbestimmte Menge einer Lösung aus einem Photoresist in Tropfenform vom Spender 2 auf die Oberfläche des transparenten Glassubstrates 3, das auf der Stufe 4 mittels Vakuumabsorption angeordnet ist und eine darauf gebildete transparente Elektrode aufweist, und die Stufe 4 rotiert bei einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit, wodurch die Lösung aus dem Photoresist auf der gesamten Oberfläche des Substrates geschichtet wird.
  • Während zwei Anlagen zum Bestrahlen von weichen Röntgenstrahlen in der in den Zeichnungen dargestellten Photoresist-Beschichtungsanlage vorgesehen sind, dient die erste Anlage 8 zum Bestrahlen von weichen Röntgenstrahlen dazu, ein transparentes Substrat auf der Stufe 4 an einem Ort zu bestrahlen, bei dem die Photoresist-Beschichtungsbehandlung tatsächlich durchgeführt wird, mit anderen Worten während der Photoresist-Beschichtungsbehandlung, und die zweite Anlage 9 zum Bestrahlen von weichen Röntgenstrahlen dient zum Bestrahlen des transparenten Substrates 3 auf der Stufe 4 an einem Ort (rechte Seite in 1) bei der Herstellung oder dem Abwarten vor oder nach der Beschichtungsbehandlung, mit anderen Worten vor oder nach der Beschichtungsbehandlung. Der Bestrahlungsbereich (diagonal schattierter Bereich) der Anlagen 8 und 9 zum Bestrahlen mit weichen Röntgenstrahlen wird so eingestellt, daß die weichen Röntgenstrahlen vom Bestrahlungsfenster 10 in alle Richtungen in einer Konusform bei einem Winkel von 110° (θ) bestrahlt wird. Die Bestrahlungsintensität erhöht sich umgekehrt proportional zum Quadrat des Abstandes und somit ist, wenn die Bestrahlungsintensität beim Mittelbereich und einem Endbereich des Bestrahlungsbereiches verglichen werden, der Endbereich bezüglich der Intensität etwa um 20 % kleiner. Demzufolge wird entweder die Bestrahlungsanlage für weiche Röntgenstrahlen so installiert, daß sie über dem Sockel 5 bei einer optionalen Höhe und einem optionalen Winkel angeordnet werden kann. Spezifische wird die Anlage 8 zum Bestrahlen von weichen Röntgenstrahlen steif über dem Sockel 5, beispielsweise mit der Säule 11, die an einem wahlweisen Bereich am Sockel 5 installiert werden kann, einem Tragestab 12, der in vertikaler Richtung zur Säule 11 angeordnet werden kann, und einem Metallkuppler 13 einer Form einer Klemme befestigt, die die Säule und den Stab auf verhältnismäßig bewegbare Weise fest verbinden kann, getragen.
  • Die Bestrahlungsanlagen für weiche Röntgenstrahlen, die erfindungsgemäß verwendet werden, können verwendet werden, während sie auf einer Photoresist-Beschichtungsanlage vom Offsetdruck-Typ, Isolationsfilm-Beschichtungsanlage oder Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage oder Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage vorgesehen ist, die mit (a) einer zylindrischen Druckwalze, die parallel zur Oberfläche eines transparenten Substrates mit einer vorbestimmten Elektrode, die auf einer Seite davon gebildet ist, und mit einem wechselbaren Abstand von der Oberfläche der Druckwalze gehalten ist, und (b) einem Antriebsmittel zum Bewegen der Druckwalze in bezug auf das transparente Substrat in einer vorbestimmten Richtung versehen ist, während die Walze rotiert.
  • Die 4, 5 und 6 sind eine Vorder-, Seiten- und planare Ansicht einer Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage, die ein anderes Ausführungsbeispiel dieser Erfindung zeigt.
  • Die Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage 21 setzt sich grundsätzlich aus einem transparenten Substrat 22 aus Glas oder dgl. mit einer vorbestimmten Elektrode, die auf einer Seite davon gebildet ist, einer bewegbaren Stufe 23, auf der das Substrat 22 angeordnet ist, einer rotierbaren zylindrischen Druckwalze 24, die horizontal auf bewegbare Weise getragen ist, so daß sie das transparente Substrat 22, das auf der bewegbaren Stufe 23 angeordnet ist, kontaktieren kann und die ein Relief aufweist, das um die äußere umgebende Oberfläche davon gewunden ist; einer Anirox-Walze 25 zum Transferieren einer Lösung zur Bildung eines Ausrichtungsfilmes auf der Oberfläche des Reliefs; einem Spender 26 zum Fallenlassen einer Lösung zur Bildung eines Ausrichtungsfilmes in Tröpfchen; und einer Doktorwalze 27 zum Nivellieren der getropften Lösung für den Ausrichtungsfilm zusammen.
