CN1169236C - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供不因空气中浮游的尘埃而产生短路的半导体装置的制造方法、半导体装置、窄间距用连接器、静电传动器、压电传动器等的微机械、包含这些微机械的喷墨头、喷墨打印机、液晶面板以及电子装置。在对硅晶片(30)进行切割来制造多个半导体装置(20)的方法中，在上述硅晶片上以跨越切割线的方式形成被绝缘层覆盖的槽(30a)，沿上述切割线对上述硅晶片进行切割。

Description

半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造方法、半导体装置、窄间距用连接器、包含该窄间距用连接器的静电传动器、压电传动器、微机械、液晶面板以及使用了该静电传动器、压电传动器的喷墨头、安装了该喷墨头的喷墨打印机、电子装置。
背景技术
以往，已知有在单晶硅晶片(以下，称为硅晶片)上形成绝缘层的同时利用CVD法(或溅射法)和刻蚀在该绝缘层的上表面上形成布线等来制造半导体装置的方法。
图23是形成了半导体装置的硅晶片的平面图，图24是将图23中的A-A剖面图的主要部分放大后示出的图。
如图23中所示，在硅晶片1的表面上夹住切割线5以栅格状形成了多个半导体装置3。这里示出的半导体装置3具有在硅晶片1的表面的绝缘层4上形成了的IC7和从该IC7引出的微细布线9。
如图25中所示，利用金刚石刀或被称为旋转的切割刀的薄的砂轮等的刀11沿切割线5将以这种方式在硅晶片1的表面上形成的多个半导体装置3切成芯片状。
被切成芯片状的半导体装置3例如经由聚酰亚胺构成的柔性基板(连接器)与外部基板以电的方式、机械的方式进行连接。再有，使用含有导电性粒子的各向异性导电粘接剂等、利用加压和加热进行半导体装置3的端子电极与柔性基板的电极的连接。
但是，以上述方式制造的半导体基板存在以下的问题。
图26(A)(B)是从硅晶片1切出的半导体装置3的主要部分的放大图。如图26(A)中所示，由于切出半导体装置3的缘故，沿切割线的端面1a的单晶面露出。此外，在硅晶片1的表面上形成的绝缘层4的厚度只有约5000～20000埃。因此，如图26(B)中所示，在空气中浮游的导电性的尘埃13以跨越绝缘层的方式附着于其上，存在半微细布线9与端面1a短路(边缘短路)的可能性。
此外，如图26(B)中所示，也存在下述的可能性：在IC7与微细布线9的连接中使用的焊锡或导电性粘接剂流出、到达端面1a、从而产生短路(边缘短路)。
半导体装置3的表面的微细布线9以外的部分被绝缘层4所覆盖。因此，在空气中发生了静电的情况下，在半导体装置3的微细布线9上带静电，由于重复上述过程，故也存在微细布线9发生熔断的问题。
再者，作为半导体装置，包含例如静电传动器、压电传动器等的微机械、在窄间距用连接器上连接配置IC而构成的半导体装置的微机械等、液晶面板等。
发明内容
本发明的目的在于提供半导体装置的制造方法、半导体装置、窄间距用连接器、静电传动器、压电传动器等的微机械、包含该微机械的喷墨头、喷墨打印机、液晶面板、电子装置。
(1)与本发明的一个形态有关的半导体装置的制造方法是对硅晶片进行切割来制造多个半导体装置的制造方法，其特征在于：在上述硅晶片上以跨越切割线的方式形成被绝缘层覆盖的槽，沿上述切割线对上述硅晶片进行切割。
按照上述制造方法，在半导体装置的外周面上形成绝缘层。因此，即使导电性的尘埃附着于半导体装置的边缘部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达硅结晶面上。因此，不会发生短路。
此外，即使安装元件用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达硅结晶面上。因此，在该情况下也不会发生短路。
(2)与本发明的另一个形态有关的半导体装置的制造方法，在上述(1)中，在上述槽的底面上形成了绝缘层后，在该绝缘层上形成金属膜。
通过这样做，可防止空气中的静电使该金属膜带电、在半导体元件或布线部上带静电。此外，可防止使金属膜带因蓄积了静电的人或蓄积了静电的金属与半导体装置接触而移动的静电、在半导体元件或布线部上直接带静电。
(3)与本发明的另一个形态有关的半导体装置的制造方法，在上述(2)中，使上述金属膜与上述硅晶片的结晶面导通。
通过这样做，通过在组装线上使支撑半导体基板的装置接地、或在组装后使结晶面接地，可使金属膜带静电、同时使带了电的静电流走，能更可靠地防止静电的不良影响。
(4)与本发明的另一个形态有关的半导体装置的制造方法，在上述(1)至(3)中，将上述硅晶片的表面的结晶面定为(110)面，利用各向异性刻蚀在(110)面上形成上述槽。
如果在(110)面上进行各向异性刻蚀，则可自由地设定被形成的槽的深度。因此，可形成与所预想的尘埃的大小(长度)及元件的安装中使用的焊锡或导电性粘接剂的粘性和量对应的槽深。
(5)与本发明的另一个形态有关的半导体装置的制造方法，在上述(1)至(3)中，将上述硅晶片的表面的结晶面定为(100)面，利用各向异性刻蚀在(100)面上形成上述槽。
如果在(100)面上进行各向异性刻蚀，则可将槽的形状形成为V字形，在将半导体装置切成芯片状时，就在半导体装置的周围形成倾斜状的绝缘层，容易除去在切割时发生的尘埃或污物。
(6)与本发明的另一个形态有关的半导体装置中，在形成了元件的基板的外周面上形成了绝缘层。
由于在半导体装置的外周面上形成了绝缘层，故即使导电性的尘埃附着于半导体装置的边缘部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达基板面上。因此，不会短路。
此外，即使安装元件用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达基板面上。因此，此时，也不会短路。
(7)与本发明的另一个形态有关的半导体装置，在上述(6)中，在上述外周面上形成了倾斜部。
由于在半导体装置的周围形成了倾斜部，故容易除去附着于半导体装置的边缘部上的尘埃和污物。
(8)与本发明的另一个形态有关的半导体装置，在上述(6)中，在上述外周面上形成了台阶差部。
