JP6508354B2

JP6508354B2 - 多層基板

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Publication number: JP6508354B2
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Inventors: 直樹郷地
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
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Description

本発明は、複数の絶縁体層が積層されて構成された多層基板に関する。

従来の多層基板に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のフレキシブル基板が知られている。図７は、特許文献１に記載のフレキシブル基板５１０の分解図である。

フレキシブル基板５１０は、誘電体素体５１２、信号線５２０及びグランド導体５２２，５２４を備えている。誘電体素体５１２は、誘電体シート５１８ａ〜５１８ｃが上側から下側へとこの順に積層されて構成されている。信号線５２０は、誘電体シート５１８ｂの表面に設けられている。グランド導体５２２は、誘電体シート５１８ａの表面に設けられている。グランド導体５２４は、誘電体シート５１８ｃの裏面に設けられている。これにより、信号線５２０及びグランド導体５２２，５２４は、ストリップライン構造をなしている。

ところで、フレキシブル基板５１０において、マイクロストリップライン構造を構成したい場合には、例えば、誘電体シート５１８ａ及びグランド導体５２２を取り除くことが考えられる。これにより、信号線５２０及びグランド導体５２４は、マイクロストリップライン構造をなすようになる。

しかしながら、本願発明者は、上記のようなマイクロストリップライン構造を有するフレキシブル基板では、フレキシブル基板に外力が加わった場合やフレキシブル基板の温度が変化した場合等に、誘電体シート５１８ｂと誘電体シート５１８ｃとの境界において層間剥離が発生しやすいことを発見した。

特開２０１４−８６６５５号公報

そこで、本発明の目的は、層間剥離の発生を抑制できる多層基板を提供することである。

本発明の一形態に係る多層基板は、第１の主面及び第２の主面を有する第１の絶縁体層と第３の主面及び第４の主面を有する第２の絶縁体層とを少なくとも含む複数の絶縁体層が積層方向に積層されることにより構成され、かつ、可撓性を有する素体と、第１の導体層と、第２の導体層と、を備えており、前記第２の主面と前記第３の主面とは接触しており、前記第２の主面及び前記第３の主面には面状または線状の導体層が設けられておらず、前記第１の導体層は、前記第１の主面に設けられ、前記第２の導体層は、前記第４の主面に設けられ、前記複数の絶縁体層が前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層以外の１以上の別の絶縁体層を含む場合には、該１以上の別の絶縁体層には導体層が設けられておらず、前記第１の主面の面積に対する前記第１の導体層の面積の割合は、前記第４の主面の面積に対する前記第２の導体層の面積の割合よりも小さく、前記第１の絶縁体層の厚みは、前記第２の絶縁体層の厚みよりも小さく、前記第１の絶縁体層の材料と前記第２の絶縁体層の材料とは同じであること、を特徴とする。

本発明によれば、多層基板の層間剥離の発生を抑制できる。

図１は、本発明の一実施形態に係る多層基板１０の外観斜視図である。図２は、本発明の一実施形態に係る多層基板１０の分解斜視図である。図３は、図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。図４は、多層基板１０が折り曲げ加工される際の説明図である。図５は、多層基板１０が用いられた電子機器５０の一部を抽出した図である。図６Ａは、表面が上側に突出するように曲がった際の多層基板１０の断面構造図である。図６Ｂは、表面が下側に出するように曲がった際の多層基板１０の断面構造図である。図６Ｃは、変形例に係る多層基板１０ａの断面構造図及び拡大図である。図６Ｄは、多層基板１０ａの製造時の工程断面図である。図６Ｅは、多層基板１０ａの製造時の工程断面図である。図６Ｆは、多層基板１０ａの右端近傍及びコネクタ１００ｂの断面構造図である。図７は、特許文献１に記載のフレキシブル基板５１０の分解図である。

（実施形態）
＜多層基板の構成＞
以下に、本発明の一実施形態に係る多層基板１０の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る多層基板１０の外観斜視図である。図２は、本発明の一実施形態に係る多層基板１０の分解斜視図である。図３は、図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下では、多層基板１０の積層方向を上下方向と定義する。また、上側から見たときに、多層基板１０が延在している方向を左右方向と定義し、上下方向及び左右方向に直交する方向を前後方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は互いに直交している。

