CN1207826A - 线圈元件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种绕制线圈元件(K1),包括:一个绝缘构件(3);一个导电构件(5),其被提供在绝缘构件(3)中,并有从导电构件(5)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致至少导电构件(5)的各圈被分别配置在不同的平面内;以及磁层(8、9),其至少被提供在绝缘构件(3)的上下表面中的一个表面上。

Description

线圈元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及适于在各种电子设备和通信设备中使用的绕制线圈元件。
技术背景
绕制线圈元件被经常用作对各种电子设备和通信设备适用的线圈和变换器，而对更紧凑又更薄的线圈元件的需求近来正在增加。此外，为适应电路的高频率及数字化，为降低噪声线圈元件越来越起重要的作用。
传统上，如在，例如，日本专利公开No.57-39521(1982)中所揭示的，在其中铁氧体磁性层和导电层互相交替迭合的迭层线圈元件被认为是满足这样要求的线圈元件。如图35和36中所示，铁氧体层51通过印制被形成在约铁氧体半成品片50的一半上。基本上呈L形的导电条纹52通过印制被形成在铁氧体半成品片50无铁氧体层51的部分和部分铁氧体层51上。然后，有等于约一半半成品片50尺寸的铁氧体层53被印制在导电条纹52上，U形导电条纹54被印制在铁氧体层51和一部分铁氧体层53上以便被连接在导电条纹52上。在重复这样过程若干次后，基本上L形的导电条纹52被印制，然后铁氧体半成品片50被迭在该最上面的导电条纹52上。此后，这个迭层结构最后经受焙烧并分别地在该迭层结构的相对面上装上电极55。
为了得到上述构造的已知迭层线圈元件的高电感，应增加导电条纹54的数目。结果，由于应通过印制互相迭合极大数目的铁氧体层53和导电条纹54，制造过程的数量增加，由此导致很差的生产率。此外，由于导电条纹54通过铁氧体层51和53被形成以致互相面对，在导电条纹54之间的杂散电容变大，以致已知迭层线圈元件的自身谐振频率和耐压降低而这是不希望的。
此外，在已知迭层线圈元件中，每个导电条纹52和54形成在每个铁氧体层51和53的部分上。因此，如果增加导电条纹52和54的厚度以减小线圈元件的电阻，在有导电条纹52或54的部分与无导电条纹52或54的其余部分之间每个迭片在厚度上有很大差别。因此，即使迭层结构经焙饶，该迭层结构也可能开裂，故已知的迭层线圈元件没有稳定的质量。
发明的公开
相应地，本发明为消除上述现有技术的缺点，以提供高生产率的并具有如杂散电容减小的优良电气特性的线圈元件作为其目的。
为达到此目的，按照本发明的绕制线圈元件包括：绝缘构件；导电构件，其被提供在绝缘构件中，具有若干从导电构件的一端到另一端直径渐次互不相同的线圈匝数以致至少导电构件的各圈被分别配置在不同的平面内；以及磁性层，其在至少绝缘构件的上表面和下表面中的一面上被提供。
根据本发明，得到有高生产率和优越电气特性的线圈元件。
从下面参照附囹结合其优选实施例的说明本发明的目的和特征将成为清楚的。各图中相同的零件用相同的标注数字标明。
附图的简要说明
图1是根据本发明的第一实施例的绕制线圈元件的断面视图。
图2是在制造期间图1的绕制线圈元件的外绝缘构件的断面视图。
图3是在其中导电构件被提供在图2的外绝缘构件上的断面视图。
图4是在其中图3的外绝缘构件被迭在下磁性层上的断面视图。
图5是在其中内绝缘构件在图4的外绝缘构件中形成的断面视图。
图6是在其中上磁性层被迭合在图5的外绝缘构件上的断面视图。
图7是在其制造完成后的图1绕制线圈元件的断面视图。
图8到图14是同图7类似的视图特别分别表示其第一到第七的改进。
图15是按照本发明的第二实施例的绕制线圈元件的示意透视图。
图16是特别表示其第一改进的同图15类似的视图。
图17是图15和16的绕制线圈元件的断面视图。
图18是特别表示其第二改进的同图15类似的视图。
图19是在其制造期间图15的绕制线圈元件的外绝缘构件的断面图。
图20是在其中导电构件被提供在图19的外绝缘构件上的断面视图。
图21是在其中图20的外绝缘构件被迭在下磁性层上的断面视图。
图22是在其中内绝缘构件在图21的外绝缘构件中被形成的在断面视图。
图23是在其中上磁性层被迭在图22的外绝缘构件上的断面视图。
图24是在其中一对端面电极分别被形成在图23的外绝缘构件的相对端面上的视图。
图25是根据本发明的第三实施例的绕制线圈元件的断面视图。
图26到33是表示图25的绕制线圈元件的制造方法中工作步骤的示意断面视图。
图34是特别表示其改进的同图25类似的视图。
图35是现有技术的绕制线圈元件的示意透视图。
图36是图35的现有技术的绕制线圈元件的分解透视图。
实现本发明的最佳模式
在下文，参照附图说明本发明的优选实施例。
首先，图1表示根据本发明的第一实施例的绕制线圈元件K1。该绕制线圈元件K1包含绝缘构件3，其由外绝缘构件：和内绝缘构件2构成。一具有平截头圆锥(conefrustum)或平截头棱锥体(pyramidfrustum形的凹槽4被在外绝缘构件1的中央部分形成，而该洞穴4的倾斜表面成螺旋阶梯形。导电构件5被提供在凹槽4的螺旋阶上以致有三角截面形状，所以，通过在洞穴4的螺旋阶梯上形成导电构件5，导电构件5限定了一具有平截头圆锥或平截头棱锥体形的洞穴，内绝缘构件2被形成在该凹糟中。
同时，导电构件5具有直径从该导电构件5的上端向下端减小的圆的3维螺旋线形状或多边3维螺旋线形状，并通过在外绝缘构件1的凹槽4的螺旋阶梯上填充银漆等来提供。引出端电极6被形成在外绝缘构件1的下表面的一端上以便同导电构件5的下端相连接，而引出端电极7被形成在外绝缘构件1的另一端上以便同导电构件5的上端相连接。
上磁性层9和下磁性层8被分别提供在如此得到的结构的上表面和下表面上。然后，端面电极10和11被提供在绝缘构件3和上、下磁性层9与8的迭层的相对端面上以便被分别同引出端电极6和7电连接。基片型绕制线圈元件K1就这样被得到。
在上述的绕制线圈元件K1的安排中，外绝缘构件1和内绝缘构件2可以由非磁性材料或者磁性材料制成。任何电绝缘材料，包括如环氧玻璃(glass epoxy)、聚酰亚胺(polymide)等这样的有机绝缘材料和如玻璃、玻璃陶瓷及陶瓷这样的无机绝缘材料。可被用作非磁性材料。熟知的有大的磁导率的NiZn系列或NiZnCu系列铁氧体材料可被用作磁性材料。
假若外绝缘构件1由非磁性材料制成，而内绝缘构件2由磁性材料制成，则由内绝缘构件2和端面电极10及11组成一鼓型芯子，以致绕制线圈元件K1的自身谐振频率提高，并由此绕制线圈元件K1中的可利用频带加宽。另一方面，假若外绝缘构件1由磁性材料制成而内绝缘构件2由非磁性材料制成，则绕制线圈元件K1有完全封闭的磁路，以致它的电感被增加而它的漏磁通能被大大地减少。此外，假若外绝缘构件1和内绝缘构件2都是由磁性材料制成，则形成完全封闭的磁路，以致它的电感增加而它的漏磁通减少。
同时，假若外、内绝缘构件1和2分别由有不同的磁通密度的磁性材料制成，则DC重迭特性能够被改善。例如，如果增加配置在导电构件5的小直径圈部分的磁性材料的磁通密度，则无需改变导电构件5的3维布局便能提高DC重迭特性。此外，或者如果当外绝缘构件1的厚度已被减小时外绝缘构件1的磁通密度增加，则DC重迭特性也同样能够被增加。
此外，假若外、内绝缘构件1和2分别由具有不同磁导率的磁性材料制成，则有相同导电构件5的构造的绕制线圈元件K1有不同的电感。在这种情况下，外绝缘构件1的磁导率是否比内绝缘构件2的磁导率大并不重要。
通过如上所述适当地选择外、内绝缘构件1和2的磁性质，绕制线圈元件K1的电感能够被任意地改变，很容易地控制漏磁通或者DC重迭特性成为可能。
同时，导电构件5和引出端电极6和7由任何良电导体制成。但是，由于在绕制线圈元件中电阻率是重要的，而绕制线圈元件需要有低的电阻，如铜、银以及银钯合金会这样的导体被有效地使用。