  • Die Stufe 23 wird so getragen, daß sie zur und von der Richtung (rechte und linke Richtung in 5) durch den sogenannten linear führenden Mechanismus bewegbar ist, umfassend ein Paar von Schienen 29, die parallel auf dem Sockel 28 fixiert sind, und ein Trageteil 30, das gleitfähig daran fixiert ist, und wird mit einem Servomotor angetrieben (nicht in der Zeichnung dargestellt) durch den sogenannten gerade antreibenden Mechanismus, bestehend aus einer Spindelmutter 31, die zwischen beiden Schienen 29 und einem Mutterteil 32, das mit der Spindelmutter verschraubt wird, angeordnet ist. Auf der oberen Oberfläche der Stufe 23 ist ein frei nach oben bewegbarer Pin 33, der eine Seite des transparenten Substrates 22 nach oben bewegen kann, enthalten, um die Entfernung des Substrates 22 von der Stufe 23 zu erleichtern. Eine zylindrische Druckwalze 24 wird mit einem Motor rotiert und mit einem Säulenbereich von 34 (Sockel 28) getragen, so daß er aufwärts und abwärts in paralleler Richtung bewegt werden kann.
  • Basierend auf dem oben beschriebenen Aufbau rotiert, wenn ein Startknopf (in der Zeichnung nicht dargestellt) im Bedienungsbereich 35 gedrückt wird, die zylindrische Druckwalze 24 bei einer vorbestimmten Geschwindigkeit und senkt sich um einen vorbestimmten Abstand, und die Stufe 23 bewegt sich bei einer vorbestimmten Geschwindigkeit, wodurch eine Ausrichtungsfilmbeschichtung auf der Oberfläche des transparenten Glassubstrates 22 durchgeführt wird, die auf der Stufe 23 durch Vakuumabsorption angeordnet ist und eine darauf gebildete transparente Elektrode aufweist.
  • Während zwei Bestrahlungsanlagen für weiche Röntgenstrahlen (36 und 37) selbst in den Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlagen installiert werden können, soll die erste Bestrahlungsanlage für weiche Röntgenstrahlen 36 das transparente Substrat 22 auf der Stufe 23 an einem Ort bestrahlen, bei dem die Ausrichtungsfilmbeschichtung tatsächlich durchgeführt wird, mit anderen Worten während der Ausrichtungsfilm-Beschichtungsbehandlung, und die zweite Bestrahlungsanlage 37 für weiche Röntgenstrahlen soll das transparente Substrat auf der Stufe 23 bestrahlen, wenn die Stufe 23 an einen Ort zur Herstellung oder zum Warten (rechtes Ende von 5) nach der Beschichtungsbehandlung angeordnet ist, mit anderen Worten nach der Ausrichtungsfilm-Beschichtungsbehandlung.
  • Während wie oben beschrieben die Bestrahlungsanlagen für weiche Röntgenstrahlen, die erfindungsgemäß verwendet werden, eingesetzt werden können, wobei sie auf einer Photoresist-Beschichtungsanlage, Isolationsfilm-Beschichtungsanlage oder Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage in den Schritten zur Erzeugung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen vorgesehen sind, können die Anlagen zusätzlich zu den oben erwähnten Anlagen für irgendeine Anlage verwendet werden, solange sie solche Anlagen wie Photoresist-Beschichtungsanlagen und Isolationsfilm-Beschichtungsanlagen sind, die zur Erzeugung von Halbleitern verwendet werden, worin die Erzeugung der statischen Elektrizität problematisch wird.
  • Ein Verfahren zur Erzeugung der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen dieser Erfindung umfaßt einen Schritt zur Bildung einer transparenten Elektrode und eines Schaltkreiselementes eines Halbleiters auf der Oberfläche eines Paar von transparenten Substraten, einen Schritt zum Auftragen eines Photoresists auf die Oberfläche der Substrate gemäß einem vorbestimmten Muster, einen Schritt zum Belichten des auf die Substrate aufgetragenen Photoresists mit Licht, einen Schritt zum Durchführen einer Ätzbehandlung mit den Substraten, einen Schritt zum Freisetzen des Photoresists von den Substraten, einen Schritt zum Inspizieren der transparenten Elektroden und Schaltkreiselementen des Halbleiters, einen Schritt zur Bildung eines Isolationsfilmes auf den Substraten, einen Schritt zur Bildung eines Ausrichtungsfilmes auf dem Substraten, einen Schritt zum Reiben des auf dem Substrat gebildeten Ausrichtungsfilmes, einen Schritt zum Verteilen von Abstandshaltern auf dem Substrat, einen Schritt zum Auftragen eines Abdichtmittels auf dem Substrat, einen Schritt zum Stapeln der Substrate, einen Schritt zum Vorsehen eines Zwischenraumes mit vorbestimmter Dicke zwischen den Substraten, einen Schritt zum Schneiden der Substrate in einer vorbestimmte Größe der Substrate, einen Schritt zum Füllen eines Flüssigkristallmaterials in den Zwischenraum, einen Schritt zum Ankleben einer Polarisierungsplatte am Substrat und einen Schritt zum Verbinden eines Antriebs-IC an die oben beschriebenen transparenten Elektroden, und das Verfahren ist gekennzeichnet durch Strahlen von weichen Röntgenstrahlen auf das Substrat in einem Gas in zumindest einem Schritt vor der Reibbehandlung wie oben beschrieben.
