DE112018000599T5 - Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators - Google Patents

Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators Download PDF

Info

Publication number
DE112018000599T5
DE112018000599T5 DE112018000599.2T DE112018000599T DE112018000599T5 DE 112018000599 T5 DE112018000599 T5 DE 112018000599T5 DE 112018000599 T DE112018000599 T DE 112018000599T DE 112018000599 T5 DE112018000599 T5 DE 112018000599T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
recessed
capacitor
section
dielectric film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112018000599.2T
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoyuki Ashimine
Hiroshi Nakagawa
Yasuhiro Murase
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of DE112018000599T5 publication Critical patent/DE112018000599T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
    • H01L28/92—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by patterning layers, e.g. by etching conductive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L21/28525—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising semiconducting material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
    • H01L21/784—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/92—Capacitors having potential barriers
    • H01L29/94—Metal-insulator-semiconductors, e.g. MOS
    • H01L29/945—Trench capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

Ein Kondensator (100) weist auf: ein Substrat (110) mit einer Hauptfläche (110A); einen dielektrischen Film (130), der auf der Seite der Hauptfläche (110A) des Substrats (110) vorgesehen ist; und eine Elektrodenschicht (140), die an dem dielektrischen Film (130) vorgesehen ist. Das Substrat (110) weist einen Vertiefungsstrukturabschnitt (112) auf, der mit mindestens einem Vertiefungsabschnitt ausgebildet ist, der in einem Bereich außerhalb eines Bereichs gebildet ist, der in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche (110A) des Substrats (110) aus betrachtet mit der Elektrodenschicht (140) überlappt, und der dielektrische Film (130) ist an dem Vertiefungsstrukturabschnitt (112) vorgesehen.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kondensator und ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Als ein übliches Kondensatorelement, das beispielsweise in einer integrierten Halbleiterschaltung verwendet wird, ist ein MIM-(Metall-Isolator-Metall-)Kondensator bekannt. Der MIM-Kondensator ist ein Kondensator mit einer Struktur, in der ein dielektrischer Film zwischen einer unteren Elektrode und einer oberen Elektrode angeordnet ist. Um das Kondensatorelement bei einer Hochspannungsvorrichtung anzuwenden oder das Kondensatorelement an einer elektronischen Komponente mit hoher Dichte zu montieren, muss das Kondensatorelement eine hohe Spannungsfestigkeit und eine hohe Kapazität aufweisen. Als ein Verfahren der Realisierung eines solchen MIM-Kondensators mit beispielsweise einer hohen Spannungsfestigkeit wurde eine Dicke eines dielektrischen Films untersucht.
  • In dem Fall jedoch, in dem der MIM-Kondensator mittels PVD (physical vapor deposition - physikalische Gasphasenabscheidung) oder CVD (chemical vapor deposition - chemikalische Gasphasenabscheidung) an dem Substrat vorgesehen wird, nimmt aufgrund der Differenz der Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Substrat und dem dielektrischen Film mit zunehmender Filmdicke des dielektrischen Films die thermische Spannung auf den dielektrischen Film zu, und der dielektrische Film neigt dazu, einzureißen.
  • Ein Riss, der in dem dielektrischen Film entsteht, verursacht aufgrund eines Kriechstroms eine Abnahme des Kapazitätswerts und aufgrund eines Kurzschlusses eine Betriebsstörung. Beispielsweise offenbart Patentdokument 1 eine Halbleitervorrichtung mit einem Kondensator, der eine untere Elektrode, die an einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, einen zweiten Schutzfilm, einen dielektrischen Film, der einen Defekt aufweist, der sich von einer oberen Fläche aus, die dem zweiten Schutzfilm zugewandt ist, in der Filmdickenrichtung erstreckt, einen dritten Schutzfilm, der mindestens einen Defekteinbettungsfilm aufweist, der aus einem Isolator gebildet ist, der den Defekt darin eingebettet aufweist, einen ersten Schutzfilm, der den dielektrischen Film und den dritten Schutzfilm bedeckt, und eine obere Elektrode umfasst, die den ersten Schutzfilm bedeckt. In dieser Halbleitervorrichtung wird das Entstehen von Minoritätsdefekten vermieden, die durch Kriechstrom verursacht werden, indem Defekte (Risse) in dem dielektrischen Film des Kondensators eingebettet werden.
  • DOKUMENT DES STANDS DER TECHNIK
  • PATENTDOKUMENT
  • Patentdokument 1: Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2014 - 229680
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Von der Erfindung zu lösende Aufgabe
  • Die Defekte, die in der in Patentdokument 1 beschriebenen Halbleitervorrichtung eingebettet sind, sind jedoch Risse, die aufgrund der Volumenschrumpfung des dielektrischen Films während des Kristallwachstums verursacht wurden. Da der Schutzfilm an dem Halbleitersubstrat durch das Vorsehen des Defekteinbettungsfilms verdickt wird, ist es schwierig, das Auftreten von Rissen zu verhindern, die aufgrund des Wärmeausdehnungskoeffizienten durch thermische Spannung zwischen dem Substrat und dem Schutzfilm verursacht werden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde in Anbetracht dieser Umstände geschaffen, und eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Kondensator vorzusehen, der in der Lage ist, die Zuverlässigkeit zu verbessern.
  • Mittel zum Lösen der Aufgabe
  • Ein Kondensator gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung weist auf: ein Substrat mit einer Hauptfläche; einen dielektrischen Film, der auf einer Hauptflächenseite des Substrats vorgesehen ist; und eine Elektrodenschicht, die an dem dielektrischen Film vorgesehen ist. Das Substrat weist einen Vertiefungsstrukturabschnitt auf, der mit mindestens einem Vertiefungsabschnitt ausgebildet ist, der in einem Bereich außerhalb eines Bereichs gebildet ist, der in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche des Substrats aus betrachtet mit der Elektrodenschicht überlappt, und der dielektrische Film ist an dem Vertiefungsstrukturabschnitt vorgesehen.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators gemäß eines anderen Gesichtspunkts der vorliegenden Erfindung umfasst: einen Schritt des Vorbereitens eines zusammengesetzten Substrats, das eine Hauptfläche aufweist und das eine Vielzahl von ersten Bereichen und zwischen der Vielzahl von ersten Bereichen, in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche aus betrachtet, einen zweiten Bereich aufweist; einen Schritt des Bildens eines Vertiefungsstrukturabschnitts in dem zweiten Bereich, der mit mindestens einem Vertiefungsabschnitt ausgebildet ist; einen Schritt des Vorsehens eines dielektrischen Films an dem zusammengesetzten Substrat in der Vielzahl von ersten Bereichen und dem Vertiefungsstrukturabschnitt; einen Schritt des Vorsehens einer Elektrodenschicht an dem dielektrischen Film in der Vielzahl von ersten Bereichen; und einen Schritt der Vereinzelung der Vielzahl von ersten Bereichen mittels Schneiden des zusammengesetzten Substrats in dem zweiten Bereich.
  • Vorteilhafte Wirkung der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, einen Kondensator mit verbesserter Zuverlässigkeit vorzusehen.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Draufsicht, die schematisch eine Ausgestaltung eines Kondensators gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt.
    • 2 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausgestaltung eines Querschnitts des in 1 gezeigten Kondensators entlang der Linie II-II zeigt.
    • 3 ist eine vergrößerte Schnittansicht des in 2 gezeigten Kondensatorschnitts.
    • 4 ist ein Flussdiagramm, das einen Substratbearbeitungsschritt in einem Kondensatorherstellungsverfahren gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt.
    • 5 ist ein Flussdiagramm, das einen Kondensatorbildungsschritt in dem Kondensatorherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt.
    • 6 ist eine Ansicht, die einen in 4 gezeigten Schritt der Strukturierung einer ersten Fotolackschicht zeigt.
    • 7 ist eine Ansicht, die einen in 4 gezeigten Schritt des Vorsehens eines Vorsprungsstrukturabschnitts zeigt.
    • 8 zeigt einen Schritt des Vorsehens eines in 4 gezeigten Grabenstrukturabschnitts.
    • 9 ist eine Ansicht, die einen in 5 gezeigten Schritt der Bildung eines ersten polykristallinen Silizium-(Poly-Si-)Films zeigt.
    • 10 ist eine Ansicht, die einen in 5 gezeigten Durchführungsschritt des Trockenätzens des Poly-Si-Films zeigt.
    • 11 ist eine Ansicht, die einen in 5 gezeigten Schritt der Vereinzelung eines Kondensators zeigt.
    • 12 ist eine Schnittansicht, die schematisch eine Ausgestaltung eines Kondensators gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt.
  • AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
  • Nachfolgend werden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Es sei angemerkt, dass in der zweiten und nachfolgenden Ausführungsformen Komponenten, die identisch mit denen der ersten Ausführungsform oder ihnen ähnlich sind, mit denselben oder ähnlichen Bezugszeichen wie in der ersten Ausführungsform bezeichnet werden, und gegebenenfalls auf eine ausführliche Beschreibung von ihnen verzichtet wird. Ferner wird bezüglich der Wirkungen, die in der zweiten und nachfolgenden Ausführungsformen erzielt werden, auf eine Beschreibung derselben Wirkungen wie denen der ersten Ausführungsform entsprechend verzichtet. Die Zeichnungen der Ausführungsformen dienen der Veranschaulichung, die Abmessungen und Formen der jeweiligen Abschnitte sind schematisch, und der technische Schutzumfang der vorliegenden Erfindung soll nicht auf die Ausführungsformen beschränkt werden.
  • <Erste Ausführungsform>
  • Zunächst wird unter Bezugnahme auf 1 bis 3 die Ausgestaltung eines Kondensators 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. 1 ist eine Draufsicht, die schematisch die Ausgestaltung eines Kondensators gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. 2 ist eine Schnittansicht, die schematisch die Ausgestaltung eines Querschnitts des in 1 gezeigten Kondensators entlang der Linie II-II zeigt. 3 ist eine vergrößerte Schnittansicht des in 2 gezeigten Kondensatorschnitts.
  • Eine erste Richtung X, eine zweite Richtung Y und eine dritte Richtung Z, die in den Zeichnungen gezeigt sind, sind Richtungen, die beispielsweise orthogonal zueinander sind, sie sind jedoch nicht auf diese Richtungen beschränkt, sofern sie einander schneiden, und sie können einander in anderen Winkeln als 90° schneiden. Die erste Richtung X, die zweite Richtung Y und die dritte Richtung Z sind nicht auf die Richtung (positive Richtung) des in 1 gezeigten Pfeils beschränkt, sondern umfassen die dem Pfeil entgegengesetzte Richtung (negative Richtung).
  • Der Kondensator 100 umfasst ein Substrat 110, eine erste Elektrodenschicht 120, einen dielektrischen Film 130, eine zweite Elektrodenschicht 140 und eine Isolierfolie 150. Der Kondensator 100 weist einen ersten Abschnitt 101 und einen zweiten Abschnitt 102 auf, der in Draufsicht von der Normalenrichtung einer ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110 aus betrachtet außerhalb des ersten Abschnitts 101 positioniert ist. Der erste Abschnitt 101 ist ein Bereich, in dem die erste Elektrodenschicht 120 und die zweite Elektrodenschicht 140 einander auf gegenüberliegenden Seiten des dielektrischen Films 130 überlappen, und entspricht einem Kapazitätsbildungsabschnitt zum Bilden einer Kapazität. Der zweite Abschnitt 102 entspricht einem Spannungskonzentrationsabschnitt zum Konzentrieren thermischer Spannung, die auf den dielektrischen Film 130 ausgeübt wird. Der zweite Abschnitt 102 ist beispielsweise rahmenförmig vorgesehen, sodass er den ersten Abschnitt 101 umgibt.
  • Das Substrat 110 weist beispielsweise eine einschichtige Struktur auf, die aus einem leitfähigen widerstandsarmen Siliziumsubstrat gebildet ist. Das Substrat 110 kann ein isolierendes Substrat wie Quarzkristall sein. Das Substrat 110 kann eine mehrschichtige Struktur aufweisen, beispielsweise kann es ein Laminat sein, das aus einem leitfähigen Substrat und einer Isolierfolie gebildet ist. Die erste Hauptfläche 110A ist in der dritten Richtung Z auf der Seite der positiven Richtung vorgesehen, und die zweite Hauptfläche 110B ist in der dritten Richtung Z auf der Seite der negativen Richtung vorgesehen. Die erste Hauptfläche 110A ist eine Kristallebene, deren Kristallorientierung beispielsweise als <100> ausgedrückt wird. Die erste Hauptfläche 110A und die zweite Hauptfläche 110B sind Flächen, die parallel zu einer Ebene sind, die von der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y definiert wird (nachfolgend als eine „XY-Ebene“ bezeichnet). In dem Substrat 110 können beispielsweise auf der Seite der ersten Hauptfläche 110A ein Grabenstrukturabschnitt 111 und ein Vertiefungsstrukturabschnitt 112 gebildet sein.
  • Der Grabenstrukturabschnitt 111 ist eine konkav-konvexe Struktur, die in dem ersten Abschnitt 101 gebildet ist, und weist eine Vielzahl von Vertiefungsabschnitten 111B und eine Vielzahl von Vorsprungsabschnitten 111A auf. Der Vertiefungsabschnitt 111B ist in der dritten Richtung Z von der ersten Hauptfläche 110A aus zur Seite der negativen Richtung vertieft. Der Vertiefungsabschnitt 111B ist nutförmig gebildet, die eine untere Fläche mit einer vorgegebenen Breite aufweist. Die Vertiefungsabschnitte 111B erstrecken sich in der zweiten Richtung Y und sind in der ersten Richtung X ausgerichtet. Der Vorsprungsabschnitt 111A ist zwischen den Vertiefungsabschnitten 111B positioniert und steht in der dritten Richtung Z von den Vertiefungsabschnitten 111B aus zur Seite der positiven Richtung vor. Der Vorsprungsabschnitt 111A weist eine obere Fläche einer vorgegebenen Breite auf. Die obere Fläche des Vorsprungsabschnitts 111A ist beispielsweise in der ersten Hauptfläche 110A umfasst. Die Tiefe des Vertiefungsabschnitts 111B des Grabenstrukturabschnitts 111 in der dritten Richtung Z (Position der unteren Fläche des Vertiefungsabschnitts 111B in Bezug zur oberen Fläche des Vertiefungsabschnitts 111A) beträgt beispielsweise 10 µm oder mehr oder 50 µm oder weniger. Die Breite des Vertiefungsabschnitts 111B des Grabenstrukturabschnitts 111 in der ersten Richtung X beträgt beispielsweise etwa 5 µm, und die Breite des Vorsprungsabschnitts 111A in der ersten Richtung X beträgt beispielsweise etwa 5 µm.
  • Die Ecke des Vorsprungsabschnitts 111A des Grabenstrukturabschnitts 111 weist auf der Seite des Substrats 110 einen Winkel θ11 auf. Die Ecke des Vertiefungsabschnitts 111B des Grabenstrukturabschnitts 111 weist auf einer Raumseite, die von dem Grabenstrukturabschnitt 111 umgeben ist, d. h. auf der dem Substrat 110 gegenüberliegenden Seite, einen Winkel θ12 auf. Der Winkel θ11 ist ein Winkel, der von der oberen Fläche und der Seitenfläche des Vorsprungsabschnitts 111A des Grabenstrukturabschnitts 111 gebildet wird, und der Winkel 912 ist ein Winkel, der von der unteren Fläche und der Seitenfläche des Vertiefungsabschnitts 111B des Grabenstrukturabschnitts 111 gebildet wird. Die Winkel θ11 und 912 betragen beispielsweise jeweils ungefähr 90 Grad. Die untere Fläche des Grabenstrukturabschnitts 111 kann eine gebogene Form aufweisen. In diesem Fall kann der Winkel θ12 größer als 90 Grad sein. Wenn der Vorsprungsabschnitt 111A des Grabenstrukturabschnitts 111 eine Vielzahl von Flächen aufweist und eine Vielzahl von Winkeln aufweist, die von den Flächen gebildet werden, gibt der Winkel θ11 den größten Winkel aus den Winkeln an, die an dem Vorsprungsabschnitt 111A gebildet sind. Ähnlich gibt der Winkel θ12 den größten Winkel an, der in dem Vertiefungsabschnitt 111B gebildet ist. In diesem Fall kann der Winkel θ11 größer sein als 90° und kann der Winkel θ12 auch größer sein als 90°.
  • Als ein Beispiel ist der Grabenstrukturabschnitt 111 gezeigt, der mit den 5 Vertiefungsabschnitten 111B ausgebildet ist, doch der Grabenstrukturabschnitt 111 muss nur mindestens einen Vertiefungsabschnitt 111B aufweisen, und die Anzahl an Vertiefungsabschnitten 111B und Vorsprungsabschnitten 111A ist nicht in besonderer Weise beschränkt. Ferner ist die Form des Vertiefungsabschnitts 111B, in Draufsicht von der Normalenrichtung der ersten Hauptfläche 110A aus betrachtet, nicht auf eine Nutform beschränkt, sondern kann in Inselform gebildet sein, beispielsweise einer kreisförmigen (elliptischen) nicht durchgehenden Bohrung, die in einer Matrixform angeordnet ist. Der Grabenstrukturabschnitt 111 kann auf der Seite der zweiten Hauptfläche 110B gebildet sein. Das heißt, der Grabenstrukturabschnitt 111 und der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 können auf verschiedenen Hauptflächen des Substrats 110 gebildet sein. Der Grabenstrukturabschnitt 111 kann sowohl auf der Seite der ersten Hauptfläche 110A als auch auf der Seite der zweiten Hauptfläche 110B gebildet sein.
  • Wie in 2 gezeigt, ist der Grabenstrukturabschnitt 111 im Innern der zweiten Elektrodenschicht 140 vorgesehen und überlappt einen Teil der zweiten Elektrodenschicht 140, wenn die erste Hauptfläche 110A des Substrats 110 in Draufsicht betrachtet wird. Dementsprechend kann die Kapazität des Kondensators 100 erhöht werden, da der gesamte Grabenstrukturabschnitt 111 zur Kapazitätsbildung beiträgt. Der Grabenstrukturabschnitt 111 kann jedoch auch von der Innenseite zur Außenseite der zweiten Elektrodenschicht 140 vorgesehen sein. Dies kann die Kriechstrecke zwischen dem Endabschnitt der ersten Elektrodenschicht 120 und dem Endabschnitt der zweiten Elektrodenschicht 140 vergrößern. Dementsprechend kann in dem Kondensator 100 das Entstehen von Kriechentladung unterbunden werden. Die Kriechstrecke ist eine Strecke entlang der Oberfläche des Isolierelements wie des Substrats 110 und des dielektrischen Films 130, die zwischen der ersten Elektrodenschicht 120 und der zweiten Elektrodenschicht 130 vorhanden sind.
  • Die Form des ersten Abschnitts 101 ist nicht beschränkt, sofern eine Kapazität gebildet werden kann, und der Grabenstrukturabschnitt 111 kann weggelassen werden. Das heißt, der dielektrische Film 130 und die zweite Elektrodenschicht 140 können derart an der flachen ersten Hauptfläche 110A des ersten Abschnitts 101 vorgesehen sein, dass sie parallel zur XY-Ebene sind. Die untere Fläche des Vertiefungsabschnitts 111B oder die obere Fläche des Vorsprungsabschnitts 111A kann eine polygonale Form aufweisen, die aus einer Vielzahl von Flächen gebildet ist, eine Form, die in die dritte Richtung Z gebogen ist, oder eine Kombination davon.
  • Der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 ist eine konkav-konvexe Struktur, die an dem zweiten Abschnitt 102 gebildet ist, und weist einen Vertiefungsabschnitt 112B und einen Vorsprungsabschnitt 112A auf. Der Vertiefungsabschnitt 112B ist in der dritten Richtung Z von der ersten Hauptfläche 110A aus zur Seite der negativen Richtung vertieft. Der Vertiefungsabschnitt 112B weist einen V-förmigen Querschnitt auf, an dessen unteren Abschnitt zwei Seitenflächen, die aneinander angrenzen, miteinander verbunden sind, und ist nutförmig gebildet. Der Vorsprungsabschnitt 112A weist einen umgekehrt V-förmigen Querschnitt auf, an dessen oberen Abschnitt zwei Seitenflächen, die aneinander angrenzen, miteinander verbunden sind. Der Vorsprungsabschnitt 112A ist zwischen den Vertiefungsabschnitten 112B positioniert und steht in der dritten Richtung Z von den Vertiefungsabschnitten 111B aus in positiver Richtung vor. Der obere Abschnitt des Vorsprungsabschnitts 112A ist beispielsweise mit der ersten Hauptfläche 110A ausgebildet. Der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 ist in einem Bereich außerhalb des ersten Abschnitts 101 gebildet, d. h. in einem Bereich, der in Draufsicht von der Normalenrichtung der ersten Hauptfläche 110A aus betrachtet mit der zweiten Elektrodenschicht 140 des Substrats 110 überlappt. Der Vertiefungsabschnitt 112B und der Vorsprungsabschnitt 112A sind rahmenförmig entlang des Außenumfangs des ersten Abschnitts 101 gebildet, sodass sie den Grabenstrukturabschnitt 111 umgeben.
  • Die Tiefe des Vertiefungsabschnitts 112B des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 (Position des unteren Abschnitts des Vertiefungsabschnitts 112B in Bezug zum oberen Abschnitt des Vorsprungsabschnitts 112A) ist kleiner als die Tiefe des Vertiefungsabschnitts 111B des Grabenstrukturabschnitts 111. Dies kann die Oberfläche des Grabenstrukturabschnitts 111 vergrößern und kann die Kapazität erhöhen, die in dem ersten Abschnitt 101 gebildet wird.
  • Die Ecke des Vorsprungsabschnitts 112A des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 weist auf der Seite des Substrats 110 einen Winkel θ21 auf. Die Ecke des Vertiefungsabschnitts 112B des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 weist auf der Raumseite, die von dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 umgeben ist, d. h. auf der dem Substrat 110 gegenüberliegenden Seite, einen Winkel θ22 auf. Der Winkel θ21 ist ein Winkel, der von zwei aneinander angrenzenden Seitenflächen des Vorsprungsabschnitts 112A des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 gebildet wird, und der Winkel θ22 ist ein Winkel, der von zwei aneinander angrenzenden Seitenflächen des Vertiefungsabschnitts 112B des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 gebildet wird. Wenn jedoch der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 an dem oberen Abschnitt des Vorsprungsabschnitts 112A eine obere Fläche aufweist, ist der Winkel θ21 ein Winkel, der von der oberen Fläche und der Seitenfläche gebildet wird. Wenn der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 an dem unteren Abschnitt des Vertiefungsabschnitts 112B eine untere Fläche aufweist, ist der Winkel θ22 ein Winkel, der von der unteren Fläche und der Seitenfläche gebildet wird. Wenn der Vorsprungsabschnitt 112A des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 eine Vielzahl von Flächen aufweist und eine Vielzahl von Winkeln aufweist, die von den Flächen gebildet werden, gibt der Winkel θ21 den größten Winkel aus den Winkeln an, die an dem Vorsprungsabschnitt 112A gebildet sind. Ähnlich gibt der Winkel θ22 den größten Winkel an, der in dem Vertiefungsabschnitt 112A gebildet ist.
  • Der Winkel θ21 ist kleiner als der Winkel θ11, und der Winkel θ22 ist kleiner als der Winkel θ12. Die Winkel θ21 und θ22 sind beispielsweise spitze Winkel. Die Größe des Winkels θ21 ist nicht in besonderer Weise beschränkt, sofern sie kleiner als der Winkel θ11 ist, und es kann ein stumpfer Winkel oder ein rechter Winkel sein. Gleiches gilt für die Größe des Winkels θ22. Mit anderen Worten ist die Seite der ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110 in dem ersten Abschnitt 101 flacher als in dem zweiten Abschnitt 102. Wenn die Seite der ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110 in dem ersten Abschnitt 101 flach ist, d. h., wenn der Grabenstrukturabschnitt 111 weggelassen wird, können die Größen der Winkel θ21 und θ22 des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 frei gestaltet werden. Vorzugsweise ist entweder der Winkel θ21 oder der Winkel θ22 kleiner als der kleinere der Winkel θ11 und θ12. Mit anderen Worten ist der kleinste Winkel der Vielzahl von Winkeln, die in dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 gebildet sind, vorzugsweise kleiner als der kleinste Winkel der Vielzahl von Winkeln, die in dem Grabenstrukturabschnitt 111 gebildet sind. Dabei ist der kleinste Winkel des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 der kleinste Winkel des Winkels, der auf der Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vorsprungsabschnitts 112A gebildet wird, und des Winkels, der in dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 auf der dem Substrat 110 gegenüberliegenden Seite von der Ecke des Vertiefungsabschnitts 112B gebildet wird. Der kleinste Winkel des Grabenstrukturabschnitts 111 ist der kleinste Winkel des Winkels, der auf der Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vorsprungsabschnitts 111A gebildet wird, und des Winkels, der in dem Grabenstrukturabschnitt 111 auf der dem Substrat 110 gegenüberliegenden Seite von der Ecke des Vertiefungsabschnitts 111B gebildet wird. Ferner kann der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 eine Struktur aufweisen, in der die Spannung konzentrierter ist als in einem Abschnitt, in dem die Spannung in dem Grabenstrukturabschnitt 111 am konzentriertesten ist, und das Verhältnis zwischen dem Winkel θ11, dem Winkel θ12, dem Winkel θ21 und dem Winkel θ22 ist nicht auf dieses beschränkt.
  • Als ein Beispiel wird der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 genannt, der mit den zwei Vertiefungsabschnitten 112B und dem einen Vorsprungsabschnitt 112A ausgebildet ist, doch der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 muss nur mindestens einen Vertiefungsabschnitt 112B aufweisen, und die Anzahl der Vertiefungsabschnitte 112B und der Vorsprungsabschnitte 112A ist nicht in besonderer Weise beschränkt. Die Querschnittsformen des Vertiefungsabschnitts 112B und des Vorsprungsabschnitts 112A sind nicht auf eine V-Form und eine umgekehrte V-Form beschränkt, und können eine obere Fläche und eine untere Fläche aufweisen, die jeweils eine vorgegebene Breite aufweist. Der untere Abschnitt des Vertiefungsabschnitts 112B oder der obere Abschnitt des Vorsprungsabschnitts 111A kann eine polygonale Form aufweisen, die aus einer Vielzahl von Flächen gebildet ist, eine Form, die in die dritte Richtung Z gebogen ist, oder eine Kombination davon. Der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 ist nicht auf eine Rahmenform beschränkt, die den ersten Abschnitt 101 in Draufsicht von der Normalenrichtung der ersten Hauptfläche 110A aus betrachtet umgibt. Der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 kann unterbrochen gebildet sein, z. B. kann der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 derart gebildet sein, dass er nur in der ersten Richtung X oder der zweiten Richtung Y an den ersten Abschnitt 101 angrenzt, und in der anderen Richtung nicht an den ersten Abschnitt 101 angrenzt.
  • Wie in 2 gezeigt, ist der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 auf der Außenseite der zweiten Elektrodenschicht 130 vorgesehen, wenn die erste Hauptfläche 110A des Substrats 110 in Draufsicht betrachtet wird. Dies kann die Kriechstrecke zwischen dem Endabschnitt der ersten Elektrodenschicht 120 und dem Endabschnitt der zweiten Elektrodenschicht 130 vergrößern. Dementsprechend kann in dem Kondensator 100 das Entstehen von Kriechentladung unterbunden werden.
  • Die erste Elektrodenschicht 120 bedeckt die zweite Hauptfläche 110B des Substrats 110. Die erste Elektrodenschicht 120 kann mindestens in dem ersten Abschnitt 101 an der zweiten Hauptfläche 110B vorgesehen sein. Die erste Elektrodenschicht 120 ist beispielsweise aus einem Metallmaterial wie beispielsweise Mo (Molybdän), Al (Aluminium), Au (Gold), Ag (Silber), Cu (Kupfer), W (Wolfram), Pt (Platin), Ti (Titan), Ni (Nickel), Cr (Chrom) oder Ähnlichem gebildet. Die erste Elektrodenschicht 120 ist nicht auf ein Metallmaterial beschränkt, sofern es ein leitfähiges Material ist, und sie kann aus einem leitfähigen Harz oder Ähnlichem gebildet sein. Die erste Elektrodenschicht 120 ist nicht notwendigerweise an der gesamten Fläche der zweiten Hauptfläche 110B des Substrats 110 gebildet, doch sie kann mindestens an dem ersten Abschnitt 101 gebildet sein. Wenn das Substrat 110 ein widerstandsarmes Siliziumsubstrat ist, sind die erste Elektrodenschicht 120 und das Substrat 110 elektrisch miteinander verbunden und fungieren als die untere Elektrode des Kondensators 100. Wenn das Substrat 110 ein isolierendes Substrat ist, fungiert das Substrat 110 als ein Teil der dielektrischen Schicht des Kondensators 100, und die erste Elektrodenschicht 120 fungiert als die untere Elektrode.
