JP6260748B2 - 多層基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、コイルを備えた多層基板及びその製造方法に関する。

従来の多層基板としては、例えば、特許文献１に記載のコイル内蔵基板が知られている。該コイル内蔵基板は、基体、第１の導体パターン及び第２の導体パターンを備えている。基体は、第１の磁性体層及び第２の磁性体層が積層されて構成されている。第１の導体パターンは、第１の磁性体層上に設けられており、約１周分の長さを有している。第２の導体パターンは、第２の磁性体層上に設けられており、約１周分の長さを有している。ただし、第２の導体パターンの径は、第１の導体パターンの径よりも小さい。そのため、第１の導体パターン及び第２の導体パターンは、積層方向から見たときに、渦巻状をなしている。第１の導体パターンの端部と第２の導体パターンの端部とがビアホール導体により接続されることにより、第１の導体パターン及び第２の導体パターンがコイルを構成している。

ところで、特許文献１に記載のコイル内蔵基板では、コイルの自己共振周波数を高くしたい場合がある。このような場合には、第１の導体パターンと第２の導体パターンとの間に発生する静電容量を低減する必要がある。そして、コイルの巻き数が多くなればなるほど、コイルに発生する静電容量が大きくなるので、静電容量の低減の必要性が高くなる。

特開２０１３−１１５２４２号公報

そこで、本発明の目的は、コイルに発生する静電容量を低減できる多層基板及びその製造方法を提供することである。

本発明の第１の形態に係る多層基板は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられているコイルと、を備えており、前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、残余の隙間の幅よりも大きく、前記積層方向から見たときに、第ｍ（ｍは２以上ｎ以下の整数）の隙間の幅が第ｍ＋１の隙間の幅より大きく、前記第１のコイル部の線幅は、残余のコイル部の線幅よりも細いこと、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係る多層基板は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられているコイルと、を備えており、前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、残余の隙間の幅よりも大きく、前記複数の絶縁体層は、第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を含んでおり、前記コイルは、前記第１の絶縁体層上に設けられている導体層であり、前記第２の絶縁体層は、前記第１の絶縁体層に対して前記積層方向の他方側に積層されており、前記コイルにおいて相対的に内周側に位置する部分と重なっており、かつ、該コイルにおいて相対的に外周側に位置する部分とは重なっていないこと、を特徴とする。
本発明の第３の形態に係る多層基板は、複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられているコイルと、を備えており、前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、残余の隙間の幅よりも大きく、前記複数の絶縁体層は、第１の絶縁体層及び第３の絶縁体層を含んでおり、前記コイルは、前記第１の絶縁体層上に設けられている導体層であり、前記第３の絶縁体層は、前記第１の絶縁体層に対して前記積層方向の一方側に積層されており、前記コイルにおいて相対的に内周側に位置する部分と重なっておらず、かつ、該コイルにおいて相対的に外周側に位置する部分とは重なっていること、を特徴とする。

本発明の第１の形態に係る多層基板の製造方法は、第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層が積層方向の一方側から他方側にこの順に積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられているコイルと、を備えており、前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、第２の隙間以降の隙間の幅よりも大きい、多層基板の製造方法であって、前記第１の絶縁体層上に前記コイルを形成する形成工程と、前記コイルの相対的に内周側に位置する部分と重なり、かつ、該コイルの相対的に外周側に位置する部分とは重ならないように、前記第２の絶縁体層を前記第１の絶縁体層の前記積層方向の他方側に積層する第１の積層工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明の第２の形態に係る多層基板の製造方法は、第１の絶縁体層及び第３の絶縁体層が積層方向の他方側から一方側にこの順に積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられているコイルと、を備えており、前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、第２の隙間以降の隙間の幅よりも大きい、多層基板の製造方法であって、前記第１の絶縁体層上に前記コイルを形成する工程と、前記コイルにおいて相対的に内周側に位置する部分と重ならず、かつ、該コイルにおいて相対的に外周側に位置する部分とは重なるように、前記第３の絶縁体層を前記第１の絶縁体層の前記積層方向の一方側に積層する工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、コイルに発生する静電容量を低減できる。

本発明の一実施形態に係る多層基板１０ａの分解斜視図である。 図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。 多層基板１０ａのコイルＬを上側から見た図である。 多層基板１０ａを加工する際の説明図である。 多層基板１０ａが用いられた電子機器２００を前側から見た図である。 多層基板１０ａの製造時の断面構造図である。 多層基板１０ａ製造時の断面構造図である。 多層基板１０ａの製造時の断面構造図である。 第１の変形例に係る多層基板１０ｂの分解斜視図である。 図９のＡ−Ａにおける断面構造図である。 第２の変形例に係る多層基板１０ｃの断面構造図である。 多層基板１０ｃのコイルＬを上側から見た図である。 第３の変形例に係る多層基板１０ｄの分解斜視図である。 図１３のＡ−Ａにおける断面構造図である。 第３の変形例に係る多層基板１０ｄの分解図である。 第４の変形例に係る多層基板１０ｅの断面構造図である。 第５の変形例に係る多層基板１０ｆの断面構造図である。 第６の変形例に係る多層基板１０ｇの断面構造図である。

（実施形態）
＜多層基板の構成＞
以下に、本発明の一実施形態に係る多層基板の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る多層基板１０ａの分解斜視図である。図２は、図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。ただし、図１では、コネクタ１００ａ，１００ｂが省略され、図２では、コネクタ１００ａ，１００ｂが記載されている。図３は、多層基板１０ａのコイルＬを上側から見た図である。以下では、多層基板１０ａの積層方向を上下方向と定義する。また、多層基板１０ａの長手方向を左右方向と定義し、多層基板１０ａの短手方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は互いに直交している。

多層基板１０ａは、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられるフレキシブル基板である。多層基板１０ａは、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、信号線路２０、接続導体２４，２６、コネクタ１００ａ，１００ｂ、ビアホール導体ｖ１１及びコイルＬを備えている。

誘電体素体１２は、図１に示すように、上側から見たときに、左右方向に延在する可撓性を有する板状部材である。誘電体素体１２の前後方向の幅は、均一である。誘電体素体１２は、図１に示すように、保護層１９−１、誘電体シート１８−１〜１８−４及び保護層１９−２が上側から下側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２の上側の主面を表面と称し、誘電体素体１２の下側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８−１〜１８−４は、図１に示すように、上側から見たときに、左右方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８−１〜１８−４は、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている絶縁体層である。以下では、誘電体シート１８−１〜１８−４の上側の主面を表面と称し、誘電体シート１８−１〜１８−４の下側の主面を裏面と称す。

保護層１９−１は、誘電体シート１８−１の表面の略全面を覆っている絶縁体層である。保護層１９−２は、誘電体シート１８−４の裏面の略全面を覆っている絶縁体層である。ただし、保護層１９−２の左端近傍には保護層１９−２が設けられない部分である開口Ｏｐ１が設けられ、保護層１９−２の右端近傍には保護層１９−２が設けられない部分である開口Ｏｐ２が設けられている。保護層１９−１，１９−２は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂により構成されている。

コイルＬは、誘電体素体１２に設けられており、上側から見たときに、２周より多く（本実施形態では、３周と５／８周）周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側へと近づくように周回しながら上側から下側に向かって進行する螺旋状をなしている。このような螺旋構造をコニカル構造とも呼ぶ。

コイルＬは、コイル部２２−１〜２２−４及びビアホール導体ｖ１〜ｖ３を含んでいる。コイル部２２−１（第１のコイル部）は、誘電体シート１８−１の表面の左端近傍に設けられている導体層であり、コイルＬにおいて最も外周側を１周する部分である。コイル部２２−２（第２のコイル部）は、誘電体シート１８−２の表面の左端近傍に設けられている導体層であり、コイル部２２−１から見て１番目に内周側に位置する部分である。コイル部２２−３（第３のコイル部）は、誘電体シート１８−３の表面の左端近傍に設けられている導体層であり、コイル部２２−１から見て２番目に内周側に位置する部分である。コイル部２２−４（第４のコイル部）は、誘電体シート１８−４の裏面の左端近傍に設けられている導体層であり、コイル部２２−１から見て３番目に内周側に位置する部分である。なお、コイルＬは、４個のコイル部２２−１〜２２−４を含んでいるが、例えば、ｎ＋１（ｎは自然数）個のコイル部２２−１〜２２−ｎ＋１を含んでいてもよい。この場合には、コイル部２２−ｎ＋１（第ｎ＋１のコイル部）は、コイル部２２−１から見てｎ番目に内周側に位置する部分である。