  • Die Bestrahlungsanlagen für weiche Röntgenstrahlen, die im Verfahren zur Erzeugung der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung dieser Erfindung verwendet werden, können auf verschiedene Anlagen geladen werden. Das heißt die Bestrahlungsanlagen für Röntgenstrahlen können verwendet werden, wobei sie auf die Dünnfilm-Bildungsanlagen gegeben sind, durch die eine transparente Elektrode und ein Halbleiter-Schaltkreiselement auf einem transparenten Substrat durch ein Bedampfungsverfahren, Plasma-CVD oder Vakuumniederschlag gebildet sind, Photoresist-Beschichtungsanlagen, Photoresist-Belichtungsanlagen vom Proximitäts-Typ, Linsenprojektions-Typ oder Spiegelprojektions-Typ, Ätzanlagen, die zum chemischen Trockenätzen unter Verwendung von Gasplasma oder zum Naßätzen unter Verwendung von Salzsäure, Salpetersäure, Fluorwasserstoffsäure oder dgl. verwendet werden; Photoresist-Freisetzungsanlagen, die für ein chemisches Freisetzungsverfahren unter Verwendung eines starken Alkalis oder für ein Sauerstoffplasma-Aschverfahren verwendet werden; Inspektionsanlagen für transparente Elektroden oder Halbleiterschaltkreiselemente; Isolationsfilm-Beschichtungsanlagen und Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlagen angeordnet sind. Diese Bestrahlungsanlagen für weiche Röntgenstrahlen sind nicht spezifisch beschränkt, solange sie im allgemeinen in den Schritten vor der Durchführung einer Reibbehandlung mit den Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen verwendet werden können.
  • In dieser Erfindung werden Polyimidharze bevorzugt als Material zur Bildung der Ausrichtungsfilme verwendet. Als Polyimide können die Materialien verwendet werden, hergestellt unter Verwendung von Polyaminsäure (polyamic acid) mit der strukturellen Einheit, dargestellt durch die allgemeine Formel (1) als Vorläufer
    Figure 00170001
    worin R1 einen tetravalenten alicyclischen, aromatischen oder heterocyclischen Kohlenwasserstoff-Rest bedeutet, der eine Gruppe wie Halogen darin aufweisen kann, und R2 einen bivalenten Kohlenwasserstoff-Rest bedeutet, der -O-, -S-, ein Halogenatom oder Cyano-Gruppe haben kann.
  • Das heißt, als Polyaminsäure werden solche bevorzugt verwendet, die durch Reaktion einer Diamino-Verbindung mit Tetracarbonsäuredianhydriden mit einem aromatischen Ring wie Pyromellitsäuredianhydrid oder einem alicyclischen Dianhydrid wie Cyclobutansäure und dgl.
  • Als Tetracarbonsäuredianhydrid können erwähnt werden:
    aromatische Tetracarbonsäurendianhydride wie Pyromellitsäuredianhydrid,
    3,3',4,4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid,
    2,2',3,3'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid,
    2,3,3',4'-Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid,
    3,3',4,4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid,
    2,3,3',4'-Benzophenontetracarbonsäuredianhydrid,
    2,2',3,3'-Bennzophenontetracarbonsäuredianhydrid, Bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfonsäureanhydrid,
    1,2,6,6-Naphthalintetracarbonsäuredianhydrid und
    2,3,6,7-Naphthalintetracarbonsäurefdianhydrid, und als alicyclische Tetracarbonsäuren können erwähnt werden:
    Dianhydrid von alicyclischen Tetracarbonsäuren mit einem Ring wie Cyclobutan, Cyclohexan, Cyclooctan und Bicyclooctan und
    Verbindungen mit einer der folgenden strukturellen Formeln:
    Figure 00180001
    worin m eine ganze Zahl von 1 bis 4 ist.
  • Figure 00180002
  • Als Diamino-Verbindungen, die die andere Seite der Ausgangsmaterialien der Polyaminsäuren sind, können aromatische Diamino-Verbindungen erwähnt werden wie:
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]cyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-4-methylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-4-ethylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-4-propylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-4-butylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-4-pentylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-4-hexylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-4-heptylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]-4-octylcyclohexan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl] profan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]betan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]Pentan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]hexan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]heptan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]octan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]nonan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]decan,
    2,2-Bis[4-(4-Aminophenoxy)phenyl]dodecan,
    1,1-Bis[4-(4-aminobenzyl)phenyl]cyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-aminobenzyl)phenyl]-4-methylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-aminobenzyl)phenyl]-4-ethylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-aminobenzyl)phenyl]-4-propylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-aminobenzyl)phenyl]-4-butylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-aminobenzyl)phenyl]-4-pentylcyclohexan,
    1,1-Bis[4-(4-aminobenzyl)phenyl]methan,
    4,4'-Diaminophenylether,
    4,4'-Diaminodiphenylmethan,
    4,4'-Diaminodiphenylsulfon,
    4,4'-Diaminodiphenylsulfid,
    4,4'-Di (meta-aminophenoxy) diphenylsulfon,
    4,4'-Di (para-aminophenoxy) diphenylsulfon,
    ortho-Phenylendiamin,
    meta-Phenylendiamin,
    para-Phenylendiamin,
    Benzidin,
    2,2'-Diaminobenzophenon,
    4,4'-Diaminobenzophenon,
    4,4'-Diaminodiphenyl-2,2'-propan,
    1,5-Diaminonaphthalin,
    1,8-Diaminonaphthalin und
    2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexamethylpropan und
    alicyclische Diamino-Verbindungen wie 1,4-Diaminocyclohexan
    und 4,4'-Diaminodicyclohexylmethan.