多層基板１０は、携帯電話等の電子機器内に設けられ、例えば、２つの回路基板を接続する信号線路である。多層基板１０は、表面及び裏面を有する帯状をなすフレキシブル基板であり、図１及び図２に示すように、素体１２、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ、グランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２及びビアホール導体ｖ１〜ｖ４を備えている。なお、図２では、ビアホール導体ｖ１〜ｖ４については、代表的なビアホール導体にのみ参照符号を付した。

素体１２は、左右方向に延在する帯状をなしており、可撓性を有している。また、素体１２は、図１及び図２に示すように、保護層１５ａ、絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ｂ（複数の絶縁体層の一例）が上側から下側へとこの順に積層されて構成されている。以下では、素体１２の上側の主面を表面と称し、素体１２の下側の主面を裏面と称す。

絶縁体シート１６ａ，１６ｂ（第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層の一例）は、上側から見たときに、左右方向に延在する帯状をなしており、素体１２と同じ形状をなしている。絶縁体シート１６ａ，１６ｂは、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により作製されている絶縁体層である。図３に示すように、絶縁体シート１６ａの厚みｄ１は、絶縁体シート１６ｂの厚みｄ２よりも小さい。絶縁体シート１６ａは、上側の主面（第１の主面の一例）及び下側の主面（第２の主面の一例）を有している。絶縁体シート１６ｂは、上側の主面（第３の主面の一例）及び下側の主面（第４の主面の一例）を有している。以下では、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの上側の主面を表面と称し、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの下側の主面を裏面と称す。

絶縁体シート１６ａの裏面と絶縁体シート１６ｂの表面とは接触している。本実施形態では、後述するように、絶縁体シート１６ａ，１６ｂは熱圧着されているので、絶縁体シート１６ａの裏面と絶縁体シート１６ｂの表面とは溶着している。溶着とは、絶縁体シート１６ａの裏面と絶縁体シート１６ｂの表面とが、加熱により溶融させられた後に冷却により固化させられることによって、一体化されることである。また、絶縁体シート１６ａの裏面及び絶縁体シート１６ｂの表面には、グランド導体層や信号線路導体層のような面状又は線状の導体層が設けられていない。

信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ（第１の導体層の一例）は、図１及び図２に示すように、絶縁体シート１６ａの表面に設けられている。グランド導体層２０ａ、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ｂは、左右方向に延在する直線状の導体層であり、後ろ側から前側へとこの順に並んでいる。従って、素体１２が延在する方向と信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが延在する方向とは同じである。

ここで、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａの表面に設けられていることについてより詳細に説明する。信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａの表面に設けられているとは、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａの表面に固着していることを意味する。また、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが固着しているとは、絶縁体シート１６ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが形成されていることや、絶縁体シート１６ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが形成されていること等により、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａの表面からアンカー効果によって剥離しにくくなっていることを意味する。また、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの表面には平滑化が施されるので、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａに接している面の表面粗さは信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。

グランド導体層２２（第２の導体層の一例）は、図２に示すように、絶縁体シート１６ｂの裏面に設けられている。グランド導体層２２は、左右方向に延在する面状の導体層であり、絶縁体シート１６ｂの裏面の大部分を覆っている。これにより、グランド導体層２２は、上側から見たときに、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂと重なっている。グランド導体層２２が絶縁体シート１６ｂの裏面に設けられている点については、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａの表面に設けられている点と同じであるので、説明を省略する。

また、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂは、絶縁体シート１６ａの表面の一部を覆っており、グランド導体層２２は、絶縁体シート１６ｂの裏面の大部分を覆っている。従って、絶縁体シート１６ａの表面の面積に対する信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの面積の割合は、絶縁体シート１６ｂの裏面の面積に対するグランド導体層２２の面積の割合よりも小さい。

以上のような信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２は、銅箔等の金属箔により構成されている。

