CN105047358A - 共模滤波器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种共模滤波器及用于制造该共模滤波器的方法。根据本发明的实施例的共模滤波器包括：磁性基板；第一线圈电极，该第一线圈电极形成在该磁性基板上；第一铅电极，该第一铅电极形成在该磁性基板上；第一介电层，该第一介电层形成在该磁性基板上；高度补偿电极，该高度补偿电极形成在该第一铅电极的上表面上；第二线圈电极，该第二线圈电极形成在该第一介电层上；第二铅电极，该第二铅电极形成在该第一介电层上；第二介电层，该第二介电层形成在第一介电层上；以及外部电极，该外部电极形成在该第二介电层上。

Description

共模滤波器及其制造方法
相关申请的交叉引证
本申请要求于2014年4月22日在韩国知识产权局提交的申请号为第10-2014-0048305号的韩国专利的优先权，其全部内容通过引证结合于此。
技术领域
本发明涉及一种共模滤波器以及该共模滤波器的制造方法。
背景技术
高速数字接口(诸如USB)需要一种处理噪音的部件。能选择性地移除共模噪音的这种部件中的一个为共模滤波器。
当阻抗在布线系统中未并联时可产生共模噪音。该共模噪音经常产生为较高频率的。这是因为共模噪音还可例如被传递至地面并被大循环地反弹回来，共模噪音在远处的电子设备中引起各种类型的噪音干扰。
共模滤波器可允许差模信号绕过(bypass)同时选择性地移除共模噪音。在该共模滤波器中，磁通量通过差模信号被抵消，不引起电感产生并允许差模信号绕过。另一方面，磁通量通过共模噪音而被增大，使得电感增大且允许噪音被移除。
在公开号为第2011-0129844号的韩国专利(共模噪音滤波器；在2011年12月6日特许公开)中披露了本发明的现有技术。
发明内容
本发明提供一种可减少线圈电极与铅电极之间的高度差的共模滤波器及其制造方法。
本发明的一个方面提供一种共模滤波器，该共模滤波器包括：磁性基板；第一线圈电极，该第一线圈电极形成在该磁性基板上；第一铅电极，该第一铅电极形成在该磁性基板上以与该第一线圈电极的端部连接；第一介电层，该第一介电层形成在该磁性基板上以覆盖该第一线圈电极的上表面和该第一铅电极的上表面；高度补偿电极，该高度补偿电极形成在该第一铅电极的上表面上，以便补偿该第一介电层与该第一铅电极之间的高度差；第二线圈电极，该第二线圈电极形成在该第一介电层上以与该第一线圈电极电连接；第二铅电极，该第二铅电极形成在该第一介电层上以与该第二线圈电极的端部连接并与该高度补偿电极的上表面接触；第二介电层，该第二介电层形成在该第一介电层上以覆盖该第二线圈电极的上表面和该第二铅电极的上表面；以及外部电极，该外部电极形成在第二介电层上以与该第二铅电极电连接。
该第一介电层中可形成有凹槽，以允许该第一铅电极暴露，并且该高度补偿电极可形成在该凹槽内。
该高度补偿电极和该第二铅电极可整体形成。
该高度补偿电极的截面面积可小于该第一铅电极的截面面积。
该第二铅电极可定位在比该第一铅电极更内部的位置处。
该第一铅电极可布置在该磁性基板上的角部附近。
该共模滤波器可还包括形成在该第二介电层上的磁性层。
该共模滤波器可还包括介入在该磁性基板与该第一介电层之间的介电涂层。
本发明的另一个方面提供一种用于制造共模滤波器的方法，该方法包括：在磁性基板上形成第一线圈电极；在该磁性基板上形成第一铅电极，该第一铅电极与该第一线圈电极的端部连接；形成第一介电层，该第一介电层能覆盖该第一线圈电极的上表面和该第一铅电极的上表面；在该第一介电层中形成凹槽，以允许该第一铅电极暴露；在该第一介电层上形成第二线圈电极，该第二线圈电极与该第一线圈电极电连接；在该凹槽中形成高度补偿电极，以便补偿该第一介电层与该第一铅电极之间的高度差；在该第一介电层上形成第二铅电极，该第二铅电极与该第二线圈电极的端部连接并且该第二铅电极与该高度补偿电极的上表面接触；在该第一介电层上形成第二介电层，该第二介电层覆盖该第二线圈电极的上表面和该第二铅电极的上表面；以及在该第二介电层上形成外部电极，该外部电极与该第二铅电极电连接。