另一方面，上、下磁性层9和8可由NiZn系列或NiZnCu系列绝缘铁氧体材料和MnZn系列导电铁氧体材料制成。假若上、下磁性层9和8由导电铁氧体材料制成，则不必提供端面电极10和11，而在上、下磁性层9和8上进行电镀以致起端面电极10和11的作用。换句话说，在这种情况下，绝缘层被形成在对应引出端电极6和7的部分以及对应端面电极10和11的部分以便使它们绝缘，由此得到静电屏蔽的效果。
同时，端面电极10和11可以由任何导电材料制成，但一般理想上各自不是由单层而是由多层构成。假若端面电极10和11是表面安装型的，应考虑到端面电极10和11的安装强度或者在它们装在印刷电路板上时端面电极10和11上的焊料弄湿以及焊料的渗透。尤其，与引出端电极6和7的材料相同的导电材料被用于最下层，抗焊接的镍被用于中间层，以及焊料或者对焊料有良好温性的锡被用于最外层。然而这种安排究竟只是例子而已并因此未必被要求使用。所以，有良好导电性的材料，例如，金属可用导电树脂材料代替。
在下文，参照图2到图7说明上述安排的制造绕制线圈元件k1的方法。最初，如图2中所示，准备一相当厚的半成品片12，其由非磁性材料或磁性材料制成并起外绝缘构件1的作用，再在该半成品片12上逐步螺旋上升地形成有平截头圆锥或平截头棱锥形的凹槽4。然后，如图3中所示，在半成品片12的凹槽4的螺旋阶梯上用施敷、印、等方法备上银漆，以便限定出一平截头圆锥或平截头棱锥的倾斜表面。但是，在这时，凹槽4的每圈螺旋阶梯的棱应被露出使得在螺旋阶梯的相邻圈上所备有的银漆部分不互相导电。
此后，如图4中所示，通过印刷等在半成品片的下表面形成引出端电极6以便得到下磁性层8。图3的半成品片12被层迭在下磁性层8上使得起导电部分5作用的银漆的一端同引出端电极6的一端接触。
此后，如图5中所示，起内绝缘构件2作用的磁性或非磁性软膏被填充在半成品片12的凹槽4中。然后，如图6中所示，在其引出端电极7被印制的上表面上的上磁层9被迭在图5的迭层上，以致起导电构件5作用的银漆的另一端同引出端电极7的一端相接触。
将这样得到的迭层放入焙烧炉以致经受不低于850℃的温度下的焙烧。然后，如图7中所示，在该迭层的相对端面上形成端面电极10和11以致分别同引出端电极6和7相连接，于是便得到了绕制线圈元件k1。
该制造方法只是一个基本实例。但是，在该制造方法中，其处理相当简单，工作步骤也很少，从而得到极好的生产率。
图8示出为绕制线圈元件K1的第一改进的绕制线圈元件k1a。在绕制线圈元件K1a中，只在绝缘构件3的下表面提供下磁层8，取消了上磁层9；端面电极11也起形成在绝缘构件3的上表面上的引出端电极7的作用。绕制线圈元件K1a造成很小的关于漏磁通的问题，但有利地取得了一种比较简单又比较薄的结构。同时，与图8的安排相反，可以只在绝缘构件的上表面形成上磁层9，取消了下磁层8。
图9示出为绕制线圈元件K1的第二改进的绕制线圈元件K1b。在绕制线圈元件K1b中，外绝缘构件1的凹槽4被构成完整平截头圆锥或完整平截头棱锥的形状。具有预定宽度的导电构件5被多圈绕在凹槽4的倾斜表面上。然后，形成内绝缘构件2，引出电极6和7，上下磁层9和8以及端面电极10和11，于是得到了绕制线圈元件K1b。在该绕制线圈元件K1b的这一结构中，导电构件5能够很容易地被形成，从而导致了其生产率的改进。同时，不在外绝缘构件1的凹槽4的倾斜表面上形成，导电构件5也可以在内绝缘构件2的外围表面上被形成，内绝缘构件2有平截头圆锥或平截头棱锥的形状，以致具有导电构件5的内绝缘构件2被装配进外绝缘构件1的凹槽4中。
同时，图10、图11和图12示出分别为绕制线圈元件K1的第三、第四和第五改进的绕制线圈元件K1c、K1d和K1e。在绕制线圈元件K1c、K1d和K1e中，导电构件与分别具有方、圆和半圆形截面形状，使得有导致低电阻的大横截面积，以致大电流能够被加到绕制线圈元件K1c、K1d和K1e上。
为了将导电构件5形成如图10中所示的方形截面形状，第一螺旋阶梯被提供在外绝缘部分1的凹槽4的倾斜表面上，以致具有三角形截面形状的第一导电构件部分被形成在该第一螺旋阶梯上，而第二螺旋阶梯也被提供在该内绝缘构件2的外围表面上，以致具有三角形截面形状的第二导电构件部分被形成在该第二螺旋阶梯上。于是，各自有三角形截面形状的第一和第二导电构件部分被装进具有方截面形状的导电构件5中。
为了将导电构件5形成如图11所示的园截面形状，第一半圆形螺槽被提供在凹槽4的倾斜表面上取代第一螺旋阶梯，以致具有第一半圆形截面形状的第一导电构件部分被填充到该第一半圆螺旋槽内，而第二半圆形螺旋槽被提供在内绝缘构件2的外围表面上取代第二螺旋阶梯，以致具有半圆形截面形状的第二导电构件部分被填充到该第二半圆形螺旋槽内。于是，各自有半圆形截面形状的第一和第二导电构件部分被装配成具有圆形截面形状的导电构件5中。
为了将导电构件5形成如图12所示的半圆形截面形状，半圆形螺旋槽被形成在内外绝缘构件2和1的接触面中的一个面上，然后将银漆等填充到该圆形螺旋槽内。
图13示出为绕制线圈元件K1的第六改进的绕制线圈元件K1f。在绕制线圈元件K1f中，导电构件5被绕4圈，导电构件5的每圈被安置在相同的平面内。在导电构件5的每圈的未端和初端形成向上和向下伸出部分，以便被分别连接到导电构件5毗邻的上、下圈。为获得这种结构，阶梯被形成在具有平截头园锥或平截头棱锥形状的凹部4的倾斜表面上，而导电构件5被形成在该阶梯上，使得导电构件5的每圈的端和初端被分别连接到导电构件5毗邻的上下圈上。相反地，分别阶梯也可被形成在内绝缘构件2的外围表面上使得导电构件5被形成在该阶梯上。
图14示出是绕制线圈元件K1的第七改进的绕制线圈元件K1g。在绕制线圈元件K1g中，一对绝缘构件3，每个包含图9结构的导电构件5，被互相层迭使得绝缘构件3的导电构件5的小直径部分互相邻接。此后，上下磁层9和8被提供在该迭层的上下表面上，然后提供端面电极10和11。在这种结构的绕制线圈元件K1g的导电构件5中，存在具有相同直径的一对线圈。然而，由于具有相同直径的圈彼此相当远离，故在其间产生的杂散电容基本上可忽略。
在上面论及的本发明的第一实施例及其各种改进中，如果导电构件5被形成使得当导电构件5从其大直径部分被观察时在导电构件5的相邻圈之间见不到间隙，则只通过导电构件5每圈的磁通涡流被减小，并且由导电构件5所占据的空间面积与为提供导电构件5所限定的面积之比能被增加。因此，DC电阻能被减小。结果，绕制线圈元件的电感能被增加。
相应地，在按照本发明的第一实施例及其改进的绕制线圈元件中，导电构件5被连续地形成在外绝缘构件1的凹槽4的倾斜表面或内绝缘构件2的外围倾斜表面上，磁层9和8被提供在迭层的上下表面的至少一个面上。因此，同现有技术的迭层结构对比，按本发明会提高生产率和产量。
同时，在本发明中，由于导电构件5的相邻圈不互相面对，杂散电容的产生最小，自激谐振频率降低。因此，如果本发明的绕制线圈元件被用作滤波器等，则在宽频带内完成大的衰减。
此外，在本发明中，由于上下磁层9和8被提供在绕制线圈元件的最外层，漏磁通能被减少，电感能被增加，而不管绕制线圈元件是否有封闭的磁路还是有开放的磁路。
同时，在本发明的第一实施例及其改进的上述说明中，绕制线圈元件是表面安装型的，在其中端面电极10和11被提供在绕制线圈元件的相对端面上。然而，绕制线圈元件可被进一步改进，使得引线脚被提供在绝缘构件3或上下磁层9和8上，或者，带帽电极被装在绕制线圈元件的相对端周围来代替端面电极10和11。
图15示出按照本发明的第二实施例的绕制线圈元件K2。有多圈的导电构件22被提供在外绝缘构件21的凹槽的周围表面。该凹槽有平截头圆锥或平截头棱锥形状，并被形成在外绝缘构件21的中央部分。导电构件22被形成使得导电构件22的每一圈的直径从导电构件22的一端向另一端逐渐增加。此外，导电构件22的各圈被配置在不同的平面内。即，导电构件22在其一端的一圈由有小直径的圆构成。而导电构件22的其余各圈的圆直径向导电构件22的另一端逐渐增加。向上或向下延伸部分被形成在导电构件22的每圈的末端或初端上，以便被连接到毗邻的导电构件22的上或下圈上。因此，导电构件22的每一圈被配置在同一平面内，而导电构件22的相邻圈被配置在不同的平面内并有不同的直径。在图15的例子中，大约导电构件22的一圈出现在一相同的平面内，但导电构件22的多数圈可以同熟知的平面螺旋线圈相同的方式被提供在一相同的平面内。