コイル部２２−１〜２２−３は、略１周分の長さを有しており、長方形の一部が切り欠かれた形状をなしている。本実施形態では、コイル部２２−１〜２２−３の後ろ側の辺の左端が切り欠かれている。コイル部２２−４は、略５／８周分の長さを有している。以下では、コイル部２２−１〜２２−４の反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、コイル部２２−１〜２２−４の反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

コイル部２２−１の前後方向及び左右方向の長さはそれぞれ、コイル部２２−２の前後方向及び左右方向の長さよりも長い。コイル部２２−２の前後方向及び左右方向の長さはそれぞれ、コイル部２２−３の前後方向及び左右方向の長さよりも長い。コイル部２２−３の前後方向及び左右方向の長さはそれぞれ、コイル部２２−４の前後方向及び左右方向の長さよりも長い。また、コイル部２２−１〜２２−４の線幅は、互いに等しく、かつ、全長にわたって均一である。したがって、コイル部２２−１の全長が最も長く、コイル部２２−２，２２−３の順に全長が短くなり、コイル部２２−４の全長が最も短い。

更に、図１及び図３に示すように、コイル部２２−１の下流端とコイル部２２−２の上流端とは、上側から見たときに、重なっている。コイル部２２−２の下流端とコイル部２２−３の上流端とは、上側から見たときに、重なっている。コイル部２２−３の下流端とコイル部２２−４の上流端とは、上側から見たときに、重なっている。

ビアホール導体ｖ１は、誘電体シート１８−１を上下方向に貫通しており、コイル部２２−１の下流端とコイル部２２−２の上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、誘電体シート１８−２を上下方向に貫通しており、コイル部２２−２の下流端とコイル部２２−３の上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、誘電体シート１８−３，１８−４を上下方向に貫通しており、コイル部２２−３の下流端とコイル部２２−４の上流端とを接続している。

また、図２に示すように、コイル部２２−１とコイル部２２−２との上下方向の間隔ｄ１は、コイル部２２−２とコイル部２２−３との上下方向の間隔ｄ２と等しい。コイル部２２−３とコイル部２２−４との上下方向の間隔ｄ３は、間隔ｄ１，ｄ２よりも大きい。

ところで、コイルＬは、以下に説明するように、コイルＬに発生する静電容量を低減できる構造を有している。以下では、コイル部２２−１とコイル部２２−２との間の隙間を隙間Ｓｐ−１と呼ぶ。コイル部２２−２とコイル部２２−３との間の隙間を隙間Ｓｐ−２と呼ぶ。コイル部２２−３とコイル部２２−４との間の隙間を隙間Ｓｐ−３と呼ぶ。なお、コイルＬは、４個のコイル部２２−１〜２２−４を含んでいるが、例えば、ｎ＋１（ｎは自然数）個のコイル部２２−１〜２２−ｎ＋１を含んでいてもよい。この場合には、コイル部２２−ｎ（第ｎのコイル部）とコイル部２２−ｎ＋１（第ｎ＋１のコイル部）との間の隙間を隙間Ｓｐ−ｎ（第ｎの隙間）と呼ぶ。

隙間Ｓｐ−１の幅ｗ１は、図３に示すように、上側から見たときに、残余の隙間Ｓｐ−２，Ｓｐ−３の幅ｗ２，ｗ３よりも大きい。更に、幅ｗ２は、上側から見たときに、幅ｗ３よりも大きい。これらを一般化すると、上側から見たときに、隙間Ｓｐ−ｍ（第ｍの隙間：ｍは２以上ｎ以下の整数）の幅ｗｍが隙間Ｓｐ−ｍ＋１（第ｍ＋１の隙間）の幅ｗｍ＋１より大きい。このように、コイルＬでは、内周側から外周側に近づくにしたがって、隙間が大きくなっている。ただし、隙間Ｓｐ−１〜Ｓｐ−４はそれぞれ、全長にわたって均一な幅を有している。

接続導体２４は、誘電体シート１８−１の表面に設けられている導体層であり、コイル部２２−１の上流端から左側に向かって延在している。接続導体２６は、誘電体シート１８−４の裏面に設けられている導体層であり、誘電体シート１８−４の左側の辺に沿って延在している。接続導体２４の左端と接続導体２６の後端とは、上側から見たときに重なっている。更に、接続導体２６の前端は、上側から見たときに、開口Ｏｐ１と重なっている。これにより、接続導体２６の前端は、誘電体素体１２の外部に露出しており、外部電極として機能する。なお、接続導体２６が誘電体素体１２から露出している部分には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されていることが好ましい。

ビアホール導体ｖ１１は、誘電体シート１８−１〜１８−４を上下方向に貫通しており、接続導体２４の左端と接続導体２６の後端とを接続している。

信号線路２０は、誘電体シート１８−４の裏面に設けられている導体層であり、コイル部２２−４の下流端から右側に向かって延在している。信号線路２０の右端は、上側から見たときに、開口Ｏｐ２と重なっている。これにより、信号線路２０の右端は、誘電体素体１２の外部に露出しており、外部電極として機能する。なお、信号線路２０が誘電体素体１２から露出している部分には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されていることが好ましい。

以上のような信号線路２０、コイル部２２−１〜２２−４、接続導体２４，２６は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線路２０が誘電体シート１８−４の表面に形成されているとは、誘電体シート１８−４の裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることや、誘電体シート１８−４の裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線路２０が形成されていることを指す。また、信号線路２０の表面には平滑化が施されるので、信号線路２０において誘電体シート１８−４に接している面の表面粗さは、信号線路２０において誘電体シート１８−４に接していない面の表面粗さよりも大きくなる。コイル部２２−１〜２２−４及び接続導体２４，２６についても信号線路２０と同様である。

ビアホール導体ｖ１〜ｖ３，ｖ１１は、誘電体シート１８−１〜１８−４に形成されたビアホールに対して銀、スズ、または銅等を主成分とする導電性ペーストが充填され、固化されることによって形成される。ただし、ビアホール導体ｖ１〜ｖ３，ｖ１１は、誘電体シート１８−１〜１８−４に形成されたビアホールに対して金属メッキが施されて形成されてもよい。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、開口Ｏｐ１，Ｏｐ２上にはんだ１０１ａ，１０１ｂにより実装される。より詳細には、コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、上側の面において図示しない外部電極を有している。コネクタ１００ａ，１００ｂの外部電極はそれぞれ、接続導体２６の前端及び信号線路２０の右端とはんだ１０１ａ，１０１ｂを介して接続される。

多層基板１０ａは、以下に説明するように用いられる。図４は、多層基板１０ａを加工する際の説明図である。図５は、多層基板１０ａが用いられた電子機器２００を前側から見た図である。

多層基板１０ａは、左右方向の中央近傍（すなわち、コイルＬが設けられていない部分）において折り曲げられた状態で用いられる。そこで、多層基板１０ａを上側及び下側からツールＴ１，Ｔ２により加圧して、２箇所において折り曲げる。ツールＴ１は、相対的に下側に位置する面Ｓ１と相対的に上側に位置する面Ｓ２とを有している。面Ｓ１，Ｓ２は下側を向く面である。ツールＴ２は、相対的に下側に位置する面Ｓ３と相対的に上側に位置する面Ｓ４とを有している。面Ｓ３，Ｓ４は上側を向く面である。面Ｓ１と面Ｓ２との上下方向の距離と、面Ｓ３と面Ｓ４との上下方向の距離とは略等しい。

また、ツールＴ１，Ｔ２には、ヒータ等の加熱手段が内蔵されている。そして、面Ｓ１と面Ｓ３とにより多層基板１０ａを上下から挟み、面Ｓ２と面Ｓ４とにより多層基板１０ａを上下から挟む。これにより、多層基板１０ａは、左右方向の中央よりも少し左側において表面が９０°に谷折りされると共に、左右方向の中央よりも少し右側において表面が９０°に山折りされる。その後、ツールＴ１，Ｔ２を多層基板１０ａから外し、多層基板１０ａを冷却することで塑性変形した部分を有する多層基板１０ａを作製できる。以上のように折り曲げられた多層基板１０ａは、このような折り曲げ加工後も可撓性を保持し、以下に説明するように、回路基板２０２ａ，２０２ｂに容易に取り付けることができる。