该第二铅电极与该高度补偿电极同时地形成。
形成该高度补偿电极和该第二铅电极的步骤包括：在该凹槽中并且在该第一介电层上形成抗蚀层；形成开口，该开口构造成使该凹槽的内部暴露并使该第一介电层的与该高度补偿电极和该第二铅电极的位置对应的部分暴露；在该开口中形成导电层；以及移除该抗蚀层。
该方法可还包括在形成该抗蚀层的步骤之前形成籽晶层，并且在形成该导电层的步骤中，该导电层可通过镀覆该籽晶层而形成。
该方法可还包括在移除该抗蚀层的步骤之后，移除暴露的该籽晶层。
该第二铅电极和该高度补偿电极可与该第二线圈电极同时形成。
在形成该高度补偿电极的步骤中，该高度补偿电极的截面面积可小于该第一铅电极的截面面积。
在形成该第二铅电极的步骤中，该第二铅电极可形成在比该第一铅电极更内部的位置处。
在形成该第一铅电极的步骤中，该第一铅电极可形成在该磁性基板上的角部附近。
该方法可还包括在形成该外部电极的步骤之后，在该第二介电层上形成磁性层。
形成第一线圈电极的步骤可包括：在该磁性基板上形成介电涂层；以及在该介电涂层上形成该第一线圈电极。
附图说明
图1示出了根据本发明实施例的共模滤波器。
图2为示出了根据本发明实施例的共模滤波器的制造方法的流程图。
图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11及图12示出了根据本发明实施例的共模滤波器的制造方法的流程。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细地描述根据本发明的共模滤波器及其制造方法的某些实施例。在参考附图对本发明进行描述中，以相同的参考标号表示任何相同或对应的元件，并将不会对其提供多余的说明。
术语诸如“第一”和“第二”仅用于区分一个元件与其他相同或对应的元件，但上述元件并不被上述术语限制。
当一个元件被描述为“耦接”至另一个元件时，其并不是仅指在这些元件之间的物理上的直接接触，而其还应包括在这些元件之间插入又一元件并且这些元件中的每一个均与所述又一元件接触。
图1示出了根据本发明的实施例的共模滤波器。
参考图1，根据本发明的实施例的共模滤波器100可包括磁性基板110、第一线圈电极120、第一铅电极121、第一介电层122、高度补偿电极130、第二线圈电极140、第二铅电极141、第二介电层142以及外部电极150，并且该共模滤波器可还包括磁性层160以及介电涂层111。
磁性基板110为具有磁性的板并且该磁性基板放置在共模滤波器100的最下方的位置处。磁性基板110可包括铁素体。
磁性基板110可具有形成于其上的介电涂层111。该介电涂层111可通过涂覆介电材料而形成。介电涂层111可使磁性基板110与第一线圈电极120(或第一铅电极121)绝缘。用于介电涂层111的材料可为高适用性且具有良好电绝缘性能的聚合树脂，诸如环氧树脂或聚酰胺树脂。
第一线圈电极120用作导体。第一线圈电极120可使用具有高导电性和适用性的导电材料(诸如铜(Cu)或铝(Al))而形成在磁性基板110的介电涂层111上，并且该第一线圈电极可由两个导电线组成。
该两个导电线可彼此平行地布置并布置成螺旋状。当电流流过该两个导电线时，在该导电线上产生的磁场的磁性耦合可允许差模信号绕过(bypass)并且屏蔽共模噪音。
第一线圈电极120的一端可与第一铅电极121直接连接，并且第一线圈电极120的另一端可放置在介电涂层111的上表面上的中间部分处。
第一铅电极121形成在介电涂层111上并且该第一铅电极用作将第一线圈电极120与外部电极150电连接。第一铅电极121可由与第一线圈电极120的导电材料相同的导电材料制成并且该第一铅电极可在形成第一线圈电极120时形成。