  • Tetracarbonsäuredianhydride und Diamino-Verbindungen, die Ausgangsmaterialien für Ausrichtungsfilme sind, die erfindungsgemäß verwendet werden, sind nicht auf die oben erwähnten Verbindungen beschränkt. Die Säureanhydride und Diamino-Verbindungen können in Kombination von zwei oder mehreren verwendet werden.
  • Zur Bildung eines Ausrichtungsfilmes auf einem Substrat wird ein Verfahren im allgemeinen verwendet, bei dem eine Polyaminsäure, die ein Vorläufer von Polyimid-Verbindungen ist, und durch Kondensation eines Tetracarbonsäure-Dianhydrides mit einer Diamino-Verbindung erhalten werden kann, in einem Lösungsmittel aufgelöst und dann die Lösung auf ein Substrat aufgetragen und erwärmt wird, zur Bildung eines Imides, weil die Polyimid-Verbindungen in Lösungsmitteln unlöslich sind. Spezifisch wird eine Polyaminsäure in einem Lösungsmittel wie N-Methyl-2-pyrrolidon (NMP), Dimethylacetamid (DMAc), Dimethylformamid (DMF), Dimethylsulfoxid (DMSO), Butylcellosolv (BC), Ethylcarbitol, Propylenglykolmonobutylether und 3-Methyl-3-methoxybutanol aufgelöst, zur Herstellung einer Polyaminsäure-Lösung mit einer Konzentration von 0,1 bis 30 Gew.%, bevorzugt 1 bis 10 Gew.%, und die Lösung wird auf ein Substrat durch ein Bürst-, Tauch-, Rotationsbeschichtungs-, Sprüh-, Druckverfahren oder dgl. aufgetragen, zur Bildung eines Beschichtungsfilmes auf dem Substrat. Nach der Bildung eines Filmes wird das Lösungsmittel bei einer Temperatur von 50 bis 150°C, bevorzugt 80 bis 120°C verdampft und der Film wird dann bei einer Temperatur von 150 bis 400°C, bevorzugt 180 bis 280°C erwärmt, zur Durchführung einer Dehydrocyclisierungsreaktion, um hierdurch einen Flüssigkristallausrichtungsfilm zu bilden, umfassend ein Polymer vom Polybenzylimid-Typ.
  • Wenn die Adhäsion des somit erhaltenen Polymerfilmes zum Substrat nicht gut ist, kann die Adhäsion verbessert werden, indem die Oberfläche des Substrates mit einem Silan-Kupplungsmittel vorbehandelt und dann der Polymerfilm gebildet wird. Ausrichtungsfilme für Flüssigkristalle können durch Bilden eines Filmes aus einem organischen Polymer auf der Oberfläche eines Substrates durch ein solches Verfahren wie oben beschrieben und durch anschließendes Reiben der Oberfläche des Filmes mit einem Tuch in einer bestimmten vorbeschriebenen Richtung erhalten werden.
  • Als Flüssigkristallmaterialien, die in den Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen verwendet werden, können irgendwelche Materialien verwendet werden, solange die Materialien Flüssigkristalle mit einem darin zugegebenen dichroitischen Farbstoff, ferroelektrische Flüssigkristalle, antiferroelektrische Flüssigkristalle oder andere Flüssigkristalle sind, die für übliche Anzeigevorrichtungen verwendet werden können, und zwar zusätzlich zu den üblichen nematischen Flüssigkristallen.
  • Als Komponente der Flüssigkristalle, die erfindungsgemäß verwendet werden können, können als Beispiele Flüssigkristallverbindungen mit den folgenden allgemeinen Formeln (2) oder (3) erwähnt werden:
    Figure 00220001
    worin R1 eine geradkettige Alkyl-Gruppe mit 1 bis 2 Kohlenstoffatomen oder eine Alkenyl-Gruppe mit 2 bis 10 Kohlenstoffatomen ist, R2 eine geradkettige Alkyl-Gruppe oder Alkyloxy-Gruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen, -CN, Fluoratom, Chloratom, -CF3-, -CHF2, -OCF3 oder -OCHF2 ist; S1 und S2 Wasserstoffatom, Fluoratom, Chloratom, -CF3-, -CHF2, -OCF3 oder -OCHF2 sind und diese Atome oder Gruppen gleich oder verschieden sein können; Z1 -COO-, -CH2CH2-, -C≡C- oder eine Einfachbindung ist; A1 bedeutet:
    Figure 00220002
    worin R3 die gleiche Bedeutung wie R1 in der allgemeinen Formel (2) aufweist; R4 die gleiche Bedeutung wie R2 in der allgemeinen Formel (2) hat; S3 und S4 die gleichen Bedeutungen wie S1 und S2 in der allgemeinen Formel (2) aufweist und gleich oder verschieden sein können; Z2 und Z3 gleich oder verschieden sein können und die gleiche Bedeutung wie Z1 in der allgemeinen Formel (2) haben; A2 und A3 die gleiche Bedeutung wie A1 in der allgemeinen Formel (2) aufweisen und gleich oder verschieden sein können.