(9)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器中，在基板上形成了多个第1端子电极和第2端子电极，形成了导电性地连接上述第1端子电极和上述第2端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第1端子电极间的间距和上述第2端子电极间的间距的功能，在上述基板的外周面上形成了绝缘层。
由于在窄间距用连接器的外周面上形成了绝缘层，故即使导电性的尘埃附着于基板的外周部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达基板面上。因此，不会短路。
此外，即使在窄间距用连接器与连接对象物或外部基板的接合时使用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被绝缘层遮住，不到达基板面上。因此，此时，也不会短路。
(10)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(9)中，在上述外周面上形成了倾斜部。
由于在窄间距用连接器的基板的外周面上形成了倾斜部，故容易除去附着于窄间距用连接器的边缘部上的尘埃和污物。
(11)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(9)中，在上述外周面上形成了台阶差部。
(12)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(9)至(11)中，在上述绝缘层上形成了金属膜。
通过这样做，可防止空气中的静电使该金属膜带电、在窄间距用连接器的微细布线部上带静电。此外，可防止因蓄积了静电的人或蓄积了静电的金属与半导体装置接触而使金属膜带有移动的静电、在半导体元件或布线部上直接带静电。
(13)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(12)中，使上述金属膜与上述基板导通。
通过这样做，通过在组装线上使支撑窄间距用连接器的装置接地、或在组装后使结晶性基板接地，可使金属膜带静电、同时可使带了电的静电流走，能更可靠地防止静电的不良影响。
(14)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(9)至(13)中，上述基板的热膨胀系数具有与上述连接对象物的热膨胀系数大致相等或比上述连接对象物的热膨胀系数小的特性。
这样，通过使基板的热膨胀系数与连接对象物的热膨胀系数大致相等，在用加压和加热来连接端子电极的情况下，可将连接的端子电极间的相对位置的偏移抑制到最小限度。
此外，在使基板的热膨胀系数比上述连接对象物的热膨胀系数小的情况下，通过使基板的温度比连接对象物侧的温度高来进行连接，可得到同样的效果。
(15)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(9)至(14)中，上述基板由单晶硅形成。
由于上述基板由单晶硅形成，故可提高散热效果，同时可防止因温度上升引起的电阻值的增大。
(16)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(15)中，上述单晶硅的结晶面是(100)面。
如果将单晶硅的结晶面定为(100)面，则通过对该面进行各向异性刻蚀，可对该面形成构成54.74度的V字形的槽部。再有，可利用在(100)面上被设定的(例如，由SiO2形成的)窗口的宽度来准确地控制V字形的槽部的深度。
(17)与本发明的另一个形态有关的窄间距用连接器，在上述(15)中，上述单晶硅的结晶面是(110)面。
如果将单晶硅的结晶面定为(110)面，则通过对该面进行各向异性刻蚀，可形成剖面为矩形的槽部。此时，可与槽宽无关地形成规定的深度的槽部。
(18)与本发明的另一个形态有关的微机械具有运动机构部和形成了多个第1端子电极的第1基板，其中，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。
(19)与本发明的另一个形态有关的压电传动器具有压电元件和形成了多个第1端子电极的第1基板，其中，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。
(20)与本发明的另一个形态有关的静电传动器具有静电振子和形成了多个第1端子电极的第1基板，其中，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。
(21)与本发明的另一个形态有关的喷墨头具有压电元件和形成了多个第1端子电极的第1基板，利用上述压电元件使墨滴喷出，其中，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。
(22)与本发明的另一个形态有关的喷墨头具有静电振子和形成了多个第1端子电极的第1基板，利用上述静电振子使墨滴喷出，其中，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。
(23)与本发明的另一个形态有关的喷墨打印机具有形成了压电元件和形成了多个第1端子电极的第1基板的喷墨头，其中，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。
(24)与本发明的另一个形态有关的喷墨打印机具有形成了静电振子和形成了多个第1端子电极的第1基板的喷墨头，其中，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第2基板，在上述第2基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第2基板的外周面上形成了绝缘层。
在上述的(18)至(24)的发明中，由于在第2基板的外周面上形成了绝缘层，故即使导电性的尘埃附着于第2基板的外周部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达具有导电性的面上。因此，不会短路。