第一铅电极121可由四个电极组成。在第一线圈电极120由两个导电线组成的情况下，第一铅电极121的四个电极中的两个可分别与第一线圈电极120的导电线连接。
第一铅电极121可放置在介电涂层111的上表面上的角部附近。由于第一铅电极121放置在介电涂层111的上表面上的角部附近，所以第一线圈电极120可形成于其中的面积变得相对较大，并且因此增加了螺旋形第一线圈电极120的匝数，使得能够有效地移除共模噪音。
第一铅电极121可形成为矩形，并且该矩形的至少一个边的长度可大于第一线圈电极120的一个导电线的宽度。
第一介电层122可形成在介电涂层111上，以覆盖第一线圈电极120的上表面和第一铅电极121的上表面。第一介电层122用作使第一线圈电极120与第二线圈电极140绝缘并且该第一介电层可由光敏介电材料形成。
由于第一介电层122覆盖第一铅电极121的上表面，所以第一介电层122的高度(厚度)大于第一铅电极121的高度(厚度)。换句话说，在第一介电层122与第一铅电极121之间存在高度差。
高度补偿电极130用于补偿第一介电层122与第一铅电极121之间的高度差并且该高度补偿电极可由与第一铅电极121的导电材料相同的导电材料制成。
高度补偿电极130可形成凹槽131(该凹槽形成于第一介电层122中)内，以使第一铅电极121暴露。在使用由光敏介电材料制成的第一介电层122的情况下，与凹槽131的位置对应的第一介电层122的一部分可通过曝光和显影工艺而移除。
凹槽131的深度可等于第一介电层122与第一铅电极121之间的高度差，并且凹槽131的面积可等于或小于第一介电层122的面积。由于凹槽131的面积小于第一铅电极121的面积，所以能够节省用于形成高度补偿电极130的导电材料的费用。同时，高度补偿电极130形成为具有与凹槽131的深度相同的厚度。
第二线圈电极140形成在第一介电层122上，以与第一线圈电极120电连接。第一线圈电极120和第二线圈电极140可通过穿透第一介电层122的通道(via)而彼此连接，并且该通道可对应于第一介电层122的中部而形成，其中，第一线圈电极120的端部放置在该第一介电层的中部处。
与第一线圈电极120类似，第二线圈电极140可由两个导电线组成，该两个导电线可螺旋形地布置成彼此平行。在此，第二线圈电极140的一端与形成在第一介电层122中的通道直接连接，并且第二线圈电极的另一端与第二铅电极141直接连接。
由于第一线圈电极120和第二线圈电极140，所以整体线圈电极可具有延伸的长度，并且因此电感效应变大，从而增强了移除共模噪音的能力。
第二铅电极141将第二线圈电极140连接至外部电极150并且该第二铅电极可由与第一铅电极121的导电材料相同的导电材料制成。第二铅电极141与第二线圈电极140的端部直接连接并且该第二铅电极形成在第一介电层122上，以与高度补偿电极130的上表面接触。第二铅电极141可借助于高度补偿电极130而与第一铅电极121电连接。此外，第二铅电极141可形成为通过高度补偿电极130而维持为与第二线圈电极140相同的高度。
如在图1中示出，第二铅电极141形成在第一介电层122的上表面以及高度补偿电极130的上表面上。也就是说，第二铅电极141形成在高度补偿电极130以及第一介电层122两者上。在这种情况下，由于高度补偿电极130和第二铅电极141可整体地且同时地形成，所以可简化制造工艺。
如果没有高度补偿电极130，第二铅电极141将直接地形成在第一铅电极121上，同时第二线圈电极140将形成在第一介电层122上，并且因此在第二铅电极141与第二线圈电极140之间产生位置差(最上方的端部的高度差)。换句话说，第二铅电极141将定位成低于第二线圈电极140。在这种情况下，当形成第二铅电极141和第二线圈电极140时，第二铅电极141和第二线圈电极140可能短路。
然而，通过设置高度补偿电极130，第二铅电极141和第二线圈电极140可形成在相同的高度处，因此防止短路。