具有基本上同外绝缘构件21的凹糟的尺寸相等尺寸的内绝缘构件27，其具有平截头圆锥或平截头棱锥形状，被提供在外绝缘构件21的中央部分，以便导电构件22被外绝缘构件21和内绝缘构件27围绕。
引出端电极23和24被分别提供在导电构件22的相对端上以便被连接到端面电极25和26上，端面电极25和26被提供在外绝缘构件21的相对端面上。如图15中所示，导电构件22的每一圈代表配置在一相同的平面内的导体。即，在图15中所示的例子中，导电构件22的各圈被分别配置在4个平面内。
图16示出是绕制线圈元件K2的第一改进的绕制线圈元件K2a。在绕制线圈元件K2a中，导电构件22被形成三维螺旋线形状，使得不仅导电构件22每圈的直径从导电构件22的一端向另一端逐渐增加，而且导电构件22中的所有位置都被安排在不同的平面内。绕制线圈元件K2a的其他构件与图15的绕制线圈元件K2相同。即，在绕制线圈元件K2a中，导电构件22的型式按形成导电构件22的工作步骤得到，其中，例如，导电构件22有从导电构件22的一端向另一端直径逐渐不同的许多圈以致至少导电构件22的各圈被配置在不同的平面内。
图17示出绕制线圈元件K2和K2a。在图17中，导电构件22被形成在外绝缘构件的凹槽的周围表面上，该表面有平截头圆锥或平截头棱锥形状，或者被形成在内绝缘构件27的外周围表面上，该外周围表面也有平截头圆锥或平截头棱锥形状，外绝缘构件21、内绝缘构件27以及上下磁层28和29中的每一个都由单一的，可以是非磁性的或磁性的材料，来制成。任何电绝缘材料，包括如环氧玻璃、聚酞亚胺等这样的有机绝缘材料，以及如玻璃、玻璃陶瓷和陶瓷这样的无机材料可以被用作非磁性材料。同时，熟知的NiZn系列或NiZnCu系列铁氧体材料有大的磁导率，可以被用作磁性材料。
假若外绝缘构件21或内绝缘构件27由磁性材料制成，则电感能够被增加。另一方面，假若外绝缘材料21或内绝缘材料27由非磁性材料制成，则不能够获得大的电感，但自激谐振频率提高因而可用频带加宽。
此外，外绝缘构件21、内绝缘构件27和上下磁层28和29中的每一个也可以不被要求由单一的电绝缘材料制成。例如，内绝缘构件27可以由不少于2种电绝缘材料制成。通过组合各种电绝缘材料。特别是有不同磁性质的电绝缘材料，绕制线圈元件K2的电气特性能被任意地改变。例如，电感和DC重迭特性能被调节，可以采取克服漏磁通的防范措施，以及能控制可利用的频带。
同时，导电构件22和引出端电极23和24可以由任何电良好导体制成。然而，由于电阻率在绕制线圈元件中是极其重要的，并要求绕制线圈元件有低的电阻，如像铜、银以及银铝合金这样的导体能够被有效地应用。
端面电极25和26由任何导电材料制成。然而，一般地希望端面电极25和26的每一个不是由单层而是由多层构成。假若端面电极25和26是表面安装型的，应考虑到端面电极25和26的安装强度或者当它们装在印刷电路板上时在端面电极25和26上的焊料沾湿和焊料渗透。尤其，与引出端电极23和24相同的导电材料被用于最下层，抗焊的镍被用于中间层，以及焊料或对焊料有很好湿性的锡被用于最外层。但是，这种结构只是个例子而已，而未必需要应用。所以，具有良好电导率的材料，例如，金属可以用导电树脂材料代替。
同时，假若在预定的布线图案已在如铝或铁氧体这样的陶瓷基片上被形成并绕制线圈元件已被插入在陶瓷基片上形成的窗口之后，使得布线图案和端面电极25和26互相接触并利用厚膜形成处理使之经受烘烤以便使彼此电连接。则端面电极25和26的热阻可以被提高使得端面电极25和26具有适合于这种厚膜形成处理的结构。
图18示出为绕制线圈元件K2的第二改进的绕制线圈元件K2b.在图15和16的绕制线圈元件K2和K2a中，导电构件22的每圈有圆形形状。但是，在表面安装型的绕制线圈元件中，导电构件可最好有平截头棱锥的形状。在这种情况，导电构件的每圈有多角形形状以便紧固地延伸到绕制线圈元件的外部形状。这能通过在外绝缘构件21和具有平截头棱锥形状的内绝缘构件27之间形成导电构件22来实现。在图18中，导电构件22被形成多角形三维螺旋线形状。但是，绕制线圈元件K2b也能被置于这样一种结构，即，在其中导电构件22的多角形线圈被配置在一相同的平面内，并导电构件22每圈的未端和初端被分别连接到导电元件22的相邻圈上。
在上面论及的本发明的第二实施例及其改进中，由于导电构件22被连续地形成在绝缘构件中的假想平截头圆锥或平截头棱锥的倾斜表面或阶梯状倾斜表面上，同传统的叠层方法相比，该绕制线圈元件能被容易地制造，并且该绕制线圈的产量能够被提高。同时，在按这样制作方法所得到的绕制线圈元件中，由于导电构件22的相邻圈不经绝缘构件互相面对，杂散电容的产生被减至最小，这样自身谐振频率被减小。因此，如果绕制线圈元件被用作滤波器等，则在宽频带内完成很大衰减，所以该绕制线圈元件有明显优越的质量和性能。
同时，在上面的本发明的第二实施例及其改进的说明中，绕制线圈元件是表面安装型的，其中端面电极被提供在绕制线圈元件的相对端面上。但是，绕制线圈元件还可以有引线脚被提供在绝缘构件上的一种结构，或者引出型结构，其中具有引线的带帽电极代替端面电极被装配在绕制线圈元件的相对端的周围。
在下文，参照图19到24依次说明制造绕制线圈元件K2的方法。开始，如图19中所示，三维螺旋阶梯21b被形成于在外绝缘构件21的中央部分形成的圆锥形或棱锥形凹槽21a的周围表面上。然后，导电构件22被形成在阶梯21b上以致有从导电构件22的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈，使得至少导电构件22的各圈被配置在不同的平面内。
凹糟21a可以有简单的圆锥形状或棱锥形状，而导电构件22被形成在凹槽21a的周围表面上以致有从导电构件22的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈，以便至少导电构件22的各圈被配置在不同的平面内，另一方面，如果凹槽21a有阶梯状周围表面代替简单的倾斜表面并且形成导电构件22，例如，在阶梯的拐角处，则导电构件22应该有从导电构件22一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈，以便至少导电构件22的各圈被配置在不同的平面内。
在导电构件22的进一步具体的例子中，导电构件22的每圈被配置在从导电构件22每圈的初端到末端一个相同平面内，以使导电构件22每圈的初端和末端被连接到导电构件22的毗邻圈上，或者如上所述，导电构件22被形成从导电构件22的一端向另一端延续的三维螺线形状。
在构成形成有上述形状周围表面的凹槽21a的外绝缘构件21的一个方法中，将绝缘材料粉浆灌注到底座上，底座有能同凹槽21a啮合的支柱。在粉浆被干燥成外绝缘构件21后，将外绝缘构件21从支柱分离开，于是在外绝缘构件21上能形成特定的凹糟21a。在另一方法中，在绝缘材料粉浆灌注到平底座上以便得到像薄片样的平板状的外绝缘构件21后，利用具有为形成凹槽21a的形状的冲模。在外绝缘构件21上形成特定的凹槽21a。此外，另一方面，具有特定凹糟21a的凹糟外绝缘构件21也同样能用熟知的粉未铸模方法被形成。
这些方法中的任何一个中，具有特定凹槽21a的凹槽外绝缘构件21有可能像图19中所示那样被形成。此外，如上所述，凹槽21a的周围表面可以是倾斜的或者沿阶梯倾斜的。
其次，如图20中所示，导电构件22被形成在外绝缘构件21的凹槽21a的螺旋阶梯上。导电构件22有从导电构件22的一端向另一端彼此直径逐渐不同的多圈，并且至少导电构件22的各圈被配置在不同的平面内，如上所述，导电构件22可以是由提升扇形线圈的中央部分而得到的螺旋线形状，或者具有一系列同心圆的形状。
然后，如图21中所示，形成有导电构件22的外绝缘构件21被结合到具有引出端电极23的下磁层29上，使得引出端电极23被连接到在外绝缘构件21的下表面上的导电构件22的各圈中小直径的一圈中导电构件22的一端上。
此后，如图22中所示，内绝缘构件27填充入到由外绝缘构件21和下磁层29所限定的凹槽21a中。
