KR100698167B1 - 상변화형 광 디스크 - Google Patents
상변화형 광 디스크 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100698167B1 KR100698167B1 KR1020000037530A KR20000037530A KR100698167B1 KR 100698167 B1 KR100698167 B1 KR 100698167B1 KR 1020000037530 A KR1020000037530 A KR 1020000037530A KR 20000037530 A KR20000037530 A KR 20000037530A KR 100698167 B1 KR100698167 B1 KR 100698167B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- phase change
- gete
- recording layer
- change type
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 33
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 33
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910017629 Sb2Te3 Inorganic materials 0.000 claims 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B2220/00—Record carriers by type
- G11B2220/20—Disc-shaped record carriers
- G11B2220/25—Disc-shaped record carriers characterised in that the disc is based on a specific recording technology
- G11B2220/2537—Optical discs
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
본 발명은 지터(jitter) 마진확보 및 오버라이트 특성을 향상시키기 위한 상변화형 광 디스크에 관한 것이다.
본 발명은 상변화형 광 디스크에 있어서, 기록층은 녹는점이 높고 결정화 온도가 낮은 물성을 가진 조성물과, 상대적으로 녹는점이 낮고 결정화 온도가 높은 물성을 가진 조성물이 다층으로 형성된다.
본 발명은 기록층을 결정화가 잘 되는 조성과 비정질이 안정화되는 조성을 가진 물질을 다층으로 구성함으로써, 초기 오버라이트 시에 발생하는 지터값의 증가를 감소시킴과 아울러 오버라이트의 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
도 1은 종래 기술에 따른 상변화형 광 디스크의 구조를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 상변화형 광 디스크의 구조를 나타낸 도면.
도 3은 종래 및 본 발명에 의한 상변화형 광 디스크의 기록파워에 따른 지터량의 변화를 나타낸 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
2,20 : 폴리카보네이트 기판 4,24 : 제1 유전체층
6,27 : 기록층 8,28 : 제2 유전체층
10,30 : 반사층 12,32 : 보호층
25 : 비정질층 26 : 결정질층
본 발명은 상변화형 광 디스크에 관한 것으로, 특히 지터 마진확보 및 오버라이트 특성을 향상시키기 위한 상변화형 광 디스크에 관한 것이다.
현재 시판되고 있는 광기록매체로는 읽기전용의 컴팩트 디스크(CD), 기록 가능한 컴팩트 디스크(CD-R), 재기록 가능한 컴팩트 디스크(CD-RW), 광자기 디스크(MOD), 상변화 광 디스크(PD), 디브이디(DVD) 등이 있다. 이 중에서 반복해서 기록 가능한 것은 CD-RW, MOD, PD 등과 현재 연구개발 중인 DVD-RAM이 있다. 이들 중에서 PD, CD-RW, DVD-RAM 디스크는 상변화를 이용한 기록매체이다. 한편, 상변화를 이용한 신호재생 변조방식에는 펄스위상 변조방식(PPM)과 펄스폭 변조방식(PWM)이 있으며, PD만이 PPM방식을 이용하고 있으며, CD-RW,DVD-RAM등은 기록밀도의 향상을 위해 PWM 방식을 이용하고 있다. 한편, 재기록 가능한 광 디스크는 광빔에 의하여 결합구조가 비정질 또는 결정상태로 변화됨으로써 정보가 기록 또는 소거되는 상변화형 디스크가 주로 사용된다. 이 상변화형 디스크는 도 1에 도시된 바와 같이, 폴리카보네이트 기판(2)의 상부에 ZnS-SiO2 로 형성된 제1 유전체층(4), Ge2Sb2Te5로 형성된 기록층(6), ZnS-SiO2 로 형성된 제2 유전체층(8), Al 또는 Au와 같은 금속물질로 된 반사층(10) 및 자외선 경화수지가 적층된 보호층(12)을 포함한 4층막 구조로 형성된다. 이러한 구조의 상변화형 디스크에서 기록층(6)은 광빔에 의해 결정상태와 비정질상태 사이에서 가역변화됨으로써 정보를 기록 또는 소거하게 된다. 여기서, 비정질상태는 “1”의 논리값을 나타내는 기록피트를 의미하며, 결정상태는 “0”의 논리값을 나타내는 기록피트를 의미하거나 또는 정보가 기록되지 않은 비기록상태를 나타낸다. 이 비정질상태는 기록층의 녹는점 보다 높은 온도로 기록층을 가열한 다음 냉각시킴으로써 형성된다. 그리고 비정질상태에서 결정상태로의 변화, 즉 소거는 기록층의 결정화 온도 보다 높은 온도로 기록층을 가열함으로써 수행된다. 또한, 결정상태가 비정질상태에 비하여 광반사율이 큰 점을 이용하여 정보의 재생이 수행된다.
