CN1188847C - 相变型光记录介质及其制造方法和记录方法 - Google Patents

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Abstract

一种相变型光记录介质，该相变型光记录介质具有反射率关系Rc＜Ra，且即使不进行初始化处理，也能从第一次记录开始就具有高的记录特性。该光盘是通过在衬底(1)上淀积多重反射层(2)、第一介电层(3)、记录层(4)、第二介电层(5)、反射层(6)和UV硬化树脂层(7)而形成的。在形成记录层(4)时，衬底温度设置为既能使记录层处于非晶态，又不高于记录层的结晶转变温度。由此，记录层(4)在稳定非晶态条件下形成。

Description

相变型光记录介质 及其制造方法和记录方法
本发明涉及一种具有可相变的记录层的光记录介质，该记录层根据照射光束的强度在晶态和非晶态之间变化。更具体地，涉及一种无须初始化处理的相变型光记录介质及其制造方法，以及在其上记录信息的记录方法。
近年来，作为一种可进行大量信息的记录/读出/擦除的手段，对光记录介质进行了十分活跃的研究和开发。尤其是利用记录层的晶态和非晶态可逆相变进行信息记录/擦除的所谓相变型光盘被认为最有前途，因为它们具有仅仅通过改变激光束功率就可同时记录新信息和擦除旧信息(以下称“重写入”)的优点。
作为可以重写的相变型光盘的记录材料，过去它要应用硫属元素合金如熔点低、激光束吸收效率高的In-Se系列合金(见Appl.Phys.Lett.Vol.50，p667，1987)、或In-Se-Te合金(见Appl.Phys.Lett.Vol 50，p16，1987)和Ge-Te-Sb合金(见日本专利特开昭62-53886)。
另外，在用硫属元素合金实际进行记录/擦除时，在记录层的上、下表面之一或两者上设置一介电层，以防止由于记录/擦除时加热造成的衬底变形、记录层氧化、材料沿槽的迁移或记录层的变形，该介电层由金属或亚金属的氧化物、碳化物、氟化物、硫化物和氮化物中的至少一种构成。
还有，具有三层或四层结构的相变型光盘是主流，即在透明衬底上有包括硫属元素合金的记录层、设置在记录层正上和/或正下的介电层、以及设置在记录层上的与衬底相反一边的面上的用作冷却层的反射层(例如铝合金)，因为这种光盘具有优良的记录/擦除特性。
在一般的相变型光盘中，通过向记录层照射具有记录功率的激光束将记录层加热到高于熔点的温度，然后急冷，使得该层转变成非晶态，结果就形成了记录标记。如果向记录层照射具有擦除功率的激光束将材料加热到结晶转变温度以上，然后逐步缓冷，记录层材料就变成晶态，结果就擦除了记录标记。
上述相变型光盘是通过用例如溅射法或汽相淀积法在衬底上依次形成构成各层的薄膜而制得的。由于刚刚淀积后的记录层是非晶态，通常要对光盘照射激光束使光盘整个表面结晶化。这一工艺通常叫做初始化处理。
假设记录层为晶态时反射率为Rc，非晶态时为Rc，上述三层或四层结构的相变型光盘满足Rc＜Ra。记录层处于非晶态时，用通常的驱动装置聚焦或分区，反射率的值是不足够的。而通过施加初始化处理把记录层变为晶态，可获得足够的反射率。
但是，即使是采用最有效的激光束照射方法，要把直径120mm的整个光盘初始化也需要1分钟或略少的时间，因此该步骤增加了光盘的制造成本。也就是说，考虑到制造光盘的各步骤中处理一片光盘所必需的时间(周期时间)，初始化处理所需的时间比模制衬底或形成薄膜都要长。因此，如果形成薄膜的周期时间为例如8秒，为了减少向初始化处理转移的时间损失，至少需要六七套十分昂贵的初始化设备。因此，采用初始化处理增加了光盘的制造成本。
另外，  日本专利特开平7-78354(EP 642123A1)和日本专利特开平8-63781公开了这样的相变型光盘，其中记录层处于晶态时的反射率Rc和处于非晶态时的反射率Ra具有Rc＜Ra的关系。日本专利特开平7-105574公开了这样的相变型光盘，即其中记录层处于晶态时的吸光率Ac和处于非晶态时的吸光率Aa具有Ac＞Aa(即Rc＜Ra)的关系。