然后，如图23中所示，以如图21中同样方式将有引出端电极24的上磁层28连接到外绝缘构件21的上表面上，使得引出端电极24被连接到在外绝缘构件21上表面上的导电构件22的各圈中大直径的一圈的导电构件22的另一端上。
此外，如图24中所示，端面电极25和26被分别形成在圈23的基片构件的相对端面上。通过使这样得到的叠层经受焙烧，就能够得到绕制线圈元件K2.但是，没有形成端面电极25和26也可以进行焙烧。在这种情况下，没有端面电极25和26的叠层经受烧烤，然后在叠层上形成端面电极25和26.当时在形成端面电极25和26的一个例子中，导电层被形成在叠层上以便有同示于图24中的端面电极25和26相似的形状，并经受焙烧一次。此后，依靠用导电层作为电极，叠层经受镀镍和焊接或镀锡。最后，每个端面电极25和26有由焙烧形成的基片导电层、电镀镍和焊料或电镀锡的3层结构。
在上述例子中，导电构件22被形成在外绝缘构件21的凹槽21a的周围表面上。但是，导电构件22也可被形成在内绝缘构件27的外围表面上。此外，通过将用导电构件22的一部分成形的外绝缘构件21和用导电构件22的其余部分成形的内绝缘构件22相组合。外绝缘构件21，导电构件22和内绝缘构件27的整体构件也可被形成。
外绝缘构件21、内绝缘构件27以及上、下电极28和29能用熟知的未经处理的板材铸型法、印刷法、浸渍法、粉未铸模法或旋压成形涂复法被形成。印制法一般被用于形成导电构件22和引出端电极23和24，但可用激光图案形成法、使由硬模等预先形成预定的形状的导线被变换的方法，点滴法、浇灌法或火焰喷射法来代替。
在图19到24的制造方法，上下绝缘层，即，上下磁层28和29被形成使得分别同凹槽绝缘构件，即外绝缘构件21和实体绝缘构件，即内绝缘构件27的上表面和下表面相接触，但也可只形成上、下磁层28和29中的一个。在这种情况下，引出端电极23或24被形成在外绝缘构件21上。这时，如果外绝缘构件21、内绝缘构件27和上磁层28或下磁层29由磁性材料制成，由由于其不完全封闭的磁路，绕制线圈元件的电气特性被降低，但绕制线圈元件的DC重叠特性被改善。
按上述制作方法得到的绕制线圈元件K2有极好的热阻。因此能够被容易地制成标准组件的。例如，一预定的布线层被形成在如铝和铁氧体这样的陶瓷基片上，基片和绕制线圈元件K2就能通过将基片电路和端面电极25或261互相连接被制成整体的或者互相组装在一起。在这种情况下，由于绕制线圈元件K2的端面电极25或26能够通过在基片的预定位置形成窗口被连接到基片的电路上，能够得到薄的组件。在这种情况下，能够应用熟知的利用陶瓷基片的普通厚膜形成工艺规程。绕制线圈元件K2的端电极25和26不必需要被焊接，但也可经受焙烧用于电连接。
在绕制线圈元件K2中，导电构件22的两端被电连接到形成在该基片构件的相对端面上的端面电极25和26上。即，为电连接导电构件22到端面电极25和26的引出端电极23和24被提供在导电构件22的最下段和最上段，以便被连接到端电极25和26上。
在为形成绕制线圈元件K2的每一层的软膏中，每种粉料之中加入：如丁基卡必醇、萜品醇和乙醇这样的溶剂，如乙基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇、聚氧化乙烯和乙烯·乙撑醋酸脂(ethylene-vinylacetate)这样的粘合剂，如各种氧化物和玻璃这样的焙烧辅料，如丁苄酞酸脂(butyl benzyl phthalate)、酞酸二丁酯(dibutylphthalate)和丙三醇这样的增塑剂。或者分散剂。用在其中这些物质被互相混合的捏制物构成绕制线圈K2的每一层。这些层互相迭合成上述预定的结构，并经焙烧，以便得到绕制线圈元件K2。假若制造一半成品片，合乎需要的是，用各种具有极好挥发性质的溶剂，例如：醋酸丁酯(butyl acetate)、甲基·乙基(甲)酮、甲苯和乙醇来代替上述溶剂。
焙烧温度范围从约800到1300℃，尤其依导电构件22的材料而变。例如，假若导电构件22由银制成，焙烧温度应大致调在900℃。同时，假若导电构件22由银钯合金制成，焙烧温度应调在950℃。为将焙烧温度调的更高，导电构件22应由镍或钯制成。
在下文，说明绕制线圈元件K2的若干实例。
〔实例1〕
8克丁缩醛树脂、4克丁苄酞酸脂、24克甲基·乙基(甲)酮和24克醋酸丁脂同100克NiZnCu系列铁氧体粉混合，用坩埚碾磨机揉碎。得到铁氧体粉浆。利用该粉浆，用敷涂器制成在其干燥后有0.2mm厚的铁氧体半成品片。同时，该半成品片形成在季戊四醇膜片上。这样的3个铁氧体半成品片互相迭合。为互相迭合铁氧体半成品片，利用蒸汽模板叠压机，其温度调在100℃，压力调在500kg/cm2。利冲模和冲孔器，如图19中所示在迭层的铁氧体半成品片形成预定的凹槽21a，使得不仅使具有从导电构件22的一端向另一端彼此直径逐渐不同的多圈的导电构件22被形成在凹槽21a的周围表面上而且至少导电构件22的各圈被配置在不同的平面内。结果，凹槽绝缘构件，即，具有在其中央部分形成圆锥凹槽21a的外绝缘构件21被得到。
此后，如图20中所示，利用商业上可得到的银软膏和印制机，具有从导电构件22的一端向另一端彼此直径逐渐不同的多圈的导电构件22被形成在外绝缘构件21的凹槽21a的周围表面，使得至少导电构件22的各圈被配置在不同的平面内。同时，在导电构件22的印制中，外绝缘构件21以与熟知的过孔印制相同的方式经受来自其相对于印制面的面的吸力作用，使得银软膏留在凹槽21a的周围表面上的阶梯21b的拐角上。
然后，如图21中所示，利用如上述同样的银软膏和印制机，在预先制成的厚度0.2mm的铁氧体半成品片上形成引出端电极23。即，引出端电极23被形成在下磁层29上。此外，下磁层29被结合到形成有导电构件22的外绝缘构件21。
此后，如图22中所示，上述铁氧体粉浆被注入外绝缘构件21的凹槽21a中，以便得到基本上平的铁氧体半成品片。即，通过铁氧体粉浆的注入形成内绝缘构件27。
此后，如图23中所示，引出端电极24也同样被形成在预先制成的厚度0.2nnn的铁氧体半成品片上。即，引出端电极24被形成在上磁层28上。利用迭层压机，如图23中所示，上磁层28、形成有导电构件22的外绝缘构件21、内绝缘构件27以及下磁层29被互相迭合。此外，如图24中所示，利用商业上可得到的银软膏形成端面电极25和26，迭层再经在900℃焙烧2小时。
在按上述制造方法制造的实例1的绕制线圈元件中，未发现有如脱皮、破裂、翘曲等缺陷。利用阻抗分析仪等对其各种电气性能进行测量，发现实例1的绕制线圈元件有优良的电气特性。因此，在具有比已知迭层型绕制线圈元件少的迭层数的实例1的绕制线圈元件中，能得到比已知迭层型绕制线圈元件更优良的电气特性。
〔实例2〕
用与实例1相同的方法，6克丁缩醛树脂、4克丁苄酞酸脂和醋酸丁酯同100克NiZnCu系列铁氧体粉混合，再用坩埚辗磨机揉碎，得到铁氧体粉浆。利用这种粉浆，用与实例1相同的方法，用敷涂器在片状聚酞亚胺构件上制成其干燥后有0.6mm厚的铁氧体半成品片，片状聚酞亚胺构件有为形成预定的凹糟21a的形状，在凹槽中有从导电构件22的一端向另一端彼此直径逐渐不同的多圈的导电构件22被形成以便至少导电构件22的各圈被配置在不同的平面内。结果，得到了外绝缘体21。
以后，用与实例1相同的方法，导电构件22被形成在外绝缘构件21的凹槽21a的周围表面上。此外，如图19到24中所示，上下磁层28和29、内绝缘构件27以及端面电极25和26被用与例1相同的方法形成，迭层再经受在900℃上焙烧2小时。
用上述制造方法制成的实例2的绕制线圈元件中未发现如脱皮，破裂和翘曲的缺欠。经过用阻抗分析仪等的其各种电气特性的测量，发现实例2的绕制线圈元件有良好的电气特性。因此，具有比以前技术的迭层型绕制线圈元件少的迭层数的实例2的绕制线圈元件中，能得到比以前技术的迭层型绕制线圈元件更优良的电气特性。此外，在实例2的制造方法中，外绝缘构件21能以在数目上比实例1少的单一工作步骤被形成，由此有利地导致了工作步骤数目减少。
