CN114446647A - 多层电容器 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多层结构，在所述多层结构中，设置有多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外表面上并且连接到所述多个内电极。所述主体包括高电阻部，所述高电阻部设置在所述介电层与所述内电极之间的区域和所述介电层的内部的区域中的至少一个区域中，并且所述高电阻部的电阻高于所述内电极的电阻，并且所述高电阻部和所述多个内电极包括相同的金属成分和相同的金属氧化物成分。

Description

多层电容器
本申请要求于2020年10月30日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0142696号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电容器。
背景技术
电容器是能够存储电力的装置，在电容器中，当向其施加电压时，电力通常累积在两个面对的电极中的每个中。当施加直流(DC)电压时，电流在电容器中流动，同时电力在电容器中累积，并且当累积完成时，没有电流流动。此外，当施加交流(AC)电压时，AC电流流动，同时电极的极性交替。
电容器可分为以下各种类型：诸如其中电极利用铝形成并且在铝电极之间设置薄氧化物膜的铝电解电容器、使用钽作为电极材料的钽电容器、在电极之间使用诸如钛、钡等的高k介电材料的陶瓷电容器、使用高k陶瓷的多层结构作为设置在电极之间的介电材料的多层陶瓷电容器(MLCC)、使用聚苯乙烯膜作为电极之间的介电材料的膜电容器等。
在电容器中，MLCC有利地具有优异的温度特性和频率特性，可以以小尺寸实现，因此已经广泛应用于诸如高频电路的各种领域。近年来，实现更小的多层陶瓷电容器的尝试一直在继续，并且为此目的，介电层和内电极被形成为薄的。随着介电层变薄，在相同驱动电压下施加到介电层的电场增加，因此，当施加DC电场时，需要充分确保作为MLCC的有效容量的DC偏置容量。此外，根据使用MLCC的电子装置的集成化和小型化的趋势，有必要设计MLCC以使由于加热引起的高温有效容量降低现象最小化。
发明内容
本公开的一方面可提供一种可通过在内电极和介电层之间和/或介电层内部的区域中采用高电阻部来改善DC偏置容量的多层电容器。
根据本公开的一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括多层结构，在所述多层结构中，设置有多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述多个介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，形成在所述主体的外表面上并且连接到所述多个内电极。所述主体可包括高电阻部，所述高电阻部设置在所述多个介电层与所述内电极之间的区域和所述多个介电层的内部的区域中的至少一个区域中，并且所述高电阻部的电阻高于所述内电极的电阻，并且所述高电阻部和所述多个内电极可包括相同的金属成分和相同的金属氧化物成分。
所述高电阻部的所述金属成分的电阻可高于所述内电极的主成分的电阻。
所述金属成分可包括从由Ag、Cu、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge和Te组成的组中选择的至少一种。
所述高电阻部的所述金属氧化物成分可具有电阻随着温度升高而增大的电阻率正温度系数(PTCR)特性。
所述高电阻部的所述金属氧化物成分的PTCR特性可出现直到钛酸钡的相变温度Tc为止。
在示例性实施例中，所述高电阻部的所述金属氧化物成分可包括从由Ba、Ti、Sb、Bi、La、Ce、Dy、Ho、Cu、Cr、Mg、Mn和V组成的组中选择的至少一种的氧化物。
所述高电阻部可包括第一区域和第二区域，所述第一区域以层结构形成在所述多个介电层和所述内电极之间，所述第二区域在所述多个介电层的内部，所述第一区域可包括与所述内电极中包含的金属成分相同的金属成分，并且所述第二区域可包括与所述内电极中包含的金属氧化物成分相同的金属氧化物成分。
在50℃至125℃的温度范围内，所述第一区域的比电阻可以是所述多个介电层的比电阻的10倍或更大。
所述第一区域的厚度可以为所述多个介电层中的每个的厚度的1/10至1/1000。
所述第一区域可占据所述多个介电层和所述内电极之间的界面的70％或更大的面积。
所述第二区域可设置在所述多个介电层的与所述内电极相邻的区域中。
所述第二区域的厚度可以为所述多个介电层中的每个的厚度的1/10至1/1000。
所述第二区域可设置在整个介电层中。
