CN116825540A - 多层电容器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种多层电容器及其制造方法。所述多层电容器包括主体、外电极和绝缘层,所述主体包括堆叠结构,在所述堆叠结构中堆叠有多个介电层和多个内电极,并且相应的介电层介于所述多个内电极之间,所述外电极设置在所述主体的外表面上并连接到所述内电极,所述绝缘层覆盖所述主体的表面。所述外电极中的至少一个外电极包括连接到所述绝缘层的金属层,并且所述绝缘层包含所述金属层的金属组分的氧化物。

Description

多层电容器及其制造方法
本申请是申请日为2021年8月4日、申请号为202110890469.7的发明专利申请“多层电容器及其制造方法”的分案申请。
技术领域
本公开涉及一种多层电容器。
背景技术
电容器是可将电荷存储在其中的元件,并且通常适用以下原理:当对在两个电极彼此面对设置的状态下的电容器施加电压时,在两个电极中累积电荷。当对电容器施加直流(DC)电压时,电流在电容器中流动的同时在电容器中累积电荷,但是当电荷累积完成时,在电容器中没有电流流动。此外,当对电容器施加交流(AC)电压时,在电极的极性交替变换的同时AC电流在电容器中流动。
根据设置在电极之间的绝缘体的类型,这样的电容器可分为多种类型的电容器,诸如:铝电解电容器(其中,电极利用铝形成并且薄氧化物层设置在利用铝形成的电极之间)、钽电容器(其中,钽用作电极材料)、陶瓷电容器(其中,在电极之间使用具有高介电常数的介电材料,诸如钛酸钡)、多层陶瓷电容器(MLCC)(其中,在多层结构中使用具有高介电常数的陶瓷作为设置在电极之间的介电材料)、膜电容器(其中,聚苯乙烯膜用作设置在电极之间的介电材料)等。
在这些电容器之中,多层陶瓷电容器由于其具有优异的温度特性和频率特性并且可实现为具有小尺寸而近来已经主要用于各种领域(诸如高频电路)。近来,已经不断尝试实现更小尺寸的多层陶瓷电容器。为此,已经按照较小的厚度来形成介电层和内电极。
近来,在多层电容器领域中,已经进行了许多尝试以通过减少由水分、镀覆溶液等的渗透引起的缺陷来改善多层电容器的防潮可靠性。作为一种这样的尝试,提供了一种以大的厚度形成电容器主体的覆盖层或外电极的方法。然而,在这种情况下,存在多层电容器的尺寸增大并且在相同尺寸下多层电容器的电容减小的问题。
发明内容
本公开的一方面可提供一种防潮可靠性得到改善的多层电容器。
根据本公开的一方面,一种多层电容器可包括:主体,包括堆叠结构,在所述堆叠结构中堆叠有多个介电层和多个内电极,相应的介电层介于所述多个内电极之间;外电极,设置在所述主体的外表面上并且连接到所述内电极;以及绝缘层,覆盖所述主体的表面。所述外电极中的至少一个外电极可包括连接到所述绝缘层的金属层,并且所述绝缘层包含所述金属层的金属组分的氧化物。
所述金属层可覆盖所述主体的表面,并且所述金属层的侧表面连接到所述绝缘层的侧表面。
所述外电极中的所述至少一个外电极还可包括覆盖所述金属层的电极层。
所述金属层的金属组分和所述电极层的金属组分可形成金属间化合物层。
所述电极层可包括烧结的电极。
所述电极层可包括导电树脂电极。
所述金属层和所述绝缘层可具有相同的厚度。
所述绝缘层的厚度可以为5nm至1μm。
所述外电极中的所述至少一个外电极还可包括设置在所述金属层和所述主体之间的电极层。
所述电极层可比所述绝缘层厚。
所述金属层的一部分可设置在所述电极层的侧表面和所述绝缘层之间。
所述金属层可覆盖所述电极层的表面并且可沿着所述电极层的表面弯曲并连接到所述绝缘层。
所述外电极中的所述至少一个外电极还可包括覆盖所述金属层的附加电极层。
所述附加电极层可包括烧结的电极。
所述附加电极层可以是导电树脂电极。
所述电极层可包括烧结的电极。
所述金属层可包括从由Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf和Ta组成的组中选择的材料。
所述绝缘层还可设置在所述主体的表面中的槽中。
根据本公开的一方面,一种多层电容器可包括:主体,包括交替堆叠的介电层和内电极;外电极,设置在所述主体的外表面上并且连接到所述内电极中的一个或更多个;以及绝缘层,覆盖所述主体的表面。所述外电极可包括导电层,并且所述绝缘层可包含所述导电层中所包含的金属组分的氧化物。
所述外电极还可包括覆盖所述导电层的电极层,并且所述绝缘层可从所述电极层暴露。
所述主体可与所述导电层和所述绝缘层接触。
所述导电层的金属组分和所述电极层的金属组分可形成金属间化合物层。
所述电极层可包括烧结的电极和导电树脂电极中的至少一种。