此外，即使在第2基板与连接对象物或外部基板的接合时使用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被绝缘层遮住，不到达具有导电性的面上。因此，此时，也不会短路。
(25)与本发明的另一个形态有关的液晶装置是在第1基板与第2基板之间夹持了液晶，在上述第1基板或上述第2基板中的一个基板上形成了多个第1端子电极的液晶装置，其中，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第3基板，在上述第3基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第3基板的外周面上形成了绝缘层。
(26)与本发明的另一个形态有关的电子装置具有液晶装置，其中上述液晶装置具有第1基板和第2基板，在第1基板与第2基板之间夹持了液晶，在上述第1基板或上述第2基板中的一个基板上形成了多个第1端子电极，具有形成了与上述多个第1端子电极导电性地连接用的第2端子电极的第3基板，在上述第3基板上形成了多个第3端子电极和导电性地连接上述第2端子电极与上述第3端子电极用的布线，上述布线具有变换上述第2端子电极间的间距和上述第3端子电极间的间距的功能，在上述第3基板的外周面上形成了绝缘层。
在上述的(25)或(26)的发明中，由于在第3基板的外周面上形成了绝缘层，故即使导电性的尘埃附着于第3基板的外周部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达结晶面上。因此，不会短路。
此外，即使在第3基板与第1基板或第2基板的接合时使用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被绝缘层遮住，不到达结晶面上。因此，此时，也不会短路。
附图说明
图1是示出了本发明的实施形态1的窄间距用连接器和与该连接器连接的连接对象物的端子部分的正面图。
图2(A)(B)是本发明的实施形态1的窄间距用连接器中的边缘部的剖面放大图。
图3是形成了多个本发明的实施形态1的窄间距用连接器的硅晶片的正面图。
图4是本发明的实施形态1的窄间距用连接器的制造工序(其1)的说明图。
图5是本发明的实施形态1的窄间距用连接器的制造工序(其2)的说明图。
图6是本发明的实施形态1的窄间距用连接器的制造工序(其3)的说明图。
图7是本发明的实施形态2的窄间距用连接器的制造工序的主要部分的说明图。
图8是本发明的实施形态2的另一形态的窄间距用连接器的制造工序的主要部分的说明图。
图9是本发明的实施形态3的窄间距用连接器的制造工序的主要部分的说明图。
图10是本发明的实施形态4的窄间距用连接器的制造工序的主要部分的说明图。
图11是本发明的实施形态5的半导体装置(IC芯片)的斜视图。
图12是本发明的实施形态5的作用的说明图。
图13是与本发明的实施形态5进行了比较的现有例的说明图。
图14(A)(B)是示出本发明的实施形态6的静电传动器的结构的说明图。
图15是本实施形态6的压电传动器的说明图。
图16是本实施形态7的喷墨头的说明图。
图17是本实施形态8的喷墨打印机的内部的说明图。
图18是本实施形态8的喷墨打印机的外观图。
图19(A)(B)是本发明的实施形态9的微机械的一例的说明图。
图20是作为本实施形态10的另一例的光调制装置的说明图。
图21是本实施形态11的液晶面板的说明图。
图22是本实施形态12的电子装置的说明图。
图23是现有的形成了半导体装置的硅晶片的平面图。
图24是放大了图23中的A-A剖面图的主要部分而示出的图。
图25是现有的半导体装置的制造工序的说明图。
图26(A)(B)是从硅晶片切出的现有的半导体装置的主要部分的放大图。
具体实施方式
实施形态1
图1是本发明的实施形态1的窄间距用连接器的平面图。在窄间距用连接器20中，如图1中所示，在由单晶硅构成的基板21上经绝缘层形成了输入布线25和输出布线27，再安装了驱动器IC23。输入布线25、输出布线27的端部分别成为端子电极25a、27a。而且，变换了输入侧和输出侧的布线数、布线间距。
再有，端子电极25a、27a的数目随与输出侧连接的连接对象物50不同而不同。在连接对象物50被安装到打印头上的静电传动器的情况下，根据其个数而变动，但有时在输入侧为几十条以上、在输出侧达到几百条。
在基板21的周端部上形成了从表面开始朝向底面一侧凹陷的台阶差部29，在该台阶差部29上也形成了上述的绝缘层。
图2(A)是图1中的A-A剖面图，图2(B)是图1中的B-B剖面图。
在本实施形态中，由于在窄间距用连接器20的周端部上形成了台阶差部29，在该台阶差部29上也形成了绝缘层31，故例如即使在空气中的导电性的尘埃附着了的情况下，如图2(A)中所示，附着于输入布线25上的尘埃32被在台阶差部29上形成的绝缘层遮住，不到达结晶面33上。因而，不会短路。
此外，即使将驱动器IC23连接到输入布线25上用的焊锡或导电性粘接剂流出，如图2(B)中所示，也被在台阶差部29上形成的绝缘层遮住，不到达结晶面上。因此，此时，也不会短路。
此外，由于窄间距用连接器20以单晶硅为基体材料，故可将热膨胀系数抑制得较小，可抑制接合时的端子电极附近的基体材料的伸展，同时，与成为打引头侧的基体材料的玻璃的热膨胀系数的差也小。因此，在两者的接合时，可将因热膨胀系数的差异引起的连接用端子电极的位置偏移抑制到最小限度。
图3是形成了多个窄间距用连接器20的硅晶片的平面图。如图3中所示，在硅晶片上以栅格状形成多个窄间距用连接器20。而且，在邻接的窄间距用连接器20相互间沿切割线形成了槽30a。通过沿该槽30a的中央部进行切割，形成了窄间距用连接器20。而且，在槽30a的表面上形成了绝缘层，利用切割，该槽30a成为窄间距用连接器20的台阶差部29。
图4～图6是在硅晶片30上形成布线和槽30a的工序的说明图，示出了图3中的C-C剖面的一部分。
以下，根据图4～图6说明布线和槽30a的形成工序。
首先，如图4(a)中所示，对单晶硅晶片33的表面进行了清洗后，如图4(b)中所示，在其表面上涂敷光致抗蚀剂膜37。
然后，在涂敷了光致抗蚀剂膜37后，如图4(c)中所示，利用光刻进行构图，除去形成槽30a的部分的光致抗蚀剂膜37。
其后，以光致抗蚀剂膜37为掩模，使用KOH水溶液或乙二胺水溶液等的刻蚀液，对单晶硅晶片33的表面进行各向异性刻蚀。
再有，在该例中，使用了表面的结晶面由(110)面构成的单晶硅晶片。由于(110)面对于单晶硅晶片33的表面在垂直方向(单晶硅晶片33的厚度方向)上具有大的结晶方位依存性，故可形成不被槽30a的宽度所左右的底切(undercut)极少的剖面为矩形的槽30a。在图4(d)中示出形成了槽30a的状态。
再有，可根据如果附着于窄间距用连接器20的表面而被预想的尘埃的大小(长度)及驱动器IC23的安装中使用的焊锡或导电性粘接剂的粘性和量来设定槽30a的深度。
在形成了槽30a后，如图5(e)中所示，从单晶硅晶片33的表面的表面除去光致抗蚀剂膜37，其后，如图5(f)中所示，在单晶硅晶片33的表面和槽30a上形成SiO2膜31。将SiO2膜31的厚度定为约5000～20000埃，利用由CVD法淀积的BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)来形成，或使用干法热氧化或湿法热氧化等来形成。
在以这种方式在单晶硅晶片33的表面和槽30a上形成SiO2膜31后，将单晶硅晶片33配置在压力为2～5mTorr、温度为150～300℃的氩气氛中，以Al-Cu、Al-Si-Cu、Al-Si、Ni、Cr、Au等为靶，用DC9～12kW输入功率进行溅射，以200～20000埃的厚度淀积形成具有与这些靶相同的组成的输入输出布线25、27用的金属膜41。在图5(g)中示出金属膜41的形成后的状态。
再有，也可以Cr为基底淀积厚度约为1000埃的Au来形成金属膜41。
在以这种方式在SiO2膜31的表面上形成了金属膜41后，如图6(h)中所示，在金属膜41上涂敷光致抗蚀剂膜37。其后，利用光刻进行构图，如图6(i)中所示，除去形成输入输出布线25、27的部分以外的光致抗蚀剂膜。再者，以光致抗蚀剂膜37为掩模，对金属膜41进行刻蚀，如图6(j)中所示，在单晶硅晶片33的表面上形成输入输出布线25、27，再除去输入输出布线25、27上的光致抗蚀剂膜。
然后，利用未图示的刀，沿在槽30a的底面上被设定的切割线39进行切割，如图6(k)中所示，将邻接的窄间距用连接器20切开，成为芯片状。
再有，由于将槽30a的底面的宽度尺寸设定得比刀的厚度尺寸大，故沿切割线39使刀通过，在刀的两侧形成台阶差部29。
在本实施形态1中，在窄间距用连接器20的全周(4边)上形成了槽30a，但根据窄间距用连接器20的形态，也可只在纵向的两侧边缘部设置槽30a。
实施形态2
在上述实施形态1中，示出了全部除去槽30a内的金属膜的例子。但是，如图7(a)中所示，也可在槽30a中留下金属膜41。这样，如果在槽30a中留下金属膜41，则在切割后，如图7(b)中所示，在台阶差部29上留下金属膜41，使其包围窄间距用连接器20的周围。
通过这样做，可防止使该金属膜41带空气中的静电、使窄间距用连接器20的输入输出布线25、27带电。此外，可防止使金属膜41带因蓄积了静电的人或蓄积了静电的金属与半导体装置接触而移动的静电、在半导体元件或输入输出布线25、27上直接带静电。由此，可防止输入输出布线25、27的熔断。
再有，为了在金属膜41上留下槽30a，在图6(h)中示出的光致抗蚀剂膜37的构图时，可在槽30a中也留下光致抗蚀剂膜37。
再有，如图8(a)中所示，也可在除槽30a的中央部的切割线外的部分上形成槽30a的金属膜41。
通过这样做，与在槽30a的整个底面上留下金属膜41的情况相比，可防止金属附着于用作切割机械的刀的金刚石刀上及金属堵塞在被称为旋转的切割刀的薄的砂轮上等，可延长刀的寿命。
实施形态3
再者，也可使槽30a的金属膜41与硅的单晶面导通。通过这样做，由于通过在组装线上使支撑基板21的装置接地、或在组装后使硅的单晶面33接地，可使槽部33a的金属膜41带静电、同时使带了电的静电流走，能更可靠地防止在窄间距用连接器20的输入输出布线25、27上带静电。
再有，为了使在槽30a上形成的金属膜41与硅的单晶面33导通，可如以下那样做。
如说明了实施形态1的图5(f)中所示那样，在硅晶片30上形成槽30a的同时形成了绝缘层后，利用氟的刻蚀，如图9(a)中所示，除去槽30a的底部的绝缘层31的一部分。在该状态下淀积用于输入输出布线的金属膜。然后，涂敷抗蚀剂膜，通过进行构图、刻蚀，如图9(b)中所示，可在槽部的底面上留下金属膜41的同时使金属膜41与硅的单晶面33导通。
实施形态4
在上述的例子中，示出了槽部33a的剖面形状为矩形的情况，但也可如图10(a)中所示，使槽部33a的剖面形状为V字形。通过这样做，在将窄间距用连接器20切成芯片状时，如图10(b)中所示，由于可在窄间距用连接器20的周围形成倾斜状的绝缘层30，故容易除去在切割时发生的尘埃或污物。
再有，为了形成V字形的槽，可使用在硅晶片的表面上露出的结晶面为(100)面的晶片。
在上述实施形态1～4中，作为半导体装置的例子示出了安装了驱动器IC23的窄间距用连接器20。但是，本发明不限于此，可广泛地应用于其它半导体装置，例如静电传动器、压电传动器等的微机械、液晶面板等。
实施形态5
图11是本发明的另一实施形态的斜视图。在本实施形态中，在IC芯片51的外周面上形成倾斜面52和台阶差部53，同时，在这些倾斜面52和台阶差部53上形成了绝缘层。
这样，通过在IC芯片51的外周面上形成绝缘层，可防止在IC芯片51的端子电极54与外部端子的连接时的边缘短路。
即，如图12中所示，在端子电极54与引线键合的导线55与载带封装的引线56的连接时，由于形成了绝缘层，导线55或引线56难以与结晶面接触，故不产生边缘短路。
在图13中示出的现有的IC芯片57中，在导线55或引线56的连接时存在边缘短路的危险，为了避免这一点，必须使导线55或引线56以向上方浮起h或h’的方式进行变形。因此，增加了IC芯片57的厚度。
与此不同，按照本实施形态，不需要这样的变形，可使IC芯片57变薄。
再有，在载带封装(TAB)的电极的连接中，使用Au-Au连接、Au-Sn连接等的金属连接。此外，在引线键合中的导线55使用Au或Al那样的金属导线。图示的导线55表示铝导线的锲状键合。
实施形态6
图14是示出本发明的实施形态6的静电传动器59的结构的说明图。
在图14中示出的静电传动器59用作喷墨打印机中的喷墨头，是利用微机械技术的微细加工形成的微小结构的传动器。
分别个别地制作以晶片状态制造多个的、沿切割线对其进行切断而被制造的喷墨头本体部60和用于对其进行外部布线的连接部，将其连接起来而得到本实施形态6的喷墨头。再有，连接部与实施形态1～4中示出的窄间距用连接器20相同。
如图14中所示，喷墨头本体部60成为夹住硅基板70、在上侧具有相同的硅制的喷嘴板72的同时、分别在下侧层叠了硼硅酸玻璃制的玻璃基板74的3层结构。
在此，在中央的硅基板70上设置了独立的5个墨室76、连结这5个墨室76的1个共同墨室78和起到连通该共同墨室78与各墨室76的供给路80的功能的槽。
而且，通过利用喷嘴板72塞住这些槽，各部分被区分地形成，成为墨室76或供给路80。
此外，在硅基板70的背面一侧，设置了5个与各墨室76对应地独立的凹部，通过利用玻璃基板74塞住该凹部，形成了具有在图22中用尺寸q示出的高度的振动室71。而且，在硅基板70上的各墨室76与振动室71的隔壁成为可进行弹性变形的振子的振动板66。
在喷嘴板72上并在与各墨室76的前端部对应的位置上形成喷嘴62，与各墨室76连通。
再有，使用微机械技术的微细加工技术来形成在硅基板70上设置的槽和在喷嘴板72上设置的喷嘴62。
在在振动板66和玻璃基板74上设置了彼此对置的对置电极90。
再有，利用密封部84密封了在硅基板70与对置电极90之间被形成的微细的间隙。
此外，将各自的玻璃基板74上的对置电极90引出到图中左侧的端部侧，形成了端子电极86。在形成了该端子电极86的基板的端部上，如在实施形态1中所示，形成具有绝缘层的台阶差部87。
然后，将另外制作的窄间距用连接器20连接到端子电极86上，成为具有连接部的喷墨头。
说明上述那样构成的喷墨头本体部60的工作。
从未图示的墨罐通过墨供给口对共同墨室78供给墨。然后，将供给共同墨室78的墨通过墨供给路80供给各墨室76。在该状态下，如果对对置电极施加电压，则利用在其间发生的静电力将振动板66以静电方式吸引到玻璃基板74一侧而振动。利用因该振动板66的振动而发生的墨室76的内压变动，从喷嘴62喷出墨液滴。
在本实施形态中，由于在喷墨头本体部60和窄间距用连接器20中的连接部上设置了具有绝缘层的台阶差部，故可起到以下的效果。
即，在喷墨头本体部60与窄间距用连接器20的连接时，即使接合时使用的焊锡或导电性粘接剂流出，也被绝缘层遮住，不到达具有导电性的硅基板面上。因此，不会短路(边缘短路)。
此外，即使导电性的尘埃附着于喷墨头本体部60和窄间距用连接器20的端子电极部上，也被在外周面上形成的绝缘层遮住，不到达硅基板面上。因此，此时也不会短路(边缘短路)。
实施形态7
图15是本实施形态这的压电传动器的说明图。
压电传动器91具备在两侧形成了外部电极93a、93b的压电振子93和保持该压电振子93的保持构件95。在保持构件95上形成了突起部97，在突起部97的接合区A中将压电振子93接合到保持构件95上。将压电振子93的外部电极93a、93b(图中用粗线示出的部分)从压电振子93的两侧面分别延长到第1面93的中程。
此外，也将在保持构件95上形成的用粗线示出的电极95a、95b从两外缘分别延长到突起部97的中程。然后，在突起部97上设定的接合区A中以刚体方式接合压电振子93与保持构件95，同时，连接压电振子93的外部电极93a、93b与保持构件的电极95a、95b，使其导通。
再者，将实施形态1中示出的窄间距用连接器20连接到保持构件的电极95a、95b上，经窄间距用连接器20将来自外部的信号输入到压电传动器91中。
这样，在该实施形态6中，也通过使用窄间距用连接器20，可防止窄间距用连接器20与保持构件95的电极95a、95b的接合时的短路(边缘短路)。
再有，如果在与保持构件95中的窄间距用连接器20的接合部上设置具有绝缘层的台阶差部，则能更可靠地防止接合时的短路(边缘短路)。
实施形态8
图16是示出使用了图15中示出的压电传动器91的喷墨头98的概念图。在由流路形成构件103和振动板105形成的墨流路99的前端上接合了备有喷嘴101的喷嘴板108，在其相对一侧的端部上配置了墨供给路108。而且，将压电传动器91设置成机械的作用面93d与振动板95相接，配置成与墨流路99相对。而且，压电振子93的两侧的外部电极93a、93b与保持构件的电极95a、95b连接，保持构件95的电极95a、95b经窄间距用连接器20将来自外部的信号输入到压电传动器91中。
在该结构中，如果将墨充填到墨流路99内(直到喷嘴101的前端)、驱动上述压电传动器91，则使机械的作用面93d同时发生高效率的膨胀变形和挠性变形，得到图16的上下方向的非常大的有效位移。利用该变形，振动板95如用图中的点线所示那样与机械的作用面93d对应地变形，在墨流路99内产生大的压力变化(体积变化)。利用该压力变化，在图中的箭头方向上从喷嘴101喷出墨滴，由于该高效率的压力变化，墨的喷出也是效率非常高的。
通过使用在外周面上形成了绝缘层的窄间距用连接器20，如在实施形态7中已说明的那样，由于可防止短路，故可提高喷墨头98本身的可靠性。
实施形态9
如图17中所示，将与上述的实施形态7有关的喷墨头98安装在座111上来使用。将座111以可自由移动的方式安装在导轨113上，将其位置控制在由滚筒115送出的用纸117的宽度方向上。在图18中示出的喷墨打印机119上装备该图17的机构。再有，也可将该喷墨头98作为行打印机的行头来安装。此时，不需要座111。
此外，在此举出使用压电传动器91向边缘方向喷出墨滴的类型的喷墨头98和使用该喷墨头98的喷墨打印机为例进行了说明，但在使用了采用上述的实施形态7中示出的静电传动器从正面侧喷出墨滴的类型的喷墨头60的情况下，也成为同样的结构。
实施形态10
图19涉及作为与本实施形态有关的微机械的一例的微泵，图19(A)是微泵的俯视图，图19(B)是其剖面图。
微泵为用2片玻璃板122和123以夹层状夹住由微机械加工方法加工的硅基板121的结构，从吸入侧管124吸入液体，向吸出侧管125喷出液体。
其工作原理是这样的，通过对粘贴在硅基板121的中央部上形成的隔膜126上的压电元件127施加电压，使其发生挠性变化，使压力室128内的压力变化，通过使与该压力室128在空间上连续的吸入侧阀膜129和喷出侧阀膜131位移，使吸入阀132和喷出阀133开闭，将流体从吸入侧管124压送到喷出侧管125中。再有，在图19(B)中所示，压力室128和吸入侧阀膜129的上侧的空间与喷出侧阀膜131的下侧的空间是连续的。
在该例中，也与上述的实施形态6或7相同，经与本发明有关的窄间距用连接器20进行与外部的布线。而且，通过使用窄间距用连接器20，可防止接合时的短路，可提高微机械本身的可靠性。
实施形态11
图20是示出与本实施形态有关的另一例的光调制装置的主要部分的组装分解斜视图。
该光调制装置大致由硅基板140、玻璃基板150和覆盖基板170构成。
硅基板140具有被配置在矩阵上的多个微小反射镜141。该多个微小反射镜141内的沿一方向、例如图20的X方向配置的微小反射镜141由扭转杆143进行了连结。再者，包围配置多个微小反射镜141的区域，设置了框状部145。将多条扭转杆143的两端分别连结到该框状部145上。此外，在微小反射镜141的与扭转杆143的连结部分的周围，形成了狭缝，通过形成该狭缝，朝向扭转杆143的绕轴线方向的倾斜驱动变得容易。再者，在微小反射镜141的表面上形成了反射层141a。而且，通过倾斜地驱动微小反射镜141，相对于该微小反射镜141入射的光的反射方向发生变化。然后，通过控制使光朝向规定反射方向反射的时间，可进行光的调制。在玻璃基板150上形成了倾斜地驱动微小反射镜141用的电路。
玻璃基板150在中央区域上具有凹部151，在其周围具有竖起部153。在竖起部153的一边上切出缺口，成为电极取出口155，在该电极取出口155的外侧形成了与凹部151连续的电极取出板部157。此外，在玻璃基板150的凹部151上具有多个支撑部159，该多个支撑部159在X方向上相邻的2个微小反射镜141间的与扭转杆143相对的位置上从凹部151开始突出地被形成，具有与竖起部153的顶板相同的高度。再者，在玻璃基板150的凹部151和电极取出板部157上形成了布线图形部161。该布线图形部161在与夹住扭转杆143的两侧的微小反射镜141的背面相对的位置上分别具有第1、第2地址电极163、165。而且，沿Y方向配置的第1地址电极163共同地连接到第1共同布线167上。同样，沿Y方向配置的第2地址电极165共同地连接到第2共同布线169上。
在具有上述结构的玻璃基板150上以阳极接合的方式与硅基板140接合。此时，硅基板140的扭转杆143的两端部和框状部145与玻璃基板150的竖起部153接合。再者，硅基板140的扭转杆143的中间部与玻璃基板150的支撑部159进行阳极接合。再者，其后，在硅基板140的框状部145上接合覆盖基板170。然后，在从框状部145切离的位置上对与框状部145连结的各自的扭转杆143的两端部进行切割。再者，利用密封材料对包含在玻璃基板150的竖起部153上切出缺口而形成的电极取出口155的边缘部进行密封，完成光调制装置。
然后，与上述的实施形态6～10相同，经与本发明有关的窄间距用连接器20，将已完成的光调制装置的第1共同布线167和第2共同布线169与安装了驱动IC的载带封装体等的柔性基板连接，将来自外部的信号输入到光调制装置中。
通过以这种方式使用窄间距用连接器，可防止接合时的短路，可提高光调制装置本身的可靠性。
再有，即使是形成微小反射镜和控制微小反射镜的有源元件的具有与上述结构类似的结构的光调制装置，也能使用本发明的窄间距用连接器。
实施形态12
图21是示出与本发明的实施形态11有关的液晶面板的一例的说明图，示出了在阵列工序和单元工序已结束的模塑工序的阶段、即安装驱动系统的电子电路等以便能对液晶单元进行电控制之前的状态。即，液晶面板180具备液晶单元181、窄间距用连接器182和安装了驱动IC183的载带封装体184。
再有，该例的窄间距用连接器182与实施形态1的窄间距用连接器20不同，只形成布线图形，没有安装驱动器IC。但是，其它的结构基本上与窄间距用连接器20相同，在外周面上形成了具有绝缘层的台阶差部189。
液晶单元181是在2片例如基板181a、181b间注入液晶材料并进行密封而形成的，在一个基板181a(在图21中位于上侧的基板)上形成像素电极、与像素电极连接的薄膜晶体管、与薄膜晶体管的源、栅导电性地连接的源线、数据线等，在另一个基板181b(在图21中位于下侧的基板)上配置了例如对置电极、滤色片等。
然后，在模塑工序中，使在液晶单元181上形成的端子电极185与窄间距用连接器182的窄间距的端子电极186重合，或使这些端子电极185与窄间距的端子电极27a夹住导电性构件而重合，利用加压和加热进行连接。
此外，将窄间距用连接器182的窄间距的端子电极186的从另一方扩展延伸的布线图形的末端的端子电极187与载带封装体184的端子188连接起来，由此，使端子电极185与驱动IC183导通。
在该例中，与上述的实施形态相同，通过使用具有在外周面上有绝缘层的台阶差部189的窄间距用连接器182，可防止接合时的短路，可提高液晶面板本身的可靠性。
实施形态13
图22示出了利用实施形态11中示出的液晶面板的电子装置的一例、即携带电话机。
将液晶面板用作图22中示出的携带电话机190的显示部191。而且，通过使用利用了上述的窄间距用连接器182的可靠性高的液晶面板，可提高携带电话机190本身的可靠性。

Claims (3)

1.一种半导体装置的制造方法，其中，对硅晶片进行切割来制造多个半导体装置，其特征在于包括以下步骤：
在所述硅晶片中以跨越切割线的方式形成槽；
在所述槽的底面上形成了绝缘层后，在该绝缘层上形成金属膜，使所述金属膜与所述硅晶片的结晶面导通；并且