所述高电阻部可包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域以层结构形成在所述多个介电层和所述内电极之间，所述第一区域可包括与所述内电极中包含的金属成分相同的金属成分，并且所述第二区域可包括与所述内电极中包含的金属氧化物成分相同的金属氧化物成分。
所述第一区域和所述第二区域可设置在相同的层级处。
所述第一区域和所述第二区域可在所述多个介电层的厚度方向上堆叠。
所述第二区域也可设置在所述多个介电层的内部。
根据本公开的一方面，一种多层电容器可包括：主体，包括内电极和介电层；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述主体包括设置在所述介电层的内部和/或所述介电层与所述内电极之间、并且包括与所述内电极相同的金属成分和相同的金属氧化物成分的部分。
附图说明
根据以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的外观的立体图；
图2是图1的多层电容器沿线I-I'截取的截面图；
图3是图1的多层电容器沿线II-II'截取的截面图；
图4是图2中区域A的放大图；以及
图5至图10示出了第一区域和第二区域的变型示例。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
图1是示意性地示出根据本公开中的示例性实施例的多层电容器的外观的立体图。图2是图1的多层电容器沿线I-I'截取的截面图。图3是图1的多层电容器沿线II-II'截取的截面图，图4是图2中的区域A的放大图。图5至图10示出了第一区域和第二区域的变型示例。
参照图1至图4，根据本公开中的示例性实施例的多层电容器100包括主体110以及外电极131和132，主体110包括堆叠的介电层111以及多个内电极121和122，且介电层111介于内电极121和122之间。主体110包括高电阻部123和124，高电阻部123和124设置在介电层111与内电极121和122之间的区域以及介电层111的内部的区域中的至少一个区域中，并且高电阻部123和124的电阻高于内电极121和122的电阻。在本示例性实施例中，高电阻部123和124包括第一区域123和第二区域124两者，第一区域123以层结构形成在介电层111与内电极121和122之间，第二区域124形成在介电层111的内部。此外，高电阻部123和124以及内电极121和122包括相同的金属成分和相同的金属氧化物成分。第一区域123可包括与内电极121和122中包含的金属成分相同的金属成分，并且第二区域124可包括与内电极121和122中包含的金属氧化物成分相同的金属氧化物成分。
主体110包括其中多个介电层111在第一方向(X方向)上堆叠的多层结构，并且可例如通过堆叠多个生片之后烧结多个生片来获得。通过烧结工艺，多个介电层111可具有一体形式并且可包括多个晶粒G。此外，如图1所示，主体110可具有类似于长方体的形状。包括在主体110中的介电层111可包括具有高介电常数的陶瓷材料，例如BT基，即钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷，但是也可使用本领域已知的其他材料，只要获得足够的电容即可。如果需要，除了作为主成分的这种陶瓷材料之外，介电层111还可包括添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂和分散剂。这里，添加剂可在制造过程中以金属氧化物的形式添加。这种金属氧化物添加剂的示例可包括MnO2、Dy2O3、BaO、MgO、Al2O3、SiO2、Cr2O3和CaCO3中的至少一种。
多个内电极121和122可通过在陶瓷生片的一个表面上印刷预定厚度的包含导电金属的膏之后烧结该膏来获得。在这种情况下，多个内电极121和122可包括从主体110的彼此面对的表面暴露的第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可连接到不同的外电极131和132以在被驱动时具有相反的极性，并且可通过设置在第一内电极121和第二内电极122之间的介电层111彼此电分离。然而，外电极131和132的数量或用于将外电极131和132与内电极121和122连接的方法可根据示例性实施例而变化。内电极121和122的主成分材料可包括镍(Ni)、钯(Pd)等，并且也可使用它们的合金。
另外，在本示例性实施例的情况下，内电极121和122可包括金属成分M，金属成分M的导电率低于诸如Ni的主成分的导电率，并且这种金属成分M的示例可以是Ag、Cu、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge和Te。此外，除了金属成分M之外，内电极121和122还包括金属氧化物成分O。在烧制过程中，具有低导电率的金属成分M和另外添加到内电极121和122中的金属氧化物成分O可扩散到内电极121和122与介电层111之间的界面和/或介电层111内部，以形成高电阻部123和124，这将在后面描述。
外电极131和132可形成在主体110的外表面上，并且可包括分别连接到第一内电极121和第二内电极122的第一外电极131和第二外电极132。外电极131和132可通过制备包含导电金属的材料作为膏之后将该膏涂覆到主体110的方法来形成。导电金属的示例包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、金(Au)或它们的合金。在此，外电极131和132还可包括包含Ni、Sn等的镀层。
在本示例性实施例的情况下，主体110包括高电阻部123和124，并且高电阻部123和124包括第一区域123和第二区域124。第一区域123可以以包括与内电极121和122中所包括的金属成分相同的金属成分的层状形式实现。作为用于实现第一区域123的示例，添加到内电极121和122的高电阻金属成分可在烧制过程期间在内电极121和122与介电层111之间的边界处扩散和偏析。由于如此形成的第一区域123与内电极121和122的主成分(例如，Ni)相比具有高电阻，因此当施加DC电压时，发生的电压降比不存在第一区域123时的电压降大。由于该作用，可削弱介电层111中的电场，并且可相应地改善多层电容器100的DC偏置容量特性和可靠性。根据示例性实施例，与内电极121和122相同的金属成分可不仅仅存在于第一区域123中，并且一些金属成分可扩散到介电层111中并存在于第二区域124中。
如上所述，与内电极121和122的主成分相比，高电阻部的第一区域123可具有相对高的电阻，从而获得降低介电层111中的电场的效果。考虑到该作用，第一区域123具有一定水平的厚度。如果第一区域123太厚，则电特性可能劣化。因此，在本示例性实施例中，第一区域123的厚度被设定为介电层111的厚度的1/10至1/1000的水平。在这种情况下，在50℃至125℃的温度范围内，第一区域123的比电阻可以是介电层111的比电阻的10倍或更大。
存在于第一区域123中的金属成分M可单独存在，或者可与内电极121和122的主成分(例如，Ni)形成金属间化合物。此外，如在图5的变型示例中，第一区域123可仅形成在介电层111与内电极121和122之间的界面的一部分中，而不是介电层111与内电极121和122之间的界面的整个区域中。也就是说，在介电层111与内电极121和122之间的界面处可存在空的空间V，并且至少一些空的空间V可填充有形成介电层111或内电极121和122的材料。即使当第一区域123形成在介电层111与内电极121和122之间的界面的一部分中时，第一区域123也可形成为占据介电层111与内电极121和122之间的界面的至少70％的面积，以便用作上述高电阻部。
在一个示例中，可通过测量主体110的截面切割表面来获得面积百分比。切割表面可包括沿第一方向(X方向)-第三方向(Z方向)平面切割主体110而得到的切割表面，或者沿第一方向(X方向)-第二方向(Y方向)平面切割主体110而得到的切割表面。在切割表面包括沿第一方向(X方向)-第三方向(Z方向)平面切割主体110而得到的表面的情况下，切割表面可切割主体110的在第二方向(Y方向)上的中央部分，并且在切割表面包括沿第一方向(X方向)-第二方向(Y方向)平面切割主体110而得到的表面的情况下，切割表面可切割主体110的在第三方向(Z方向)上的中央部分。切割表面的位置不限于这些示例，并且如果需要，本领域普通技术人员可在主体110中的其他位置处选择切割表面。要素的面积百分比可指在切割表面中要素在一个测量区域中的长度与测量区域的总长度的比率。测量的测量区域可由本领域普通技术人员设定，并且在一个示例中，测量区域可位于切割表面的中央部分中。如果需要，可在由本领域普通技术人员设定的各个区域处执行多次测量，使得可通过对多次测量值求平均值来获得面积百分比。在一个示例中，可在测量中使用扫描电子显微镜(SEM)，但本公开不限于此。即使在本公开中没有描述，也可使用本领域普通技术人员了解的其他方法和/或其他工具。
类似于面积百分比，可在截面切割表面中测量主体110的要素的厚度。在一个示例中，主体110的要素的厚度可表示在第一方向(X)上的尺寸，并且可以是在测量区域中测量的要素的平均厚度、最大厚度和最小厚度中的一个。在一个示例中，可通过以下方式来确定要素的厚度：以相等的间隔(或可选地，非相等的间隔)从要素的参考中心点向左限定预定数量(例如，5)的点并向右限定预定数量(例如，5)的点，测量相等的间隔(或可选地，非相等的间隔)处的点中的每个的厚度，并获得它们的平均值。可选地，平均厚度可以是主体中预定数量的层(例如，10层，主体的上部中的5层和主体的中央部中的5层)的厚度的平均值。可选地，厚度可以是多次测量的最大厚度。可选地，厚度可以是测量区域中的参考中心点的厚度。
返回参照图4，第二区域124形成在介电层111的内部，并且可包括与内电极121和122中包括的金属氧化物成分O相同的金属氧化物成分O。在这种情况下，如图所示，第二区域124可形成在介电层111的与内电极121和122相邻的区域中，并且可形成在包括在介电层111中的多个晶粒G内部和由多个晶粒G形成的晶界中。然而，第二区域124可仅形成在晶粒G内部或晶界处。
第二区域124可包括与内电极121和122中包含的金属氧化物成分O相同的金属氧化物成分O，第二区域124中的金属氧化物成分O可以是从内电极121和122扩散出来的。第二区域124可提高介电层111的电绝缘，因此，可改善多层电容器100的DC偏置容量特性。如图所示，第二区域124可形成在介电层111的与内电极121和122相邻的区域中，并且在这种情况下，第二区域124的厚度可形成为介电层111的厚度的1/10至1/1000。然而，如在图6的变型示例中，当使用加速金属氧化物成分O的扩散的方法时，第二区域124可形成在整个介电层111中。
如在本示例性实施例中，通过在介电层111中形成具有金属氧化物成分O的第二区域124，可改善介电层111的耐受电压特性。在这种情况下，第二区域124的金属氧化物成分O可具有电阻随着温度升高而增大的电阻率正温度系数(PTCR)。以这样的方式，当金属氧化物成分O具有PTCR特性时，可更有效地改善介电层111的耐受电压特性。此外，这种PTCR特性可出现直到钛酸钡(BaTiO3)的相变温度Tc附近为止。呈现PTCR特性的施主元素可包括Ba、Ti、Sb、Bi、La、Ce、Dy、Ho、Cu、Cr、Mg等，并且第二区域124可以以这些元素的氧化物的形式形成。另外，第二区域124可包括诸如V和Mn的过渡金属或这些过渡金属的氧化物，并且在这种情况下，可获得与PTCR的效果相同的效果。
此外，除了形成在介电层111的内部之外，第二区域124可以以与第一区域123相同的方式以层结构形成。在这种情况下，如在图7的变型示例中，第一区域123和第二区域124可以以设置在相同的层级的形式实现。即使在这种情况下，第二区域124也可形成在介电层111的内部。然而，如在图8的变型示例中，第二区域124可仅以层结构形成，并且可不存在于介电层111的内部。
另外，作为另一变型示例，第一区域123和第二区域124可被实现为在介电层111的厚度方向上堆叠。具体地，如图9所示，第二区域124可设置在第一区域123和介电层111之间。可选地，如图10所示，第一区域123可设置在第二区域124和介电层111之间。另外，尽管在图9和图10的示例性实施例中未示出，但是类似于上述示例性实施例，第二区域124也可形成在介电层111中。
如上面所阐述的，在根据本公开的示例性实施例的多层电容器中，即使当组件小型化时，也可改善DC偏置容量特性并且可增加有效容量。
尽管上面已经示出和描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，可在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下进行修改和改变。

Claims (25)

1.一种多层电容器，包括：
主体，包括多层结构，在所述多层结构中，设置有多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及
外电极，设置在所述主体的外表面上并且连接到所述多个内电极，
其中，所述主体包括高电阻部，所述高电阻部设置在所述介电层与所述内电极之间的区域和所述介电层的内部的区域中的至少一个区域中，并且所述高电阻部的电阻高于所述内电极的电阻，并且所述高电阻部和所述多个内电极包括相同的金属成分和相同的金属氧化物成分。
2.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述高电阻部的所述金属成分的电阻高于所述内电极的主成分的电阻。
3.根据权利要求2所述的多层电容器，其中，所述金属成分包括从由Ag、Cu、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge和Te组成的组中选择的至少一种。
4.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述高电阻部的所述金属氧化物成分具有电阻随着温度升高而增大的电阻率正温度系数特性。
5.根据权利要求4所述的多层电容器，其中，所述高电阻部的所述金属氧化物成分的电阻率正温度系数特性出现直到钛酸钡的相变温度Tc为止。
6.根据权利要求4所述的多层电容器，其中，所述高电阻部的所述金属氧化物成分包括从由Ba、Ti、Sb、Bi、La、Ce、Dy、Ho、Cu、Cr、Mg、Mn和V组成的组中选择的至少一种的氧化物。