其中，日本专利特公平7-78354和平7-105574说明了通过在记录层和衬底之间设置一金属层或吸光层可获得Rc＜Ra或Ac＞Aa。而日本专利特开平8-63781说明了通过合适选择在记录层和衬底之间形成的保护层的膜厚可获得Rc＜Ra。
另外，当反射率的关系设为Rc＜Ra时，由于记录层晶态时的吸收率Ac和非晶态时的吸收率Aa的关系变为Ac＞Aa，在重写入时非晶态标记的形状畸变可以抑制。由此可以减小读出光中的信号不稳定，在可实现高密度记录的标记边缘记录中获得高的记录/读出特性。
如上所述，在标记边缘记录时，采用Rc＜Ra的相变型光盘，即使不进行初始化处理，也可获得足够的反射率，获得高的记录/读出特性。但是，本发明人通过研究发现，在不进行初始化处理的这些相变型光盘进行重写入时，第一次记录的C/N(信噪比)比重写入后的C/N低。
本发明的目的在于，在Rc＜Ra的相变型光盘中，即使不进行初始化处理，在第一次记录之后仍可获得高的记录特性。
为了实现上述目的，本发明提供一种相变型光记录介质，该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层，该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小，其中：所述记录层在成膜时整个表面都成为稳定非晶态。
也就是说，根据本发明的相变型光记录介质既包含可重写型相变型光记录介质，其中具有可发生晶态和非晶态可逆相变的记录层；也包括只能记录一次的一次写入型相变型光记录介质，其中具有至少在晶态 非晶态的一个方向上发生相变的记录层。
关于晶态和非晶态之间的相变，图1所示的图选自“非晶态半导体基础”(1982)，p23，OHM公司出版。该图示出在发生晶态和非晶态相变的薄膜中，原子排列(自由度)和自由能的关系。
从该图可看出，自由能在晶态(C)时最小，在非晶态(A)的多个状态下，自由能有各个相对的极小值(A1、A2、A3…)。可以认为，各个非晶态下的薄膜通过从外界施加具有热、光形式的一个小能量，可以跃过激活能垒，转变到与之相邻的其它极小值的状态。
在各非晶态中，在排列上最靠近晶态的非晶态(A1)只跃过一个激活能垒即可转变成晶态，把它定义为稳定非晶态，而其它非晶态(A2、A3…)在本发明中定义为亚稳非晶态。也就是说，由亚稳非晶态转变到晶态(c)，必须跃过多个激活能垒。因此，与处于稳定非晶态的薄膜相比，处于亚稳非晶态的薄膜更难转变成晶态。
在现有的Rc＜Ra的相变型光记录介质中，由于在包括记录层的各层的成膜过程中，并不特别控制衬底的温度，衬底保持在较低温度(如≥20℃且≤35℃)，可以认为记录层处于亚稳非晶态。即，在不进行初始化处理的情况下进行记录时，第一次记录时，记录层处于亚稳非晶态。因此，应被结晶化的区域没有充分结晶化。而在可重写型相变型光记录介质的情况下，进行第二次记录时，由于在此之前的第一次记录已把记录层的非晶态部分转变成稳定非晶态，应被结晶化的部分可被充分结晶化。结果造成了如下现象，即，在一次写入型中进行记录时的C/N低；在可重写型中第一次记录的C/N比重写时的C/N低。
相反地，在根据本发明的相变型光记录介质中，Rc＜Ra，由于记录层在成膜时整个表面都成为稳定非晶态，即使不进行初始化处理，第一次记录时记录层也是处在稳定非晶态。因此，从第一次记录开始，应被结晶化的区域就被完全结晶化了。结果，在一次写入型中进行记录时可获得高C/N，在可重写型中，在第一次记录和第二次记录或之后都可获得高的C/N。
如上所述，在根据本发明的相变型光记录介质中，由于记录层在成膜时整个表面都成为稳定非晶态，即使不进行初始化处理，在记录时从第一次记录开始即可获得高C/N。因此，这种介质可以在无初始化处理的情况下提供，因此可以大大提高生产率，降低制造成本。