複数のビアホール導体ｖ１（第１のビアホール導体の一例）は、絶縁体シート１６ａを上下方向に貫通している。複数のビアホール導体ｖ２（第２のビアホール導体の一例）は、絶縁体シート１６ｂを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１，ｖ２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体層２０ａとグランド導体層２２とを接続している。また、複数のビアホール導体ｖ１，ｖ２は、等間隔に左右方向に一列に配置されている。

複数のビアホール導体ｖ３（第１のビアホール導体の一例）は、絶縁体シート１６ａを上下方向に貫通している。複数のビアホール導体ｖ４（第２のビアホール導体の一例）は、絶縁体シート１６ｂを上下方向に貫通している。ビアホール導体ｖ３，ｖ４は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体層２０ｂとグランド導体層２２とを接続している。また、複数のビアホール導体ｖ３，ｖ４は、等間隔に左右方向に一列に配置されている。

以上のような複数のビアホール導体ｖ１〜ｖ４は、例えば、Ｃｕ−Ｓｎ系の導電性ペーストが焼結されることにより形成される。

保護層１５ａ（別の絶縁体層の一例）は、絶縁体シート１６ａの表面の大部分を覆っている絶縁体層である。ただし、保護層１５ａは、絶縁体シート１６ａの左端近傍及び右端近傍を覆っていない。これにより、信号線路導体層１８ａ，１８ｂの両端及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの両端は、素体１２外に露出しており、コネクタとの接続のための外部電極として機能する。保護層１５ａは、エポキシ樹脂等の樹脂により作製される。

保護層１５ｂ（別の絶縁体層の一例）は、絶縁体シート１６ｂの裏面の全面を覆っている絶縁体層である。保護層１５ｂは、エポキシ樹脂等の樹脂により作製される。グランド導体層２２は、保護層１５ｂに対して固着していないか、又は、絶縁体シート１６ｂの裏面よりも弱く保護層１５ｂに対して固着している。

また、保護層１５ａ，１５ｂには、導体パターンが設けられていない。保護層１５ａ，１５ｂに導体パターンが設けられていないとは、保護層１５ａ，１５ｂにインダクタやコンデンサ等の回路素子を構成する導体層や、配線やグランド導体等の導体層、ビアホール導体等の層間接続導体が設けられていないことを意味する。ただし、保護層１５ａ，１５ｂには、方向識別マーク等の電気回路的に意義のない導体層は設けられていてもよい。

また、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２を構成する材料の弾性率と絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の弾性率とは異なる。本実施形態では、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２の材料は銅であり、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの材料は液晶ポリマであり、保護層１５ａ，１５ｂの材料はエポキシ樹脂である。よって、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２の材料の弾性率は、絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の弾性率よりも大きい。これにより、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２は、絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂよりも変形しにくくなっている。

また、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２を構成する材料の線膨張係数と絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の線膨張係数とは異なる。本実施形態では、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２の材料の線膨張係数は、絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の線膨張係数よりも小さい。

以上のように構成された多層基板１０は、例えば、電子機器内において２つの回路基板を接続する際に用いられる。図４は、多層基板１０が折り曲げ加工される際の説明図である。図５は、多層基板１０が用いられた電子機器５０の一部を抽出した図である。

多層基板１０は、図４及び図５に示すように、折り曲げ加工が施されて用いられる。より詳細には、多層基板１０は、左右方向の中央近傍において、表面が谷折りされると共に表面が山折りされることにより、クランク状をなしている。このように多層基板１０を２箇所において折り曲げるために、図４に示すように、段差を有するツールＴ１，Ｔ２により上下両側から多層基板１０を挟む。この際、ツールＴ１，Ｔ２に内蔵されたヒータ等の加熱手段により多層基板１０を加熱し、冷却する。これにより、多層基板１０が塑性変形し、多層基板１０に折り曲げ加工が施される。

電子機器５０は、図５に示すように、回路基板２００ａ，２００ｂ及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。回路基板２００ｂは、回路基板２００ａの右側に設けられている。また、回路基板２００ｂの上側の主面は、回路基板２００ａの上側の主面よりも上側に位置している。

コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、回路基板２００ａ，２００ｂの上側の主面に実装されている。そして、多層基板１０の左端がコネクタ１００ａに対して挿入されることにより多層基板１０とコネクタ１００ａとが電気的に接続され、多層基板１０の右端がコネクタ１００ｂに対して挿入されることにより多層基板１０とコネクタ１００ｂとが電気的に接続される。このように、多層基板１０は、折り曲げられた形状に塑性変形が施され、更に、可撓性を有している。そのため、多層基板１０は、異なる高さに位置する２つのコネクタ１００ａ，１００ｂを接続することが可能である。以上のような多層基板１０では、信号線路導体層１８ａ，１８ｂにはデジタル信号が伝送される。また、信号線路導体層１８ａ，１８ｂは、差動伝送線路として用いられる。

＜多層基板の製造方法＞
以下に、多層基板１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。以下では、一つの多層基板１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の絶縁体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の多層基板１０が作製される。

まず、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により作製された絶縁体シート１６ａ，１６ｂを準備する。次に、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの一方の主面の全面に銅箔を形成する。具体的には、絶縁体シート１６ａの表面及び絶縁体シート１６ｂの裏面のそれぞれに銅箔を張り付ける。更に、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。なお、銅箔以外の金属箔が用いられてもよい。

次に、絶縁体シート１６ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２に示すように、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂを絶縁体シート１６ａの表面上に形成する。具体的には、絶縁体シート１６ａの表面の銅箔上に、図２に示す信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂと同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、洗浄液（レジスト除去液）を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２に示すような、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。

次に、図２に示すように、グランド導体層２２を絶縁体シート１６ｂの裏面上に形成する。なお、グランド導体層２２の形成工程は、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの形成工程と同じであるので説明を省略する。

次に、絶縁体シート１６ａ，１６ｂにおけるビアホール導体ｖ１〜ｖ４が形成される位置に、絶縁体シート１６ａの裏面及び絶縁体シート１６ｂの表面からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。更に、貫通孔に対して、Ｃｕ−Ｓｎ系の導電性ペーストを充填する。

次に、絶縁体シート１６ａ，１６ｂを積層し圧着する。具体的には、絶縁体シート１６ａ，１６ｂを積層した後、絶縁体シート１６ａ，１６ｂに対して加圧処理及び加熱処理（すなわち、熱圧着）を施す。加圧処理は、上下方向から絶縁体シート１６ａ，１６ｂを挟むことにより行う。絶縁体シート１６ａ，１６ｂに対して加圧処理及び加熱処理が施されることにより、絶縁体シート１６ａ，１６ｂが軟化すると共に、貫通孔内の導電性ペーストが固化する。これにより、絶縁体シート１６ａ，１６ｂが接合されると共に、ビアホール導体ｖ１〜ｖ４が形成される。

次に、絶縁体シート１６ａの表面及び絶縁体シート１６ｂの裏面のそれぞれに樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、保護層１５ａ，１５ｂを形成する。以上の工程を経て、多層基板１０が完成する。

＜効果＞
本実施形態に係る多層基板１０によれば、絶縁体シート１６ａと絶縁体シート１６ｂとの境界において層間剥離が発生することを抑制できる。図６Ａは、表面が上側に突出するように曲がった際の多層基板１０の断面構造図である。図６Ｂは、表面が下側に突出するように曲がった際の多層基板１０の断面構造図である。

電子機器５０が落下等により衝撃を受けた場合には、多層基板１０が図６Ａ及び図６Ｂに示すように曲るおそれがある。以下では、図６Ａのように多層基板１０の表面が上側に突出するように曲った場合を例に挙げて説明する。この場合、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２が上側に突出するように湾曲する。信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２の材料の弾性率は、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの材料の弾性率よりも大きい。そのため、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２は、絶縁体シート１６ａ，１６ｂよりも変形しにくい。よって、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂと絶縁体シート１６ａとの界面αでは、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂから絶縁体シート１６ａに大きな力Ｆ１が加わる。力Ｆ１は、界面αから上側に離れるにしたがって弱くなっていく。同様に、グランド導体層２２と絶縁体シート１６ｂとの界面βでは、グランド導体層２２から絶縁体シート１６ｂに大きな力Ｆ２が加わる。力Ｆ２は、界面βから離れるにしたがって弱くなっていく。