  • Während diese Flüssigkristallzusammensetzungen aus einer einzelnen Komponente oder einer Mischung von mehreren Komponenten zusammengesetzt sein können, sind Zusammensetzungen mit mehreren Verbindungen bevorzugt. Weiterhin können andere Verbindungen als die oben beschriebenen zu den Flüssigkristallmischungen gemischt werden, die in den Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen dieser Erfindung verwendet werden, solange die Zwecke dieser Erfindung nicht beeinträchtigt werden.
  • Nachfolgend wird diese Erfindung detailliert unter Bezugnahme auf Beispiele und Vergleichsbeispiele erläutert. Jedoch sollte verstanden werden, daß der Umfang dieser Erfindung keineswegs durch solche spezifischen Beispiele und Vergleichsbeispiele beschränkt ist.
  • Beispiel 1
  • Ein Photoresist (Warenname: OFPR-800), erzeugt von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., wurde auf die Oberfläche eines transparenten Glassubstrates, versehen mit einer ITO-Elektrode auf einer Seite davon, aufgetragen, indem eine Photoresist-Beschichtungsanlage vom Spinn-Beschichtungstyp, versehen mit einer Bestrahlungsanlage für weiche Röntgenstrahlen (Typ L7120), erzeugt von Hamamatsu Photonics Co., Ltd., bei einer anfänglichen Umdrehungszahl von 500 Upm für 3 Sekunden, einer mittleren Umdrehungszahl von 2000 für 5 Sekunden und einer endgültigen Umdrehungszahl von 3000 Upm für 0,5 Sekunden verwendet wurde. Zu diesem Zeitpunkt wurde bestätigt, daß die statische Elektrizität von etwa 5 kV auf der Oberfläche des Substrates, erzeugt während der Zufuhr oder anderer Vorgänge des Glassubstrates vor dem Befestigen mit dem Spinner (Photoresist-Beschichtungsanlage) durch Bestrahlung mit weichen Röntgenstrahlen für 5 Sekunden niedriger als 100 V wurde. Die Energie der Bestrahlungsanlage für weiche Röntgenstrahlen war 6 keV und die Röhrenspannung und der Röhrenstrom waren 9,5 kV bzw. 150 μA. Nach Beendigung der Auftragung des Photoresists wurde ein Vorbacken bei 90°C für 30 Minuten in einem sauberen Ofen durchgeführt, unter Erhalt eines Photoresistfilms mit einer Dicke von 1,4 μm.
  • Dieses Substrat wurde einer Proximitätsbelichtung für 3 Sekunden mit einer Belichtungsanlage mit 15,6 mW/cm2 (405 nm) unterworfen, mit einem Entwickler (Warenname: NMD-3: 2,38 %), erzeugt von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. für 60 Sekunden tauchentwickelt, mit ultrareinem Wasser 30 Sekunden lang gespült und dann in einem sauberen Ofen bei 135°C 20 Minuten nachgebacken. Dieses Substrat wurde einer Ätzbehandlung mit einer Säure aus FeCl3 + HCl unterworfen und mit einer Freisetzungslösung (Warenname: 502A), erzeugt von Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., zum Freisetzen des Photoresists behandelt. Nach Beendigung des Freisetzens wurde das Substrat mit ultrareinem Wasser gespült, getrocknet und bezüglich Mängel und Löcher in dem ITO-Muster inspiziert. Als Ergebnis wurde festgestellt, daß der Prozentsatz der Mängel des ITO-Musters um 10 % durch Bestrahlen der weichen Röntgenstrahlen auf das Substrat reduziert wurde, unter Entfernung der statischen Elektrizität, wodurch die Menge an Stäuben, die daran anhafteten, vermindert wurde, im Vergleich zum konventionellen Verfahren, bei dem weiche Röntgenstrahlen nicht bestrahlt wurden.
  • Beispiel 2
  • Eine Isolationsflüssigkeit (Warenname: LIXON COAT PMA-801P), erzeugt von Chisso Corporation zur Bildung eines Isolationsfilmes wurde auf die Oberfläche eines transparenten Glassubstrates, versehen mit einer ITO-Elektrode auf einer Seite davon, durch Verwendung einer Isolations-Filmbildungsanlage vom Filmbeschichtungs-Typ, beladen mit einer Bestrahlungsanlage für weiche Röntgenstrahlen (Typ L7120), erzeugt von Hamamatsu Photonics Co., Ltd. unter Rotation bei einer Umdrehungszahl von 1000 Upm für 20 Sekunden aufgetragen. Es wurde bestätigt, daß die statische Elektrizität von 10 kV bei einem zu diesem Zeitpunkt erzeugten Maximum weniger als 100 V durch Bestrahlung der weichen Röntgenstrahlen wurde.