另外，在根据本发明的相变型光记录介质中，由于在记录前故意将高反射率(Ra)降低至低反射率Rc意义不大，所以最好在对整个表面不进行预先结晶化(即无需初始化处理)的情况下进行记录。由于这样保留了记录前的高反射率，可以稳定地进行供应前的检查和形成薄膜后的各种检查。
另外，作为根据本发明的相变型光记录介质的记录方法，如果所采用的方法是记录标记为非晶态，记录标记之外的部分是晶态，就与在初始化处理之后向现有的相变型光记录介质施加的方法相同，从而就具有可原样使用现有记录设备的优点。
还有，由于根据本发明的相变型光记录介质中Rc＜Ra，如果在记录时通过在非数据区(数据区之外的区域，如索引区)只照射读出光束使非数据区总是处于非晶态，从而可使非数据区一直保持高反射率。
判断形成的记录层是稳定非晶态还是亚稳非晶态的方法可包括，例如下面的两种方法：
第一种方法，以最佳功率(记录功率和擦除功率)重写入，测量第一次记录后的噪声大小(N1)和第二次记录或之后(例如第二次或第十次)的噪声大小(Nn)，判断两个测量值(N1和Nn)的差值。如果(N1-Nn)的绝对值在稳定值范围内，则认为记录层处于稳定非晶态，如果该绝对值大于预定值，则认为该层处于亚稳非晶态。作为上述预定值，例如可以是6dB或3dB。
第二种方法，用DRS(动态反射率图像仪)测量淀积的记录层的温度-反射率曲线，基于该图进行判断。DRS方法是一种以恒定速率淀积后，随膜的温度升高动态地测量反射率变化的方法。由于利用该方法通常可以测量从非晶态向晶态相变时反射率的变化，可以得到结晶转变温度和结晶激活能。
由于即使对于同一成分的记录层，其晶态和非晶态的光常数也不同，所以在从非晶态向晶态相变时反射率要发生变化。而且由于即使在稳定非晶态和亚稳非晶态之间光常数通常也有某些差异，在从亚稳非晶态向稳态非晶态转变时常常也可以测到反射率的变化。
图2示出当某一成分的记录层在亚稳非晶态成膜时的温度-反射率曲线，图3示出同一成分的记录层以稳定非晶态成膜时的温度-反射率曲线，它们都是在同一加热速率下测得的。
图2中，由于记录层是亚稳非晶态，所以不是从非晶态的反射率(Ra)直接转变晶态的反射率(Rc)，而是在略低于结晶转变温度的位置存在一个温区，其反射率(Rx)低于非晶态的反射率(Ra)。从反射率为Rx的该温区的存在可以看出，如果记录层形成为亚稳非晶态，亚稳非晶态向晶态转变时要经过稳定非晶态。但是，取决于记录层或构成记录介质的膜的成分，反射率为Rx的温区可以非常小，难以确定。另外，在图3中，由于记录层成膜时形成为稳定非晶态，非晶态的反射率(Ra)在结晶转变温度附近直接转变成晶态的反射率(Rc)。
图4和图5是形成为非晶态的Ge32Te68薄膜的TEM(透射电镜)照片和电子束衍射花样(右上部)。对图4的薄膜部分地施加了一种处理以形成稳定非晶态，而图5的薄膜没有进行这种处理。
也就是说，图5所示的薄膜是在其上形成有用来导引激光束的槽的衬底上形成，且是在不加热衬底的情况下淀积的Ge32Te68薄膜，从其电子束衍射花样可以看出该膜处于非晶态。另外，由于在TEM照片上观察到精细组织，可以认为该薄膜是在亚稳非晶态下淀积的。
图4的TEM照片，示出对图5的薄膜凹槽的左侧部分(带的较宽部分)以4m/s照射速度照射3mW的激光束后的状态。图4的电子束衍射花样是激光照射部分的花样，可以看出图4的薄膜的激光照射部分处于非晶态。另外，从图4的TEM照片可以看出，激光照射部分形成了反射率降低的无精细结构(均匀黑色)的部分，可以认为激光照射部分是从亚稳非晶态向稳定非晶态转变的。从照片可以看出，在同一成分的非晶态薄膜中实际存在两种不同状态(稳定非晶态和亚稳非晶态)。但是，上述的这两种状态通常不能清楚地区分。
用来形成稳定非晶态的记录层的方法可包括：(1)在正要、正在淀积或刚淀积完记录层时，控制在其上形成记录层的底层的温度，使其处于使记录层处于稳定非晶态但又低于其结晶转变温度的温度下的方法；(2)用激光磨削法形成记录层的方法；以及(3)用溅射法形成薄膜的方法，溅射气氛为氦或氖、或者包括氦或氖的氩气混合气体。