ここで、絶縁体シート１６ａの表面の面積に対する信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの面積の割合は、絶縁体シート１６ｂの裏面の面積に対するグランド導体層２２の面積の割合よりも小さい。従って、力Ｆ１は力Ｆ２よりも小さい。そのため、絶縁体シート１６ａ，１６ｂにおける下半分の領域の方が絶縁体シート１６ａ，１６ｂにおける上半分の領域よりも大きな力が発生している。

そこで、多層基板１０では、絶縁体シート１６ａの厚みｄ１は絶縁体シート１６ｂの厚みｄ２よりも小さくなっている。これにより、絶縁体シート１６ａと絶縁体シート１６ｂとの境界は、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの上半分に位置するようになり、大きな力を受けにくくなる。その結果、絶縁体シート１６ａと絶縁体シート１６ｂとの境界において層間剥離が発生することが抑制される。なお、図６Ｂのように多層基板１０の表面が下側に突出するように曲った場合においても、多層基板１０の表面が上側に突出するように曲った場合と同じことが言える。

また、本実施形態に係る多層基板１０によれば、以下の理由によっても、絶縁体シート１６ａと絶縁体シート１６ｂとの境界において層間剥離が発生することを抑制できる。

多層基板１０では、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２を構成する材料の線膨張係数と絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の線膨張係数とは異なる。以下では、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２を構成する材料の線膨張係数が絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の線膨張係数よりも小さい場合を例に挙げて説明する。

電子機器５０の温度上昇によって多層基板１０が加熱されると、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ、グランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２、絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂに伸びが発生する。信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２を構成する材料の線膨張係数は、絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の線膨張係数よりも小さい。そのため、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２の伸び量は絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂの伸び量よりも小さい。このように、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２の伸び量と絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂの伸び量とに差が生じると、これらの界面において絶縁体シート１６ａ，１６ｂが伸びることを妨げる拘束力が生じる。

ただし、絶縁体シート１６ａの表面の面積に対する信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの面積の割合は、絶縁体シート１６ｂの裏面の面積に対するグランド導体層２２の面積の割合よりも小さい。従って、絶縁体シート１６ａの表面が伸びることを信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが妨げる拘束力は、絶縁体シート１６ｂの裏面が伸びることをグランド導体層２２が妨げる拘束力よりも小さくなる。そのため、絶縁体シート１６ｂの伸び量は絶縁体シート１６ａの伸び量よりも小さい。その結果、多層基板１０は、図６Ａに示すように表面が上側に突出するように湾曲する。

表面が上側に突出するように多層基板１０が湾曲すると、界面αでは、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂから絶縁体シート１６ａに大きな力Ｆ３が加わり、界面βでは、グランド導体層２２から絶縁体シート１６ｂに大きな力Ｆ４が加わる。

ここで、絶縁体シート１６ａの表面の面積に対する信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの面積の割合は、絶縁体シート１６ｂの裏面の面積に対するグランド導体層２２の面積の割合よりも小さい。従って、力Ｆ３は力Ｆ４よりも小さい。そのため、絶縁体シート１６ａ，１６ｂにおける下半分の領域の方が絶縁体シート１６ａ，１６ｂにおける上半分の領域よりも大きな力が発生している。

そこで、多層基板１０では、絶縁体シート１６ａの厚みｄ１は絶縁体シート１６ｂの厚みｄ２よりも小さくなっている。これにより、絶縁体シート１６ａと絶縁体シート１６ｂとの境界は、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの上半分に位置するようになり、大きな力を受けにくくなる。その結果、絶縁体シート１６ａと絶縁体シート１６ｂとの境界において層間剥離が発生することが抑制される。

なお、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２を構成する材料の線膨張係数が絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の線膨張係数よりも大きい場合には、多層基板１０は、図６Ｂに示すように、表面が下側に突出するように湾曲する。この場合も、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ，２２を構成する材料の線膨張係数が絶縁体シート１６ａ，１６ｂ及び保護層１５ａ，１５ｂを構成する材料の線膨張係数よりも小さい場合と同じ理由により、絶縁体シート１６ａと絶縁体シート１６ｂとの境界において層間剥離が発生することが抑制される。