  • Die Energie der Bestrahlungsanlage für weiche Röntgenstrahlen war 6 keV und die Röhrenspannung und der Röhrenstrom waren 9,5 kV bzw. 150 μA. Nach Beendigung der Auftragung der Isolationslösung wurde sie 3 Minuten bei 100°C getrocknet und dann in einem Luftofen bei 200°C für 30 Minuten wärmebehandelt, unter Erhalt eines gehärteten Filmes.
  • Auf der Oberfläche dieses Substrates wurde eine Ausrichtungsfilmlösung (Lösung zur Bildung eines Ausrichtungsfilmes) (Warenname: LIXON ALIGNER PIA-2424), erzeugt von Chisso Corporation zur Bildung eines Ausrichtungsfilmes für STN unter Verwendung einer Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage vom Offsetdruck-Typ aufgetragen. Nach Beendigung der Auftragung der Ausrichtungsfilmlösung wurde sie bei 100°C 10 Minuten lang getrocknet, in einem Luftofen in 1 Stunde auf 200°C gebracht und dann bei 200°C 90 Minuten wärmebehandelt, unter Erhalt eines Polyimid-Filmes mit einer Dicke von etwa 600 Å auf dem Substrat, der mit einer transparenten Elektrode versehen war.
  • Nachdem das somit erhaltene transparente Glassubstrat mit dem darauf gebildeten Polyimidfilm einer Reibbehandlung unterworfen war, wurden Abstandshalter mit 6 μm unter Verwendung einer Abstandshalter-Verteilungsanlage vom Naßtyp verteilt. Ein Abdichtmittel wurde auf die Oberfläche des anderen Substrates aufgetragen, auf der Abstandshalter nicht verteilt waren. Dann wurden zwei der Substrate miteinander verbunden, zur Erzeugung einer Flüssigkristallzelle, bei der der Twistwinkel auf 240° eingestellt war. Nachdem ein Flüssigkristall (Warenname: LIXON 4032-000XX) für STN, hergestellt von Chisso Corporation in die somit erhaltene Zelle gefüllt war, wurde sie einer Isotropenbehandlung bei 120°C für 30 Minuten unterworfen und dann graduell auf Raumtemperatur gekühlt, unter Erhalt der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
  • Auf gleiche Weise wie oben beschrieben wurden 10 Teile des Substrates hergestellt und ein elektrischer Strom wurde durch die so erhaltenen Teile geleitet, um das Vorhandensein oder die Abwesenheit einer ungleichmäßigen Anzeige zu ermitteln, mit der Feststellung, daß bei drei Stücken Substraten eine leicht unebene Anzeige beobachtet wurde, und daß bei den verbleibenden 7 Stücken des Substrates keine ungleichmäßige Anzeige festgestellt wurde.
  • Beispiel 3
  • Eine Isolationslösung (Warenname: LIXON COAT PMA-801P), erzeugt von Chisso Corporation zur Bildung eines Isolationsfilmes wurde auf die Oberfläche eines transparenten Glassubstrates, das auf einer Seite davon mit einer ITO-Elektrode versehen war, durch Verwendung einer Isolationsfilm-Beschichtungsanlage vom Spinnbeschichtungs-Typ unter Rotation bei einer Umdrehungszahl von 1000 Upm 20 Sekunden aufgetragen. Nach Beendigung der Auftragung der Isolationslösung wurde sie bei 100°C 3 Minuten lang getrocknet und dann in einem Luftofen bei 200°C 30 Minuten lang wärmebehandelt, unter Erhalt eines gehärteten Filmes.
  • Auf der Oberfläche dieses Substrates wurde eine Ausrichtungsfilmlösung (Warenname: LIXON ALIGNER PIA-2424), hergestellt von Chisso Corporation, zur Bildung eines Ausrichtungsfilmes für STN durch Verwendung einer Ausrichtungsfilm-Beschichtungsanlage vom Offsetdruck-Typ, beladen mit einer Bestrahlungsanlage für weiche Röntgenstrahlen (Typ L7120), erzeugt von Hamamatsu Photonics Co., Ltd., aufgetragen. Es wurde bestätigt, daß die statische Elektrizität von 10 kV bei einem Maximum, erzeugt zu diesem Zeitpunkt, niedriger als 100 V durch Bestrahlung der weichen Röntgenstrahlen wurde. Die Energie der Bestrahlungsanlage für weiche Röntgenstrahlen war 6 keV und die Röhrenspannung und Röhrenstrom waren 9,5 kV bzw. 150 μA. Nach Beendigung der Auftragung der Ausrichtungsfilmlösung wurde sie 10 Minuten bei 100°C getrocknet, in einem Luftofen in einer Stunde auf 200°C gebracht und dann 90 Minuten bei 200°C wärmebehandelt, unter Erhalt eines Polyimidfilmes mit einer Dicke von etwa 600 Å auf dem Substrat, das mit einer transparenten Elektrode versehen war.