이와 같은 상변화형 광 디스크는 초기 수 회에서 수 백회에 걸쳐서 오버라이트(Overwrite)를 반복할 시, 그 기간 동안 지터값이 급격히 증가하였다가 다시 감소하여 포화되는 현상이 발생된다. 이는 기록층의 결정화가 완전히 이루어지지 않기 때문이다. 결과적으로, 초기 오버라이트를 반복할시 지터값의 급격한 변화로 인해 기록층에 기록되는 기록신호의 신뢰성이 저하되는 원인이 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 기록층의 결정화를 완전히 이루도록 하여 초기 오버라이트 시에 발생하는 지터값의 증가를 감소시킴과 아울러 오버라이트의 특성을 향상시키는 상변화형 광 디스크를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 상변화형 광 디스크는 상변화형 광 디스크에 있어서, 기록층은 녹는점이 높고 결정화 온도가 낮은 물성을 가진 조성물과, 상대적으로 녹는점이 낮고 결정화 온도가 높은 물성을 가진 조성물이 다층으로 형성된다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
도 2 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명 하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 상변화형 광 디스크의 구조를 나타내는 도면으로써, 도 2의 구성에서 본 발명에 따른 상변화형 광 디스크는 투명기판(20)의 상부에 형성되어진 제1 유전체층(24)을 구비한다. 투명기판(20)은 폴리카보네이트(Polycarbonate)에 의해 0.6mm 또는 1.2mm 의 두께를 갖도록 형성된다. 제1 유전체층(24)은 소정의 압력하에서 소정의 전력을 이용하는 직류(DC) 또는 고주파(RF) 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering) 방법에 의해 아르곤(Ar)을 포함하는 불활성기체가 “ZnS-SiO2” 타겟(Target)에 입사되어 50 내지 300nm 의 두께로 투명기판(20) 상에 성막된다.
상변화형 광 디스크는 제1 유전체층(24)의 상부에 순차적으로 적층된 기록층(27) 및 제2 유전체층(28)를 추가로 구비한다. 여기서, 기록층(27)은 결정화가 잘 이루어지는 조성인 결정화촉진층(26)과 비정질이 안정화되는 조성인 비정질안정화층(25)을 적층하여 형성된다. 이때, 결정화가 잘 이루어지기 위해서는 녹는점이 높고, 결정화 온도가 낮아야 한다. 또한 비정질이 안정되기 위해서는 녹는점이 낮고, 결정화 온도가 높아야 한다. 이런 이유로 결정화촉진층(26)은 GeTe와 Sb2Te3를 2:1의 비율로 혼합된 Ge2Sb2Te5 화학양론식(Stoichiometric)조성을 사용하고, 비정질층(25)은 GeTe와 Sb2Te3와 Sb를 2:1:0.5의 비율로 혼합된 Sb 과량(rich)조성을 사용한다. 또한, 비정질안정화층(25)으로 GeTe-Sb2Te3계 물질을 사용하고, 결정화촉진층(26)으로 GeTe-Sb2Te3-O막을 사용할 수도 있다. 여기서, 결정화촉진층(26)은 GeTe-Sb2Te3계 물질에 0.5≤O≤10 mol.% 정도로 "O"를 첨가하여 구성한다. 또한, 비정질안정화층(25)으로 GeTe-Sb2Te3계 물질을 사용하고, 결정화촉진층(26)으로 GeTe-Sb2Te3-N막을 사용할 수도 있다. 여기서, 결정화촉진층(26)은 GeTe-Sb2Te3계 물질에 0.5≤N≤10 mol.% 정도로 "N"을 첨가하여 구성한다. 이와 같이 구성된 결정화촉진층(26)과 비정질안정화층(25)을 적층하여 기록층(27)을 형성한다. 이때, 기록층(27)내에 적층구조를 형성하는 결정화촉진층(26)과 비정질안정화층(25)은 그 적층되는 순서와는 무관하다. 예를 들어, 도 2와 같이 비정질안정화층(25)이 제1 유전체층(24) 상에 성층되고 그 비정질안정화층(25) 상에 결정화촉진층(26)을 성층하여 기록층(27)을 형성하거나, 또는 결정화촉진층(26)이 제1 유전체층(24) 상에 성층되고 그 결정화촉진층(26) 상에 비정질안정화층(25)을 성층하여 기록층(27)을 형성하는 것 중 어느 하나가 선택된다. 또한, 기록층(27)은 비정질안정화층(25) 및 결정화촉진층(26)에 의해 여러층으로 분할된다. 