JP6332626B2 - コモンモードフィルタ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、コモンモードフィルタ及びその製造方法に関する。

ＵＳＢのような高速ディジタルインタフェースには、ノイズ対策品が要求される。この中、コモンモードノイズを選択的に除去するものがコモンモードフィルタである。

コモンモードノイズは、配線系のインピーダンスのアンバランスなどによって発生することがある。また、このようなノイズは、高周波になるほど著しく発生する。コモンモードノイズは、地面などにも伝達され、大きなループを描いて戻ってくるので、遠く離れた電子機器にもさまざまなノイズ障害を起している。

コモンモードフィルタは、差動モード信号を通過させ、コモンモードノイズを選択的に除去することができる。コモンモードフィルタ内では、差動モード信号による磁束が互いに相殺され、インダクタンスが発生しないため差動モード信号が通過される。これに対して、コモンモードノイズによる磁束は合成され、インダクタンスの作用が大きくなり、これにより、ノイズを除去することができる。

大韓民国公開特許公報第10-2013-0063363号公報（コモンモードノイズフィルタ、2013.06.14 公開）

本発明の目的は、コイル電極とリード電極との高さの差を低減できるコモンモードフィルタ及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一側面によれば、磁性基板と、上記磁性基板上に形成される第１コイル電極と、 上記第１コイル電極の端部と接続されるように、上記磁性基板上に形成される第１リード電極と、上記第１コイル電極の上面と上記第１リード電極の上面とをカバーするために、上記磁性基板上に形成される第１絶縁層と、上記第１絶縁層と上記第１リード電極との間の高さの差を補償するために、上記第１リード電極の上面に形成される高さ補償電極と、上記第１コイル電極に電気的に接続されるように、上記第１絶縁層上に形成される第２コイル電極と、上記第２コイル電極の端部と接続され、上記高さ補償電極の上面と接触するように、上記第１絶縁層の上面に形成される第２リード電極と、上記第２コイル電極の上面と上記第２リード電極の上面とをカバーするために、上記第１絶縁層上に形成される第２絶縁層と、上記第２リード電極に電気的に接続されるように、上記第２絶縁層上に形成される外部電極と、を含むコモンモードフィルタが提供される。

上記第１絶縁層には、上記第１リード電極が露出するように溝が形成されており、上記高さ補償電極は、上記溝内に形成されることができる。

上記高さ補償電極と上記第２リード電極とは、一体に形成されてもよい。

上記高さ補償電極の断面積は、上記第１リード電極の断面積より小さくてもよい。

上記第２リード電極は、上記第１リード電極よりも内側に位置することができる。

上記第１リード電極は、上記磁性基板上の隅側に配置されることができる。

上記第２絶縁層上に形成される磁性層をさらに含むことができる。

上記磁性基板と上記第１絶縁層との間に介在される絶縁コーティング層をさらに含むことができる。

本発明の他の側面によれば、磁性基板上に第１コイル電極を形成するステップと、上記磁性基板上に上記第１コイル電極の端部と接続される第１リード電極を形成するステップと、上記第１コイル電極の上面と上記第１リード電極の上面とをカバーする第１絶縁層を形成するステップと、上記第１リード電極が露出するように、上記第１絶縁層に溝を形成するステップと、上記第１絶縁層上に、上記第１コイル電極に電気的に接続される第２コイル電極を形成するステップと、上記第１絶縁層と上記第１リード電極との間の高さの差を補償するために、上記溝内に高さ補償電極を形成するステップと、上記第１絶縁層上に、上記第２コイル電極の端部と接続され、上記高さ補償電極の上面と接触する第２リード電極を形成するステップと、上記第１絶縁層上に、上記第２コイル電極の上面と上記第２リード電極の上面とをカバーする第２絶縁層を形成するステップと、上記第２絶縁層上に、上記第２リード電極に電気的に接続される外部電極を形成するステップと、を含むコモンモードフィルタの製造方法が提供される。