图25示出按照本发明的第三实施例的续制线圈元件K3。在绕制线圈元件K3中。有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈的导电构件32被提供在磁性构件31中。使得至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。磁性构件31由安置在磁性构件31外面的外支座33和安置在磁性构件31里面的内支座34来支承。导电构件32的相对端被分别连接到引出端电极35和36。引出端电极35和36被分别连接到在上下层39和40以及外支座33的端面上提供的端面电极37和38上。磁性构件31、外和内支座33和34以及上下层39和40中的每一个都是由单一材料制成。外和内支座33和34以及上下层39和40可由非磁性材料或者磁性材料制成。任何电绝缘材料，包括如环氧树脂玻璃、聚酞亚胺等这样的有机绝缘材料和如玻璃、玻璃陶瓷及陶瓷这样的非有机绝缘材料均可用作非磁性材料。熟知的有大的磁导率的NiZn系列或NiZnCu系列铁氧体材料可用作磁性材料。
导电构件32和引出端电极35和36可由任何电良导体制成。但是，由于在绕制线圈元件中电阻率是重要的，绕制线圈元件有低电阻，所以如铜、银和银把合金这样的导体能够被有效地应用。
端面电极37和38可由任何电绝缘材料制成，但通常希望各自不是由单层构成，而是由多层构成。假若端面电极37和38是表面安装型的，应考虑到端面电极37和38的装配强度。或者当它们安装在印制电路板上时，在端面电极37和38上的焊料浸湿和焊料的渗透。尤其，与引出端电极35和36相同的导电材料被用于最下层，阻焊镍被用于中间层，焊料或对焊料有优良浸湿性的锡被用于最外层。然而，此结构只是个例子而已，而未必需要应用这些。因此，具有优良电导率的材料，例如，金属可用导电树脂材料来代替。
同时，假若在预定的线圈图样已被形成在如铝或铁氧体这样的陶瓷基片上，并且绕制线圈元件已被插入形成在陶瓷基片上的窗口内之后，利用厚膜形成工艺规程线路图案和端面电极37和38互相连接起来并经过装线以便互相电连接，端面电极37和38的热阻可被提高以致端面电极37和38有一适于这种厚膜工艺规程的配置。
导电构件32可以有不同于平矩形的截面形状，以便有大的截面面积，得到低的电阻，使得大电流能够被加到绕制线圈元件上。在这种情况下，不同于平矩形的导电构件32的截面形状包括三角形、圆、椭圆、半圆、多角形等。为了得到有如上述截面形状的导电构件32，阶梯被形成外支座33的凹槽的周围表面上，导电软膏加到外支座33的阶梯上以便被干燥。然后，磁软膏再被加到外支座33的阶梯上以致被干燥，于是，具有三角形截面形状的导电构件32能够被得到。
同时，在上述例子中，导电构件32就其整体说有圆形形状，但也可有多角形形状。即，一般地，最好是棱柱形形状被用于表面安装型绕制线圈元件。棱柱形绕制线圈元件有多角形圈。以致多角形圈基本上扩展到绕制线圈元件的外轮廓。为了得到上面论及的绕制线圈元件，棱锥16体形凹槽，例如，被形成在外支座33上，然后磁性构件31和导电构件32被形成在该棱锥体形凹槽的周围表面上。以后，用内支座34填充棱锥体形凹糟。多角形圈能够被形成在磁性构件31中。
如上所述，在绕制线圈元件K3的若干例子中，导电构件32被连续地形成以致有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐不相同的多圈使得至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。所以，同传统的迭层结构相比，绕制线圈元件K3能够被容易地制作，并绕制线圈元件K3的产量能够被提高。此外，由于导电构件32的各圈中相邻圈不经磁性构件31互相面对。杂散电容的产生被减至最少，因此自激谐振频率被降低。所以，如果绕制线圈元件K3被用作滤波器等，则大的衰减在宽频带内被完成。相应地，绕制线圈元件K3在质量上和性能上是明显优良的。
同时，在上面的第三实施例中，绕制线圈元件是表面安装型的，其中端面电极37和38被提供在绕制线圈元件的相对端面上。但是，绕制线圈元件也可有这样一种结构，即，在其中引线脚被提供在外支座33上；或者有引出端型结构，在其中有代替端面电极的引线端的加帽电极被安装在绕制线圈元件的相对端的周围。
在下文，介绍本发明的绕制线圈元件K3的制造方法。绕制线圈k3的制造方法包括：形成在其中央部分形成有圆锥或棱锥凹槽的凹槽外支座33和形成圆锥或棱锥形内支座34的一个或两个步骤，在外支座33的凹槽周围表面和内支座34的周围表面中的一个上形成磁性构件31的一个步骤。在磁性构件31上形成导电构件32的一个步骤，导电构件32有从该导电构件的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈以便至少该导电构件的各圈被配置在不同平面内、以及在导电构件32上形成磁性构件31的一个步骤。用这种制作方法得到绕制线圈元件K3，其中磁性构件31被提供在外支座33或者内支座34的表面上，而导电构件32被提供在磁性构件31中。
绕制线圈元件K3的另一种制造方法包括：如在上述制造方法中形成外支座33的一个步骤：形成内支座34的一个步骤，在外支座33凹槽的周围表面和内支座34的周围表面之一上形成磁性构件31的一个步骤、如在上述制造方法中在磁性构件31上形成导电构件32一个步骤、在导电构件32上形成磁性构件31的一个步骤、以及将内支座34装进外支座33中的一个步骤。结果，如在上述制造方法中得到包括导电构件32的绕制线圈元件K3。在这种情况下，外支座33和内痤34两者都包围磁性构件31。
此外，为了得到有如图25中所示结构的绕制线圈元件K3，上下层39和40被形成在外和内支座33和34的上下表面上，然后形成引出端电极35和36以及端面电极37和38。这些构件未必需要被形成。然而，用形成上下层39和40的方法，绕制线圈元件的强度和表面性质能够被改善。同时，借助形成端面电极37和38，绕制线圈元件K3能够是表面安装型的。
如上所述，根据外支座33或内支座34和上下层39和40存在或不存在，绕制线圈元件K3可以有不同的结构。但是，绕制线圈元件K3的基本结构中，有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈的导电构件32被形成在磁性构件31，以致至少使导电构件32的各圈配置在不同的平面内。即，由于导电构件32被形成在有倾斜的或阶梯状层的磁构件31中，绕制线圈元件K3能以高生产率被得到。
在下文，参照图26到33更详细地介绍绕制线圈元件K3的制造方法。开始，如图26中所示，有园锥形或棱锥形凹槽41的凹槽外支座33被形成这样一个三维螺旋阶梯被形成在凹糟41的周围表面上，而导电构件32被形成在该阶梯上。导电构件32有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈以便至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。
在导电构件32有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈，被形成在凹槽41的周围表面上以致至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内这种状态时，凹槽41可以有简单的圃锥形状或棱锥形状。另一方面，假若凹槽41代替简单的倾斜表面有阶梯状的表面，并且导电构件32被形成在阶梯状表面的拐角上，则导电构件就整体而言应有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈以使至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。
为了作出与具有上述形状周围表面的凹槽41组成的外支座33，可使用一种方法，在这种方法中，绝缘材料的粉浆，例如，被灌注到具有能同凹槽41啮合的凸出部的底座上。在粉浆已干燥成一绝缘构件后，该绝缘构件从底座分离开来，于是特定的凹糟能够被形成在绝缘构件上。同时，在另一个方法中，在绝缘材料粉浆已被灌注到平底座上以致得到平的薄片状绝缘构件后，利用一具有用于形成凹槽41的形状的硬模，在绝缘构件上形成特定凹糟41。此外，换句话说，具有特定凹槽41的凹槽外支座33也能够用熟知的粉未铸模法来形成。用这些方法中的任何一个，具有特定凹槽41的凹槽外支座33都能被形成。另外，如上所述，凹槽41的周围表面可以是如上所述倾斜的或阶梯状的。