方法(1)包括：①在正要淀积记录层之前加热衬底或底层，从而将记录层的下面部分预热；②在刚刚开始淀积记录层时开始加热衬底或底层表面，并在淀积过程中继续加热，以将记录层的下面部分保持在高温下；③在记录层淀积刚刚结束后加热衬底或成膜表面；④在淀积记录层前的成膜刚刚结束时，利用成膜时在衬底上蓄积的热量开始进行记录层的淀积。另外，加热方法包括：向衬底的成膜表面(记录层下面)照射包括热射线的光；用加热器等加热衬底夹具的方法；用高频感应加热法；闪烁曝光加热法或等离子体处理加热法等。
若采用方法(1)，记录层包括Ge-Te-Sb系合金，衬底由玻璃制成，淀积记录层时的衬底温度优选为35～150℃。即在35℃或更高的淀积温度下Ge-Te-Sb系合金形成稳定非晶态，但超过150℃时进行结晶化。淀积记录层时衬底温度更优选为≥45℃，因为这样可大大提高第一次记录时的噪声降低效果。最优选为≥55℃。如果衬底由塑料(例如聚碳酸酯)构成，优选地在淀积记录时将衬底温度控制在≤110℃，更优选地≤95℃；以防止塑料衬底的变形。
Rc＜Ra的相变型光记录介质的层状结构，例如，如图6所示，在衬底1上依次具有多重反射层2、第一介电层3、记录层4、第二介电层5和反射层6。在图6中，标号7表示用来保护薄膜表面的UV(紫外线)硬化树脂层。多层反射层2造成入射光在它和记录层4之间的多重反射，并由于该多重反射层2的存在，当第一介电层3的膜厚在一定范围内时获得Rc＜Ra的关系。
多重反射层2可包括，例如，包括金属、亚金属或半导体等的吸光层，通过交替层叠高折率介电材料和低折射率介电材料而形成的介电多重膜。吸光层具体地可包括：Al、Ti、Cr、Ni、Cu、Si、Ge、Ag、Au、Pd、Ga、Se、In、Sn、Sb、Te、Pb、Bi、Ta等元素，或包含上述元素的合金。
作为多重反射层2，优选具有介电多层膜的层状结构，因为Rc＜Ra且光常数也高。这种情况下高折射率的介电材料优选为氧化物，如TiO2、CeO2、ZrO2，硫化物，如Sb2S3、CdS、ZnS以及氮化物如Si3N4和TiN。低折射率的介电材料优选为氟化物如MgF2、CeFe3和氧化物如SiO2和Al2O3。
作为第一和第二介电材料3和5，采用耐热性高、熔点≥1000℃的材料，例如：SiO2、SiO2和ZnS的混合物、Al2O3、AlN和Si3N4。其中优选ZnS和SiO2的混合物。
如上所述，为了使设置有多重反射层2，且第一介电层3在一定范围内的相变型光记录介质具有Rc＜Ra的关系，第一介电层的膜厚根据整个膜构成限定在能够提供Rc＜Ra关系的范围内。
设定第二介电层5的膜厚时必须考虑记录速度、读出速度等。即，当记录线速度较低，例如为6m/s时，第二介电层5的膜厚优选为比较薄以形成相变型光记录介质的“快速冷却结构”，具体地，为50～500埃。如果小于50埃，得不到足够的记录敏感性；如果大于500埃，则得不到足够的重写循环性。
但是，在第二介电层5的膜厚比较厚的“缓冷结构”型相变型光记录介质中，由于记录敏感性高，可以提高记录速度。因此，第二介电层的膜厚可以大于500埃，但即使在“缓冷结构”中也最好≤3000埃，因为膜厚大于3000埃时，再生光会急剧劣化。
本发明人已经通过试验证实，如果采用方法(1)作为淀积记录层的方法以形成稳定非晶态，即使成膜气氛中不含氢气，在记录层前和后淀积的第一和第二介电层3和5中也含有氢。
作为记录层4的材料，优选采用Ge-Te-Sb系合金和Ge-Te-Sb-Bi系合金。上述合金中还可以含有氢、氮、氧、碳、Al、Ti、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Se、Sn、In、Ag、Pd、Rh、Ru、Mo、Nb、Hf、Zr、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au、Tl或Pb等。上述元素可以在记录层成膜时从靶材带入，或者以气态加入气氛中。