  • Der dielektrische Film 130 weist eine erste dielektrische Schicht 131 und eine zweite dielektrische Schicht 132 auf. Die erste dielektrische Schicht 131 bedeckt die Seite der ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110, und ist auch an dem Grabenstrukturabschnitt 111 und dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 vorgesehen. Das heißt, die erste dielektrische Schicht 131 ist durchgängig von oberhalb der ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110 bis zum Innern eines Raums vorgesehen, der von dem Grabenstrukturabschnitt 111 und dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 auf der Seite der ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110 gebildet ist. Die erste dielektrische Schicht 131 ist beispielsweise aus einem isolierenden Siliziumoxid (z. B. SiO2) gebildet. Die Filmdicke der ersten dielektrischen Schicht 131 beträgt beispielsweise etwa 0,3 µm.
  • Die zweite dielektrische Schicht 132 ist an der ersten dielektrischen Schicht 131 vorgesehen. Die zweite dielektrische Schicht 132 ist auch im Innern eines Raums vorgesehen, der von dem Grabenstrukturabschnitt 111 und dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 auf der Seite der ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110 gebildet ist. Die zweite dielektrische Schicht 132 ist beispielsweise aus einem siliziumnitridbasierten dielektrischen Material wie Siliziumoxinitrid (SiON) oder Siliziumnitrid (Si3N4) gebildet. Die Filmdicke der zweiten dielektrischen Schicht 132 beträgt beispielsweise etwa 1 µm. Da die zweite dielektrische Schicht 132 aus einem Dielektrikum mit einer dielektrischen Konstante gebildet ist, die höher ist als die einer ersten dielektrischen Schicht 131, kann die Kapazitätsdichte des Kondensators 100 verbessert werden. Die zweite dielektrische Schicht 132 kann zusätzlich zu einer einzelnen Schicht eine geschichtete Struktur einer Vielzahl von Dielektrika aufweisen. Dies macht es möglich, eine beliebigere Kapazität und Spannungsfestigkeit zu gestalten. Die zweite dielektrische Schicht 132 ist nicht auf ein siliziumnitridbasiertes dielektrisches Material beschränkt, und sie kann aus einem dielektrischen Material gebildet sein, das aus einem Oxid wie beispielsweise Al2O3, HfO2, Ta2O5, oder ZrO2 gebildet ist. Die erste dielektrische Schicht 131 ist nicht auf ein siliziumoxidbasiertes dielektrisches Material beschränkt, und sie kann aus einem anderen Oxid oder siliziumnitridbasierten dielektrischen Material gebildet sein.
  • In einem Abschnitt, der an dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 vorgesehen ist, ist in dem zweiten Abschnitt 102 ein Riss CR in dem dielektrischen Film 130 gebildet. Der Riss CR ist beispielsweise derart gebildet, dass er die erste dielektrische Schicht 131 und die zweite dielektrische Schicht 132 von dem oberen Abschnitt des Vorsprungsabschnitts 112A oder dem unteren Abschnitt des Vertiefungsabschnitts 112B aus ganz durchdringt. Der Riss CR kann jedoch auch nur in der ersten dielektrischen Schicht 131 oder nur in der zweiten dielektrischen Schicht 132 gebildet sein.
  • Die Filmdicke des dielektrischen Films 130 ist kleiner als die Dicke und die Breite des Vertiefungsabschnitts 111B des Grabenstrukturabschnitts 111. Dementsprechend ist es möglich, eine Situation zu vermeiden, in der der Vertiefungsabschnitt 111B des Grabenstrukturabschnitts 111 mit dem dielektrischen Film 130 gefüllt ist. Das heißt, eine Abnahme der Kapazitätsdichte des Kondensators 100 kann unterbunden werden. Der dielektrische Film 130 kann eine einschichtige Struktur aufweisen, sofern er mit einer ausreichenden Filmdicke (z. B. 1 µm oder mehr) gebildet werden kann.
  • Die zweite Elektrodenschicht 140 ist in dem ersten Abschnitt 101, d. h. dem Abschnitt, der mit dem Grabenstrukturabschnitt 111 überlappt, an dem dielektrischen Film 130 vorgesehen. Die zweite Elektrodenschicht 140 liegt auf der gegenüberliegenden Seite des dielektrischen Films 130 der ersten Elektrodenschicht 120 gegenüber. Die zweite Elektrodenschicht 140 fungiert als eine obere Elektrode des Kondensators 100 und bildet mit der unteren Elektrode (dem Substrat 110 und der ersten Elektrodenschicht 120) eine Kapazität.
  • Die zweite dielektrische Schicht 140 weist eine erste leitfähige Schicht 141 und eine zweite leitfähige Schicht 142 auf. Die erste leitfähige Schicht 141 ist an dem dielektrischen Film 130 gebildet, und ist auch in einem Raum vorgesehen, der von dem Grabenstrukturabschnitt 111 auf der Seite der ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110 gebildet wird. Die erste leitfähige Schicht 141 ist beispielsweise ein polykristalliner Silizium-(Poly-Si-)Film des p-Typs oder des n-Typs. Die zweite leitfähige Schicht 142 ist an der ersten leitfähigen Schicht 141 vorgesehen. Die zweite leitfähige Schicht 142 ist beispielsweise aus einem Metallmaterial gebildet, das bei der Beschreibung der ersten Elektrodenschicht 120 genannt wurde. Die zweite leitfähige Schicht 142 ist nicht auf ein Metallmaterial beschränkt, und sie kann aus einem leitfähigen Material wie einem leitfähigen Harz gebildet sein.
  • Die Isolierfolie 150 bedeckt in Draufsicht von der Normalenrichtung der ersten Hauptfläche 110A des Substrats 110 aus betrachtet den Endabschnitt der zweiten Elektrodenschicht 140. Die Isolierfolie 150 ist beispielsweise eine Polyimid-(PI-)Folie, kann aber eine andere organische Isolierfolie oder ein anorganischer Isolierfilm wie Siliziumoxid oder Siliziumnitrid sein. Die Isolierfolie 150 kann das Entstehen eines Kriechstroms aufgrund von Kriechentladung unterbinden. Das heißt, der Kondensator 100 kann eine hohe Spannungsfestigkeit aufweisen. Wenn die dielektrische Konstante der Isolierfolie 150 größer ist als diejenige des dielektrischen Films 130, kann das elektrische Streufeld der zweiten Elektrodenschicht 140 unterdrückt werden. Wenn die dielektrische Konstante der Isolierfolie 150 andererseits kleiner ist als diejenige des dielektrischen Films 130, kann die Bildung der parasitären Kapazität der zweiten Elektrodenschicht 140 unterdrückt werden.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • Unter Bezugnahme auf 4 bis 11 wird als die zweite Ausführungsform ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators 200 beschrieben. Die zweite Ausführungsform entspricht dem Verfahren zur Herstellung des Kondensators 100 gemäß der ersten Ausführungsform. In der nachstehend beschriebenen zweiten Ausführungsform wird auf die Beschreibung von Gegenständen verzichtet, die sie mit der ersten Ausführungsform gemein hat, und nur Unterschiede werden beschrieben. Insbesondere wird nicht im Einzelnen auf dieselben Handlungen und Wirkungen derselben Ausgestaltung eingegangen. Dieselben Strukturen und Funktionen wie in der ersten Ausführungsform sind mit denselben Bezugszeichen wie in der ersten Ausführungsform bezeichnet.
  • 4 ist ein Flussdiagramm, das einen Substratbearbeitungsschritt in dem Kondensatorherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt. 5 ist ein Flussdiagramm, das einen Kondensatorbildungsschritt in dem Kondensatorherstellungsverfahren gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt. 6 ist eine Ansicht, die einen in 4 gezeigten Schritt der Strukturierung der ersten Fotolackschicht zeigt. 7 ist eine Ansicht, die einen in 4 gezeigten Schritt des Vorsehens des Vorsprungsstrukturabschnitts zeigt. 8 zeigt einen in 4 gezeigten Schritt des Vorsehens des Grabenstrukturabschnitts. 9 ist eine Ansicht, die einen in 5 gezeigten Schritt der Bildung des ersten polykristallinen Silizium-(Poly-Si-)Films zeigt. 10 ist eine Ansicht, die einen in 5 gezeigten Durchführungsschritt des Trockenätzens des Poly-Si-Films zeigt. 11 ist eine Ansicht, die einen in 5 gezeigten Schritt der Vereinzelung des Kondensators zeigt. Es sei angemerkt, dass zur einfachen Erklärung der Substratbearbeitungsschritt und der Kondensatorbildungsschritt als einzelne Schritte des Verfahrens zur Herstellung des Kondensators 200 dargestellt werden. Der Substratbearbeitungsschritt ist ein Schritt des Bildens eines Grabenstrukturabschnitts und eines Vertiefungsstrukturabschnitts an einem zusammengesetzten Substrat. Der Kondensatorbildungsschritt ist ein Schritt des Vorsehens eines dielektrischen Films, einer zweiten Elektrodenschicht und Ähnlichem an einem zusammengesetzten Substrat, und des Vorsehens eines Kapazitätsbildungsbereichs eines MIM-(Metall-Isolator-Metall-)Kondensators.
  • Zunächst wird unter Bezugnahme auf 4 der Substratbearbeitungsschritt beschrieben. In dem Substratbearbeitungsschritt wird zunächst ein widerstandsarmes Siliziumsubstrat vorbereitet (S11). Wie in 6 gezeigt, entspricht ein widerstandsarmes Siliziumsubstrat 210 einem zusammengesetzten Substrat. Das widerstandsarme Siliziumsubstrat 210 weist eine Vielzahl von ersten Bereichen 291 und in Draufsicht von der Normalenrichtung einer Hauptfläche 210A aus betrachtet zwischen der Vielzahl von ersten Bereichen 291 einen zweiten Bereich 292 auf. Der erste Bereich 291 ist in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y in einer Matrixform angeordnet, und der zweite Bereich 292 ist in einer Gitterform angeordnet.