然后，如图27中所示，磁性构件31被形成在外支座33的凹槽41的螺旋阶梯上。以后，如图28中所示，导电构件32被形成在磁性构件31上。导电构件32具有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈以使至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。如上所述，导电构件32可以是螺旋线形状的，这种形状通过扇状地提起线圈的中央部分被得到，或者是具有一串同心圆形状的。此后，如图29中所示，磁性构件31被形成以便复盖导电构件32。通过上述的工作步骤，导电构件32被安排在磁性构件31中，并有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈以致至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。
然后，如图30中所示，下层40同外支座33的下表面相结合。在下层40上引到导电构件32的小直径端部分的引出端电极36已被预先形成。
以后，如图31中所示，绝缘材料被填充到由外支座33和下层40所限定的凹槽41中以致形成内支座34。
此后，如图32中所示，用与形成下层40相同的方法，上层39同外支座33的上面相结合。在上层39上引到导电构件32的大直径端部分的引出端电极35已被预先形成。
此外，如图33中所示，端面电极37和38被分别形成在图32的基片构件的相对端面上。通过将这样得到的迭层经过焙烧，就能够得到绕制线圈元件K3。但是，也可没有形成端面电极37和38而进行焙烧。即，没有端面电极37和38的迭层经受焙烧，然后再在迭层上形成端面电极37和38。在形成端面电极37和38的一个例子中，这时导电层被形成在迭层上使得有与端面电极37和39相似的形状，并经焙烧一次。以后，通过利用导电层作为电极，迭层经受镀镍和焊接或镀锡。最后，端面电极37和38的每一个都有由焙烧、电镀镍和焊料或电镀锡组成的3层基片导电层结构。
上述外和内支座33和34或者上下层39和40能够用熟知的半成品片铸模法、印制法、浸渍法、粉末铸模法或旋转涂敷法被形成。印制法一般被用于形成导电构件32和引出端电极35和36，但可由用激光的图案形成方法、其中变换用硬模等预先被形成预定的形状的导线的方法、点滴法、浇灌法或喷涂法来代替。
按上述制造方法得到的绕制线圈元件K3有优良的热阻，因而能够很容易地被制成标准组件。例如，预定的布线层被形成在如铝和铁氧体这样的陶瓷基片上，通过同时地将基片的电路和端面电极37或38互相连接，基片和绕制线圈元件K3能够被制成整体的或者说互相组装在一起的。在这种情况下，由于通过在基片的预定位置上形成窗口绕制线圈元件K3的端面电极37或38能够被连接到基片的电路上，所以获得薄的组件。在这种情况下，能够使用人们熟悉的利用陶瓷基片的普通厚膜形成工艺规程。绕制线圈元件K3的端面电极37和38未必需要被焊接，但也可经焙烧达到电连接。
在绕制线圈元件K3中，导电构件32的两端被电连接到在基片构件的相对端面上形成的端面电极37和38上。亦即，为电连接导电构件32到端面电极37和38上的引起端电极35和36被提供在导电构件32的最上部分和最下部分以致被连接到端面电极37和38上。
在用于形成绕制线圈元件K3每一层的软膏中，可将以下材料加入每种粉剂中：如丁基卡必醇、萜品醇和乙醇这样的溶剂，如乙基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇、聚氧化乙烯和乙烯·乙撑醋酸脂这样的粘合剂，如各种氧化物和玻璃这样的焙烧辅料，如丁苄酞酸脂、酞酸二丁酯和丙三醇这样的增塑剂，或者分散剂。利用在其中这些物质互相混合的揉碎物，形成绕制线圈元件K3的每一层。这些层互相迭合成上述预定的结构，经焙烧，以致得到绕制线圈元件K3。在制造半成品片时，用各种有优良挥发性的溶剂来代替上述溶剂是合乎需要的，例如，醋酸丁酯、甲基·乙基(甲)酮、甲苯和乙醇。
焙烧温度从大约800到1300℃，并尤其依导电构件23的材料而改变。例如，假若导电构件32由银制成，焙烧温度应被调在大约900℃。同时，假若导电构件32由银钯合金制成，焙烧温度应调在950℃。为了使焙烧温度调的更高，导电构件32应由镍或钯制成。
以下，介绍绕制线圈元件K3的实例。
〔实例1〕
8克丁缩醛树脂、4克丁苄酞酸脂、24克甲基·乙基甲酮和24克醋酸丁脂同100克由铝粉和晶化玻璃互相掺合而得的混合玻璃粉互相混合，用球形磨揉合，以致得到绝缘粉浆。
然后，2克乙基纤维素和20克α萜品醇同100克NiZnCu系列铁氧体粉混合，并用3个滚筒机揉合，以致得到铁氧体软膏。
利用这种绝缘粉浆，在其干燥后有0.2mm厚的绝缘半成品片被用敷涂器制成。同时，绝缘半成品片被形成在季戊四醇膜片上。这样的3个绝缘半成品片被互相迭合。为使绝缘半成品片互相迭合，蒸汽模板压机被使用，蒸汽模板压机的温度调在100℃，压力调在500kg/cm2。利用冲模和冲孔器，预定的凹槽41被形成在如图26中所示的迭层绝缘半成品片上，使得不仅有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈的导电构件32被形成在凹糟41的周围表面上，而且至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。结果，具有在其中央部分形成的圆锥凹槽41的凹槽外支座33被形成。
以后，如图27中所示，用铁氧体软膏和印制机在外支座33的凹槽41的周围表面上形成磁性构件31。然后，如图28中所示，导电构件32被形成在磁性构件31上。此后，如图29中所示，磁性构件31被形成在导电构件32上。同时，为形成导电构件32，印制商业上可得到的银软膏。导电构件32有从该导电构件的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈以致至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。同时，在印制磁性构件31和导电构件32时，用如熟知的过孔印制相同的方式外支座33经受从其相对印制面的表面的吸入作用使得铁氧体软膏和银软膏保留在凹槽41的阶梯状的周围表面上。
此后，如图30中所示，引出端电极36被形成在用与上述相同的银软膏和印制机预先制成的具有厚0.2mm的绝缘半成品片上，以致制成下层40。此外，下层40被结合到形成有导电构件32的外支座33上。
此外，如图31中所示，将上面提及的绝缘粉浆灌注到凹槽41中使得基本上同外支座33等高。亦即，通过这样注入绝缘粉浆，内支座34被形成。
然后，如图33中所示，用如上述相同的银软膏和印制机，引出端电极35被形成在预先制成的厚0.2mm的绝缘半成品片上以得到上层39。此外，上层39被结合到外和内支座33和34上，在外和内支座33和34中磁性构件31和导电构件32被形成。
如图33中所示，用商业上可得到的银软膏形成端面电极37和38，并经在900℃焙烧2小时。
在用上述制造方法制成的实例1的绕制线圈元件中没发现如脱皮、破裂、翘曲等这样的缺欠。经用阻抗分析仪等对其各种电气特性的测量，发现实例1的绕制线圈元件有优良的电气特性。因此，在有比已知迭层型绕制线圈元件少的迭层数量的实例1的绕制线圈元件中，能够获得比已知迭层型绕制线圈元件更优良的电气特性。
〔实例2〕
用如实例1相同的绝缘粉浆，在其干燥后有0.6mm厚的绝缘半成品片用敷涂器被形成在有为形成预定的凹槽41的形状的片状聚酰亚胺构件上。在凹槽14中有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈的导电构件32被形成以致至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内，结果，外支座33被得到。