また、多層基板１０によれば、グランド導体層２０ａ，２０ｂとグランド導体層２２とを接続する層間接続導体にビアホール導体ｖ１〜ｖ４を用いることができる。より詳細には、多層基板１０において、２層の絶縁体シート１６ａ，１６ｂを用いる代わりに、１層の絶縁体シートを用いることが考えられる。以下では、１層の絶縁体シートが用いられた多層基板を比較例に係る多層基板と呼ぶ。比較例に係る多層基板では、１層の絶縁体シートの表面に信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが設けられ、１層の絶縁体シートの裏面にグランド導体層２２が設けられる。そして、１層の絶縁体シートを上下方向に貫通する層間接続導体により、グランド導体層２０ａ，２０ｂとグランド導体層２２とが接続される。

しかしながら、比較例に係る多層基板では、層間接続導体として、ビアホール導体を用いることが困難であり、スルーホール導体を用いる必要がある。より詳細には、比較例に係る多層基板では、絶縁体シートの両面に金属箔が設けられている。そのため、ビアホール導体を形成する際には、絶縁体シートにレーザービームを照射して、一方の金属箔及び絶縁体層を貫通し、かつ、他方の金属箔を貫通しない貫通孔を形成する。そして、貫通孔に導電性ペーストを充填する。そのため、レーザービームの強度の調整が難しい。具体的には、レーザービームの強度が強すぎると他方の金属箔を貫通孔が貫通してしまう。この場合には、導電性ペーストが貫通孔から漏れてしまう。一方、レーザービームの強度が弱すぎると絶縁体シートを貫通孔が貫通しない。この場合には、ビアホール導体と金属箔との間で接続不良が発生する。

そこで、多層基板１０では、絶縁体シート１６ａの表面に信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが設けられ、絶縁体シート１６ｂの裏面にグランド導体層２２が設けられる。その結果、絶縁体シート１６ａの裏面及び絶縁体シート１６ｂの表面からレーザービームを照射して、貫通孔を形成することが可能である。その結果、多層基板１０では、グランド導体層２０ａ，２０ｂとグランド導体層２２とを接続する層間接続導体にビアホール導体ｖ１〜ｖ４を用いることができる。

（変形例）
以下に、変形例に係る多層基板１０ａについて図面を参照しながら説明する。図６Ｃは、変形例に係る多層基板１０ａの断面構造図及び拡大図である。図６Ｃは、図１のＡ−Ａにおける断面構造図に相当する。

多層基板１０ａは、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの一部が絶縁体シート１６ａに埋没している点、及び、グランド導体層２２の一部が絶縁体シート１６ｂに埋没している点において多層基板１０と相違する。以下に係る相違点を中心に多層基板１０について説明する。また、図３では、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ、２２の上面の表面粗さと下面の表面粗さとの差を表現していない。一方、図６Ｃでは、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂ、２２の上面の表面粗さと下面の表面粗さとの差を表現した。

図６Ｃに示すように、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの下面近傍は、絶縁体シート１６ａに埋没している。より詳細には、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂは、Ｄ２の厚みだけ絶縁体シート１６ａに埋没しており、Ｄ１の厚みだけ絶縁体シート１６ａから上側に突出している。そして、Ｄ１とＤ２との間には、Ｄ１＜Ｄ２の関係が成立している。

また、グランド導体層２２の上面近傍は、絶縁体シート１６ｂに埋没している。より詳細には、グランド導体層２２は、Ｄ２の厚みだけ絶縁体シート１６ｂに埋没しており、Ｄ１の厚みだけ絶縁体シート１６ｂから上側に突出している。そして、Ｄ１とＤ２との間には、Ｄ１＜Ｄ２の関係が成立している。多層基板１０ａのその他の構成は、多層基板１０と同じであるので説明を省略する。

次に、多層基板１０ａの製造方法について説明する。図６Ｄ及び図６Ｅは、多層基板１０ａの製造時の工程断面図である。なお、多層基板１０ａの製造方法において、絶縁体シート１６ａ，１６ｂの圧着工程以外は、多層基板１０の製造方法と同じである。そのため、以下では、圧着工程のみ説明し、他の工程の説明については省略する。