  • Als Nächstes wird eine erste Fotolackschicht strukturiert (S12). Eine erste Fotolackschicht 271 entspricht einer Schablone, die an der ersten Hauptfläche 210A des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 vorgesehen ist, um einen Vertiefungsstrukturabschnitt 212 zu bilden. Wie in 6 gezeigt, ist die erste Fotolackschicht 271 derart strukturiert, dass sie den ersten Bereich 291 bedeckt. Die erste Fotolackschicht 271 ist in dem zweiten Bereich 292 in zwei parallelen Streifen strukturiert. Das heißt, zwischen den zwei benachbarten ersten Bereichen 291 in der ersten Richtung X gibt es zwei Bereiche, die mit der ersten Fotolackschicht 271 bedeckt sind, und es gibt drei Bereiche, die einer Öffnung der ersten Fotolackschicht 271 gegenüberliegen. Die Anzahl der streifenförmigen zueinander parallelen ersten Fotolackschichten 271 in dem zweiten Bereich 292 ist nicht beschränkt, und zumindest eine kann strukturiert sein.
  • Als Nächstes wird mittels Nassätzen der Vertiefungsstrukturabschnitt gebildet (S13). Wie in 6 gezeigt, wird das widerstandsarme Siliziumsubstrat 210 unter Verwendung der Fotolackschicht 271 als eine Schablone und Kaliumhydroxidlösung als Ätzlösung mittels Nassätzen geschnitten, um einen Vertiefungsstrukturabschnitt 212 zu bilden. Wenn der Kristall mittels chemischer Ätzung wie Nassätzen geschnitten wird, wird durch die Kristallorientierung Anisotropie der Ätzrate verursacht. Das Nassätzen findet derart statt, dass durch die Anisotropie der Ätzrate eine Kristallebene gebildet wird. Da die Kristallorientierung der ersten Hauptfläche 210A des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 als <100> ausgedrückt wird, findet das Ätzen derart statt, dass eine Fläche gebildet wird, die in Bezug zur ersten Hauptfläche 210A geneigt ist, und der Vertiefungsstrukturabschnitt 212 gebildet werden, der eine Form aufweist, in der sich durchgängig spitze Täler abwechseln.
  • Als Nächstes wird die Fotolackschicht entfernt und eine zweite Fotolackschicht wird strukturiert (S14). Nach der Bildung des Vertiefungsstrukturabschnitts 212 wird die erste Fotolackschicht 271 beispielsweise mittels Veraschung von der ersten Hauptfläche 210A des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 entfernt. Hiernach wird eine zweite Fotolackschicht 272 auf der Seite der ersten Hauptfläche 210A des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 vorgesehen, und wird strukturiert. Die zweite Fotolackschicht 272 entspricht einer Schablone zum Vorsehen des Grabenstrukturabschnitts 211.
  • Dann wird mittels reaktiven Ionenätzens (reactive ion etching - RIE) der Grabenstrukturabschnitt gebildet (S15). Wie in 8 gezeigt, wird das widerstandsarme Siliziumsubstrat 210 mittels Trockentiefätzen mittels RIE unter Verwendung der zweiten Fotolackschicht 272 als Schablone geschnitten. Bei dem reaktiven Ionenätzen ist die Anisotropie der Ätzrate geringer als bei dem Nassätzen, und das Ätzen kann mit hohem Aspektverhältnis von der Öffnung der zweiten Fotolackschicht 272 aus in einer zu der ersten Hauptfläche 210A im Wesentlichen orthogonalen Richtung stattfinden. Somit kann der Vertiefungsabschnitt des Grabenstrukturabschnitts 211 derart gebildet werden, dass er tiefer als der Vertiefungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts 212 ist.
  • Als Nächstes wird die zweite Fotolackschicht entfernt (S16). Die zweite Fotolackschicht 272 wird beispielsweise mittels Veraschung entfernt. Das widerstandsarme Siliziumsubstrat 210 wird mit einer Spülflüssigkeit abgespült, die beispielsweise aus Reinstwasser gebildet ist, um die erste Hauptfläche 210A, den Grabenstrukturabschnitt 211 und den Vertiefungsstrukturabschnitt 212 zu reinigen. Hiermit ist der Substratbearbeitungsschritt abgeschlossen.
  • Als Nächstes wird unter Bezugnahme auf 5 der Kondensatorbildungsschritt beschrieben. In dem Kondensatorbildungsschritt wird zunächst mittels Wärmebehandlung ein SiO2-Film gebildet (S21). Die Oberfläche des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 wird beispielsweise mittels Wärmebehandlung bei 800 °C bis 1100 °C oxidiert, um einen SiO2-Film 231 zu bilden. Der SiO2-Film 231 entspricht der ersten dielektrischen Schicht 131 des Kondensators 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
  • Als Nächstes wird mittels Niederdruck-CVD (LP-CVD) ein SiN-Film gebildet (S22). Wie in 9 gezeigt, ist an dem SiO2-Film 231 ein SiN-Film 232 vorgesehen. Der SiN-Film 232 wird wachsen gelassen, indem ein Reaktionsgas, das aus SiH2Cl2 (Dichlorsilan) und NH3 (Ammoniak) gebildet ist, bei einer Temperatur des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 von 650 °C bis 800 °C in einer Niederdruckumgebung thermisch an dem SiO2-Film 231 reagiert. Wenn das zum Wachsen des SiN-Films 232 erwärmte widerstandsarme Siliziumsubstrat 210 abgekühlt wird, wird thermische Spannung auf den SiN-Film 232 ausgeübt, da die Wärmeausdehnungskoeffizienten des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 und des SiN-Films 232 sich unterscheiden. Da der Wärmeausdehnungskoeffizient des SiN-Films 232 größer ist als der des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210, unterliegt der SiN-Film 232 in dem Kühlprozess Zugspannung. Daher bildet sich, wie in 9 gezeigt, in Abschnitten des SiN-Films 232, die an dem Vertiefungsstrukturabschnitt 212 vorgesehen sind, der Riss CR. Der Riss CR mindert die thermische Spannung, die auf den SiN-Film 232 ausgeübt wird, und unterbindet das Auftreten eines Risses in einem Abschnitt, der an dem Grabenstrukturabschnitt 211 vorgesehen ist. Der SiN-Film 232 entspricht der zweiten dielektrischen Schicht 132 des Kondensators 100 gemäß der ersten Ausführungsform. Das heißt, der dielektrische Film 230 ist aus dem SiO2-Film 231 und dem SiN-Film 232 gebildet.
  • Als Nächstes wird mittels Niederdruck-CVD ein Poly-Si-(polykristalline Silizium)-Film gebildet (S23). Wie in 9 gezeigt, ist an dem SiN-Film 232 ein Poly-Si-Film 241 vorgesehen. Der Poly-Si-Film 241 wird wachsen gelassen, indem ein Reaktionsgas, das aus SiH4 (Silan) gebildet ist, bei einer Temperatur des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 von 550 °C bis 650 °C in einer Niederdruckumgebung thermisch reagiert. In Schritt S23 wird in dem Erwärmungsprozess und dem Abkühlungsprozess des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 thermische Spannung auf den SiN-Film 232 ausgeübt. Das heißt, der Riss CR kann in Schritt S23 gebildet werden. Der Poly-Si-Film 241 entspricht der ersten leitfähigen Schicht 141 des Kondensators 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
  • Als Nächstes wird auf der Seite der ersten Hauptfläche mittels Sputtern eine Al-(Aluminium-)Elektrode gebildet, und Strukturierung durchgeführt. Eine Al-Elektrode 242 ist an der gesamten Oberfläche des Poly-Si-Films 241 vorgesehen. Hiernach wird sie unter Verwendung von Fotolithografie mittels Nassätzen strukturiert und geschnitten, wobei ein Abschnitt belassen wird, der an dem Grabenstrukturabschnitt 211 vorgesehen ist. Die Al-Elektrode 242 entspricht der zweiten leitfähigen Schicht 142 des Kondensators 100 gemäß der ersten Ausführungsform. Das heißt, die zweite Elektrodenschicht 240 wird von dem Poly-Si-Film 241 und der Al-Elektrode 242 gebildet.
  • Als Nächstes wird die Al-Elektrode als eine Schablone verwendet, und das Trockenätzen des Poly-Si-Films wird durchgeführt (S25). Der Poly-Si-Film 241 wird mittels eines selbstausrichtenden Prozesses geschnitten. Das heißt, der Poly-Si-Film 241 wird in dieselbe Form gebracht wie die Form der Al-Elektrode 242 von der Normalenrichtung der ersten Hauptfläche 210A des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 aus betrachtet.
  • Als Nächstes wird mittels Rotationsbeschichtung eine PI-(Polyimid-)Folie gebildet, und Strukturierung durchgeführt (S26). Zunächst wird eine PI-Folie 250 gebildet, indem die gesamten Oberflächen des SiN-Films 232 und der Al-Elektrode 242 beschichtet werden, die auf der Seite der ersten Hauptfläche 210A des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 freiliegen. Als Nächstes wird die PI-Folie 250 mittels Ätzen unter Verwendung von Fotolithografie geschnitten, wobei ein Abschnitt verbleibt, der den Endabschnitt der zweiten Elektrodenschicht 240 bedeckt. Das Verfahren zur Bildung der PI-Folie 250 ist nicht in besonderer Weise beschränkt, und kann beispielsweise Ziehen mittels eines Abrollverfahrens oder Strukturbildung mittels eines Druckverfahrens wie Siebdruck sein. Die PI-Folie 250 entspricht der Isolierfolie 150 des Kondensators 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
  • Als Nächstes wird auf der Seite der zweiten Hauptfläche mittels Sputtern eine Al-Elektrode gebildet (S27). An einer zweiten Hauptfläche 210B des widerstandsarmen Siliziumsubstrats 210 wird eine Al-Elektrode 220 gebildet. Die Al-Elektrode 220 ist auf die gleiche Weise wie die Al-Elektrode 242 vorgesehen. Die Al-Elektrode 220 entspricht der ersten Elektrodenschicht 120 des Kondensators 100 gemäß der ersten Ausführungsform.