所述外电极还可包括设置在所述导电层和所述主体之间的电极层。
所述外电极还可包括覆盖所述导电层的附加电极层。
所述附加电极层可包括烧结的电极和导电树脂电极中的至少一种。
所述导电层可包括从由Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf和Ta组成的组中选择的材料。
根据本公开的一方面,一种制造多层电容器的方法可包括:形成包括交替堆叠的介电层和内电极的主体;形成覆盖所述主体的表面的金属层;在所述金属层的一部分上形成电极层以覆盖所述内电极的一个或更多个端部;以及通过氧化所述金属层的从所述电极层暴露的另一部分来形成绝缘层。所述多层电容器可包括所述绝缘层。
所述金属层可通过原子层沉积(ALD)工艺形成。
所述金属层的从所述电极层暴露的所述另一部分可直接形成在所述主体上。
所述金属层的由所述电极层覆盖的部分可直接形成在所述主体上。
所述方法还可包括:在形成所述金属层之前形成另一电极层,所述另一电极层连接到所述内电极的所述一个或更多个端部。所述金属层的由所述电极层覆盖的部分可设置在所述另一电极层和所述电极层之间。
所述金属层可包括从由Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf和Ta组成的组选择的材料。
附图说明
通过结合附图以及以下具体实施例方式,本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的外观的示意性立体图;
图2是沿图1的多层电容器的线I-I'截取的截面图;
图3是沿图1的多层电容器的线II-II'截取的截面图;
图4至图7是示出制造图1的多层电容器的方法的示例的示图;
图8是示出根据变型示例的多层电容器的截面图;以及
图9和图10是示出制造图8的多层电容器的方法的示例的示图。
具体实施方式
现将在下文中参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
图1是示出根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的外观的示意性立体图。图2是沿着图1的多层电容器的线I-I'截取的截面图。另外,图3是沿着图1的多层电容器的线II-II'截取的截面图。
参照图1至图3,根据本公开中的示例性实施例的多层电容器100可包括主体110、外电极131和132以及覆盖主体110的表面的绝缘层112,主体110包括介电层111和多个内电极121和122,内电极121和122按照相应的介电层111介于其间的方式堆叠。可使用绝缘层112来保护主体110的内部(特别是内电极121和122)免受镀覆溶液、水分等的影响。另外,绝缘层112可包含金属层31(其为外电极131和132中所包括的组件)的金属组分的氧化物。
主体110可包括多个介电层111,并且可例如通过堆叠多个陶瓷生片然后进行烧结来获得。通过这种烧结工艺,多个介电层111可具有它们彼此一体化的形式。另外,如图1中所示,主体110可具有与直平行六面体的形状相似的形状。包括在主体110中的介电层111可包括具有高介电常数的陶瓷材料,例如,BT基陶瓷材料(即,钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料),但是可包括现有技术中已知的其他材料,只要可获得足够的电容即可。如果需要,除了包括作为主要组分的陶瓷材料之外,介电层111还可包括添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等。这里,在制造工艺中可以以金属氧化物形式添加添加剂。这样的金属氧化物添加剂的示例可包括MnO2、Dy2O3、BaO、MgO、Al2O3和Cr2O3中的至少一种。此外,添加剂还可包括SiO2、CaCO3等。
多个内电极121和122中的每个可通过在陶瓷生片的一个表面上以预定厚度印刷包括导电金属的膏然后对该膏进行烧结来获得。在这种情况下,多个内电极121和122可包括分别暴露于主体110的在Z方向上彼此相对的表面的第一内电极121和第二内电极122。在这种情况下,第一内电极121和第二内电极122可分别连接到不同的外电极131和132,以在多层电容器被驱动时具有不同的极性,并且可通过设置在第一内电极121和第二内电极122之间的相应的介电层111彼此电隔离。然而,根据另一示例性实施例,可改变外电极131和132的数量以及外电极131和132与内电极121和122之间的连接方式。构成内电极121和122的主要材料的示例可包括镍(Ni)、钯(Pd)、银(Ag)、铜(Cu)等或它们的合金。
外电极131和132可包括形成在主体110的外表面上并连接到第一内电极121的第一外电极131和连接到第二内电极122的第二外电极132。外电极131和132可包括金属层31。如图2中所示,金属层31可连接到绝缘层112。更具体地,金属层31可以是导电层并覆盖主体110的表面,并且金属层31可具有连接到绝缘层112的侧表面。金属层31可包含诸如Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf或Ta的金属组分(或者可包含从由Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf和Ta组成的组中选择的材料),并且在绝缘层112中可包含上述金属组分的氧化物。金属层31和绝缘层112之间的连接形式(在绝缘层112中包含金属层31的金属组分的金属氧化物的形式)可通过如下所述的方式获得:在主体110的整个表面上形成金属层31,然后使金属层31的部分区域氧化以形成具有薄且致密形式的绝缘层112。从这样的观点来看,除了考虑导电性之外,还可考虑氧化的容易性、在形成氧化膜时实现薄膜的可能性、致密性、稳定性等来确定金属层31的金属组分,并且Ti可以是阀金属(valve metal)的代表性示例。当金属层31包含Ti时,绝缘层112可包含TiO2
金属层31和绝缘层112可实现为相对薄且紧凑。由于如本示例性实施例中的绝缘层112(具有金属层31的金属组分被氧化的形式)即使在非常小的厚度下也具有紧凑的形式,因此多层电容器的防潮性能可以是优异的,并且可显著抑制在形成用于改善防潮可靠性的保护结构时多层电容器的尺寸的增加。例如,绝缘层112的厚度t1可以为5nm至1μm,更优选为5nm至100nm。在这种情况下,绝缘层112的厚度t1可以是平均厚度,并且可通过对以规律间隔选择的多个点(例如,10个点)处测量的值求平均值来获得。当难以获得平均厚度时,可将在绝缘层112的中心处测量的绝缘层112的厚度或绝缘层112的最大厚度确定为绝缘层112的厚度t1。可在主体110的截面(例如,对应于图2或图3中所示的示图的截面)处执行测量。在一个示例中,截面可以是在X-Z平面中在主体110的在Y方向上的中心处的截面,在另一示例中,截面可以是在X-Y平面中在主体110的在Z方向上的中心处的截面。截面的位置不限于这些示例,如果需要,本领域普通技术人员可选择其他位置处的截面。在一个示例中,在测量中可使用光学显微镜或扫描电子显微镜(SEM)。即使在本公开中没有描述,也可使用本领域普通技术人员理解的其他方法和/或工具。
当以上述方式实现金属层31和绝缘层112时,金属层31和绝缘层112可具有相同的厚度。这里,金属层31的厚度可指在第一方向(X方向)上测量的金属层31的厚度t2或在第三方向(Z方向)上测量的金属层31的厚度t3中的任何一个或两个。金属层31的厚度t2或t3可以是平均厚度,并且可按照与绝缘层112的方式相同的方式测量。
在本示例性实施例中,金属层31可形成为相对薄,因此,绝缘层112也可形成为薄的。为了薄且紧凑地形成金属层31,可使用原子层沉积(ALD)。当通过ALD工艺等形成金属层31时,金属层31和绝缘层112可沿着存在于主体110的表面中的槽形成,这将在图5的工艺图中更详细地描述。
外电极131和132除了包括金属层31之外还可包括覆盖金属层31的电极层32。电极层32可以是烧结的电极。具体地,电极层32可通过以下方法形成:制备包含导电金属的材料作为膏,然后将膏涂覆到金属层31上并进行烧结。导电金属的示例可包括Ni、Cu、Pd、Au或它们的合金。在这种情况下,金属层31的金属组分和电极层32的金属组分可形成金属间化合物层(参见图6的工艺图中的I),例如,Cu-Ti化合物层。在现有技术中,烧结的电极通常用作基体电极,但在本示例性实施例中,可首先通过ALD工艺等形成具有薄膜形式的金属层31,然后可形成用于覆盖金属层31的电极层32。如下所述,电极层32可执行保护功能,使得当绝缘层112被选择性氧化时金属层31不被氧化。当通过这种选择性氧化形成绝缘层112时,可获得如图2中所示的结构,在该结构中,金属层31和绝缘层112之间的界面被连接到电极层32的一个侧表面。
在上述示例性实施例中已经描述了电极层32是通过烧制诸如Cu等而获得的烧结的电极的情况,但是电极层32也可以是导电树脂电极。当电极层32以导电树脂电极的形式实现时,在将多层电容器100安装在电路板等上的情况下,可改善多层电容器100的安装稳定性。另外,电极层32可包括烧结的电极和导电树脂电极二者。此外,外电极131和132可包括设置在电极层32上的镀层33作为附加组件。例如,镀层33可以以包括Ni、Sn等的多层结构来实现。
在下文中将主要描述制造具有上述形式的多层电容器的工艺(特别是形成外电极的工艺),并且通过以下对工艺的描述将更清楚地理解结构特征。基于沿图2的多层电容器的线I-I'截取的截面图示出图4至图7的工艺图。
如图4中所示,可在主体110上形成金属层140。这里,可通过堆叠介电层111以及内电极121和122获得呈陶瓷层叠体的形式的主体110。介电层111的前体由于其未被烧结而可处于陶瓷生片的状态,并且可通过以下方式制造陶瓷生片:将陶瓷粉末、粘合剂、溶剂等彼此混合以制备浆料,并且通过刮刀法将浆料制造成具有几微米厚度的片状。然后,可烧结陶瓷生片以形成介电层111。可将用于内电极的导电膏涂覆到陶瓷生片上,以在陶瓷生片上形成具有图案形式的内电极121和122。在这种情况下,可通过丝网印刷法或凹版印刷法形成内电极121和122。用于内电极的导电膏可包含导电金属和添加剂。添加剂可以是非金属和金属氧化物中的一种或更多种。导电金属可包括镍。添加剂可包括钛酸钡或钛酸锶。
可利用阀金属形成金属层140,阀金属是能够发生良好氧化并且当发生氧化时能够变成致密氧化膜的金属组分,并且可包括例如Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf、Ta等。金属层140可通过ALD工艺形成,并且可覆盖主体110的整个表面。在这种情况下,金属层140可形成为薄的且紧凑的,并且如图5中所示,可跟随形成在主体110的表面中的槽的表面而沿着该槽形成。在随后的工艺中,当金属层140的一部分被氧化而变成绝缘层112时,也可获得绝缘层112跟随槽的表面的形式的绝缘层112,并且这将同样适用于金属层140的剩余区域(即,金属层31)。主体110的槽可以是镀覆溶液、水分等的渗透路径,但是绝缘层112可如本示例性实施例中那样以共形形式涂覆槽,从而有效地降低来自这样的镀覆溶液或水分的影响。
然后,如图6中所示,可形成电极层32以覆盖金属层140的一部分并且使金属层140的一部分暴露。这里,如图6中所示,电极层32可形成为覆盖内电极121和122中的一个或更多个端部。为此,可在金属层140的一部分上涂覆导电膏。可在金属层140和电极层32之间的界面上利用金属层140的金属组分(例如,Ti)和电极层32的金属组分(例如,Cu)形成金属间化合物层I。可在涂覆电极层32之后立即形成金属间化合物层I,或者可在随后的烧制或硬化工艺中形成金属间化合物层I。图6示出了金属间化合物层I形成在金属层140内部,但是金属间化合物层I也可形成在电极层32中。虽然在后续附图中未示出金属间化合物层I,但金属间化合物层I也可存在于多层电容器100的最终结构中。
在随后的工艺中,金属层140的部分区域(即,金属层140的未被电极层32覆盖而被暴露的区域)可被氧化而变成绝缘层112,并且图7示出了金属层140被分成绝缘层112和金属层31(金属层140的未被氧化而剩余的部分)的形式。因此,金属层31与绝缘层112之间的界面也可连接到电极层32的一个侧表面。可通过自然氧化金属层140或通过金属层140的适当氧化工艺来形成绝缘层112。可选地,可在金属层140上单独执行阳极化工艺,以氧化金属层140的部分区域。在这种情况下,无需氧化金属层140的被电极层32覆盖的整个区域。此外,无论选择哪种氧化方式,均无需氧化金属层140的被电极层32覆盖的整个区域,并且在绝缘层112的一部分中可能存留未氧化的金属组分。这样的金属组分可以以岛形式存在于绝缘层112中。另外,电极层32可具有氧化区域,即,氧化区域可存在于电极层32的一部分中。
将参照图8描述根据变型示例的多层电容器,并且将仅描述与根据上述示例性实施例的多层电容器的外电极不同的外电极。在本变型示例中,外电极131'和132'还可包括设置在金属层31和主体110之间的电极层34。这里,电极层34可以是外电极131'和132'的基层,并且可通过涂覆包括Ni、Cu、Pd、Au等的导电膏然后进行烧制而形成。另外,电极层34可比绝缘层112厚。
与上述示例性实施例不同,金属层31可在其形成在电极层34上的状态下连接到绝缘层112,并且可通过下面参照图9和10所描述的工艺来获得这样的结构。在这种情况下,如图8中所示,金属层31的一部分可设置在电极层34的侧表面和绝缘层112之间。另外,金属层31可覆盖电极层34的表面,并且可沿着电极层34的表面弯曲并连接到绝缘层112。外电极131'和132'还可包括覆盖金属层31的附加电极层35。这里,附加电极层35可以是烧结的电极或导电树脂电极。另外,附加电极层35可包括烧结的电极和导电树脂电极二者。另外,由于与上述原因相同的原因,可在金属层31和电极层34之间的界面以及金属层31和附加电极层35之间的界面上形成金属间化合物层。
将参照图9和图10描述制造具有图8的结构的多层电容器的工艺。参照图9,可首先形成覆盖主体110的电极层34,然后可形成金属层150以整体上覆盖主体110和电极层34。可以以薄膜形状形成金属层150,并且可在跟随电极层34的表面和主体110的表面的同时形成金属层150。为此,如在上述示例性实施例中,可通过ALD工艺形成金属层150。在这种情况下,可在金属层150的连接到电极层34的区域中利用金属层150的金属组分和电极层34的金属组分形成金属间化合物层。
图10示出了金属层150被部分氧化以分成金属层31和绝缘层112的形式。可在不存在电极层35的状态下进行该工艺。原因在于,如上所述,在金属层150的连接到电极层34的区域中利用金属层150的金属组分和电极层34的金属组分形成金属间化合物层(例如,Cu-Ti化合物层),使得在金属层150的连接到电极层34的区域中基本上不发生氧化。可选地,金属层150的不与电极层34接触的区域可通过自然氧化或随后的氧化工艺变成绝缘层112。然而,与图9中所示的形式不同,也可在在金属层150上形成电极层35之后进行该氧化工艺。
如上所述,根据本公开中的示例性实施例,可改善多层电容器的防潮可靠性。另外,可显著抑制在使用绝缘层以提高防潮可靠性的情况下多层电容器的尺寸的增加。
虽然上面已经示出和描述了示例性实施例,但是对于本领域技术人员将易于理解的是,在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下,可进行修改和变型。

Claims (44)

1.一种多层电容器,包括:
主体,包括介电层和堆叠的多个内电极,并且所述介电层介于所述多个内电极之间;
多个外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极;以及
绝缘层,覆盖所述主体的表面,
其中,所述多个外电极中的至少一个外电极包括从由Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf和Ta组成的组中选择的金属,并且
所述绝缘层包括所述多个外电极中的所述至少一个外电极的所述金属的氧化物。
2.根据权利要求1所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极包括Al,并且所述绝缘层包括Al的氧化物。
3.根据权利要求1所述的多层电容器,其中,所述绝缘层的厚度为5nm至1μm。
4.根据权利要求1所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极覆盖所述主体的所述表面,并且具有连接到所述绝缘层的侧表面的侧表面。
5.根据权利要求1所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极包括烧结电极。
6.根据权利要求2所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极包括烧结电极。
7.根据权利要求6所述的多层电容器,其中,所述绝缘层的厚度为5nm至1μm。
8.根据权利要求5所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括镀层,所述镀层包括Ni和Sn中的至少一种。
9.根据权利要求6所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括镀层,所述镀层包括Ni和Sn中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括导电树脂电极。
11.一种多层电容器,包括:
主体,包括介电层和堆叠的多个内电极,并且所述介电层介于所述多个内电极之间;
多个外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极;以及
绝缘层,覆盖所述主体的表面,
其中,所述多个外电极中的至少一个外电极包括导电层,所述导电层包括从由Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf和Ta组成的组中选择的金属,并且
所述绝缘层包括所述导电层的所述金属的氧化物。
12.根据权利要求11所述的多层电容器,其中,所述导电层覆盖所述主体的所述表面,并且具有连接到所述绝缘层的侧表面的侧表面。
13.根据权利要求12所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括覆盖所述导电层的电极层。
14.根据权利要求13所述的多层电容器,其中,所述导电层的所述金属和所述电极层的金属形成金属间化合物层。
15.根据权利要求13所述的多层电容器,其中,所述电极层包括烧结电极。
16.根据权利要求13所述的多层电容器,其中,所述电极层包括导电树脂电极。
17.根据权利要求11所述的多层电容器,其中,所述导电层和所述绝缘层具有相同的厚度。
18.根据权利要求11所述的多层电容器,其中,所述绝缘层的厚度为5nm至1μm。
19.根据权利要求11所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括设置在所述导电层和所述主体之间的电极层。
20.根据权利要求19所述的多层电容器,其中,所述电极层比所述绝缘层厚。
21.根据权利要求19所述的多层电容器,其中,所述导电层的一部分设置在所述电极层的侧表面和所述绝缘层之间。
22.根据权利要求19所述的多层电容器,其中,所述导电层覆盖所述电极层的表面并且沿着所述电极层的所述表面弯曲以连接到所述绝缘层。
23.根据权利要求19所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括覆盖所述导电层的附加电极层。
24.根据权利要求23所述的多层电容器,其中,所述附加电极层包括烧结电极。
25.根据权利要求23所述的多层电容器,其中,所述附加电极层包括导电树脂电极。
26.根据权利要求11所述的多层电容器,其中,所述导电层包括Al,并且所述绝缘层包括Al的氧化物。
27.一种多层电容器,包括:
主体,包括介电层和堆叠的多个内电极,并且所述介电层介于所述多个内电极之间;
多个外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极;以及
绝缘层,覆盖所述主体的表面,
其中,所述多个外电极中的至少一个外电极包括导电层,所述导电层包括金属和所述金属的氧化物,并且
所述绝缘层包括所述导电层的所述金属的氧化物。
28.根据权利要求27所述的多层电容器,其中,所述导电层覆盖所述主体的所述表面,并且具有连接到所述绝缘层的侧表面的侧表面。
29.根据权利要求28所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括覆盖所述导电层的电极层。
30.根据权利要求29所述的多层电容器,其中,所述导电层的所述金属和所述电极层的金属形成金属间化合物层。
31.根据权利要求29所述的多层电容器,其中,所述电极层包括烧结电极。
32.根据权利要求29所述的多层电容器,其中,所述电极层包括导电树脂电极。
33.根据权利要求27所述的多层电容器,其中,所述导电层和所述绝缘层具有相同的厚度。
34.根据权利要求27所述的多层电容器,其中,所述绝缘层的厚度为5nm至1μm。
35.根据权利要求27所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括设置在所述导电层和所述主体之间的电极层。
36.根据权利要求35所述的多层电容器,其中,所述电极层比所述绝缘层厚。
37.根据权利要求35所述的多层电容器,其中,所述导电层的一部分设置在所述电极层的侧表面和所述绝缘层之间。
38.根据权利要求35所述的多层电容器,其中,所述导电层覆盖所述电极层的表面并且沿着所述电极层的所述表面弯曲以连接到所述绝缘层。
39.根据权利要求35所述的多层电容器,其中,所述多个外电极中的所述至少一个外电极还包括覆盖所述导电层的附加电极层。
40.根据权利要求39所述的多层电容器,其中,所述附加电极层包括烧结电极。
41.根据权利要求39所述的多层电容器,其中,所述附加电极层包括导电树脂电极。
42.根据权利要求27所述的多层电容器,其中,所述导电层的所述金属包括从由Ti、Al、V、Y、Zr、Nb、Hf和Ta组成的组中选择的金属。
43.根据权利要求27所述的多层电容器,其中,所述导电层包括Al,并且所述导电层的所述金属的所述氧化物包括Al的氧化物。
44.根据权利要求43所述的多层电容器,其中,所述绝缘层包括Al的氧化物。
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