예를 들어 기록층(27)이 비정질안정화층(25) 및 결정화촉진층(26)에 의해 홀수층으로 분할된다면, 그 기록층(27)내의 비정질안정화층(25)와 결정화촉진층(26)의 구성비율은1:2로 구성된다. 만약, 기록층(27)이 짝수층으로 분할된다면, 그 기록층(27)내의 비정질안정화층(25)과 결정화촉진층(26)의 구성비율은 1:1로 구성된다. 이와 같이 구성된 기록층(27)은 DC 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 아르곤(Ar)을 포함하는 불활성기체가 GeSb-Sb2Te3 타겟에 입사되고 소정의 제조압력과 제조파워에 의해 10 내지 40nm의 두께로 제1 유전체층(24) 상에 성막된다. 제2 유전체층(28)은 제1 유전체층(24)의 형성방법과 동일한 방법으로 기록층(27)의 표면에 점착시킴으로써 10 내지 50nm의 두께로 기록층(27)의 표면에 성막된다. 여기서, 제1 유전체층(24) 및 제2 유전체층(28)은 ZnS-SiO2 이 외에도 SiN, SiO2, (ZrxCe1-x)yO1-y(단, x 및 y는 0과 1 사이의 수), AlN 또는 Al2O3 등에 의해서도 형성될 수 있다. 기록층(27)은 결정화가 잘되는 물질로 구성된 결정화촉진층(26)과 비정질이 안정화되는 물질로 구성된 비정질안정화층(25)을 다층으로 구성하여 기록층(27)을 형성함으로써, 결정화 및 비정질 마크가 안정화된다. 이와 더불어, 반사층(30)은 DC 또는 RF 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 불활성기체가 Au 또는 Al 타겟에 입사되고 소정의 제조압력과 제조파워에 의해 100 내지 300nm 두께로 제2 유전체층(28) 상에 성막된다. 또한, 반사층(30)은 Au 또는 Al 에 Ti, Co 또는 Cr 등을 포함할 수도 있다. 또한, 보호층(32)은 자외선 경화수지를 도포함으로써 형성된다.
도 3은 종래 및 본 발명에 의한 상변화형 광 디스크의 기록파워에 따른 지터량을 나타낸다.
도 3 에서 지터는 상기 레이저에서 조사된 펄스신호가 위상변화를 일으키는 것을 의미하며, 본 발명의 상변화형 광 디스크의 지터량이 종래 기술의 상변화형 광 디스크에 비해 현저히 감소함을 나타내고 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 상변화형 광 디스크는 기록층을 결정화가 잘되는 조성과 비정질이 안정화되는 조성을 가진 물질을 다층으로 구성함으로써, 초기 오버라이트 시에 발생되는 지터값의 증가를 감소시킴과 아울러 오버라이트의 특성을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
Claims (4)
- 상변화형 광 디스크에 있어서,기록층이 녹는점이 높고 결정화 온도가 낮은 물성을 갖는 결정화촉진층과, 상대적으로 녹는점이 낮고 결정화 온도가 높은 물성을 갖는 비정질안정화층이 다층으로 적층된 것을 특징으로 하는 상변화형 광 디스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 기록층은,GeTe-Sb2Te3계 물질에 0.5 내지 10 mol.% 정도로 O를 첨가한 GeTe-Sb2Te3-O막, 상기 GeTe-Sb2Te3계 물질에 0.5 내지 10 mol.% 정도로 N을 첨가한 GeTe-Sb2Te3-N막 중 어느 하나로 구성된 결정화촉진층과;상기 GeTe와 Sb2Te3와 Sb를 2:1:0.5의 비율로 혼합된 물질과 상기 GeTe-Sb2Te3계 물질 중 어느 하나로 구성된 비정질안정화층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화형 광 디스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 기록층은,GeTe와 Sb2Te3가 2:1의 비율로 혼합된 Ge2Sb2Te5 화학양론식조성으로 구성된 결정화촉진층과;상기 GeTe와 Sb2Te3와 Sb를 2:1:0.5의 비율로 혼합된 물질과 상기 GeTe-Sb2Te3계 물질 중 어느 하나로 구성된 비정질안정화층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상변화형 광 디스크.