上記第２リード電極は、上記高さ補償電極と同時に形成することができる。

上記高さ補償電極及び上記第２リード電極を形成するステップは、上記溝の内部及び上記第１絶縁層上にレジストを形成するステップと、上記レジストに、上記高さ補償電極及び上記第２リード電極の位置に対応して、上記溝の内部及び上記第１絶縁層の一部を露出させる開口部を形成するステップと、上記開口部内に導電層を形成するステップと、上記レジストを除去するステップと、を含むことができる。

上記レジストを形成するステップの前に、シード層を形成するステップをさらに含み、上記導電層を形成するステップは、上記シード層上にメッキを施して上記導電層を形成することができる。

上記レジストを除去するステップの後に、露出した上記シード層を除去するステップをさらに含むことができる。

上記第２リード電極及び上記高さ補償電極は、上記第２コイル電極と同時に形成することができる。

上記高さ補償電極を形成するステップにおいて、上記高さ補償電極の断面積は、上記第１リード電極の断面積より小さくてもよい。

上記第２リード電極を形成するステップにおいて、上記第２リード電極は、上記第１リード電極よりも内側に形成されることができる。

上記第１リード電極を形成するステップにおいて、上記第１リード電極は、上記磁性基板上の隅側に形成されることができる。

上記外部電極を形成するステップの後に、上記第２絶縁層上に磁性層を形成するステップをさらに含むことができる。

上記第１コイル電極を形成するステップは、上記磁性基板上に絶縁コーティング層を形成するステップと、上記絶縁コーティング層上に上記第１コイル電極を形成するステップと、を含むことができる。

本発明の実施例によれば、コイル電極とリード電極との間のショートの発生を防止することができ、コモンモードフィルタの不良率を低減することができる。

本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタを示す図である 本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタの製造方法を示す順序図である。 本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタの製造方法の一工程を示す工程図である。 図３に続く工程図である。 図４に続く工程図である。 図５に続く工程図である。 図６に続く工程図である。 図７に続く工程図である。 図８に続く工程図である。 図９に続く工程図である。 図１０に続く工程図である。 図１１に続く工程図である。

本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタ及びその製造方法の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明し、添付図面に基づいて説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明は省略する。

また、以下で使用する「第１」、「第２」などのような用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が、第１、第２などの用語により限定されるものではない。

また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触される場合のみを意味することではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触されている場合まで包括する概念として使用する。

図１は、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタを示す図面である。

図１を参照すると、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタ１００は、磁性基板１１０、第１コイル電極、第１リード電極１２１、第１絶縁層１２２、高さ補償電極１３０、第２コイル電極１４０、第２リード電極１４１、第２絶縁層１４２、及び外部電極１５０を含み、磁性層１６０及び絶縁コーティング層１１１をさらに含むことができる。

磁性基板１１０は、コモンモードフィルタ１００の最下層に位置する基板であって、磁性を有する。磁性基板１１０は、フェライトを含むことができる。

磁性基板１１０上には、絶縁コーティング層１１１を形成してもよい。絶縁コーティング層１１１は、絶縁物質のコーティングにより形成できる。絶縁コーティング層１１１は、磁性基板１１０と第１コイル電極１２０（または、第１リード電極１２１）とを絶縁させることができる。絶縁コーティング層１１１の材料としては、電気的絶縁特性に優れ、かつ加工性に優れる高分子樹脂を用いることができ、高分子樹脂としては、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂などを用いることができる。

第１コイル電極１２０は、インダクタ（inductor）の役割を担う素子である。第１コイル電極１２０は、磁性基板１１０の絶縁コーティング層１１１上に、導電性及び加工性に優れた銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）などの導体で形成され、二つの導体ライン（ｌｉｎｅ）から構成されることができる。

二つの導体ラインは、互いに並んで螺旋状に形成されることができる。二つの導体ラインに沿って電流が流れると、各導体ラインで発生する磁場の磁気的結合により、差動モード信号は通過され、コモンモードノイズは遮断されることができる。

第１コイル電極１２０の一端は、第１リード電極１２１に直接接続されることができ、他端は、絶縁コーティング層１１１の上面の中央側に位置することになる。

第１リード電極１２１は、絶縁コーティング層１１１上に形成され、第１コイル電極１２０と外部電極１５０とを電気的に接続させる役割を担う。第１リード電極１２１は、第１コイル電極１２０と同じ導体で形成でき、工程上、同時に形成することができる。

第１リード電極１２１は、４つの電極から構成されることができる。第１コイル電極１２０が二つの導体ラインで構成される場合、第１リード電極１２１の４つの電極中、２つの電極が第１コイル電極１２０のそれぞれの導体ラインに接続されることができる。

第１リード電極１２１は、絶縁コーティング層１１１の上面での隅側に位置することができる。第１リード電極１２１が絶縁コーティング層１１１の上面の隅側に位置すると、第１コイル電極１２０を設ける面積が相対的に大きくなるため、螺旋状の第１コイル電極１２０のターン（ｔｕｒｎ）数が増加し、コモンモードノイズを効率的に除去することができる。

第１リード電極１２１は、四角形状に形成することができ、四角形の少なくとも１辺の長さは、第１コイル電極１２０の一つの導体ラインの幅より長くてもよい。

第１絶縁層１２２は、第１コイル電極１２０の上面と第１リード電極１２１の上面とをカバーするために、絶縁コーティング層１１１上に形成されることができる。第１絶縁層１２２は、第１コイル電極１２０と第２コイル電極１４０とを絶縁させる役割を担い、感光性を有する絶縁物質で形成することができる。

第１絶縁層１２２が第１リード電極の上面をカバーするため、第１絶縁層１２２の高さ（厚さ）は第１リード電極１２１の高さ（厚さ）より大きくなる。すなわち、第１絶縁層１２２と第１リード電極１２１との間に高さの差が発生する。

高さ補償電極１３０は、第１絶縁層１２２と第１リード電極１２１との間の高さの差を補償するための電極であって、第１リード電極１２１と同じ導体で形成されてもよい。

高さ補償電極１３０は、第１リード電極１２１を露出させるために第１絶縁層１２２に形成された溝１３１内に形成することができる。第１絶縁層１２２が感光性を有する絶縁物質で形成された場合、露光及び現像工程を経て上記溝１３１の位置に対応する第１絶縁層１２２の一部を除去することができる。

溝１３１の深みは、第１絶縁層１２２と第１リード電極１２１との間の高さの差と同一であり、溝１３１の面積は、第１リード電極１２１の面積と同一であるか、第１リード電極１２１の面積より小さいことが好ましい。溝１３１の面積が第１リード電極１２１の面積より小さいと、高さ補償電極１３０を形成するための導体の費用を低減することができる。一方、高さ補償電極１３０は、溝１３１の深みと同一の厚さを有するように形成される。

第２コイル電極１４０は、第１コイル電極１２０に電気的に接続されるように、第１絶縁層１２２上に形成される電極である。第１コイル電極１２０と第２コイル電極１４０とは、第１絶縁層１２２を貫通するビア（ｖｉａ）を介して接続されることができ、ビアは、第１コイル電極１２０の端部が位置する第１絶縁層１２２の中央側に対応して形成されることができる。

第２コイル電極１４０は、第１コイル電極１２０と同様に、二つの導体ラインから構成され、二つの導体ラインが互いに並んで螺旋状に配置されることができる。このとき、一端は、第１絶縁層１２２に設けられるビアと直接接続され、他端は、第２リード電極１４１と直接接続される。

第１コイル電極１２０及び第２コイル電極１４０によれば、コイル電極の全長が長くなり、これにより、インダクタンスの作用が大きくなるので、コモンモードノイズの除去能力を強化することができる。