与第一铅电极121类似，第二铅电极141可由四个电极组成，并且四个电极中的两个可分别与第二线圈电极140的两个导电线连接。
第二铅电极141可定位在比第一铅电极121更内部的位置处。这意味着第二铅电极141与第一介电层122的中部之间的距离小于第一铅电极121与介电涂层111的中部之间的距离。因此，第一铅电极121、高度补偿电极130以及第二铅电极141形成阶梯形。在此，第二铅电极141的截面面积可与第一铅电极121的截面面积相同。
第二介电层142保护第二线圈电极140并且使第二线圈电极140与形成在第二介电层142上的磁性层160绝缘。第二介电层142形成在第一介电层122上，以覆盖第二线圈电极140的上表面和第二铅电极141的上表面。第二介电层142可由与第一介电层122的材料相同的材料制成并且该第二介电层可为光敏材料。
外部电极150用作使电流流入和流出第一线圈电极120和第二线圈电极140的路径。外部电极150形成在第二介电层142上，以与第二铅电极141电连接。
外部电极150可由四个电极组成，该四个电极可分别与第二铅电极141的四个电极电连接。外部电极150可布置在第二介电层142的上表面上的四个角部中的每一个处。
磁性层160可形成在第二介电层142上并且该磁性层可由混合有磁性粉末和树脂的材料制成。虽然磁性层160用作保护共模滤波器100的内部，但其可与磁性基板110一起形成闭合的磁性回路并且增强移除共模噪音的能力。
同时，如在图1中所示，根据本发明的实施例的共模滤波器100可还包括第三线圈电极170、第三铅电极171、第三介电层172、第四线圈电极180、第四铅电极181以及第四介电层182。
在此，第三线圈电极170、第三铅电极171以及第三介电层172可分别对应于第一线圈电极120、第一铅电极121以及第一介电层122，并且第四线圈电极180、第四铅电极181以及第四介电层182可分别对应于第二线圈电极140、第二铅电极141以及第二介电层142。
换句话说，共模滤波器100可设置成通过具有反复层压的相同构造而具有大量的线圈电极层。在此，高度补偿电极130可介于第二铅电极141与第三铅电极171之间以及第三铅电极171与第四铅电极181之间。
因此，如在图1中所示，第一铅电极121至第四铅电极181可借助于高度补偿电极130而彼此电连接并且可呈现在一个方向上上升的阶梯形。此外，如果需要的话，上升方向可在层与层之间不同。
如果没有高度补偿电极，则在最上层上的铅电极与线圈电极之间的位置差由于较大量的线圈电极层而变得更大，因此增大短路的可能性。
然而，通过实施介入有高度补偿电极的多个铅电极，克服了铅电极与线圈电极之间的位置差，使得能够制造多层结构的共模滤波器，同时抑制线圈电极之间的短路。
在共模滤波器很小的情况下，具有越多的线圈电极层以延长线圈电极的长度，就越有利于移除共模噪音。因此，根据本发明的实施例的共模滤波器结构可有效地应用至较小的共模滤波器。
到目前为止，已经描述了根据本发明实施例的共模滤波器。在下文中，将对根据本发明实施例的共模滤波器的制造方法进行描述。
图2为示出了根据本发明实施例的共模滤波器的制造方法的流程图，并且图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11及图12示出了根据本发明实施例的共模滤波器的制造方法的流程。
参考图2，根据本发明的实施例的共模滤波器的制造方法可包括：形成第一线圈电极(S110)；形成第一铅电极(S120)；形成第一介电层(S130)；在第一介电层中形成凹槽(S140)；形成第二线圈电极(S150)；形成高度补偿电极和第二铅电极(S160)；形成第二介电层(S170)；形成外部电极(S180)；以及形成磁性层(S190)。
参考图3，在形成第一线圈电极(S110)的步骤中，第一线圈电极120形成在磁性基板110上。形成第一线圈电极120(S110)的步骤可包括：在磁性基板110上形成介电涂层111(S111)以及在介电涂层111上形成第一线圈电极120(S112)。如上所述，介电涂层111用作使第一线圈电极120与磁性基板110绝缘。