沿所述切割线对所述硅晶片进行切割。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述硅晶片表面的结晶面是(100)面，利用各向异性刻蚀在(100)面上形成所述槽。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述硅晶片表面的结晶面是(110)面，利用各向异性刻蚀在(110)面上形成所述槽。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184465B1 (en) * 1998-11-12 2001-02-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor package
US6573156B1 (en) 2001-12-13 2003-06-03 Omm, Inc. Low defect method for die singulation and for structural support for handling thin film devices
JP3991894B2 (ja) * 2002-03-18 2007-10-17 セイコーエプソン株式会社 圧電アクチュエータの製造方法、液体噴射ヘッドの製造方法、及び、アクチュエータ母部材
TWI232560B (en) * 2002-04-23 2005-05-11 Sanyo Electric Co Semiconductor device and its manufacture
JP2004130579A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Sony Corp 液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法
JP4401181B2 (ja) * 2003-08-06 2010-01-20 三洋電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7612443B1 (en) 2003-09-04 2009-11-03 University Of Notre Dame Du Lac Inter-chip communication
US6972243B2 (en) * 2003-09-30 2005-12-06 International Business Machines Corporation Fabrication of semiconductor dies with micro-pins and structures produced therewith
JP4322181B2 (ja) * 2004-07-29 2009-08-26 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US8147615B2 (en) 2004-11-05 2012-04-03 Infineon Technologies Ag Method of fabricating semiconductor cleaners
US20060286706A1 (en) * 2005-06-21 2006-12-21 Salian Arvind S Method of making a substrate contact for a capped MEMS at the package level
TWI324800B (en) * 2005-12-28 2010-05-11 Sanyo Electric Co Method for manufacturing semiconductor device
US20070247924A1 (en) * 2006-04-06 2007-10-25 Wei Zheng Methods for erasing memory devices and multi-level programming memory device
US20070269959A1 (en) * 2006-05-16 2007-11-22 Freeman John E Method of aligning mask layers to buried features
TWI349962B (en) * 2007-08-10 2011-10-01 Advanced Semiconductor Eng Sawing method for a semiconductor element with a microelectromechanical system
US8580657B2 (en) * 2008-09-23 2013-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protecting sidewalls of semiconductor chips using insulation films
US8698004B2 (en) 2008-10-27 2014-04-15 Ibiden Co., Ltd. Multi-piece board and fabrication method thereof
CN102253636B (zh) * 2011-07-14 2013-01-09 珠海艾派克微电子有限公司 一种成像盒芯片、成像盒和成像设备
JP5751146B2 (ja) * 2011-11-24 2015-07-22 住友電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9620473B1 (en) 2013-01-18 2017-04-11 University Of Notre Dame Du Lac Quilt packaging system with interdigitated interconnecting nodules for inter-chip alignment