図６Ｄに示すように、絶縁体シート１６ａ，１６ｂを積層する。この段階では、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂは、絶縁体シート１６ａに埋没しておらず、絶縁体シート１６ａの表面上に位置している。同様に、グランド導体層２２は、絶縁体シート１６ｂに埋没しておらず、絶縁体シート１６ｂの裏面上に位置している。

次に、図６Ｃに示すように、絶縁体シート１６ａ，１６ｂに対して加圧処理及び加熱処理（すなわち、熱圧着）を施す。この際、多層基板１０の製造時よりも大きな力で金型を押すことにより熱圧着を施す。これにより、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａに押し込まれて絶縁体シート１６ａに埋没する。同様に、グランド導体層２２が絶縁体シート１６ｂに押し込まれて絶縁体シート１６ｂに埋没する。

以上のように構成された多層基板１０ａは、多層基板１０と同じ作用効果を奏することができる。

また、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａに埋没しているので、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａから剥離することが抑制される。同様に、グランド導体層２２が絶縁体シート１６ｂに埋没しているので、グランド導体層２２が絶縁体シート１６ｂから剥離することが抑制される。本実施形態では、Ｄ１＜Ｄ２の関係が成立している。すなわち、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂにおいて、絶縁体シート１６ａに埋没している量が絶縁体シート１６ａに埋没していない量よりも大きい。これにより、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの剥離がより効果的に抑制されるようになる。同様に、グランド導体層２２において、絶縁体シート１６ｂに埋没している量が絶縁体シート１６ｂに埋没していない量よりも大きい。これにより、グランド導体層２２の剥離がより効果的に抑制されるようになる。

また、多層基板１０ａによれば、保護層１５ａの材料の選択肢が広がる。より詳細には、多層基板１０では、信号線路導体層１８ａと信号線路導体層１８ｂとの間には、保護層１５ａが存在している。一方、多層基板１０ａでは、信号線路導体層１８ａと信号線路導体層１８ｂとの間には、保護層１５ａ及び絶縁体シート１６ａが存在している。絶縁体シート１６ａの材料には、液晶ポリマ等の比較的に比誘電率が低い材料が用いられる。そのため、信号線路導体層１８ａと信号線路導体層１８ｂとの間の比誘電率は、多層基板１０ａの方が多層基板１０よりも低くなる。すなわち、信号線路導体層１８ａと信号線路導体層１８ｂとの間の容量は、多層基板１０ａの方が多層基板１０よりも小さくなる。そこで、多層基板１０ａの保護層１５ａの比誘電率を多層基板１０の保護層１５ａの比誘電率よりも高くしてもよい。また、信号線路導体層１８ａと信号線路導体層１８ｂとの間の容量は小さいことが好ましいので、多層基板１０ａの保護層１５ａの比誘電率を多層基板１０の保護層１５の比誘電率と等しくしてもよい。すなわち、多層基板１０ａでは、保護層１５ａの比誘電率の自由度が高くなる。その結果、多層基板１０ａでは、保護層１５ａの材料の選択肢が広がる。

また、多層基板１０ａでは、多層基板１０ａをコネクタ１００ａ，１００ｂにスムーズに挿入することができる。以下に、多層基板１０ａをコネクタ１００ｂに挿入する場合を例に挙げて説明する。図６Ｆは、多層基板１０ａの右端近傍及びコネクタ１００ｂの断面構造図である。

多層基板１０ａの右端は、コネクタ１００ｂの凹部に挿入される。コネクタ１００ｂの凹部内には、端子３００が設けられている。端子３００は、上側から信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂに接触する。

ここで、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂと絶縁体シート１６ａの上面との間には段差が存在する。そのため、多層基板１０ａの挿入時には、端子３００が段差において引っかかる恐れがある。ただし、多層基板１０ａでは、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂの一部が絶縁体シート１６ａに埋没している。そのため、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂと絶縁体シート１６ａの上面との間の段差が小さくなる。その結果、端子３００が段差において引っかかることが抑制され、多層基板１０ａをコネクタ１００ｂにスムーズに挿入することができる。更に、端子３００が段差において引っかかることが抑制されると、多層基板１０ａの挿入時に、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが端子３００から受ける力が小さくなる。その結果、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが絶縁体シート１６ａから剥離することが抑制される。なお、多層基板１０ａをコネクタ１００ａに挿入する場合については、多層基板１０ａをコネクタ１００ｂに挿入する場合と同じであるので説明を省略する。