然后，用如实例1相同的方法，磁性构件31和导电构件32被形成在凹槽41的周围表面上。此外，用如实例1同样的方法，形成上下层39和40、内支座34、引出端电极35和36以及端面电极37和38，该迭层再经受在900℃上焙烧两小时。
在按上述方法制成的实例2的绕制线圈元件中，没发现有如脱皮、破裂和翘曲这样的缺欠。经用阻抗分析仪等对其各种电气特性的测量，发现实例2的绕制线圈元件有优良的电气特性。此外，用实例2的制造方法，外支座33能够由在数目上比实例1少的单一操作步骤被形成，由此造成操作步骤的数目有利地减少。
〔实例3〕
在实例2中所制成的凹槽外支座33经受在850℃上焙烧10分钟。以后，用如实例1同样的方式，磁性构件31、导电构件32和内支座34在经焙烧的凹槽41中被形成。此外，用如实例1同样的方式，上下层39和40、引出端电极35和36以及端面电极37和38被形成，迭层再经受在900℃焙烧两小时。
在用上述制造方法制成的实例3的绕制线圈元件中，未发现有如脱皮、破裂和翘曲这样的缺欠。经用阻抗分析仪等对其各种电气特性的测量，发现实例3的绕制线圈元件具有优良的电气性能。
图34示出为绕制线圈元件K3的一种改进的绕制线圈元件K3a。在线圈元件K3a中，有从导电构件32的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的多圈的导电构件32被提供在非磁性构件42中，以致至少导电构件32的各圈被配置在不同的平面内。非磁性构件42被安置在非磁构件42外侧的外支座33和安置在非磁性构件42内侧的内支座34支承。导电构件32的相对端分别被连接到引出端电极35和36上。引出端电极35和36分别被连接到端面电极37和38上。端面电极37和38被提供在上下层39和40以及外支座33的端面上。非磁性构件42、外和内支座33和34以及上下层39和40的每一个由单一材料制成。外和内支座33和34以及上下层39和40可以由磁性材料或非磁性材料制成。
绕制线圈元件K3a同绕制线圈元件K3结构上区别仅在于，在绕制线圈元件K3中的外和内支座33和34之间所提供的磁性材料31用在绕制线圈元件K3a中的非磁性材料42所代替。由于绕制线圈元件k3a的其他构造与绕制线圈元件K3相同，为简洁起见，关于绕制线圈元件k3a制造方法的说明被简略。
由于绕制线圈元件K3a和K3之间的结构差别，假若非磁性材料42被提供在外和内支座33和34之间，并外和内支座33和34由在绕制线圈元件K3a中的磁性材料制成，则磁通流量能够被控制。另一方面，假若如在绕制线圈元件K3中那样磁性构件31被提供在外和内支座33和34之间，则外内支座33和34只起为支承导电构件32的结构元件的作用，所以对于机械性能给予优先的材料能够被选作外和内支座33和34。
如上所述，绕制线圈元件K3a的制造方法与线圈元件k3的制造方法类似。但是，依照不受环绕导电构件32的构件是由磁性构件31还是非磁性构件42所形成，在绕制线圈元件K3和K3a中所得到的电气特性能够被适当地改变到所希望有的电气特性。
虽然本发明已参照附图结合其优选实施例被全面说明，但要注意到，各种变化和改进对本专业技术人员来说是明显的。除非他们从那里离开，否则这样的变化和改进要被理解为被包括在如由附加的权利要求所规定的本发明的范围内。
工业上的可应用性
从上述说明可清楚，本发明的绕制线圈元件的制造方法不是迭层型的，因而提供高的生产率。同时，由于导电构件被提供在倾斜周围表面或阶梯状倾斜周围表面上，例如，在外绝缘构件的中央部分形成的圆锥形或棱锥形的凹槽，所得到的绕制线圈元件的高度能够被减小。此外，由于基本上不产生在导电构件的各圈中的相邻圈之间的杂散电容，则绕制线圈元件有优良的电气特性，因而得到显著的工业上的可应用性。

Claims (34)

1.一种绕制线圈元件(K1)，包括：
一个绝缘构件(3)；
一个导电构件(5)，其被提供在绝缘构件(3)中并具有若干从导电构件(5)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的线圈匝数使得至少导电构件(5)的各圈被分别配置在不同的平面内，以及
一个磁性层(8，9)，其被提供在绝缘构件(3)的上和下表面中至少一个表面上。
2.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，其中，上和下磁层(9，8)被分别提供在绝缘构件(3)的上和下表面上。
3.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，其中，磁层(8，9)由电绝缘材料制成。
4.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，其中，磁层(8，9)由导电材料制成。
5.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(x1)，其中，导电构件(5)有从导电构件(5)的一端向另一端延伸的三维空间螺旋线形状。
6.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1f)，其中导电构件(5)各圈中的每一圈被配置在从导电构件(5)的一端向另一端的相同平面内，并导电构件(5)各圈的每一圈的未端和初端被分别连接到导电构件(5)的各圈中相毗邻的上下圈上。
7.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，其中，导电构件(5)各圈中的每一圈具有圆形形状。
8.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)。其中，导电构件(5)各圈中的每一圈具有多边形形状。
9.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，其中，导电构件(5)被这样形成，使得当导电构件(5)从其大直径部分观察时导电构件(5)各圈中相邻圈之间的间隙是不可见的。
10.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1c)，其中，导电构件(5)有棱角形截面形状。
11.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1d)，其中，导电构件(5)有圆形截面形状。
12.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1e)，其中，导电构件(5)有半圆形截面形状。
13.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，其中，绝缘构件(3)由非磁性材料制成。
14.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，其中，绝缘构件(3)由磁性材料制成。
15.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，其中，绝缘构件(3)包括安置在导电构件(5)外侧的外绝缘构件(1)和安置在导电构件(5)内侧的内绝缘构件(2)，并且外和内绝缘构件(1、2)分别由磁性不同的材料制成。
16.一种如权利要求15中的绕制线圈元件(K1)，其中，磁性不同的材料是非磁性材料和磁性材料。
17.一种如权利要求1中的绕制线圈元件(K1)，进一步包括：
一对端面电极(10，11)，其被提供在绝缘构件(3)和磁层(8，9)的相对端面上以便被分别电连接到导电构件(5)的相对端上。
18.一种制造绕制线圈元件(K2)的方法，包括以下各步骤：
形成在其中央部分具有的圆锥形或棱锥形凹槽(21a)的凹槽外绝缘构件(21)；
在凹槽(21a)的周围表面上形成导电构件(22)，导电构件(22)有从导电构件(22)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致至少导电构件(22)的各圈被分别配置在不同的平面内；