JP6237315B2 (ja) * 2014-02-18 2017-11-29 セイコーエプソン株式会社 液体吐出ヘッド及び液体吐出装置
CN105957835B (zh) * 2016-07-18 2018-10-26 浙江益中智能电气有限公司 一种芯片的切割方法
DE112018000599T5 (de) 2017-05-16 2019-11-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators
CN110379771A (zh) * 2019-07-19 2019-10-25 苏州长瑞光电有限公司 晶圆分离方法
CN113035823A (zh) 2019-12-25 2021-06-25 台湾积体电路制造股份有限公司 封装结构
US11508692B2 (en) * 2019-12-25 2022-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure and method of fabricating the same
JP2021190444A (ja) * 2020-05-25 2021-12-13 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN111653200B (zh) * 2020-06-29 2022-05-13 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
TWI786459B (zh) * 2020-11-03 2022-12-11 研能科技股份有限公司 晶圓結構

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4219835A (en) * 1978-02-17 1980-08-26 Siliconix, Inc. VMOS Mesa structure and manufacturing process
JPS61115332A (ja) * 1984-11-12 1986-06-02 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US4624741A (en) * 1985-12-13 1986-11-25 Xerox Corporation Method of fabricating electro-mechanical modulator arrays
JPS62209828A (ja) * 1986-03-10 1987-09-16 Toshiba Components Kk 半導体装置の製造方法
JPH01286325A (ja) * 1988-05-12 1989-11-17 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH02100340A (ja) * 1988-10-06 1990-04-12 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US4871319A (en) * 1988-12-21 1989-10-03 Amp Incorporated Molded circuit board for ribbon cable connector
JPH03152955A (ja) * 1989-11-09 1991-06-28 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPH0423451A (ja) * 1990-05-18 1992-01-27 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
KR940006185Y1 (ko) * 1990-06-07 1994-09-10 가시오 게이상기 가부시끼가이샤 Ic 모듈
JPH04276645A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Toshiba Corp 化合物半導体ウエーハのダイシング方法
JPH05259274A (ja) * 1992-02-27 1993-10-08 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
KR940016630A (ko) * 1992-12-23 1994-07-23 프레데릭 얀 스미트 반도체 장치 및 제조방법
JPH06333652A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 電子部品用端子ピッチ変換コネクタ
JPH0864557A (ja) * 1994-08-26 1996-03-08 Rohm Co Ltd メサ型半導体素子の製造方法
JP3374880B2 (ja) * 1994-10-26 2003-02-10 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
GB9507127D0 (en) * 1995-04-06 1995-05-31 Amp Holland Flexible printed circuit board connector
JPH0991388A (ja) * 1995-09-26 1997-04-04 Japan Aviation Electron Ind Ltd プリント回路カード用コネクタ
JP3383743B2 (ja) * 1996-10-02 2003-03-04 アルプス電気株式会社 配線基板接続構造
JPH10193596A (ja) * 1997-01-09 1998-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd インクジェット記録ヘッド

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