（その他の実施形態）
本発明に係る多層基板は、前記多層基板１０，１０ａに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、多層基板１０，１０ａの構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、素体１２は、保護層１５ａ，１５ｂを含んでいなくてもよい。すなわち、素体１２は、少なくとも絶縁体シート１６ａ，１６ｂを含んでいればよい。ただし、保護層１５ａ，１５ｂの代わりに、絶縁体シート１６ａ，１６ｂと同じ材料により作製された絶縁体層が設けられていてもよい。

また、多層基板１０，１０ａにおいて、絶縁体シート１６ａの表面には、信号線路導体層１８ａ，１８ｂ及びグランド導体層２０ａ，２０ｂが設けられているとしたが、その他の導体層（例えば、インダクタ導体層やコンデンサ導体層など）が設けられていてもよい。同様に、絶縁体シート１６ｂの裏面には、グランド導体層２２が設けられているとしたが、その他の導体層（例えば、インダクタ導体層やコンデンサ導体層など）が設けられていてもよい。

また、ビアホール導体ｖ１〜ｖ４は必ずしも設けられていなくてもよい。

また、多層基板１０，１０ａは、２つの回路基板を接続する信号線路であるが、例えば、表面上に電子部品が実装される回路基板であってもよい。

以上のように、本発明は、多層基板に有用であり、特に、層間剥離の発生を抑制できる点において優れている。

１０，１０ａ：多層基板
１２：素体
１５ａ，１５ｂ：保護層
１６ａ，１６ｂ：絶縁体シート
１８ａ，１８ｂ：信号線路導体層
２０ａ，２０ｂ，２２：グランド導体層
ｖ１〜ｖ４：ビアホール導体
α，β：界面

Claims

第１の主面及び第２の主面を有する第１の絶縁体層と第３の主面及び第４の主面を有する第２の絶縁体層とを少なくとも含む複数の絶縁体層が積層方向に積層されることにより構成され、かつ、可撓性を有する素体と、
第１の導体層と、
第２の導体層と、
を備えており、
前記第２の主面と前記第３の主面とは接触しており、
前記第２の主面及び前記第３の主面には面状又は線状の導体層が設けられておらず、
前記第１の導体層は、前記第１の主面に設けられ、
前記第２の導体層は、前記第４の主面に設けられ、
前記複数の絶縁体層が前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層以外の１以上の別の絶縁体層を含む場合には、該１以上の別の絶縁体層には導体層が設けられておらず、
前記第１の主面の面積に対する前記第１の導体層の面積の割合は、前記第４の主面の面積に対する前記第２の導体層の面積の割合よりも小さく、
前記第１の絶縁体層の厚みは、前記第２の絶縁体層の厚みよりも小さく、
前記第１の絶縁体層の材料と前記第２の絶縁体層の材料とは同じであること、
を特徴とする多層基板。
前記第１の導体層及び前記第２の導体層を構成する材料の弾性率と前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層を構成する材料の弾性率とは異なること、
を特徴とする請求項１に記載の多層基板。
前記第１の導体層及び前記第２の導体層を構成する材料の線膨張係数と前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層を構成する材料の線膨張係数とは異なること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の多層基板。
前記第１の絶縁体層を前記積層方向に貫通する第１のビアホール導体と、
前記第２の絶縁体層を前記積層方向に貫通する第２のビアホール導体と、
を更に備えており、
前記第１のビアホール導体と前記第２のビアホール導体とは、互いに接続されることにより、前記第１の導体層と前記第２の導体層とを接続していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板。
前記第１の導体層は、線状の信号線路導体層を含んでおり、
前記第２の導体層は、面状のグランド導体層を含んでいること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層基板。
前記素体は帯状をなしていること、
を特徴とする請求項５に記載の多層基板。