- 제 1 항에 있어서,상기 기록층은 상기 결정화촉진층 및 비정질안정화층이 다층으로 형성되며,상기 기록층의 두께는 10~40nm인 것을 특징으로 하는 상변화형 광 디스크.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000037530A KR100698167B1 (ko) | 2000-07-01 | 2000-07-01 | 상변화형 광 디스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000037530A KR100698167B1 (ko) | 2000-07-01 | 2000-07-01 | 상변화형 광 디스크 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020004090A KR20020004090A (ko) | 2002-01-16 |
| KR100698167B1 true KR100698167B1 (ko) | 2007-03-22 |
Family
ID=19675744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000037530A KR100698167B1 (ko) | 2000-07-01 | 2000-07-01 | 상변화형 광 디스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100698167B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428587A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-01-31 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH04141488A (ja) * | 1990-10-02 | 1992-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 |
| WO1998038636A1 (fr) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Support d'enregistrement optique a modification de phase, procede de fabrication dudit support et procede d'enregistrement d'informations sur ledit support |
| KR20010029133A (ko) * | 1999-09-29 | 2001-04-06 | 윤종용 | 상변화 광디스크 |
-
2000
- 2000-07-01 KR KR1020000037530A patent/KR100698167B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0428587A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-01-31 | Ricoh Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH04141488A (ja) * | 1990-10-02 | 1992-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 |
| WO1998038636A1 (fr) * | 1997-02-28 | 1998-09-03 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Support d'enregistrement optique a modification de phase, procede de fabrication dudit support et procede d'enregistrement d'informations sur ledit support |
| KR20000075827A (ko) * | 1997-02-28 | 2000-12-26 | 야마모토 카즈모토 | 상변화형 광 기록 매체 및 그 제조 방법 및 그 기록 방법 |
| KR20010029133A (ko) * | 1999-09-29 | 2001-04-06 | 윤종용 | 상변화 광디스크 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020004090A (ko) | 2002-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3689612B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP3647848B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| US7626915B2 (en) | Phase-change optical recording medium and recording and reproducing method thereof | |
| WO1999030908A1 (fr) | Element d'enregistrement inscriptible une fois de donnees optiques | |
| JP4091262B2 (ja) | 情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法 | |
| JP3509807B2 (ja) | 情報記録媒体、媒体製造方法、情報記録方法及び再生方法 | |
| US5935672A (en) | Reversible optical information medium | |
| KR100271567B1 (ko) | 상변화 광디스크 | |
| KR100698167B1 (ko) | 상변화형 광 디스크 | |
| JP2005302263A (ja) | 光ディスク及びその記録再生装置並びにアドレス情報管理方法 | |
| JP2002329348A (ja) | 光学記録媒体 | |
| US7180848B2 (en) | Optical information recording medium | |
| JP4542922B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JP3912954B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP3654897B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| KR20050026477A (ko) | 다층 광 데이터 저장매체와 이 매체의 용도 | |
| JP2004047053A (ja) | 光記録媒体へのデータの記録方法、光記録媒体へのデータの記録装置および光記録媒体 | |
| JP4282706B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP2007080390A (ja) | 多層相変化型光記録媒体とその記録方法 | |
| JP2004306583A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JP2004005879A (ja) | 情報記録媒体、情報記録方法及び媒体製造方法 | |
| JPH08315416A (ja) | 光記録媒体 | |
| WO2003098610A1 (fr) | Procede d'enregistrement de donnees de support d'enregistrement optique, dispositif d'enregistrement de donnees de support d'enregistrement optique, et support d'enregistrement optique | |
| JPH08315417A (ja) | 光記録媒体 | |
| KR20020003727A (ko) | 상변화형 광 디스크 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |