CN118833827A - 二氧化硅粒子、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法和半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118974198A (zh) * 2022-03-23 2024-11-15 福吉米株式会社 研磨用组合物及使用其的研磨方法
CN119403760A (zh) * 2022-06-20 2025-02-07 三菱化学株式会社 二氧化硅粒子及其制造方法、硅溶胶、研磨组合物、研磨方法、半导体晶片的制造方法以及半导体器件的制造方法
JP7582551B2 (ja) * 2022-06-20 2024-11-13 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JPWO2024122583A1 (https=) * 2022-12-08 2024-06-13

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61209910A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Tama Kagaku Kogyo Kk ポリツシング用コロイダルシリカの製造方法
JPS62260712A (ja) * 1986-05-02 1987-11-13 Toray Ind Inc シリカ粒子の製造法
JPS6374911A (ja) * 1986-09-19 1988-04-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 微細球状シリカの製造法
JP2555475B2 (ja) * 1990-10-16 1996-11-20 工業技術院長 無機質微小球体の製造方法
JPH085657B2 (ja) 1990-11-21 1996-01-24 触媒化成工業株式会社 シリカゾルとその製法
JP3584485B2 (ja) * 1993-03-03 2004-11-04 日産化学工業株式会社 シリカゾルの製造方法
US5425930A (en) * 1993-09-17 1995-06-20 Alliedsignal Inc. Process for forming large silica spheres by low temperature nucleation
JPH08183610A (ja) * 1994-12-27 1996-07-16 Mitsubishi Chem Corp 着色球状シリカの製造法
JP3195569B2 (ja) 1997-08-11 2001-08-06 守 磯 繭型コロイダルシリカの製造方法
JP2003165718A (ja) * 2001-11-27 2003-06-10 Fuso Chemical Co Ltd 無孔質球状シリカ及びその製造方法
JP5080061B2 (ja) * 2005-11-10 2012-11-21 多摩化学工業株式会社 中性コロイダルシリカの製造方法
JP4968431B2 (ja) * 2006-01-30 2012-07-04 株式会社豊田中央研究所 球状シリカ系メソ多孔体及びその製造方法、並びにそれを用いた塩基触媒
JP4617267B2 (ja) * 2006-03-13 2011-01-19 株式会社トクヤマ 球状シリカ粉末の製造方法
WO2007122930A1 (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Asahi Glass Company, Limited コアシェル型シリカおよびその製造方法
JP2008037700A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Tokuyama Corp シリカ系複合酸化物粒子集合体およびその製造方法
JP2008273780A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Jgc Catalysts & Chemicals Ltd 改質シリカ系ゾルおよびその製造方法
AU2008260452A1 (en) * 2007-06-04 2008-12-11 Alltech Associates, Inc. Silica particles and methods of making and using the same
JP5084670B2 (ja) * 2008-09-01 2012-11-28 日揮触媒化成株式会社 シリカゾルおよびその製造方法
JP5348400B2 (ja) * 2008-09-05 2013-11-20 Jsr株式会社 シリカ粒子分散液およびその製造方法
JP5488255B2 (ja) * 2010-06-25 2014-05-14 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子及びその製造方法
JP2012214340A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Dainippon Printing Co Ltd シリカ粒子の製造方法
JP5857525B2 (ja) * 2011-08-18 2016-02-10 富士ゼロックス株式会社 シリカ粒子及びその製造方法
US20140319411A1 (en) 2011-11-16 2014-10-30 Nissan Chemical Industries, Ltd. Semiconductor wafer polishing liquid composition
JP6011804B2 (ja) * 2013-03-29 2016-10-19 日産化学工業株式会社 シリカゾルの製造方法
CN105731468A (zh) * 2016-03-17 2016-07-06 江苏天恒纳米科技股份有限公司 一种粒径可控硅溶胶的制备方法
TWI762528B (zh) * 2016-12-02 2022-05-01 日商日揮觸媒化成股份有限公司 研磨用氧化矽系粒子及研磨材
JP6934344B2 (ja) * 2017-07-18 2021-09-15 デンカ株式会社 球状シリカフィラー用粉末及びその製造方法
JP7422481B2 (ja) * 2017-10-23 2024-01-26 株式会社トクヤマ 複合粉体
JP7206695B2 (ja) * 2017-11-10 2023-01-18 三菱ケミカル株式会社 シリカゾル、研磨組成物、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法、化学的機械的研磨組成物及び半導体デバイスの製造方法
JP7234536B2 (ja) * 2018-03-26 2023-03-08 三菱ケミカル株式会社 シリカゾルの製造方法
KR102672869B1 (ko) * 2018-03-30 2024-06-05 닛키 쇼쿠바이카세이 가부시키가이샤 실리카 입자 분산액, 연마 조성물 및 실리카 입자 분산액의 제조 방법
JP2020011471A (ja) 2018-07-19 2020-01-23 株式会社Msソリューションズ ガラスフィルム

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