记录层4的膜厚优选为50～1000埃。如果小于50埃，不能获得足够的记录敏感性；超过1000埃，则会在记录敏感性和分辨率方面出现问题。
作为上述结构的相变型光记录介质所采用的反射层6，一般采用金属、亚金属或半导体。反射层6的膜厚优选为大于等于300埃。
形成各层的方法，包括汽相淀积法、溅射法和离子镀法。
图1是在发生晶态和非晶态相变的薄膜中的原子位置和能量的关系图；
图2是具有某一成分的记录层的亚稳非晶态下成膜时的温度-反射率曲线；
图3是具有某一成分的记录层的稳定非晶态下成膜时的温度-反射率曲线；
图4是在非晶态下成膜后，部分地对其进行使其成为稳定非晶态的处理的Ge32Te68薄膜的TEM(电子透镜)照片和电子束衍射花样(右上角)的复制图。
图5是在非晶态下成膜，未对其进行使其成为稳定非晶态的处理Ge32Te68薄膜的TEM(电子透镜)照片和电子束衍射花样(右上角)的复制图。
图6是对应于本发明第一方案的相变型光记录介质的层状结构的剖面图；
图7是在实施例1-4中用来记录的激光束的强度调制波形；
图8是在实施例5中用来记录的激光束的强度调制波形(a)、记录轨道(b)的索引部分和数据记录部分的关系图。
下面，结合具体实施例和比较例解释本发明的优选实施方案。
实例1
具有图6所示层结构的相变型光盘如下制作。
首先，在直径120mm、厚度0.6mm、具有激光束用凹槽的聚碳酸酯衬底上，用溅射法依次形成膜厚10nm、由金构成的吸光层2，厚度110nm、包括ZnS和SiO2的混合物(SiO2为12mol％)的第一介电层3，膜厚11nm、包括Ge、Te和Sb的记录层4，膜厚37nm、材料与第一介电层3相同的第二介电层5，以及膜厚70nm、包括Al-Ti(Ti为2atm％)的反射层6。氩气用作溅射气。
然后，在第一介电层3淀积结束后，用氦灯(两盏，500W)照射第一介电层3的表面。照射时投射电压为45V，照射时间为5分钟。光照结束后，立即进行记录层4的淀积。即将进行记录层4的淀积时的衬底温度为75℃。记录层4淀积刚刚结束后的衬底温度为35℃或更高。
然后，在反射层6上用旋涂法涂敷UV硬化树脂，并硬化，从而形成一层UV硬化树脂层7。
由此得到的光盘的记录层处于非晶态，该盘在波长为680nm时的反射率为16.9％。而且，如果光盘的记录层处于晶态，则反射率为4.3％。
实例2
对第一介电层3的表面的照射条件变为：在投射电压为35V的情况下照射5分钟，从而使即将开始记录层淀积时衬底温度为55℃。记录层4淀积刚刚结束时的衬底温度为35℃或更高。除此之外，图6所示的层状结构的相变型光盘是用与实例1相同的方式制造的。
由此得到的光盘的记录层处于非晶态，该盘在波长为680nm时的反射率为16.5％。而且，如果光盘的记录层处于晶态，则反射率为4.5％。
实例3
对第一介电层3的表面的照射条件变为：在投射电压为25V的情况下照射5分钟，从而使即将开始记录层淀积时衬底温度为55℃。记录层4淀积刚刚结束时的衬底温度为35℃或更高。除此之外，图6所示的层状结构的相变型光盘是用与实例1相同的方式制造的。
由此得到的光盘的记录层处于非晶态，该盘在波长为680nm时的反射率为16.2％。而且，如果光盘的记录层处于晶态，则反射率为4.8％。
实例4
第一介电层3成膜刚刚结束时的衬底温度为45℃，在第一介电层3成膜结束后立即开始(5秒内)形成记录层4，从而即将开始记录层淀积时衬底温度为42℃。记录层4淀积刚刚结束时的衬底温度为35℃或更高。除此之外，图6所示的层状结构的相变型光盘是用与实例1相同的方式制造的。
由此得到的光盘的记录层处于非晶态，该盘在波长为680nm时的反射率为16.4％。而且，如果光盘的记录层处于晶态，则反射率为4.5％。
比较例1
第一介电层3成膜刚刚结束时的衬底温度为45℃，第一介电层3成膜结束后经过300秒以上的时间，开始形成记录层4，从而使即将开始记录层淀积时衬底温度为33℃。记录层4淀积刚刚结束时的衬底温度为低于33℃。除此之外，图6所示的层状结构的相变型光盘是用与实例1相同的方式制造的。
由此得到的光盘的记录层处于非晶态，该盘在波长为680nm时的反射率为17.3％。而且，如果光盘的记录层处于晶态，则反射率为5.2％。
将在实例1～4和比较例1中制造的光盘不进行初始化处理，放在驱动装置上。然后，光盘以1800转/分钟的速度旋转，用激光束(波长680nm)照射距离中心26mm的位置，从而记录了频率为5MHz的信号，其中激光束被调制为如图7所示的记录功率12mW，擦除功率5mW。
接着，在相同位置重写相同信号之后，测量第一、二、三、五和十次记录的C/N和噪声大小。C/N测量的结果(dB)示于表1，噪声大小(dB)的测量结果示于表2。
表1
    第一次     第二次     第三次     第五次     第十次
  实施例1     54.6     55.4     56.0     56.3     56.6
  实施例2     55.0     56.2     56.7     57.0     56.7
  实施例3     50.1     55.6     56.1     56.2     56.2
  实施例4     52.6     55.5     53.4     56.2     56.2
  比较例1     46.0     53.9     53.4     54.6     54.2
表2
  第一次   第二次   第三次   第五次   第十次
实施例1   -79.8   -80.0   -80.3   -80.3   -80.5
实施例2   -79.6   -80.0   -80.3   -80.4   -80.2
实施例3   -74.1   -79.1   -79.3   -79.5   -79.6
实施例4   -77.5   -80.1   -80.3   -80.4   -80.6
比较例1   -71.9   -79.3   -79.6   -79.9   -80.2
从结果可以看出，在比较例1中，第一次记录的噪声比第二次和之后的噪声大得多，相应地，第一次记录的C/N比第二次和之后的C/N低得多。在实例1～4中，第一次记录和第二次及之后的记录的噪声和C/N的差异，都比比较例1的小。另外，在实例1～4中，即将进行记录层淀积的衬底温度越高，第一次与第二次及之后的差异越小。
因此，即使对反射率Rc＜Ra的相变型光盘不进行初始化处理，在进行记录时，如果在记录层淀积即将开始时，在衬底不变形的温度范围内提高衬底温度，也可以在第一次记录时获得高记录特性。具体地，实例1～4中即将开始淀积记录层时的衬底温度为55℃和75℃，其效果较好。
实例5
制作除了在衬底的槽中预先形成表示数据控制信息的凹凸型索引区(数据区之外的区域)之外，其余与实例1相同的样品盘。将未经初始化处理的样品盘置于驱动装置上。然后将样品盘以1800转/分钟的转速旋转，并用波长680nm的激光束在距圆心24mm的径向位置，用1-7调制信号进行标记边缘记录。
通过如图8(a)所示，照射各记录功率、擦除功率和读出功率之间的强度调制的光束进行记录。在图8(b)所示的情况下，在索引区上只照射与读出功率相对应的低强度激光，而且读出功率还设置为使索引区保持在非晶态的数值。在该试验中，记录功率为11mW，擦除功率为4.5mW，读出功率为1.0mW。记录图形为随机图形，每比特的比特长度为0.45mW(最短标记长度0.6μm)。然后，在同一磁道重写与上述不同的随机图形。
在第一次记录和重写之后，以读出功率读被记录的磁道，并测量读出信号中的跳动值(在时间轴上的偏差)。通过先用跳动分析仪分析读出信号获得跳动的标准偏差σ，然后计算标准偏差σ对Tw(窗口宽度)的比值，从而得到跳动值。结果是，第一次记录后的跳动值是5％，重写后的跳动值是7％。另外，当读出标记信号时，可以无错误地读出。
比较例2
对于用与实例5相同的方式制作的样品盘，先进行初始化处理。即，在转动光盘时，从衬底侧照射激光束使记录层转变成晶态。该激光束宽为1μm，长为10μm，并设置成其长度方向与盘的磁道相垂直。初始化处理的时间是约3分钟。用与实例5相同的方法测量了初始化处理后的样品盘的记录和读出特性。
第一次记录和重写后的跳动值较满意，为约7％，但读出标记信号时，错误频繁发生。当测量标记信号的幅度时，发现它仅为实例5中的标记信号幅度的约17％。而且，在第一次记录中，偏焦和离轨频繁发生。
如上所述，在象现有技术那样进行初始化处理时，必须采用专用的初始化装置，且每面处理需3分钟，两面需6分钟。而且，由于通过初始化处理使记录层成为晶态，反射率大大降低，从而带来一系列问题，如频繁发生标记信号的读出错误、第一次记录时的偏焦和离轨。
如上所述，根据本发明的相变型光记录介质是这样一种相变型光记录介质，即其反射率具有关系Rc＜Ra，即使记录层处于非晶态也能获得足够的反射率，且在标记边缘记录时可获得高的记录/读出特性，而且即使不进行初始化处理，从第一次记录开始就可以获得高的记录特性。因此，根据本发明的相变型光记录介质可省去初始化处理，且可保证记录可靠性。而且，根据本发明的制造方法，可容易地获得上述相变型光记录介质。而且，在充分保证根据本发明的相变型光记录介质的优良特性的同时，可用根据本发明的记录方法进行记录。

Claims (7)

1.一种相变型光记录介质，该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层，该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小，其中：所述记录层在成膜时整个表面都成为稳定非晶态，且在衬底上依次包括多重反射层、第一介电层、记录层、第二介电层和反射层。
2.如权利要求1所述的相变型光记录介质，其中记录层的成分至少包含Ge、Sb和Te。
3.一种制造相变型光记录介质的方法，该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层，该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小，其中：以使记录层成为稳定非晶态的方式形成记录层，且在形成记录层时，将衬底温度设置为既能使记录层成为稳定非晶态但又低于记录层的结晶转变温度的温度。
4.一种制造相变型光记录介质的方法，该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层，该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小，其中：以使记录层成为稳定非晶态的方式形成记录层，且形成记录层时衬底温度为35～150℃。
5.一种制造相变型光记录介质的方法，该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层，该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小，其中：以使记录层成为稳定非晶态的方式形成记录层，且即将开始形成记录层时衬底温度为35～95℃。
6.一种相变型光记录介质的记录方法，该记录介质至少包括衬底和在其一面上形成的、根据照射光束的强度进行晶态和非晶态相变的记录层，该记录层在晶态时的反射率比在非晶态时的反射率小，所述记录层在成膜时整个表面都成为稳定非晶态，其中：用如下方法进行记录，即，对记录层的整个表面预先不进行结晶化处理，并使记录标记成为非晶态，使除记录标记之外的其它区域成为晶态。
7.如权利要求6所述的相变型光记录介质的记录方法，其中：对于数据区之外的区域只照射其大小与读出光相当的光束，从而使数据区之外的区域总是保持在非晶态。
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