電子機器２００は、図５に示すように、多層基板１０ａ、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを備えている。

回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。回路基板２０２ａ及び回路基板２０２ｂは、左側から右側へとこの順に並んでいる。回路基板２０２ｂの上側の主面は、回路基板２０２ａの上側の主面よりも上側に位置している。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂの上側の主面上に設けられている。したがって、レセプタクル２０４ｂは、レセプタクル２０４ａよりも上側に位置している。そこで、図４のように折り曲げられた多層基板１０ａが用いられる。すなわち、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、多層基板１０ａは、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。

＜多層基板の製造方法＞
以下に、多層基板１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。図６〜図８は、多層基板１０ａの製造時の断面構造図である。以下では、一つの多層基板１０ａが作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の多層基板１０ａが作製される。

まず、一方の主面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８−１〜１８−４を準備する。具体的には、誘電体シート１８−１〜１８−３の表面に銅箔を張り付ける。誘電体シート１８−４の裏面に銅箔を張り付ける。更に、誘電体シート１８−１〜１８−４の銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８−１〜１８−４は、液晶ポリマである。

次に、誘電体シート１８−１の表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図１に示すように、コイル部２２−１及び接続導体２４を誘電体シート１８−１の表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８−１の表面の銅箔上に、図１に示すコイル部２２−１及び接続導体２４と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、洗浄液（レジスト除去液）を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図１に示すような、コイル部２２−１及び接続導体２４が誘電体シート１８−１の表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、図１に示すように、コイル部２２−２を誘電体シート１８−２の表面上に形成する。また、図１に示すように、コイル部２２−３を誘電体シート１８−３の表面上に形成する。また、図１に示すように、信号線路２０、コイル部２２−４及び接続導体２６を誘電体シート１８−４の裏面上に形成する。なお、信号線路２０、コイル部２２−２〜２２−４及び接続導体２６の形成工程は、コイル部２２−１及び接続導体２４の形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８−１〜１８−４のビアホール導体ｖ１〜ｖ３，ｖ１１が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填する。

次に、図６に示すように、誘電体シート１８−１〜１８−４を上側から下側へとこの順に積層し、図７に示すように、圧着処理及び加熱処理を施す。誘電体シート１８−１〜１８−４に対して加熱処理及び加圧処理を施すことにより、誘電体シート１８−１〜１８−４が軟化すると共に、貫通孔内の導電性ペーストが固化する。これにより、誘電体シート１８−１〜１８−４が接合されると共に、ビアホール導体ｖ１〜ｖ３，ｖ１１が形成される。

次に、図８に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８−１の表面上及び誘電体シート１８−４の裏面上に保護層１９−１，１９−２を形成する。

最後に、開口Ｏｐ１，Ｏｐ２上にはんだ１０１ａ，１０１ｂを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。

なお、前記製造方法では、誘電体素体１２は誘電体シート１８−１〜１８−４を含み、コイルＬはコイル部２２−１〜２２−４を含んでいる。ただし、誘電体素体１２はｋ（ｋは３以上の整数）層の誘電体シート１８−１〜１８−ｋ（第１の絶縁体層ないし第ｋの絶縁体層）を含み、コイルＬはｋ個のコイル部２２−１〜２２−ｋ（第１のコイル部ないし第ｋのコイル部）を含んでいればよい。この場合には、コイル部２２−ｌ（第ｌのコイル部：ｌはｋ以下の自然数）を誘電体シート１８−ｌ（第ｌのコイル部）に形成する。更に、誘電体シート１８−ｌにビアホール導体を形成する。その後、誘電体シート１８−１〜１８−ｋを上側から下側へとこの順に積層し、圧着処理及び加熱処理を施す。

＜効果＞
以上のように構成された多層基板１０ａによれば、コイルＬに発生する静電容量を低減できる。コイル部２２−１〜２２−４の隙間Ｓｐ−１〜Ｓｐ−３を大きくすると、コイル部２２−１〜２２−４が離れるので、コイルＬに発生する静電容量が減少する。そこで、静電容量の減少量を以下のように定義する。
減少量ΔＣ１：隙間Ｓｐ−１の幅ｗ１が単位長さだけ増加した際に、コイル部２２−１とコイル部２２−２との間に発生する静電容量の減少量
減少量ΔＣ２：隙間Ｓｐ−２の幅ｗ２が単位長さだけ増加した際に、コイル部２２−２とコイル部２２−３との間に発生する静電容量の減少量
減少量ΔＣ３：隙間Ｓｐ−３の幅ｗ３が単位長さだけ増加した際に、コイル部２２−３とコイル部２２−４との間に発生する静電容量の減少量

多層基板１０ａでは、コイル部２２−１とコイル部２２−２とが並走している長さは、コイル部２２−２とコイル部２２−３とが並走している長さ、及び、コイル部２２−３とコイル部２２−４とが並走している長さよりも長い。よって、減少量ΔＣ１は、減少量ΔＣ２，ΔＣ３よりも大きい。すなわち、隙間Ｓｐ−１の幅ｗ１を大きくすることは、隙間Ｓｐ−２，Ｓｐ−３の幅ｗ２，ｗ３を大きくすることよりも、コイルＬに発生する静電容量の低減に効果的である。以上より、多層基板１０ａでは、上側から見たときに、隙間Ｓｐ−１の幅ｗ１を残余の隙間Ｓｐ−２，Ｓｐ−３の幅ｗ２，ｗ３よりも大きくすることにより、コイルＬに発生する静電容量を効果的に低減できる。そして、コイルＬに発生する静電容量が小さくなることにより、コイルＬの自己共振周波数を高くすることができる。

また、多層基板１０ａでは、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、コイルＬの大型化を抑制できる。より詳細には、コイルＬに発生する静電容量を低減するためには、例えば、幅ｗ１〜ｗ３の全てを大きくすればよい。しかしながら、この場合には、コイルＬが大型化する。そこで、コイルＬに発生する静電容量を最も効率よく低減できる隙間Ｓｐ−１の幅ｗ１を、残余の隙間Ｓｐ−２，Ｓｐ−３の幅ｗ２，ｗ３よりも大きくしている。これにより、多層基板１０ａにおいて、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、コイルＬの大型化を抑制できる。

また、多層基板１０ａでは、以下の理由により、更に、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、コイルＬの大型化を抑制できる。より詳細には、多層基板１０ａでは、コイル部２２−２とコイル部２２−３とが並走している長さは、コイル部２２−３とコイル部２２−４とが並走している長さよりも長い。よって、減少量ΔＣ２は、減少量ΔＣ３よりも大きい。すなわち、隙間Ｓｐ−２の幅ｗ２を大きくすることは、隙間Ｓｐ−３の幅ｗ３を大きくすることよりも、コイルＬに発生する静電容量の低減に効果的である。そこで、隙間Ｓｐ−２の幅ｗ２を隙間Ｓｐ−３の幅ｗ３よりも大きくしている。これにより、多層基板１０ａにおいて、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、コイルＬの大型化を抑制できる。

また、多層基板１０ａは、コイルＬが設けられていない部分において折り曲げて用いられている。そのため、多層基板１０ａが折り曲げられることによって、コイル部２２−１〜２２−４の位置関係が変動することが抑制される。その結果、コイルＬの特性の変動が抑制される。

また、多層基板１０ａでは、以下の理由により、コイルＬの特性の変動が抑制される。多層基板１０ａが折り曲げられることによって、コイルＬが設けられていない部分において折り曲げて用いられている。しかしながら、多層基板１０ａが折り曲げられたことによる誘電体素体１２の変形が、コイルＬ近傍まで到達することがある。

ただし、隙間Ｓｐ−１は、隙間の内で最も外周側に位置しているので、多層基板１０ａが折り曲げられた位置の最も近くに位置している。したがって、多層基板１０ａが折り曲げられることによって、隙間Ｓｐ−１の幅ｗ１が隙間Ｓｐ−２，Ｓｐ−３の幅ｗ２，ｗ３に比べて変動しやすい。そのため、コイル部２２−１とコイル部２２−２との間に発生している静電容量は、コイル部２２−２とコイル部２２−３との間に発生している静電容量及びコイル部２２−３とコイル部２２−４との間に発生している静電容量に比べて変動しやすい。

ここで、コイル部２２−１とコイル部２２−２との間に発生している静電容量は、幅ｗ１に反比例している。そのため、幅ｗ１が大きい場合に幅ｗ１が単位長さだけ変動した際の静電容量の変動量は、幅ｗ１が小さい場合に幅ｗ１が単位長さだけ変動した際の静電容量の変動量よりも小さい。そこで、隙間Ｓｐ−１の幅ｗ１が残余の隙間Ｓｐ−２，Ｓｐ−３の幅ｗ２，ｗ３よりも大きくなっている。これにより、コイル部２２−１とコイル部２２−２との間に発生している静電容量の変動が抑制される。その結果、コイルＬの特性の変動が抑制される。

また、多層基板１０ａ及びその製造方法では、コイル部２２−１〜２２−４が異なる誘電体シート１８−１〜１８−４に設けられている。そのため、コイル部２２−１〜２２−４間でショートが発生することが抑制される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る多層基板の構成について図面を参照しながら説明する。図９は、第１の変形例に係る多層基板１０ｂの分解斜視図である。図１０は、図９のＡ−Ａにおける断面構造図である。ただし、図９では、コネクタ１００ａ，１００ｂが省略され、図１０では、コネクタ１００ａ，１００ｂが記載されている。

多層基板１０ｂは、コイルＬの構造において多層基板１０ａと相違する。より詳細には、多層基板１０ａでは、コイルＬは、外周側から内周側へと近づくように周回しながら上側から下側に向かって進行する螺旋状をなしている。一方、多層基板１０ｂでは、コイルＬは、外周側から内周側へと近づくように周回しながら下側から上側に向かって進行する螺旋状をなしている。以下に、かかる相違点を中心に、多層基板１０ｂについて説明する。

コイルＬは、コイル部２２−１〜２２−４及びビアホール導体ｖ１〜ｖ３を含んでいる。多層基板１０ｂのコイル部２２−１〜２２−４の形状は、多層基板１０ａのコイル部２２−１〜２２−４の形状と同じである。ただし、多層基板１０ｂのコイル部２２−１〜２２−４が設けられている位置は、多層基板１０ａのコイル部２２−１〜２２−４が設けられている位置と異なる。具体的には、コイル部２２−１は、誘電体シート１８−４の裏面の左端近傍に設けられている導体層である。コイル部２２−２は、誘電体シート１８−３の表面の左端近傍に設けられている導体層である。コイル部２２−３は、誘電体シート１８−２の表面の左端近傍に設けられている導体層である。コイル部２２−４は、誘電体シート１８−１の表面の左端近傍に設けられている導体層である。

ビアホール導体ｖ１は、誘電体シート１８−３，１８−４を上下方向に貫通しており、コイル部２２−１の下流端とコイル部２２−２の上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、誘電体シート１８−２を上下方向に貫通しており、コイル部２２−２の下流端とコイル部２２−３の上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、誘電体シート１８−１を上下方向に貫通しており、コイル部２２−３の下流端とコイル部２２−４の上流端とを接続している。

また、図１０に示すように、コイル部２２−１とコイル部２２−２との上下方向の間隔ｄ１は、コイル部２２−１以外のコイル部２２−２〜２２−４の内の上下方向に隣り合う２つのコイル部の上下方向の間隔よりも大きい。本実施形態では、コイル部２２−３とコイル部２２−４との上下方向の間隔ｄ３は、コイル部２２−２とコイル部２２−３との上下方向の間隔ｄ２と等しい。コイル部２２−１とコイル部２２−２との上下方向の間隔ｄ１は、間隔ｄ２，ｄ３よりも大きい。このように、多層基板１０ｂにおける間隔ｄ１〜ｄ３の大小関係は、多層基板１０ａにおける間隔ｄ１〜ｄ３の大小関係と異なっている。

多層基板１０ｂによれば、多層基板１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

更に、多層基板１０ｂによれば、コイルＬに発生する静電容量をより効果的に低減できる。コイル部２２−１〜２２−４の上下方向の間隔ｄ１〜ｄ３を大きくすると、コイルＬに発生する静電容量が減少する。そこで、静電容量の減少量を以下のように定義する。
減少量ΔＣ１１：間隔ｄ１が単位長さだけ増加した際に、コイル部２２−１とコイル部２２−２との間に発生する静電容量の減少量
減少量ΔＣ１２：間隔ｄ２が単位長さだけ増加した際に、コイル部２２−２とコイル部２２−３との間に発生する静電容量の減少量
減少量ΔＣ１３：間隔ｄ３が単位長さだけ増加した際に、コイル部２２−３とコイル部２２−４との間に発生する静電容量の減少量

多層基板１０ｂでは、コイル部２２−１とコイル部２２−２とが並走している長さは、コイル部２２−２とコイル部２２−３とが並走している長さ、及び、コイル部２２−３とコイル部２２−４とが並走している長さよりも長い。よって、減少量ΔＣ１１は、減少量ΔＣ１２，ΔＣ１３よりも大きい。すなわち、間隔ｄ１を大きくすることは、間隔ｄ２，ｄ３を大きくすることよりも、コイルＬに発生する静電容量の低減に効果的である。以上より、多層基板１０ｂでは、上側から見たときに、間隔ｄ１を残余の間隔ｄ２，ｄ３よりも大きくすることにより、コイルＬに発生する静電容量を効果的に低減できる。そして、コイルＬに発生する静電容量が小さくなることにより、コイルＬの自己共振周波数を高くすることができる。

また、多層基板１０ｂでは、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、多層基板１０ｂが厚くなることを抑制できる。より詳細には、コイルＬに発生する静電容量を低減するためには、例えば、間隔ｄ１〜ｄ３の全てを大きくすればよい。しかしながら、この場合には、多層基板１０ｂが厚くなる。そこで、コイルＬに発生する静電容量を最も効率よく低減できる間隔ｄ１を、残余の間隔ｄ２，ｄ３よりも大きくしている。これにより、多層基板１０ｂにおいて、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、多層基板１０ｂが厚くなることを抑制できる。

なお、多層基板１０ｂにおいて、間隔ｄ１が間隔ｄ２よりも大きく、かつ、間隔ｄ２が間隔ｄ３よりも大きいことが好ましい。この場合には、以下の理由により、更に、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、多層基板１０ｂが厚くなることを抑制できる。より詳細には、多層基板１０ｂでは、コイル部２２−２とコイル部２２−３とが並走している長さは、コイル部２２−３とコイル部２２−４とが並走している長さよりも長い。よって、減少量ΔＣ１２は、減少量ΔＣ１３よりも大きい。すなわち、間隔ｄ２を大きくすることは、間隔ｄ３を大きくすることよりも、コイルＬに発生する静電容量の低減に効果的である。そこで、間隔ｄ２を間隔ｄ３よりも大きくしている。これにより、多層基板１０ｂにおいて、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、多層基板１０ｂが厚くなることを抑制できる。

なお、コイルＬは、４個のコイル部２２−１〜２２−４を含んでいるが、例えば、ｎ＋１（ｎは自然数）個のコイル部２２−１〜２２−ｎ＋１を含んでいてもよい。この場合には、コイル部２２−ｎとコイル部２２−ｎ＋１との上下方向の間隔を間隔ｄｎと呼ぶ。

間隔ｄ１が間隔ｄ２以降の間隔よりも大きく、かつ、間隔ｄ２が間隔ｄ３よりも大きいことが好ましいと説明した。これらを一般化すると、上側から見たときに、間隔ｄｍ（ｍは２以上ｎ以下の整数）が間隔ｄｍ＋１以上である。このように、コイルＬでは、内周側から外周側に近づくにしたがって、隣り合うコイル部の上下方向の間隔が大きくなっていることが好ましい。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る多層基板の構成について図面を参照しながら説明する。図１１は、第２の変形例に係る多層基板１０ｃの断面構造図である。図１２は、多層基板１０ｃのコイルＬを上側から見た図である。