第２リード電極１４１は、第２コイル電極１４０を外部電極１５０に接続させる電極であって、第１リード電極１２１と同じ導体で形成することができる。第２リード電極１４１は、第２コイル電極１４０の端部に直接接続され、高さ補償電極１３０の上面と接触するように第１絶縁層１２２上に形成される。第２リード電極１４１は、高さ補償電極１３０を媒介にして第１リード電極１２１に電気的に接続されることができる。また、第２リード電極１４１は、高さ補償電極１３０により第２コイル電極１４０と同一の高さを維持することができる。

図１に示すように、第２リード電極１４１は、高さ補償電極１３０の上面だけでなく第１絶縁層１２２の上面にも形成される。すなわち、第２リード電極１４１は、高さ補償電極１３０と第１絶縁層１２２との両方にわたって形成される。この場合、高さ補償電極１３０と第２リード電極１４１とを一体に形成することができ、この場合、高さ補償電極１３０と第２リード電極１４１を同時に形成できるので、工程の単純化を図ることができる。

高さ補償電極１３０を備えない場合、第２コイル電極１４０は第１絶縁層１２２上に形成される反面、第２リード電極１４１は第１リード電極１２１上に直接形成されるため、第２リード電極１４１と第２コイル電極１４０との間の位置の差（最上端の高さの差）が発生することになる。すなわち、第２リード電極１４１が第２コイル電極１４０よりも下に位置することになる。この場合、第２リード電極１４１と第２コイル電極１４０とを形成する工程中に、第２リード電極１４１と第２コイル電極１４０との間にショートが発生する場合がある。

しかし、高さ補償電極１３０を備える場合は、第２コイル電極１４０と第２リード電極１４１とが同一の高さに形成できるので、ショートを防止することができる。

第２リード電極１４１は、第１リード電極１２１と同様に、４つの電極で構成でき、その中の二つの電極が、第２コイル電極１４０の二つの導体ラインとそれぞれ接続されることができる。

第２リード電極１４１は、第１リード電極１２１よりも内側に位置することができる。これは、第２リード電極１４１と第１絶縁層１２２の中央との距離が、第１リード電極１２１と絶縁コーティング層１１１の中央との距離よりも短いことを意味する。これにより、第１リード電極１２１、高さ補償電極１３０、及び第２リード電極１４１が、階段形状をなすことになる。ここで、第２リード電極１４１の断面積は、第１リード電極１２１の断面積と同じであってもよい。

第２絶縁層１４２は、第２コイル電極１４０を保護し、第２絶縁層１４２上に形成される磁性層１６０と第２コイル電極１４０との間を絶縁させるための層である。第２絶縁層１４２は、第２コイル電極１４０の上面と第２リード電極１４１の上面とをカバーするために、第１絶縁層１２２上に形成される。第２絶縁層１４２は、第１絶縁層１２２と同じ物質で形成でき、感光性を有することができる。

外部電極１５０は、電流が第１コイル電極１２０及び第２コイル電極１４０に入り、そこから出る通路の役割を担う電極である。外部電極１５０は、第２リード電極１４１に電気的に接続されるように、第２絶縁層１４２上に形成される。

外部電極１５０は、４つの電極で構成でき、４つの電極は、４つの第２リード電極１４１のそれぞれと電気的に接続されることができる。外部電極１５０は、第２絶縁層１４２の上面の４隅に位置することができる。

磁性層１６０は、第２絶縁層１４２上に形成でき、磁気粉末と樹脂とが混合された物質で形成することができる。磁性層１６０は、コモンモードフィルタ１００の内部を保護する役割を担いながら磁性基板１１０と共に閉磁路を形成し、コモンモードノイズの除去を強化することができる。

一方、図１に示されたように、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタ１００は、第３コイル電極１７０、第３リード電極１７１及び第３絶縁層１７２と、第４コイル電極１８０、第４リード電極１８１及び第４絶縁層１８２とをさらに含むことができる。

ここで、第３コイル電極１７０、第３リード電極１７１及び第３絶縁層１７２は、第１コイル電極１２０、第１リード電極１２１及び第３絶縁層１７２にそれぞれ対応し、第４コイル電極１８０、第４リード電極１８１及び第４絶縁層１８２は、第２コイル電極１４０、第２リード電極１４１及び第２絶縁層１４２にそれぞれ対応することができる。

すなわち、同一の構成が繰り返して積層されることにより、さらに多いコイル電極層を有したコモンモードフィルタ１００を提供することができる。ここで、第２リード電極１４１と第３リード電極１７１との間、第３リード電極１７１と第４リード電極１８１との間の全部に高さ補償電極１３０を介在することができる。

したがって、第１リード電極１２１から第４リード電極１８１は、高さ補償電極１３０を媒介にして電気的に接続され、図１に示されているように、一方向へ上昇する階段形状を形成することができる。また、必要によって、階段の上昇方向を層ごとに異なるように形成することもできる。

高さ補償電極が存在しない場合、コイル電極層が多くなるほど、最上層のリード電極とコイル電極との間の位置の差は大きくなり、これにより、ショート不良発生の可能性も大きくなる。

しかし、高さ補償電極を介在した複数のリード電極によれば、リード電極とコイル電極との間の位置の差を克服できるので、コイル電極の間のショートの発生を抑えながら多層構造のコモンモードフィルタを製造することが可能になる。

コモンモードフィルタの大きさが小さい場合は、コイル電極の長さを長くするために、コイル電極層を多くすることがコモンモードノイズの除去に有利である。したがって、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタの構造は、小型化されたコモンモードフィルタに効果的に適用することができる。

以上では、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタについて説明したが、以下では、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタの製造方法について説明する。

図２は、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタの製造方法を示す順序図であり、図３から図１２は、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタの製造方法を示す工程図である。

図２を参照すると、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタの製造方法は、第１コイル電極を形成するステップＳ１１０と、第１リード電極を形成するステップＳ１２０と、第１絶縁層を形成するステップＳ１３０と、第１絶縁層に溝を形成するステップＳ１４０と、第２コイル電極を形成するステップＳ１５０と、高さ補償電極及び第２リード電極を形成するステップＳ１６０と、第２絶縁層を形成するステップＳ１７０と、外部電極を形成するステップＳ１８０と、磁性層を形成するステップＳ１９０と、を含むことができる。

図３を参照すると、第１コイル電極を形成するステップＳ１１０は、磁性基板１１０上に第１コイル電極１２０を形成するステップである。第１コイル電極１２０を形成するステップＳ１１０は、磁性基板１１０上に絶縁コーティング層１１１を形成するステップＳ１１１と絶縁コーティング層１１１上に第１コイル電極１２０を形成するステップＳ１１２とを含むことができる。絶縁コーティング層１１１は、上述したように、第１コイル電極１２０と磁性基板１１０とを絶縁させる役割を担う。

第１リード電極を形成するステップＳ１２０は、磁性基板１１０上に、第１コイル電極１２０の端部と接続される第１リード電極１２１を形成するステップであって、第１リード電極１２１は、絶縁コーティング層１１１の上面に形成されることができる。ここで、第１コイル電極１２０と第１リード電極１２１とは、フォト工程により同じ導体で同時に形成することができる。

図４を参照すると、第１絶縁層を形成するステップＳ１３０は、第１コイル電極１２０の上面と第１リード電極１２１の上面とをカバーする第１絶縁層１２２を形成するステップである。第１絶縁層１２２は、第１コイル電極１２０の上面全体と第１リード電極１２１の上面全体とをカバーすることができる。第１絶縁層１２２は、感光性を有する物質であってもよい。

図５を参照すると、第１絶縁層に溝を形成するステップＳ１４０は、第１リード電極１２１を露出させるために、第１絶縁層１２２に溝１３１を形成するステップである。第１絶縁層１２２が感光性物質からなった場合、露光及び現像工程を経て溝１３１を形成することができる。溝１３１の断面積は、第１リード電極１２１の断面積と同一であるか、第１リード電極１２１の断面積より小さいことが好ましい。

第２コイル電極を形成するステップＳ１５０は、第１絶縁層１２２上に、第１コイル電極１２０に電気的に接続される第２コイル電極１４０を形成するステップである。

高さ補償電極及び第２リード電極を形成するステップＳ１６０は、第１絶縁層１２２と第１リード電極１２１との間の高さの差を補償するための高さ補償電極１３０と、第２コイル電極１４０の端部と接続される第２リード電極１４１とを形成するステップである。第２リード電極１４１の断面積は、第１リード電極１２１の断面積と同一であってもよく、高さ補償電極１３０の断面積は、第１リード電極１２１の断面積より小さくてもよい。

高さ補償電極１３０と第２リード電極１４１は別途に形成されてもよく、一体に形成されてもよいが、この場合、工程の単純化を図ることができる。

高さ補償電極及び第２リード電極を形成するステップＳ１６０は、溝１３１の内部及び第１絶縁層１２２上にレジスト１３２を形成するステップＳ１６１と、高さ補償電極１３０及び第２リード電極１４１の位置に対応して開口部１３３を形成するステップＳ１６２と、開口部１３３内に導電層１３４を形成するステップＳ１６３と、レジスト１３２を除去するステップＳ１６４と、を含むことができる。

図６を参照すると、溝１３１の内部及び第１絶縁層１２２上にレジスト１３２を形成するステップＳ１６１は、第１絶縁層１２２に形成された溝１３１の内部がレジスト１３２で満たされるように、第１絶縁層１２２の表面にレジスト１３２を形成するステップである。ここで、レジスト１３２は、感光性物質である。

図７を参照すると、高さ補償電極１３０及び第２リード電極１４１の位置に対応して開口部１３３を形成するステップＳ１６２は、第１リード電極１２１と第１絶縁層１２２ との両方にわたっている開口部１３３を形成するステップである。例えば、第１リード電極１２１の断面積と同一の断面積を有する開口部１３３を第１リード電極１２１とずれるように形成することができる。

図８を参照すると、開口部１３３内に導電層１３４を形成するステップＳ１６３は、開口部１３３内に高さ補償電極１３０と、第２リード電極１４１の役割を担う導電層１３４とを形成するステップである。すなわち、第１絶縁層１２２と第１コイル電極１２０との間の高さの差に対応する導電層１３４の厚さ分は高さ補償電極１３０の役割を担い、その他の厚さは第２リード電極１４１の役割を担うことになる。

導電層１３４は、メッキ方式を用いて形成することができる。この場合、レジスト１３２を形成する前に、第１絶縁層１２２上にシード層（seed layer）を形成し、導電層１３４はシード層をシードとしてメッキすることにより形成できる。

図９を参照すると、レジスト１３２を除去するステップＳ１６４は、不要なレジスト１３２を剥離するステップである。なお、導電層がメッキ方式により形成された場合は、レジスト１３２の除去後に、露出されたシード層を除去することになる。

図９に示すように、第２リード電極１４１の厚さは、均一なものとして示されているが、導電層１３４がメッキ方式により形成された場合は、第２リード電極１４１において、溝１３１の上側部分の厚さが溝１３１と遠い上側部分の厚さより薄くなる。これは、メッキされる厚さがどの位置でも均一であると仮定する場合、第２リード電極１４１は、高さ補償電極１３０と同時にメッキされるため、第２リード電極１４１において溝１３１の上側部分が高さ補償電極１３０のメッキされる分だけ厚さが薄くなるからである。

それにもかかわらず、第１絶縁層１２２の上面に位置する第２リード電極１４１の高さは、第２コイル電極１４０の高さと一致できるので、ショートは発生しなくなる。

一方、図６から図９を参照すると、第２コイル電極１４０は、第２リード電極１４１ 及び高さ補償電極１３０と同時に形成されることができる。上述したように、感光性レジスト１３２を用いる場合、第２コイル電極１４０、第２リード電極１４１、及び高さ補償電極１３０は同じ導体で同時に形成することができる。