在形成第一铅电极(S120)的步骤中，第一铅电极121(其与第一线圈电极120的端部连接)形成在磁性基板110上，其中，第一铅电极121可形成在介电涂层111的上表面上。在此，第一线圈电极120和第一铅电极121可使用相同的导电材料通过光刻法而形成。
参考图4，在形成第一介电层(S130)的步骤中，形成覆盖第一线圈电极120的上表面和第一铅电极121的上表面的第一介电层122。第一介电层122可覆盖第一线圈电极120的整个上表面和第一铅电极121的整个上表面。第一介电层122可为光敏材料。
参考图5，在第一介电层中形成凹槽(S140)的步骤中，凹槽131形成在第一介电层122中以便暴露第一铅电极121。在第一介电层122为光敏材料的情况下，凹槽131可通过曝光和显影工艺而形成。凹槽131的截面面积可等于或小于第一铅电极121的截面面积。
在形成第二线圈电极(S150)的步骤中，第二线圈电极140(其与第一线圈电极120电连接)形成在第一介电层122上。
在形成高度补偿电极和第二铅电极(S160)的步骤中，形成了用于补偿在第一介电层122与第一铅电极121之间高度差的高度补偿电极130以及与第二线圈电极140的一端连接的第二铅电极141。第二铅电极141的截面面积可与第一铅电极121的截面面积相同，并且高度补偿电极130的截面面积可小于第一铅电极121的截面面积。
虽然高度补偿电极130和第二铅电极141可单独地生产，但高度补偿电极130和第二铅电极141能够整体地生产，在这种情况下，可简化制造工艺。
在形成高度补偿电极130和第二铅电极141(S160)的步骤中可包括：在凹槽131中以及在第一介电层122上形成抗蚀层(resist)132(S161)；形成与高度补偿电极130和第二铅电极141的位置对应的开口133(S162)；在开口133中形成导电层134(S163)；以及移除抗蚀层132(S164)。
参考图6，在凹槽131中以及在第一介电层122上形成抗蚀层132(S161)的步骤中，抗蚀层132以这样一种方式形成在第一介电层122的表面上，该方式为形成在第一介电层122中的凹槽131中填充有抗蚀层132。在此，抗蚀层132为光敏材料。
参考图7，在形成与高度补偿电极130和第二铅电极141的位置对应的开口133(S162)的步骤中，开口133穿过第一铅电极121和第一介电层122而形成。例如，具有与第一铅电极121的截面面积相同的截面面积的开口133可形成为与第一铅电极121未对准。
参考图8，在开口133中形成导电层134(S163)的步骤中，在开口133中形成了用作高度补偿电极130和第二铅电极141的导电层134。也就是说，导电层134的对应于第一介电层122与第一线圈电极120之间的高度差的厚度用作高度补偿电极134，并且导电层134的剩余厚度用作第二铅电极141。
导电层134可通过使用镀覆而形成。在这种情况下，在形成抗蚀层132之前可在第一介电层122上形成籽晶层(seedlayer，种子层)，并且导电层134可通过将籽晶层作为籽晶而被镀覆。
参考图9，在移除抗蚀层132(S164)的步骤中，剥去了不必要的抗蚀层132。在通过镀覆形成导电层134的情况下，可在移除抗蚀层132之后移除暴露的籽晶层。
尽管在图9示出第二铅电极141具有均匀的厚度，然而在通过镀覆形成导电层134的情况下，第二铅电极141在凹槽131附近比远离凹槽131处更厚。假设镀覆以均匀的厚度而实现，由于第二铅电极141与高度补偿电极130同时地被镀覆，镀覆在凹槽131上方的第二铅电极141的部分因为镀覆了高度补偿电极130而变薄。
尽管如此，由于布置在第一介电层122的上表面上的第二铅电极141的高度与第二线圈电极的高度相同，所以不会出现短路。