多層基板１０ｃは、コイル部２２−１〜２２−４の線幅において多層基板１０ａと相違する。より詳細には、多層基板１０ａでは、コイル部２２−１〜２２−４の線幅Ｗ１〜Ｗ４は、互いに等しい。一方、多層基板１０ｃでは、コイル部２２−１の線幅Ｗ１は、コイル部２２−２〜２２−４の線幅Ｗ２〜Ｗ４よりも細い。本実施形態では、線幅Ｗ１は線幅Ｗ２よりも細く、線幅Ｗ２は線幅Ｗ３よりも細く、線幅Ｗ３は線幅Ｗ４よりも細い。

なお、コイルＬは、４個のコイル部２２−１〜２２−４を含んでいるが、例えば、ｎ＋１（ｎは自然数）個のコイル部２２−１〜２２−ｎ＋１を含んでいてもよい。この場合には、コイル部２２−ｎの線幅を線幅Ｗｎと呼ぶ。

線幅Ｗ１は、図１１及び図１２に示すように、残余の線幅Ｗ２〜Ｗ４よりも細い。更に、線幅Ｗ２は、線幅Ｗ３よりも細い。これらを一般化すると、上側から見たときに、線幅Ｗｍ（ｍは２以上ｎ以下の整数）が線幅Ｗｍ＋１より細い。このように、コイルＬでは、内周側から外周側に近づくにしたがって、コイル部の線幅が細くなっている。

多層基板１０ｃによれば、多層基板１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

更に、多層基板１０ｃによれば、コイルＬに発生する静電容量をより効果的に低減できる。まず、コイル部２２−１〜２２−４の線幅Ｗ１〜Ｗ４を細くすると、コイル部２２−１〜２２−４同士の対向面積が減少するので、コイルＬに発生する静電容量が減少する。そこで、静電容量の減少量を以下のように定義する。
減少量ΔＣ２１：線幅Ｗ１が単位長さだけ減少した際に、コイル部２２−１とコイル部２２−２との間に発生する静電容量の減少量
減少量ΔＣ２２：線幅Ｗ２が単位長さだけ減少した際に、コイル部２２−２とコイル部２２−３との間に発生する静電容量の減少量
減少量ΔＣ２３：線幅Ｗ３が単位長さだけ減少した際に、コイル部２２−３とコイル部２２−４との間に発生する静電容量の減少量

多層基板１０ｃでは、コイル部２２−１とコイル部２２−２とが並走している長さは、コイル部２２−２とコイル部２２−３とが並走している長さ、及び、コイル部２２−３とコイル部２２−４とが並走している長さよりも長い。よって、減少量ΔＣ２１は、減少量ΔＣ２２，ΔＣ２３よりも大きい。すなわち、線幅Ｗ１を細くすることは、線幅Ｗ２，Ｗ３を細くすることよりも、コイルＬに発生する静電容量の低減に効果的である。以上より、多層基板１０ｃでは、上側から見たときに、線幅Ｗ１を残余の線幅Ｗ２，Ｗ３よりも細くすることにより、コイルＬに発生する静電容量を効果的に低減できる。そして、コイルＬに発生する静電容量が小さくなることにより、コイルＬの自己共振周波数を高くすることができる。

また、多層基板１０ｃでは、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、コイルＬの直流抵抗値の増大を抑制できる。より詳細には、コイルＬに発生する静電容量を低減するためには、例えば、線幅Ｗ１〜Ｗ４の全てを細くすればよい。しかしながら、この場合には、コイルＬの直流抵抗値が増大する。そこで、コイルＬに発生する静電容量を最も効率よく低減できる線幅Ｗ１を、残余の線幅Ｗ２〜Ｗ４よりも細くしている。これにより、多層基板１０ｃにおいて、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、コイルＬの直流抵抗値の増大を抑制できる。

また、多層基板１０ｃでは、以下の理由により、更に、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、コイルＬの直流抵抗値の増大を抑制できる。より詳細には、多層基板１０ｃでは、コイル部２２−２とコイル部２２−３とが並走している長さは、コイル部２２−３とコイル部２２−４とが並走している長さよりも長い。よって、減少量ΔＣ２２は、減少量ΔＣ２３よりも大きい。すなわち、線幅Ｗ２を細くすることは、線幅Ｗ３を細くすることよりも、コイルＬに発生する静電容量の低減に効果的である。そこで、線幅Ｗ２を線幅Ｗ３よりも細くしている。これにより、多層基板１０ｃにおいて、コイルＬに発生する静電容量を低減しつつ、コイルＬの直流抵抗値の増大を抑制できる。

（第３の変形例）
＜多層基板の構造＞
以下に、第３の変形例に係る多層基板の構成について図面を参照しながら説明する。図１３は、第３の変形例に係る多層基板１０ｄの分解斜視図である。図１４は、図１３のＡ−Ａにおける断面構造図である。図１５は、第３の変形例に係る多層基板１０ｄの分解図である。以下では、多層基板１０ｄの積層方向を上下方向と定義する。また、多層基板１０ｄの長手方向を左右方向と定義し、多層基板１０ｄの短手方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は互いに直交している。

多層基板１０ｄは、図１３及び図１４に示すように、誘電体素体１２、接続導体２５，２７，２９、ビアホール導体ｖ２１，ｖ２２及びコイルＬを備えている。

誘電体素体１２は、図１３に示すように、上側から見たときに、左右方向に延在する長方形状の可撓性を有する板状部材である。誘電体素体１２は、図１３に示すように、誘電体シート１８−１〜１８−７が上側から下側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２の上側の主面を表面と称し、誘電体素体１２の下側の主面を裏面と称す。

誘電体シート１８−１，１８−４，１８−７は、図１３に示すように、上側から見たときに、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８−２は、誘電体シート１８−１よりも小さい長方形状をなし、上側から見たときに、誘電体シート１８−１の外縁内に収まっている。また、誘電体シート１８−３は、誘電体シート１８−２よりも小さい長方形状をなし、上側から見たときに、誘電体シート１８−２の外縁内に収まっている。誘電体シート１８−５，１８−６の外縁は、上側から見たときに、誘電体素体１２の外縁と同じ形状をなしている。ただし、誘電体シート１８−５には、上側から見たときに、誘電体シート１８−３と一致する形状の開口Ｏｐ３が設けられている。誘電体シート１８−６には、上側から見たときに、誘電体シート１８−２と一致する形状の開口Ｏｐ４が設けられている。誘電体シート１８−１〜１８−７は、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている絶縁体層である。以下では、誘電体シート１８−１〜１８−７の上側の主面を表面と称し、誘電体シート１８−１〜１８−７の下側の主面を裏面と称す。

コイルＬは、誘電体素体１２の誘電体シート１８−４（第１の絶縁体層）の表面上に設けられている導体層であり、上側から見たときに、２周以上（本実施形態では、３周と５／８周）にわたって周回する渦巻状をなしていると共に、図１４に示すように、外周側から内周側へと近づくように周回しながら上側から下側に向かって進行する螺旋状をなしている。

コイルＬは、コイル部２２−１〜２２−４を含んでいる。コイル部２２−１（第１のコイル部）は、コイルＬにおいて最も外周側を１周する部分である。コイル部２２−２（第２のコイル部）は、コイル部２２−１から見て１番目に内周側に位置する部分である。コイル部２２−３（第３のコイル部）は、コイル部２２−１から見て２番目に内周側に位置する部分である。コイル部２２−４（第４のコイル部）は、コイル部２２−１から見て３番目に内周側に位置する部分である。

コイル部２２−１〜２２−３は、略１周分の長さを有しており、長方形の一部が切り欠かれた形状をなしている。本実施形態では、コイル部２２−１〜２２−３の後ろ側の辺の左端が切り欠かれている。コイル部２２−４は、略５／８周分の長さを有している。以下では、コイル部２２−１〜２２−４の反時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、コイル部２２−１〜２２−４の反時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。

コイル部２２−１の前後方向及び左右方向の長さはそれぞれ、コイル部２２−２の前後方向及び左右方向の長さよりも長い。コイル部２２−２の前後方向及び左右方向の長さはそれぞれ、コイル部２２−３の前後方向及び左右方向の長さよりも長い。コイル部２２−３の前後方向及び左右方向の長さはそれぞれ、コイル部２２−４の前後方向及び左右方向の長さよりも長い。また、コイル部２２−１〜２２−４の線幅は、互いに等しく、かつ、全長にわたって均一である。

更に、図１３に示すように、コイル部２２−１の下流端とコイル部２２−２の上流端とは接続されている。コイル部２２−２の下流端とコイル部２２−３の上流端とは接続されている。コイル部２２−３の下流端とコイル部２２−４の上流端とは接続されている。

なお、多層基板１０ｄのコイルＬを上側から見たときの形状は、多層基板１０ａのコイルＬを上側から見たときの形状（図３参照）と同じである。したがって、コイル部２２−１〜２２−４の線幅Ｗ１〜Ｗ４及びコイル部２２−１〜２２−４の間の隙間Ｓｐ−１〜Ｓｐ−３についての説明を省略する。

接続導体２５は、誘電体シート１８−４の表面に設けられている導体層であり、コイル部２２−１の上流端から左側に向かって延在した後、前側に向かって延在している。接続導体２７は、誘電体シート１８−７の裏面に設けられている導体層であり、誘電体シート１８−７の左側の辺の中央近傍において左右方向に延在している。接続導体２５の前端と接続導体２７の右端とは、上側から見たときに重なっている。

ビアホール導体ｖ２１は、誘電体シート１８−４〜１８−７を上下方向に貫通しており、接続導体２５の前端と接続導体２７の右端とを接続している。

接続導体２９は、誘電体シート１８−７の裏面に設けられている導体層であり、誘電体シート１８−７の中央から右側に向かって延在している。接続導体２９の左端は、上側から見たときに、コイル部２２−４の下流端と重なっている。

ビアホール導体ｖ２２は、誘電体シート１８−４，１８−７を上下方向に貫通しており、コイル部２２−４の下流端と接続導体２９の左端とを接続している。

ところで、多層基板１０ｄでは、コイルＬは、誘電体シート１８−４の表面に設けられている。そのため、コイルＬは、誘電体素体１２の積層・圧着前の状態では、平面状をなしている。ただし、コイルＬは、図１４に示すように、外周側から内周側へと近づくように周回しながら上側から下側に向かって進行する螺旋状をなしている。以下では、コイルＬが螺旋状をなすための工夫について詳細に説明する。

まず、図１５に示すように、コイルＬにおいて、最も内周側の部分を領域Ａ１と呼び、領域Ａ１の外周側に隣接する部分を領域Ａ２と呼び、領域Ａ２の外周側に隣接する部分を領域Ａ３と呼ぶ。領域Ａ１には、コイル部２２−３，２２−４が含まれている。領域Ａ２には、コイル部２２−２が含まれている。領域Ａ１と領域Ａ２との境界は、コイル部２２−２とコイル部２２−３との間に位置している。領域Ａ３には、コイル部２２−１が含まれている。領域Ａ２と領域Ａ３との境界は、コイル部２２−１とコイル部２２−２との間に位置している。すなわち、領域Ａ１は、コイルＬにおいて相対的に内周側に位置する部分であり、領域Ａ３は、コイルＬにおいて相対的に外周側に位置する部分である。

誘電体シート１８−２は、誘電体シート１８−４（第１の絶縁体層）に対して上側に積層されており、領域Ａ１，Ａ２と重なっており、かつ、領域Ａ３とは重なっていない。誘電体シート１８−３は、誘電体シート１８−４（第１の絶縁体層）に対して上側に積層されており、領域Ａ１と重なっており、かつ、領域Ａ２，Ａ３とは重なっていない。これにより、誘電体シート１８−２，１８−３（第２の絶縁体層）は、領域Ａ１，Ａ２と重なっており、かつ、領域Ａ３とは重なっていない。

誘電体シート１８−６は、誘電体シート１８−４（第１の絶縁体層）に対して下側に積層されており、領域Ａ３と重なっており、かつ、領域Ａ１，Ａ２とは重なっていない。これにより、開口Ｏｐ４は、領域Ａ２の外周側の外縁と一致している。誘電体シート１８−５は、誘電体シート１８−４（第１の絶縁体層）に対して下側に積層されており、領域Ａ３と重なっており、かつ、領域Ａ１，Ａ２とは重なっていない。これにより、開口Ｏｐ３は、領域Ａ１の外縁と一致している。また、誘電体シート１８−５，１８−６（第３の絶縁体層）は、領域Ａ１と重なっておらず、かつ、領域Ａ２，Ａ３と重なっている。

以上のような誘電体シート１８−１〜１８−７が積層・圧着されると、図１４に示すように、コイル部２２−３，２２−４は、誘電体シート１８−２，１８−３により下側に押されて、下側に移動する。更に、コイル部２２−２は、誘電体シート１８−２により下側に押されると共に、誘電体シート１８−５により上側に押される。更に、コイル部２２−１は、誘電体シート１８−６により上側に押されて、上側に移動する。その結果、図１４に示すように、コイル部２２−１〜２２−４は、上側から下側へとこの順に並ぶようになる。なお、本実施形態では、コイル部２２−３とコイル部２２−４は、上下方向において、実質的に同じ位置に存在している。誘電体シート１８−１〜１８−７が以上の様な構造を有することにより、コイルＬが螺旋状をなしている。

＜多層基板の製造方法＞
以下に、多層基板１０ｄの製造方法について図面を参照しながら説明する。以下では、一つの多層基板１０ｄが作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の多層基板１０ｄが作製される。

まず、誘電体シート１８−２，１８−３，１８−５，１８−６を準備する。具体的には、大判の誘電体シートを打ち抜き加工することにより、図１３に示す形状を有する誘電体シート１８−２，１８−３，１８−５，１８−６を得る。

次に、一方の主面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８−４，１８−７を準備する。具体的には、誘電体シート１８−４の表面に銅箔を張り付ける。誘電体シート１８−７の裏面に銅箔を張り付ける。更に、誘電体シート１８−４，１８−７の銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８−１〜１８−７は、液晶ポリマである。

次に、誘電体シート１８−４の表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図１３に示すように、コイル部２２−１〜２２−４（コイルＬ）及び接続導体２５を誘電体シート１８−４の表面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８−４の表面の銅箔上に、図１３に示すコイル部２２−１〜２２−４及び接続導体２５と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、洗浄液（レジスト除去液）を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図１３に示すような、コイル部２２−１〜２２−４及び接続導体２５が誘電体シート１８−４の表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、図１３に示すように、接続導体２７，２９を誘電体シート１８−７の裏面上に形成する。なお、接続導体２７，２９の形成工程は、コイル部２２−１〜２２−４及び接続導体２５の形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、誘電体シート１８−４〜１８−７のビアホール導体ｖ２１，ｖ２２が形成される位置にレーザービームを照射することによって貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填する。

次に、図１３に示すように、誘電体シート１８−１〜１８−７を上側から下側へとこの順に積層し、圧着処理及び加熱処理を施す。積層の際には、誘電体シート１８−２，１８−３，１８−５，１８−６を以下のように配置する。誘電体シート１８−３が領域Ａ１と重なり、かつ、領域Ａ２，Ａ３とは重ならないように、誘電体シート１８−３を誘電体シート１８−４の上側に積層する。更に、誘電体シート１８−２が領域Ａ１，Ａ２と重なり、かつ、領域Ａ３とは重ならないように、誘電体シート１８−２を誘電体シート１８−３の上側に積層する。誘電体シート１８−５が領域Ａ２，Ａ３と重なり、かつ、領域Ａ１とは重ならないように、誘電体シート１８−５を誘電体シート１８−４の下側に積層する。誘電体シート１８−６が領域Ａ３と重なり、かつ、領域Ａ１，Ａ２とは重ならないように、誘電体シート１８−６を誘電体シート１８−５の下側に積層する。

この後、誘電体シート１８−１〜１８−７を加熱しながら、誘電体シート１８−１〜１８−７を上下方向から加圧することにより、誘電体シート１８−１〜１８−７が軟化すると共に、貫通孔内の導電性ペーストが固化する。更に、平面状をなしていたコイルＬが螺旋状をなすように変形する。これにより、誘電体シート１８−１〜１８−７が接合されると共に、ビアホール導体ｖ２１，ｖ２２が形成される。以上の工程により、多層基板１０ｄが完成する。

＜効果＞
多層基板１０ｄによれば、多層基板１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

また、多層基板１０ｄでは、コイルＬが複数の導体層がビアホール導体により接続されることにより構成されているのではなく、同一の誘電体シート１８−４に形成された１つの導体層により構成されている。そのため、コイルＬの直流抵抗値を低減できると共に、コイルＬに断線が発生する可能性を低減できる。

また、多層基板１０ｄでは、誘電体シート１８−１〜１８−７が同じ材料である液晶ポリマにより作製されている。そのため、誘電体シート１８−１〜１８−７の積層・圧着時に、誘電体シート１８−１〜１８−７がより強固に融着するようになる。その結果、多層基板１０ｄにおいて層間剥離が発生することが抑制される。

また、多層基板１０ｄでは、以下に説明するように、誘電体素体１２の表面に凹凸が発生することが抑制される。より詳細には、図１４の拡大図に示すように、誘電体シート１８−１が存在しない場合には、誘電体シート１８−２の表面と誘電体シート１８−４の表面が誘電体素体１２の表面を構成するようになる。この場合には、誘電体シート１８−４が誘電体シート１８−２の下側に潜り込むため、誘電体シート１８−２と誘電体シート１８−４との境界において窪みが形成される。

そこで、多層基板１０ｄでは、誘電体シート１８−１（第４の絶縁体層）は、誘電体シート１８−２，１８−４の全面を覆うように、誘電体シート１８−２〜１８−４の上側に積層されている。これにより、誘電体シート１８−２と誘電体シート１８−４との境界に形成された窪みが誘電体シート１８−１に覆われるようになる。その結果、誘電体素体１２の表面に凹凸が発生することが抑制される。

また、多層基板１０ｄでは、誘電体シート１８−７は、誘電体シート１８−４〜１８−６の全面を覆うように、誘電体シート１８−４〜１８−６の下側に積層されている。これにより、誘電体シート１８−４と誘電体シート１８−５との境界に形成された窪み、及び、誘電体シート１８−５と誘電体シート１８−６との境界に形成された窪みが誘電体シート１８−７に覆われるようになる。その結果、誘電体素体１２の裏面に凹凸が発生することが抑制される。

また、多層基板１０ｄでは、領域Ａ１と領域Ａ２との境界は、コイル部２２−２とコイル部２２−３との間に位置している。これにより、誘電体シート１８−３の外縁がコイル部２２−２とコイル部２２−３との間に位置している。したがって、コイル部２２−３が誘電体シート１８−３に覆われ、コイル部２２−２が誘電体シート１８−３に覆われない。その結果、コイル部２２−２とコイル部２２−３との間に誘電体シート１８−３が存在するようになり、これらがより確実に離れるようになる。なお、コイル部２２−３とコイル部２２−４についても同様のことが言える。

なお、多層基板１０ｄ及びその製造方法において、誘電体シート１８−５，１８−６が設けられ、誘電体シート１８−２，１８−３が設けられなくてもよい。また、誘電体シート１８−２，１８−３が設けられ、誘電体シート１８−５，１８−６が設けられなくてもよい。すなわち、誘電体シート１８−２，１８−３、又は、誘電体シート１８−５，１８−６の少なくともいずれか一方が設けられていればよい。

また、多層基板１０ｄ及びその製造方法において、誘電体シート１８−１〜１８−３の積層順を入れ替えてもよい。同様に、誘電体シート１８−５〜１８−７の積層順を入れ替えてもよい。

（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る多層基板の構成について図面を参照しながら説明する。図１６は、第４の変形例に係る多層基板１０ｅの断面構造図である。

多層基板１０ｅは、誘電体シート１８−２，１８−３の材料において多層基板１０ｄと相違する。より詳細には、多層基板１０ｄでは、誘電体シート１８−１〜１８−７は、全て同じ材料（液晶ポリマ）により作製されている。一方、多層基板１０ｅでは、誘電体シート１８−１,１８−４〜１８−７は、液晶ポリマにより作製されており、誘電体シート１８−２，１８−３はＰＴＦＥ（フッ素系樹脂）により作製されている。これにより、誘電体シート１８−２，１８−３（第２の絶縁体層）の比誘電率は、誘電体シート１８−１，１８−４〜１８−７の比誘電率よりも低くなっている。

多層基板１０ｅによれば、多層基板１０ｄと同じ作用効果を奏することができる。

また、多層基板１０ｅによれば、コイルＬの内周側に存在する誘電体シート１８−２，１８−３の比誘電率が低いので、コイルＬに発生する静電容量が低減される。

（第５の変形例）
以下に、第５の変形例に係る多層基板の構成について図面を参照しながら説明する。図１７は、第５の変形例に係る多層基板１０ｆの断面構造図である。

多層基板１０ｆは、誘電体シート１８−２，１８−３の代わりに磁性体シート１８'−２，１８'−３が設けられている点において多層基板１０ｅと相違する。磁性体シート１８'−２，１８'−３は、例えば、フェライト粒子が分散された液晶ポリマを材料とするシートである。これにより。これにより、磁性体シート１８'−２，１８'−３（第２の絶縁体層）の比透磁率は、誘電体シート１８−１，１８−４〜１８−７の比透磁率よりも高くなっている。

多層基板１０ｆによれば、多層基板１０ｄと同じ作用効果を奏することができる。

また、多層基板１０ｆによれば、コイルＬの内周側に存在する磁性体シート１８'−２，１８'−３の比透磁率が高いので、コイルＬのインダクタンス値が大きくなる。

なお、磁性体シート１８'−２，１８'−３の代わりに、フェライトなどからなる磁性体のコアが設けられてもよい。コアは、可撓性を有さない。

（第６の変形例）
以下に、第６の変形例に係る多層基板の構成について図面を参照しながら説明する。図１８は、第６の変形例に係る多層基板１０ｇの断面構造図である。

多層基板１０ｇは、コイル部２２−４の位置において多層基板１０ａと相違する。より詳細には、多層基板１０ａでは、コイル部２２−４は、誘電体シート１８−４の裏面に設けられている。一方、多層基板１０ｇでは、コイル部２２−４は、誘電体シート１８−４の表面に設けられている。これにより、間隔ｄ１〜ｄ３が互いに等しくなる。

多層基板１０ｇによれば、多層基板１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板及びその製造方法は、前記多層基板１０ａ〜１０ｇ及びその製造方法に限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、多層基板１０ａ〜１０ｇの各構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、隙間Ｓｐ−２，Ｓｐ−３の幅ｗ２，ｗ３は互いに等しくてもよい。同様に、コイル部２２−２〜２２−４の線幅Ｗ２〜Ｗ４は互いに等しくてもよい。

また、多層基板１０ａ〜１０ｇにおいて、隙間Ｓｐ−１〜Ｓｐ−３の幅ｗ１〜ｗ３が互いに等しくてもよい。この場合には、コイル部２２−１の線幅Ｗ１がコイル部２２−２〜２２−４の線幅Ｗ２〜Ｗ４よりも細いか、又は、コイル部２２−１とコイル部２２−２との上下方向の間隔ｄ１がコイル部２２−２とコイル部２２−３との上下方向の間隔ｄ２及びコイル部２２−３とコイル部２２−４との上下方向の間隔ｄ３よりも大きければよい。

また、多層基板１０ａ〜１０ｇは、熱圧着により誘電体シート又は磁性体シートを一体化しているが、接着剤により誘電体シート又は磁性体シートを貼り合わせてもよい。ただし、熱圧着により誘電体シートまたは磁性体シートを一体化することが好ましい。これは、接着剤が用いられると、誘電体シートまたは磁性体シートの間にこれらのシートとは異なる材料の接着剤が介在することになる。その結果、接着剤がコイルＬの特性に悪影響を及ぼすおそれがあるためである。

なお、コイル部２２−１は、１周未満の長さであってもよい。ただし、コイル部２２−１が満たすべき条件は、以下の通りである。
（１）コイルＬの最外周を周回している部分であること
（２）コイル部２２−１の全長がコイル部２２−２の全長よりも長いこと