形成实心内绝缘构件(27)，其具有形状基本上与凹槽(21a)的形状相同的外周围表面；以及
至少在外和内绝缘构件(21，27)的上和下表面之一上形成磁层(28，29)。
19.一种制造绕制线圈元件(K2)的方法，包括以下各步骤：
形成有圆锥形或棱锥形外周围表面的实心内绝缘构件(27)；
在内绝缘构件(27)的外周围表面上形成导电构件(22)，导电构件(22)有从导电构件(22)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致至少导电构件(22)的各圈被分别配置在不同的平面内；
形成提供有凹槽(21a)的凹糟外绝缘构件(21)，凹槽(21a)有形状基本上与内绝缘构件(27)的外周围表面的形状相同的周围表面；以及
至少在外和内绝缘构件(21，27)的上和下表面之一上形成磁层(28，29)。
20.一种制造绕制线圈元件(K2)的方法，包括以下各步骤：
形成在其中央部分有形成的圆锥形或棱锥形凹槽(21a)的凹槽外绝缘构件(21)；
在凹糟(21a)的周围表面上形成第一导电构件(22)，第一导电构件(22)有从第一导电构件(22)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致至少第一导电构件(22)的各圈被分别配置在不同的平面内；
形成有形状基本上与凹槽(21a)的形状相同的外周围表面的实心内绝缘构件(27)；
在内绝缘构件(27)的外周围表面上形成第二导电构件(22)，第二导电构件(22)有从第二导电构件(22)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致至少第二导电构件(22)的各圈被分别配置在不同的平面内；以及
至少在外和内绝缘构件(21、27)的上和下表面之一上形成磁导(28，29)。
21.一种如在权利要求18到20之一中的方法，其中，为了形成具有凹槽(21a)的凹槽外绝缘构件(21)，绝缘材料的粉浆被灌注到有为形成凹槽(21a)的凸起的底座上，以致凹槽(21a)的周围表面是倾斜的或阶梯式倾斜的。
22.一种如权利要求18到20之一中的方法，其中，为了形成具有凹糟(21a)的凹糟外绝缘构件(21)，绝缘材料的粉末被填充到具有用于形成凹糟(21a)的凸出部的硬模中，以致凹槽(21a)的周围表面是倾斜的或阶梯式倾斜的。
23.一种如权利要求18到20之一中的方法，其中，为了形成实心内绝缘构件(27)，绝缘材料的粉浆被灌注到具有适于形成内绝缘构件(27)的外周围表面的壁表面的底座上，以致内绝缘构件(27)的外周围表面是倾斜的或阶梯式倾斜的。
24.一种如权利要求18到20之一中的方法，其中，绝缘材料的粉末被填充到具有适于形成内绝缘构件(27)的外周围表面的内表面的硬模中，以致内绝缘构件(27)的外周围表面是倾斜的或阶梯式倾斜的。
25.一种如权利要求18到20之一中的方法，其中，形成具有凹槽(21a)的凹槽外绝缘构件(21)的步骤包括形成一个实心外绝缘构件(21)的步骤和在该实心外绝缘构件(21)的中央部分形成凹糟(21a)的步骤。
26.一种如权利要求25中的方法，其中，为了在实心外绝缘构件(21)的中央部分形成凹槽(21a)，实心外绝缘构件(21)用具有适于形成凹槽(21a)的倾斜表面或阶梯式倾斜表面的冲模经受塑造。
27.一种绕制线圈元件(K3)，包括：
一个支座构件(33，34)；
一个磁性构件(31)，其被提供在支座构件(33，34)的表面上；以及
一个导电构件(32)，其被提供在磁性构件(31)中，并有从导电构件(32)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致导电构件(32)的各圈被分别配置在不同的平面内。
28.一种制造绕制线圈元件(K3)的方法，包括如下各步骤：
形成一个凹槽支座构件(33)该构件具有在其中央部分形成的圆锥形或棱锥形凹槽(41)；
在支座构件(33)的凹槽(41)的外周围表面上形成一个磁性构件(31)；
在磁性构件(31)上形成导电构件(32)，导电构件(32)有从导电构件(32)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致导电构件(32)的各圈被分别配置在不同的平面内；以及
在导电构件(32)上形成另一个磁性构件(31)。
29.一种制造绕制线圈元件(K3)的方法，包括以下各步骤：
形成具有圆锥形或棱锥形外周围表面的实心支承构件(34)；
在支承构件(34)的外周围表面上形成一个磁性构件(31)；
在磁性构件(31)上形成一个导电构件(32)，导电构件(32)有从导电构件(32)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致导电构件(32)的各圈被分别配置在不同的平面内；以及
在导电构件(32)上形成另一个磁性构件(31)。
30.一种制造绕制线圈元件(K3)的方法，包括以下各步骤：
形成一个凹槽支承构件(34)，该构件具有在其中央部分形成的圆锥形或棱锥形凹槽(41)，
形成具有圆锥形或棱锥形外周围表面的实心支承构件(34)；
在凹槽支承构件(33)的凹槽(41)周围表面和实心支承构件(34)的外周围表面之一上形成一个磁性构件(31)；
在磁性构件(31)上形成导电构件(32)，导电构件(32)有从导电构件(32)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致导电构件(32)的各圈被分别配置在不同的平面内；
在导电构件(32)上形成另一个磁性构件(31)；以及
将实心支承构件(34)装配到凹槽支承构件(33)的凹槽(41)中。
31.一种绕制线圈元件(K3a)包括：
一个支承构件(33，34)；
一个非磁性构件(42)，其被提供在支承构件(33、34)的表面上；以及
一个导电构件(32)，其被提供在非磁性构件(42)中，并有从导电构件(32)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致导电构件(32)的各圈被分别配置在不同的平面内。
32.一种制造绕制线圈元件(K3a)的方法，包括如下各步骤：
形成一个凹槽支承构件(33)，该构件具有在其中央部分形成的圆锥形或棱锥形凹槽(41)；
在支承构件(33)的凹槽周围表面上形成一个非磁性构件(42)；
在非磁性构件(42)上形成导电构件(32)，导电构件(32)有从导电构件(32)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致导电构件(32)的各圈被分别配置在不同的平面内；以及
在导电构件(32)上形成另一个非磁性构件(42)。
33.一种制造绕制线圈元件(K3a)的方法，包括以下各步骤：
形成具有圆锥形或棱锥形外周围表面的实心支承构件(34)；
在支承构件(34)的外周围表面上形成非磁性构件(42)；
在非磁性构件(42)上形成导电构件(32)，导电构件(32)有从导电构件(32)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致导电构件(32)的各圈被分别配置在不同的平面内；以及
在导电构件(32)上形成另一个非磁性构件(42)。
34.一种制造绕制线圈元件(K3a)的方法，包括以下各步骤：
形成一个凹槽支承构件(33)，该构件具有在其中央部分形成的圆锥形或棱锥形凹糟(41)；
形成有圆锥形或棱锥形外周围表面的实心支承构件(34)；
在凹糟支承构件(33)的凹槽(41)周围表面和实心支承构件(34)的外周围表面之一上形成一个非磁性构件(42)；
在非磁性构件(42)上形成导电构件(32)，导电构件(32)有从导电构件(32)的一端向另一端彼此直径逐渐互不相同的许多圈以致导电构件(32)的各圈被分别配置在不同的平面内；
在导电构件(32)上形成另一个非磁性构件(42)；以及
将实心支承构件(34)装配到凹槽支承构件(33)的凹槽中。
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