  • Nachdem das transparente Glassubstrat, das somit erhalten war und den darauf gebildeten Polyimidfilm aufwies, einer Reibbehandlung unterworfen war, wurden Abstandshalter mit 6 μm unter Verwendung einer Abstandshalterverteilungsanlage vom Naßtyp verteilt. Ein Abdichtmittel wurde auf die Oberfläche des anderen Substrates aufgetragen, auf dem keine Abstandshalter verteilt waren. Dann wurden zwei der Substrate miteinander verbunden, unter Erzeugung einer Flüssigkristallzelle, bei der der Twistwinkel auf 240°C eingestellt war. Nachdem ein Flüssigkristall (Warenname: LIXON 4032-000XX) für STN, erzeugt von Chisso Corporation, in die somit erhaltene Zelle gefüllt war, wurde sie einer isotropen Behandlung bei 120°C für 30 Minuten unterworfen und dann graduell auf Raumtemperatur gekühlt, unter Erhalt einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
  • Auf gleiche Weise wie oben beschrieben wurden 10 Stücke des Substrates hergestellt und ein elektrischer Strom durch die somit erhaltene Anlage zum Inspizieren des Vorhandenseins oder der Abwesenheit einer ungleichmäßigen Anzeige geleitet, unter der Feststellung, daß bei 3 Stücken des Substrates eine ungleichmäßige Anzeige beobachtet wurde, während die verbleibenden 7 Stücke des Substrates keine ungleichmäßige Anzeige aufwiesen.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • 10 Stücke der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung wurden auf gleiche Weise wie bei Beispiel 2 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Bestrahlung mit weichen Röntgenstrahlen nicht durchgeführt wurde.
  • Ein elektrischer Strom wurde durch die 10 Stücke des Substrates geleitet, um das Vorhandensein oder die Abwesenheit von ungleichmäßigen Anzeigen zu inspizieren, mit der Feststellung, daß eine ungleichmäßige Anzeige bei jeder Vorrichtung erhalten wurde, und eine deutliche ungleichmäßige Anzeige wurde bei 7 Stücken des Substrates beobachtet.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • 10 Stücke der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung wurden auf gleiche Weise wie bei Beispiel 3 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die Bestrahlung mit weichen Röntgenstrahlen nicht durchgeführt wurde.
  • Der elektrische Strom wurde durch 10 Stücke des somit erhaltenen Substrates zum Inspizieren des Vorhandenseins oder der Abwesenheit einer ungleichmäßigen Anzeige geleitet, mit der Feststellung, daß ein eine ungleichmäßige Anzeige bei jeder Vorrichtung beobachtet wurde, und eine deutlich ungleichmäßige Anzeige wurde bei 7 Stücken des Substrates beobachtet.
  • Gemäß den Dünnfilm-Beschichtungsanlagen kann die statische Elektrizität, die bei dem Dünnfilm-Beschichtungsfilm erzeugt wird, leicht und effizient eliminiert werden. Gemäß dem Verfahren zur Erzeugung der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen gemäß dieser Erfindung ist es möglich, die statische Elektrizität zu eliminieren und ungleichmäßige Anzeigen und Pixelmängel zu reduzieren, indem weiche Röntgenstrahlen in dem Gas in einem Produktionsschritt vor der Weiterbehandlung der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung gestrahlt werden, um hierdurch die Anzeigequalität der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen zu verbessern und die Ausbeute der Produkte zu erhöhen.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Diese Erfindung wird bei den Verfahren zur Erzeugung von Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen angewandt.

Claims (4)

  1. Verfahren zur Erzeugung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, umfassend die folgenden Schritte: (a) Bildung einer transparenten Elektrode und eines Schaltkreiselementes eines Halbleiters auf der Oberfläche eines Paars von transparenten Substraten, (b) Auftragen eines Photoresists auf die Oberfläche der Substrate gemäß einem vorbestimmten Muster, (c) Belichten des auf die Substrate aufgetragenen Photoresists mit Licht, (d) Durchführen einer Ätzbehandlung mit den Substraten, (e) Freisetzen des Photoresists von den Substraten, (f) Inspizieren der transparenten Elektroden und Schaltkreiselemente des Halbleiters, (g) Bildung eines Isolationsfilmes auf den Substraten, (h) Bildung eines Ausrichtungsfilms auf den Substraten, (i) Reiben des ausgerichteten Films, der auf dem Substrat gebildet ist, (j) Verteilen von Abstandshaltern auf dem Substrat, (k) Auftragen eines Abdichtmittels auf das Substrat, (l) Schichten der Substrate, (m) Vorsehen eines Zwischenraums mit vorbestimmter Dicke zwischen die Substrate, (n) Schneiden der Substrate in eine vorbestimmte Größe der Substrate, (o) Füllen eines Flüssigkristallmaterials in den Zwischenraum, (p) Kleben einer polarisierenden Platte an das Substrat, und (q) Verbinden eines Antreibers IC mit den transparenten Elektroden, dadurch gekennzeichnet, dass weiche Röntgenstrahlen auf die Substrate in einem Gas in zumindest einem der Schritte (g) oder (h) gestrahlt werden.
  2. Verfahren zur Erzeugung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, worin die Strahlungsenergie der weichen Röntgenstrahlen 4 bis 9,5 keV ist.