  • Als Nächstes wird in dem zweiten Bereich Schneiden durchgeführt (S28). Das heißt, wie in 11 gezeigt, wird das widerstandsarme Siliziumsubstrat 210 zusammen mit der Al-Elektrode 220, dem SiO2-Film 231 und dem SiN-Film 232 in dem zweiten Bereich 292 geschnitten, und in dem Abschnitt vereinzelt, der den ersten Bereich 291 umfasst. Das Schneiden wird entlang des Mittelabschnitts des zweiten Bereichs 292 durchgeführt. Das heißt, der zweite Bereich 292 umfasst eine Trennlinie. Ein erster Abschnitt 201, der einem Kapazitätsbildungsbereich zum Bilden einer Kapazität entspricht, ist in dem ersten Bereich 291 gebildet, und ein zweiter Abschnitt 202, der einem Spannungskonzentrationsabschnitt zum Konzentrieren der Spannung des SiN-Films 232 entspricht, ist in dem zweiten Bereich 292 gebildet, der geschnitten wurde. Folglich ist der Kondensator 200 ausgeschnitten, der den ersten Abschnitt 201 und den zweiten Abschnitt 202 außerhalb des ersten Abschnitts 201 aufweist.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • Unter Bezugnahme auf 12 wird als die dritte Ausführungsform die Ausgestaltung eines Kondensators 300 beschrieben. 12 ist eine Schnittansicht, die schematisch die Ausgestaltung eines Kondensators gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt. In der nachstehend beschriebenen dritten Ausführungsform wird ebenfalls, wie in der zweiten Ausführungsform, auf die Beschreibung von Gegenständen verzichtet, die sie mit der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform gemein hat, und nur Unterschiede werden beschrieben. Insbesondere wird nicht im Einzelnen auf dieselben Handlungen und Wirkungen derselben Ausgestaltung eingegangen. Dieselben Strukturen und Funktionen wie in der ersten Ausführungsform sind mit denselben Bezugszeichen wie in der ersten Ausführungsform bezeichnet.
  • Der Kondensator 300 gemäß der dritten Ausführungsform unterscheidet sich von dem Kondensator 100 gemäß der ersten Ausführungsform, indem ein Vertiefungsstrukturabschnitt 312 in Bezug auf eine erste Hauptfläche 310A eines Substrats 310 tiefer als ein Grabenstrukturabschnitt 311 gebildet ist. Insbesondere ist der untere Abschnitt eines Vertiefungsabschnitts 312B des Vertiefungsstrukturabschnitts 312 näher an einer zweiten Hauptfläche 310B des Substrats 310 als die untere Fläche eines Vertiefungsabschnitts 311B des Grabenstrukturabschnitts 311.
  • Wie oben beschrieben, ist gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung der Kondensator 100 vorgesehen, umfassend: das Substrat 110, das die Hauptfläche 110A aufweist; den dielektrischen Film 130, der auf der Seite der Hauptfläche 110A des Substrats 110 vorgesehen ist; und die Elektrodenschicht 140, die an dem dielektrischen Film 130 vorgesehen ist, wobei das Substrat 110 einen Vertiefungsstrukturabschnitt 112 aufweist, der mit mindestens einem Vertiefungsabschnitt ausgebildet ist, der in einem Bereich außerhalb eines Bereichs gebildet ist, der in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche 110A des Substrats 110 aus betrachtet mit der Elektrodenschicht 140 überlappt, und der dielektrische Film 130 ist an dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 vorgesehen.
  • Gemäß dem vorstehenden Gesichtspunkt kann die thermische Spannung, die auf den dielektrischen Film ausgeübt wird, in einem Abschnitt konzentriert werden, der an dem Vertiefungsstrukturabschnitt vorgesehen ist. Das heißt, ein solcher Kondensator ist in der Lage, die thermische Spannung in dem Abschnitt des dielektrischen Films zwischen dem Substrat und der Elektrodenschicht zu mindern, und in der Lage, das Auftreten von Leistungsverschlechterung aufgrund von Kriechstrom, der von einem Riss in dem dielektrischen Film verursacht wird, und Betriebsstörungen aufgrund von Kurzschlüssen zu unterbinden.
  • Das Substrat kann den Grabenstrukturabschnitt 111 aufweisen, der in einem Bereich gebildet ist, der in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche 110A des Substrats 110 aus betrachtet mit der Elektrodenschicht 140 überlappt, und der dielektrische Film 130 kann an dem Grabenstrukturabschnitt 111 vorgesehen sein. Dementsprechend kann die Fläche des Kapazitätsbildungsbereichs, an dem der Grabenstrukturabschnitt eine Kapazität bildet, vergrößert werden, und der Kapazitätswert des Kondensators kann verbessert werden. Ferner kann, obgleich der Grabenstrukturabschnitt dazu neigt, in einem Bereich, der mit dem Vertiefungsabschnitt oder dem Vorsprungsabschnitt überlappt, einen Riss in dem dielektrischen Film zu verursachen, die Bildung des Vertiefungsstrukturabschnitts das Auftreten eines Risses in dem Abschnitt des dielektrischen Films zwischen dem Substrat und der Elektrodenschicht unterbinden.
  • Der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 kann derart gebildet sein, dass er einen Bereich umgibt, der in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche 110A des Substrats 110 aus betrachtet mit der Elektrodenschicht 140 überlappt. Dies kann die thermische Spannung, die auf den dielektrischen Film ausgeübt wird, in allen Richtungen mindern, und kann das Auftreten eines Risses in dem Bereich des dielektrischen Films zwischen dem Substrat und der Elektrodenschicht unterbinden.
  • Der Vertiefungsstrukturabschnitt 112 kann eine Vielzahl der Vorsprungsabschnitte 112B umfassen und kann zwischen den Vertiefungsabschnitten 112B angeordnet den Vorsprungsabschnitt 112A aufweisen. Dementsprechend wird, da die thermische Spannung in dem dielektrischen Film an der Ecke des Vertiefungsabschnitts und des Vorsprungsabschnitts des Vertiefungsstrukturabschnitts konzentriert ist, die Anzahl der Vertiefungsabschnitte und der Vorsprungsabschnitte erhöht, sodass die Konzentrierung der thermischen Spannung auf den Bereich erleichtert wird, der mit dem Vertiefungsstrukturabschnitt überlappt, und die thermische Spannung kann in dem Bereich, der mit der Elektrodenschicht überlappt, weiter gemindert werden.
  • Der Winkel θ21, der auf der Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vorsprungsabschnitts 112A des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 gebildet wird, kann kleiner sein als der Winkel θ11, der auf der Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vorsprungsabschnitts 111A des Grabenstrukturabschnitts 111 gebildet wird. Dies kann dazu führen, dass die thermische Spannung des dielektrischen Films in dem Vorsprungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts konzentrierter ist als in dem Vorsprungsabschnitt des Grabenstrukturabschnitts. Das heißt, die thermische Spannung kann in dem Bereich gemindert werden, der mit der Elektrodenschicht überlappt.
  • Der Winkel θ22, der auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vertiefungsabschnitts 112B des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 gebildet wird, kann kleiner sein als der Winkel θ12, der auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vertiefungsabschnitts 111B des Grabenstrukturabschnitts 111 gebildet wird. Dies kann dazu führen, dass die thermische Spannung des dielektrischen Films in dem Vertiefungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts konzentrierter ist als in dem Vertiefungsabschnitt des Grabenstrukturabschnitts. Das heißt, die thermische Spannung kann in dem Bereich gemindert werden, der mit der Elektrodenschicht überlappt.
  • Der kleinste Winkel des Winkels θ21, der in dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 auf der Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vorsprungsabschnitts 112A gebildet wird, und des Winkels 922, der auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vertiefungsabschnitts 112B gebildet wird, kann kleiner sein als der kleinste Winkel des Winkels θ11, der in dem Grabenstrukturabschnitt 111 auf der Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vorsprungsabschnitts 111A gebildet wird, und des Winkels θ12, der auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats 110 von der Ecke des Vertiefungsabschnitts 111B gebildet wird. Dies kann dazu führen, dass die thermische Spannung des dielektrischen Films in dem Vertiefungsabschnitt und dem Vorsprungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts konzentrierter ist als in dem Vertiefungsabschnitt oder dem Vorsprungsabschnitt des Grabenstrukturabschnitts.
  • Die Ecke des Vorsprungsabschnitts 112A des Vertiefungsstrukturabschnitts 112 kann einen spitzen Winkel aufweisen. Dies kann dazu führen, dass der dielektrische Film die thermische Spannung wirksamer auf den Bereich konzentriert, der mit dem Vorsprungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts überlappt.
  • Die Tiefe mindestens eines Vertiefungsabschnitts 312B des Vertiefungsstrukturabschnitts 312 in Bezug auf die Hauptfläche 310A kann größer sein als die Tiefe des Vertiefungsabschnitts 311B des Grabenstrukturabschnitts 311 in Bezug auf die Hauptfläche 310A. Gemäß dieser Struktur kann der Vertiefungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts die thermische Spannung des Substrats mindern, wodurch der Verzug des Substrats reduziert wird.