第２リード電極１４１は、第１リード電極１２１よりも内側に設けることができ、第１リード電極１２１は、磁性基板１１０上の隅側に設けることができる。すなわち、第１リード電極１２１は、絶縁コーティング層１１１の上面のうちの隅側に位置することができる。この場合、第１リード電極１２１、高さ補償電極１３０、及び第２リード電極１４１は、階段形状をなすことができる。

図１０を参照すると、第２絶縁層を形成するステップＳ１７０は、第１絶縁層１２２上に、第２コイル電極１４０の上面と上記第２リード電極１４１の上面とをカバーする第２絶縁層１４２を形成するステップである。

一方、図１１に示すように、同様の工程を繰り返して、第３コイル電極１７０、第３リード電極１７１及び第３絶縁層１７２と、第４コイル電極１８０、第４リード電極１８１及び第４絶縁層１８２とをさらに形成することができる。

ここで、第３コイル電極１７０、第３リード電極１７１及び第３絶縁層１７２は、第１コイル電極１２０、第１リード電極１２１、及び第１絶縁層１２２にそれぞれ対応し、第４コイル電極１８０、第４リード電極１８１及び第４絶縁層１８２は、第２コイル電極１４０、第２リード電極１４１及び第２絶縁層１４２にそれぞれ対応することができる。

図１２を参照すると、外部電極を形成するステップＳ１８０は、第２リード電極１４１に電気的に接続され、第１コイル電極１２０及び第２コイル電極１４０に電流を印加したり、そこから電流が出るための通路の役割を担う外部電極１５０を第２絶縁層１４２上に形成するステップである。

外部電極１５０は、第２リード電極１４１と直接接触されてもよく、これのために、第２絶縁層１４２の一部を除去し、第２リード電極１４１を露出させる工程が必要である。第２絶縁層１４２が感光性を有する物質である場合、フォト工程を用いて第２リード電極１４１を露出させることができる。

また、図１１に示されたように、外部電極１５０は、第３リード電極１７１及び第４リード電極１８１を媒介にして、第２リード電極１４１と接続することができる。

磁性層を形成するステップＳ１９０は、第２絶縁層１４２上に磁気粉末と樹脂とが混合された物質で磁性層を形成するステップである。磁性層１６０は、磁性基板１１０と共にコモンモードフィルタ１００の能力を強化することができる。

上述したように、本発明の一実施例に係るコモンモードフィルタの製造方法によれば、単純な工程でもショートの不良を防止できるコモンモードフィルタの製造方法を提供することができる。

以上、本発明の一実施例について説明したが、該当技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加することにより本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。

１００ コモンモードフィルタ
１１０ 磁性基板
１１１ 絶縁コーティング層
１２０ 第１コイル電極
１２１ 第１リード電極
１２２ 第１絶縁層
１３０ 高さ補償電極
１３１ 溝
１３２ レジスト
１３３ 開口部
１３４ 導電層
１４０ 第２コイル電極
１４１ 第２リード電極
１４２ 第２絶縁層
１５０ 外部電極
１６０ 磁性層
１７０ 第３コイル電極
１７１ 第３リード電極
１７２ 第３絶縁層
１８０ 第４コイル電極
１８１ 第４リード電極
１８２ 第４絶縁層

Claims (17)