同时，参考图6至图9，第二线圈电极140可与第二铅电极141以及高度补偿电极130同时地形成。在如上述描述使用光敏抗蚀层132的情况下，第二线圈电极140、第二铅电极141及高度补偿电极130可由相同的导电材料制成并且同时形成。
第二铅电极141可定位在比第一铅电极121更内部的位置处，该第一铅电极可形成在磁性基板110上的角部附近。换句话说，第一铅电极121可布置在介电涂层111的上表面上的角部附近。在这种情况下，第一铅电极121、高度补偿电极130及第二铅电极141可形成阶梯形。
参考图10，在形成第二介电层(S170)的步骤中，第二介电层142形成在第一介电层122上，该第二介电层覆盖第二线圈电极140的上表面和第二铅电极141的上表面。
同时，如在图11中所示，通过重复上述工艺，可进一步地形成第三线圈电极170、第三铅电极171、第三介电层172、第四线圈电极180、第四铅电极181以及第四介电层182。
在此，第三线圈电极170、第三铅电极171及第三介电层172可分别对应于第一线圈电极120、第一铅电极121及第一介电层122，并且第四线圈电极180、第四铅电极181及第四介电层182可分别对应于第二线圈电极140、第二铅电极141及第二介电层142。
参考图12，在形成外部电极(S180)的步骤中，外部电极150形成在第二介电层142的上，该外部电极与第二铅电极141电连接以用作允许电流流出或流入第一线圈电极120和第二线圈电极140的路径。
外部电极150可与第二铅电极141直接地接触，为此，第二铅电极141需要通过移除第二介电层142的一部分而暴露。在第二介电层142为光敏材料的情况下，第二铅电极141可通过光刻法而暴露。
此外，如在图11中所示，外部电极150可借助于第三铅电极171和第四铅电极181而与第二铅电极141连接。
在形成磁性层(S190)的步骤中，磁性层160形成在第二介电层142上，该磁性层由混合有磁性粉末和树脂的材料制成。磁性层160与磁性基板110一起可增强共模滤波器100移除共模噪音的能力。
如上所描述，根据本发明的实施例的共模滤波器的制造方法，可通过简化的制造工艺而提供可防止短路的共模滤波器。
尽管已经描述了根据本发明的某些实施例，但本领域的普通技术人员应当理解到，在不背离由所附的权利要求限定的本发明的范围和技术思路的情况下，可对本发明进行大量替换和修改。
还应当理解的是，除了上文描述的实施例之外，多种其他的实施例也包括在本发明的权利要求中。

Claims (19)

1.一种共模滤波器，包括：
磁性基板；
第一线圈电极，所述第一线圈电极形成在所述磁性基板上；
第一铅电极，所述第一铅电极形成在所述磁性基板上以与所述第一线圈电极的端部连接；
第一介电层，所述第一介电层形成在所述磁性基板上以覆盖所述第一线圈电极的上表面和所述第一铅电极的上表面；
高度补偿电极，所述高度补偿电极形成在所述第一铅电极的上表面上，以便补偿所述第一介电层与所述第一铅电极之间的高度差；
第二线圈电极，所述第二线圈电极形成在所述第一介电层上以与所述第一线圈电极电连接；
第二铅电极，所述第二铅电极形成在所述第一介电层上以与所述第二线圈电极的端部连接并与所述高度补偿电极的上表面接触；
第二介电层，所述第二介电层形成在所述第一介电层上以覆盖所述第二线圈电极的上表面和所述第二铅电极的上表面；以及
外部电极，所述外部电极形成在所述第二介电层上以与所述第二铅电极电连接。
2.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述第一介电层中形成有凹槽，以允许所述第一铅电极暴露，并且所述高度补偿电极形成在所述凹槽中。
3.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述高度补偿电极和所述第二铅电极整体形成。
4.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述高度补偿电极的截面面积小于所述第一铅电极的截面面积。