  • Das Substrat 110 kann ein Siliziumsubstrat aufweisen und der dielektrische Film 130 kann ein Siliziumnitrid aufweisen. Selbst wenn das Siliziumnitrid, das einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist als das Siliziumsubstrat, dick gebildet ist, kann dementsprechend der dielektrische Film die thermische Spannung in dem Bereich mindern, in dem der dielektrische Film mit der Elektrodenschicht überlappt. Das heißt, das Auftreten eines Risses in dem Siliziumnitridfilm kann in dem Bereich, der mit der Elektrodenschicht überlappt, unterbunden werden.
  • Die Kristallorientierung der Hauptfläche 110A kann als <100> ausgedrückt werden. Dementsprechend kann der Vertiefungsstrukturabschnitt in einfacher Weise mittels anisotropen Ätzens wie beispielsweise Nassätzen an dem Substrat gebildet werden.
  • In dem dielektrischen Film 130 kann in einem Abschnitt, der an dem Vertiefungsstrukturabschnitt 112 vorgesehen ist, der Riss CR gebildet sein. Dementsprechend wird die thermische Spannung, die in der Richtung entlang der Substratfläche auf den dielektrischen Film ausgeübt wird, von dem Riss gemindert. Mit anderen Worten kann der dielektrische Film aufgrund des Risses, der in dem Bereich entsteht, der mit dem Vertiefungsstrukturabschnitt überlappt, die thermische Spannung in dem Bereich mindern, der mit der Elektrodenschicht überlappt, was das Risiko des Auftretens von Rissen reduziert.
  • Gemäß einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung des Kondensators 200 vorgesehen, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:
    • einen Schritt des Vorbereitens des zusammengesetzten Substrats 210, das die Hauptfläche 210A aufweist und die Vielzahl von ersten Bereichen 291 und zwischen der Vielzahl von ersten Bereichen 291, in Draufsicht von der Normalenrichtung der Hauptfläche 210A aus betrachtet, den zweiten Bereich 292 aufweist;
    • einen Schritt des Bildens des Vertiefungsstrukturabschnitts 212 in dem zweiten Bereich 292, der mit mindestens einem Vertiefungsabschnitt ausgebildet ist;
    • einen Schritt des Vorsehens des dielektrischen Films 230 an dem zusammengesetzten Substrat 210 in der Vielzahl von ersten Bereichen 291 und dem Vertiefungsstrukturabschnitt 212;
    • einen Schritt des Vorsehens der Elektrodenschicht 240 an dem dielektrischen Film 230 in der Vielzahl von ersten Bereichen 291; und
    • einen Schritt der Vereinzelung der Vielzahl von ersten Bereichen 291 mittels Schneiden des zusammengesetzten Substrats 210 in dem zweiten Bereich 292.
  • Gemäß dem vorstehenden Gesichtspunkt kann die thermische Spannung, die auf den dielektrischen Film ausgeübt wird, in einem Abschnitt konzentriert werden, der in dem zweiten Bereich an dem Vertiefungsstrukturabschnitt vorgesehen ist. Das heißt, ein solcher Kondensator ist in der Lage, die thermische Spannung zu mindern, die in dem ersten Bereich auf den dielektrischen Film zwischen dem Substrat und der Elektrodenschicht ausgeübt wird, und in der Lage, das Auftreten von Leistungsverschlechterung aufgrund von Kriechstrom, der von einem Riss in dem dielektrischen Film verursacht wird, und Betriebsstörungen aufgrund von Kurzschlüssen zu unterbinden. Indem der Vertiefungsstrukturabschnitt in der Trennlinie des zusammengesetzten Substrats vorgesehen wird, ist es ferner nicht notwendig, einen Raum zum Vorsehen des Vertiefungsstrukturabschnitts in dem Kondensator vorzusehen, und der Kondensator kann miniaturisiert werden.
  • Das Verfahren kann fernen einen Schritt des Bildens des Grabenstrukturabschnitts 211 in der Vielzahl von ersten Bereichen 291 umfassen, und der dielektrische Film 230 kann an dem Grabenstrukturabschnitt 211 vorgesehen sein. Dementsprechend kann die Fläche des Kapazitätsbildungsbereichs, an dem der Grabenstrukturabschnitt eine Kapazität bildet, vergrößert werden, und der Kapazitätswert des Kondensators kann verbessert werden. Ferner kann, obgleich der Grabenstrukturabschnitt dazu neigt, in einem Bereich, der mit dem Vertiefungsabschnitt oder dem Vorsprungsabschnitt überlappt, einen Riss in dem dielektrischen Film zu verursachen, die Bildung des Vertiefungsstrukturabschnitts das Auftreten eines Risses in dem Abschnitt des dielektrischen Films zwischen dem Substrat und der Elektrodenschicht unterbinden.
  • Die Ecke des Vorsprungsabschnitts des Vertiefungsstrukturabschnitts 212 kann kleiner sein als die Ecke des Vorsprungsabschnitts des Grabenstrukturabschnitts. Dies kann dazu führen, dass die thermische Spannung des dielektrischen Films in dem Vorsprungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts konzentrierter ist als in dem Vorsprungsabschnitt des Grabenstrukturabschnitts. Das heißt, die thermische Spannung kann in dem Bereich gemindert werden, der mit der Elektrodenschicht überlappt.
  • Die Ecke des Vorsprungsabschnitts des Vertiefungsstrukturabschnitts 212 kann einen spitzen Winkel aufweisen. Dies kann dazu führen, dass der dielektrische Film die thermische Spannung wirksamer auf den Bereich konzentriert, der mit dem Vorsprungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts überlappt.
  • Die Tiefe des Vertiefungsabschnitts des Vertiefungsstrukturabschnitts 212 in Bezug auf die Hauptfläche 210A kann größer sein als die Tiefe des Vertiefungsabschnitts des Grabenstrukturabschnitts 211 in Bezug auf die Hauptfläche 210A. Gemäß dieser Struktur kann der Vertiefungsabschnitt des Vertiefungsstrukturabschnitts die thermische Spannung des Substrats mindern, wodurch der Verzug des Substrats reduziert wird.
  • Das zusammengesetzte Substrat 210 kann ein Siliziumsubstrat aufweisen und der dielektrische Film 230 kann ein Siliziumnitrid aufweisen. Selbst wenn das Siliziumnitrid, das einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist als das Siliziumsubstrat, dick gebildet ist, kann dementsprechend der dielektrische Film die thermische Spannung in dem Bereich mindern, in dem der dielektrische Film mit der Elektrodenschicht überlappt. Das heißt, das Auftreten eines Risses in dem Siliziumnitridfilm kann in dem Bereich, der mit der Elektrodenschicht überlappt, unterbunden werden.
  • Die Kristallorientierung der Hauptfläche 210A kann als <100> ausgedrückt werden, und der Schritt des Vorsehens des Vertiefungsstrukturabschnitts 212 kann Nassätzen umfassen. Dementsprechend kann der Vertiefungsstrukturabschnitt in einfacher Weise mittels anisotropen Ätzens wie beispielsweise Nassätzen an dem Substrat gebildet werden.
  • Das Verfahren kann ferner einen Schritt des Bildens des Risses CR in einem Abschnitt umfassen, der in dem dielektrischen Film 230 an dem Vertiefungsstrukturabschnitt 212 vorgesehen ist. Dementsprechend wird die thermische Spannung, die in der Richtung entlang der Fläche des zusammengesetzten Substrats auf den dielektrischen Film ausgeübt wird, von dem Riss gemindert. Mit anderen Worten kann der dielektrische Film aufgrund des Risses, der in dem Bereich entsteht, der mit dem Vertiefungsstrukturabschnitt überlappt, die thermische Spannung in dem Bereich mindern, der mit der Elektrodenschicht überlappt, was das Risiko des Auftretens von Rissen reduziert.
  • Wie vorstehend beschrieben, ist es gemäß einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung möglich, einen Kondensator vorzusehen, der in der Lage ist, die Zuverlässigkeit zu verbessern.
  • Es wird angemerkt, dass die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen das Verständnis der vorliegenden Erfindung erleichtern sollen, und nicht die Erfindung einschränken sollen. Die vorliegende Erfindung kann abgewandelt/verbessert werden, ohne von ihrem Schutzumfang abzuweichen, und die vorliegende Erfindung umfasst auch Äquivalente davon. Das heißt, Ausführungsformen, die von einem Fachmann in geeigneter Weise abgewandelt worden sind, fallen ebenfalls unter den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung, sofern sie die Merkmale der vorliegenden Erfindung aufweisen. Beispielsweise sind die jeweiligen Elemente jeder Ausführungsform und ihre Anordnung, Material, Zustand, Form, Größe und Ähnliches nicht auf die dargestellten beschränkt, und können in geeigneter Weise geändert werden. Die Elemente jeder Ausführungsform können soweit technisch möglich kombiniert werden, und Kombinationen davon fallen ebenfalls unter den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung, sofern sie die Merkmale der vorliegenden Erfindung aufweisen.
  • Bezugszeichenliste
    • 100:
    Kondensator
    101:
    erster Abschnitt
    102:
    zweiter Abschnitt
    110:
    Substrat
    110A:
    erste Hauptfläche
    110B:
    zweite Hauptfläche
    111:
    Grabenstrukturabschnitt
    112:
    Vertiefungsstrukturabschnitt
    111A, 112A:
    Vorsprungsabschnitt
    111B, 112B:
    Vertiefungsabschnitt
    θ11, θ12, θ21, θ22:
    Winkel
    120:
    erste Elektrodenschicht
    130:
    dielektrischer Film
    131:
    erste dielektrische Schicht
    132:
    zweite dielektrische Schicht
    140:
    zweite Elektrodenschicht
    141:
    erste leitfähige Schicht
    142:
    zweite leitfähige Schicht
    150:
    Isolierfolie
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2014 [0005]
    • JP 229680 [0005]

Claims (13)

  1. Kondensator, aufweisend: ein Substrat mit einer Hauptfläche; einen dielektrischen Film, der auf einer Hauptflächenseite des Substrats vorgesehen ist; und eine Elektrodenschicht, die an dem dielektrischen Film vorgesehen ist, wobei das Substrat einen Vertiefungsstrukturabschnitt aufweist, der mit mindestens einem Vertiefungsabschnitt ausgebildet ist, der in einem Bereich außerhalb eines Bereichs gebildet ist, der in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche des Substrats aus betrachtet mit der Elektrodenschicht überlappt, und der dielektrische Film an dem Vertiefungsstrukturabschnitt vorgesehen ist.