1. 磁性基板と、
   前記磁性基板上に形成される第１コイル電極と、
   前記第１コイル電極の端部と接続されるように、前記磁性基板上に形成される第１リード電極と、
   前記第１コイル電極の上面と前記第１リード電極の上面とをカバーするために、前記磁性基板上に形成される第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層と前記第１リード電極との間の高さの差を補償するために、前記第１リード電極の上面に形成される高さ補償電極と、
   前記第１コイル電極に電気的に接続されるように、前記第１絶縁層上に形成される第２コイル電極と、
   前記第２コイル電極の端部と接続され、前記高さ補償電極の上面と接触するように、前記第１絶縁層の上面に形成される第２リード電極と、
   前記第２コイル電極の上面と前記第２リード電極の上面とをカバーするために、前記第１絶縁層上に形成される第２絶縁層と、
   前記第２リード電極に電気的に接続されるように、前記第２絶縁層上に形成される外部電極と、
   を含み、
   前記第２リード電極が、前記第１リード電極よりも内側に位置する
   コモンモードフィルタ。
2. 前記第１絶縁層には、前記第１リード電極が露出するように溝が形成され、前記高さ補償電極が前記溝内に形成されることを特徴とする請求項１に記載のコモンモードフィルタ。
3. 前記高さ補償電極及び前記第２リード電極が、一体に形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のコモンモードフィルタ。
4. 前記高さ補償電極の断面積が、前記第１リード電極の断面積より小さいことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のコモンモードフィルタ。
5. 前記第１リード電極が、前記磁性基板上の隅側に配置されることを特徴とする請求項１に記載のコモンモードフィルタ。
6. 前記第２絶縁層上に形成される磁性層をさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のコモンモードフィルタ。
7. 前記磁性基板と前記第１絶縁層との間に介在される絶縁コーティング層をさらに含む、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のコモンモードフィルタ。
8. 磁性基板上に第１コイル電極を形成するステップと、
   前記磁性基板上に前記第１コイル電極の端部と接続される第１リード電極を形成するステップと、
   前記第１コイル電極の上面と前記第１リード電極の上面とをカバーする第１絶縁層を形成するステップと、
   前記第１リード電極が露出されるように、前記第１絶縁層に溝を形成するステップと、
   前記第１絶縁層上に、前記第１コイル電極に電気的に接続される第２コイル電極を形成するステップと、
   前記第１絶縁層と前記第１リード電極との間の高さの差を補償するために、前記溝内に高さ補償電極を形成するステップと、
   前記第１絶縁層上に、前記第２コイル電極の端部と接続され、前記高さ補償電極の上面と接触する第２リード電極を形成するステップと、
   前記第１絶縁層上に、前記第２コイル電極の上面と前記第２リード電極の上面とをカバーする第２絶縁層を形成するステップと、
   前記第２絶縁層上に、前記第２リード電極に電気的に接続される外部電極を形成するステップと、
   を含み、
   前記第２リード電極を形成するステップにおいて、前記第２リード電極が、前記第１リード電極よりも内側に設けられる
   コモンモードフィルタの製造方法。
9. 前記第２リード電極が、前記高さ補償電極と同時に形成されることを特徴とする請求項８に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
10. 前記高さ補償電極及び前記第２リード電極を形成するステップが、
    前記溝の内部及び前記第１絶縁層上にレジストを形成するステップと、
    前記レジストに、前記高さ補償電極及び前記第２リード電極の位置に対応して、前記溝の内部及び前記第１絶縁層の一部を露出させる開口部を形成するステップと、
    前記開口部内に導電層を形成するステップと、
    前記レジストを除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項９に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
11. 前記レジストを形成するステップの前に、
    シード層を形成するステップをさらに含み、
    前記導電層を形成するステップが、
    前記シード層上にメッキを施して前記導電層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
12. 前記レジストを除去するステップの後に、
    露出された前記シード層を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
13. 前記第２リード電極及び前記高さ補償電極が、前記第２コイル電極と同時に形成されることを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
14. 前記高さ補償電極を形成するステップにおいて、前記高さ補償電極の断面積が、前記第１リード電極の断面積より小さいことを特徴とする請求項８から請求項１３のいずれか１項に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
15. 前記第１リード電極を形成するステップにおいて、前記第１リード電極が、前記磁性基板上の隅側に形成されることを特徴とする請求項８に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
16. 前記外部電極を形成するステップの後に、
    前記第２絶縁層上に磁性層を形成するステップをさらに含む請求項８から請求項１５のいずれか１項に記載のコモンモードフィルタの製造方法。
17. 前記第１コイル電極を形成するステップが、
    前記磁性基板上に絶縁コーティング層を形成するステップと、
    前記絶縁コーティング層上に前記第１コイル電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項８から請求項１６のいずれか１項に記載のコモンモードフィルタの製造方法。

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