コイルＬがコイル部２２−１〜２２−ｎ＋１を含んでいる場合におけるコイル部２２−１〜２２−ｎ＋１の境界について説明する。コイル部２２−１は、コイルＬの最も外周側を周回している部分である。コイル部２２−ｍ（ｍは、２以上ｎ以下の整数）は、１周分の長さを有している。コイル部２２−ｎ＋１は、コイルＬの最も内周側を周回している部分であり、１周以下の長さを有している。

なお、コイルＬの外縁は、四角形状をなしているが、円形であってもよい。

なお、多層基板１０ａ〜１０ｃ，１０ｇにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、多層基板１０ａ〜１０ｃ，１０ｇの端部と回路基板とがはんだ等によって接続される。なお、多層基板１０ａ〜１０ｃ，１０ｇの一方の端部のみにコネクタ１００ａ又はコネクタ１００ｂが実装されてもよい。

また、コネクタ１００ａ，１００ｂは、多層基板１０ａ〜１０ｃ，１０ｇの裏面に実装されているが、多層基板１０ａ〜１０ｃ，１０ｇの表面に実装されていてもよい。また、コネクタ１００ａが多層基板１０ａ〜１０ｃ，１０ｇの表面に実装され、コネクタ１００ｂが多層基板１０ａ〜１０ｃ，１０ｇの裏面に実装されてもよい。

また、多層基板１０ａ〜１０ｇにおいて、コイルＬ以外の回路素子（例えば、コンデンサ等）が設けられていてもよい。また、信号線路２０が２つのグランド導体に上下から挟まれたストリップライン構造をなしていてもよいし、信号線路２０が１つのグランド導体と対向するマイクロストリップライン構造をなしていてもよい。

なお、多層基板１０ａ〜１０ｇは、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における多層基板として用いられてもよい。

なお、信号線路２０は、高周波信号が伝送される信号線路ではなく、例えば、電力の供給に用いられる電源線や、接地電位に保たれるグランド線等であってもよい。

以上のように、本発明は、多層基板及びその製造方法に有用であり、特に、コイルに発生する静電容量を低減できる点において優れている。

１０ａ〜１０ｇ：多層基板
１２：誘電体素体
１８'−２，１８'−３：磁性体シート
１８−１〜１８−７：誘電体シート
２０：信号線路
２２−１〜２２−４：コイル部
２４〜２７，２９：接続導体
Ｌ：コイル

Claims (17)

1. 複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている素体と、
   前記素体に設けられているコイルと、
   を備えており、
   前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、
   前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、
   前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、残余の隙間の幅よりも大きく、
   前記積層方向から見たときに、第ｍ（ｍは２以上ｎ以下の整数）の隙間の幅が第ｍ＋１の隙間の幅より大きく、
   前記第１のコイル部の線幅は、残余のコイル部の線幅よりも細いこと、
   を特徴とする多層基板。
2. 前記第ｍ（ｍは２以上ｎ以下の整数）のコイル部の線幅が前記第ｍ＋１のコイル部の線幅より細いこと、
   を特徴とする請求項１に記載の多層基板。
3. 複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている素体と、
   前記素体に設けられているコイルと、
   を備えており、
   前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、
   前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、
   前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、残余の隙間の幅よりも大きく、
   前記複数の絶縁体層は、第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を含んでおり、
   前記コイルは、前記第１の絶縁体層上に設けられている導体層であり、
   前記第２の絶縁体層は、前記第１の絶縁体層に対して前記積層方向の他方側に積層されており、前記コイルにおいて相対的に内周側に位置する部分と重なっており、かつ、該コイルにおいて相対的に外周側に位置する部分とは重なっていないこと、
   を特徴とする多層基板。
4. 複数の絶縁体層が積層方向に積層されて構成されている素体と、
   前記素体に設けられているコイルと、
   を備えており、
   前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、
   前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、
   前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、残余の隙間の幅よりも大きく、
   前記複数の絶縁体層は、第１の絶縁体層及び第３の絶縁体層を含んでおり、
   前記コイルは、前記第１の絶縁体層上に設けられている導体層であり、
   前記第３の絶縁体層は、前記第１の絶縁体層に対して前記積層方向の一方側に積層されており、前記コイルにおいて相対的に内周側に位置する部分と重なっておらず、かつ、該コイルにおいて相対的に外周側に位置する部分とは重なっていること、
   を特徴とする多層基板。
5. 前記第１のコイル部と前記第２のコイル部との前記積層方向の間隔は、該第１のコイル部以外の複数のコイル部の内の該積層方向において隣り合う２つのコイル部の該積層方向の間隔よりも大きいこと、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。
6. 前記複数の絶縁体層は、第４の絶縁体層を更に含んでおり、
   前記第４の絶縁体層は、前記第２の絶縁体層の全体を覆うように前記第１の絶縁体層及び該第２の絶縁体層に対して前記積層方向の他方側に積層されていること、
   を特徴とする請求項３に記載の多層基板。
7. 前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層は、同じ材料により作製されていること、
   を特徴とする請求項３又は請求項６のいずれかに記載の多層基板。
8. 前記第２の絶縁体層の透磁率は、前記第１の絶縁体層の透磁率よりも高いこと、
   を特徴とする請求項３又は請求項６のいずれかに記載の多層基板。
9. 前記第２の絶縁体層の誘電率は、前記第１の絶縁体層の誘電率よりも低いこと、
   を特徴とする請求項３又は請求項６のいずれかに記載の多層基板。
10. 前記複数の絶縁体層は、熱可塑性樹脂により作製されていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の多層基板。
11. 前記熱可塑性樹脂は、液晶ポリマを含むこと、
    を特徴とする請求項１０に記載の多層基板。
12. 前記素体は、可撓性を有すること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の多層基板。
13. 第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層が積層方向の一方側から他方側にこの順に積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられているコイルと、を備えており、前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、第２の隙間以降の隙間の幅よりも大きい、多層基板の製造方法であって、
    前記第１の絶縁体層上に前記コイルを形成する形成工程と、
    前記コイルの相対的に内周側に位置する部分と重なり、かつ、該コイルの相対的に外周側に位置する部分とは重ならないように、前記第２の絶縁体層を前記第１の絶縁体層の前記積層方向の他方側に積層する第１の積層工程と、
    を備えていること、
    を特徴とする多層基板の製造方法。
14. 前記素体は、第３の絶縁体層、前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層が前記積層方向の一方側から他方側にこの順に積層されて構成されており、
    前記第１の積層工程では、前記コイルにおいて相対的に内周側に位置する部分と重ならず、かつ、該コイルにおいて相対的に外周側に位置する部分とは重なるように、前記第３の絶縁体層を前記第１の絶縁体層に積層すること、
    を特徴とする請求項１３に記載の多層基板の製造方法。
15. 前記第１の絶縁体層ないし前記第３の絶縁体層を前記積層方向から加圧する加圧工程を、
    更に備えていること、
    を特徴とする請求項１４に記載の多層基板の製造方法。
16. 前記素体は、熱可塑性樹脂により作製されており、
    前記第１の積層工程では、前記第１の絶縁体層ないし前記第３の絶縁体層を加熱すること、
    を特徴とする請求項１５に記載の多層基板の製造方法。
17. 第１の絶縁体層及び第３の絶縁体層が積層方向の他方側から一方側にこの順に積層されて構成されている素体と、前記素体に設けられているコイルと、を備えており、前記コイルは、前記積層方向から見たときに２周より多く周回する渦巻状をなしていると共に、外周側から内周側に近づくように周回しながら該積層方向の一方側に向かって進行する螺旋状をなしており、前記コイルにおいて最も外周側を周回する部分が第１のコイル部と定義され、該第１のコイル部から見て内周側に向かってｎ（ｎは自然数）番目に位置する部分が第ｎ＋１のコイル部と定義され、第ｎのコイル部と第ｎ＋１のコイル部との間の隙間が第ｎの隙間と定義され、前記積層方向から見たときに、前記第１の隙間の幅は、第２の隙間以降の隙間の幅よりも大きい、多層基板の製造方法であって、
    前記第１の絶縁体層上に前記コイルを形成する工程と、
    前記コイルにおいて相対的に内周側に位置する部分と重ならず、かつ、該コイルにおいて相対的に外周側に位置する部分とは重なるように、前記第３の絶縁体層を前記第１の絶縁体層の前記積層方向の一方側に積層する工程と、
    を備えていること、
    を特徴とする多層基板の製造方法。