  3. Verfahren zur Erzeugung einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, worin der Abstand vom Substrat bis zur Quelle der weichen Röntgenstrahlen kürzer als 1.500 mm ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Flüssigkristallmaterial eine Mischung ist, umfassend zumindest eine Verbindung mit der Formel (2) oder (3)
    Figure 00310001
    worin R1 und R3 unabhängig eine geradkettige Alkylgruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen oder Alkenylgruppe mit 2 bis 10 Kohlenstoffatomen sind; R2 und R4 unabhängig eine geradkettige Alkyl- oder Alkyloxygruppe mit 1 bis 10 Kohlenstoffatomen, -CN, Fluoratom, Chloratom, -CF3, -CHF2, -OCF3 oder OCHF2 sind; S1, S2, S3 und S4 unabhängig Wasserstoffatom, Fluoratom, Chloratom, -CF3, -CHF2, -OCF3 oder -OCHF2 sind; Z1, Z2 und Z3 unabhängig -COO-, -CH2CH2-, -C≡C- oder eine Einfachbindung sind und A1, A2 und A3 unabhängig bedeuten
    Figure 00320001
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100848556B1 (ko) * 2002-03-25 2008-07-25 엘지디스플레이 주식회사 액정 패널의 회전 버퍼 및 이를 이용한 러빙장치
TWI249563B (en) * 2002-08-20 2006-02-21 Nippon Mektron Kk Novel polyimide copolymer and metal laminate comprising the same
JP2005032825A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Sony Corp 相補分割方法、マスク作製方法およびプログラム
CN100350559C (zh) * 2003-08-05 2007-11-21 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP2005072559A (ja) * 2003-08-05 2005-03-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20050233491A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Thin-film transistor sheet and manufacturing method thereof
JP2006013289A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
CN1300638C (zh) * 2004-11-25 2007-02-14 上海交通大学 用x射线曝光制造不同深宽比的微机械构件的方法
JP2006155983A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sii Nanotechnology Inc 電子ビーム欠陥修正装置の除電方法およびその装置
KR101108345B1 (ko) * 2004-12-09 2012-01-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 제조장치 및 방법
JP4367347B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器
TWI335455B (en) * 2005-09-22 2011-01-01 Ind Tech Res Inst Liquid crystal display device
TWI387812B (zh) * 2006-11-13 2013-03-01 Ind Tech Res Inst 具有光學補償功能之透明基板及其液晶顯示器
JP5783971B2 (ja) * 2012-08-10 2015-09-24 株式会社東芝 塗布装置および塗布方法
KR20160039957A (ko) * 2014-10-02 2016-04-12 삼성전자주식회사 이온 발생기를 갖는 기판 이송 시스템
CN104923443B (zh) * 2015-07-17 2017-06-30 深圳晶华显示器材有限公司 Pin脚点碳浆方法和点碳浆系统
JP2020013124A (ja) * 2018-07-12 2020-01-23 シャープ株式会社 配向膜付きカラーフィルタ基板の製造方法および液晶パネルの製造方法
CN113275204A (zh) * 2020-03-19 2021-08-20 安泰科技股份有限公司 一种用于非晶纳米晶带材连续涂覆绝缘涂层的设备及方法
CN112530794A (zh) * 2020-12-01 2021-03-19 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 一种光刻方法、半导体器件及其制作方法
CN114527529B (zh) * 2022-02-18 2024-03-05 江苏传艺科技股份有限公司 一种高分辨率结构色器件的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6465254A (en) * 1987-09-07 1989-03-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of thin metallic film
FR2625827B1 (fr) 1988-01-11 1993-07-16 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage en couleur a matrice active sans croisement des conducteurs lignes d'adressage et des conducteurs colonnes de commande
JP2553636B2 (ja) 1988-06-16 1996-11-13 松下電器産業株式会社 液晶用配向膜の製法
US5438421A (en) * 1991-04-24 1995-08-01 Alps Electric Co., Ltd. Orientation film of liquid crystal having bilaterally asymmetric ridges separated by grooves
EP1448029A3 (de) * 1992-08-14 2010-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von gasförmigen Ionen unter Verwendung von Röntgenstrahlen und deren Anwendung in verschiedenen Geräten und Strukturen
JP3081952B2 (ja) 1994-08-05 2000-08-28 チッソ株式会社 液晶表示素子用の配向膜の処理方法および液晶表示素子の製造方法
JP2648286B2 (ja) * 1994-08-04 1997-08-27 株式会社飯沼ゲージ製作所 基板の洗浄乾燥装置
JPH07294928A (ja) 1994-04-28 1995-11-10 Iinuma Geeji Seisakusho:Kk 液晶配向処理装置
TW339415B (en) * 1994-04-28 1998-09-01 Chisso Corp Processing and manufacturing method of LCD elements
JP3696904B2 (ja) 1994-08-02 2005-09-21 シシド静電気株式会社 軟ｘ線を利用した除電装置
JP2668512B2 (ja) 1994-10-24 1997-10-27 株式会社レヨーン工業 軟ｘ線による物体表面の静電気除去装置
JPH08211622A (ja) 1995-02-07 1996-08-20 Hitachi Ltd レジスト塗布装置

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