5.根据权利要求1所述的共模滤波器，其中，所述第二铅电极定位在比所述第一铅电极更内部的位置处。
6.根据权利要求5所述的共模滤波器，其中，所述第一铅电极布置在所述磁性基板上的角部附近。
7.根据权利要求1所述的共模滤波器，所述共模滤波器还包括形成在所述第二介电层上的磁性层。
8.根据权利要求1所述的共模滤波器，所述共模滤波器还包括介于所述磁性基板与所述第一介电层之间的介电涂层。
9.一种用于制造共模滤波器的方法，所述方法包括：
在磁性基板上形成第一线圈电极；
在所述磁性基板上形成第一铅电极，所述第一铅电极与所述第一线圈电极的端部连接；
形成第一介电层，所述第一介电层覆盖所述第一线圈电极的上表面和所述第一铅电极的上表面；
在所述第一介电层中形成凹槽，以允许所述第一铅电极暴露；
在所述第一介电层上形成第二线圈电极，所述第二线圈电极与所述第一线圈电极电连接；
在所述凹槽中形成高度补偿电极，以便补偿所述第一介电层与所述第一铅电极之间的高度差；
在所述第一介电层上形成第二铅电极，所述第二铅电极与所述第二线圈电极的端部连接并且所述第二铅电极与所述高度补偿电极的上表面接触；
在所述第一介电层上形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第二线圈电极的上表面和所述第二铅电极的上表面；以及
在所述第二介电层上形成外部电极，所述外部电极与所述第二铅电极电连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二铅电极与所述高度补偿电极同时形成。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述高度补偿电极和所述第二铅电极的步骤包括：
在所述凹槽中并且在所述第一介电层上形成抗蚀层；
形成开口，所述开口构造成使所述凹槽的内部暴露并使所述第一介电层的与所述高度补偿电极和所述第二铅电极的位置对应的部分暴露；
在所述开口中形成导电层；以及
移除所述抗蚀层。
12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括在形成所述抗蚀层的步骤之前形成籽晶层的步骤，并且
其中，在形成所述导电层的步骤中，所述导电层通过镀覆所述籽晶层而形成。
13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括在移除所述抗蚀层的步骤之后，移除暴露的所述籽晶层的步骤。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二铅电极和所述高度补偿电极与所述第二线圈电极同时形成。
15.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成所述高度补偿电极的步骤中，所述高度补偿电极的截面面积小于所述第一铅电极的截面面积。
16.根据权利要求9所述的方法，其中，在形成所述第二铅电极的步骤中，所述第二铅电极形成在比所述第一铅电极更内部的位置处。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成所述第一铅电极的步骤中，所述第一铅电极形成在所述磁性基板上的角部附近。
18.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括在形成所述外部电极的步骤之后，在所述第二介电层上形成磁性层的步骤。
19.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第一线圈电极的步骤包括：
在所述磁性基板上形成介电涂层；以及
在所述介电涂层上形成所述第一线圈电极。
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