7.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述高电阻部包括第一区域和第二区域，所述第一区域以层结构形成在所述介电层和所述内电极之间，所述第二区域在所述介电层的内部，所述第一区域包括与所述内电极中包含的金属成分相同的金属成分，并且所述第二区域包括与所述内电极中包含的金属氧化物成分相同的金属氧化物成分。
8.根据权利要求7所述的多层电容器，其中，在50℃至125℃的温度范围内，所述第一区域的比电阻是所述介电层的比电阻的10倍或更大。
9.根据权利要求7所述的多层电容器，其中，所述第一区域的厚度为所述介电层的厚度的1/10至1/1000。
10.根据权利要求7所述的多层电容器，其中，所述第一区域占据所述介电层和所述内电极之间的界面的70％或更大的面积。
11.根据权利要求7所述的多层电容器，其中，所述第二区域设置在所述介电层的与所述内电极相邻的区域中。
12.根据权利要求11所述的多层电容器，其中，所述第二区域的厚度为所述介电层的厚度的1/10至1/1000。
13.根据权利要求7所述的多层电容器，其中，所述第二区域设置在整个介电层中。
14.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述高电阻部包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域以层结构形成在所述介电层和所述内电极之间，所述第一区域包括与所述内电极中包含的金属成分相同的金属成分，并且所述第二区域包括与所述内电极中包含的金属氧化物成分相同的金属氧化物成分。
15.根据权利要求14所述的多层电容器，其中，所述第一区域和所述第二区域设置在相同的层级处。
16.根据权利要求14所述的多层电容器，其中，所述第一区域和所述第二区域在所述介电层的厚度方向上堆叠。
17.根据权利要求14所述的多层电容器，其中，所述第二区域也设置在所述介电层的内部。
18.一种多层电容器，包括：
主体，包括内电极和介电层；以及
外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，
其中，所述主体包括设置在所述介电层的内部和/或所述介电层与所述内电极之间、并且包括与所述内电极相同的金属成分和相同的金属氧化物成分的部分。
19.根据权利要求18所述的多层电容器，其中，所述金属成分包括从由Ag、Cu、Au、Zn、Sn、In、Al、Bi、Sb、Ge和Te组成的组中选择的至少一种。
20.根据权利要求18所述的多层电容器，其中，所述金属氧化物成分具有电阻随着温度升高而增大的电阻率正温度系数特性。
21.根据权利要求18所述的多层电容器，其中，所述金属氧化物成分包括从由Ba、Ti、Sb、Bi、La、Ce、Dy、Ho、Cu、Cr、Mg、Mn和V组成的组中选择的至少一种的氧化物。
22.根据权利要求18所述的多层电容器，其中，所述部分包括第一区域和第二区域，所述第一区域以层结构形成在所述介电层和所述内电极之间，所述第二区域在所述介电层的内部，所述第一区域包括与所述内电极中包含的金属成分相同的金属成分，并且所述第二区域包括与所述内电极中包含的金属氧化物成分相同的金属氧化物成分。
23.根据权利要求22所述的多层电容器，其中，所述第一区域占据所述介电层和所述内电极之间的界面的70％或更大的面积。
24.根据权利要求18所述的多层电容器，其中，所述部分包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域以层结构形成在所述介电层和所述内电极之间，所述第一区域包括与所述内电极中包含的金属成分相同的金属成分，并且所述第二区域包括与所述内电极中包含的金属氧化物成分相同的金属氧化物成分。
25.根据权利要求24所述的多层电容器，其中，所述第二区域也设置在所述介电层的内部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114974891A (zh) * 2022-05-27 2022-08-30 德阳三环科技有限公司 一种多层陶瓷电容器及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220057735A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 삼성전기주식회사 적층형 커패시터
JP2023043216A (ja) * 2021-09-16 2023-03-29 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2757587B2 (ja) * 1990-06-26 1998-05-25 松下電器産業株式会社 粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサ及びその製造方法
JP3039426B2 (ja) * 1997-03-04 2000-05-08 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
US6185087B1 (en) * 1999-04-08 2001-02-06 Kemet Electronics Corp. Multilayer ceramic chip capacitor with high reliability compatible with nickel electrodes
TWI223291B (en) * 2001-10-25 2004-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Laminated ceramic electronic component and method of manufacturing the same
US7224570B2 (en) * 2004-06-28 2007-05-29 Kyocera Corporation Process for preparing multilayer ceramic capacitor and the multilayer ceramic capacitor
WO2006022060A1 (ja) * 2004-08-27 2006-03-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法
KR20060125277A (ko) 2005-06-02 2006-12-06 삼성전기주식회사 전자부품의 내부전극 재료
US7808770B2 (en) * 2007-06-27 2010-10-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Monolithic ceramic capacitor
JP5224074B2 (ja) * 2010-08-04 2013-07-03 株式会社村田製作所 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
JP5772255B2 (ja) 2011-06-07 2015-09-02 Tdk株式会社 積層電子部品
KR20130005518A (ko) * 2011-07-06 2013-01-16 삼성전기주식회사 내부전극용 도전성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품
KR101607536B1 (ko) 2012-08-07 2016-03-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법
KR101412950B1 (ko) * 2012-11-07 2014-06-26 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
KR102057911B1 (ko) * 2013-06-19 2019-12-20 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR102189801B1 (ko) * 2015-12-28 2020-12-11 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
KR20200142515A (ko) * 2018-04-11 2020-12-22 쇼에이 가가쿠 가부시키가이샤 유전체 자기 조성물 및 세라믹 전자 부품
JP2019192862A (ja) 2018-04-27 2019-10-31 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
KR20220057735A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 삼성전기주식회사 적층형 커패시터

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114974891A (zh) * 2022-05-27 2022-08-30 德阳三环科技有限公司 一种多层陶瓷电容器及其制备方法
CN114974891B (zh) * 2022-05-27 2024-05-14 德阳三环科技有限公司 一种多层陶瓷电容器及其制备方法

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