  2. Kondensator nach Anspruch 1, wobei das Substrat einen Grabenstrukturabschnitt aufweist, der in einem Bereich gebildet ist, der in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche des Substrats aus betrachtet mit der Elektrodenschicht überlappt, und der dielektrische Film an dem Grabenstrukturabschnitt vorgesehen ist.
  3. Kondensator nach Anspruch 2, wobei der Vertiefungsstrukturabschnitt derart gebildet ist, dass er einen Bereich umgibt, der in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche des Substrats aus betrachtet mit der Elektrodenschicht überlappt.
  4. Kondensator nach Anspruch 2 oder 3, wobei der Vertiefungsstrukturabschnitt eine Vielzahl von Vertiefungsabschnitten und einen Vorsprungsabschnitt aufweist, der zwischen Vertiefungsabschnitten positioniert ist.
  5. Kondensator nach Anspruch 4, wobei ein Winkel, der auf einer Substratseite von einer Ecke eines Vorsprungsabschnitts des Vertiefungsstrukturabschnitts gebildet wird, kleiner ist als ein Winkel, der auf der Substratseite von einer Ecke eines Vorsprungsabschnitts des Grabenstrukturabschnitts gebildet wird.
  6. Kondensator nach Anspruch 4 oder 5, wobei ein Winkel, der auf einer gegenüberliegenden Seite des Substrats von einer Ecke eines Vertiefungsabschnitts des Vertiefungsstrukturabschnitts gebildet wird, kleiner ist als ein Winkel, der auf einer gegenüberliegenden Seite des Substrats von einer Ecke eines Vertiefungsabschnitts des Grabenstrukturabschnitts gebildet wird.
  7. Kondensator nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei ein kleinster Winkel in dem Vertiefungsstrukturabschnitt des Winkels, der auf der Substratseite von der Ecke des Vorsprungsabschnitts gebildet wird, und des Winkels, der auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats von der Ecke des Vertiefungsabschnitts gebildet wird, kleiner ist als ein kleinster Winkel in dem Grabenstrukturabschnitt des Winkels, der auf der Substratseite von der Ecke des Vorsprungsabschnitts gebildet wird, und des Winkels, der auf der gegenüberliegenden Seite des Substrats von der Ecke des Vertiefungsabschnitts gebildet wird.
  8. Kondensator nach einem der Ansprüche 4 bis 7, wobei die Ecke des Vorsprungsabschnitts des Vertiefungsstrukturabschnitts einen spitzen Winkel aufweist.
  9. Kondensator nach einem der Ansprüche 2 bis 8, wobei eine Tiefe des mindestens einen Vertiefungsabschnitts des Vertiefungsstrukturabschnitts in Bezug auf die Hauptfläche größer ist als eine Tiefe eines Vertiefungsabschnitts des Grabenstrukturabschnitts in Bezug auf die Hauptfläche.
  10. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Substrat ein Siliziumsubstrat aufweist und der dielektrische Film ein Siliziumnitrid aufweist.
  11. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei eine Kristallorientierung der Hauptfläche als <100> ausgedrückt wird.
  12. Kondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei in einem Abschnitt, der an dem Vertiefungsstrukturabschnitt vorgesehen ist, ein Riss in dem dielektrischen Film gebildet ist.
  13. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators, wobei das Verfahren umfasst: einen Schritt des Vorbereitens eines zusammengesetzten Substrats, das eine Hauptfläche aufweist und das eine Vielzahl von ersten Bereichen und zwischen der Vielzahl von ersten Bereichen, in Draufsicht von einer Normalenrichtung der Hauptfläche aus betrachtet, einen zweiten Bereich aufweist; einen Schritt des Bildens eines Vertiefungsstrukturabschnitts in dem zweiten Bereich, der mit mindestens einem Vertiefungsabschnitt ausgebildet ist; einen Schritt des Vorsehens eines dielektrischen Films an dem zusammengesetzten Substrat in der Vielzahl von ersten Bereichen und dem Vertiefungsstrukturabschnitt; einen Schritt des Vorsehens einer Elektrodenschicht an dem dielektrischen Film in der Vielzahl von ersten Bereichen; und einen Schritt der Vereinzelung der Vielzahl von ersten Bereichen mittels Schneiden des zusammengesetzten Substrats in dem zweiten Bereich.
DE112018000599.2T 2017-05-16 2018-04-23 Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators Pending DE112018000599T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-097057 2017-05-16
JP2017097057 2017-05-16
PCT/JP2018/016465 WO2018211919A1 (ja) 2017-05-16 2018-04-23 キャパシタ及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112018000599T5 true DE112018000599T5 (de) 2019-11-21

Family

ID=64274280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112018000599.2T Pending DE112018000599T5 (de) 2017-05-16 2018-04-23 Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11145711B2 (de)
JP (1) JP6748381B2 (de)
CN (1) CN110574154B (de)
DE (1) DE112018000599T5 (de)
WO (1) WO2018211919A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7036210B2 (ja) 2018-06-15 2022-03-15 株式会社村田製作所 キャパシタおよびその製造方法
JP7251332B2 (ja) * 2019-06-07 2023-04-04 株式会社村田製作所 キャパシタ
WO2021053867A1 (ja) * 2019-09-17 2021-03-25 株式会社村田製作所 半導体装置
DE112020002181T5 (de) 2019-09-20 2022-03-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
JP2021114532A (ja) * 2020-01-17 2021-08-05 株式会社村田製作所 半導体装置
JP2022079335A (ja) * 2020-11-16 2022-05-26 株式会社村田製作所 受動部品
TWI799061B (zh) 2022-01-07 2023-04-11 力晶積成電子製造股份有限公司 電容器結構及其製造方法
EP4369368A1 (de) * 2022-11-14 2024-05-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elektrische vorrichtung mit kondensator für hochspannungsanwendungen und verfahren zur herstellung einer elektrischen vorrichtung
CN116779596A (zh) * 2023-07-07 2023-09-19 无锡市晶源微电子股份有限公司 基于沟槽型结构的电容器件及其制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61115332A (ja) * 1984-11-12 1986-06-02 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH03283637A (ja) * 1990-03-30 1991-12-13 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2956880B2 (ja) * 1994-08-31 1999-10-04 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100416174B1 (ko) * 1999-03-31 2004-01-24 세이코 엡슨 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
JP2005353657A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
DE102007009383A1 (de) * 2007-02-20 2008-08-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
JP2014229680A (ja) 2013-05-21 2014-12-08 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置及びその製造方法
DE102013222160A1 (de) * 2013-10-31 2015-04-30 Robert Bosch Gmbh Halbleiterbauelement sowie ein Verfahren zur Erzeugung eines Halbleiterbauelementes in einem eine kristallographische (100)-Orientierung aufweisenden Substrat
US9406682B2 (en) * 2014-09-12 2016-08-02 International Business Machines Corporation Method and structure for preventing epi merging in embedded dynamic random access memory
US20160247879A1 (en) * 2015-02-23 2016-08-25 Polar Semiconductor, Llc Trench semiconductor device layout configurations

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018211919A1 (ja) 2018-11-22
JPWO2018211919A1 (ja) 2019-12-12
US20190378893A1 (en) 2019-12-12
CN110574154A (zh) 2019-12-13
JP6748381B2 (ja) 2020-09-02
CN110574154B (zh) 2023-03-07
US11145711B2 (en) 2021-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112018000599T5 (de) Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines Kondensators
DE112004000586B4 (de) Fin Fet-Bauelement und Verfahren zur Herstellung von Strukturen in Fin Fet-Bauelementen
DE102008048651B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit zwei Kondensatoren
DE112018000336T5 (de) Kondensator
DE4119920C2 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE112018000289T5 (de) Kondensator
DE102009013781A1 (de) Halbleitervorrichtung aus Siliciumcarbid und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE112015002024B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE3856439T2 (de) Halbleiteranordnung mit einer zusammengesetzten isolierenden Zwischenschicht
DE102014115174A1 (de) Halbleitervorrichtung mit einer korrosionsbeständigen metallisierung und verfahren zu ihrer herstellung
DE102018107387B4 (de) Metall-isolator-metall-kondensatorstruktur mit hoher kapazität und verfahren zu deren herstellung
DE102009025413A1 (de) Vorrichtung, die eine Imidschicht mit Nichtkontaktöffnung umfasst, und Verfahren
DE68914361T2 (de) Mehrzahl von Dünnfilmfeldeffekttransistoren und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE112018002118T5 (de) Kondensator
DE102019100130A1 (de) Ein halbleiterbauelement und ein verfahren zum bilden eines halbleiterbauelements
DE102014215009B4 (de) Herstellungsverfahren für eine piezoelektrische Schichtanordnung und entsprechende piezoelektrische Schichtanordnung
DE102019204503B3 (de) Integrierter Kondensator und Verfahren zur Herstellung eines integrierten Kondensators
DE102018118701B3 (de) BAW-Resonator mit verbesserter Verbindung der oberen Elektrode
DE112017007356T5 (de) Hohle versiegelte Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
DE102010042383B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE112021000892T5 (de) Halbleiterbauteil, ein dieses aufweisendes halbleitergehäuse, und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils
DE102014116262B4 (de) Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102018213735B4 (de) Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Bauelements
DE102011100779A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Verbindung eines niederohmigen Dünnschichtwiderstandes
DE112020002238T5 (de) Halbleitervorrichtung